JP7253852B2 - Application method for electrical conductors in solar cells - Google Patents
Application method for electrical conductors in solar cells Download PDFInfo
- Publication number
- JP7253852B2 JP7253852B2 JP2022002861A JP2022002861A JP7253852B2 JP 7253852 B2 JP7253852 B2 JP 7253852B2 JP 2022002861 A JP2022002861 A JP 2022002861A JP 2022002861 A JP2022002861 A JP 2022002861A JP 7253852 B2 JP7253852 B2 JP 7253852B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- grooves
- substrate
- film
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 title claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 76
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 229
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 164
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 137
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 94
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 94
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 60
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 57
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 50
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 47
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 44
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 33
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 32
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 24
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 22
- -1 polyethylene Polymers 0.000 claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 7
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 7
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 7
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 7
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004713 Cyclic olefin copolymer Substances 0.000 claims description 6
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 6
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 6
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004433 Thermoplastic polyurethane Substances 0.000 claims description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 5
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 3
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 3
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 110
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 54
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 46
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 32
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 26
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 25
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 22
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 20
- 230000008569 process Effects 0.000 description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 14
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 11
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 11
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 11
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 9
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 8
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 8
- PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N pentyl acetate Chemical compound CCCCCOC(C)=O PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 8
- 239000004831 Hot glue Substances 0.000 description 7
- 239000005025 cast polypropylene Substances 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 7
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 7
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 7
- 229920006187 aquazol Polymers 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 239000012861 aquazol Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 5
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 4
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 4
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 3
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N butyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 3
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 3
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 3
- QMMJWQMCMRUYTG-UHFFFAOYSA-N 1,2,4,5-tetrachloro-3-(trifluoromethyl)benzene Chemical compound FC(F)(F)C1=C(Cl)C(Cl)=CC(Cl)=C1Cl QMMJWQMCMRUYTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BBMCTIGTTCKYKF-UHFFFAOYSA-N 1-heptanol Chemical compound CCCCCCCO BBMCTIGTTCKYKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003345 Elvax® Polymers 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002633 Kraton (polymer) Polymers 0.000 description 2
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 description 2
- 239000002998 adhesive polymer Substances 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229940072049 amyl acetate Drugs 0.000 description 2
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 238000001218 confocal laser scanning microscopy Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M heptanoate Chemical compound CCCCCCC([O-])=O MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AOGQPLXWSUTHQB-UHFFFAOYSA-N hexyl acetate Chemical compound CCCCCCOC(C)=O AOGQPLXWSUTHQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N propyl acetate Chemical compound CCCOC(C)=O YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 2
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- KLIDCXVFHGNTTM-UHFFFAOYSA-N 2,6-dimethoxyphenol Chemical compound COC1=CC=CC(OC)=C1O KLIDCXVFHGNTTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016276 Bi2O3—SiO2—B2O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- VOWAEIGWURALJQ-UHFFFAOYSA-N Dicyclohexyl phthalate Chemical compound C=1C=CC=C(C(=O)OC2CCCCC2)C=1C(=O)OC1CCCCC1 VOWAEIGWURALJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010073306 Exposure to radiation Diseases 0.000 description 1
- 108010003272 Hyaluronate lyase Proteins 0.000 description 1
- 235000019886 MethocelTM Nutrition 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCZSIDMEHXZRLG-UHFFFAOYSA-N acetic acid heptyl ester Natural products CCCCCCCOC(C)=O ZCZSIDMEHXZRLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910002064 alloy oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 1
- 230000004323 axial length Effects 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- HGWAKQDTQVDVRP-OKULMJQMSA-N butyl (z,12r)-12-hydroxyoctadec-9-enoate Chemical compound CCCCCC[C@@H](O)C\C=C/CCCCCCCC(=O)OCCCC HGWAKQDTQVDVRP-OKULMJQMSA-N 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000004359 castor oil Substances 0.000 description 1
- 235000019438 castor oil Nutrition 0.000 description 1
- 229960001777 castor oil Drugs 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920003086 cellulose ether Polymers 0.000 description 1
- 229920006026 co-polymeric resin Polymers 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJZSHHCHMPEQMW-UHFFFAOYSA-N copper(1+) 1,3,5-trimethylbenzene Chemical group [Cu+].Cc1cc(C)cc(C)c1 SJZSHHCHMPEQMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFDWIMBEIXDNQS-UHFFFAOYSA-L copper;diformate Chemical compound [Cu+2].[O-]C=O.[O-]C=O HFDWIMBEIXDNQS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- SMNMOEIFYRALNM-UHFFFAOYSA-L copper;hexanoate Chemical compound [Cu+2].CCCCCC([O-])=O.CCCCCC([O-])=O SMNMOEIFYRALNM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 239000006184 cosolvent Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 229960002380 dibutyl phthalate Drugs 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 1
- QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N dioxomolybdenum Chemical compound O=[Mo]=O QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DWNAQMUDCDVSLT-UHFFFAOYSA-N diphenyl phthalate Chemical compound C=1C=CC=C(C(=O)OC=2C=CC=CC=2)C=1C(=O)OC1=CC=CC=C1 DWNAQMUDCDVSLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N dodecanoic acid Chemical class CCCCCCCCCCCC(O)=O POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- GCSJLQSCSDMKTP-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C=C GCSJLQSCSDMKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 229920005570 flexible polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 description 1
- 125000005456 glyceride group Chemical group 0.000 description 1
- ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N glycerol triricinoleate Natural products CCCCCC[C@@H](O)CC=CCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](COC(=O)CCCCCCCC=CC[C@@H](O)CCCCCC)OC(=O)CCCCCCCC=CC[C@H](O)CCCCCC ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- JPXGPRBLTIYFQG-UHFFFAOYSA-N heptan-4-yl acetate Chemical compound CCCC(CCC)OC(C)=O JPXGPRBLTIYFQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 1
- 150000004677 hydrates Chemical class 0.000 description 1
- 229920001600 hydrophobic polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- GJRQTCIYDGXPES-UHFFFAOYSA-N iso-butyl acetate Natural products CC(C)COC(C)=O GJRQTCIYDGXPES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FGKJLKRYENPLQH-UHFFFAOYSA-M isocaproate Chemical compound CC(C)CCC([O-])=O FGKJLKRYENPLQH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N isopropanol acetate Natural products CC(C)OC(C)=O JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940011051 isopropyl acetate Drugs 0.000 description 1
- GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-N isovaleric acid Chemical compound CC(C)CC(O)=O GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQAGVSWESNCJJT-UHFFFAOYSA-N isovaleric acid methyl ester Natural products COC(=O)CC(C)C OQAGVSWESNCJJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- MYWUZJCMWCOHBA-VIFPVBQESA-N methamphetamine Chemical compound CN[C@@H](C)CC1=CC=CC=C1 MYWUZJCMWCOHBA-VIFPVBQESA-N 0.000 description 1
- 238000009768 microwave sintering Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 125000005498 phthalate group Chemical class 0.000 description 1
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L phthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000000518 rheometry Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- RQZVTOHLJOBKCW-UHFFFAOYSA-M silver;7,7-dimethyloctanoate Chemical compound [Ag+].CC(C)(C)CCCCCC([O-])=O RQZVTOHLJOBKCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- APSBXTVYXVQYAB-UHFFFAOYSA-M sodium docusate Chemical group [Na+].CCCCC(CC)COC(=O)CC(S([O-])(=O)=O)C(=O)OCC(CC)CCCC APSBXTVYXVQYAB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 description 1
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1892—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof methods involving the use of temporary, removable substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/20—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
- H05K3/207—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern using a prefabricated paste pattern, ink pattern or powder pattern
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
- B41M1/00—Inking and printing with a printer's forme
- B41M1/12—Stencil printing; Silk-screen printing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03926—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate comprising a flexible substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
- H01L31/206—Particular processes or apparatus for continuous treatment of the devices, e.g. roll-to roll processes, multi-chamber deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0393—Flexible materials
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3485—Applying solder paste, slurry or powder
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/386—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of an organic polymeric bonding layer, e.g. adhesive
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0284—Details of three-dimensional rigid printed circuit boards
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
- H05K1/165—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed inductors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0183—Dielectric layers
- H05K2201/0195—Dielectric or adhesive layers comprising a plurality of layers, e.g. in a multilayer structure
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0332—Structure of the conductor
- H05K2201/0335—Layered conductors or foils
- H05K2201/0338—Layered conductor, e.g. layered metal substrate, layered finish layer, layered thin film adhesion layer
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0332—Structure of the conductor
- H05K2201/0335—Layered conductors or foils
- H05K2201/035—Paste overlayer, i.e. conductive paste or solder paste over conductive layer
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0332—Structure of the conductor
- H05K2201/0388—Other aspects of conductors
- H05K2201/0391—Using different types of conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10098—Components for radio transmission, e.g. radio frequency identification [RFID] tag, printed or non-printed antennas
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/01—Tools for processing; Objects used during processing
- H05K2203/0104—Tools for processing; Objects used during processing for patterning or coating
- H05K2203/0139—Blade or squeegee, e.g. for screen printing or filling of holes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
- H05K2203/1105—Heating or thermal processing not related to soldering, firing, curing or laminating, e.g. for shaping the substrate or during finish plating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
- H05K2203/1131—Sintering, i.e. fusing of metal particles to achieve or improve electrical conductivity
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/14—Related to the order of processing steps
- H05K2203/1476—Same or similar kind of process performed in phases, e.g. coarse patterning followed by fine patterning
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/15—Position of the PCB during processing
- H05K2203/1545—Continuous processing, i.e. involving rolls moving a band-like or solid carrier along a continuous production path
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Hybrid Cells (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Description
本発明は、太陽電池への電気伝導体の適用方法に関する。 The present invention relates to a method of applying electrical conductors to solar cells.
太陽電池上に導体を形成する既知の方法にはいくつかの欠点があり、それらの中には、
それらがライン解像度と正確な配置に寄せるという制限がある。多くの場合、この技術は
面倒であり、バッチ処理を使用してのみ実施することができ、この技術を使用して太陽電
池の反対側に導体を適用する場合、各面を別々に処理しなければならない。
Known methods of forming conductors on solar cells have several drawbacks, among them:
The limitation is that they are close to line resolution and precise placement. In many cases, this technique is cumbersome and can only be performed using a batch process, and if this technique is used to apply conductors to opposite sides of the solar cell, each side must be treated separately. must.
前述の欠点の少なくともいくつかを軽減する目的で、本開示の第１の態様は、太陽電池
の表面によって形成される基板に電気伝導体のパターンを適用する方法を提供し、当該方
法は：
ａ）可撓性膜を提供するステップと、
ｂ）膜の第１の面に、基板に適用される電気伝導体の所望のパターンに少なくとも部分
的に対応する溝のパターンを形成するステップと、
ｃ）溝に、組成成分として導電性粒子および接着剤を含む組成物を充填するステップで
あって、充填ステップの完了時に、組成物が膜の第１の面と同じ高さで溝を実質的に満た
し、かつ溝の間の第１の面の部分に組成物が実質的に含まれないように、１回以上のサブ
ステップで実行される充填するステップと、
ｄ）膜の第１の面を基板に向けて、膜を基板に接触させるステップと、
ｅ）膜に圧力を加えて、膜の第１の面の溝内に充填された組成物を、基板に付着させる
ステップと、
ｆ）膜を基板から分離させて、膜の第１の面の溝から基板に組成物を転写するステップ
と、
ｇ）溝から基板に転写された組成物のパターンを導電性にするために、導電性粒子を焼
結するのに十分なエネルギーを加えるステップと、を含む。
In order to alleviate at least some of the aforementioned drawbacks, a first aspect of the present disclosure provides a method of applying a pattern of electrical conductors to a substrate formed by a surface of a solar cell, the method comprising:
a) providing a flexible membrane;
b) forming in the first side of the membrane a pattern of grooves corresponding at least partially to the desired pattern of electrical conductors applied to the substrate;
c) filling the grooves with a composition comprising as constituents conductive particles and an adhesive, wherein upon completion of the filling step the composition fills the grooves substantially flush with the first surface of the membrane; and filling performed in one or more substeps such that portions of the first surface between the grooves are substantially free of the composition;
d) contacting the membrane to the substrate with the first side of the membrane facing the substrate;
e) applying pressure to the membrane to cause the composition filled in the grooves on the first side of the membrane to adhere to the substrate;
f) separating the membrane from the substrate and transferring the composition from the grooves in the first side of the membrane to the substrate;
g) applying sufficient energy to sinter the conductive particles to render the pattern of composition transferred from the grooves to the substrate conductive.
導体のパターンを形成するときに、組成物の成分に液体キャリアを添加して、液体また
はペーストの粘稠度を有する湿潤組成物を形成することができる。液体キャリアは、有機
溶媒または水性溶媒からなるものとすることができる。液体キャリアが少なくとも６０重
量％の水を含む湿潤組成物は、水性または水性系組成物と呼ぶことができ、液体キャリア
が少なくとも６０重量％の有機溶媒を含む湿潤組成物は、溶媒系組成物と呼ぶことができ
る。
A liquid carrier may be added to the components of the composition when forming the pattern of conductors to form a wet composition having a liquid or paste consistency. Liquid carriers can consist of organic solvents or aqueous solvents. Wetting compositions in which the liquid carrier comprises at least 60% by weight water can be referred to as aqueous or water-based compositions, and wetting compositions in which the liquid carrier comprises at least 60% by weight organic solvent are solvent-based compositions. can call
充填ステップ中にドクターブレードを使用して、組成物を溝内に押し込み、かつ溝間の
基板部分から組成物を拭き取ることができる。膜に塗布された組成物を溝内に充填するた
めに膜の第１の面に接触する、スキージまたはブレードの先端の相対的な可撓性および／
または硬度は、充填される組成物の粘稠度／粘度、充填される溝の寸法、パターン内の組
成物を「拭き取る」ために加えられる力、および当業者によって容易に理解される同様の
考察に応じて選択して適合させることができる。次いで、熱または真空の適用により液体
キャリアを除去し、乾燥組成物を可撓性膜の第１の面またはその中の選択された領域にコ
ーティングすることができる。
A doctor blade can be used during the filling step to force the composition into the grooves and wipe the composition from the portions of the substrate between the grooves. the relative flexibility and/or the tip of the squeegee or blade that contacts the first surface of the membrane to fill the grooves with the composition applied to the membrane;
Or hardness is the consistency/viscosity of the filled composition, the dimensions of the grooves to be filled, the force applied to "wipe" the composition in the pattern, and similar considerations readily understood by those skilled in the art. can be selected and adapted accordingly. The liquid carrier can then be removed by application of heat or vacuum, and the dry composition can be coated onto the first surface of the flexible membrane or selected areas therein.
液体キャリアを除去する（例えば、液体は蒸発によって除去される）と、溝内に残され
た組成物は収縮する傾向にある。充填ステップ（前述の方法ではステップｃ）として記載
されている）は、溝を１回だけ充填することを含み得るが、繰り返しの充填サブステップ
のような複数のサブステップを、（例えば、乾燥による）液体除去および（例えば、拭き
取りによる）溝間クリーニングの任意のサブステップとともに任意に含み得ることに留意
されたい。そのようなサブステップは、乾燥組成物が膜の第１の面と同じ高さで溝を実質
的に満たすまで繰り返す必要があり得る。充填ステップが、充填、および／または乾燥、
および／またはクリーニングの繰り返しサイクルによって実行される場合、最後のステッ
プは、膜の第１の面上の溝間のスペースに組成物が実質的に含まれないようにする。
Upon removal of the liquid carrier (eg, the liquid is removed by evaporation), the composition left in the grooves tends to shrink. The filling step (described as step c) in the method described above) may involve filling the grooves only once, but multiple sub-steps, such as repeated filling sub-steps, may be included (e.g. by drying ) along with any sub-steps of liquid removal and inter-groove cleaning (eg, by wiping). Such sub-steps may need to be repeated until the dry composition substantially fills the grooves at the same level as the first side of the membrane. the filling step filling and/or drying;
And/or when performed by repeated cycles of cleaning, the final step renders the spaces between the grooves on the first surface of the membrane substantially free of composition.
実質的に含まれないとは、溝間のスペースに残留組成物が存在するとしても、それが転
写後に太陽電池の表面を有意にマスキングするには不十分または少なすぎる量／分布にあ
ることを意味する。溝間のスペースの面積の２％未満、または１％未満、または０．５％
未満、または０．１％未満の面積に微量の導電性粒子が含まれているとしても、実質的に
は、溝間のスペースに組成物はないといえる。そのような微量の組成物は、日常的な画像
分析によって検出および推定することができる。
By substantially free is meant that any residual composition present in the spaces between the grooves is in an amount/distribution that is insufficient or too low to significantly mask the surface of the solar cell after transfer. means. Less than 2%, or less than 1%, or 0.5% of the area of the space between grooves
Even if less than or less than 0.1% of the area contains trace amounts of conductive particles, the spaces between the grooves are substantially free of composition. Such trace compositions can be detected and estimated by routine image analysis.
溝の充填をいくつかのステップで行う場合、組成物の成分の相対比率が充填サイクル間
で変化してもよい。最初の工程では、接着剤は導電性粒子を互いに結合させるためだけに
役立ち得るが、最後の工程では、接着剤はさらに組成物を基板に付着させるために役立つ
ことができる。この理由から、組成物中の接着剤の割合を、少なくとも最後の充填ステッ
プで任意に増加させてもよい。
When filling the grooves in several steps, the relative proportions of the components of the composition may change between filling cycles. In the first step, the adhesive may serve only to bond the conductive particles together, but in the final step, the adhesive may also serve to adhere the composition to the substrate. For this reason, the proportion of adhesive in the composition may optionally be increased at least in the final filling step.
さらに、および代替的に、接着剤のタイプを充填ステップ間で変更することができ、最
後の充填ステップの接着剤は、初期のステップの接着剤よりも強力であり、かつ／あるい
は多量であり、基板への接着能力に関して「強力」である。いくつかの実施形態では、可
撓性膜の充填された溝上に接着剤コーティングをさらに塗布することができる。
Additionally and alternatively, the type of adhesive can be changed between filling steps, the adhesive in the last filling step being stronger and/or in greater volume than the adhesive in the earlier steps; It is "strong" in terms of its ability to adhere to substrates. In some embodiments, an adhesive coating can additionally be applied over the filled grooves of the flexible membrane.
より少量の接着剤（および／またはより強力でなく、その後、バインダと見なすことが
できるもの）と、より多量の導電性粒子と、を有する組成物は、金属ペーストと呼ぶこと
ができ、多量の（および／またはより強力な）接着剤を有し、乾燥組成物を基板へ接着さ
せるのに適した組成物は、接着剤ペーストと呼ぶことができる。「ペースト」という用語
は、特定の粘度、または固形分を示すことを意味するものではないが、より低い粘度の組
成物においては、当然のことながらより多くのキャリアを蒸発させる必要がある。その後
の基板への接着をさらに容易にする目的で、膜の充填された溝を覆うように任意に追加さ
れ得る組成物は、接着剤コーティングと呼ぶことができる。
Compositions with lower amounts of adhesive (and/or those that are less strong, which can then be considered binders) and higher amounts of conductive particles can be referred to as metal pastes, with higher amounts of A composition having an adhesive (and/or stronger) and suitable for adhering a dry composition to a substrate can be referred to as an adhesive paste. The term "paste" is not meant to indicate a particular viscosity or solids content, although in lower viscosity compositions, of course, more carrier must be evaporated. A composition that may optionally be added to cover the filled grooves of the membrane for the purpose of further facilitating subsequent adhesion to a substrate can be referred to as an adhesive coating.
あるいは、および付加的に、各充填ステップは、溝に充填される組成物および／または
充填条件にそれぞれ適合した異なるタイプのワイパー（例えば、スキージまたはドクター
ブレード）を使用して実行することができる。
Alternatively, and additionally, each filling step can be performed using a different type of wiper (eg, squeegee or doctor blade), each adapted to the composition to be filled into the groove and/or the filling conditions.
