JP7267511B2 - 高周波回路 - Google Patents

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Description

本開示は、高周波回路に関する。
特許文献１には、高周波回路が開示されている。
特開２０１７－５９８８４号公報
特許文献１に開示された高周波回路は、高温側の第１信号伝送線路と、低温側の第２信号伝送線路とを、断熱性を有する第３信号伝送線路によって電気的に接続するものである。このため、特許文献１に開示された高周波回路は、第１信号伝送線路と第２信号伝送線路との間の熱伝導を低減する。
しかしながら、特許文献１に開示された高周波回路は、熱の伝わりを抑制することができるものの、放熱性については考慮していない。従って、特許文献１開示された高周波回路においては、高温側の第１信号伝送線路の温度が上昇してしまい、当該第１信号伝送線が熱劣化してしまうおそれがある。
本開示は、上記のような課題を解決するためになされたもので、配線の放熱性を向上させることができる高周波回路を提供することを目的とする。
本開示に係る高周波回路は、基板の表面に設けられ、発熱部と接する第１配線と、基板の表面に設けられ、グランド接続する第２配線と、第１配線と第２配線との間に接続され、熱伝導性及び電気絶縁性を有するチップ部品とを備え、第１配線は、発熱部とチップ部品との間に配置され、第１配線におけるインピーダンスの整合基準となるインピーダンスと等しい特性インピーダンスを有する高温側配線部と、チップ部品を境にして低温側に配置され、チップ部品の熱抵抗よりも高い熱抵抗を有する低温側配線部とを含むものである。
本開示によれば、配線の放熱性を向上させることができる。
実施の形態１に係る高周波回路の構成を示す図である。 図１のII－II 矢視断面図である。 実施の形態２に係る高周波回路の構成を示す図である。 実施の形態３に係る高周波回路の構成を示す図である。 実施の形態４に係る高周波回路の構成を示す図である。 実施の形態５に係る高周波回路の構成を示す図である。 実施の形態６に係る高周波回路の構成を示す図である。 実施の形態７に係る高周波回路の構成を示す図である。 実施の形態８に係る高周波回路の構成を示す図である。 実施の形態９に係る高周波回路の構成を示す図である。 実施の形態１０に係る高周波回路の構成を示す図である。 実施の形態１１に係る高周波回路の構成を示す図である。
以下、本開示をより詳細に説明するために、本開示を実施するための形態について、添付の図面に従って説明する。
実施の形態１．
実施の形態１に係る高周波回路について、図１及び図２を用いて説明する。図１は、実施の形態１に係る高周波回路の構成を示す図である。図２は、図１のII－II 矢視断面図である。
図１及び図２に示すように、実施の形態１に係る高周波回路は、基板１１、第１配線となる配線１２、第２配線となる配線１３、グランド配線１４、チップ部品となるチップ抵抗１５、はんだ１６ａ，１６ｂ、及び、ビア１７を備えている。
基板１１は、樹脂製の基板であり、例えば、アルミナ又は窒化アルミナ等の基板材料で形成されている。この基板１１は、表面１１ａ及び裏面１１ｂを有している。
配線１２は、基板１１の表面１１ａに設けられている。この配線１２は、例えば、電子部品等の発熱部１００と接続しており、高周波電力を伝送するものである。図１に示した矢印Ｗは、高周波電力の伝送方向を示している。
配線１２は、配線部１２ａ及び細配線部１２ｂを有している。配線部１２ａは、チップ抵抗１５を境にして、配線１２の高温側１２１に配置されている。細配線部１２ｂは、チップ抵抗１５を境にして、配線１２の低温側１２２に配置されている。なお、チップ抵抗１５の詳細は、後述する。
配線部１２ａは、高温側配線部を構成するものである。この配線部１２ａには、発熱部１００が接続されている。配線部１２ａは、配線１２におけるインピーダンスの整合基準となるインピーダンスと等しい特性インピーダンスを有している。
