JP7282599B2 - ハイサイドトランジスタの駆動回路、スイッチング回路、dc/dcコンバータのコントローラ - Google Patents
ハイサイドトランジスタの駆動回路、スイッチング回路、dc/dcコンバータのコントローラ Download PDFInfo
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Description
本明細書に開示される一実施の形態は、NチャンネルまたはNPN型のハイサイドトランジスタの駆動回路に関する。駆動回路は、入力信号をシフトアップするレベルシフト回路と、レベルシフト回路の出力に応じて、ハイサイドトランジスタを駆動するバッファと、を備える。レベルシフト回路は、入力信号のポジエッジに応じたセットパルス、入力信号のネガエッジに応じたリセットパルスを生成するパルス発生器と、ソースが接地され、セットパルスに応じてオンとなる第1トランジスタと、ソースが接地され、リセットパルスに応じてオンとなる第2トランジスタと、を含むオープンドレイン回路と、クロスカップルされた第1トランジスタおよび第2トランジスタを含み、オープンドレイン回路の出力に応答して状態遷移するラッチ回路と、ハイサイドラインとスイッチングラインの間に設けられ、ラッチ回路の相補的な第1ノードおよび第2ノードのうち、レベルシフト回路の出力に応じた一方をローに固定するラッチ安定化回路と、を含む。
アシスト回路によって電流を注入することにより、寄生容量に起因する電流を相殺することができる。これにより、ラッチ回路の状態遷移を速めることができ、レベルシフト回路は、入力信号をバッファに高速に伝達することができる。
以下、本発明を好適な実施の形態をもとに図面を参照しながら説明する。各図面に示される同一または同等の構成要素、部材、処理には、同一の符号を付するものとし、適宜重複した説明は省略する。また、実施の形態は、発明を限定するものではなく例示であって、実施の形態に記述されるすべての特徴やその組み合わせは、必ずしも発明の本質的なものであるとは限らない。
図3は、実施の形態1に係るスイッチング回路100の回路図である。スイッチング回路100は、ハイサイドトランジスタMH、ローサイドトランジスタML、ハイサイドトランジスタMHおよびローサイドトランジスタMLを制御する半導体装置102、ブートストラップキャパシタC1を備える。
ここまでの説明では、レベルシフト回路220がレベルシフトアップ回路である場合を説明したが、レベルシフト回路220の構成を天地反転し、レベルシフトダウン回路を構成することができる。
また、VB(VS)が上昇する際にPDMOSトランジスタMP11,MP12の容量Cdsを介した電流がノードN21,N22に流れ、それらのノードの電位を上昇させるように作用する。アシスト回路250Eを追加することにより、アシスト回路250E側のPDMOSトランジスタMP41,MP42の容量Cdsによる電流が、カレントミラー回路254,256によってコピーされ、アシスト電流IASST_SET,IASST_RSTとして引き抜かれるため、ノードN21,N22の電圧上昇を抑制できる。
続いて半導体装置102の用途を説明する。半導体装置102は、DC/DCコンバータに用いることができる。図14は、DC/DCコンバータ500のコントローラ400の回路図である。DC/DCコンバータ500は同期整流型の降圧(Buck)コンバータであり、コントローラ400に加えて、キャパシタC1,C2およびインダクタL1を備える。
実施の形態ではハイサイドトランジスタMHをNチャンネルMOSFETとして説明したが、NPN型バイポーラトランジスタであってもよいし、IGBTであってもよい。この場合、ゲート、ソース、ドレインを、ベース、エミッタ、ドレインと読み替えればよい。
実施の形態では、ハイサイドトランジスタMHがディスクリート部品である構成を説明したが、ハイサイドトランジスタMHは半導体装置102同じICに集積化されてもよい。