適切に適用されたドクターブレードまたはスキージによれば、膜の第１の面の溝のない
部分を組成物から十分にクリーンにしておくという所望の結果がもたらされ得るが、その
ような目的を達成するべく、任意におよび／または付加的に、溝間の表面に残された組成
物を除去するための、例えば、擦り取り、拭き取り、ブラシ掛けを含む別のステップを実
行して、充填ステップを完了させてもよい。このようなクリーニングは、充填サブステッ
プの間、あるいは充填ステップの完了前にのみ行うことができ、充填に続いて任意に接着
剤コーティングを膜に塗布する場合には、最後の充填サブステップの実行後、かつ接着剤
コーティングの塗布前に行うことができる。この任意のクリーニングは、クリーニングさ
れる組成物と膜に適したクリーニングデバイスを使用して実行することが好ましい。
Although a properly applied doctor blade or squeegee can provide the desired result of keeping the non-grooved portion of the first side of the membrane sufficiently clean of the composition, such purpose is Optionally and/or additionally, another step including, for example, scraping, wiping, brushing is performed to remove composition left on the surface between the grooves to accomplish the filling step. may be completed. Such cleaning can only be done during the filling substep or before the completion of the filling step, and if an optional adhesive coating is applied to the membrane following filling, the final filling substep is performed. after and before application of the adhesive coating. This optional cleaning is preferably carried out using a cleaning device suitable for the composition and membrane being cleaned.
いかなるクリーニングステップが実行される場合も、その後の、膜の基板との接触を大
幅に低減し、あるいは妨げるような方法で、膜の表面に影響を与えるべきではない。クリ
ーニングサブステップは、組成物を乾燥させる前または後のいずれかに実行できることに
留意されたい。クリーニングサブステップが乾燥サブステップ後に実行される場合、必要
に応じて、クリーニング液を、クリーニング装置および／またはクリーニングされるべき
表面にさらに加えてもよい。
Whatever cleaning step is performed should not affect the surface of the membrane in a way that significantly reduces or prevents subsequent contact of the membrane with the substrate. Note that the cleaning substep can be performed either before or after drying the composition. If the cleaning substep is performed after the drying substep, a cleaning liquid may additionally be applied to the cleaning device and/or the surface to be cleaned, if desired.
例えば、クリーニングは、充填デバイスの下流（例えば、溝に組成物を充填するスキー
ジまたはドクターブレードの上流）に配置されたブレードワイパーによって行うことがで
きる。クリーニングブレードは、膜に対して、充填用ブレードと同じ向きを有することが
でき、あるいは、反対の角度を形成することができる。クリーニングは、代替的に、柔ら
かい拭き取り面を有するクリーニングローラを使用して行うことができる。乾燥ステップ
に続いてクリーニングが行われる場合、クリーニング液を使用して、膜の表面上における
クリーニングデバイスの移動を容易にすることができる。そのようなクリーニング液が使
用される場合、溝間のスペースに乾燥組成物が残留しているとすれば、それらの除去も容
易にすることができる。前述の例示的な実施形態において、クリーニング液は、クリーニ
ングブレードの下流に塗布することができ、あるいはクリーニングローダの拭き取り面を
含侵させるのに役立ち得る。クリーニング液は、溝のパターン内に既に充填および／また
は乾燥された組成物に影響を与えないように選択される。例えば、クリーニング液は、可
撓性膜とは相溶性があり、組成物の液体キャリアとは相溶性がない溶媒とすることができ
る。
For example, cleaning can be done by a blade wiper positioned downstream of the filling device (eg, upstream of a squeegee or doctor blade that fills the grooves with the composition). The cleaning blade can have the same orientation with respect to the membrane as the filling blade, or it can form an opposite angle. Cleaning can alternatively be done using a cleaning roller with a soft wiping surface. If the drying step is followed by cleaning, a cleaning liquid can be used to facilitate movement of the cleaning device over the surface of the membrane. If such a cleaning liquid is used, it can also facilitate removal of any remaining dry composition in the spaces between the grooves. In the exemplary embodiments described above, the cleaning fluid can be applied downstream of the cleaning blade or can serve to impregnate the wiping surface of the cleaning loader. The cleaning liquid is selected so as not to affect the already filled and/or dried composition within the groove pattern. For example, the cleaning liquid can be a solvent that is compatible with the flexible membrane and incompatible with the liquid carrier of the composition.
任意の所望のパターンの溝は、例えば、それらの断面プロファイル、それらの上面形状
、それらの寸法、それらの互いからの距離、および以下により詳細に記載される要因によ
って特徴づけることができる。パターンの溝は同一である必要はなく、任意の第１の溝は
任意の第２の溝と異なっていてもよい。さらに、いくつかの実施形態において、個々の溝
は、それ自体の長さに沿って変化していてもよい。例えば、上面から見た場合、溝の隣接
するセグメントが直線状の輪郭を形成し、他のセグメントが湾曲した輪郭を有することが
でき、あるいは、第１のセグメントが第１の幅を有し、第２のセグメントが第２の幅を有
することができる。断面視で、個々の溝は、溝の第１のセグメントに第１のプロファイル
を有し、第２のセグメントに第２のプロファイルを有し、かつ／あるいは第１のセグメン
トに第１の寸法のセットを有し、第２のセグメントに第２の寸法のセットを有することが
できる。非限定的な例として、個々の溝は、第１の高さ／深さの三角形または台形のプロ
ファイルを有する第１のセグメントと、異なる第２の高さ／深さの半楕円形または半円形
のプロファイルを有する第２のセグメントと、を含むことができる。そのような非同一の
溝を有する可撓性膜では、個々の溝は、該溝の長さに沿って交互に配置された比較的浅い
トレンチセグメントと比較的深い窪みから構成されていてもよく、より深い窪みは、転写
後に導電性材料のより高いスポットまたは接触パッドを形成し、これらは、基板の平面に
垂直な方向に形成され得る隣接するパターンを相互接続するか、あるいは導電線のパター
ンを外部回路（例えば、太陽電池によって収集された電気エネルギーを蓄えることができ
るバッテリー）接続するように機能し得る。
Any desired pattern of grooves can be characterized, for example, by their cross-sectional profile, their top surface shape, their dimensions, their distance from each other, and factors described in more detail below. The grooves of the pattern need not be identical and any first groove may be different from any second groove. Additionally, in some embodiments, individual grooves may vary along their length. For example, when viewed from the top, adjacent segments of the groove can form straight contours and other segments can have curved contours, or a first segment can have a first width, A second segment can have a second width. In cross-section, an individual groove has a first profile on a first segment of the groove, a second profile on a second segment, and/or a first dimension on the first segment. A second segment may have a second set of dimensions. As a non-limiting example, each groove may have a first segment having a triangular or trapezoidal profile of a first height/depth and a semi-elliptical or semi-circular shape of a different second height/depth. and a second segment having a profile of In flexible membranes with such non-identical grooves, the individual grooves may consist of relatively shallow trench segments and relatively deep depressions alternating along the length of the groove. , the deeper depressions form higher spots or contact pads of conductive material after transfer, which interconnect adjacent patterns that may be formed in a direction perpendicular to the plane of the substrate, or patterns of conductive lines. to an external circuit (eg, a battery capable of storing electrical energy collected by a solar cell).
いくつかの実施形態における膜は、作業温度（例えば、約２３℃の周囲室温）で十分に
可撓性であり、可撓性膜のパターニング、本明細書に教示されるような組成物のいずれか
による溝の充填、組成物の乾燥、または基板との接触による膜からの乾燥組成物の剥離、
および／もしくは基板からの膜の分離などの他の必要な処理を容易にする。いくつかの実
施形態では、可撓性膜はそのように（例えば、ロールまたはシートで）予備形成して供給
され得るが、可撓性膜は、代替的に、適切な材料（例えば、冷却すると固化する熱可塑性
ポリマーまたは放射線への暴露で硬化するフォトポリマーであり、これらは、本明細書で
はプラスチックポリマーと呼ぶことができる）から注型することにより、プロセスの一部
として形成されてもよい。エンボス加工または注型され得る成形可能なプラスチックポリ
マーが当業者に知られている。
The film in some embodiments is sufficiently flexible at working temperatures (e.g., ambient room temperature of about 23° C.) such that patterning of the flexible film, any of the compositions as taught herein. filling the grooves, drying the composition, or stripping the dry composition from the film upon contact with the substrate;
and/or facilitate other necessary processing such as separation of the membrane from the substrate. In some embodiments, the flexible membrane may be supplied pre-formed as such (eg, in rolls or sheets), although the flexible membrane may alternatively be made of a suitable material (eg, may be formed as part of the process by casting from thermoplastic polymers that harden or photopolymers that harden upon exposure to radiation, which may be referred to herein as plastic polymers. . Moldable plastic polymers that can be embossed or cast are known to those skilled in the art.
そのようなポリマーから製造された可撓性膜は、その上に形成される溝（およびパター
ン）の輪郭およびその中に充填される組成物の形状を維持するのに十分に非弾性であるこ
とが好ましい。他方で、膜は、組成物の線を転写するべく基板と十分に密接に接触できる
ように、基材の表面に適合するのに十分に可撓性であることが好ましい。比較的平滑な表
面を有する膜は、処理中の（例えば、溝を充填しているスキージとの、または基板との）
インタフェースを改善するという同様の理由から望ましい場合がある。有利には、可撓性
膜の第１の面の平均粗さＲｚは、１μｍ以下、５００ｎｍ以下、２５０ｎｍ以下、または
１００ｎｍ以下である。他の望ましい機械的性質（例えば、耐伸張性、耐ストレス性、耐
熱性および耐放射性など）は容易に理解することができ、それにより膜を方法およびそれ
に使用される組成物（例えば、耐化学性、化学的不活性）と適合させることができる。
Flexible membranes made from such polymers should be sufficiently inelastic to maintain the contours of the grooves (and patterns) formed thereon and the shape of the composition filled therein. is preferred. On the other hand, the membrane is preferably flexible enough to conform to the surface of the substrate so that it can come into sufficiently close contact with the substrate to transfer the lines of composition. A film with a relatively smooth surface may be used during processing (e.g., with a squeegee filling a groove or with a substrate).
It may be desirable for similar reasons of improving the interface. Advantageously, the average roughness Rz of the first surface of the flexible membrane is 1 μm or less, 500 nm or less, 250 nm or less, or 100 nm or less. Other desirable mechanical properties (e.g., stretch resistance, stress resistance, heat resistance and radiation resistance) can be readily appreciated, thereby making the membranes suitable for methods and compositions used therein (e.g., chemical resistance). nature, chemical inertness).
本明細書で開示する方法では、表面エネルギーが低い可撓性膜を使用することができ、
環状オレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレン（ＰＥ）
、および熱可塑性ポリウレタン（ＴＰＵ）から選択される熱可塑性ポリマーを含む膜が特
に適している。
The methods disclosed herein allow the use of flexible membranes with low surface energy,
Cyclic olefin copolymer (COC), polypropylene (PP), polyethylene (PE)
, and thermoplastic polyurethanes (TPU) are particularly suitable.
可撓性膜は、１つ以上の適切なプラスチックポリマー、特には、前述の１つ以上の熱可
塑性ポリマーを含む単層から形成することができる。あるいは、可撓性膜は、２つ以上の
別々の膜から形成することができる。例えば、非限定的な例として、膜は、膜の機械的完
全性および／または強度（例えば、処理中にその寸法を実質的に保持する能力）を主に提
供する第１の支持層と、溝の形成を可能にするように十分に変形可能である第２の層と、
膜の中間のパターン化可能コアを「封止」する第３の層と、を備え、第３の層は、例えば
、パターンの転写およびそれに続く膜の分離前における膜の基板への接着性を改善し、あ
るいは本教示による方法にとって好ましい可能性がある任意の他の望ましい（例えば、所
望の通りにパターンを維持するのに十分な靭性を提供する）特性を改善する。全てのその
ような層は、好ましくは可撓性であり、そのような層により形成された膜全体に所望の可
撓性を提供する。膜が２層以上から形成されているこのような実施形態では、支持層の反
対側の層が、転写ステップ中に基板の表面と接触する膜の第１の面を構成する。
The flexible membrane can be formed from a single layer comprising one or more suitable plastic polymers, especially one or more thermoplastic polymers as described above. Alternatively, the flexible membrane can be formed from two or more separate membranes. For example, as a non-limiting example, the membrane comprises a first support layer that primarily provides mechanical integrity and/or strength (e.g., the ability to substantially retain its dimensions during processing) of the membrane; a second layer that is sufficiently deformable to allow the formation of grooves;
a third layer "sealing" the intermediate patternable core of the membrane, the third layer e.g. improve or any other desirable property (eg, provide sufficient toughness to maintain the pattern as desired) that may be preferred for the method according to the present teachings. All such layers are preferably flexible and provide the desired flexibility throughout the membrane formed by such layers. In such embodiments where the membrane is formed from two or more layers, the layer opposite the support layer constitutes the first side of the membrane that contacts the surface of the substrate during the transfer step.
圧力（例えば、約０．１ｋｇＦ／ｃｍ２～約５０ｋｇＦ／ｃｍ２）を加えることによる
、可撓性膜から基板への乾燥組成物の転写は、任意に高温で行うことができる。そのよう
な転写温度は、可撓性膜およびそのように接触させる基板に依存し得る。それはまた、溝
内に充填された組成物、ならびに乾燥組成物の可撓性膜からの剥離、および／または、乾
燥組成物の基板への接着が、温度のよってどのように促進され得るのかにも依存し得る。
例えば、転写温度は、少なくとも６０℃、少なくとも８０℃、少なくとも１００℃、また
は少なくとも１２０℃とすることができ、かつ任意に、最大２００℃、最大１８０℃、最
大１６０℃、または最大１４０℃とすることができる。いくつかの実施形態では、１３０
～１４０℃の範囲の転写温度で圧力が加えられる。
Transferring the dry composition from the flexible film to the substrate by applying pressure (eg, from about 0.1 kgF/cm 2 to about 50 kgF/cm 2 ) can optionally be done at an elevated temperature. Such transfer temperatures may depend on the flexible film and the substrate so contacted. It also demonstrates how the composition loaded in the grooves and the detachment of the dry composition from the flexible film and/or the adhesion of the dry composition to the substrate can be facilitated by temperature. can also depend on
For example, the transfer temperature can be at least 60°C, at least 80°C, at least 100°C, or at least 120°C, and optionally up to 200°C, up to 180°C, up to 160°C, or up to 140°C. be able to. In some embodiments, 130
Pressure is applied at transfer temperatures ranging from ~140°C.
いくつかの実施形態において、転写温度は、基板および膜を２つのローラの間で接触さ
せてそれらを一緒に加熱することによって達成され、少なくとも１つの円筒が、所望の転
写温度を迅速に達成できる温度に加熱される。他の実施形態において、転写温度は、膜を
そのままとするかまたは周囲温度に維持する一方で、基板だけを加熱することによって達
成される。基板は、伝導（例えば、ホットプレートに通す）、対流（例えば、熱風流を用
いる）、放射（例えば、ＩＲランプを用いる）、またはそのような加熱手段の組合せなど
の任意の適切な方法によって加熱され得る。
In some embodiments, the transfer temperature is achieved by contacting the substrate and film between two rollers to heat them together so that at least one cylinder can quickly achieve the desired transfer temperature. heated to temperature. In other embodiments, the transfer temperature is achieved by heating only the substrate while leaving the film intact or at ambient temperature. The substrate is heated by any suitable method such as conduction (e.g. through a hot plate), convection (e.g. using hot air flow), radiation (e.g. using IR lamps), or a combination of such heating means. can be
いくつかの実施形態では、適切な接触を生じさせるように圧力を加えた後であって、か
つ溝の内容物を基板へ転写させるように膜を剥がす前に温度を下げる。この中間段階では
、たとえこの付着が分離させるまでの一時的なものであっても、膜が「基板に付着してい
る」、あるいは基板が「膜に付着している」という。冷却は、伝導（例えば、膜が付着し
た基板を低温表面に通す）、対流（例えば、膜が付着した基板に向けて任意に冷却した空
気を吹き付ける）、またはそのような冷却手段の組合せによって行うことができる。
In some embodiments, the temperature is reduced after applying pressure to create adequate contact and before peeling the film away to transfer the contents of the grooves to the substrate. At this intermediate stage, the membrane is said to be "adhered to the substrate" or the substrate is "adhered to the membrane", even if this attachment is temporary until detached. Cooling may be by conduction (e.g., passing the film-attached substrate over a cold surface), convection (e.g., optionally blowing chilled air toward the film-attached substrate), or a combination of such cooling means. be able to.
基板は、選択されて、そこに転写されるパターンの意図された用途に適合されるが、そ
のような選択は当業者に知られている。基板は、例えば、剛性または可撓性であり、１層
以上の材料で構成されており、その１つ以上の側面上での伝送に役立ち、ドープまたは非
ドープであり得る。非限定的な例として、太陽電池の製造に適した基板は、硬質ウェハま
たは可撓性フィルムであり得る。基板は、単結晶または多結晶シリコン（モノｃ－Ｓｉま
たはマルチｃ－Ｓｉ）、アモルファスシリコン（ａ－Ｓｉ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）
、ポリシリコン（ｐ－Ｓｉ）、および太陽電池に使用される任意の他の基板と同様の無機
材料でできているか、あるいは可撓性ポリマーなどの有機材料でできた太陽電池の面とす
ることができる。
A substrate is selected to suit the intended use of the pattern to be transferred thereon, such selection being known to those skilled in the art. The substrate may be, for example, rigid or flexible, composed of one or more layers of material, assisting transmission on one or more sides thereof, and may be doped or undoped. As non-limiting examples, substrates suitable for solar cell fabrication can be rigid wafers or flexible films. Substrates can be monocrystalline or polycrystalline silicon (mono-c-Si or multi-c-Si), amorphous silicon (a-Si), gallium arsenide (GaAs)
, polysilicon (p-Si), and any other substrate used in solar cells, or made of organic materials such as flexible polymers. can be done.
可撓性膜を利用して所望のパターンを形成する本方法は、太陽電池の基板が平坦ではな
い場合に特に有利であることが理解されよう。特定の用途を達成するのに望まれ得るよう
な、折り曲げおよび折り畳みができ、さらには物体の周囲に巻き付けることさえできる基
板は、所望のパターンを含む膜によってワンステップで接触させることができる。例えば
、同じボードの左パネルと右パネルの間で斜めに折り畳む必要がある物体があり、電流を
一方端から他方端に流すことができるとすると、現在の技術では、各パネルを別々に準備
して組み立て、かつ場合によっては中間接続パネルまたは回路さえも必要とされる場合が
ある。対照的に、本方法では、左パネルと可撓性膜上のパターンの対応する部分と、右パ
ネルとそれぞれのパターンとの連続的な接触を可能にし、左右のパネル（および対応する
パターンの左右の部分）間にある中間の「角度」領域により、２つをつなぐ途切れのない
回路が提供される。
It will be appreciated that this method of utilizing a flexible film to form a desired pattern is particularly advantageous when the substrate of the solar cell is not flat. Substrates that can be bent and folded, and even wrapped around objects, as may be desired to achieve a particular application, can be contacted in one step by a film containing the desired pattern. For example, if you have an object that needs to be folded diagonally between the left and right panels of the same board, and the current can flow from one end to the other, current technology is to prepare each panel separately. assembly, and possibly even an intermediate connection panel or circuit may be required. In contrast, the present method allows continuous contact between the left panel and the corresponding portion of the pattern on the flexible membrane and the right panel with the respective pattern, allowing the left and right panels (and the left and right of the corresponding pattern) An intermediate 'angular' region between ) provides an unbroken circuit connecting the two.
さらなるステップは、金属パターンの意図された用途に応じ得る。 Further steps may depend on the intended use of the metal pattern.
太陽電池の製造に使用する場合、基板は半導体ウェハとすることができる。そのような
実施形態では、組成物は、有利にはガラスフリットを含むことが好ましく、組成物を導電
性にするように該組成物を加熱によって焼結した後に、基板および組成物を焼成して導体
を基板と融着させることができる。
When used to manufacture solar cells, the substrate can be a semiconductor wafer. In such embodiments, the composition advantageously comprises a glass frit, and after sintering the composition by heating to render the composition conductive, the substrate and composition are fired. A conductor can be fused with the substrate.