細配線部１２ｂは、低温側配線部を構成するものである。この低温側配線部は、チップ抵抗１５の熱抵抗よりも高い熱抵抗を有している。細配線部１２ｂの幅は、配線部１２ａの幅よりも狭くなっている。即ち、細配線部１２ｂの断面積は、配線部１２ａの断面積よりも小さくなっている。このように、細配線部１２ｂは、幅が狭くなることで、直列誘導性を有している。なお、直列誘導性とは、コイル（誘導性リアクタンス）を、配線１２における入力と出力との間において、直列配置した場合と同じ高周波特性であることを示す。
配線１３は、基板１１の表面１１ａに設けられている。グランド配線１４は、基板１１の裏面１１ｂに設けられている。ビア１７は、基板１１を表面１１ａと裏面１１ｂとの間に貫通し、配線１３及びグランド配線１４に接続している。即ち、配線１３とグランド配線１４とは、ビア１７によって電気的及び熱的に接続されている。なお、グランド配線１４は、放熱手段（図示省略）によって、発熱部１００の温度よりも低い温度に保持されている。
チップ抵抗１５は、高抵抗なチップ抵抗である。このチップ抵抗１５は、基板材料よりも十分に熱伝導性が高く、且つ、電気絶縁性を有するアルミナ又は窒化アルミナ等の材料を主部材としている。このようなチップ抵抗１５は、配線１２の配線部１２ａと配線１３との間に接続されている。具体的には、チップ抵抗１５の一端は、はんだ１６ａを介して、配線１２の低温側１２２に接続されている。チップ抵抗１５の他端は、はんだ１６ｂを介して、配線１３に接続されている。
チップ抵抗１５の抵抗値は、高温側配線部の入力インピーダンスＺｉｎの値よりも十分に大きな値となっている。例えば、配線部１２ａの特性インピーダンスが５０Ωとなる場合、チップ抵抗１５の抵抗値は、１ｋΩから１００ＭΩとなる。
ここで、高抵抗なチップ抵抗１５には、配線１２を通過する高周波電力が殆ど流れて行かない。高周波回路において、高周波電力の通過特性を向上させようとする場合、例えば、インピーダンスを整合するための整合回路を設けることが考えられる。このとき、整合回路のインピーダンスは、５０Ωに整合される。しかしながら、整合回路に必要な配線のうち、直列誘導性を有する細い配線が、チップ抵抗１５と発熱部１００との間に配置されると、５０Ωの特性インピーダンスを有する配線をそれらの間に配置した場合と比べて、発熱部１００の熱は、チップ抵抗１５に伝わり難くなり、配線１２の放熱性は、低下する。
そこで、実施の形態１に係る高周波回路は、インピーダンスの整合に必要な配線のうち、直列誘導性を有する細配線部１２ｂを、高抵抗なチップ抵抗１５を境にして、配線１２の低温側１２２に配置している。なお、チップ抵抗１５は、配線１２を、配線部１２ａを含む高温側１２１と、細配線部１２ｂを含む低温側１２２とに区分けするものであるが、当該チップの配線１２に対する接続位置は、低温側１２２に配置される。
従って、高周波回路においては、細配線部１２ｂが、チップ抵抗１５を境にして、配線１２の低温側１２２に配置されるため、配線１２の高温側１２１（発熱部１００）からの熱をチップ抵抗１５に伝えることができる。このため、高周波回路は、チップ抵抗１５に伝わった熱を、配線１３及びビア１７を介して、グランド配線１４に伝えることができる。即ち、高周波回路は、高周波電力を配線１２によって伝送すると共に、発熱部１００によって熱せられた配線１２の熱を、グランド配線１４に効率良く逃がすことができる。なお、高周波回路は、直流電流が流れる配線を有する回路に適用可能である。
また、上述した高周波回路は、チップ部品として、チップ抵抗１５を備えているが、当該チップ部品を、チップ抵抗１５と同一の材料を主部材としたチップコンデンサにしても良い。このように、チップ部品をチップコンデンサとする場合、チップコンデンサの静電容量は、配線１２の静電容量よりも小さいものとする。この配線１２の静電容量は、当該配線１２の特性インピーダンスに影響しない大きさの容量である。このため、チップコンデンサの静電容量が高周波電力に与える影響が小さくなり、高周波回路は、配線１２の熱を、チップコンデンサを介して、グランド配線１４に放出することができる。
