JP2005057612A - 固体撮像装置およびその駆動方法 - Google Patents
固体撮像装置およびその駆動方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005057612A JP2005057612A JP2003288205A JP2003288205A JP2005057612A JP 2005057612 A JP2005057612 A JP 2005057612A JP 2003288205 A JP2003288205 A JP 2003288205A JP 2003288205 A JP2003288205 A JP 2003288205A JP 2005057612 A JP2005057612 A JP 2005057612A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- potential
- unit
- output node
- signal output
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
- H04N25/627—Detection or reduction of inverted contrast or eclipsing effects
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
【課題】光感度を低下させることなく、黒化現象を防止する固体撮像装置およびの駆動方法を提供する。
【解決手段】光を電気信号に変換する光電変換手段PHと、光電変換手段PHの出力信号を読み出す読み出し手段PDとを有する画素部と、複数の画素部に共通の信号出力ノードSIGを有する固体撮像装置であって、読み出し手段PDがリセットされた状態において、信号出力ノードSIGの電位を検出する検出手段と、検出された電位を標本化して保持する第1の保持手段と、帰還手段と、クリップ手段とを有する。また、信号線SIGの電位を標本化し、保持する第2の保持手段3をさらに有する。ここで、帰還手段は、保持手段により保持された電位を、クリップ手段へ帰還する。また、クリップ手段は、帰還された電位を所定の電位にクリップする。
【選択図】図1
【解決手段】光を電気信号に変換する光電変換手段PHと、光電変換手段PHの出力信号を読み出す読み出し手段PDとを有する画素部と、複数の画素部に共通の信号出力ノードSIGを有する固体撮像装置であって、読み出し手段PDがリセットされた状態において、信号出力ノードSIGの電位を検出する検出手段と、検出された電位を標本化して保持する第1の保持手段と、帰還手段と、クリップ手段とを有する。また、信号線SIGの電位を標本化し、保持する第2の保持手段3をさらに有する。ここで、帰還手段は、保持手段により保持された電位を、クリップ手段へ帰還する。また、クリップ手段は、帰還された電位を所定の電位にクリップする。
【選択図】図1
Description
本発明は、固体撮像装置およびその駆動方法に関する。
電荷結合素子(Charge Coupled Device、以下、CCDとも称する)、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)型イメージセンサなどの固体撮像装置は、各種携帯端末機器、デジタルスチルカメラ、およびデジタルビデオカメラなどの画像撮像装置として用いられている。
図5は、一般的な固体撮像装置の画素部分を示す等価回路図である。図5に示すように、固体撮像装置は、光電変換するフォトダイオードPH、フォトダイオードPHからの光電変換信号を転送ゲート信号TGに応じてフォトディテクトノードPDに転送する転送トランジスタTR11、リセット信号RSに応じてフォトディテクトノードPDを電源レベルVddにリセットするリセットトランジスタTR12、検出ノードPDの電圧を増幅する増幅トランジスタTR13、電流源IS、選択信号SELに応じて増幅トランジスタTR13により増幅された信号を信号出力ノードSIGに出力する選択トランジスタTR14を有する。
固体撮像装置の動作を図6および図7を用いて説明する。
図6は、図5において図解した固体撮像装置の構成図である。p型基板11にn型拡散領域12,14,16が形成され、p型基板11の上に図示しないゲート酸化膜(SiO2 )を介してゲート電極13,15が形成されている。p型基板11とn型拡散領域12とのpn接合により、フォトダイオードPHが形成され、ゲート電極13とn型拡散領域14とで転送トランジスタTR11が形成され、ゲート電極15と拡散領域16とでリセットトランジスタTR12が形成されている。なお、選択トランジスタTR14と増幅トランジスタTR13、電流源ISは外付回路として構成されている。また、フォトダイオードPHを除くp型基板11の上面は、遮光部18によって遮光されている。
図6は、図5において図解した固体撮像装置の構成図である。p型基板11にn型拡散領域12,14,16が形成され、p型基板11の上に図示しないゲート酸化膜(SiO2 )を介してゲート電極13,15が形成されている。p型基板11とn型拡散領域12とのpn接合により、フォトダイオードPHが形成され、ゲート電極13とn型拡散領域14とで転送トランジスタTR11が形成され、ゲート電極15と拡散領域16とでリセットトランジスタTR12が形成されている。なお、選択トランジスタTR14と増幅トランジスタTR13、電流源ISは外付回路として構成されている。また、フォトダイオードPHを除くp型基板11の上面は、遮光部18によって遮光されている。
図7は、画素部分の動作波形を示す概略図である。以下、図6の構成図をもとにして図7に示す動作波形を説明する。
図6に示すように、フォトダイオードPHに光が照射されると、光の強さに応じて電子(−)と正孔(+)の対が誘起される(光電変換)。また、図7に示すように、選択トランジスタTR14において、選択信号SELが印加される(時点T1)。選択信号SELを印加すると同時に、リセットトランジスタTR12において、リセット信号RSを印加する。その結果、検出ノードPDが電源レベルVddにリセットされる(時点T2)。また、検出ノードPDがリセットされた状態において、増幅トランジスタTR3のゲート電極が印加され、信号出力ノードSIGのレベルが設定される。リセット信号RSは、所定の期間のみ印加されるが(時点T1〜T3)、その後も検出ノードPDおよび信号出力ノードSIGはリセットされた状態を保っている。この状態を、リセット期間PF、あるいは無信号期間という。
図6に示すように、フォトダイオードPHに光が照射されると、光の強さに応じて電子(−)と正孔(+)の対が誘起される(光電変換)。また、図7に示すように、選択トランジスタTR14において、選択信号SELが印加される(時点T1)。選択信号SELを印加すると同時に、リセットトランジスタTR12において、リセット信号RSを印加する。その結果、検出ノードPDが電源レベルVddにリセットされる(時点T2)。また、検出ノードPDがリセットされた状態において、増幅トランジスタTR3のゲート電極が印加され、信号出力ノードSIGのレベルが設定される。リセット信号RSは、所定の期間のみ印加されるが(時点T1〜T3)、その後も検出ノードPDおよび信号出力ノードSIGはリセットされた状態を保っている。この状態を、リセット期間PF、あるいは無信号期間という。