図14のDC/DCコンバータ500において、ローサイドトランジスタMLをダイオードに置換してもよい。またDC/DCコンバータ500のトポロジーは降圧型に限定されず、ハイサイドトランジスタを備える他の形式であってもよい。
スイッチング回路100の用途は、DC/DCコンバータやインバータ装置に限定されない。たとえばスイッチング回路100は、双方向コンバータ、バッテリの充電回路、オーディオ用のD級アンプにも適用可能である。
MH ハイサイドトランジスタ
ML ローサイドトランジスタ
102 半導体装置
110 ローサイド駆動回路
120 レギュレータ
D1 整流素子
200 ハイサイド駆動回路
210 バッファ
220 レベルシフト回路
230 パルス発生器
232 オープンドレイン回路
MN11 第1トランジスタ
MN12 第2トランジスタ
240 ラッチ回路
N21 第1ノード
N22 第2ノード
MP21 第1トランジスタ
MP22 第2トランジスタ
250 アシスト回路
260 ロジック回路
262 レベルシフタ兼ラッチ回路
MP31 第1PMOSトランジスタ
MP32 第2PMOSトランジスタ
MN33 第3NMOSトランジスタ
MN34 第4NMOSトランジスタ
MN35 第5NMOSトランジスタ
MN36 第6NMOSトランジスタ
280 ラッチ安定化回路
282_1 第1電流源
282_2 第2電流源
SW1 第1スイッチ
284_1 第1インピーダンス素子
286_1 第1カレントミラー回路
SW2 第2スイッチ
284_2 第2インピーダンス素子
286_2 第2カレントミラー回路
290 第1可変インピーダンス素子5
292 第2可変インピーダンス素子
400 コントローラ
410 パルス変調器
420 ローサイド駆動回路
500 DC/DCコンバータ
Claims (22)
- NチャンネルまたはNPN型のハイサイドトランジスタの駆動回路であって、
入力信号をシフトアップするレベルシフト回路と、
前記レベルシフト回路の出力に応じて、前記ハイサイドトランジスタを駆動するバッファと、
を備え、
前記レベルシフト回路は、
前記入力信号のポジエッジに応じたセットパルス、前記入力信号のネガエッジに応じたリセットパルスを生成するパルス発生器と、
ソースが接地され、セットパルスに応じてオンとなる第1トランジスタと、ソースが接地され、前記リセットパルスに応じてオンとなる第2トランジスタと、を含むオープンドレイン回路と、
クロスカップルされた第1トランジスタおよび第2トランジスタを含み、前記オープンドレイン回路の出力に応答して状態遷移するラッチ回路と、
ハイサイドラインとスイッチングラインの間に設けられ、前記ラッチ回路の相補的な第1ノードおよび第2ノードのうち、前記レベルシフト回路の出力に応じた一方をローに固定するラッチ安定化回路と、
を含み、
前記ラッチ安定化回路は、
前記レベルシフト回路の出力が第1レベルのときにオンとなり、前記ラッチ回路の前記第1ノードから電流をシンクする第1電流源と、
前記レベルシフト回路の出力が第2レベルのときにオンとなり、前記ラッチ回路の前記第2ノードから電流をシンクする第2電流源と、
を含むことを特徴とする駆動回路。 - 前記ラッチ安定化回路は、前記ラッチ回路の相補的な第1ノードおよび第2ノードのうち前記レベルシフト回路の出力に応じた一方から電流をシンクすることを特徴とする請求項1に記載の駆動回路。
- 前記第1電流源は、
前記レベルシフト回路の出力が第1レベルのときにオンとなる第1スイッチと、
前記第1スイッチと直列に接続される第1インピーダンス素子と、
前記第1インピーダンス素子に流れる電流をコピーし、前記第1ノードから電流をシンクする第1カレントミラー回路と、
を含み、
前記第2電流源は、
前記レベルシフト回路の出力が第2レベルのときにオンとなる第2スイッチと、