以上、実施の形態１に係る高周波回路は、基板１１の表面１１ａに設けられ、発熱部１００と接する配線１２と、基板１１の表面１１ａに設けられ、グランド接続する配線１３と、配線１２と配線１３との間に接続され、熱伝導性及び電気絶縁性を有するチップ部品とを備え、配線１２は、発熱部１００とチップ部品との間に配置され、配線１２におけるインピーダンスの整合基準となるインピーダンスと等しい特性インピーダンスを有する高温側配線部と、チップ部品を境にして低温側１２２に配置され、チップ部品の熱抵抗よりも高い熱抵抗を有する低温側配線部とを含む。このため、高周波回路は、配線１２の放熱性を向上させることができる。
高周波回路において、低温側配線部は、高温側配線部の幅よりも狭い幅で形成され、直列誘導性を有する細配線部１２ｂを含む。このため、高周波回路は、配線１２の熱をチップ部品に伝えることができる。
高周波回路において、チップ部品は、チップ抵抗１５である。このチップ抵抗１５の抵抗値は、高温側配線部の入力インピーダンスＺｉｎの値よりも大きい。このため、高周波回路は、チップ部品がチップ抵抗１５であっても、配線１２の熱をそのチップ抵抗１５に伝えることができる。
高周波回路において、チップ部品は、チップコンデンサである。このチップコンデンサの静電容量は、第１配線の静電容量よりも小さい。このため、高周波回路は、チップ部品がチップコンデンサであっても、当該チップコンデンサの主部材をチップ抵抗１５の主部材と同一にすることによって、配線１２の熱をそのチップコンデンサに伝えることができる。
実施の形態２．
実施の形態２に係る高周波回路について、図３を用いて説明する。図３は、実施の形態２に係る高周波回路の構成を示す図である。
図３に示すように、実施の形態２に係る高周波回路は、実施の形態１に係る高周波回路に、スタブ２１を加えた構成となっている。
このスタブ２１は、配線１２の低温側１２２に配置されている。また、スタブ２１は、細配線部１２ｂの電力伝送方向下流側に配置されている。スタブ２１は、例えば、基端（分岐端）が配線１２の低温側１２２に接触し、先端が開口するオープンスタブである。スタブ２１における基端から先端までの長さは、配線１２で伝送される高周波電力の１/４波長以下の長さとなっている。このように、スタブ２１は、配線１２における低温側１２２の幅を広くするように、配置されることで、並列容量性を有している。なお、並列容量性とは、コンデンサ（容量性リアクタンス）を、配線１２とグランド配線１４との間において、並列配置した場合と同じ高周波特性であることを示す。
以上、実施の形態２に係る高周波回路において、低温側配線部は、細配線部１２ｂの電力伝送方向下流側に配置され、並列容量性を有するスタブ２１を含む。このため、高周波回路は、配線１２の放熱性を向上させることができる。
実施の形態３．
実施の形態３に係る高周波回路について、図４を用いて説明する。図４は、実施の形態３に係る高周波回路の構成を示す図である。
図４に示すように、実施の形態３に係る高周波回路は、実施の形態１に係る高周波回路に対して、細配線部１２ｂの位置を変更した構成となっている。
細配線部１２ｂは、配線１２の低温側１２２に配置されている。また、細配線部１２ｂは、チップ抵抗１５の接続位置に配置されている。即ち、チップ抵抗１５の一端は、はんだ１６ａを介して、細配線部１２ｂに実装されている。
以上、実施の形態３に係る高周波回路において、配線１２の細配線部１２ｂは、チップ抵抗１５の接続位置に配置される。このため、高周波回路においては、配線１２の熱が、高い熱抵抗を有する細配線部１２ｂを避けて、高い熱伝導性を有するチップ抵抗１５に伝わる。よって、高周波回路は、配線１２の放熱性を向上させることができる。
実施の形態４．
実施の形態４に係る高周波回路について、図５を用いて説明する。図５は、実施の形態４に係る高周波回路の構成を示す図である。
図５に示すように、実施の形態４に係る高周波回路は、実施の形態１に係る高周波回路の細配線部１２ｂに替えて、中間配線部１２ｃ及び断線部１２ｄを備えた構成となっている。中間配線部１２ｃ及び断線部１２ｄは、低温側配線部を構成するものである。