次に、選択信号SELは印加されたままで、転送トランジスタTR11において、転送ゲート信号TGを印加する(時点T4)。その結果、フォトダイオードPHおよび検出ノードPDが導通し、フォトダイオードPHにおいて蓄積された電荷が移動し、検出ノードPDの電位が変化する(時点T4〜T5)。また、増幅トランジスタTR13において、検出ノードPDより増幅ゲートに印加され、検出ノードPDの信号が増幅されて信号出力ノードSIGに出力される。その結果、信号出力ノードSIGの電位が電位差RSI1程度、変化する(時点T4〜T5)。上記の状態を、信号読み出し期間DFと言う。
通常、明るい物体を撮像した方が、暗い物体を撮像するよりもリセット期間におけるフォトダイオードPHに蓄積される電荷が多いので、信号出力ノードSIGにおける電位差は大きくなる。
しかしながら、太陽光のような非常に強い光を固体撮像装置が直接受光すると、最も明るい部分が黒く沈んでしまう現象(黒化現象)が起こる。
図8および図9を用いて黒化現象について説明する。
図8は、黒化現象を説明する概略図である。上述の図6と実質的に同様の構造を有している。図9は、黒化現象時の画素部分の動作波形を示す概略図である。リセット期間PFにおいて、図6と同様に、選択トランジスタTR14において、選択信号SELが印加される(時点T’1)。選択信号SELを印加すると同時に、リセットトランジスタTR12において、リセット信号RSを印加する。その結果、検出ノードPDが電源レベルVddにリセットされ、増幅トランジスタTR3において、ゲート電極が印加され、信号出力ノードSIGのレベルが設定される(時点T’1〜T’2)。
図8および図9を用いて黒化現象について説明する。
図8は、黒化現象を説明する概略図である。上述の図6と実質的に同様の構造を有している。図9は、黒化現象時の画素部分の動作波形を示す概略図である。リセット期間PFにおいて、図6と同様に、選択トランジスタTR14において、選択信号SELが印加される(時点T’1)。選択信号SELを印加すると同時に、リセットトランジスタTR12において、リセット信号RSを印加する。その結果、検出ノードPDが電源レベルVddにリセットされ、増幅トランジスタTR3において、ゲート電極が印加され、信号出力ノードSIGのレベルが設定される(時点T’1〜T’2)。
しかしながら、図8に示すように、フォトダイオードPHに太陽光のように非常に強い光が照射されると、p型拡散領域11とn型拡散領域12とにより形成されるpn接合部に、図6と比較して多量の電子(−)と正孔(+)の対が誘起される。その結果、光電変換された過剰の電子がフォトダイオードPHから溢れだす。そのため、転送ゲート信号TGが印加されていないにもかかわらず、過剰電子は転送トランジスタTR13を飛び越えて検出ノードPDへ到達する。このため、検出ノードPDの電位が低下し、増幅トランジスタTR13の出力が低下し、その結果として、信号出力ノードSIGの電位が低下する(時点T’2〜T’4)。
同様に、信号読出し期間DFにおいて、選択信号SELは印加されたままで、転送トランジスタTR11において、転送ゲート信号TGを印加する(時点T’4)。その結果、フォトダイオードPHに蓄積された電子は検出ノードPDに移動し、検出ノードPDの電位が変化する(時点T’4〜T’5)。また、増幅トランジスタTR13において、検出ノードPDより増幅ゲートに印加され、検出ノードPDの信号が増幅されて信号出力ノードSIGに出力される。その結果、信号出力ノードSIGの電位が変化する。
このとき、上記のようにリセット期間PFにおいて、過剰の電子が漏れだした結果、信号出力ノードSIGの電位はリセット信号印加時に比べて低下している。その結果、信号読出し期間DFにおける電位差RSI2は、強い光が照射されているにもかかわらず低下してしまう。このため、非常に明るいにもかかわらず黒く見えてしまう、黒化現象が生じる。
上記のような黒化現象を回避するための固体撮像装置として、信号出力ノードの電位に出力される電圧が急激に下降することを検出する検出手段と、電圧の下降を検出したときに所定の電圧をリセット電圧として用いるリセット電圧設定手段とを有する固体撮像装置が知られている(たとえば、特許文献1参照)。
また、読み出された信号に含まれるノイズ成分に対して差分処理を行う差分手段と、撮像条件を検出する検出手段と、検出手段の出力に応じて差分処理を行うことに対する補正を行う補正手段とを有する固体撮像装置も知られている(たとえば、特許文献2参照)。
特開2000−287131号公報
特開2001−24949号公報
また、読み出された信号に含まれるノイズ成分に対して差分処理を行う差分手段と、撮像条件を検出する検出手段と、検出手段の出力に応じて差分処理を行うことに対する補正を行う補正手段とを有する固体撮像装置も知られている(たとえば、特許文献2参照)。
図10は、画素部を簡略化して示した図である。転送トランジスタTR11、リセットトランジスタTR12、増幅トランジスタRE13、および選択トランジスタTR14を簡略化して増幅器20として、図のように示す。
図11は、上記の特許文献1に示す黒化現象を回避する固体撮像装置を示すブロック図である。図11に示すように、上記の固体撮像装置は、信号出力ノードの電位を検出するサンプルホールド回路、比較器、電圧クリップ回路、電圧発生器、およびセレクタからなる黒化防止回路図、クランプ回路、およびサンプルホールド回路を有する。画素部は、図10に示すように、フォトダイオードPHおよびフォトダイオードPHによって光電変換される信号を増幅する増幅器20を有する。
図11は、上記の特許文献1に示す黒化現象を回避する固体撮像装置を示すブロック図である。図11に示すように、上記の固体撮像装置は、信号出力ノードの電位を検出するサンプルホールド回路、比較器、電圧クリップ回路、電圧発生器、およびセレクタからなる黒化防止回路図、クランプ回路、およびサンプルホールド回路を有する。画素部は、図10に示すように、フォトダイオードPHおよびフォトダイオードPHによって光電変換される信号を増幅する増幅器20を有する。
上記の特許文献1においては、図11に示すように信号検出ノードの電位を検出する回路を全体で1つ用意する。次に、リセット期間において信号出力ノードから検出される電位と、電圧発生器からの電位とを、セレクタにより比較してどちらを用いるか判断する。ここで、強い光が照射され電圧が急激に低下した時は、電圧発生器からの電位を出力する。
このような方法においては、全ての信号出力ノードに対し、黒化現象防止回路、クランプ回路およびサンプルホールド回路を有するので、チップ面積は大きくならずにすむ。しかしながら、各信号出力ノードのばらつきや、各画素センサーのばらつきを補正するのは困難であり、その結果、信号出力ノードあるいは画素部のばらつきが縦筋となって表示される可能性が考えられる。
