JP7279432B2 - 複合基板、電子デバイス、複合基板の製造方法及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係る複合基板の正面断面図である。図1に示す本実施形態の複合基板1は、例えば、表面弾性波素子などの電子デバイスに用いられる。複合基板1は、支持基板2と、支持基板2上に設けられている圧電基板3とを備える。支持基板2は、対向し合う第1の主面2a及び第2の主面2bを有する。圧電基板3は、対向し合う第3の主面3a及び第4の主面3bを有する。支持基板2の第1の主面2aが圧電基板3に接合されている面である。圧電基板3の第3の主面3aが支持基板2に接合されている面である。
図2は、第1の実施形態の変形例に係る複合基板の正面断面図である。図2に示すように、複合基板11は、支持基板2と圧電基板3との間に設けられている接合層14を備える。接合層14は、特に限定されないが、例えば、Ti層などの金属を含む層である。接合層14は、金属と支持基板2及び/または圧電基板3の構成成分が混合されてなる層であってもよい。また、接合層14は、単一金属により構成されてもよいし、合金により構成されてもよい。接合層14の厚みは20nm以下であることが好ましい。この場合には、接合層14が、支持基板2と圧電基板3との間の残留歪量に影響を及ぼし難い。よって、第1の実施形態と同様に、温度変化に対するフィルタ特性の安定性を高めることができる。
図3は、本発明の第2の実施形態に係る電子デバイスの模式的斜視図である。電子デバイス20は、第1の実施形態の複合基板1と、複合基板1上に設けられている第1の櫛形電極25A及び第2の櫛形電極25Bとを備える。第1の櫛形電極25Aには入力端子26Aが接続されている。第2の櫛形電極25Bには出力端子26Bが接続されている。
図1に示す支持基板2は、ガラス原料を所定の割合で調合された原料バッチを溶融した後、所定の形状に成形し、所定の温度条件で結晶化することにより作製される。
以下、実施例に基づき本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
質量%で、SiO2 79%、Al2O3 4%、Li2O 9%、Na2O 4%、K2O 2%、P2O5 2%の組成を有するガラスとなるように、原料粉末を調合し、均一に混合した。得られた原料バッチを1360℃で均質になるまで溶融し、溶融ガラスとした。次に、溶融ガラスを板状に成形し、500℃で保持された徐冷炉内にて3時間アニール処理を行った。次に、板状に成形した溶融ガラスを室温まで冷却することにより板状結晶性ガラスを得た。
(1)において作製した支持基板に、φ100mm、厚み0.2mmの、圧電基板としてのニオブ酸リチウム結晶基板(LN基板)をオプティカルコンタクトにより直接接合することにより、複合基板を得た。支持基板とLN基板との接合界面には気泡はほぼ観察されず、良好に接合されていた。さらに、走査型電子顕微鏡(SEM)にて複合基板の断面を観察した。結果、接合界面には隙間がなく、支持基板とLN基板とが強固に接合していることが確認できた。
2…支持基板
2a…第1の主面
2b…第2の主面
3…圧電基板
3a…第3の主面
3b…第4の主面
11…複合基板
14…接合層
20…電子デバイス
25A…第1の櫛形電極
25B…第2の櫛形電極
26A…入力端子
26B…出力端子
Claims (12)
- 電子デバイスに用いられる複合基板であって、
支持基板と、
前記支持基板上に設けられている圧電基板と、
を備え、
前記支持基板が、質量%で、SiO 2 60%~85%、Al 2 O 3 0.1%~7%、Li 2 O 7%~15%、Na 2 O 0.1%~7%、K 2 O 1%~7%、Na 2 O+K 2 O 2%~14%、B 2 O 3 0%~7%、及びP 2 O 5 0.1%~5%を含有し、α-クリストバライト及び/またはトリジマイトを析出してなる結晶化ガラスにより構成されていることを特徴とする、複合基板。 - 前記支持基板の30℃以上、380℃以下の範囲における平均熱膨張係数が120×10-7/℃以上、150×10-7/℃以下である、請求項1に記載の複合基板。
- 前記支持基板におけるα-クリストバライト及び/またはトリジマイトの析出量が50質量%以上である、請求項1または2に記載の複合基板。
- 前記支持基板の面と前記圧電基板の面とが直接的に接合されている、請求項1~3のいずれか一項に記載の複合基板。
- 前記支持基板と前記圧電基板との間に接合層をさらに備え、
前記接合層は金属を含み、その厚みが20nm以下である、請求項1~3のいずれか一項に記載の複合基板。 - 前記圧電基板がニオブ酸リチウム結晶基板またはタンタル酸リチウム結晶基板であり、
前記圧電基板の厚みが20μm以下である、請求項1~5のいずれか一項に記載の複合
基板。 - 前記支持基板の前記圧電基板に接合されている面及び前記圧電基板の前記支持基板に接合されている面の算術平均粗さRaがそれぞれ10nm以下である、請求項1~6のいずれか一項に記載の複合基板。
- 請求項1~7のいずれか一項に記載の複合基板と、
前記圧電基板上に設けられている櫛形電極と、
を備え、
前記圧電基板に弾性表面波を生成可能に構成された、電子デバイス。 - 請求項1~7のいずれか一項に記載の複合基板の製造方法であって、
前記支持基板を用意する工程と、
前記支持基板に前記圧電基板を接合する工程と、
を備え、
α-クリストバライト及び/またはトリジマイトを析出してなる結晶化ガラスを前記支持基板に用いることを特徴とする、複合基板の製造方法。 - 前記支持基板に前記圧電基板を接合する工程において、前記支持基板と前記圧電基板とをオプティカルコンタクトにより接合する、請求項9に記載の複合基板の製造方法。
- 前記支持基板に前記圧電基板を接合する工程の後に、前記圧電基板を研磨し、前記複合基板を薄板化する工程をさらに備える、請求項9または10に記載の複合基板の製造方法。