中間配線部１２ｃには、チップ抵抗１５の一端が、はんだ１６ａを介して接続されている。この中間配線部１２ｃは、配線１２におけるインピーダンス整合基準となるインピーダンスと等しい特性インピーダンスを有する長さで、形成意されている。また、配線部１２ａの幅と中間配線部１２ｃの幅とは、同じ幅である。即ち、配線部１２ａの断面積と中間配線部１２ｃの断面積とは、同じ大きさである。
断線部１２ｄは、直列容量性を有している。この断線部１２ｄは、中間配線部１２ｃの電力伝送方向下流側に配置されている。なお、直列容量性とは、コンデンサ（容量性リアクタンス）を、配線１２における入力と出力との間において、直列配置した場合と同じ高周波特性であることを示す。
以上、実施の形態４に係る高周波回路において、低温側配線部は、配線１２におけるインピーダンスの整合基準となるインピーダンスと等しい特性インピーダンスを有する長さで形成される中間配線部１２ｃと、中間配線部１２ｃの電力伝送方向下流側に配置され、直列容量性を有する断線部１２ｄとを含む。このため、高周波回路は、配線１２の放熱性を向上させることができる。
実施の形態５．
実施の形態５に係る高周波回路について、図６を用いて説明する。図６は、実施の形態５に係る高周波回路の構成を示す図である。
図６に示すように、実施の形態５に係る高周波回路は、複数のチップ部品を備えた構成となっている。具体的には、実施の形態１に係る高周波回路は、１つのチップ抵抗１５を備えているのに対して、実施の形態５に係る高周波回路は、複数のチップ抵抗１５ａ，１５ｂを備えている。図６は、実施の形態５に係る高周波回路が２つのチップ抵抗１５を備えた例である。なお、チップ抵抗１５ａ，１５ｂは、チップ抵抗１５と同等の構成及び機能を有するものである。
チップ抵抗１５ａ，１５ｂは、配線１２の低温側１２２にそれぞれ配置されている。また、チップ抵抗１５ａ，１５ｂは、細配線部１２ｂの電力伝送方向上流側に配置されている。各チップ抵抗１５ａ，１５ｂの一端は、はんだ１６ａを介して、配線１２にそれぞれ接続されている。各チップ抵抗１５ａ，１５ｂの他端は、はんだ１６ｂを介して、１つの配線１３にそれぞれ接続されている。
チップ抵抗１５ａ，１５ｂのうち、チップ抵抗１５ａは、発熱部１００に最も近い位置に配置されている。このチップ抵抗１５ａは、配線１２を高温側１２１と低温側１２２とに区分するものである。即ち、高温側配線部及び低温側配線部は、複数のチップ抵抗１５ａ，１５ｂのうち、発熱部１００に最も近いチップ抵抗１５ａを境にして配置されている。
よって、高周波回路は、配線１２から配線１３までの熱抵抗を、チップ抵抗１５を１つ備えた場合と比べて、約半分にすることができる。この結果、高周波回路は、配線１２の熱をより多くグランド配線１４に伝えることができる。
以上、実施の形態５に係る高周波回路は、チップ抵抗１５ａ，１５ｂを複数備え、高温側配線部及び低温側配線部は、複数のチップ抵抗１５ａ，１５ｂのうち、発熱部１００に最も近いチップ抵抗１５ａを境にして配置される。このため、高周波回路は、配線１２の熱をより多くグランド配線１４に伝えることができる。
実施の形態６．
実施の形態６に係る高周波回路について、図７を用いて説明する。図７は、実施の形態６に係る高周波回路の構成を示す図である。
図７に示すように、実施の形態６に係る高周波回路は、実施の形態５に係る高周波回路に対して、チップ部品の向きを変更した構成となっている。
実施の形態６に係る高周波回路は、２つの配線１３ａ，１３ｂ、２つのチップ抵抗１５ａ，１５ｂ、及び、２つのビア１７ａ，１７ｂを備えている。なお、配線１３ａ，１３ｂは、配線１３と同等構成及び機能を有するものである。また、ビア１７ａ，１７ｂは、ビア１７と同等の構成及び機能を有するものである。
チップ抵抗１５ａ，１５ｂは、配線１２の低温側１２２にそれぞれ配置されている。また、チップ抵抗１５ａ，１５ｂは、細配線部１２ｂの電力伝送方向上流側に配置されている。チップ抵抗１５ａは、配線１２を境にして、一方側に配置されている。チップ抵抗１５ｂは、配線１２を境にして、他方側に配置されている。即ち、チップ抵抗１５ａ，１５ｂは、配線１２を境にして、一方側及び他方側において交互に配置されている。
