JP7272322B2 - 半導体結晶製造装置の管理方法、半導体結晶の製造方法、及び半導体結晶製造管理システム - Google Patents
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来は、各構成部材について使用回数や使用時間を管理し、使用回数や使用時間が予め設定した値を上回った構成部材を新品と交換している。
前記対象領域の温度分布とし、出力を前記低コストの任意の前記構成部材の前記物性値とする第2推定モデルを、機械学習法を用いて作成する第2学習ステップと、前記第2推定モデルに、前記低コストの任意の構成部材を除いた前記各構成部材の前記各物性値の各実測値と、前記目標とする前記対象領域の前記温度分布を入力し、前記低コストの任意の前記構成部材の物性値を算出する第2算出ステップと、前記第2推定モデルに、前記各構成部材の前記各物性値の前記各許容範囲内において、前記各構成部材の前記各物性値を変化させながら入力するとともに、前記目標とする前記対象領域の前記温度分布を入力して、前記低コストの任意の前記構成部材の前記物性値の前記許容範囲を修正する修正許容範囲を算出する第3算出ステップと、前記各構成部材の前記各物性値の各実測値と、前記許容範囲とを照らし合わせて、前記各構成部材を交換すべきか否かを決定し、前記コストデータに基づいて、高コストの前記構成部材は、前記物性値の前記実測値が対応する前記許容範囲にない場合、前記物性値と、前記修正許容範囲とを照らし合わせて、前記低コストの任意の前記構成部材の交換で代替すべきか否かを決定する決定ステップとを備えていることを特徴とする。
いて作成し、前記各構成部材のコストの高低に関するコストデータを予め取得し、前記複数のデータセットを訓練データとして、入力を、低コストの任意の前記構成部材を除いた前記各構成部材の前記各物性値及び目標とする前記対象領域の温度分布とし、出力を前記低コストの任意の前記構成部材の前記物性値とする第2推定モデルを、機械学習法を用いて作成する機械学習部と、前記各構成部材の前記各物性値のばらつきうる範囲内において、前記各構成部材の前記各物性値を変化させながら前記第1推定モデルに入力して、前記対象領域の前記温度分布を推定し、前記推定した前記対象領域の前記温度分布と前記目標とする前記対象領域の前記温度分布とに基づいて、前記各構成部材の前記各物性値の許容範囲を算出し、前記第2推定モデルに、前記低コストの任意の構成部材を除いた前記各構成部材の前記各物性値の各実測値と、前記目標とする前記対象領域の前記温度分布を入力し、前記低コストの任意の前記構成部材の物性値を算出し、前記第2推定モデルに、前記各構成部材の前記各物性値の前記各許容範囲内において、前記各構成部材の前記各物性値を変化させながら入力するとともに、前記目標とする前記対象領域の前記温度分布を入力して、前記低コストの任意の前記構成部材の前記物性値の前記許容範囲を修正する修正許容範囲を算出する推定部と、前記各構成部材の前記各物性値の各実測値と、前記許容範囲とを照らし合わせて、前記各構成部材を交換すべきか否かを決定し、前記コストデータに基づいて、高コストの前記構成部材は、前記物性値の前記実測値が対応する前記許容範囲にない場合、前記物性値と、前記修正許容範囲とを照らし合わせて、前記低コストの任意の前記構成部材の交換で代替すべきか否かを決定する決定部とを備えていることを特徴とする。
[第1実施形態]
以下、本発明の第1実施形態について図面を参照して説明する。
図1は本発明の第1実施形態に係るシリコン単結晶製造装置の管理方法を適用したシリコン単結晶製造管理システム100の構成の一例を示す概念図である。シリコン単結晶製造管理システム100は、シリコン単結晶製造装置9と、管理装置10とを備えている。
次に、前記構成を有するシリコン単結晶製造管理システム100(図1参照)を用いたシリコン単結晶製造装置の管理方法の一例について、図5及び図6に示すフローチャートを参照して説明する。まず、管理者は、管理装置10の操作部63を操作して、シリコン単結晶製造装置9の構成部材について、サイズや物性値を設定する(ステップS1)。
、ドーパント添加融液MDの固液界面近傍のシリコン単結晶1中の固液界面軸方向の温度勾配Gが大きな影響を与えると考えられているからである。