図12は、他の従来の固体撮像装置を示す等価回路図である。信号出力ノードごとに、電圧クリップをかけるnMOSトランジスタを用意して、nMOSトランジスタのゲート信号として、所定の電位を印加する。その結果、信号出力ノードの電位低下を抑えることができる。
しかしながら、通常、上記のような電圧クリップ用nMOSトランジスタは、強い光が照射されない、いわゆる通常状態においてはゲート信号を印加しないようにゲート電位に余裕を持って設定する。また、nMOSトランジスタが作動していない状態において、信号出力ノードの電位がnMOSトランジスタを作動する電位に近づくと、リークが起こる。その結果、設定された余分以上の電圧降下が起こらないとトランジスタが作動せず、明るい画像が、その分暗くなってしまう。また、スレッショルド電圧のばらつきにも注意しなければならない。
しかしながら、通常、上記のような電圧クリップ用nMOSトランジスタは、強い光が照射されない、いわゆる通常状態においてはゲート信号を印加しないようにゲート電位に余裕を持って設定する。また、nMOSトランジスタが作動していない状態において、信号出力ノードの電位がnMOSトランジスタを作動する電位に近づくと、リークが起こる。その結果、設定された余分以上の電圧降下が起こらないとトランジスタが作動せず、明るい画像が、その分暗くなってしまう。また、スレッショルド電圧のばらつきにも注意しなければならない。
図13は、特許文献2の固体撮像装置を示すブロック図である。リセットレベルVnと信号レベルVsとをそれぞれ保持するメモリを水平方向に配置し、このレベル差を画素ごとに検出して、その結果から光電変換手段に照射された光が強いものであるかどうか判断し、補正する。
しかしながら、上記のような方法においては、リセットレベルVnと信号レベルVsとをそれぞれ保持するメモリを持たねばならず、チップ面積が大きくなる可能性がある。また、複数のメモリを有するため、ラインごとのメモリのばらつき、各メモリのばらつきを持つ可能性も考えられ、技術的な障壁は高い。
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、光感度を低下させることなく、黒化現象を防止する固体撮像装置を提供することにある。
上記目的を達成するため、上記の本発明の固体撮像装置は、光を電気信号に変換する光電変換手段と、光電変換手段からの出力信号を読み出す読み出し手段とを有する画素部と、複数の画素部に共通の信号出力ノードとを有する固体撮像装置であって、読み出し手段がリセットされた状態において、信号出力ノードの電位を検出する検出手段と、検出された電位を標本化して保持する第1の保持手段と、帰還手段と、クリップ手段と、少なくとも検出ノードがリセットされた状態において、信号出力ノードの電位を保持する第2の保持手段とを有し、帰還手段は、保持手段により保持された電位をクリップ手段に帰還し、クリップ手段は、帰還された電位を所定の電位にクリップし、第2の保持手段は、読み出し手段がリセットされた状態の電位と、前記光電変換手段からの出力信号を読み出す状態の電位とを比較し、信号出力ノードに含まれるノイズを除去する。
上記の本発明の固体撮像装置においては、検出手段により信号出力ノードの電位を検出し、第1の保持手段によりその電位を保持し、帰還手段により帰還された電位を、クリップ手段により所定の電位にクリップする。それにより、信号出力ノードの電位を変化させることができる。その後、第2の保持手段によって信号出力ノードの電位を再び保持する。このように、信号出力ノードの電位を2度保持する。
また、上記目的を達成するため、上記の本発明の固体撮像装置の駆動方法は、光を電気信号に変換する光電変換手段と、光電変換手段の信号を読み出す手段とを有する画素部と、複数の画素部に共通の信号出力ノードとを有する固体撮像装置の駆動方法であって、読み出し手段がリセットされた状態において、信号出力ノードの電位を検出する工程と、検出された電位を標本化して保持する工程と、保持された電位を帰還する工程と、帰還された電位を所定の電位にクリップする工程と、少なくとも読み出し手段がリセットされた状態において、信号出力ノードの電位を再び保持する工程と有する。
上記の本発明の固体撮像装置の駆動方法においては、入射光を電気信号に変換する光電変換手段と、光電変換手段の信号を読み出す手段とを有する画素部と、複数の画素部に共通の信号出力ノードとを有する固体撮像装置の駆動方法であって、読み出し手段がリセットされた状態において、信号出力ノードの電位を検出し、検出された電位を標本化して保持し、保持された電位を帰還し、帰還された電位を所定の電位にクリップする。また、少なくとも読み出し手段がリセットされた状態において、信号出力ノードの電位を再び保持する。
以上説明してきたように、本発明の固体撮像装置によれば、光感度を低下させることなく、黒化現象を防止することができる。
また、本発明の固体撮像装置の駆動方法によれば、光感度を低下させることなく、黒化現象を防止することができる。
また、本発明の固体撮像装置の駆動方法によれば、光感度を低下させることなく、黒化現象を防止することができる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
〔第1の実施形態〕
図1は、本実施形態にかかる固体撮像装置を示すブロック図である。画素部1と、信号出力ノードSIGと、検出部2と、第2の保持手段3とを有する。図示は省略するが、信号出力ノードSIGには複数の画素部1が接続されている。画素部1は、たとえば、フォトダイオードPHと増幅器4とを有する。検出部2は、検出手段と、保持手段と、帰還手段と、クリップ手段とを有する。図1に示したブロック図の具体的な動作を説明する。
〔第1の実施形態〕
図1は、本実施形態にかかる固体撮像装置を示すブロック図である。画素部1と、信号出力ノードSIGと、検出部2と、第2の保持手段3とを有する。図示は省略するが、信号出力ノードSIGには複数の画素部1が接続されている。画素部1は、たとえば、フォトダイオードPHと増幅器4とを有する。検出部2は、検出手段と、保持手段と、帰還手段と、クリップ手段とを有する。図1に示したブロック図の具体的な動作を説明する。
図2は、本実施形態にかかる固体撮像装置を示した等価回路図である。図2に示すように、固体撮像装置において、光電変換するフォトダイオードPH、フォトダイオードPHからの光電変換信号を転送ゲート信号TGに応じて検出ノードPDに転送する転送トランジスタTR1、リセット信号RSに応じて検出ノードPDを電源レベルVddにリセットするリセットトランジスタTR2、検出ノードPDの電圧を増幅する増幅トランジスタTR3からなる画素部を有する。
また、電流源IS、増幅トランジスタTR3により増幅された信号を出力する信号出力ノードSIGを有する。