前記第2スイッチと直列に接続される第2インピーダンス素子と、
前記第2インピーダンス素子に流れる電流をコピーし、前記第2ノードから電流をシンクする第2カレントミラー回路と、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の駆動回路。 - 前記第1インピーダンス素子および前記第2インピーダンス素子は、ゲートが前記スイッチングラインと接続されたPMOSトランジスタであることを特徴とする請求項3に記載の駆動回路。
- NチャンネルまたはNPN型のハイサイドトランジスタの駆動回路であって、
入力信号をシフトアップするレベルシフト回路と、
前記レベルシフト回路の出力に応じて、前記ハイサイドトランジスタを駆動するバッファと、
を備え、
前記レベルシフト回路は、
前記入力信号のポジエッジに応じたセットパルス、前記入力信号のネガエッジに応じたリセットパルスを生成するパルス発生器と、
ソースが接地され、セットパルスに応じてオンとなる第1トランジスタと、ソースが接地され、前記リセットパルスに応じてオンとなる第2トランジスタと、を含むオープンドレイン回路と、
クロスカップルされた第1トランジスタおよび第2トランジスタを含み、前記オープンドレイン回路の出力に応答して状態遷移するラッチ回路と、
ハイサイドラインとスイッチングラインの間に設けられ、前記ラッチ回路の相補的な第1ノードおよび第2ノードのうち、前記レベルシフト回路の出力に応じた一方をローに固定するラッチ安定化回路と、
を含み、
前記ラッチ安定化回路は、
前記ラッチ回路の相補的な第1ノードと第2ノードのうち一方とスイッチングラインの間に設けられた第1可変インピーダンス素子と、
前記第1ノードと第2ノードのうち他方と前記スイッチングラインの間に設けられた第2可変インピーダンス素子と、
を含み、前記第1可変インピーダンス素子と前記第2可変インピーダンス素子のインピーダンスは、前記レベルシフト回路の出力に応じて相補的に制御されることを特徴とする請求項1に記載の駆動回路。 - 前記レベルシフト回路は、前記ラッチ回路の後段に設けられるレベルシフタ兼ラッチ回路をさらに含み、
前記レベルシフタ兼ラッチ回路は、
ソースが前記ハイサイドラインと接続され、ゲートが前記第1ノードと接続された第1PMOSトランジスタと、
ソースが前記ハイサイドラインと接続され、ゲートが前記第2ノードと接続された第2PMOSトランジスタと、
ドレインが前記第1PMOSトランジスタのドレインと接続され、ゲートが前記第1ノードと接続された第3NMOSトランジスタと、
ドレインが前記第2PMOSトランジスタのドレインと接続され、ゲートが前記第2ノードと接続された第4NMOSトランジスタと、
ドレインが前記第3NMOSトランジスタのソースと接続され、ゲートが前記第2PMOSトランジスタのドレインと接続され、ソースが前記スイッチングラインと接続された第5NMOSトランジスタと、
ドレインが前記第4NMOSトランジスタのソースと接続され、ゲートが前記第1PMOSトランジスタのドレインと接続され、ソースが前記スイッチングラインと接続された第6NMOSトランジスタと、
を含むことを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の駆動回路。 - NチャンネルまたはNPN型のハイサイドトランジスタの駆動回路であって、
入力信号をシフトアップするレベルシフト回路と、
前記レベルシフト回路の出力に応じて、前記ハイサイドトランジスタを駆動するバッファと、
を備え、
前記レベルシフト回路は、
前記入力信号のポジエッジに応じたセットパルス、前記入力信号のネガエッジに応じたリセットパルスを生成するパルス発生器と、
ソースが接地され、セットパルスに応じてオンとなる第1トランジスタと、ソースが接地され、前記リセットパルスに応じてオンとなる第2トランジスタと、を含むオープンドレイン回路と、