添付の請求項２７～２９に記載の他の態様において、本発明は、太陽電池製造用の膜お
よび本発明の方法によって製造された太陽電池を提供する。そのような膜および太陽電池
は、本明細書中に教示されるように、方法の多様な実施形態に関連して本明細書中により
詳細に示される様々な特徴によって特徴づけられ得る。
In other aspects as set forth in appended claims 27-29, the present invention provides films for solar cell manufacture and solar cells manufactured by the method of the present invention. Such films and solar cells can be characterized by various features that are presented in more detail herein in connection with various embodiments of the method as taught herein.
本開示の例示的実施形態を、添付の図面を参照してさらに説明する。 Exemplary embodiments of the present disclosure are further described with reference to the accompanying drawings.
以下の説明では、図面を参照し、非限定的な例として、本開示の教示がどのように実施
され得るのかを当業者に明らかにする。図面は、例示的な説明を目的としており、本開示
の基本的な理解に必要とされるよりも詳細に実施形態の構造の詳細を示すことを試みるも
のではない。明瞭かつ単純に説明するために、図面に描かれるいくつかの物体は一定の縮
尺で描かれていない場合がある。
The following description, with reference to the drawings, makes it clear to those skilled in the art how the teachings of the present disclosure can be implemented, by way of non-limiting example. The drawings are for illustrative purposes and do not attempt to show structural details of the embodiments in more detail than is necessary for a basic understanding of the present disclosure. For the sake of clarity and simplicity, some objects depicted in the drawings may not be drawn to scale.
簡潔さおよび明瞭さのために、図２Ａに示されるようなパターン（その拡大図は、図２
Ｂおよび２Ｃに示されている）を形成することに関して説明するが、これは単なる例に過
ぎない。当業者であれば、溝によって形成されるパターンおよびそれに対応する導体パタ
ーンは、任意の形態をとることができ、当面の事項によって決まる技術的選択の問題であ
ることを容易に理解するであろう。
For brevity and clarity, the pattern as shown in FIG. 2A (a magnified view of which is
B and 2C), this is merely an example. Those skilled in the art will readily appreciate that the pattern formed by the grooves and the corresponding conductor pattern can take any form and is a matter of engineering choice determined by the considerations at hand. .
［可撓性膜のパターニング］
図１Ａには、円筒加圧ローラ１０４とダイローラ１０２との間のニップを通過する、プ
ラスチック材料製の膜１００が示されている。ダイローラ１０２は、平滑な表面からルー
ル１０６および１０８が突出している円筒で形成することができる。ダイローラ１０２の
形成方法は、基本的に重要ではない。その製造方法の１つは、平滑な円筒のエッチングで
あり、あるいは円筒の周囲に突出ルール１０６および１０８を有するエンボスシム（典型
的には、ニッケルまたはクロム製）を取り付けることであり得る。図示しないが、可撓性
膜１００は、１層以上の個別の可撓性材料から形成することができる。
[Patterning of flexible membrane]
FIG. 1A shows a
ルール１０６は、ダイローラ１０２の円周に平行であり、かつダイローラの軸に沿って
互いに整列しており、対向する膜の面に接触すると、膜の移動方向に平行な溝を形成する
。図１Ａの概略断面図では、そのようなルールの１つだけが見えている。ルール１０６は
、ダイローラの全周をたどっている必要はなく、それらの長さは、溝のパターンにおける
長手方向の線の所望の長さに調整される。ルール１０８は、ダイローラの軸に平行であり
、対向する膜１００の面に接触すると、膜の移動方向を横切る方向に溝を形成することが
でき、また、場合によってはルール１０６によって形成された長手方向溝と直交する方向
に溝を形成することができる。ルール１０８は、ダイローラの全長または膜の幅に沿って
延びている必要はなく、それらの長さは、溝のパターンにおいて横断する長手方向の線の
任意の所望の数に応じて調整される。ルール１０６および１０８はまた、意図される基板
の寸法と、任意の特定のパターンを囲むために必要とされ得るマージンとを考慮に入れる
ことができる。ルール１０６および１０８は直線として示されているが、ダイローラ１０
２が任意の他の所望の形状を形成するルールを担持していてもよいことが容易に理解され
る。
The
It is readily understood that 2 may carry rules to form any other desired shape.
ルールの縁または輪郭は、膜から基板への組成物線の転写を可能にする、典型的には規
則的ないずれの所望の形状を有することができ、したがって、好ましくは先細り形状を有
することができる。そのような輪郭は、図１Ａ～１Ｄでは、半楕円形で概略的に示されて
いる。ルール１０６の縁は、例えば、台形であってもよい。すなわち、ルールは、上向き
に先細りになる側面と平坦な上面とを有する形状であってもよい。図５Ａを参照してより
詳細に説明するように、本明細書では、台形の底幅はＷＢ、フラットトップ（頂部）幅は
ＷＴ、および２つの間の高さはｈで表されている。ルール１０８は、ルール１０６と同様
の形状の縁を有することができるが、必ずしもそうでなくてもよい。例えば、ルール１０
８は、先にルール１０６について例示したような台形などの単一の形状からではなく、突
起のアセンブリから形成されていてもよい。ルール１０８は、例えば、メッシュ材料のス
トリップによって形成することができる。ルール１０８が後にバスバーの形成に役立ち得
る太陽電池の製造では、メッシュストリップの幅は、ルール１０６の底幅より大きくても
よい。図示例のように、太陽電池の電極の例に適用される金属パターンについては、ルー
ル１０８の数は、ルール１０６の数よりも少ない。
The edges or contours of the rule can have any desired shape, typically regular, that allows the transfer of composition lines from the film to the substrate, and thus preferably have a tapered shape. can. Such contours are schematically illustrated by semi-ovals in FIGS. 1A-1D. The edges of
8 may be formed from an assembly of protrusions rather than from a single shape such as a trapezoid as exemplified for
以下の説明では、台形断面に割り当てられた用語を使用するが、ルールは、同様の範囲
を満たす任意の異なる先細り形状を有していてもよい。ルールの断面が三角形、半円形、
または半楕円形などである場合、ルールの上端は一点に達し得る。ルールの底幅は、その
機能によって異なり得る。バスバーには最大数ミリメートルの幅が適し、太陽電池の背面
電極が溝付き膜を使用して作製されている場合、そのような太陽電池の背面電極にはより
広幅のルールが適し得る。長手方向の線については、底幅が５０マイクロメータ（μｍ）
以下であることが好ましく、ＷＢが、１０～４０μｍ、または１０～３０μｍ、または１
０～２０μｍ、または５～２０μｍの範囲にあることが特に望ましい。ルールの頂部幅も
また機能に応じて異なり、底幅とほぼ同じであるが、通常は底幅よりも小さい。長手方向
の線については、頂部幅が４０μｍ以下であることが好ましく、ＷＴが、５～２５μｍ、
または５～１５μｍ、または１０～２０μｍの範囲にあることが特に好ましい。ルールの
高さｈは、概して５０μｍを超えず、ｈが、２５～４０μｍ、または２５～３０μｍ、ま
たは１５～２５μｍの範囲にあることが特に好ましい。ルール１０６の高さｈとその底幅
ＷＢとの間のアスペクト比（ＡＳＰ）は、約５：１～約１：５の範囲であり、ＡＳＰが、
３：１～１．１、または２：１～１：２、または１．７５：１～１：１．７５、または１
．５：１～１：１．５、任意に、約２：１、１．５：１、または少なくとも１：１である
ことが好ましい。
Although the following description uses terminology assigned to a trapezoidal cross-section, the rule may have any different tapered shape that satisfies the same range. The cross-section of the rule is triangular, semi-circular,
or semi-elliptical, etc., the top of the rule may reach a point. The base width of a rule can vary depending on its function. Widths of up to a few millimeters are suitable for busbars, and wider rules may be suitable for the back electrode of solar cells if such a back electrode is made using a grooved film. For longitudinal lines, the base width is 50 micrometers (μm)
or less, and W B is 10 to 40 μm, or 10 to 30 μm, or 1
A range of 0 to 20 μm, or 5 to 20 μm is particularly desirable. The top width of the rule is also function dependent and is approximately the same as the bottom width, but usually smaller than the bottom width. Longitudinal lines preferably have a top width of 40 μm or less, WT of 5 to 25 μm,
or 5 to 15 μm, or 10 to 20 μm. The rule height h generally does not exceed 50 μm, and it is particularly preferred that h is in the range of 25-40 μm, or 25-30 μm, or 15-25 μm. The aspect ratio (ASP) between the height h of
3:1 to 1.1, or 2:1 to 1:2, or 1.75:1 to 1:1.75, or 1
. Preferably from 5:1 to 1:1.5, optionally about 2:1, 1.5:1, or at least 1:1.
さらに、パターンは、隣接する溝の対向する縁部間の距離ｄによって特徴づけられ得る
。典型的には、そのような距離は、１００μｍ以上である。いくつかの実施形態において
、隣接する溝の平行なセグメント間の距離ｄは、１５０μｍ以上、２００μｍ以上、また
は３００μｍ以上である。長手方向の線については、２つの溝間の最大距離は、意図する
用途および／または所望の効率に応じて決まる。例えば、太陽電池の製造に関しては、距
離ｄは、最大２０００μｍ、最大１５００μｍ、最大１０００μｍ、または最大５００μ
ｍである。任意の特定のルールから生じる溝および線の寸法は、必ずしも元のルールの寸
法と同じではないことに留意されたい。そのような変動は、使用される膜およびプロセス
の他の変数に依存し得る。有利には、そのような変動は、元の寸法の２５％以下である。
Additionally, the pattern may be characterized by the distance d between opposing edges of adjacent grooves. Typically such distance is 100 μm or more. In some embodiments, the distance d between parallel segments of adjacent grooves is 150 μm or greater, 200 μm or greater, or 300 μm or greater. For longitudinal lines, the maximum distance between two grooves depends on the intended application and/or desired efficiency. For example, for solar cell manufacturing, the distance d may be up to 2000 μm, up to 1500 μm, up to 1000 μm, or up to 500 μm.
is m. Note that the dimensions of grooves and lines resulting from any particular rule are not necessarily the same as those of the original rule. Such variations may depend on the membrane used and other variables of the process. Advantageously, such variations are no more than 25% of the original dimensions.
それにも関わらず、本方法は、一般により低い抵抗を支持する、比較的高いアスペクト
比を有する金属線を基板に転写することを可能にする。説明すると、他のすべてのパラメ
ータ（例えば、金属線組成）が同じで、金属トレースが２５μｍの幅を有し、明らかに線
が５０μｍの高さを有し、したがってアスペクト比が２：１である場合、わずか５μｍの
高さを有してＡＳＰが１：５である場合よりも抵抗が低い。
Nevertheless, the method allows metal lines with relatively high aspect ratios to be transferred to the substrate, which generally support lower resistances. To illustrate, with all other parameters being the same (e.g. metal line composition), the metal traces have a width of 25 μm and apparently the lines have a height of 50 μm, thus the aspect ratio is 2:1. In this case, the resistance is lower than in the ASP case of 1:5 with a height of only 5 μm.
ダイローラ１０２は、典型的には非常に複雑であり、かつ／あるいはより小さい寸法の
ルールを有するが、ボール紙を折り目付けするまたは切断するためのダイを製造するのに
使用されるのと同じ方法で形成することができる。膜１００が加圧ローラ１０４とダイロ
ーラ１０２との間のニップを通過すると、膜の上面に溝または刻み目１１０が形成される
。ルール１０６および１０８は、絶縁体または半導体であり得る基板に適用される、電気
伝導体のパターンに対応する溝のパターンを膜に形成するように設計されている。本図で
は、そして図２Ａでより明確に示すように、膜に描かれた溝のパターンを形成するための
２組のルールが示されているが、異なる用途では、所望のパターンに関連して１組だけの
ルールや３組以上のルールを必要する場合があるため、これは限定的ではない。
さらに、パターン付け要素は、回転ダイローラとして示されているが、代替的に形成さ
れたルールのアセンブリが、上述のような溝を形成するのに適している場合がある。膜に
おける溝の形成は、例えば、プレートによって達成することができる。溝形成ステーショ
ンおよび溝充填ステーションなどの固定ステーションに膜を通過させて組成物を充填する
ことによってプロセスを実施する場合、ステーション間のスラック膜の長さによってプロ
セスを連続的に実施することが可能になる。充填ステップのサブステップは繰り返すこと
ができるので、組成物を塗布して乾燥させることができる充填ステーションが複数あって
もよく、特に、溝に充填する組成物が反復ごとに異なる場合には、各ステーションを異な
る条件下で操作することができる。
Further, although the patterning element is shown as a rotating die roller, an assembly of alternatively formed rules may be suitable for forming grooves as described above. The formation of grooves in the membrane can be achieved, for example, by plates. When the process is carried out by filling the composition by passing the membrane through fixed stations, such as the groove forming station and the groove filling station, the length of the slack film between stations allows the process to be carried out continuously. Become. Since the substeps of the filling step can be repeated, there may be multiple filling stations at which the composition can be applied and allowed to dry, especially if the grooves are filled with a different composition in each iteration. Stations can be operated under different conditions.
１つ以上の層からなる予備形成された可撓性膜に溝のパターンをエンボス加工すること
に加えて、膜は、比較的粘性があるが流動状態の材料から注型することができ、この場合
、溝はフィルムの硬化前に形成される。プリハードン材料は、「プレ膜」材料と称するこ
とができる。例えば、その輪郭の少なくとも一部に突起（硬化時のフィルムに、対応する
溝を生じさせ得る）を有するノズルを介して、プレ膜材料を押し出すことによって膜を形
成することができる。図１に示すプロセスと同様に、プレ膜材料の流体は、平滑なスロッ
トを通して注型することができ、溝は、回転ダイローラまたは所望のパターンのルールを
有するプレートによって形成することができる。本教示に従う、比較的流動性のあるプレ
膜材料を、溝のパターンを有する可撓性膜へ硬化させることは、使用される材料に応じて
、フィルムの冷却および／またはフィルムの硬化によって達成することができる。このよ
うな冷間／熱間エンボス加工およびＵＶエンボス加工が知られている。
In addition to embossing a pattern of grooves into a preformed flexible membrane of one or more layers, the membrane can be cast from a relatively viscous but fluid material, which In some cases, the grooves are formed prior to curing of the film. A pre-hardened material may be referred to as a "pre-film" material. For example, a membrane can be formed by extruding a pre-membrane material through a nozzle having projections on at least part of its contour, which can cause corresponding grooves in the film when cured. Similar to the process shown in FIG. 1, the pre-film material fluid can be cast through smooth slots and the grooves can be formed by rotating die rollers or plates with the desired pattern of rules. Curing of the relatively flowable pre-film material into a flexible film having a pattern of grooves according to the present teachings is accomplished by cooling the film and/or curing the film, depending on the material used. be able to. Such cold/hot embossing and UV embossing are known.
プレ膜材料は、例えば、ＵＶ硬化材料とすることができ、例えば、回転ダイローラと透
明な対向面（例えば、加圧ローラ）との間に注型して、そのフィルムが溝または刻み目を
形成するニップを通過するときに、該フィルムをＵＶ硬化させることができる。プレ膜ポ
リマーまたはそれらの混合物は、単一の自立層として注型することができ、あるいは比較
的変形しにくい（例えば、ＰＥＴフィルムの）支持層上に、パターン化可能な（例えば、
ＣＰＰでできた）層を形成するように注型することができる。
The pre-film material can be, for example, a UV curable material, for example cast between a rotating die roller and a transparent facing surface (e.g. a pressure roller), the film forming grooves or indentations. The film can be UV cured as it passes through the nip. The pre-membrane polymers or mixtures thereof can be cast as a single free-standing layer or can be patterned (e.g.,
CPP) can be cast to form a layer.
任意に、溝は、指向性レーザビームによって形成されてもよい。そのような実施形態で
は、レーザビームは、膜の所望の位置に向けられて、膜の一部を切断するか、または膜を
加熱して収縮させる。さらに、溝は、膜に圧力を加える１つ以上のパンチによって形成さ
れてもよい。
Optionally, the grooves may be formed by a directional laser beam. In such embodiments, a laser beam is directed to a desired location on the membrane to cut a portion of the membrane or heat the membrane to shrink it. Additionally, the grooves may be formed by one or more punches applying pressure to the membrane.
図１Ｅは、太陽電池を形成することができる基板に電気伝導体のパターンを適用する際
のプロセスステップを示す、簡易的なフロー図である。プロセスは、適切な可撓性膜を提
供し（３０５）、膜の第１の面に溝のパターンを形成する（３１０）ことによって開始し
、このパターンは、基板に適用される電気伝導体の所望のパターンに少なくとも部分的に
対応している。次いで、導電性粒子および接着剤を含む組成物で溝を充填する（３１５）
。所望の組成物で溝を充填し、次いで、場合によってはそれを乾燥させ、かつ／あるいは
溝間のスペースをクリーニングすることを含む充填ステップは、乾燥した組成物が膜の表
面と実質的に同じ高さになるまで繰り返すことができる。次いで、膜を基板と接触させ（
３２０）、膜と基板との間に圧力を加え（３２５）、膜の第１の面の溝に充填された組成
物を基板に付着させる。次いで、膜を基板から分離し（３３０）、膜の第１の面の溝から
、いくつかの、好ましくは実質的にすべての組成物を基板に転写し、溝から基板に転写さ
れた組成物のパターンを導電性にするために、十分な熱または他の形態のエネルギーを加
えて導電性粒子を焼結させるか、そうでなければ融着させる（３３５）。
FIG. 1E is a simplified flow diagram showing process steps in applying a pattern of electrical conductors to a substrate from which a solar cell can be formed. The process begins by providing (305) a suitable flexible film and forming (310) a pattern of grooves in the first side of the film, which pattern corresponds to the electrical conductor applied to the substrate. At least partially corresponding to the desired pattern. The grooves are then filled 315 with a composition comprising conductive particles and an adhesive
. The filling step, which involves filling the grooves with the desired composition and then optionally drying it and/or cleaning the spaces between the grooves, ensures that the dried composition is substantially the same as the surface of the membrane. It can be repeated until the height is reached. The membrane is then brought into contact with the substrate (
320) and pressure is applied 325 between the membrane and the substrate, causing the composition filled in the grooves in the first side of the membrane to adhere to the substrate. The membrane is then separated from the substrate (330), transferring some, preferably substantially all, of the composition from the grooves on the first side of the membrane to the substrate, and the composition transferred from the grooves to the substrate. Sufficient heat or other form of energy is applied to sinter or otherwise fuse the conductive particles (335) to render the pattern of .
所望の組成物で溝を充填することを含む充填ステップはまた、組成物を実質的に乾燥さ
せるか、そうでなければ安定化させることを含むことができる。そのようなステップは、
十分に乾燥した組成物が膜の表面と本質的に同じ高さになるまで繰り返すことができる。
充填ステップはまた、１つ以上の充填ステップと同時に、またはそれとは別に実行するこ
とができる、ドクターブレード、スキージ、ワイパーなどの類似物による１つ以上のクリ
ーニングステップを含むことができる。あるいは、または付加的に、膜の第１の面は、拭
き取られるか、または他の方法でクリーニングされてもよい。
The filling step, which includes filling the grooves with the desired composition, can also include substantially drying or otherwise stabilizing the composition. Such steps are
This can be repeated until the composition is sufficiently dry to be essentially level with the surface of the membrane.
The filling step can also include one or more cleaning steps with doctor blades, squeegees, wipers and the like, which can be performed concurrently or separately with one or more filling steps. Alternatively, or additionally, the first surface of the membrane may be wiped or otherwise cleaned.
図２Ａの斜視図から、膜は、同じ溝のパターンが繰り返し適用される連続膜であること
が分かる。パターンは、膜の長さに平行に延びる平行線を含むことができ、これらの長手
方向の線は、ダイローラ１０２上の円周方向のルール１０６によって形成され、横方向の
バスバーは、ローラ１０２の表面上に軸方向に延びるルール１０８によって形成される。
図２Ｂに、いくつかの例示的なルール１０６の拡大断面図を示す。ダイローラ１０２上の
螺旋状のルール（不図示）を使用して、斜めに延びる溝を形成することができ、同様に、
比較的湾曲した接続ルールを使用して、以上に説明した直線状のルールを接合することが
でき、これによって任意の所望のパターンの導体を形成することが可能となる。説明を簡
潔にするために、ルール１０６または１０８はそれらのグループ間で同じ長さを有するよ
うに示されているが、必ずしもそうである必要はない（例えば、図５Ａの５２０および５
３０を参照のこと）。
From the perspective view of FIG. 2A, it can be seen that the film is a continuous film in which the same pattern of grooves is repeatedly applied. The pattern can include parallel lines running parallel to the length of the film, these longitudinal lines being formed by
FIG. 2B shows an enlarged cross-sectional view of some
Relatively curved connection rules can be used to join the straight rules described above, allowing the formation of any desired pattern of conductors. For simplicity of explanation, rules 106 or 108 are shown to have the same length between their groups, but this need not be the case (e.g., 520 and 5 in FIG. 5A).