以上説明したように、第1実施形態によれば、第1推定モデルを用いることにより、各構成部材の物性値が劣化、等により変化した際の目標とする対象領域の温度分布(シリコン単結晶1の生産性・品質と結びつく指標)を速やかに推定することができる。このため、目標とする対象領域の温度分布が得られるように各構成部材の物性値の許容範囲を定めることができる。この許容範囲に収まるように構成部材を管理することにより、シリコン単結晶製造装置9の装置内の温度分布のばらつきを抑制することができる。よって、温度分布のばらつきが原因である、装置間及びバッチ間におけるシリコン単結晶1の結晶品質のばらつきを低減することができる。
以下、本発明の第2実施形態について図面を参照して説明する。第2実施形態は、シリコン単結晶製造装置9の各構成部材を交換する際に、任意の高価な構成部材の物性値がその構成部材の使用継続が可能か否かを判断するための許容範囲(第1のしきい値)とは別に設定された許容範囲(修正許容範囲、第2のしきい値・後述)外となったとき、その構成部材より安価な構成部材を代替で交換して装置内の温度分布を許容範囲内に収めるように管理することにより、シリコン単結晶製造装置9の製造コストを低減しようとするものである。
第2実施形態で用いられるシリコン単結晶製造管理システム100の構成は、第1実施形態における図1~図4を参照して段落0032~段落0061において説明した構成とほぼ同様であるので、以下、その要約を説明し、詳細な説明を省略する。
な時期に新品と交換することが望ましい。一方、シリコン単結晶製造装置9全体のコストを極力削減する必要がある。前記構成部材にはコストが高いものと低いものとがあるので、シリコン単結晶製造装置9全体のコストを削減するためには、コストが高い構成部材の交換頻度を可能な限り少なくすることが好ましい。
次に、前記構成を有するシリコン単結晶製造管理システム100を用いたシリコン単結晶製造装置の管理方法の一例について、図8~図10に示すフローチャートを参照して説明する。ただし、図8に示すステップS1~S10の処理については、段落0062~段落0073において説明した図5に示すステップS1~S10の処理と同様であるので、以下、その要約を説明し、詳細な説明を省略する。
も良い。
以上説明したように、第2実施形態によれば、第1推定モデルを用いることにより、各構成部材の物性値が劣化、等により変化した際の目標とする対象領域の温度分布(シリコン単結晶1の生産性・品質と結びつく指標)を速やかに推定することができる。このため、目標とする対象領域の温度分布が得られるように各構成部材の物性値の許容範囲を定めることができる。
また、第2推定モデルに、第1推定モデルで得られた任意の構成部材Exの物性値Pxを当該構成部材Exの物性値Pxの許容範囲(第1のしきい値)内で変化させながら入力することにより、目標とする対象領域の温度分布を実現するための、前記構成部材の中で低コストの任意の構成部材E2xの物性値P2xの修正許容範囲(第2のしきい値)を算出することができる。これにより、前記構成部材の中で高コストの構成部材を交換する代わりに、前記構成部材の中で低コストの構成部材を修正された物性値の許容範囲(第2のしきい値)内で交換することができるので、シリコン単結晶1の品質のばらつきを抑制しつつ、シリコン単結晶製造装置9の操業のコストを削減することができる。
まず、シリコン単結晶製造装置9の装置構造と引き上げ条件を模擬したシミュレーションモデルを構築した。構成部材は、黒鉛、黒鉛以外の炭素系などの材質から構成された50個以上からなる。黒鉛から構成された構成部材は熱伝導率のばらつきうる幅を10~65W/mKと設定し、黒鉛以外の炭素系から構成された構成部材は熱伝導率のばらつきうる幅を0.05~1.05W/mKと設定した。
次に、すべての構成部材に関する物性値のばらつきうる範囲内において、各構成部材の熱伝導率を変化させながら第1推定モデルに入力して、温度分布を出力させた。その際に、各構成部材のメーカーの保証値の熱伝導率を第1推定モデルに入力した場合のシリコン単結晶1の結晶中心における固液界面の温度勾配を1.0とした場合、シリコン単結晶1
の結晶中心における固液界面の温度勾配の許容範囲を0.95から1.05までと設定した。前記許容範囲内となる各構成部材の熱伝導率の範囲を各構成部材の管理値とした。
(以下「COPフリー」という。)とし、全条件で引き上げ条件を固定した。
以上、本発明の各実施形態について図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこれらの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があっても本発明に含まれる。
73Kまで、あるいは、873K近辺の熱履歴がBMDに影響を与えるので、シリコン単結晶1の当該温度領域を温度分布のばらつきを抑制したい対象領域としても良い。