クロスカップルされた第1トランジスタおよび第2トランジスタを含み、前記オープンドレイン回路の出力に応答して状態遷移するラッチ回路と、
ハイサイドラインとスイッチングラインの間に設けられ、前記ラッチ回路の相補的な第1ノードおよび第2ノードのうち、前記レベルシフト回路の出力に応じた一方をローに固定するラッチ安定化回路と、
を含み、
前記レベルシフト回路は、前記ラッチ回路の後段に設けられるレベルシフタ兼ラッチ回路をさらに含み、
前記レベルシフタ兼ラッチ回路は、
ソースが前記ハイサイドラインと接続され、ゲートが前記第1ノードと接続された第1PMOSトランジスタと、
ソースが前記ハイサイドラインと接続され、ゲートが前記第2ノードと接続された第2PMOSトランジスタと、
ドレインが前記第1PMOSトランジスタのドレインと接続され、ゲートが前記第1ノードと接続された第3NMOSトランジスタと、
ドレインが前記第2PMOSトランジスタのドレインと接続され、ゲートが前記第2ノードと接続された第4NMOSトランジスタと、
ドレインが前記第3NMOSトランジスタのソースと接続され、ゲートが前記第2PMOSトランジスタのドレインと接続され、ソースが前記スイッチングラインと接続された第5NMOSトランジスタと、
ドレインが前記第4NMOSトランジスタのソースと接続され、ゲートが前記第1PMOSトランジスタのドレインと接続され、ソースが前記スイッチングラインと接続された第6NMOSトランジスタと、
を含むことを特徴とする駆動回路。 - 前記レベルシフト回路は、前記セットパルスに応答して前記第2ノードにアシスト電流を注入し、前記リセットパルスに応答して前記第1ノードにアシスト電流を注入するアシスト回路をさらに含むことを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の駆動回路。
- NチャンネルまたはNPN型のハイサイドトランジスタの駆動回路であって、
入力信号をシフトアップするレベルシフト回路と、
前記レベルシフト回路の出力に応じて、前記ハイサイドトランジスタを駆動するバッファと、
を備え、
前記レベルシフト回路は、
前記入力信号のポジエッジに応じたセットパルス、前記入力信号のネガエッジに応じたリセットパルスを生成するパルス発生器と、
ソースが接地され、セットパルスに応じてオンとなる第1トランジスタと、ソースが接地され、前記リセットパルスに応じてオンとなる第2トランジスタと、を含むオープンドレイン回路と、
クロスカップルされた第1トランジスタおよび第2トランジスタを含み、前記オープンドレイン回路の出力に応答して状態遷移するラッチ回路と、
ハイサイドラインとスイッチングラインの間に設けられ、前記ラッチ回路の相補的な第1ノードおよび第2ノードのうち、前記レベルシフト回路の出力に応じた一方をローに固定するラッチ安定化回路と、
を含み、
前記レベルシフト回路は、前記セットパルスに応答して前記第2ノードにアシスト電流を注入し、前記リセットパルスに応答して前記第1ノードにアシスト電流を注入するアシスト回路をさらに含み、
前記アシスト回路は、
前記セットパルスをゲートに受けるNチャンネルの第1トランジスタと、
ハイサイドラインと接続され、前記第1トランジスタの電流を折り返す第1カレントミラー回路と、
前記リセットパルスをゲートに受けるNチャンネルの第2トランジスタと、
前記ハイサイドラインと接続され、前記第2トランジスタの電流を折り返す第2カレントミラー回路と、
を含むことを特徴とする請求項8に記載の駆動回路。 - 入力ラインとスイッチングラインの間に設けられるハイサイドトランジスタと、
前記スイッチングラインと接地ラインの間に設けられるローサイドトランジスタと、
前記ハイサイドトランジスタを駆動する請求項1から9のいずれかに記載の駆動回路と、
を備えることを特徴とするスイッチング回路。 - DC/DCコンバータのコントローラであって、
前記DC/DCコンバータの出力が目標に近づくようにパルス信号を生成するパルス変調器と、