30).
[可撓性膜]
説明したように、膜は、ニップを通過した後に、プレートの下で、あるいは溝が任意の
所望の方法で形成された後に、当該膜が元の形状に戻る弾力性を有しないことが要求され
る。膜は、適切には１つ以上のプラスチックポリマー、特には、環状オレフィンコポリマ
ー（ＣＯＣ）、エチレン酢酸ビニル（ＥＶＡ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリカーボネート
（ＰＣ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリプロピ
レン（ＰＰ）、ポリウレタン（ＴＰＵ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、およびそれらの置
換型を含む群から選択された、熱可塑性ポリマーから形成され得る。しかしながら、膜は
、代替的に、溝がそれらの材料のいずれかに押し込まれた後に硬化され得る、異なるポリ
マー、またはフォトポリマーなどの非プラスチック材料から形成され得る。膜は、該膜を
コイル状にするのに十分な可撓性を有することが望ましい。膜は、（例えば、基板の）接
触面から剥離されるのに十分な柔軟性を有することも重要である。
[Flexible membrane]
As explained, the membrane is required to have no resilience to return to its original shape after passing through the nip, under the plate, or after the groove has been formed in any desired manner. be. The membrane suitably comprises one or more plastic polymers, in particular cyclic olefin copolymers (COC), ethylene vinyl acetate (EVA), polyamide (PA), polycarbonate (PC), polyethylene (PE), polyethylene terephthalate (PET). , polypropylene (PP), polyurethane (TPU), polyvinyl chloride (PVC), and substituted forms thereof. However, the membrane may alternatively be formed from a different polymer, or a non-plastic material such as a photopolymer, which can be cured after the grooves are pressed into any of those materials. It is desirable that the membrane be flexible enough to allow it to be coiled. It is also important that the membrane be flexible enough to be peeled off from the contact surface (eg of the substrate).
膜のパターンを有する膜を形成する上記の方法が本発明にとって必須ではないことは、
強調すべきことである。柔軟で、好ましくは可撓性であり、所望の深さ、幅、および断面
（例えば、台形断面または三角形断面）を有する正確な溝を維持することができ、溝がパ
ターン内で所望の形状および間隔で配置される限り、押し出し、スタンピングまたは機械
加工によって形成される任意の膜を使用することができる。
That the above method of forming a film having a film pattern is not essential to the present invention,
It is worth emphasizing. It is flexible, preferably flexible, and capable of maintaining precise grooves with desired depths, widths, and cross-sections (e.g., trapezoidal or triangular cross-sections) so that the grooves form desired shapes and shapes within the pattern. Any membranes formed by extrusion, stamping or machining can be used as long as they are spaced apart.
膜は、シートで、または連続ウェブとして供給することができる。膜の寸法は限定的で
はないが、好ましくは、パターニング要素および意図する基板と釣り合っている必要があ
る。例えば、膜の幅は、ダイローラ１０２の軸方向の長さにほぼ対応していてもよく、膜
の長さは、個別のシートとして提供される場合、移動方向に対して平行な長さが、通常、
ローラの円周の低倍数である。膜の厚さは、ルールの高さ（すなわち、溝の深さ）よりも
大きく、概して２０～１００μｍの範囲である。膜が２層以上のポリマーによって形成さ
れる場合、膜の厚さは、２０～１５０μｍの範囲とすることができ、各層の厚さは、個々
に０．５～１００μｍの範囲とすることができる。例えば、支持層（例えば、ＰＥＴ製）
は、８～７５μｍの厚さを有することができ、パターニング可能／変形可能層（例えば、
ＣＰＰ製）は、１０～７５μｍの厚さを有することができ、基板との将来的な適切な接触
を任意に促進する保護シール層（例えば、Ｅｌｖａｘ（登録商標）として市販されている
エチレン酢酸ビニルコポリマー樹脂製）は、０．５～５μｍの厚さを有することができる
。
The membrane can be supplied in sheets or as a continuous web. The dimensions of the membrane are not critical, but should preferably be commensurate with the patterning element and the intended substrate. For example, the width of the film may correspond approximately to the axial length of the
It is a low multiple of the circumference of the roller. The thickness of the membrane is greater than the height of the rule (ie, the depth of the trench), typically in the range of 20-100 μm. When the membrane is formed by two or more layers of polymer, the thickness of the membrane can range from 20 to 150 μm, and the thickness of each layer can individually range from 0.5 to 100 μm. . For example, a support layer (eg, made of PET)
can have a thickness of 8-75 μm, the patternable/deformable layer (eg,
CPP) can have a thickness of 10-75 μm and optionally a protective sealing layer (e.g. ethylene vinyl acetate commercially available as Elvax®) to facilitate proper future contact with the substrate. copolymer resin) can have a thickness of 0.5 to 5 μm.
所望の基板に対する膜の積層接触が、最終製品の数に対応する領域上で平行かつ／また
は連続的に実行されるとしても、ダイローラの１サイクルによって生成されるパターンは
、そのような複数の最終製品の製作に十分であり得ることに留意されたい。
Even if the layer-by-layer contact of the film to the desired substrate is performed in parallel and/or serially over areas corresponding to the number of final products, the pattern produced by one cycle of the die rollers may be limited to multiple such final products. Note that it can be sufficient for manufacturing products.
必要に応じて、可撓性膜の表面特性を（例えば、物理的または化学的処理によって）改
変して、以下の任意の材料の適用に対する膜の適合性を改善することができる。例えば、
可撓性膜が疎水性ポリマーでできていて、その後に塗布される組成物が膜を十分に湿潤さ
せないか、そうでなければ膜と相互作用し得ない場合、溝壁面の選択的改質のようなポリ
マー表面の改質、またはその一部の改質を行うことができる。可撓性膜またはその溝の濡
れ性を改善するためにその表面を処理（例えば、コロナ処理または濡れ性改善剤による化
学処理）して、比較的より親水性にすることができる。組成物はまた、それらの膜の濡れ
性を改善する薬剤を含むことができる。したがって、膜またはその一部、およびインタフ
ェース組成物は、得られるパターンを弱める可能性のあるサイズおよび／または量および
／または密度を有する気泡の不所望な閉じ込めを十分に防いで、それらの接触が十分に気
密である場合、十分に湿潤可能であるかまたは湿潤性である。好ましくは、可撓性膜と相
互作用する任意の組成物によって可撓性膜の濡れ性を最適化することにより、その後、実
質的に連続的であり、かつ／あるいは気泡を含なまい、組成物の乾燥層がもたらされる。
If desired, the surface properties of the flexible membrane can be modified (eg, by physical or chemical treatment) to improve the membrane's suitability for any of the following material applications. for example,
If the flexible membrane is made of a hydrophobic polymer and the subsequently applied composition does not sufficiently wet or otherwise interact with the membrane, selective modification of the channel wall surface is possible. Such polymer surface modification, or modification of portions thereof, can be performed. To improve the wettability of the flexible membrane or its grooves, its surface can be treated (eg, corona treatment or chemical treatment with a wetting agent) to make it relatively more hydrophilic. The compositions may also contain agents that improve the wettability of those films. Thus, the film, or portion thereof, and the interface composition sufficiently prevent unwanted entrapment of air bubbles having a size and/or quantity and/or density that may weaken the resulting pattern so that their contact is If it is sufficiently airtight, it is sufficiently wettable or wettable. Preferably, by optimizing the wettability of the flexible membrane with any composition that interacts with the flexible membrane, the composition is then substantially continuous and/or bubble-free. A dry layer of material is provided.
［導電線パターンの組成物］
膜１００に溝のパターンを形成した後、プロセスにおける次のステップは、例えば銀な
どの導電性粒子と、例えばホットメルトポリアミドなどの接着剤（転写が高温で行われる
場合）と、を含む組成物で溝を満たすことである。この充填ステップは、図１Ｂに示され
ており、ここで膜１００が加圧ローラ１３２とブレードまたはスクレーパー１３０との間
を通過すると、組成物１２０が溝１１０に押し込まれて、図１Ｂのブレード１３０の右側
に示されるように溝が満たされる。満たされた溝は、１４０として示されている。図２Ｃ
に、例示的な溝１１０の充填前の拡大断面図を示す。
[Composition of Conductive Line Pattern]
After forming the pattern of grooves in the
shows an enlarged cross-sectional view of an
以下において、組成物を形成する様々な化合物または薬剤の割合は、重量比（ｗ／ｗ）
もしくは体積比（ｖ／ｖ）、もしくは組成物のその部分の百分率で表すことができ、また
は単一の他の成分に関してさえも、その割合を重量％および体積％で表すことができる。
In the following, the proportions of the various compounds or agents forming the composition are expressed as weight ratios (w/w)
Alternatively, it can be expressed as a volume ratio (v/v), or as a percentage of that portion of the composition, or even with respect to a single other component, that proportion can be expressed as weight percent and volume percent.
（金属の、またはガラスフリットなどの接着剤の）粒子は、任意の形状を有することが
でき、例えば、規則的または不規則な球形のビーズ／フレーク／ロッドなどを形成してい
る。個々の金属粒子には、後の段階で適切な焼結または焼成を妨げる可能性のある空洞が
存在していないことが好ましい。粒子の最大寸法は、その軸／次元のいずれにおいても、
溝の最小寸法よりも小さくある必要がある（例えば、粒子は、約数ミクロンであり、一般
に１０～２０μｍを超えず、著しく小さいことが多い）。大き過ぎる粒子は、それらの形
状によっては溝内に十分に埋め込まれない場合があり、このように埋め込みが不十分であ
ると、導電線が適切に形成され難くなるか、または適切に形成されなくなる。より小さい
粒子は溝内への埋め込みがより容易であるが、小さすぎる粒子は有益でない場合がある。
第一に、それらは、より大きい粒子の焼結温度よりも比較的低い温度（例えば、約１３５
℃の転移温度）で制御されない焼結をする場合がある。小さすぎる粒子のこのような時期
尚早な焼結は、その後、ペーストの移動に影響を与え（流れを妨げ）、かつその基盤との
界面に影響を及ぼし得る。第二に、多数の小粒子によって表面積が増加すると、追加の接
着剤が必要となり、組成物のレオロジーおよびペーストの加工性に影響を及ぼし得る。さ
らに、接着剤の存在量が増えると、焼結が妨げられる（予想される導電性に影響を与える
）可能性がある。そのため、最大寸法が２００ｎｍ以上であり；任意には最大１０μｍ以
下である粒子が好ましい。いくつかの実施形態において、導電性粒子の最大寸法は、０．
５～５μｍ、または１～３μｍの範囲である。サイズが不均一な粒子の集団は、特定の形
状には必須ではないが、溝内の埋め込みを改善することができ、その結果、埋め込まれた
粒子間の空隙が減少する。そのような埋め込みは、焼結および場合によっては焼成を容易
にし、完成した焼結／焼成線の導電性を改善することができる。
The particles (metallic or adhesive such as glass frit) can have any shape, for example forming regular or irregular spherical beads/flakes/rods and the like. The individual metal particles are preferably free of cavities that could prevent proper sintering or firing at a later stage. The largest dimension of a particle, in any of its axes/dimensions, is
It should be smaller than the minimum dimension of the groove (eg, the particles are on the order of a few microns, generally not exceeding 10-20 μm, and often significantly smaller). Particles that are too large may not be well embedded in the grooves depending on their shape, and such poor embedding makes it difficult or impossible for the conductive lines to form properly. . Smaller particles are easier to embed in grooves, but particles that are too small may not be beneficial.
First, they are relatively lower than the sintering temperature of the larger particles (e.g., about 135
°C transition temperature) may result in uncontrolled sintering. Such premature sintering of too small particles can then affect the movement of the paste (impeding flow) and affect its interface with the substrate. Second, the increased surface area due to the large number of small particles requires additional adhesive and can affect composition rheology and paste processability. In addition, the increased amount of adhesive present can interfere with sintering (affecting the expected electrical conductivity). Particles with a maximum dimension of 200 nm or more; optionally a maximum of 10 μm or less are therefore preferred. In some embodiments, the largest dimension of the conductive particles is 0.00.
It ranges from 5-5 μm, or from 1-3 μm. A population of non-uniformly sized particles, although not required for a particular shape, can improve embedment within the grooves, resulting in reduced void space between embedded particles. Such embedding facilitates sintering and possibly firing and can improve the electrical conductivity of the finished sintered/fired wire.
粒子サイズに関する情報は、一般に供給者によって提供され、また、例えば動的光散乱
（ＤＬＳ）技術を使用する日常的実験により決定することができ、粒子は等価散乱応答の
球および流体力学直径として表されるサイズに近似される。粒子の寸法はまた、顕微鏡的
方法、ならびに走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）、集束イオン
ビーム（ＦＩＢ）、および／または、共焦点レーザ走査型顕微鏡技術によって捕捉された
画像の分析により推定され得る。このような方法は当業者に知られており、さらに詳細に
説明する必要はない。粒子は典型的には異なる方向に異なるサイズを有するので、完全な
球形でない限り、単純化のために、粒子から突出する最大平面における最長寸法を考慮す
る。粒子が球形であるか、または球形に近い場合、「最長寸法」はおよそＤＬＳ法で推定
できる直径である。このような場合、粒子の母集団の９０％、より一般的には母集団の５
０％の流体力学的直径が、粒子のサイズを評価するのに役立ち得る。換言すれば、形状に
応じて、粒子は、それらの最大長さＬ、それらの厚さ、それらの流体力学的直径ＤＶ９０
、ＤＶ５０、ＤＮ９０、またはＤＮ５０によって特徴づけられ得る。
Information on particle size is generally provided by the supplier and can be determined by routine experimentation using, for example, dynamic light scattering (DLS) techniques, where particles are expressed as spheres of equivalent scattering response and hydrodynamic diameters. approximating the size of the Particle dimensions can also be measured by microscopic methods and images captured by scanning electron microscopy (SEM), transmission electron microscopy (TEM), focused ion beam (FIB), and/or confocal laser scanning microscopy techniques. can be estimated by analysis of Such methods are known to those skilled in the art and need not be described in further detail. Since particles typically have different sizes in different directions, for simplicity we consider the longest dimension in the largest plane projecting from the particle, unless it is perfectly spherical. If the particles are spherical or nearly spherical, the "longest dimension" is approximately the diameter that can be estimated by the DLS method. In such cases, 90% of the population of particles, more commonly 5 of the population
A hydrodynamic diameter of 0% can help assess particle size. In other words, depending on the shape, the particles have their maximum length L, their thickness, their hydrodynamic diameter D V 90
, D V 50, D N 90, or D N 50.
本明細書で使用されるとき、「導電性粒子」という用語は、金属、金属酸化物、金属塩
、有機金属、合金および導電性ポリマーを含む任意の導電性材料からなる粒子、ならびに
前述の任意の電気化学的適合性のある組合せ（例えば、２つの金属の混合、アルミニウム
と銀）を含む。電気化学的に適合性があるとは、反復される充填サブステップによって溝
の充填が行われるときに、任意の層の任意の導電性材料が、同じ層の、もしくは他の層の
任意の他の導電性材料に対して化学的に不活性であることを意味する。特に、いずれの材
料も意図する効果に有害ではなく、より具体的には、いずれの材料も本方法によって得ら
れる最終的な導電線の導電率および／または導電性に影響を与えず、またそれらを適時に
基板に正しく付着させる能力に影響を与えない。
As used herein, the term "conductive particles" refers to particles of any conductive material, including metals, metal oxides, metal salts, organometallics, alloys and conductive polymers, as well as any of the foregoing. (eg, a mixture of two metals, aluminum and silver). Electrochemically compatible means that any conductive material in any layer will be compatible with any other conductive material in the same layer or in any other layer when the grooves are filled by repeated filling substeps. chemically inert to the conductive material. In particular, none of the materials are detrimental to the intended effect, more particularly none of the materials affect the conductivity and/or electrical conductivity of the final conductive line obtained by the method, nor are they does not affect its ability to timely and correctly adhere to the substrate.
金属は、アルミニウム、銅、金、銀、スズ、ニッケル、プラチナ、亜鉛を含む群から選
択することができる。合金は、青銅、真鍮およびパラジウム／銀を含む群から選択するこ
とができる。有機金属は、ギ酸銅（ＩＩ）（Ｃ２Ｈ２ＣｕＯ４）、銅（ＩＩ）ヘキサン酸
（Ｃ１２Ｈ２２ＣｕＯ４）、銅（Ｉ）メシチレン（Ｃ９Ｈ１１Ｃｕ）、ビニルトリメチル
シランＣｕ（Ｉ）ヘキサフルオロ－アセチルアセトネート、ネオデカン酸銀（Ｃ１０Ｈ１
９ＡｇＯ２）、それらの前駆体、水和物および／または塩類を含む群から選択することが
できる。
Metals can be selected from the group comprising aluminum, copper, gold, silver, tin, nickel, platinum, zinc. Alloys can be selected from the group comprising bronze, brass and palladium/silver. Organometallics are copper(II) formate ( C2H2CuO4 ), copper (II) hexanoate ( C12H22CuO4 ), copper ( I ) mesitylene ( C9H11Cu ), vinyltrimethylsilane Cu (I) hexafluoro-acetylacetonate, silver neodecanoate (C 10 H 1
9 AgO 2 ), precursors, hydrates and/or salts thereof.
組成物１２０は、導電性粒子に加えて接着剤を含む。選択された方法ステップおよび最
終的な基板に応じて、異なるタイプまたは量の接着剤を使用することができる。概して、
接着剤は、ａ）導電性粒子の凝集性を維持するのに十分であるが、基板への十分な付着性
を提供するには不十分な有機バインダ（「弱い接着剤」）、ｂ）基板への所望の付着性を
提供するのにより適切な有機接着剤（「強力な接着剤」）、ならびに、ｃ）この方法が、
例えば太陽電池を製造するために、ガラスおよび／またはガラス受容基板に高温で使用さ
れる場合に無機接着剤とみなされ得るガラスフリットのうちの１つ以上とすることができ
る。第１の組成物がタイプ（ｂ）の強力な有機接着剤を欠いている場合、図３を参照して
より詳細に説明されるように、適切な接着剤で強化された第２の組成物が結果として使用
される。無機ガラスフリットは、その基本的な活性である接着剤として分類されているが
、そのような化合物は、当業者に知られているように、太陽電池の製造においてさらなる
役割を果たす場合がある。
The adhesive consists of a) sufficient organic binder to maintain the cohesion of the conductive particles but insufficient to provide sufficient adhesion to the substrate (“weak adhesive”), b) the substrate a more suitable organic adhesive (“strong adhesive”) to provide the desired adhesion to and c) the method
It can be one or more of the glass frits, which can be considered inorganic adhesives when used at high temperatures on glass and/or glass receiving substrates, for example to make solar cells. If the first composition lacks a strong organic adhesive of type (b), a second composition reinforced with a suitable adhesive, as described in more detail with reference to FIG. is used as the result. Inorganic glass frits are classified as adhesives, which are their basic actives, but such compounds may play an additional role in the manufacture of solar cells, as known to those skilled in the art.
接着化合物は、転写が圧力下でのみ行われる場合は、例えば感圧接着剤とすることがで
き、転写条件がさらに高温を含む場合は、感熱接着剤（例えば、ホットメルト接着剤）と
することができる。ホットメルト接着剤は、転写に関連する範囲、例えば６０℃～１８０
℃の範囲内に軟化点を有するポリマーとすることができる。このような範囲の軟化温度は
、比較的高い軟化点を有する接着剤を、相転移温度を低下させることができる可塑剤と混
合することによって任意に達成することができる。ポリマーの軟化温度は、それらの供給
者によって提供されるが、当業者に知られている方法に従い、例えば、示差走査熱量測定
（ＤＳＣ）を使用する日常手的な実験によって評価することができる。
The adhesive compound can be, for example, a pressure sensitive adhesive if the transfer is only under pressure, or a heat sensitive adhesive (e.g. hot melt adhesive) if the transfer conditions additionally involve elevated temperatures. can be done. Hot melt adhesives are used in the range relevant for transfer, eg 60°C to 180°C.