さらに、信号出力ノードSIGの電位を検出し、電流変換する検出トランジスタTR6、検出トランジスタTR6により変換された電流を標本化し、保持するキャパシタC1、キャパシタC1を選択するためのスイッチS1、検出トランジスタTR6において検出された電位を信号出力ノードSIGに帰還させるためのインバータINV1,INV2、帰還された電位を所定の電位にクリップするクリップトランジスタTR5からなる検出部とを有する。検出部は、電流が保持されるキャパシタC1をリセットするリセットトランジスタTR7をさらに有する。本実施形態において、画素部の増幅トランジスタTR3、電流源IS、検出部は外付回路として形成されている。
また、電流源IS、増幅トランジスタTR3により増幅された信号を出力する信号出力ノードSIGを有する。
さらに、信号出力ノードSIGの電位を検出し、電流変換する検出トランジスタTR6、検出トランジスタTR6により変換された電流を標本化し、保持するキャパシタC1、キャパシタC1を選択するためのスイッチS1、検出トランジスタTR6において検出された電位を信号出力ノードSIGに帰還させるためのインバータINV1,INV2、帰還された電位を所定の電位にクリップするクリップトランジスタTR5からなる検出部とを有する。検出部は、電流が保持されるキャパシタC1をリセットするリセットトランジスタTR7をさらに有する。本実施形態において、画素部の増幅トランジスタTR3、電流源IS、検出部は外付回路として形成されている。
フォトダイオードPHは、所定のpn接合領域において、入射される光を電気信号に変換し、光電変換手段として働く。
転送トランジスタTR1は、ゲート信号TGに応じてフォトダイオードPHからの光電変換信号を検出ノードPDへ転送し、転送手段として働く。転送トランジスタTR1は、たとえば、nMOSトランジスタから形成され、フォトダイオードPHと同一の基板に形成される。
リセットトランジスタTR2は、リセット信号に応じて検出ノードPDの電位を電源レベルにし、リセット手段として働く。リセットトランジスタTR2は、たとえば、nMOSトランジスタから形成され、フォトダイオードPHと同一の基板に形成される。
転送トランジスタTR3は、検出ノードPDの電位を所定の電位に増幅し、信号出力ノードSIGに出力し、増幅手段として働く。転送トランジスタTR3は、たとえば、nMOSトランジスタから形成される。
検出ノードPDは、出力信号を読み出す読み出し手段として働く。
信号出力ノードSIGは、増幅トランジスタTR3で得られた信号を次のカラムCDS回路へ伝える。
電流源ISは、信号出力ノードSIGに接続され、信号出力ノードSIGに流れる電流が一定になるように調節する。電流源ISは、たとえば、抵抗あるいはトランジスタから形成される。
図2の固体撮像装置においては、選択トランジスタを省略している。しかしながら、必要に応じて選択トランジスタを画素部に含んでいてもよい。また、図示は省略するが、1本の信号出力ノードSIGに対し、複数の画素部を有している。
転送トランジスタTR1は、ゲート信号TGに応じてフォトダイオードPHからの光電変換信号を検出ノードPDへ転送し、転送手段として働く。転送トランジスタTR1は、たとえば、nMOSトランジスタから形成され、フォトダイオードPHと同一の基板に形成される。
リセットトランジスタTR2は、リセット信号に応じて検出ノードPDの電位を電源レベルにし、リセット手段として働く。リセットトランジスタTR2は、たとえば、nMOSトランジスタから形成され、フォトダイオードPHと同一の基板に形成される。
転送トランジスタTR3は、検出ノードPDの電位を所定の電位に増幅し、信号出力ノードSIGに出力し、増幅手段として働く。転送トランジスタTR3は、たとえば、nMOSトランジスタから形成される。
検出ノードPDは、出力信号を読み出す読み出し手段として働く。
信号出力ノードSIGは、増幅トランジスタTR3で得られた信号を次のカラムCDS回路へ伝える。
電流源ISは、信号出力ノードSIGに接続され、信号出力ノードSIGに流れる電流が一定になるように調節する。電流源ISは、たとえば、抵抗あるいはトランジスタから形成される。
図2の固体撮像装置においては、選択トランジスタを省略している。しかしながら、必要に応じて選択トランジスタを画素部に含んでいてもよい。また、図示は省略するが、1本の信号出力ノードSIGに対し、複数の画素部を有している。
検出トランジスタTR6は、信号出力ノードSIGの電位を検出し、電流に変換する検出手段として働く。本実施形態において、検出トランジスタTR6は、ゲート信号として信号出力ノードSIGの電位を検出する、たとえば、pMOSトランジスタから形成される。このとき、ゲート信号が所定の電位以下になると信号出力ノードSIGの電位は検出されないので、読み出し期間おいては動作しない。また、ソース側の電位は電源レベルになっている。
キャパシタC1は、検出トランジスタTR6によって検出し、変換された電流を保持し、第1の保持手段として働く。また、スイッチS1は、検出回路とキャパシタC1とパルスに応じて接続し、たとえば、トランジスタから形成される。
キャパシタC1は、検出トランジスタTR6によって検出し、変換された電流を保持し、第1の保持手段として働く。また、スイッチS1は、検出回路とキャパシタC1とパルスに応じて接続し、たとえば、トランジスタから形成される。
インバータINV1,INV2は、検出トランジスタTR6によって検出された信号を帰還させ、帰還手段として働く。帰還手段により、出力される信号の波形を整え、十分な電圧を出力する。また、一定の期間の動作遅れが生じる。ここで、インバータを2つ有しているので、信号は2回変換され、信号レベルは入力したときと同じ状態になって出力される。
クリップトランジスタTR5は、インバータINV1,INV2から出力された信号をゲート信号として検出し、所定の電位にクリップし、クリップ手段として働く。クリップトランジスタTR5は、たとえば、nMOSトランジスタから形成され、ドレイン領域側は電源レベルに接続されている。このため、クリップされる電位は、電源レベルより低い電位となる。
クリップトランジスタTR5は、インバータINV1,INV2から出力された信号をゲート信号として検出し、所定の電位にクリップし、クリップ手段として働く。クリップトランジスタTR5は、たとえば、nMOSトランジスタから形成され、ドレイン領域側は電源レベルに接続されている。このため、クリップされる電位は、電源レベルより低い電位となる。
検出部は、各信号出力ノードSIGごとに形成され、信号出力ノードSIGの電位を検出し、検出した電位を増幅して帰還する。また、検出部をリセットするリセットトランジスTR7を有していてもよい。リセットトランジスタTR7は、外部のパルスSW2からゲート信号を検出し、キャパシタC1に保持された電荷がリセットされる。
また、信号線SIGには、相関2重サンプリング(Correlated Double Sampling、以下CDSとも称する。)回路5を有する。CDS回路は、出力信号に含まれ、支配的であるリセットノイズを除去する回路であって、リセット期間において保持したデータと、読み出し期間内において保持したデータとを引き算することによりノイズを除去する。CDS回路5は、第2の保持手段3として働く。2回目のサンプルホールド(保持)データとして、CDS回路において、リセット期間において保持したデータを用いる。