前記パルス信号にもとづいてNチャンネルまたはNPN型のハイサイドトランジスタを駆動する駆動回路と、
を備え、
前記駆動回路は、
前記パルス信号を入力信号として受け、シフトアップする第1レベルシフト回路と、
前記第1レベルシフト回路の出力に応じて、前記ハイサイドトランジスタを駆動するバッファと、
を備え、
前記第1レベルシフト回路は、
前記入力信号のポジエッジに応じたセットパルス、前記入力信号のネガエッジに応じたリセットパルスを生成するパルス発生器と、
ソースが接地され、前記セットパルスに応じてオンとなる第1トランジスタと、ソースが接地され、前記リセットパルスに応じてオンとなる第2トランジスタと、を含むオープンドレイン回路と、
クロスカップルされた第1トランジスタおよび第2トランジスタを含み、前記オープンドレイン回路の出力に応答して状態遷移するラッチ回路と、
ハイサイドラインとスイッチングラインの間に設けられ、前記ラッチ回路の相補的な第1ノードおよび第2ノードのうち、前記第1レベルシフト回路の出力に応じた一方をローに固定するラッチ安定化回路と、
を含み、
前記ラッチ安定化回路は、
前記第1レベルシフト回路の出力が第1レベルのときにオンとなり、前記ラッチ回路の前記第1ノードから電流をシンクする第1電流源と、
前記第1レベルシフト回路の出力が第2レベルのときにオンとなり、前記ラッチ回路の前記第2ノードから電流をシンクする第2電流源と、
を含むことを特徴とするコントローラ。 - 前記ラッチ安定化回路は、前記ラッチ回路の相補的な第1ノードおよび第2ノードのうち前記第1レベルシフト回路の出力に応じた一方から電流をシンクすることを特徴とする請求項11に記載のコントローラ。
- 前記第1電流源は、
前記第1レベルシフト回路の出力が第1レベルのときにオンとなる第1スイッチと、
前記第1スイッチと直列に接続される第1インピーダンス素子と、
前記第1インピーダンス素子に流れる電流をコピーし、前記第1ノードから電流をシンクする第1カレントミラー回路と、
を含み、
前記第2電流源は、
前記第1レベルシフト回路の出力が第2レベルのときにオンとなる第2スイッチと、
前記第2スイッチと直列に接続される第2インピーダンス素子と、
前記第2インピーダンス素子に流れる電流をコピーし、前記第2ノードから電流をシンクする第2カレントミラー回路と、
を含むことを特徴とする請求項11に記載のコントローラ。 - 前記第1インピーダンス素子および前記第2インピーダンス素子は、ゲートが前記スイッチングラインと接続されたPMOSトランジスタであることを特徴とする請求項13に記載のコントローラ。
- DC/DCコンバータのコントローラであって、
前記DC/DCコンバータの出力が目標に近づくようにパルス信号を生成するパルス変調器と、
前記パルス信号にもとづいてNチャンネルまたはNPN型のハイサイドトランジスタを駆動する駆動回路と、
を備え、
前記駆動回路は、
前記パルス信号を入力信号として受け、シフトアップする第1レベルシフト回路と、
前記第1レベルシフト回路の出力に応じて、前記ハイサイドトランジスタを駆動するバッファと、
を備え、
前記第1レベルシフト回路は、
前記入力信号のポジエッジに応じたセットパルス、前記入力信号のネガエッジに応じたリセットパルスを生成するパルス発生器と、
ソースが接地され、前記セットパルスに応じてオンとなる第1トランジスタと、ソースが接地され、前記リセットパルスに応じてオンとなる第2トランジスタと、を含むオープンドレイン回路と、
クロスカップルされた第1トランジスタおよび第2トランジスタを含み、前記オープンドレイン回路の出力に応答して状態遷移するラッチ回路と、
ハイサイドラインとスイッチングラインの間に設けられ、前記ラッチ回路の相補的な第1ノードおよび第2ノードのうち、前記第1レベルシフト回路の出力に応じた一方をローに固定するラッチ安定化回路と、
を含み、