It can be a polymer with a softening point in the °C range. A softening temperature in such a range can optionally be achieved by mixing an adhesive having a relatively high softening point with a plasticizer capable of lowering the phase transition temperature. Softening temperatures of polymers are provided by their suppliers but can be assessed by routine experimentation, for example using differential scanning calorimetry (DSC), according to methods known to those skilled in the art.
接着剤は、組成物の他の成分（例えば、導電性粒子、ガラスフリット、存在する場合は
、キャリア）およびプロセス条件と相溶性であり、例えば、溝内の組成物に適切な流動性
を提供し、かつ／あるいは膜表面からの過剰分の除去を提供し、パターンの完全性を維持
するように脆弱ではなく、適切な形状を維持する量で残るように導電性粒子を焼結するま
で十分に「耐熱性」である。接着剤は、好ましくは、可撓性膜に対して比較的低い（例え
ば、製造および取り扱い中に湿潤または乾燥組成物が溝内に留まるためにのみ十分であり
、積層後に基板から膜が剥がされるときに膜から剥離可能である）付着性を有するべきで
ある。その一方で、接着剤は、好ましくは、受容基板に対して比較的高い（例えば、金属
パターンの基板への転写を可能にする）付着性を有するべきである。有利には、灰の含有
量が少ない接着剤は、金属の焼結を促進し、（場合によっては焼結後の）導電性を向上さ
せることが期待される。そのオープンタイムが、高温転写温度への任意の加熱後に、金属
パターンを基板に適切に転写するのに十分に長い一方で、転写後に所望の形状（パターン
線の構造的完全性）を維持するのに十分に短い接着剤が適していると考えられる。数秒、
１秒、数百または数十ミリ秒未満のオープンタイムが好ましいことに留意されたい。
The adhesive is compatible with the other components of the composition (e.g., conductive particles, glass frit, carrier, if present) and process conditions, e.g., provides suitable fluidity to the composition in the grooves and/or sufficient to sinter the conductive particles to provide excess removal from the film surface and remain non-brittle to maintain pattern integrity and in an amount that maintains a suitable shape. It is "heat resistant". Adhesion is preferably relatively low for flexible films (e.g., only sufficient for wet or dry compositions to remain in the grooves during manufacture and handling, and peel the film from the substrate after lamination). It should be adherent (which can sometimes be peeled off from the membrane). On the other hand, the adhesive should preferably have relatively high adhesion to the receiving substrate (e.g. to allow transfer of the metal pattern to the substrate). Advantageously, adhesives with low ash content are expected to facilitate sintering of metals and improve electrical conductivity (possibly after sintering). Its open time is long enough to adequately transfer the metal pattern to the substrate after any heating to the high temperature transfer temperature, while maintaining the desired shape (structural integrity of the pattern lines) after transfer. Adhesives that are sufficiently short for the length are considered suitable. Few seconds,
Note that open times of less than 1 second, hundreds or tens of milliseconds are preferred.
例示的な有機接着剤は、例えば、市販のホットメルトポリアミド接着剤Ｕｎｉ－Ｒｅｚ
（登録商標）１４７、Ｕｎｉ－Ｒｅｚ（登録商標）２６２０およびＵｎｉ－Ｒｅｚ（登録
商標）２７２０（以前は、Ａｒｉｚｏｎａ Ｃｈｅｍｉｃａｌ，現在はＫｒａｔｏｎ Ｃ
ｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ，米国）、Ｍａｃｒｏｍｅｌｔ（登録商標）６２１１、Ｍａｃｒｏ
ｍｅｌｔ（登録商標）６２３８、Ｍａｃｒｏｍｅｌｔ（登録商標）６２３９、Ｍａｃｒｏ
ｍｅｌｔ（登録商標）６２６４（Ｈｅｎｋｅｌ，独国）、Ｖｅｒｓａｍｉｄ（登録商標）
７４４およびＶｅｒｓａｍｉｄ（登録商標）７５４（Ｇａｂｒｉｅｌ Ｐｅｒｆｏｒｍａ
ｎｃｅ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ，米国）を含むポリアミド；Ｓｙｌｖａｐｒｉｎｔ（登録商標
）３５２３およびＳｙｌｖａｐｒｉｎｔ（登録商標）７００２（Ａｒｉｚｏｎａ Ｃｈｅ
ｍｉｃａｌ，米国）などのテンペルフェノール樹脂；Ｆｏｒａｌ（商標）ＡＸ－Ｅ（Ｅａ
ｓｔｍａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎｙ，米国）などの水素化ロジン；例えば、
Ｅ．Ｉ．ｄｕ Ｐｏｎｔ ｄｅ Ｎｅｍｏｕｒｓ ａｎｄ Ｃｏｍｐａｎｙ，Ｉｎｃ．の
市販のＥｌｖａｘ（登録商標）４０Ｗを含む、エチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）；
または、例えば、Ｔｈｅ Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎｙの市販のＥｔｈｏ
ｃｅｌ（商標）ｓｔｄ４、７、１０または２０を含む、エチルセルロースポリマーであり
得る。
Exemplary organic adhesives include, for example, the commercially available hot-melt polyamide adhesive Uni-Rez
® 147, Uni-Rez ® 2620 and Uni-Rez ® 2720 (formerly Arizona Chemical, now Kraton C
corporation, USA), Macromelt (registered trademark) 6211, Macro
melt® 6238, Macromelt® 6239, Macro
melt® 6264 (Henkel, Germany), Versamid®
744 and Versamid® 754 (Gabriel Performa
Sylvaprint® 3523 and Sylvaprint® 7002 (Arizona Che
Tempel phenolic resins such as Mical, USA); Foral™ AX-E (Ea
stman Chemical Company, USA);
E. I. du Pont de Nemours and Company, Inc.; ethylene vinyl acetate copolymer (EVA), including commercially available Elvax® 40W from
or, for example, Etho, commercially available from The Dow Chemical Company
It can be an ethyl cellulose polymer, including cel™ std 4, 7, 10 or 20.
太陽電池に適したガラスフリットは、一般に、以下のガラスから作られている：ｉ）酸
化鉛（ＰｂＯ）系のガラスで、通常は、鉛ホウケイ酸ガラス：ＰｂＯ－ＳｉＯ２－Ｂ２Ｏ
３；ｉｉ）酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）系のガラスで、通常は、ビスマスホウケイ酸ガラ
ス：Ｂｉ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ｂ２Ｏ３；およびｉｉｉ）酸化テルル（Ｔｌ２Ｏ）系のガラ
ス。
Glass frits suitable for solar cells are generally made from the following glasses: i) glasses based on lead oxide (PbO), usually lead borosilicate glasses: PbO-- SiO.sub.2 -- B.sub.2O ;
3 ; ii) glasses based on bismuth oxide (Bi 2 O 3 ), typically bismuth borosilicate glasses: Bi 2 O 3 —SiO 2 —B 2 O 3 ; and iii) glasses based on tellurium oxide (Tl 2 O). glass.
上記のガラスの各々はまた、以下の１つ以上を含むことができる：酸化アルミニウム（
Ａｌ２Ｏ３）、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）、酸化ホウ酸（Ｂ２Ｏ３）、酸化鉛（ＰｂＯ
）、酸化モリブデン（ＭｏＯ２）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化テルル（Ｔｌ２Ｏ）、
酸化タングステン（ＷＯ３）、および酸化亜鉛（ＺｎＯ）。
Each of the above glasses may also contain one or more of: aluminum oxide (
Al 2 O 3 ), bismuth oxide (Bi 2 O 3 ), boric acid oxide (B 2 O 3 ), lead oxide (PbO
), molybdenum oxide (MoO 2 ), silicon oxide (SiO 2 ), tellurium oxide (Tl 2 O),
tungsten oxide ( WO3 ), and zinc oxide (ZnO).
導電性粒子の（存在する場合は、ガラスフリットを含む）適切な量は、全固形分（例え
ば、導電性粒子、接着剤、および存在する場合はガラスフリット）に対して３０～９５体
積％であり、より好ましくは金属ペーストについては６５～９０体積％であり、より好ま
しくは接着剤ペーストについては全固形分から５０～７０体積％である。存在する場合の
ガラスフリットの量は、概して、導電性粒子の約０．５～１５体積％であり、好ましくは
、１～５体積％の範囲である。
A suitable amount of conductive particles (including glass frit, if present) is 30 to 95% by volume based on total solids (e.g., conductive particles, adhesive, and glass frit, if present). Yes, more preferably 65-90% by volume for metal pastes, more preferably 50-70% by volume of total solids for adhesive pastes. The amount of glass frit, if present, is generally about 0.5-15% by volume of the conductive particles, preferably in the range of 1-5% by volume.
接着剤の適切な量は：全固形分（例えば、導電性粒子および接着剤、存在する場合はガ
ラスフリットを含む）に対して５～７０体積％であり、好ましくは接着剤ペーストの固形
分の３０～５０体積％以内であり、好ましくは金属ペーストの固形分の１０～３５体積％
以内である。
A suitable amount of adhesive is: 5 to 70% by volume of the total solids content (e.g., conductive particles and adhesive, including glass frit if present), preferably of the solids content of the adhesive paste. Within 30 to 50% by volume, preferably 10 to 35% by volume of the solid content of the metal paste
within.
任意の可塑剤は、フタレート、ホスフェート、グリセリド、および高級脂肪酸とアミド
のエステルであり得る。例えば、必要に応じて、可塑剤は、セバジン酸ジブチル、ステア
リン酸ブチル、ココナッツ油脂肪酸のグリコールエステル、リシノール酸ブチル、フタル
酸ブチル、ひまし油、ステアリン酸ブチル、フタル酸ジフェニル、フタル酸ジシクロヘキ
シル、およびフタル酸ジオクチルを含む群のうちの１つ以上とすることができる。存在す
る場合、可塑剤は、接着剤に対して５～３０重量％で見出すことができる。
Optional plasticizers can be phthalates, phosphates, glycerides, and esters of higher fatty acids and amides. For example, if desired, plasticizers include dibutyl sebadate, butyl stearate, glycol esters of coconut oil fatty acids, butyl ricinoleate, butyl phthalate, castor oil, butyl stearate, diphenyl phthalate, dicyclohexyl phthalate, and phthalate. It can be one or more of the group containing dioctyl acid. When present, plasticizers can be found at 5-30% by weight of the adhesive.
導電性粒子および接着剤を液体キャリア中で混合して、溝１１０を充填するために使用
する組成物１２０を形成することができる。好ましくは、キャリアの量は、組成物を乾燥
させるときにキャリアの除去に要する時間を短縮するために十分に少なくするべきである
。その一方で、キャリアの量は、組成物に適切な流動性を与えるのに十分な量とする必要
があり、キャリアの量が十分であれば、溝を組成物で比較的速く満たし、かつ過剰分を膜
の表面から比較的容易に除去することができる。典型的には、液体キャリアは、全ペース
トの３０～８０体積％の範囲で組成物中に存在する。
The conductive particles and adhesive can be mixed in a liquid carrier to form
液体キャリアは、水性、有機性とすることができ、またはそれらの混合とすることがで
きる。有機溶媒は、好ましくは揮発性であり、例えば、直鎖状または分枝状のＣ１－Ｃ７
アルコールおよびＣ１－Ｃ７アルキルアセテートを含む群から選択することができ、その
ような溶媒いずれも、好ましくは９５％以上、典型的には９８％を超える高純度のもので
ある。そのようなアルコールは、メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、イソプロ
パノール、ｎ－ブタノール、イソブタノール、ペンタノール、ヘキサノールおよびヘプタ
ノールの１つ以上とすることができる。そのような酢酸アルキルは、酢酸メチル、酢酸エ
チル、酢酸ｎ－プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ｎ－ブチル、酢酸イソブチル、酢酸ペ
ンチル、酢酸ヘキシルおよび酢酸ヘプチルの１つ以上とすることができる。
Liquid carriers can be aqueous, organic, or mixtures thereof. The organic solvent is preferably volatile, for example linear or branched C1-C7
It may be selected from the group comprising alcohols and C1-C7 alkyl acetates, any such solvents preferably being of high purity greater than 95%, typically greater than 98%. Such alcohols can be one or more of methanol, ethanol, n-propanol, isopropanol, n-butanol, isobutanol, pentanol, hexanol and heptanol. Such alkyl acetates can be one or more of methyl acetate, ethyl acetate, n-propyl acetate, isopropyl acetate, n-butyl acetate, isobutyl acetate, pentyl acetate, hexyl acetate and heptyl acetate.
説明したように、組成物１２０は、連続的なステップで適用することができ、そのよう
なステップ間で液体キャリアを除去すると、湿潤組成物と比較して乾燥組成物に相対的な
収縮が生じる。
As described, the
溝を部分的に満たす最初の充填の間における組成物の中間乾燥は、最後の充填ステップ
に続いて実行される乾燥のように広範囲である必要はないことを理解するべきである。本
明細書で使用されるとき、「乾燥した」または「実質的に乾燥した」組成物は、液体キャ
リアの存在がそのように乾燥されたパターン化された導電線の構造的完全性またはプロセ
スのいずれの他の態様を妨げない場合に限り、残留量の液体キャリアを保持している場合
がある。５体積％未満、好ましくは２体積％未満、または１体積％未満を含む組成物を、
「乾燥された」とみなすことができる。
It should be understood that the intermediate drying of the composition during the initial filling to partially fill the grooves need not be as extensive as the drying performed following the final filling step. As used herein, a "dry" or "substantially dry" composition means that the presence of a liquid carrier affects the structural integrity or process of such dried patterned conductive lines. It may retain residual amounts of liquid carrier so long as it does not interfere with any other aspect. A composition comprising less than 5% by volume, preferably less than 2% by volume, or less than 1% by volume of
can be considered "dried".
乾燥組成物が溝を実質的に満たし（図１Ｂの１４０または図３の１４０ａ～ｄのいずれ
かを参照）、膜の第１の面と同じ高さになると、金属パターンを有する可撓性膜は、さら
なる処理のための準備が整った状態となる。さらなる処理は、同じ主体によって実行され
る必要はなく、また充填ステップに時間的に近接している必要もない。このような場合、
膜の第１の面を太陽電池基板に接触させる前後の工程は、時間的に分離することができる
。
When the dry composition substantially fills the grooves (see either 140 in FIG. 1B or 140a-d in FIG. 3) and is flush with the first side of the membrane, the flexible membrane having the metal pattern is ready for further processing. Further processing need not be performed by the same entity, nor need it be close in time to the filling step. In such cases,
The steps before and after contacting the first side of the film to the solar cell substrate can be separated in time.
例えば、膜の製造者によってある長さの膜が製造されると、その膜は、梱包されて、膜
を使用して太陽電池上に導体を形成するエンドユーザに送られてもよい。膜は、コイル状
に梱包することができる。膜がコイル状にされたときに、組成物が膜の反対側に付着する
のを防ぐために、膜の第２の面は、膜の第１の面に対して「非粘着」特性を有することが
できる。あるいは、好ましくは剥離面（例えば、疎水性）を有する保護シートを膜に張り
付けて、プロセスの次のステップの前にそれを膜から剥がしてもよい。
For example, once a length of film is manufactured by a film manufacturer, the film may be packaged and shipped to an end user who uses the film to form conductors on solar cells. The membrane can be packaged in coils. The second side of the membrane should have "non-stick" properties with respect to the first side of the membrane to prevent the composition from sticking to the opposite side of the membrane when the membrane is coiled. can be done. Alternatively, a protective sheet, preferably with a release surface (eg, hydrophobic), may be applied to the membrane and peeled off from the membrane prior to the next step in the process.
図１Ｃは、膜１００を基板１５０と接触させ、その２つを２つの加圧ローラ１５２，１
５４の間のニップ１５６を通過させて、膜の溝内の組成物１４０を基板１５０の表面に付
着させる（同じまたは異なる主体によって実行され得る）次のステップを示す。転写をさ
らに容易にするために、加圧ローラ１５２および１５４の少なくとも一方を、典型的には
６０～２００℃の範囲の温度に加熱することができる。そのような場合、転写用組成物は
、溶融ペーストとも呼ばれる。この工程は、積層ステージとも称され得る。
FIG. 1C shows the
The next step (which may be performed by the same or a different entity) is shown passing through the
最後に、図１Ｄでは、ローラ１７０によって膜１００を基板１５０に対して分離点で保
持しながら、組成物が基板と既に接触している膜１００の一部を基板１５０から矢印１６
０の一般的な方向に引き離し、基板から離れた既知の領域で膜１００を剥がして、基板１
５０に付着した組成物の線１４０’を残す。
Finally, in FIG. 1D,
Substrate 1 by pulling away in the general direction of 0 and stripping
A line 140' of composition adhered to 50 is left.
これらの線１４０’はまだ導電性ではないが、組成物中の導電性粒子を焼結、融着、ま
たはそうでなければ導電状態に変換することができる。熱焼結、光誘起焼結、マイクロ波
焼結、電気焼結および化学焼結を含む異なる焼結方法が存在し、組成および好ましいプロ
セス条件に応じて焼結方法が選択される。これらは、意図する最終製品によって決定され
る場合がある。一般に、焼結は、図１Ａのダイローラ１０２上のパターンと一致する導体
パターンを形成するように熱を加えることによって行われる。
Although these lines 140' are not yet conductive, the conductive particles in the composition can be sintered, fused, or otherwise converted to a conductive state. Different sintering methods exist, including thermal sintering, light-induced sintering, microwave sintering, electrical sintering and chemical sintering, and the sintering method is selected according to the composition and preferred process conditions. These may be determined by the intended final product. Generally, sintering is accomplished by applying heat to form a conductor pattern that matches the pattern on
導体パターンを半導体ウェハ（例えば、任意に反射防止コーティングを有する、研磨ま
たは非研磨、ドープまたは非ドープのシリコンウェハ）に適用する場合、特定の太陽電池
の製造において一般的であるように、半導体の表面上に電気伝導体を配置するだけでは所
望の電気的接続を達成するのに不十分であろう。そのような一実施形態において、組成物
は、好ましくはガラスフリットをさらに含み、焼成されて導体パターンを基板と融着させ
る。溶融ガラスは、半導体ウェハの誘電体層をエッチングし、その間に金属イオン（例え
ば、銀）を、それを介して基板（例えば、シリコンウェハまたは薄いフィルム）に移動さ
せ、表面金属パターンと誘電体または存在する場合パッシベーション層の下のウェハとの
間に導電経路を生成する。そのような焼成は、単に導電性粒子を焼結するために利用され
るステップとは別々に、あるいはその延長として実行することができる。しかしながら、
導体を半導体基板に融着するために必要な温度および時間は、単なる焼結に要するものと
は異なる。例えば、導電性粒子の焼結は、約１００～１５０℃から約８００℃の範囲の焼
結温度で実行することができるが、基板との電気的接触を形成するための組成物パターン
の焼成は、約５００℃～約９００℃の範囲の焼成温度で実行することができ、焼成温度は
焼結温度よりも高い。
When applying the conductor pattern to a semiconductor wafer (e.g., polished or unpolished, doped or undoped silicon wafer, optionally with an antireflective coating), as is common in the manufacture of certain solar cells, the semiconductor Placing electrical conductors on the surface alone may not be sufficient to achieve the desired electrical connection. In one such embodiment, the composition preferably further comprises a glass frit and is fired to fuse the conductor pattern with the substrate. The molten glass etches the dielectric layer of the semiconductor wafer while transporting metal ions (eg, silver) through it to the substrate (eg, silicon wafer or thin film), forming the surface metal pattern and the dielectric or Creates a conductive path to and from the wafer under the passivation layer, if present. Such firing may be performed separately from, or as an extension of, the step utilized simply to sinter the conductive particles. however,
The temperature and time required to fuse a conductor to a semiconductor substrate differs from that required for simple sintering. For example, sintering of the conductive particles can be performed at sintering temperatures ranging from about 100-150° C. to about 800° C., while firing of the composition pattern to form electrical contact with the substrate is , at firing temperatures ranging from about 500° C. to about 900° C., where the firing temperature is higher than the sintering temperature.