これに対応して、配線１３ａ，１３ｂは、配線１２を境にして、一方側及び他方側において交互に配置されている。また、ビア１７ａ，１７ｂは、配線１２を境にして、一方側及び他方側において交互に配置されている。
チップ抵抗１５ａの一端は、はんだ１６ａを介して、配線１２に実装されている。チップ抵抗１５ａの他端は、はんだ１６ｂを介して、配線１３ａに実装されている。また、チップ抵抗１５ｂの一端は、はんだ１６ａを介して、配線１２に実装されている。チップ抵抗１５ｂの他端は、はんだ１６ｂを介して、配線１３ｂに実装されている。
よって、高周波回路は、配線１２の熱を、当該配線１２を境にして、一方側及び他方側に分散することができる。この結果、高周波回路は、配線１２の熱をより多くグランド配線１４に伝えることができる。
以上、実施の形態６に係る高周波回路において、複数のチップ抵抗１５ａ，１５ｂは、配線１２を境にして、一方側及び他方側において交互に配置される。このため、高周波回路は、配線１２の熱を分散してグランド配線１４に伝えることができる。
実施の形態７．
実施の形態７に係る高周波回路について、図８を用いて説明する。図８は、実施の形態７に係る高周波回路の構成を示す図である。
図８に示すように、実施の形態７に係る高周波回路は、実施の形態６に係る高周波回路に対して、細配線部１２ｂに替えて、チップ間細配線部１２ｅを備えて、チップ抵抗１５ａ，１５ｂの配置を変更した構成となっている。
チップ間細配線部１２ｅは、低温側配線部を構成するものである。このチップ間細配線部１２ｅの幅は、配線部１２ａの幅よりも狭くなっている。即ち、チップ間細配線部１２ｅの断面積は、配線部１２ａの断面積よりも大きくなっている。このように、チップ間細配線部１２ｅは、幅が狭くなることで、直列誘導性を有している。
チップ抵抗１５ａ，１５ｂは、配線１２の低温側１２２にそれぞれ配置されている。チップ抵抗１５ａとチップ抵抗１５ｂとは、細配線部１２ｂを電力伝送方向両側から挟み込むように配置されている。
具体的には、チップ抵抗１５ａは、チップ間細配線部１２ｅの電力伝送方向上流側に配置されている。チップ抵抗１５ａの一端は、はんだ１６ａを介して、配線１２に実装されている。チップ抵抗１５ａの他端は、はんだ１６ｂを介して、配線１３ａに実装されている。また、チップ抵抗１５ｂは、チップ間細配線部１２ｅに電力伝送方向下流側に配置されている。チップ抵抗１５ｂの一端は、はんだ１６ａを介して、配線１２に実装されている。チップ抵抗１５ｂの他端は、はんだ１６ｂを介して、配線１３ｂに実装されている。
なお、図８は、チップ抵抗１５ａ，１５ｂが配線１２を境にして一方側に配置された例を示しているが、各チップ抵抗１５ａ，１５ｂは、配線１２を境にして、一方側及び他方側のうち、どちら側に配置されても構わない。
以上、実施の形態７に係る高周波回路において、低温側配線部は、隣接したチップ抵抗１５ａ，１５ｂ間において、高温側配線部の幅よりも狭い幅で形成され、直列誘導性を有するチップ間細配線部１２ｅを含む。このため、高周波回路は、配線１２の熱を分散してグランド配線１４に伝えることができる。
実施の形態８．
実施の形態８に係る高周波回路について、図９を用いて説明する。図９は、実施の形態８に係る高周波回路の構成を示す図である。
図９に示すように、実施の形態８に係る高周波回路は、複数のビア１７を備えている。即ち、実施の形態１に係る高周波回路は、１つのチップ抵抗１５に対して、１つのビア１７を備えているのに対して、実施の形態８に係る高周波回路は、１つのチップ抵抗１５に対して、複数のビア１７を備えている。
チップ抵抗１５の他端は、はんだ１６ｂを介して、配線１３Ａに実装されている。この配線１３Ａは、配線１３と同等の構成及び機能を有するものである。ビア１７は、基板１１を表面１１ａと裏面１１ｂとの間で貫通して、配線１３Ａ及びグランド配線１４に接続されている。よって、配線１３Ａとグランド配線１４とは、ビア１７によって電気的及び熱的に接続されている。
このとき、複数のビア１７は、チップ抵抗１５の他端の接続位置を取り囲むように配置されている。従って、配線１３Ａの面積は、配線１３の面積よりも大きくなっている。この配線１３Ａは、例えば、半円形状となっている。このように、高周波回路は、複数のビア１７を備えることにより、配線１２の熱を効率的にグランド配線１４に伝えることができる。