良い。このように構成すれば、例えば、交換した断熱材にクラックが入っていたなど、当初より所望の物性値を有していない構成部材を使用しなくて済む。
Claims (9)
- 半導体結晶製造装置の各構成部材の各物性値のばらつきうる範囲内において前記各物性値を変化させて複数の計算条件を、所定のシミュレーションモデルに基づいて作成し、前記複数の計算条件を用いて伝熱シミュレーションを実施し、前記半導体結晶製造装置内の温度分布を計算して計算結果を得るシミュレーションステップと、
前記半導体結晶製造装置内の前記温度分布のばらつきを抑制したい対象領域における前記温度分布の前記計算結果と、前記複数の計算条件とを組み合わせた複数のデータセットを訓練データとして、入力を前記各構成部材の前記各物性値とし、出力を前記対象領域の温度分布とする第1推定モデルを、機械学習法を用いて作成する第1学習ステップと、
前記各構成部材の前記各物性値のばらつきうる範囲内において、前記各構成部材の前記各物性値を変化させながら前記第1推定モデルに入力して、前記対象領域の前記温度分布を推定する推定ステップと、
前記推定された前記対象領域の前記温度分布と目標とする前記対象領域の温度分布とに基づいて、前記各構成部材の前記各物性値の許容範囲を算出する第1算出ステップと、
前記各構成部材の前記各物性値の各実測値と、前記許容範囲とを照らし合わせて、前記各構成部材を交換すべきか否かを決定する決定ステップと
を備えていることを特徴とする半導体結晶製造装置の管理方法。 - 前記決定ステップにおける前記構成部材を交換すべきとの決定に基づいて、当該構成部材の交換を指示する指示ステップをさらに備えていることを特徴とする請求項1に記載の半導体結晶製造装置の管理方法。
- 半導体結晶製造装置の各構成部材の各物性値のばらつきうる範囲内において前記各物性値を変化させて複数の計算条件を、所定のシミュレーションモデルに基づいて作成し、前記複数の計算条件を用いて伝熱シミュレーションを実施し、前記半導体結晶製造装置内の温度分布を計算して計算結果を得るシミュレーションステップと、
前記半導体結晶製造装置内の前記温度分布のばらつきを抑制したい対象領域における前記温度分布の前記計算結果と、前記複数の計算条件とを組み合わせた複数のデータセットを訓練データとして、入力を前記各構成部材の前記各物性値とし、出力を前記対象領域の温度分布とする第1推定モデルを、機械学習法を用いて作成する第1学習ステップと、
前記各構成部材の前記各物性値のばらつきうる範囲内において、前記各構成部材の前記各物性値を変化させながら前記第1推定モデルに入力して、前記対象領域の前記温度分布を推定する推定ステップと、
前記推定された前記対象領域の前記温度分布と目標とする前記対象領域の温度分布とに基づいて、前記各構成部材の前記各物性値の許容範囲を算出する第1算出ステップと、
前記各構成部材のコストの高低に関するコストデータを予め取得し、前記半導体結晶製造装置内の前記温度分布の前記計算結果と、前記複数の計算条件とを組み合わせた複数のデータセットを訓練データとして、入力を、低コストの任意の前記構成部材を除いた前記各構成部材の前記各物性値及び前記目標とする前記対象領域の前記温度分布とし、出力を前記低コストの任意の前記構成部材の前記物性値とする第2推定モデルを、機械学習法を用いて作成する第2学習ステップと、
前記第2推定モデルに、前記低コストの任意の構成部材を除いた前記各構成部材の前記各物性値の各実測値と、前記目標とする前記対象領域の前記温度分布を入力し、前記低コストの任意の前記構成部材の物性値を算出する第2算出ステップと、
前記第2推定モデルに、前記各構成部材の前記各物性値の前記各許容範囲内において、前記各構成部材の前記各物性値を変化させながら入力するとともに、前記目標とする前記対象領域の前記温度分布を入力して、前記低コストの任意の前記構成部材の前記物性値の前記許容範囲を修正する修正許容範囲を算出する第3算出ステップと、
前記各構成部材の前記各物性値の各実測値と、前記許容範囲とを照らし合わせて、前記
各構成部材を交換すべきか否かを決定し、前記コストデータに基づいて、高コストの前記構成部材は、前記物性値の前記実測値が対応する前記許容範囲にない場合、前記物性値と、前記修正許容範囲とを照らし合わせて、前記低コストの任意の前記構成部材の交換で代替すべきか否かを決定する決定ステップと
を備えていることを特徴とする半導体結晶製造装置の管理方法。 - 前記決定ステップにおける前記構成部材を交換すべきとの決定に基づいて、当該構成部材の交換を指示する指示ステップをさらに備えていることを特徴とする請求項3に記載の半導体結晶製造装置の管理方法。