膜１００の溝１１０を組成物１２０で充填する間、場合によっては溶媒を添加すること
によって組成物をより流動化させることができ、先に詳述したように、溶媒は水性または
有機溶液であり得る。このような場合、組成物は乾燥するにつれて収縮し、溝を完全には
満たさない。図３Ａ～３Ｄは、そのような現象を、解決しかつ任意に利用するための任意
選択のステップを概略的に示す。
While filling the
図３Ａでは、溝が単一の組成物２１０で満たされている。このような任意の組成物によ
る実質的に完全な溝の充填は、溝を連続的に充填することによってもたらされ得るもので
あり、その体積は、同じ組成物の各適用体積部分がそれぞれ乾燥するにつれて減少する。
乾燥組成物２１０が膜１００の表面と同じ高さになると、１４０ａとして示される構造が
形成される。溝を完全に満たすために必要とされる連続的な充填サイクル数は、組成物、
溝寸法およびプロセス処理条件によるが、典型的には５サイクルを超えず、３または４サ
イクルが好ましい。
In FIG. 3A the grooves are filled with a
When the
Typically no more than 5 cycles, with 3 or 4 cycles preferred, depending on groove dimensions and process conditions.
組成物２１０が乾燥時に収縮して膜１００の表面から離れることの影響は、図３Ｂによ
く見ることができるが、図示例では、第１のステップで適用および乾燥された組成物２１
０によって残された窪みは、第２のステップで第２の組成物２２０を使用して満たされて
いる。必要に応じてこれを繰り返し、最終的には、溝１１０が実質的に膜１００の表面レ
ベルまで満たされることを確実にすることができる。乾燥組成物２２０が、膜１００の表
面と実質的に同じ高さになると、１４０ｂとして示される構造が形成される。
The effect of
The depressions left by 0 are filled using a
溝を満たすために連続的ステップおよび／またはサイクルを実行するとき、ステップ／
サイクル間で組成物の構成成分を変化させることができる。本質的には、基板に対して十
分な接着性を有することが要求されているのは、最後に適用される組成物だけであり、初
期のステップの接着剤に求められているのは、導電性粒子を一緒に保持することだけであ
る。さらに、あるいは代替的に、反復される各充填の各組成物に使用される導電性粒子ま
たはそれらの混合物は、充填ごとに異なっていてもよい。したがって、図３Ａでは、充填
溝１４０ａを形成する唯一の組成物である組成物２１０は、比較的強力な接着剤を含み得
るが、図３Ｂでは、組成物２２０がこの目的を果たさなければならない。後者の図におけ
る組成物２１０は、「接着力が弱い」バインダまたは強力な接着剤のいずれかを含むこと
ができる。
When performing successive steps and/or cycles to fill the groove, step/
The constituents of the composition can be changed between cycles. Essentially, only the final applied composition is required to have sufficient adhesion to the substrate; It's just about holding the sex particles together. Additionally or alternatively, the conductive particles or mixtures thereof used in each composition of each repeated fill may be different from fill to fill. Thus, in FIG. 3A,
図３Ｃでは、導電性粒子を含有する組成物で溝を満たす前に、膜１００から容易に分離
する剥離コーティング２３０を使用して当該溝を裏打ちすることにより、１４０ｃで示さ
れる充填溝断面が形成されている。もちろん、これは代替的には、例えば組成物２２０の
ような、より高濃度の接着剤を有するさらに異なる組成物層を有する多層構造であり得る
。したがって、いくつかの実施形態において、本方法によって得られる導電線は、多層構
造を有することができる。
In FIG. 3C, prior to filling the grooves with a composition containing conductive particles, the grooves are lined with a
剥離コーティング２３０は、有機溶媒（例えば、ブタノールなどのＣ１～Ｃ７アルコー
ル）中に比較的希釈されたポリマーからなり得る。「剥離」ポリマーは、膜の表面に対す
る接着性が低く、好ましくは比較的低い灰分を有し、それが金属線とともに転写されたと
しても、後の段階で（例えば、燃焼によって）実質的に完全に除去される。場合によって
は、剥離組成物のポリマーは、その上に注がれる組成物と相溶性（例えば、付着性）であ
り得る。したがって、剥離組成物は、いったん乾燥すると、溝の壁に付着したままであっ
ても、組成物線とともに移動してもよい。
「剥離」ポリマーは、そのような剥離コーティングの好ましい媒体に応じて、例えば、
非水溶性エチルセルロースポリマーまたは水溶性セルロースとすることができる。ポリマ
ー濃度は、典型的には１０重量％を超えないが、５重量％以下からなる組成物が好ましい
。他の組成物として、剥離組成物は、スキージで溝を充填するために適用することができ
、有機溶媒は乾燥によって除去される。ポリマー含有量が低いことを考慮すると、乾燥剥
離組成物は、概して、１～２μｍ以下のフィルムとして溝壁上に形成される。必要に応じ
て、剥離組成物の第２の層を同様に適用することができる。
Depending on the preferred medium for such release coatings, the "release" polymer may be, for example,
It can be a water insoluble ethyl cellulose polymer or a water soluble cellulose. The polymer concentration typically does not exceed 10% by weight, although compositions comprising 5% by weight or less are preferred. As another composition, the release composition can be applied to fill the grooves with a squeegee and the organic solvent removed by drying. Considering the low polymer content, the dry release composition is generally formed on the channel walls as a film of 1-2 μm or less. A second layer of stripping composition can be similarly applied, if desired.
剥離コーティング２３０は、例えば、１－ブタノール（Ｓｉｇｍａ Ａｌｄｒｉｃｈ）
中５重量％の水溶性エチルセルロース（Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＣｏｍｐａｎｙのＥ
ｔｈｏｃｅｌ（商標）Ｓｔｄ１００として入手可能なものなど）からなり得る。あるいは
、水性組成物が好ましい場合、剥離コーティングは、脱イオン水中１０重量％の水溶性セ
ルロースエーテル（Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＣｏｍｐａｎｙのＭｅｔｈｏｃｅｌ（商
標）Ｅ１５として入手可能なものなど）からなり得る。
5% by weight of water-soluble ethyl cellulose (E
such as that available as thocel™ Std 100). Alternatively, if an aqueous composition is preferred, the release coating may consist of 10% by weight water-soluble cellulose ether (such as that available as Methocel™ E15 from The Dow Chemical Company) in deionized water.
溝の充填、ならびに剥離コーティングを伴う選択的なプレコーティングおよび／または
接着剤コーティングを伴うポストコーティングに使用される組成物がすべて水性である（
例えば、水が組成物の液体キャリアの少なくとも６０重量％を構成している）場合、可撓
性膜（一般に、疎水性）を処理して、これらの組成物によるその均一な湿潤化を促進する
ことが望ましい場合がある。コロナによって達成され得るこのような処理は、剥離コーテ
ィングが存在する場合には、該剥離コーティングを溝内に適用して乾燥させた後に実行す
ることが好ましいが、もし存在するとしても、剥離コーティングの適用前に実行してもよ
い。
All compositions used for groove filling and selective pre-coating with release coating and/or post-coating with adhesive coating are water-based (
For example, when water constitutes at least 60% by weight of the liquid carrier of the compositions, the flexible membrane (generally hydrophobic) is treated to facilitate its uniform wetting by these compositions. may be desirable. Such treatment, which may be accomplished by corona, is preferably carried out after the release coating, if any, has been applied in the grooves and dried, but if present, the May be run before application.
図３Ｄは、溝を満たす組成物２１０に加えて、膜の全表面を覆う接着剤コーティング２
５０を有する任意の構成１４０ｄを示す。接着剤コーティング２５０は、溝から基板への
組成物の転写を助けることを目的としている。続いて、必要に応じて基板の表面を溶媒で
洗浄し、接着剤が露出していて、かつ組成物の線の下に位置していないすべての領域から
接着剤を除去することができる。しかしながら、接着剤コーティングは、基材に転写され
た金属線の焼結（および／またはさらなる焼成）の際に燃え尽きるので、多くの場合、溶
媒を使用してそれを除去することは不要であることが分かった。
FIG. 3D shows an adhesive coating 2 covering the entire surface of the membrane in addition to the
An
構造１４０ｄは、単一の組成物２１０を含むものとして図３Ｄに示されているが、図３
Ｂおよび図３Ｃを参照して説明したように、それは複数の層から形成されていてもよい。
It may be formed of multiple layers, as described with reference to B and FIG. 3C.
接着剤コーティング２５０は、前述したものと同じ強力な有機接着剤（ただし、ガラス
フリットを含まない）からなることができ、そのような接着剤は、ここでは溝に充填され
た乾燥組成物の構造的完全性に悪影響を及ぼさないキャリアに分散または溶解されている
。そのような不活性キャリア中の接着剤ポリマーの量は、接着剤コーティング組成物の５
～５０重量％の範囲とすることができる。「不活性」キャリアは、先に詳述した有機溶媒
のうちの少なくとも１つとすることができ、そのような溶媒の揮発性は、そのような組成
物が先に適用された乾燥組成物に影響を及ぼし得る時間を短縮する。その乾燥後、接着剤
コーティングの厚さは、好ましくは０．２～３μｍの範囲にあるべきである。
The
It can range from ˜50% by weight. An "inert" carrier can be at least one of the organic solvents detailed above, the volatility of such solvents affecting dry compositions to which such compositions have previously been applied. reduce the time that can affect After its drying, the thickness of the adhesive coating should preferably be in the range of 0.2-3 μm.
接着剤コーティング２５０は、例えば、５重量％のポリアミドホットメルト接着剤（Ｕ
ｎｉ－Ｒｅｚ（登録商標）２７２０）、１５重量％のブタノール（Ｓｉｇｍａ Ａｌｄｒ
ｉｃｈ）および８０重量％の酢酸ペンチル（Ｓｉｇｍａ Ａｌｄｒｉｃｈ）で構成するこ
とができる。あるいは、水性組成物が好ましい場合、接着剤コーティングは、脱イオン水
中の、ポリ（２－エチル－２－オキサゾリン）（例えば、Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｃｈｅｍｉｓ
ｔｒｙ ＩｎｎｏｖａｔｉｏｎｓによるＡｑｕａｚｏｌ（登録商標）５として入手可能な
もの）で作られた５重量％の水溶性接着剤と、ブタノールなどの１重量％の共溶媒、シリ
コーン界面活性剤（例えば、ＢＹＫによるＢＹＫ（登録商標）－３４９）などの０．２５
重量％の第１の湿潤剤と、シリコーン界面活性剤（例えば、ＢＹＫによるＢＹＫ（登録商
標）－３３３）などの０．０７５重量％の第２の湿潤剤と、で構成することができる。
ni-Rez® 2720), 15 wt% butanol (Sigma Aldr
ich) and 80% by weight pentyl acetate (Sigma Aldrich). Alternatively, if an aqueous composition is preferred, the adhesive coating may be made of poly(2-ethyl-2-oxazoline) (eg Polymer Chemis
5% by weight water soluble adhesive made with Aquazol® 5 by Try Innovations) and 1% by weight co-solvent such as butanol, a silicone surfactant (e.g. BYK by BYK ( 0.25 such as registered trademark)-349)
It can consist of 0.075% by weight of a first wetting agent and 0.075% by weight of a second wetting agent such as a silicone surfactant (eg, BYK®-333 by BYK).
［他の電極］
上述の方法は、薄い導体を形成するのにより適しているが、例えば、太陽電池の背面電
極のような広い表面を電極で被覆することが望ましい場合、図４Ａ～４Ｃに示すように、
方法をかなり単純化することができる。図４Ａでは、丸みを帯びた先端を有するドクター
ブレード４００は、膜１００が加圧ローラ４０２とドクターブレード４００との間を通過
するときに膜１００に押し付けられる。ドクターブレード４００の上流で過剰な組成物４
０４が膜１００に塗布され、組成物がドクターブレードの下を通過するときにその厚さは
均一に減少する。その厚さは、ドクターブレード４００の先端の曲率半径および加えられ
る圧力を変えることによって設定することができる。過剰な組成物はドクターブレードの
全長に沿って塗布される必要はなく、あるいはドクターブレードは任意に「セグメント化
」されていてもよく、組成物は膜の所望の部分に積層されている。次いで、組成物４０４
を乾燥させることができる。
[Other electrodes]
The methods described above are more suitable for forming thin conductors, but if it is desired to cover a large surface with the electrode, for example, the back electrode of a solar cell, as shown in FIGS.
The method can be simplified considerably. In FIG. 4A, a
04 is applied to the
can be dried.
次に、図４Ｂに示すように、乾燥組成物４０４を担持する膜１００を、２つの加圧ロー
ラ４０６と４０８との間のニップを通過させることによって基板１５０に押し付け、図４
Ｃに示すように、膜１００を基板１５０から剥がして該基板上に組成物４０４のコーティ
ングを残すことができる。加圧ローラ４０６および４０８をさらに加熱して、転写温度に
軟化点を有する接着剤を含む組成物の転写を容易にすることができる。次いで、この乾燥
組成物４０４のコーティングを焼結（例えば、加熱）してそれを基板１５０上に導電性に
し、また必要に応じて焼成して、太陽電池の背面電極を形成することができる。適切な太
陽電池の背面電極は、先に説明したようにウェハに融着させることができるだけでなく、
シリコン基板上に高ドープ層（例えば、アルミニウムドープ）を形成することもできる。
後方散乱場（ＢＳＦ）と称されるそのような高ドープ層は、太陽電池のエネルギー変換効
率を向上させることができる。そのような考察は当業者に知られており、当業者はそれに
応じて、組成物１２０について先に詳述した原理に従って組成物４０４を作り出すことが
できる。
The
As shown in C,
A highly doped layer (eg, aluminum doped) can also be formed on a silicon substrate.
Such highly doped layers, called backscattered fields (BSF), can improve the energy conversion efficiency of solar cells. Such considerations are known to those of ordinary skill in the art, who can accordingly produce
図１Ｃおよび図４Ｂに示される積層ステップは、同時に実行できることが理解されよう
。これにより、大面積の背面電極を半導体ウェハに適用するのと同時に、導電性グリッド
パターンをその表面に適用することができる。次いで、ウェハの両面上での組成物の焼結
および融着を同時に実施することができる。
It will be appreciated that the lamination steps shown in Figures 1C and 4B can be performed simultaneously. This allows a large area back electrode to be applied to the semiconductor wafer at the same time as a conductive grid pattern is applied to its surface. Sintering and fusing of the composition on both sides of the wafer can then be performed simultaneously.
あるいは、例えばスクリーン印刷などの関連業界で従来使用されている任意の方法によ
って、背面電極を基板の反対側に適用することができる。そのような方法は、基板の背面
側に直接使用することができるが、好ましくは、本開示の組成物の層を可撓性膜上に塗布
して、先に詳述した方法に従って「表面」金属パターンおよび「背面」電極の同時転写を
可能にするように機能することができる。背面電極を膜上に形成する場合、グラビア印刷
はさらに、膜上に組成物の層を形成するものと考えられ得る。
Alternatively, the back electrode can be applied to the opposite side of the substrate by any method conventionally used in the relevant industry, such as screen printing. Although such methods can be used directly on the backside of the substrate, preferably a layer of the composition of the present disclosure is applied onto the flexible film and applied to the "surface" according to the methods detailed above. It can function to allow simultaneous transfer of the metal pattern and the "back" electrode. If the back electrode is formed on a film, gravure printing can also be considered to form a layer of composition on the film.
［太陽電池の実施例］
図５Ａに概略的に要約された導電性の金属パターンを上述の原理に従って作製した。図
には、金属パターン５００が示されている。このようなパターンは、乾燥組成物が溝を実
質的に満たすとき膜の表面の下で「ネガティブ」であり，あるいは転写後の基板（例えば
、ウェハ表面）の上に突出する「ポジティブ」であり得る。金属線の長手方向の溝５１０
は、ルール１０６（図１Ａまたは図２Ａ～２Ｂ参照）から生じるが、横断方向の溝または
金属線（例えば、バスバー）は、「中断されずに」金属パターンのすべての長手方向の線
を横切るものは５２０として示されており、線５１０のサブセットだけを横切るものは５
３０として示されている。いずれにせよ、横断方向の溝または線５２０または５３０は、
ルール１０８（図１Ａまたは図２Ａを参照）から生じる。意図された光起電力電池によっ
て生成された電流を収集するための長手方向の線は、グリッド線またはフィンガと呼ばれ
ることもある。
[Example of solar cell]
A conductive metal pattern, summarized schematically in FIG. 5A, was fabricated according to the principles described above. A
arises from rule 106 (see FIG. 1A or FIGS. 2A-2B), but a transverse groove or metal line (e.g., busbar) traverses all longitudinal lines of the metal pattern "uninterrupted". is shown as 520, and those that cross only a subset of
30. In any event, the transverse grooves or
It arises from rule 108 (see FIG. 1A or FIG. 2A). The longitudinal lines for collecting the current produced by the intended photovoltaic cell are sometimes called grid lines or fingers.
本実施例で使用した可撓性膜は、キャストポリプロピレンフィルム（厚さ５０μｍのＣ
ＰＰ；Ｒ．Ｏ．Ｐ．ＬｔｄのＲｏｌｌＣａｓｔ（商標）１４）であった。その膜を、長手
方向の溝を形成するための一連の約８５のルール１０６がニッケルシムでできた回転可能
なダイ１０２でパターン化した。図５Ｂに示すように、ルール１０６のエッジは台形であ
り、底幅ＷＢは２０μｍであり、頂部幅ＷＴは１０μｍであり、高さｈは３２μｍであっ
た。隣接するルール間の距離ｄは、１．８ｍｍであった。ローラ１０２の円周に沿う各ル
ールの長さは、金属パターンが転写される固体支持体と適合するように設定した（必要で
あれば、パターン間の「マージン」を含む）。
The flexible membrane used in this example was a cast polypropylene film (50 μm thick C
PP; O.D. P. Ltd. RollCast™ 14). The film was patterned with a
そのように形成された溝（底幅ＷＢが約２５μｍ、頂部幅ＷＴが約１２μｍ、深さ（高
さｈ）が約２５μｍであり、２つの隣接する溝の向かい合う端部間の距離が約１，７７５
μｍである）を、１－ブタノール（Ｓｉｇｍａ Ａｌｄｒｉｃｈ）中５重量％のＥｔｈｏ
ｃｅｌ（商標）Ｓｔｄ．１００（Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎｙ）からなる
剥離組成物で満たした。表面垂線に対して６５～７０°の角度で配置されたドクターブレ
ード（ＭＤＣ Ｌｏｎｇｌｉｆｅ Ｍｕｌｔｉｂｌａｄｅ，Ｄａｅｔｗｙｌｅｒ）を使用
して、組成物をパターン化された膜に塗布した。ステンレス鋼斜角刃は、幅２０ｍｍ、厚
さ０．２ｍｍ、斜角３°、斜角長さ２．７ｍｍ、および先端半径１８μｍを有していた。
３Ｎ／ｃｍの力を使用した。ドクターブレードは、回転ダイ１０２の軸と平行であり、ル
ール１０６によって生成された溝に対して垂直であり、そして可撓性膜と相対移動し、移
動方向は線５１０と平行であった。次いで、剥離組成物が実質的に乾燥したフィルムにな
るまで、膜をホットエアーガンで加熱した。加熱／乾燥温度は、膜の変形を防ぐように選
択した（ＣＰＰについては、７０°未満）。本実施例では、剥離組成物を単一のステップ
で塗布した。
The grooves so formed (with a bottom width W B of about 25 μm, a top width W T of about 12 μm, a depth (height h) of about 25 μm, and a distance between the opposite ends of two adjacent grooves of about 1,775
μm) was added to 5 wt % Etho in 1-butanol (Sigma Aldrich).
cel™ Std. 100 (Dow Chemical Company). The composition was applied to the patterned film using a doctor blade (MDC Longlife Multiblade, Daetwyler) positioned at an angle of 65-70° to the surface normal. The stainless steel bevel blade had a width of 20 mm, a thickness of 0.2 mm, a bevel angle of 3°, a bevel length of 2.7 mm, and a tip radius of 18 μm.