以上、実施の形態８に係る高周波回路は、基板１１の裏面１１ｂに設けられるグランド配線１４と、基板１１を貫通し、配線１３Ａとグランド配線１４とを熱的に接続する複数のビア１７とを備える。複数のビア１７は、チップ抵抗１５の接続位置を取り囲むように、配線１３Ａに接続する。このため、高周波回路は、配線１２の熱を効率的にグランド配線１４に伝えることができる。
実施の形態９．
実施の形態９に係る高周波回路について、図１０を用いて説明する。図１０は、実施の形態９に係る高周波回路の構成を示す図である。
図１０に示すように、実施の形態９に係る高周波回路は、実施の形態１に係る高周波回路の配線部１２ａ及び細配線部１２ｂに替えて、太配線部１２ｆ及び極細配線部１２ｇを備えた構成となっている。
太配線部１２ｆは、高温側配線部を構成するものである。この太配線部１２ｆの幅は、特性インピーダンスが５０Ωとなる配線部１２ａの幅よりも広くなっている。即ち、太配線部１２ｆの断面積は、配線部１２ａの断面積よりも大きくなっている。このように、太配線部１２ｆは、幅が広くなることで、並列容量性を有している。また、太配線部１２ｆは、配線１２におけるインピーダンスの整合基準となるインピーダンスと等しい特性インピーダンスを有している。
極細配線部１２ｇは、低温側配線部を構成するものである。この極細配線部１２ｇは、太配線部１２ｆによる並列容量性が増える分、その幅を細配線部１２ｂの幅よりも狭くするか、又は、その長さを細配線部１２ｂの長さよりも長くして、大きな直列誘導性を有する必要がある。図１０は、極細配線部１２ｇの幅を細配線部１２ｂの幅よりも狭くした例を示している。即ち、極細配線部１２ｇの断面積は、細配線部１２ｂの断面積よりも大きくなっている。
このため、高周波回路は、太配線部１２ｆを高温側１２１に配置しているため、発熱部１００とチップ抵抗１５との間の熱抵抗を減少させ、当該発熱部１００から発せられた熱を、チップ抵抗１５を介して放出し易くすることができる。また、高周波回路は、極細配線部１２ｇを低温側１２２に配置しているため、発熱部１００から発せられた熱をその極細配線部１２ｇ側に逃げ難くすることができる。
以上、実施の形態９に係る高周波回路において、高温側配線部は、配線１２におけるインピーダンスの整合基準となるインピーダンスと等しい特性インピーダンスを有するときの幅よりも広い幅を有する太配線部１２ｆを含み、低温側配線部は、幅が太配線部１２ｆの幅に応じて狭く形成される極細配線部１２ｇを含む。このため、高周波回路は、配線１２の放熱性を向上させることができる。
実施の形態１０．
実施の形態１０に係る高周波回路について、図１１を用いて説明する。図１１は、実施の形態１０に係る高周波回路の構成を示す図である。
図１１に示すように、実施の形態１０に係る高周波回路は、実施の形態７に係る高周波回路のチップ間細配線部１２ｅに替えて、チップ間配線部１２ｈを備えた構成となっている。チップ間配線部１２ｈは、低温側配線部を構成するものである。
チップ間配線部１２ｈは、チップ抵抗１５ａとチップ抵抗１５ｂとの間に配置されている。このチップ間配線部１２ｈの幅と配線部１２ａの幅とは、同じ幅となっている。即ち、チップ間配線部１２ｈの断面積と配線部１２ａの断面積とは、同じ断面積となっている。このように、チップ間配線部１２ｈは、配線部１２ａと同一の幅となることで、直列誘導性を有している。
また、チップ間配線部１２ｈは、配線１２におけるインピーダンスの整合基準となるインピーダンスと等しい特性インピーダンスを有し、且つ、その隣接したチップ抵抗１５ａ，１５ｂ間の互いの寄生成分を打ち消す長さで、形成されている。このため、高周波回路は、配線１２の熱を、チップ間配線部１２ｈの電力伝送方向上流側及び下流側に分散して伝えることができる。なお、主な寄生成分は、例えば、チップ抵抗１５ａ，１５ｂの誘電体によって、配線１２とグランド配線１４との間に形成される容量性の成分である。