前記ラッチ安定化回路は、
前記ラッチ回路の相補的な第1ノードと第2ノードのうち一方とスイッチングラインの間に設けられた第1可変インピーダンス素子と、
前記第1ノードと第2ノードのうち他方と前記スイッチングラインの間に設けられた第2可変インピーダンス素子と、
を含み、前記第1可変インピーダンス素子と前記第2可変インピーダンス素子のインピーダンスは、前記第1レベルシフト回路の出力に応じて相補的に制御されることを特徴とするコントローラ。 - 前記第1レベルシフト回路は、前記ラッチ回路の後段に設けられるレベルシフタ兼ラッチ回路をさらに含み、
前記レベルシフタ兼ラッチ回路は、
ソースが前記ハイサイドラインと接続され、ゲートが前記第1ノードと接続された第1PMOSトランジスタと、
ソースが前記ハイサイドラインと接続され、ゲートが前記第2ノードと接続された第2PMOSトランジスタと、
ドレインが前記第1PMOSトランジスタのドレインと接続され、ゲートが前記第1ノードと接続された第3NMOSトランジスタと、
ドレインが前記第2PMOSトランジスタのドレインと接続され、ゲートが前記第2ノードと接続された第4NMOSトランジスタと、
ドレインが前記第3NMOSトランジスタのソースと接続され、ゲートが前記第2PMOSトランジスタのドレインと接続され、ソースが前記スイッチングラインと接続された第5NMOSトランジスタと、
ドレインが前記第4NMOSトランジスタのソースと接続され、ゲートが前記第1PMOSトランジスタのドレインと接続され、ソースが前記スイッチングラインと接続された第6NMOSトランジスタと、
を含むことを特徴とする請求項11から15のいずれかに記載のコントローラ。 - DC/DCコンバータのコントローラであって、
前記DC/DCコンバータの出力が目標に近づくようにパルス信号を生成するパルス変調器と、
前記パルス信号にもとづいてNチャンネルまたはNPN型のハイサイドトランジスタを駆動する駆動回路と、
を備え、
前記駆動回路は、
前記パルス信号を入力信号として受け、シフトアップする第1レベルシフト回路と、
前記第1レベルシフト回路の出力に応じて、前記ハイサイドトランジスタを駆動するバッファと、
を備え、
前記第1レベルシフト回路は、
前記入力信号のポジエッジに応じたセットパルス、前記入力信号のネガエッジに応じたリセットパルスを生成するパルス発生器と、
ソースが接地され、前記セットパルスに応じてオンとなる第1トランジスタと、ソースが接地され、前記リセットパルスに応じてオンとなる第2トランジスタと、を含むオープンドレイン回路と、
クロスカップルされた第1トランジスタおよび第2トランジスタを含み、前記オープンドレイン回路の出力に応答して状態遷移するラッチ回路と、
ハイサイドラインとスイッチングラインの間に設けられ、前記ラッチ回路の相補的な第1ノードおよび第2ノードのうち、前記第1レベルシフト回路の出力に応じた一方をローに固定するラッチ安定化回路と、
を含み、
前記第1レベルシフト回路は、前記ラッチ回路の後段に設けられるレベルシフタ兼ラッチ回路をさらに含み、
前記レベルシフタ兼ラッチ回路は、
ソースが前記ハイサイドラインと接続され、ゲートが前記第1ノードと接続された第1PMOSトランジスタと、
ソースが前記ハイサイドラインと接続され、ゲートが前記第2ノードと接続された第2PMOSトランジスタと、
ドレインが前記第1PMOSトランジスタのドレインと接続され、ゲートが前記第1ノードと接続された第3NMOSトランジスタと、
ドレインが前記第2PMOSトランジスタのドレインと接続され、ゲートが前記第2ノードと接続された第4NMOSトランジスタと、
ドレインが前記第3NMOSトランジスタのソースと接続され、ゲートが前記第2PMOSトランジスタのドレインと接続され、ソースが前記スイッチングラインと接続された第5NMOSトランジスタと、