A force of 3 N/cm was used. The doctor blade was parallel to the axis of
溝壁を被覆する薄い剥離フィルムを形成した後、金属ペーストを溝に充填した。金属ペ
ーストは、ａ）銀粒子（１～３μｍのビーズ）および酸化鉛系ガラスフリット（１～３μ
ｍの塊）を含み、前述のものは約６０体積％の固形分を形成し、ガラスフリットは導電性
粒子の約３～５体積％で存在し；ｂ）固形分の約４０体積％を構成するポリアミド接着剤
Ｕｎｉ－Ｒｅｚ（登録商標）２７２０またはＵｎｉ－Ｒｅｚ（登録商標）１４７、および
全ペーストの４０体積％を構成するペンタノールを含んでいた。全組成物の重量％に換算
すると、そのような金属ペーストは、８７．３～８８．７重量％の銀粒子、１．３～２．
７重量％のガラスフリット、６重量％の接着剤および４重量％のキャリアで構成されてい
た。
After forming a thin release film covering the groove walls, the metal paste was filled into the grooves. The metal paste consists of a) silver particles (1-3 μm beads) and lead oxide-based glass frit (1-3 μm
m masses), the foregoing forming about 60% by volume solids, the glass frit being present at about 3-5% by volume of the conductive particles; b) comprising about 40% by volume of the solids Polyamide adhesive Uni-Rez® 2720 or Uni-Rez® 147, and pentanol, which constituted 40% by volume of the total paste. Converted to weight percent of the total composition, such metal pastes contain 87.3-88.7 weight percent silver particles, 1.3-2.
It consisted of 7 wt% glass frit, 6 wt% adhesive and 4 wt% carrier.
金属ペーストの各充填ステップの後に、有機キャリアを実質的に除去し、ホットエアー
ガンを用いて組成物を乾燥させた。典型的には、それを３回実行して、可撓性膜の表面と
同じ高さで溝を完全に埋めた。
After each metal paste filling step, the organic carrier was substantially removed and the composition was dried using a hot air gun. Typically, it was run three times to completely fill the groove flush with the surface of the flexible membrane.
追加の接着剤コーティング層が望まれる場合、６μｍのワイヤバーによって塗布し、乾
燥させた接着剤コーティングの厚さは２μｍ未満である。いくつかの実験において、塗布
した接着剤コーティングは、ブタノールおよび酢酸ペンチルからなる溶媒の混合物（重量
比１：５）中に、１０重量％のＵｎｉ－Ｒｅｚ（登録商標）２７２０を含んでいた。追加
のポリアミドホットメルト接着剤を用いて、代替的な接着剤コーティングを作製した。追
加のポリアミドホットメルト接着剤には、米国のＫｒａｔｏｎ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ
のＵｎｉ－Ｒｅｚ（登録商標）２６２０、独国のＨｅｎｋｅｌのＭａｃｒｏｍｅｌｔ（登
録商標）６２１１、Ｍａｃｒｏｍｅｌｔ（登録商標）６２２４、Ｍａｃｒｏｍｅｌｔ（登
録商標）６２３８およびＭａｃｒｏｍｅｌｔ（登録商標）６２３９、ならびに米国のＧａ
ｂｒｉｅｌ Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ＰｒｏｄｕｃｔｓのＶｅｒｓａｍｉｄ（登録商標
）７４４およびＶｅｒｓａｍｉｄ（登録商標）７５４が含まれていた。１０重量％の各ポ
リアミドホットメルト接着剤を、９０重量％の有機溶媒と混合した。Ｍａｃｒｏｍｅｌｔ
（登録商標）およびＶｅｒｓａｍｉｄ（登録商標）ポリアミド接着剤を、プロピレングリ
コールメチルエーテル（例えば、Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＣｏｍｐａｎｙからＤｏｗ
ａｎｏｌ（商標）ＰＭとして市販されているもの）中にブレンドした。Ｕｎｉ－Ｒｅｚ（
登録商標）２６２０およびＵｎｉ－Ｒｅｚ（登録商標）２７２０ポリアミド接着剤を、さ
らに追加の溶媒に適用し、それぞれ（ａ）９０重量％のブタノール、（ｂ）９０重量％の
ペンタノール、（ｃ）１５重量％のブタノールおよび７５重量％のアミルアセテート、な
らびに（ｄ）１５重量％のペンタノールおよび７５重量％のアミルアセテート中で混合し
た。すべての溶媒は、少なくとも９５％の純度レベルでＳｉｇｍａ－Ａｌｄｒｉｃｈ社か
ら提供されている。ポリアミドホットメルト接着剤をベースとした上述の接着剤コーティ
ング組成物はすべて、膜から基板へのパターンの転写に十分であることが分かった。
If an additional layer of adhesive coating is desired, the thickness of the dried adhesive coating applied by a 6 μm wire bar is less than 2 μm. In some experiments, the applied adhesive coating contained 10% by weight Uni-Rez® 2720 in a solvent mixture consisting of butanol and pentyl acetate (1:5 weight ratio). An alternative adhesive coating was made using additional polyamide hot melt adhesive. Additional polyamide hot melt adhesives include Kraton Corporation, USA
Uni-Rez® 2620 from Henkel, Germany; Macromelt® 6211, Macromelt® 6224, Macromelt® 6238 and Macromelt® 6239 from Henkel, Germany;
Versamid® 744 and Versamid® 754 from briel Performance Products were included. 10% by weight of each polyamide hot melt adhesive was mixed with 90% by weight of organic solvent. Macromelt
® and Versamid ® polyamide adhesives are propylene glycol methyl ether (e.g. from Dow Chemical Company).
(commercially available as anol™ PM). Uni-Rez (
® 2620 and Uni-Rez ® 2720 polyamide adhesives were further applied in additional solvents, respectively (a) 90 wt% butanol, (b) 90 wt% pentanol, (c) 15 weight percent butanol and 75 weight percent amyl acetate, and (d) 15 weight percent pentanol and 75 weight percent amyl acetate. All solvents are supplied by Sigma-Aldrich at a purity level of at least 95%. All of the adhesive coating compositions described above based on polyamide hot melt adhesives have been found to be sufficient for the transfer of patterns from membranes to substrates.
追加の一連の実験では、異なる接着剤ポリマーを試験したところ、それらが同様に適し
ていることが分かった。３つのさらなる代替の接着剤コーティングは、（ａ）８０重量％
のＤｏｗａｎｏｌ（商標）ＰＭ中２０重量％の完全水素化ガムロジン（Ｅａｓｔｍａｎ
Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＣｏｍｐａｎｙによるＦｏｒａｌ（商標）ＡＸ－Ｅ）、および（ｂ）
９０重量％のＤｏｗａｎｏｌ（商標）ＰＭ中１０重量％のテルペンフェノール樹脂（Ａｒ
ｉｚｏｎａ ＣｈｅｍｉｃａｌによるＳｙｌｖａｐｒｉｎｔ（登録商標）３５２３または
Ｓｙｌｖａｐｒｉｎｔ（登録商標）７００２）からなっていた。
In an additional series of experiments, different adhesive polymers were tested and found to be equally suitable. Three additional alternative adhesive coatings are (a) 80% by weight
20% by weight fully hydrogenated gum rosin (Eastman
Foral™ AX-E) by Chemical Company, and (b)
10 wt% terpene phenolic resin (Ar
Sylvaprint® 3523 or Sylvaprint® 7002 by izona Chemical).
図５Ｃは、金属ペーストで充填された可撓性膜の溝を示す、共焦点レーザ走査型顕微鏡
によって撮影された顕微鏡写真を示す（例えば、図１Ａの１４０参照）。図から分かるよ
うに、溝は可撓性膜の表面のレベルまで実質的に充填されているが、それを取り囲む領域
は実質的に乾燥組成物を含んでいない。このような写真では、接着剤コーティングは省略
した。
FIG. 5C shows a micrograph taken by a confocal laser scanning microscope showing grooves in a flexible membrane filled with metal paste (see, eg, 140 in FIG. 1A). As can be seen, the groove is substantially filled to the level of the surface of the flexible membrane, while the area surrounding it is substantially free of dry composition. In such photographs, the adhesive coating has been omitted.
乾燥組成物で充填されたパターン化された溝を含む可撓性膜を、蛍光体ドープエミッタ
側と窒化ケイ素の反射防止コーティングを有するテクスチャードホウ素ドープシリコンウ
ェハと接触させた。このようなウェハは、様々なサイズ（例えば、１５６×１５６ｍｍま
たは１２５×１２５ｍｍ）および厚さ（例えば、１５０～３００μｍの範囲）を想定する
ことができ、本実施例で使用したものは、一辺が１５６ｍｍの正方形で、約２００μｍの
厚さを有していた。ニップ１５６を５ｃｍ／ｓの速度で通過させることにより、膜を６Ｋ
ｇ／ｃｍ２の圧力でウェハに押し付けた。加圧ローラ１５２および１５４を約１３０～１
４０℃まで加熱した。接着剤コーティングがあるとすれば、該接着剤コーティングは、Ｓ
ｉウェハ表面のテクスチャに流れ込み、ウェハをおよそ周囲温度に冷却した後に接着した
。次に、ＣＰＰ膜をウェハから剥がしたが、接着剤のコーティング層および金属パターン
は、ウェハに転写されて膜の除去後もウェハ上に残った。転写された金属パターンは、ソ
ーラーベルト炉Ｄｅｓｐａｔｃｈ ＣＤＦ－ＳＬ内で、約７５０℃のピーク温度に達する
温度プロファイルで焼結および焼成された。そのように処理されたパターンは、周囲温度
に冷却される前に、典型的には少なくとも５～２０秒間にわたって７００℃以上の温度に
あった。
A flexible film containing patterned grooves filled with the dry composition was brought into contact with a textured boron-doped silicon wafer having a phosphor-doped emitter side and a silicon nitride anti-reflective coating. Such wafers can come in a variety of sizes (eg, 156×156 mm or 125×125 mm) and thicknesses (eg, in the range of 150-300 μm); It was 156 mm square and had a thickness of about 200 μm. The membrane was heated to 6 K by passing through the
A pressure of g/cm 2 was applied to the wafer. The
Heat to 40°C. If there is an adhesive coating, the adhesive coating is S
It flowed into the texture of the i-wafer surface and was adhered after cooling the wafer to approximately ambient temperature. The CPP film was then peeled off from the wafer, but the adhesive coating layer and metal pattern were transferred to the wafer and remained on the wafer after removal of the film. The transferred metal pattern was sintered and fired in a solar belt furnace Despatch CDF-SL with a temperature profile reaching a peak temperature of about 750°C. The pattern so treated was typically at a temperature of 700° C. or higher for at least 5-20 seconds before being cooled to ambient temperature.
得られた導電線の接触抵抗（Ｒｃ）を、転写長法（Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｌｅｎｇｔｈ
Ｍｅｔｈｏｄ，ＴＬＭ）で測定した。Ｒｃ値は、０．０５～０．１Ωｃｍであった。０．
２Ω未満の値は非常に満足できると考えられ、ヌルＲｃを有する最適な接触と比較して０
．１％未満の効率の低下を表す。
The contact resistance (Rc) of the obtained conductive wire was measured by the Transfer Length method.
Method, TLM). The Rc value was 0.05-0.1 Ωcm. 0.
Values less than 2 Ω are considered very satisfactory, with 0
. Represents less than 1% efficiency loss.
図５Ｄは、共焦点レーザ走査顕微鏡（オリンパス（登録商標）社のＬＥＸＴ ＯＬＳ４
０００ ３Ｄ）によって撮影された、ウェハに転写され（例えば、図１Ｄの１４０’参照
）、かつ上述したように焼結された（図５Ｃに示す溝を満たすような）金属ペーストで作
られた接触線を示す顕微鏡写真である。図から分かるように、焼結された金属線は、それ
が作製された溝を画定するルールの形状を実質的に保持していた。
FIG. 5D shows a confocal laser scanning microscope (LEXT OLS4 from Olympus).
000 3D), transferred to the wafer (see, for example, 140′ in FIG. 1D), and sintered as described above (to fill the grooves shown in FIG. 5C). It is a micrograph showing lines. As can be seen, the sintered metal wire substantially retained the shape of the rule defining the groove in which it was made.
本開示のプロセスの利点は、比較的高いアスペクト比で評価できるように、十分な高さ
を維持しながら導体を非常に細く（例えば、約２０以下～２５μｍ以下、典型的な技術値
の半分以下）することが可能であることであり、本実施例におけるＡＳＰは約１：１であ
る。
An advantage of the process of the present disclosure is that the conductors can be made very thin (e.g., about 20 or less to 25 μm or less, less than half the typical technical value) while maintaining sufficient height to allow evaluation at relatively high aspect ratios. ) and the ASP in this example is about 1:1.
上記の非水性組成物を水性組成物で置き換えて、同じ膜および溝のパターンを使用して
太陽電池を同様に作製した。剥離コーティングは、脱イオン水中に１０重量％のＭｅｔｈ
ｏｃｅｌ（商標）Ｅ１５（Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎｙ）を含む剥離組成
物を用いて作製した。剥離組成物を２回塗布して乾燥させた後、膜の溝のある面をクロー
スコロナ処理（Ｅｌｅｃｔｒｏ－Ｔｅｃｈｎｉｃ ＰｒｏｄｕｃｔｓによるＢＤ－２０Ａ
Ｃ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ Ｃｏｒｏｎａ Ｔｒｅａｔｅｒ）にさらした。
A solar cell was similarly prepared using the same film and groove pattern, replacing the above non-aqueous composition with an aqueous composition. The release coating was 10% by weight Meth in deionized water.
It was made with a release composition comprising ocel™ E15 (Dow Chemical Company). After two coats of release composition and drying, the grooved side of the membrane was cloth corona treated (BD-20A by Electro-Technic Products).
C Laboratory Corona Treater).
次いで、水性金属ペーストを溝内に充填した。金属ペーストは、ａ）銀粒子（１～３μ
ｍのビーズ）および酸化鉛系ガラスフリット（１～３μｍの塊）を含み、前述のものは約
６０体積％の固形分を構成し、ガラスフリットは約３～５体積％の導電性粒子として存在
し；ｂ）固形分の約４０体積％を構成するポリ（２－エチル－２－オキサゾリン）接着剤
、Ａｑｕａｚｏｌ（登録商標）５、および全ペーストの４０体積％を構成する脱イオン水
を含んでいた。全組成物の重量％に換算すると、そのような金属ペーストは、８７．３～
８８．７重量％の銀粒子、１．３～２．７重量％のガラスフリット、６重量％の接着剤、
および４重量％のキャリアから構成されていた。水性の金属ペーストを、６回の充填／乾
燥ステップで充填した。
An aqueous metal paste was then filled into the grooves. The metal paste contains a) silver particles (1-3 μm
beads) and lead oxide-based glass frit (1-3 μm chunks), the foregoing constituting about 60 vol.% solids, the glass frit being present as about 3-5 vol.% conductive particles. b) Poly(2-ethyl-2-oxazoline) adhesive, Aquazol® 5, comprising about 40% by volume of solids, and deionized water comprising 40% by volume of the total paste. board. Converted to weight percent of the total composition, such metal pastes are 87.3 to
88.7% by weight silver particles, 1.3-2.7% by weight glass frit, 6% by weight adhesive,
and 4% by weight of carrier. The aqueous metal paste was filled in 6 filling/drying steps.
最後に、水性接着剤コーティングを充填膜の表面全体に塗布した。水性接着剤コーティ
ングは、すべてイオン水中５重量％のＡｑｕａｚｏｌ（登録商標）５（Ｐｏｌｙｍｅｒ
Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｉｎｎｏｖａｔｉｏｎｓによるポリ（２－エチル－２オキサゾリン
））、１重量％のブタノール、０．２５重量％のＢＹＫ（登録商標）－３４９、および０
．０７５重量％のＢＹＫ（登録商標）－３３３（両方ともにＢＹＫによる湿潤剤）から構
成されていた。
Finally, a water-based adhesive coating was applied over the entire surface of the filled membrane. All waterborne adhesive coatings were Aquazol® 5 (Polymer
Poly(2-ethyl-2oxazoline)) by Chemistry Innovations, 1 wt% butanol, 0.25 wt% BYK®-349, and 0
. 075 wt % BYK®-333 (both wetting agents by BYK).
［光反射グリッド線］
太陽電池の製造に使用される可撓性膜を製造する、本方法の特定の使用を考慮するとき
、任意の追加のステップをさらに実施することができる。光起電力デバイスの製造分野に
おける当業者が知っているように、繰り返し発生する問題は、グリッド線の数とサイズと
の間のトレードオフ、およびそれらの遮蔽のために生じ得る光電流量の減少である。
[Light reflection grid lines]
Optional additional steps may also be performed when considering the particular use of the method to manufacture flexible films used in the manufacture of solar cells. As those skilled in the art of manufacturing photovoltaic devices know, a recurring problem is the trade-off between the number and size of grid lines and the reduction in photocurrent that can occur due to their shielding. be.
導電線のグリッド（フィンガーおよびバスライン）による、そのようなデバイスの集光
面の遮蔽率は、最大で当該面の約５～１０％に達することがあり、その結果、光起電力の
変換効率が低下する可能性がある。導電線に入射する光は周囲に反射して戻る可能性があ
り、このエネルギーは、グリッド線に隣接する、遮られていない集光エリアについては失
われる。可撓性膜内に溝のプロファイルを形成するルールを適切に選択する（したがって
、溝内に作製され得る導電線の結果的な輪郭およびサイズに影響を与える）ことにより、
そのような遮蔽を減少させることができる。例えば、ルール（およびそれから生じる導電
線）の形状は、将来の基板の遮られていない光起電力集光面（「活性領域」）への入射光
の反射を高め、あるいは方向転換を促進し、したがってグリッドの光遮蔽の影響を低減さ
せることができる。同様の理由で、比較的平滑な表面を有するフィンガおよびバスライン
は、比較的粗い表面を有する他の同様の導電性ラインよりも、高い反射率／低い光拡散率
をもたらすと予想される。そうでなければ導電線の斜面が集光基板の活性領域に入射光を
適切に向け直す（例えば、４５°以上の角度を形成する）ときの導電線の拡散率がより低
いこともまた、グリッドの遮蔽の影響を低減させることができ、入射光のより高い部分が
適切に向け直される。その逆に、そうでなければ利用可能な基板領域から入射光を反射す
るような形状および／または斜面を有する導電線は、より高い拡散性から利益を得て、グ
リッド線のない光起電力面に向け直される光量を増加させる。好ましくは、ルール／溝／
導電線の形状、サイズおよび／または形状は、広範囲の入射光の角度に応じて活性領域へ
の光の方向転換を容易にするか、または向上させる。しかしながら、そのような電池を含
むソーラーパネルが太陽の動きに追従する追跡機構を備え、導電線に当たる入射光の角度
範囲を制限し、日の進行とともに光起電力面の十分な活性領域が維持される場合、広範囲
の角度から入射する光を利用する能力が必須ではない可能性がある。
The shielding of the collection surface of such devices by a grid of conductive lines (fingers and bus lines) can reach up to about 5-10% of the surface, resulting in a high photovoltaic conversion efficiency. may decline. Light incident on a conductive line can be reflected back into the surroundings and this energy is lost for unobstructed light collection areas adjacent to the grid lines. By appropriately choosing the rules for shaping the profile of the grooves in the flexible membrane (thus affecting the resulting contour and size of the conductive lines that can be made in the grooves),
Such shielding can be reduced. For example, the shape of the rules (and the conductive lines resulting from them) may enhance the reflection or otherwise redirect incident light onto the unobstructed photovoltaic collection surface (“active area”) of the future substrate, Therefore, the influence of light shielding of the grid can be reduced. For similar reasons, fingers and bus lines with relatively smooth surfaces are expected to provide higher reflectance/lower light diffusion than other similar conductive lines with relatively rough surfaces. The lower diffusivity of the otherwise conductive line when the bevel of the conductive line properly redirects incident light (e.g., forms an angle of 45° or greater) to the active area of the light-collecting substrate also contributes to the grid. can be reduced, and the higher part of the incident light is appropriately redirected. Conversely, conductive lines with shapes and/or bevels that reflect incident light away from otherwise available substrate area benefit from higher diffusivity, resulting in a gridline-free photovoltaic surface. increases the amount of light redirected to preferably rules/grooves/
The shape, size and/or geometry of the conductive lines facilitates or enhances the redirection of light to the active region in response to a wide range of incident light angles. However, solar panels containing such cells are provided with a tracking mechanism to follow the movement of the sun, limit the angular range of incident light striking the conductive lines, and maintain sufficient active area of the photovoltaic surface as the day progresses. , the ability to utilize light incident from a wide range of angles may not be essential.