以上、実施の形態１０に係る高周波回路において、低温側配線部は、隣接したチップ抵抗１５ａ，１５ｂ間に配置され、直列誘導性を有するチップ間配線部１２ｈを含む。チップ間配線部１２ｈは、配線１２におけるインピーダンスの整合基準となるインピーダンスと等しい特性インピーダンスを有し、且つ、その隣接したチップ抵抗１５ａ，１５ｂ間の互いの寄生成分を打ち消す長さで、形成される。このため、高周波回路は、配線１２の熱を分散してグランド配線１４に伝えることができる。
実施の形態１１．
実施の形態１１に係る高周波回路について、図１２を用いて説明する。図１２は、実施の形態１１に係る高周波回路の構成を示す図である。
図１２に示すように、実施の形態１１に係る高周波回路は、実施の形態１に係る高周波回路の配線１３に替えて、配線１３Ｂを備えた構成となっている。
配線１３Ｂは、高周波電力を伝送するものである。このため、配線１３Ｂについても、配線１２と同様に、インピーダンスの整合が必要となる。この配線１３Ｂは、第２配線部１３Ｂａ及び第２細配線部１３Ｂｂを有している。なお、第２配線部１３Ｂａは、図示しない個所で、グランド接続されている。
第２配線部１３Ｂａは、高温側配線部を構成するものである。この第２配線部１３Ｂａは、配線１３Ｂにおけるインピーダンスの整合基準となるインピーダンスと等しい特性インピーダンスを有している。
第２細配線部１３Ｂｂは、低温側配線部を構成するものである。この第２細配線部１３Ｂｂは、チップ抵抗１５の熱抵抗よりも高い熱抵抗を有している。第２細配線部１３Ｂｂの幅は、第２配線部１３Ｂａの幅よりも狭くなっている。即ち、第２細配線部１３Ｂｂの断面積は、第２配線部１３Ｂａの断面積よりも小さくなっている。このように、第２細配線部１３Ｂｂは、幅が狭くなることで、直列誘導性を有している。
チップ抵抗１５は、配線１２と配線１３Ｂとの間に電気的に接続されている。このため、配線１３Ｂは、配線１２の高温側１２１及び低温側１２２に対応して、チップ抵抗１５を境にして、高温側１３１と低温側１３２とに区分されている。
よって、高周波回路は、配線部１２ａの熱を、チップ抵抗１５を介して、第２配線部１３Ｂａに伝えることができ、更に、第２配線部１３Ｂａに伝わった熱を、グランド側に伝えることができる。
以上、実施の形態１１に係る高周波回路は、チップ抵抗１５を境にして高温側１３１に配置され、配線１３Ｂにおけるインピーダンスの整合基準となるインピーダンスと等しい特性インピーダンスを有する第２高温側配線部と、チップ抵抗１５を境にして低温側１３２に配置され、チップ抵抗１５の熱抵抗よりも高い熱抵抗を有する第２低温側配線部とを含む。このため、高周波回路は、配線１２の放熱性を向上させることができる。
なお、本開示は、その開示の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、或いは、各実施の形態における任意の構成要素の変形、若しくは、各実施の形態における任意の構成要素の省略が可能である。
本開示に係る高周波回路は、発熱部に接する第１配線と、グランド接続される第２配線との間に、熱伝導性及び電気絶縁性を有するチップ部品を接続することで、第１配線の放熱性を向上させることができ、高周波回路等に用いるのに適している。
１１ 基板、１１ａ 表面、１１ｂ 裏面、１２ 配線、１２ａ 配線部、１２ｂ 細配線部、１２ｃ 中間配線部、１２ｄ 断線部、１２ｅ チップ間細配線部、１２ｆ 太配線部、１２ｇ 極細配線部、１２ｈ チップ間配線部、１２１ 高温側、１２２ 低温側、１３，１３ａ，１３ｂ，１３Ａ，１３Ｂ 配線、１３Ｂａ 第２配線部、１３Ｂｂ 第２細配線部、１３１ 高温側、１３２ 低温側、１４ グランド配線１５，１５ａ，１５ｂ チップ抵抗、１６ａ，１６ｂ はんだ、１７、１７ａ，１７ｂ ビア、２１ スタブ、１００ 発熱部、Ｚｉｎ 入力インピーダンス、Ｗ 電力伝送方向。

Claims (14)

  1. 基板の表面に設けられ、発熱部と接する第１配線と、
    前記基板の表面に設けられ、グランド接続する第２配線と、
    前記第１配線と前記第２配線との間に接続され、熱伝導性及び電気絶縁性を有するチップ部品とを備え、
    前記第１配線は、