本発明の固体撮像装置は、信号出力ノードSIGの電位を検出部およびCDS回路を用いて2回サンプルホールドする。
固体撮像装置の動作を図2および図3を用いて説明する。
図3は、画素部分の動作波形を示す概略図である。
画素部における動作は、実質的に図7において説明したものと同様である。ただし、図2においては選択トランジスタを含んでいないので、増幅トランジスタTR3は、検出ノードPDからの信号のみにより印加される。フォトダイオードPHに光が照射されると、光の強さに応じて電子(−)と正孔(+)の対が誘起される。図2に示すように、リセットトランジスタTR2において、リセット信号RSを印加する(時点t1)。リセット信号RSを印加するとともに、外部パルスSW1,SW2を印加する。その結果、検出ノードPDが電源レベルVddにリセットされる。外部パルスSW1により、スイッチS1がキャパシタC1と接続し、その結果、キャパシタC1は検出部に接続される。ここで、キャパシタC1の一方はスイッチS1により検出回路と接続され、もう一方は、接地されている。また、外部パルスSW2により、スイッチS4が接地され、その結果、リセットトランジスタTR7のゲート出力を接地する。
図3は、画素部分の動作波形を示す概略図である。
画素部における動作は、実質的に図7において説明したものと同様である。ただし、図2においては選択トランジスタを含んでいないので、増幅トランジスタTR3は、検出ノードPDからの信号のみにより印加される。フォトダイオードPHに光が照射されると、光の強さに応じて電子(−)と正孔(+)の対が誘起される。図2に示すように、リセットトランジスタTR2において、リセット信号RSを印加する(時点t1)。リセット信号RSを印加するとともに、外部パルスSW1,SW2を印加する。その結果、検出ノードPDが電源レベルVddにリセットされる。外部パルスSW1により、スイッチS1がキャパシタC1と接続し、その結果、キャパシタC1は検出部に接続される。ここで、キャパシタC1の一方はスイッチS1により検出回路と接続され、もう一方は、接地されている。また、外部パルスSW2により、スイッチS4が接地され、その結果、リセットトランジスタTR7のゲート出力を接地する。
次に、増幅トランジスタTR3において、ゲート電極が印加され、信号出力ノードSIGのレベルが設定される(時点t2)。信号線SIGの電位が所定の電位以上に上昇すると、検出トランジスタTR6のゲート信号として入力される。その結果、検出トランジスタTR6は、信号出力ノードSIGの電位を検出し、電流変換する。変換された電流は、パルスSW1によってスイッチS1がキャパシタC1に接続されているので、キャパシタC1に電荷が保持される。ここで、リセット信号RSは、所定の期間信号を印加した後にオフされる(時点t3)。また、スイッチS4は、外部パルスSW2によって常に接地された状態を維持しているため、ノードDは接地レベルとなり、リセットトランジスタTR7は印加されない。さらに、キャパシタC1に電位を保持することにも影響を与えない。
続いて、検出回路とキャパシタC1が接続されている状態において、フォトダイオードPHに強い光が照射され、検出ノードPDの電位が低下する。また、キャパシタ1が飽和すると、ノードAに電流が流れる。検出トランジスタTR6は、pMOSトランジスタから形成されているので、入力信号となる信号出力ノードSIGの電位が低下すると、ノードAに流れる電流は増加する。このように、検出トランジスタTR6によって変換された電流は、ノードAを通って、インバータINV1に入力される。入力された信号は、反転されインバータINV2に入力される。インバータINV2に入力された信号は、再度反転されて出力される。このように、インバータINV1,2において、入力信号は2度反転され、波形を整え、所定の割合で増幅される。
インバータINV2から出力された電流はノードBを通って、クリップトランジスタTR5のゲート信号として入力される。このとき、ノードBの電位はノードAの電位よりも高い。クリップ用トランジスタTR5は、ゲートに入力された信号に応じて、所定の電位を信号出力ノードSIGに出力する。その結果、信号出力ノードSIGの電位は、引き上げられ、リセット信号RSの印加直後(時点t2)と実質的に等しくなっている。スイッチS1は、リセット期間内の所定の時点でオフされる(時点t4)。
以上の工程を、本発明における第1のサンプルホールドと称する。
以上の工程を、本発明における第1のサンプルホールドと称する。
次に、外部パルスSW2を入力し、スイッチS4をオフする(時点t5)。その結果、リセットトランジスタTR7のゲート信号となって印加される。このとき、検出トランジスタTR6において変換された電流もリセットされる。同時に、CDS回路においてサンプルホールドを行う。
以上の工程を、本発明における第2のサンプルホールドと称する。
以上の工程を、本発明における第2のサンプルホールドと称する。
続いて、上記と同様に、転送ゲート信号TGを印加し、フォトダイオードPHに蓄積された電荷を転送する(時点t6)。リセット期間PFにおいて,上記のように2度サンプルホールドされるので、フォトダイオードPHに強い光が照射されても、信号出力ノードSIGにおける電位が大きく低下することはない。その結果、読出し時に得られる電位差は、光に応じたものを得ることができる。
本実施形態においては、各信号出力ノードごとに検出トランジスタTR6、キャパシタC1、インバータINV1,INV2およびクリップトランジスタTR5とからなる検出部、およびCDS回路を有する。
その結果、検出部およびCDS回路において2回サンプルホールドを行うことができる。そのため、強い光がフォトダイオードPHに入射されていても、信号出力ノードの電位が下がることがなく、黒化現象を抑制することができる。
また、各信号線ごとに検出部およびCDS回路により信号出力ノードの電位を調整することができるので、各信号出力ノードのばらつきが抑制できる。
本実施形態における検出部は、入力および出力する信号の関係から外付回路となるが、少ない素子で形成されているので、リセットトランジスタTR7を形成しても、面積がさほど大きくなることはない。
その結果、検出部およびCDS回路において2回サンプルホールドを行うことができる。そのため、強い光がフォトダイオードPHに入射されていても、信号出力ノードの電位が下がることがなく、黒化現象を抑制することができる。
また、各信号線ごとに検出部およびCDS回路により信号出力ノードの電位を調整することができるので、各信号出力ノードのばらつきが抑制できる。
本実施形態における検出部は、入力および出力する信号の関係から外付回路となるが、少ない素子で形成されているので、リセットトランジスタTR7を形成しても、面積がさほど大きくなることはない。