- 前記シミュレーションモデルは、前記半導体結晶製造装置の前記各構成部材のサイズや前記物性値に基づいて構築されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の半導体結晶製造装置の管理方法。
- 請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の半導体結晶製造装置の管理方法を用いて、半導体結晶を製造する
ことを特徴とする半導体結晶の製造方法。 - 半導体結晶製造装置の各構成部材の各物性値のばらつきうる範囲内において前記各物性値を変化させて複数の計算条件を、所定のシミュレーションモデルに基づいて作成し、前記複数の計算条件を用いて伝熱シミュレーションを実施し、前記半導体結晶製造装置内の温度分布を計算して計算結果を得、前記半導体結晶製造装置内の前記温度分布のばらつきを抑制したい対象領域における前記温度分布の前記計算結果と、前記複数の計算条件とを組み合わせた複数のデータセットを作成する計算部と、
前記複数のデータセットを訓練データとして、入力を前記各構成部材の前記各物性値とし、出力を前記対象領域の温度分布とする第1推定モデルを、機械学習法を用いて作成する機械学習部と、
前記各構成部材の前記各物性値のばらつきうる範囲内において、前記各構成部材の前記各物性値を変化させながら前記第1推定モデルに入力して、前記対象領域の前記温度分布を推定し、前記推定した前記対象領域の前記温度分布と目標とする前記対象領域の温度分布とに基づいて、前記各構成部材の前記各物性値の許容範囲を算出する推定部と、
前記各構成部材の前記各物性値の各実測値と、前記許容範囲とを照らし合わせて、前記各構成部材を交換すべきか否かを決定する決定部と
を備えていることを特徴とする半導体結晶製造管理システム。 - 半導体結晶製造装置の各構成部材の各物性値のばらつきうる範囲内において前記各物性値を変化させて複数の計算条件を、所定のシミュレーションモデルに基づいて作成し、前記複数の計算条件を用いて伝熱シミュレーションを実施し、前記半導体結晶製造装置内の温度分布を計算して計算結果を得、前記半導体結晶製造装置内の前記温度分布のばらつきを抑制したい対象領域における前記温度分布の前記計算結果と、前記複数の計算条件とを組み合わせた複数のデータセットを作成する計算部と、
前記複数のデータセットを訓練データとして、入力を前記各構成部材の前記各物性値とし、出力を前記対象領域の温度分布とする第1推定モデルを、機械学習法を用いて作成し、前記各構成部材のコストの高低に関するコストデータを予め取得し、前記複数のデータセットを訓練データとして、入力を、低コストの任意の前記構成部材を除いた前記各構成部材の前記各物性値及び目標とする前記対象領域の温度分布とし、出力を前記低コストの任意の前記構成部材の前記物性値とする第2推定モデルを、機械学習法を用いて作成する機械学習部と、
前記各構成部材の前記各物性値のばらつきうる範囲内において、前記各構成部材の前記各物性値を変化させながら前記第1推定モデルに入力して、前記対象領域の前記温度分布
を推定し、前記推定した前記対象領域の前記温度分布と前記目標とする前記対象領域の前記温度分布とに基づいて、前記各構成部材の前記各物性値の許容範囲を算出し、前記第2推定モデルに、前記低コストの任意の構成部材を除いた前記各構成部材の前記各物性値の各実測値と、前記目標とする前記対象領域の前記温度分布を入力し、前記低コストの任意の前記構成部材の物性値を算出し、前記第2推定モデルに、前記各構成部材の前記各物性値の前記各許容範囲内において、前記各構成部材の前記各物性値を変化させながら入力するとともに、前記目標とする前記対象領域の前記温度分布を入力して、前記低コストの任意の前記構成部材の前記物性値の前記許容範囲を修正する修正許容範囲を算出する推定部と、
前記各構成部材の前記各物性値の各実測値と、前記許容範囲とを照らし合わせて、前記各構成部材を交換すべきか否かを決定し、前記コストデータに基づいて、高コストの前記構成部材は、前記物性値の前記実測値が対応する前記許容範囲にない場合、前記物性値と、前記修正許容範囲とを照らし合わせて、前記低コストの任意の前記構成部材の交換で代替すべきか否かを決定する決定部と
を備えていることを特徴とする半導体結晶製造管理システム。 - 前記計算部は、前記半導体結晶製造装置の前記各構成部材のサイズや前記各物性値に基づいて前記シミュレーションモデルを構築することを特徴とする請求項7又は8に記載の半導体結晶製造管理システム。
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