ドレインが前記第4NMOSトランジスタのソースと接続され、ゲートが前記第1PMOSトランジスタのドレインと接続され、ソースが前記スイッチングラインと接続された第6NMOSトランジスタと、
を含むことを特徴とするコントローラ。 - 前記第1レベルシフト回路は、前記セットパルスに応答して前記第2ノードにアシスト電流を注入し、前記リセットパルスに応答して前記第1ノードにアシスト電流を注入するアシスト回路をさらに含むことを特徴とする請求項11から17のいずれかに記載のコントローラ。
- DC/DCコンバータのコントローラであって、
前記DC/DCコンバータの出力が目標に近づくようにパルス信号を生成するパルス変調器と、
前記パルス信号にもとづいてNチャンネルまたはNPN型のハイサイドトランジスタを駆動する駆動回路と、
を備え、
前記駆動回路は、
前記パルス信号を入力信号として受け、シフトアップする第1レベルシフト回路と、
前記第1レベルシフト回路の出力に応じて、前記ハイサイドトランジスタを駆動するバッファと、
を備え、
前記第1レベルシフト回路は、
前記入力信号のポジエッジに応じたセットパルス、前記入力信号のネガエッジに応じたリセットパルスを生成するパルス発生器と、
ソースが接地され、前記セットパルスに応じてオンとなる第1トランジスタと、ソースが接地され、前記リセットパルスに応じてオンとなる第2トランジスタと、を含むオープンドレイン回路と、
クロスカップルされた第1トランジスタおよび第2トランジスタを含み、前記オープンドレイン回路の出力に応答して状態遷移するラッチ回路と、
ハイサイドラインとスイッチングラインの間に設けられ、前記ラッチ回路の相補的な第1ノードおよび第2ノードのうち、前記第1レベルシフト回路の出力に応じた一方をローに固定するラッチ安定化回路と、
を含み、
前記第1レベルシフト回路は、前記セットパルスに応答して前記第2ノードにアシスト電流を注入し、前記リセットパルスに応答して前記第1ノードにアシスト電流を注入するアシスト回路をさらに含むことを特徴とするコントローラ。 - 前記アシスト回路は、
前記セットパルスをゲートに受けるNチャンネルの第1トランジスタと、
ハイサイドラインと接続され、前記第1トランジスタの電流を折り返す第1カレントミラー回路と、
前記リセットパルスをゲートに受けるNチャンネルの第2トランジスタと、
前記ハイサイドラインと接続され、前記第2トランジスタの電流を折り返す第2カレントミラー回路と、
を含むことを特徴とする請求項18または19に記載のコントローラ。 - 前記駆動回路は、前記駆動回路において生成される内部信号を受け、シフトダウンする第2レベルシフト回路をさらに備え、
前記第2レベルシフト回路は、前記第1レベルシフト回路を構成するトランジスタの極性を入れ替えて、天地反転した構成を有することを特徴とする請求項11から20のいずれかに記載のコントローラ。 - NチャンネルまたはNPN型のハイサイドトランジスタの駆動回路であって、
入力信号をシフトダウンするレベルシフト回路を備え、
前記レベルシフト回路は、
ハイサイドラインとスイッチングラインの間に設けられ、前記入力信号のポジエッジに応じたセットパルス、前記入力信号のネガエッジに応じたリセットパルスを生成するパルス発生器と、
ソースが前記ハイサイドラインと接続され、前記セットパルスに応じてオンとなる第1トランジスタと、ソースが前記ハイサイドラインと接続され、前記リセットパルスに応じてオンとなる第2トランジスタと、を含むオープンドレイン回路と、
クロスカップルされた第1トランジスタおよび第2トランジスタを含み、前記オープンドレイン回路の出力に応答して状態遷移するラッチ回路と、
電源ラインと接地ラインの間に設けられ、前記ラッチ回路の相補的な第1ノードおよび第2ノードのうち、前記レベルシフト回路の出力に応じた一方をローに固定するラッチ安定化回路と、
を含むことを特徴とする駆動回路。
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