本実施形態の検出部は、リセット期間の電位変化を検出して、信号出力ノードレベルを補正するので、画素部読み出し期間への影響がない。また、検出部の動作、停止は簡単に操作できるので、この機能を使いたくない機種、たとえば、メカシャッター機能などを有するセンサーなどに対しては停止させることで編集設計が容易になる。
本実施形態の駆動方法によれば、信号出力ノードの信号を検出し、電流変換し、保持する。また、変換された電流を帰還し、クリップして信号出力ノードの電位を引き上げる。その後、CDS回路において、再び信号出力ノードの電位を保持する。
このように、2度サンプルホールドすることによって、強い光が照射されていても信号出力ノードの電位が大きく低下することはない。そのため、読出し時に、光の強さに応じた電位差が得られる。その結果、黒化現象を抑制することができる。
このように、2度サンプルホールドすることによって、強い光が照射されていても信号出力ノードの電位が大きく低下することはない。そのため、読出し時に、光の強さに応じた電位差が得られる。その結果、黒化現象を抑制することができる。
〔第2の実施形態〕
上記の第1の実施形態における検出部は信号出力ノードの電位に対して敏感である。そのため、本実施形態においては、上記の検出部に信号出力ノードの電位の検出感度を変えるための手段を付加することにより、信号出力ノードの電位に対し不感帯(マージン)を設ける。
上記の第1の実施形態における検出部は信号出力ノードの電位に対して敏感である。そのため、本実施形態においては、上記の検出部に信号出力ノードの電位の検出感度を変えるための手段を付加することにより、信号出力ノードの電位に対し不感帯(マージン)を設ける。
図3は、上記の検出部および検出感度変換手段を含む固体撮像装置を示す等価回路図である。
実質的には、図1と同様であるが、ノードDおよび外部パルスSW1にスイッチ2,S3を介して接続可能なキャパシタC2を有する。キャパシタC2の一方は接地され、他方は、スイッチS2,S3と接続されている。スイッチS2により、ノードDに接続され、スイッチS3により電源レベルVddに接続される。また、スイッチS2,S3は外部パルスSW1により制御される。
実質的には、図1と同様であるが、ノードDおよび外部パルスSW1にスイッチ2,S3を介して接続可能なキャパシタC2を有する。キャパシタC2の一方は接地され、他方は、スイッチS2,S3と接続されている。スイッチS2により、ノードDに接続され、スイッチS3により電源レベルVddに接続される。また、スイッチS2,S3は外部パルスSW1により制御される。
上記と同様にリセット期間PFにおいて、画素部がリセットされ、その時の信号出力ノードSIGの電位を検出部により検出する。以下、検出感度変換手段の動作についてのみ説明する。他の検出部の動作は上記の実施形態と同様である。
キャパシタC1において、外部パルスSW1によりスイッチS1がオフされて、電荷の蓄積を終了する(時点t4)。同時に、外部パルスSW1により、スイッチS2をキャパシタC2と接続して、電源電位に充電していたキャパシタC2をキャパシタC1と接続させる。このとき、キャパシタC1に保持されている電荷は、キャパシタC2に保持されている電荷よりも多い。
キャパシタC1において、外部パルスSW1によりスイッチS1がオフされて、電荷の蓄積を終了する(時点t4)。同時に、外部パルスSW1により、スイッチS2をキャパシタC2と接続して、電源電位に充電していたキャパシタC2をキャパシタC1と接続させる。このとき、キャパシタC1に保持されている電荷は、キャパシタC2に保持されている電荷よりも多い。
たとえば、キャパシタC1に100fF、キャパシタC2に10fF程度の電荷が保持され、電源電圧を3.0V、キャパシタC1への保持終了直後のノードDの電位を1.5Vとする。
キャパシタC2をキャパシタC1と接続すると、ノードDの電位は1.636Vとなり、0.136Vのマージンができる。検出トランジスタTr6およびリセットトランジスタTr7のゲートマージンが等しいと仮定すると、上記のマージンは、信号出力ノードの検出マージンとなる。そのため、黒化現象とは関係のない外的要因などで電位が変化しても、検出マージンの範囲においては、回路が動作することはない。
キャパシタC2をキャパシタC1と接続すると、ノードDの電位は1.636Vとなり、0.136Vのマージンができる。検出トランジスタTr6およびリセットトランジスタTr7のゲートマージンが等しいと仮定すると、上記のマージンは、信号出力ノードの検出マージンとなる。そのため、黒化現象とは関係のない外的要因などで電位が変化しても、検出マージンの範囲においては、回路が動作することはない。
本実施形態の固体撮像装置によれば、信号出力ノードごとに検出部およびCDS回路を有し、リセット期間内に2回サンプルホールドを行う。また、検出部において、信号出力ノードの信号レベルに対する不感帯を持たせる機能を有する。その結果、黒化現象以外の要因による電位変化に左右されずに、黒化現象を回避することができる。また、各信号出力ノードごとに検出部が形成されているので、画素部や検出回路のばらつき、あるいは温度変化に左右されない回路を提供できる。
また、本実施形態の固体撮像装置の駆動方法によれば、信号出力ノードごとにリセット期間の信号出力ノードを検出回路およびCDS回路において、2度サンプルホールドする。このとき、信号出力ノードの電位を検出する際に、不感帯を設けることにより、他の要因に依存されずに黒化現象を防止することができる。
本発明は上記の実施形態に限定されない。
たとえば、本実施形態においては、光電変換手段としてフォトダイオードを用いて説明したが、これに限定されるものではなく、光電変換により電荷を発生することができる素子であれば、他のものを用いてもよい。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
たとえば、本実施形態においては、光電変換手段としてフォトダイオードを用いて説明したが、これに限定されるものではなく、光電変換により電荷を発生することができる素子であれば、他のものを用いてもよい。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
1…画素部、2…検出部、3…第2の保持部、4…増幅器、5…CDS回路、PH…フォトダイオード、PD…検出ノード(フォトディテクトノード)、TR1…転送トランジスタ、TR2…リセットトランジスタ、TR3…増幅トランジスタ、TR5…クリップ用トランジスタ、TR6…検出トランジスタ、TR7…リセットトランジスタ、C1,C2…キャパシタ、S1,S2,S3,S4…スイッチ、Vdd…電源、INV1,INV2…インバータ、PF…リセット期間、DF…信号読み出し期間、TR11…転送トランジスタ、TR12…リセットトランジスタ、TR13…増幅トランジスタ、TR14…選択トランジスタ、SIG…信号出力ノード、RSI1,RSI2…電位差、11…p型基板、12,14,16…n型拡散領域、13,15…ゲート電極、18…遮光部、20…増幅器
Claims (5)