    前記発熱部と前記チップ部品との間に配置され、前記第１配線におけるインピーダンスの整合基準となるインピーダンスと等しい特性インピーダンスを有する高温側配線部と、
    前記チップ部品を境にして低温側に配置され、前記チップ部品の熱抵抗よりも高い熱抵抗を有する低温側配線部とを含む
    ことを特徴とする高周波回路。
  2. 前記低温側配線部は、
    前記高温側配線部の幅よりも狭い幅で形成され、直列誘導性を有する細配線部を含む
    ことを特徴とする請求項１記載の高周波回路。
  3. 前記低温側配線部は、
    前記細配線部の電力伝送方向下流側に配置され、並列容量性を有するスタブを含む
    ことを特徴とする請求項２記載の高周波回路。
  4. 前記細配線部は、前記チップ部品の接続位置に配置される
    ことを特徴とする請求項２記載の高周波回路。
  5. 前記低温側配線部は、
    前記第１配線におけるインピーダンスの整合基準となるインピーダンスと等しい特性インピーダンスを有する長さで形成される中間配線部と、
    前記中間配線部の電力伝送方向下流側に配置され、直列容量性を有する断線部とを含む
    ことを特徴とする請求項１記載の高周波回路。
  6. 前記チップ部品を複数備え、
    前記高温側配線部及び前記低温側配線部は、複数のチップ部品のうち、前記発熱部に最も近いチップ部品を境にして配置される
    ことを特徴とする請求項１記載の高周波回路。
  7. 複数のチップ部品は、前記第１配線を境にして、一方側及び他方側において交互に配置される
    ことを特徴とする請求項６記載の高周波回路。
  8. 前記低温側配線部は、
    隣接したチップ部品間において、前記高温側配線部の幅よりも狭い幅で形成され、直列誘導性を有するチップ間細配線部を含む
    ことを特徴とする請求項６記載の高周波回路。
  9. 前記基板の裏面に設けられるグランド配線と、
    前記基板を貫通し、前記第２配線と前記グランド配線とを熱的に接続する複数のビアとを備え、
    前記複数のビアは、前記チップ部品の接続位置を取り囲むように、前記第２配線に接続する
    ことを特徴とする請求項１記載の高周波回路。
  10. 前記高温側配線部は、
    前記第１配線におけるインピーダンスの整合基準となるインピーダンスと等しい特性インピーダンスを有するときの幅よりも広い幅を有する太配線部を含み、
    前記低温側配線部は、
    幅が前記太配線部の幅に応じて狭く形成される極細配線部を含む
    ことを特徴とする請求項１記載の高周波回路。
  11. 前記低温側配線部は、
    隣接したチップ部品間に配置され、直列誘導性を有するチップ間配線部を含み、
    前記チップ間配線部は、
    前記第１配線におけるインピーダンスの整合基準となるインピーダンスと等しい特性インピーダンスを有し、且つ、その隣接したチップ部品間の互いの寄生成分を打ち消す長さで、形成される
    ことを特徴とする請求項６記載の高周波回路。
  12. 前記第２配線は、
    前記チップ部品を境にして高温側に配置され、前記第２配線におけるインピーダンスの整合基準となるインピーダンスと等しい特性インピーダンスを有する第２高温側配線部と、
    前記チップ部品を境にして低温側に配置され、前記チップ部品の熱抵抗よりも高い熱抵抗を有する第２低温側配線部とを含む
    ことを特徴とする請求項１記載の高周波回路。
  13. 前記チップ部品は、チップ抵抗であって、
    前記チップ抵抗の抵抗値は、前記高温側配線部の入力インピーダンスの値よりも大きい
    ことを特徴とする請求項１から請求項１２のうちのいずれか１項記載の高周波回路。
  14. 前記チップ部品は、チップコンデンサであって、
    前記チップコンデンサの静電容量は、前記第１配線の静電容量よりも小さい
    ことを特徴とする請求項１から請求項１２のうちのいずれか１項記載の高周波回路。
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