JP7261098B2 - 撮像装置 - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 24
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 66
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 description 21
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 18
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 12
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 10
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 9
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 8
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 8
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 5
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
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- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
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- H04N25/626—Reduction of noise due to residual charges remaining after image readout, e.g. to remove ghost images or afterimages
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- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
- H04N25/778—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising amplifiers shared between a plurality of pixels, i.e. at least one part of the amplifier must be on the sensor array itself
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
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Description
[実施形態1]
[実施形態2]
Claims (7)
- 画素と、
制御回路と、を含み、
前記画素の回路構成は、
フォトダイオードと、
前記フォトダイオードの一方端に第1定電位を与える第1線と、
前記フォトダイオードに他方端に第2定電位を与える第2線と、
一方端が前記フォトダイオードの前記他方端に接続されている容量素子と、
前記容量素子の他方端に制御信号を与える制御線と、
を含み、
前記制御回路は、
前記第1線及び前記第2線を介して前記フォトダイオードに前記第1定電位と前記第2定電位とを与えることによって、前記フォトダイオードを逆バイアス状態にし、
前記逆バイアス状態における前記フォトダイオードに対する光照射により変化した前記フォトダイオードの前記他方端の電位に対応する信号を読み出し、
前記信号を読み出した後に、前記容量素子と前記第1線との間において前記フォトダイオードに順方向電流が流れるように、前記制御線を介して前記容量素子に時間変化する電位を与え、
前記順方向電流が流れるように前記制御線を介して前記容量素子に前記時間変化する電位を与えた後、前記第1線及び前記第2線を介して前記フォトダイオードに前記第1定電位と前記第2定電位とを与えることによって、前記フォトダイオードを逆バイアス状態にする、
撮像装置。 - 請求項1に記載の撮像装置であって、
前記フォトダイオードは、アモルファスシリコンフォトダイオードである、
撮像装置。 - 請求項1に記載の撮像装置であって、
前記時間変化する電位は、基準電位から所定電位を介して前記基準電位に戻るパルスである、
撮像装置。 - 請求項3に記載の撮像装置であって、
前記パルスの幅は、前記フォトダイオードの前記他方端の電位に対応する信号を読み出す期間より短い、
撮像装置。 - 請求項1に記載の撮像装置であって、
前記第2線と前記フォトダイオードとの間にスイッチトランジスタを含み、
前記制御回路は、
前記スイッチトランジスタをオン状態にして、前記第2線を介して前記フォトダイオードの前記他方端の電位に対応する信号を読み出し、
前記信号を読み出した後に前記スイッチトランジスタをオフ状態にして、前記容量素子と前記第1線との間において前記フォトダイオードに順方向電流が流れるように、前記制御線を介して前記容量素子に時間変化する電位を与え、
前記容量素子に時間変化する電位を与えた後に、前記スイッチトランジスタをオン状態にして前記第1線及び前記第2線を介して前記フォトダイオードに前記第1定電位と前記第2定電位とを与えることによって、前記フォトダイオードを逆バイアス状態にする、
撮像装置。 - 請求項1に記載の撮像装置であって、
前記フォトダイオードの前記他方端の電位の増幅用トランジスタと、
前記増幅用トランジスタからの前記フォトダイオードの前記他方端の電位に対応する信号を伝送する信号線と、
前記増幅用トランジスタから前記信号線への出力の有無を切り替えるオンオフする第1スイッチトランジスタと、
前記第2線と前記フォトダイオードとの間の第2スイッチトランジスタと、
をさらに含み、
前記制御回路は、
前記第1スイッチトランジスタ及び前記第2スイッチトランジスタがオフ状態にある期間において前記逆バイアス状態における前記フォトダイオードに対する光照射により変化した前記フォトダイオードの前記他方端の電位に対応する信号を、前記第1スイッチトランジスタをオン状態にして、前記信号線を介して読み出し、
前記信号を読み出した後に、前記容量素子と前記第1線との間において前記フォトダイオードに順方向電流が流れるように、前記制御線を介して前記容量素子に時間変化する電位を与え、
前記容量素子に時間変化する電位を与えた後に、前記第2スイッチトランジスタをオン状態にして前記第1線及び前記第2線を介して前記フォトダイオードに前記第1定電位と前記第2定電位とを与えることによって、前記フォトダイオードを逆バイアス状態にし、
前記フォトダイオードを逆バイアス状態にした後に、前記第1スイッチトランジスタ及び前記第2スイッチトランジスタをオフにする、
撮像装置。 - 請求項1に記載の撮像装置であって、
前記フォトダイオードの前記一方端はアノードであり、前記フォトダイオードの前記他方端はカソードである、
撮像装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019112620A JP7261098B2 (ja) | 2019-06-18 | 2019-06-18 | 撮像装置 |
CN202010552922.9A CN112104821B (zh) | 2019-06-18 | 2020-06-17 | 成像装置 |
US16/904,228 US11108983B2 (en) | 2019-06-18 | 2020-06-17 | Imaging device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019112620A JP7261098B2 (ja) | 2019-06-18 | 2019-06-18 | 撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020205544A JP2020205544A (ja) | 2020-12-24 |
JP7261098B2 true JP7261098B2 (ja) | 2023-04-19 |
Family
ID=73749657
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019112620A Active JP7261098B2 (ja) | 2019-06-18 | 2019-06-18 | 撮像装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11108983B2 (ja) |
JP (1) | JP7261098B2 (ja) |
CN (1) | CN112104821B (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2019
- 2019-06-18 JP JP2019112620A patent/JP7261098B2/ja active Active
-
2020
- 2020-06-17 CN CN202010552922.9A patent/CN112104821B/zh active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112104821B (zh) | 2023-06-23 |
US20200404210A1 (en) | 2020-12-24 |
JP2020205544A (ja) | 2020-12-24 |
CN112104821A (zh) | 2020-12-18 |
US11108983B2 (en) | 2021-08-31 |
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A621 | Written request for application examination |
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