- 光を電気信号に変換する光電変換手段と、前記光電変換手段からの出力信号を読み出す読み出し手段とを有する画素部と、複数の画素部に共通の信号出力ノードとを有する固体撮像装置であって、
前記読み出し手段がリセットされた状態において、前記信号出力ノードの電位を検出する検出手段と、
検出された電位を標本化して保持する第1の保持手段と、
帰還手段と、
クリップ手段と、
少なくとも前記読み出し手段がリセットされた状態において、前記信号出力ノードの電位を保持する第2の保持手段と
を有し、
前記帰還手段は、前記保持手段により保持された電位をクリップ手段へ帰還し、
前記クリップ手段は、帰還された電位を所定の電位にクリップし、
前記第2の保持手段は、前記読み出し手段がリセットされた状態の電位と、前記光電変換手段からの出力信号を読み出す状態の電位とを比較し、前記信号出力ノードに含まれるノイズを除去する
固体撮像装置。 - 前記信号出力ノードごとに、前記検出手段と、前記第1の保持手段と、前記帰還手段と、前記クリップ手段とからなる検出部および前記第2の保持手段と
を有する請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記検出手段と、前記第1の保持手段と、前記帰還手段と、前記クリップ手段とからなる検出部に、前記信号出力ノードの電位を検出する感度を変える手段と
をさらに有する請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記検出手段と、前記第1の保持手段と、前記帰還手段と、前記クリップ手段とからなる検出部に、前記第1の保持手段をリセットするリセット手段と
をさらに有する請求項1記載の固体撮像装置。 - 光を電気信号に変換する光電変換手段と、前記光電変換手段の信号を読み出す読み出し手段とを有する画素部と、複数の画素部に共通の信号出力ノードとを有する固体撮像装置の駆動方法であって、
前記読み出し手段がリセットされた状態において、信号出力ノードの電位を検出する工程と、
検出された電位を標本化して保持する工程と、
保持された電位を帰還する工程と、
帰還された電位を所定の電位にクリップする工程と、
少なくとも前記読み出し手段がリセットされた状態において、前記信号出力ノードの電位を再び保持する工程と
を有する固体撮像装置の駆動方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003288205A JP2005057612A (ja) | 2003-08-06 | 2003-08-06 | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003288205A JP2005057612A (ja) | 2003-08-06 | 2003-08-06 | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005057612A true JP2005057612A (ja) | 2005-03-03 |
Family
ID=34366953
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003288205A Pending JP2005057612A (ja) | 2003-08-06 | 2003-08-06 | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005057612A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008136239A (ja) * | 2006-08-08 | 2008-06-12 | Canon Inc | 光電変換装置及びその制御方法並びに撮像装置 |
WO2008099520A1 (ja) * | 2007-02-13 | 2008-08-21 | Panasonic Corporation | 固体撮像装置およびその駆動方法、撮像装置 |
US7569868B2 (en) | 2005-06-09 | 2009-08-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup device and image pickup system |
US7667171B2 (en) | 2004-07-06 | 2010-02-23 | Panasonic Corporation | Solid-state imaging device |
US7741593B2 (en) | 2008-02-13 | 2010-06-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and imaging system |
US7817199B2 (en) | 2006-08-08 | 2010-10-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus, control method thereof, imaging apparatus, and imaging system |
RU2730175C1 (ru) * | 2018-09-06 | 2020-08-19 | Кэнон Кабусики Кайся | Устройство фотоэлектрического преобразования, способ возбуждения устройства фотоэлектрического преобразования, система формирования изображения и подвижный объект |
-
2003
- 2003-08-06 JP JP2003288205A patent/JP2005057612A/ja active Pending
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7667171B2 (en) | 2004-07-06 | 2010-02-23 | Panasonic Corporation | Solid-state imaging device |
US8173476B2 (en) | 2005-06-09 | 2012-05-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup device and image pickup system |
US7569868B2 (en) | 2005-06-09 | 2009-08-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup device and image pickup system |
US8293561B2 (en) | 2005-06-09 | 2012-10-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup device and image pickup system |