- 請求項1~7のいずれか一項に記載の複合基板の前記圧電基板上に櫛形電極を設ける工程を備える、電子デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2019048334A JP7279432B2 (ja) | 2019-03-15 | 2019-03-15 | 複合基板、電子デバイス、複合基板の製造方法及び電子デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2020150488A JP2020150488A (ja) | 2020-09-17 |
JP7279432B2 true JP7279432B2 (ja) | 2023-05-23 |
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ID=72429929
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2019048334A Active JP7279432B2 (ja) | 2019-03-15 | 2019-03-15 | 複合基板、電子デバイス、複合基板の製造方法及び電子デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7279432B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20220140227A1 (en) * | 2020-11-03 | 2022-05-05 | Corning Incorporated | Substrate thining using temporary bonding processes |
NL2027189B1 (en) * | 2020-11-03 | 2022-06-27 | Corning Inc | Substrate thining using temporary bonding processes |
EP3993074A1 (en) * | 2020-11-03 | 2022-05-04 | Corning Incorporated | Substrate thining using temporary bonding processes |
JP6935573B1 (ja) | 2020-12-23 | 2021-09-15 | 日本碍子株式会社 | 複合基板および弾性表面波素子 |
KR20230124709A (ko) | 2021-02-05 | 2023-08-25 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 복합 기판, 탄성 표면파 소자 및 복합 기판의 제조방법 |
EP4124679A4 (en) | 2021-06-11 | 2024-07-31 | Ngk Insulators Ltd | COMPOSITE SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPOSITE SUBSTRATE |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009227492A (ja) | 2008-03-20 | 2009-10-08 | Hoya Corp | 結晶化ガラス基板の製造方法、及び両面配線基板の製造方法 |
JP2012213244A (ja) | 2007-12-25 | 2012-11-01 | Murata Mfg Co Ltd | 複合圧電基板の製造方法 |
JP2014075407A (ja) | 2012-10-03 | 2014-04-24 | Asahi Glass Co Ltd | Cigs型太陽電池用基板及びそれを用いたcigs型太陽電池の製造方法 |
WO2015186571A1 (ja) | 2014-06-06 | 2015-12-10 | 日本碍子株式会社 | コージェライト焼結体、その製法、複合基板及び電子デバイス |
WO2018203430A1 (ja) | 2017-05-02 | 2018-11-08 | 日本碍子株式会社 | 弾性波素子およびその製造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11163654A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 補強された圧電基板の製造方法 |
-
2019
- 2019-03-15 JP JP2019048334A patent/JP7279432B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012213244A (ja) | 2007-12-25 | 2012-11-01 | Murata Mfg Co Ltd | 複合圧電基板の製造方法 |
JP2009227492A (ja) | 2008-03-20 | 2009-10-08 | Hoya Corp | 結晶化ガラス基板の製造方法、及び両面配線基板の製造方法 |
JP2014075407A (ja) | 2012-10-03 | 2014-04-24 | Asahi Glass Co Ltd | Cigs型太陽電池用基板及びそれを用いたcigs型太陽電池の製造方法 |
WO2015186571A1 (ja) | 2014-06-06 | 2015-12-10 | 日本碍子株式会社 | コージェライト焼結体、その製法、複合基板及び電子デバイス |
WO2018203430A1 (ja) | 2017-05-02 | 2018-11-08 | 日本碍子株式会社 | 弾性波素子およびその製造方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020150488A (ja) | 2020-09-17 |
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