JP2008136239A (ja) * | 2006-08-08 | 2008-06-12 | Canon Inc | 光電変換装置及びその制御方法並びに撮像装置 |
US8675107B2 (en) | 2006-08-08 | 2014-03-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus, control method thereof, imaging apparatus, and imaging system |
US7817199B2 (en) | 2006-08-08 | 2010-10-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus, control method thereof, imaging apparatus, and imaging system |
JP4590458B2 (ja) * | 2006-08-08 | 2010-12-01 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、撮像装置及び撮像システム |
CN101123671B (zh) * | 2006-08-08 | 2012-08-22 | 佳能株式会社 | 光电转换装置、成像装置和成像*** |
US8068155B2 (en) | 2007-02-13 | 2011-11-29 | Panasonic Corporation | Solid-state image sensor and driving method thereof, and image sensor |
JP2008199254A (ja) * | 2007-02-13 | 2008-08-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびその駆動方法、撮像装置 |
WO2008099520A1 (ja) * | 2007-02-13 | 2008-08-21 | Panasonic Corporation | 固体撮像装置およびその駆動方法、撮像装置 |
US7741593B2 (en) | 2008-02-13 | 2010-06-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and imaging system |
RU2730175C1 (ru) * | 2018-09-06 | 2020-08-19 | Кэнон Кабусики Кайся | Устройство фотоэлектрического преобразования, способ возбуждения устройства фотоэлектрического преобразования, система формирования изображения и подвижный объект |
US11172147B2 (en) | 2018-09-06 | 2021-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device, method of driving photoelectric conversion device, imaging system, and movable object, generating a signal based on pulse width and pulse count |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4363390B2 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置 | |
US9036064B2 (en) | Solid-state imaging device including a photoelectric converting film and camera system using the solid-state imaging device | |
JP5016941B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
US7741593B2 (en) | Photoelectric conversion device and imaging system | |
JP4529834B2 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置 | |
US8547463B2 (en) | Solid-state imaging device and control method for same | |
US9172895B2 (en) | Solid-state imaging device | |
JP4848739B2 (ja) | 物理量検出装置および撮像装置 | |
JP2006352341A (ja) | アンチエクリプス回路及びその動作方法 | |
JP5224914B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
US20100039543A1 (en) | Solid-state image sensor and driving method thereof, and image sensor | |
JP2008042679A (ja) | 光電変換装置及び撮像装置 | |
US20100085448A1 (en) | Solid state imaging device | |
JP4770618B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2011023986A (ja) | 撮像装置およびその制御方法 | |
US20100289932A1 (en) | Solid-state imaging device | |
JP3664035B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP4300635B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2005057612A (ja) | 固体撮像装置およびその駆動方法 | |
JP2007180654A (ja) | 撮像装置 | |
JP4300654B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2008042676A (ja) | 光電変換装置及び光電変換システム | |
JP2000209508A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP4320693B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2009278149A (ja) | 固体撮像装置 |