任意の一組の反射グリッド線によって囲まれた容積は、グリッド線のない光起電力領域
の露光を増大させ、太陽電池または相互接続された複数のそのような電池によって形成さ
れるソーラーパネルの効率を向上させることによって、実際の遮蔽の影響を低減すること
ができる光漏斗として作用すると考えられ得る。この「漏斗」の形状は、それに接する導
電線の形状とそれらの反射面のプロファイルから導かれる。先に説明したように、導電線
の面は、それらの意図する用途に適しつつ、ある範囲の光反射特性または拡散特性を有す
ることができる。したがって、グリッド線の「反射表面」または「反射面」という用語は
、そのような表面を理想的な鏡のような壁に限定することを意図していない。
The volume enclosed by any set of reflective gridlines increases the exposure of the gridline-free photovoltaic area, increasing the efficiency of a solar cell or solar panel formed by an interconnected plurality of such cells. It can be thought of as acting as a light funnel that can reduce the effect of actual occlusion by increasing . The shape of this "funnel" is derived from the shape of the conductive lines contacting it and the profile of their reflective surfaces. As previously explained, the surfaces of the conductive lines can have a range of light reflecting or diffusing properties while still being suitable for their intended use. Thus, the term "reflective surface" or "reflective surface" of gridlines is not intended to limit such surfaces to ideal mirror-like walls.
光線光学の原理を使用して、多くの照明条件に対して、グリッド線の反射面と太陽電池
表面との間の角度（０°はウェハ表面に平行、９０°はウェハ表面に垂直）が大きいほど
、太陽電池の遮られていない領域に反射される可能性のある光量が多いことが理論的に実
証できる。例えば、太陽電池の集光面と４５°未満の角度をなす、本質的に拡散反射が生
じない実質的に平滑で完全な鏡面反射の反射面を有する、理想的な鏡のような逆Ｖ字形の
格子線を取り上げる。太陽電池表面に対して垂直な入射光線は、（例えば、空気に）反射
して戻り、光起電力変換や電流生成には寄与せず、幾何学的遮蔽と同等の有効な光遮蔽が
発生する。対照的に、４５°を超える角度をなす、理想的に反射性の鏡のような面を有す
る同様の形状の線は、垂直な入射光線を太陽電池表面に全反射させ、結果として有効な光
遮蔽がゼロになる。
Using the principle of ray optics, the angle between the reflective surface of the grid line and the solar cell surface (0° parallel to the wafer surface, 90° perpendicular to the wafer surface) is large for many lighting conditions It can be theoretically demonstrated that the more light there is, the greater the amount of light that can be reflected to the unobstructed area of the solar cell. For example, an ideal mirror-like inverted V with a substantially smooth, perfectly specular reflecting surface with essentially no diffuse reflection at an angle of less than 45° with the collecting surface of the solar cell. pick up the grid lines of Incident light rays perpendicular to the solar cell surface are reflected back (e.g., to air) and do not contribute to photovoltaic conversion or current generation, resulting in an effective light shielding equivalent to geometric shielding. . In contrast, a similarly shaped line with an ideally reflective mirror-like surface at an angle greater than 45° will cause a normally incident ray to be totally reflected onto the solar cell surface, resulting in a useful light Occupancy becomes zero.
上記は、非常に特殊な状況を示しており、標準的な太陽電池の動作条件での光損失を計
算する際には、以下の要因を考慮する必要がある：
１．日や季節ごとの照明条件に応じて、様々な光の入射角度と強度について損失を積分す
る必要がある。
２．太陽電池は、通常、保護のために（例えば、ガラスおよび接着剤に）カプセル封入さ
れており、その封入材料は、入射光および反射光の光路と強度を変化させ得る。光線は、
グリッド表面から、保護カプセル～空気界面まで反射され、全内部反射を経て太陽電池表
面に向け直され得る。
３．ソーラーグリッドの線の表面は、理想的にはめったに平滑ではなく、光は、通常、拡
散的に反射される。様々な入射角における回析光の空間分布および強度は、表面の粗さに
依存し得る。
The above illustrates a very specific situation and the following factors should be considered when calculating light loss under typical solar cell operating conditions:
1. Losses need to be integrated for different light angles and intensities depending on the lighting conditions of the day and season.
2. Solar cells are usually encapsulated (eg, in glass and adhesives) for protection, and the encapsulating material can change the path and intensity of incident and reflected light. the rays are
From the grid surface, it can be reflected to the protective capsule-air interface and redirected to the solar cell surface via total internal reflection.
3. The surface of the solar grid lines is ideally seldom smooth, and light is usually reflected diffusely. The spatial distribution and intensity of the diffracted light at various angles of incidence can depend on the roughness of the surface.
上記の要因を考慮して失われる理論的な光は、太陽光集光面に対する導電線の面の角度
が大きくなるにつれて有効な光遮蔽が低減され得ることを示唆している、光線光学によっ
て計算することができる。４５°を超える角度をなす面の場合、有効な光遮蔽は、全拡散
面（ランバート面）に対する実際の幾何学的遮蔽の３０％未満であり、そのような遮蔽は
角度が増加するにつれて減少する。（例えば、粗さを減少させる／平滑さを増大させるこ
とにより）線表面の拡散性が減少すると、有効な光学遮蔽は、先に説明したように理想的
な鏡様表面に対して０％までさらに減少させることができる。導線の遮蔽を低減するため
の上記のアプローチのいずれか（例えば、導電線について好ましいプロファイルを選択す
る、および／または、反射面によって形成される角度に応じて集光基板の活性領域への入
射光の反射率を増加させる、および／または、ウェハ活性領域からの光の拡散率を低減す
ることを含む）は、本教示による可撓性膜を使用して作製された太陽電池の光起電力変換
効率を増加させるために望ましい。
The theoretical light lost considering the above factors is calculated by ray optics, suggesting that the effective light shielding may be reduced as the angle of the conductive wire plane to the solar collecting plane increases. can do. For surfaces angled greater than 45°, the effective light shielding is less than 30% of the actual geometrical shielding for a total diffuse surface (Lambertian surface), and such shielding decreases as the angle increases. . As the diffusivity of the line surface decreases (e.g., by decreasing roughness/increasing smoothness), the effective optical shielding decreases to 0% for an ideal mirror-like surface as explained above. can be further reduced. Any of the above approaches to reduce shielding of the conductor lines (e.g., choosing a preferred profile for the conductor line and/or reducing the incidence of light on the active area of the light collecting substrate depending on the angle formed by the reflective surface). and/or reduce the diffusivity of light from the wafer active region) is effective for photovoltaic conversion of solar cells fabricated using flexible films according to the present teachings. Desirable for increased efficiency.
上記の原理に基づいて、ルール／溝／導電線は、好適には、光損失を低減するように、
好ましくは小さな平坦頂部幅ＷＴ（例えば、ＷＴは５μｍ以下）を有する台形形状、また
は三角形状を有することができる。そのようなプロファイルの底部は、有利には、底幅Ｗ
Ｂが、約１０μｍ～約２５μｍである。太陽電池基板の活性集光領域に光の少なくとも一
部を向け直すことができる適切な保護ケースに関連してグリッドが使用されるとき、線の
面と基板との間の角度（図５Ｂにαで示される）は、少なくとも２５°、少なくとも３０
°、少なくとも４０°、少なくとも４５°、少なくとも５０°、少なくとも６０°または
少なくとも７０°とすることができる。さらなるカプセル化封入がない場合、導電線の面
は、比較的に低拡散性であるかまたは本質的に拡散性ではないことが好ましく、鏡様表面
によってもたらされる拡散性の完全な欠如は特に有利である。そのような場合、そのよう
な高鏡面反射性／低拡散性を有する線と基板との間の角度は、少なくとも６０°、少なく
とも６５°または少なくとも７０°とすることができる。カプセル化されている否かに関
わらず、そのような導電線の面と基板との間の角度は、最大８５°、最大８２．５°、最
大８０°、最大７７．５°、または最大７５°である。有利には、導電線の面と基板との
なす角度は、６０°～８５°の間、または６５°～８２．５°の範囲、または７０°～８
０°の範囲である。導電線が太陽電池の製造以外の用途、特に、光反射面を有する用途に
供される場合、基板とそこから立ち上がる線の面との間の追加の角度が適切であり得る。
したがって、いくつかの実施形態では、この角度は２０°～９０°の範囲とすることがで
きる。
Based on the above principles, the rule/groove/conductive line is preferably:
It may have a trapezoidal shape, preferably with a small flat top width W T (eg, W T is less than or equal to 5 μm), or a triangular shape. The bottom of such a profile advantageously has a bottom width W
B is about 10 μm to about 25 μm. When the grid is used in conjunction with a suitable protective case capable of redirecting at least a portion of the light to the active light collection area of the solar cell substrate, the angle between the plane of the lines and the substrate (α ) is at least 25° and at least 30°
°, at least 40°, at least 45°, at least 50°, at least 60° or at least 70°. In the absence of further encapsulation, the surfaces of the conductive lines are preferably relatively low-diffusive or essentially non-diffusive, with the complete lack of diffusivity provided by mirror-like surfaces being particularly advantageous. is. In such cases, the angle between such high specular/low diffusivity line and the substrate can be at least 60°, at least 65° or at least 70°. Whether encapsulated or not, the angle between the plane of such conductive lines and the substrate may be up to 85°, up to 82.5°, up to 80°, up to 77.5°, or up to 75°. °. Advantageously, the angle between the plane of the conductive line and the substrate is between 60° and 85°, or in the range of 65° and 82.5°, or between 70° and 8°.
0° range. Additional angles between the substrate and the plane of the lines rising therefrom may be appropriate if the conductive lines are to be used in applications other than solar cell manufacturing, particularly those with light-reflecting surfaces.
Therefore, in some embodiments, this angle can range from 20° to 90°.
膜の表面に対して溝の側面によって形成される角度は、充填前の可撓性膜における溝の
断面プロファイルの頂点まで一定であるように設計することが可能である一方で、そのよ
うな角度は、特に、導体パターンがその基板に転写され、その上に焼結されて最終製品の
太陽電池を形成するプロセス中に穏やかに変化する場合があることは理解されよう。例え
ば、三角形の断面形状を有する溝を想定し、最初に、三角形の面が膜の表面と４５°の角
度をなしていると仮定すると、そのような溝から生じる太陽電池の導電線は、より不完全
な三角形状を有し得る。太陽電池基板のベースから導電線の頂部まで、そのプロファイル
の半分だけを考慮した場合、第１のセグメントにおける角度が４５°未満であって、線の
プロファイルが初期の浅い斜面を有するか、またはその逆で、その角度が４５°超であっ
て、線のプロファイルが初期の「階段」斜面を有することができ、そのような角度はさら
に、その線の半分のプロファイルが頂点に達するまで変化し得る。プロファイルは、緩や
かな凸状もしくは凹状とすることができ、あるいは凸状、凹状および直線状のセグメント
を交互に有することができる。得られる導電線のプロファイルを考慮すると、それは、基
部と線の頂部との間に形成された斜面に沿った異なる点において考慮されるように可変角
度を形成することができ、角度の平均を、テーパー面に沿った各サブセグメントにおける
プロファイルの傾きのｔａｎ－１（＝導関数）の平均として考えることが好ましい場合が
ある。そのような値は、平均勾配とも呼ばれる。そのような方法を使用して、前述の例示
的な実施例において、異なるサブセグメントに沿ってこの値の上下で変化する場合であっ
ても三角形の角度は平均４５°であると仮定すると、半分のプロファイルの平均勾配は１
になる。
While the angle formed by the sides of the groove with respect to the surface of the membrane can be designed to be constant up to the apex of the cross-sectional profile of the groove in the flexible membrane before filling, such angle , in particular, may change slowly during the process of transferring the conductor pattern to its substrate and sintering thereon to form the final solar cell. For example, assuming a groove with a triangular cross-sectional shape, and first assuming that the triangular faces form an angle of 45° with the surface of the film, the conductive lines of the solar cell resulting from such grooves are more It may have an imperfect triangular shape. If only half of the profile is considered from the base of the solar cell substrate to the top of the conductive line, the angle in the first segment is less than 45° and the line profile has an initial shallow slope, or Conversely, if the angle is greater than 45°, the profile of the line may have an initial "step" slope, and such angle may further vary until half the profile of the line reaches its apex. . The profile can be gently convex or concave, or can have alternating convex, concave and straight segments. Considering the profile of the resulting conductive line, it can form variable angles to be considered at different points along the slope formed between the base and the top of the line, the average of the angles being It may be preferable to think of it as the average of the tan −1 (=derivative) of the slope of the profile at each sub-segment along the tapered surface. Such values are also called average slopes. Using such a method, half profile has an average slope of 1
become.
したがって、いくつかの実施形態において、太陽電池基板の基部から線の頂点（すなわ
ち、テーパー面）まで上がる導電線の片側の平均勾配は、少なくとも０．５０（約２６°
）、少なくとも０．７５（約３７°）、少なくとも０．８５（約４０°）、少なくとも１
（約４５°）、少なくとも１．１５（約４９°）、少なくとも１．３（約５３°）、少な
くとも１．５（約５６°）、または少なくとも１．７（約６０°）とすることができる。
いくつかの実施形態において、平均勾配は、最大８（約８３°）、最大６（約８０°）、
最大４（約７６°）または最大２（約６３°）である。
Thus, in some embodiments, the average slope of one side of the conductive lines up from the base of the solar cell substrate to the apex (i.e., tapered surface) of the lines is at least 0.50 (about 26°
), at least 0.75 (about 37°), at least 0.85 (about 40°), at least 1
(about 45°), at least 1.15 (about 49°), at least 1.3 (about 53°), at least 1.5 (about 56°), or at least 1.7 (about 60°) can.
In some embodiments, the average slope is up to 8 (about 83°), up to 6 (about 80°),
A maximum of 4 (approximately 76°) or a maximum of 2 (approximately 63°).
導電線の断面についてより好ましい形状を選択することに加えて、またはそれに代えて
、任意の剥離層について記載したのと同様の方法で、導電線に光調整コーティングを施す
ことができる。本明細書で使用されるように、「光調整」という用語は、遮蔽を低減する
か、あるいは光起電集光および変換を増大させることができる任意の種類のコーティング
に関する。コーティングは、以下のいずれかを実行することができる：導電線の平滑さを
増大させるか粗さを低減する、（任意の保護ケースの結果として直接的もしくは間接的に
）入射光の活性領域への反射率を増大させる、または活性領域からの光の拡散を低減する
。
In addition to or instead of selecting a more favorable shape for the cross-section of the conductive line, the conductive line may be provided with a light modulating coating in a manner similar to that described for the optional release layer. As used herein, the term "light conditioning" refers to any type of coating that can reduce shading or increase photovoltaic light collection and conversion. The coating can either: increase the smoothness or reduce the roughness of the conductive line (either directly or indirectly as a result of any protective casing) to the active area of the incident light. or reduce the diffusion of light from the active region.
簡潔に言えば、光反射材料を含む反射率向上または拡散率低減組成物を使用して溝の壁
を被覆して、基板への転写時に転写された線を反射材料の薄膜で被覆し、遮蔽を低減また
は防止する。
Briefly, a reflectance-enhancing or diffusivity-reducing composition containing a light-reflecting material is used to coat the walls of the grooves to coat and shield the transferred lines with a thin film of reflective material upon transfer to the substrate. reduce or prevent
［光反射面を有するパターンの実施例］
本実施形態で使用した可撓性膜は、回転可能なダイ１０２でパターン化された上述のキ
ャストポリプロピレンフィルム（厚さが５０μｍのＣＰＰ；ＲｏｌｌＣａｓｔ（商標）１
４）であり、ルール１０６のプロファイルは台形であり、底幅ＷＢが２０μｍ、平坦頂部
幅ＷＴが１２μｍ、および高さｈが３２μｍであった。そのようなプロファイルは、理想
的には、フィルムの表面と約８３°の急な角度を形成する傾斜壁を有する溝を提供するが
、結果として得られる溝の断面の実際の寸法およびその後の縦線は、緩やかに発散して、
底幅ＷＢが２５μｍ、頂部幅ＷＴが１２μｍ、および高さｈが１５μｍに近い測定値が得
られ、反射面とその基盤との間の実際の角度は約７５°であった。可撓性膜内で達成され
るサイズに基づいて計算されるそのような角度は、積層、焼結および焼成のその後の工程
後にわずかに減少し得る。
[Example of pattern having light reflecting surface]
The flexible membrane used in this embodiment was the cast polypropylene film described above (50 μm thick CPP; RollCast™ 1) patterned with a
4), the profile of
Measurements of a base width W B of 25 μm, a top width W T of 12 μm, and a height h of close to 15 μm were obtained, giving an actual angle of about 75° between the reflective surface and its base. Such angles calculated based on the size achieved within the flexible membrane may decrease slightly after subsequent steps of lamination, sintering and firing.
約１．８ｍｍの距離ｄだけ互いに離間させてこのように形成した溝に、１－ブタノール
中５重量％のＥｔｈｏｃｅｌ（商標）Ｓｔｄ．１００からなる剥離組成物を充填し、それ
をパターン化膜に塗布し、続いて上述のように乾燥させた。
The grooves thus formed, separated from each other by a distance d of about 1.8 mm, were filled with 5% by weight Ethocel™ Std. A release composition consisting of 100 was filled and applied to the patterned film followed by drying as described above.
溝壁を被覆する薄い剥離コーティングを形成した後、１００ｎｍ未満の粒径を有する約
４０重量％の銀ビーズを含むナノ銀インクの層を溝内に堆積させた。適切なナノ銀インク
の非限定的な例には、ＮｏｖａＣｅｎｔｒｉｘ（登録商標）からのナノ銀インクＭｅｔａ
ｌｏｎ（登録商標）ＪＳ－Ａ１０１およびＪＳ－Ａ１－２が挙げられるが、適切であり得
る約４０ｎｍ～２００ｎｍの間または約３０ｎｍ～１００ｎｍの間の平均粒子径（例えば
、ＤＬＳによって決定されるｚ平均粒子径）を有する市販の金属ナノインクは多数ある。
ナノ銀インクを、上記と同じ方法でドクターブレードを使用して、溝をすでに被覆してい
る剥離フィルムの上に堆積させ、そしてホットエアーガンで約１０分間乾燥させ、薄いナ
ノ銀層を形成した。
After forming a thin release coating covering the groove walls, a layer of nano-silver ink containing about 40% by weight silver beads with a particle size of less than 100 nm was deposited in the grooves. Non-limiting examples of suitable nanosilver inks include nanosilver ink Meta from NovaCentrix®.
lon® JS-A101 and JS-A1-2, but may be suitable with an average particle size between about 40 nm and 200 nm or between about 30 nm and 100 nm (e.g. z-average determined by DLS There are many commercially available metal nanoinks with particle size).
The nanosilver ink was deposited onto the release film already covering the grooves using a doctor blade in the same manner as above and dried with a hot air gun for about 10 minutes to form a thin nanosilver layer.
可撓性膜を被覆する剥離フィルムとナノ銀層とで薄く被覆された溝に、導電線のコアを
追加した。線の内部は、金属ペーストを３段階で堆積させ、続いて接着剤コーティング層
を塗布することによって上述のように作製した。充填された溝を、先の実施例について記
載したのと同じ方法で、積層によりＳｉウェハに転写し、焼結し、そして焼成した。
A core of conductive wire was added to the groove that was thinly coated with a release film covering the flexible membrane and a nano-silver layer. The interior of the wire was fabricated as described above by depositing the metal paste in three steps followed by applying an adhesive coating layer. The filled grooves were transferred to a Si wafer by lamination, sintered and fired in the same manner as described for the previous examples.
ナノ銀層を欠いた比較例も同様に作製した。ナノ銀層を有する線の焼成グリッドは、ナ
ノ銀インク層なしで作製されたグリッドと比較して低い光拡散率を示した。そのような知
見は、各タイプの少なくとも５つのグリッドを一定の光源に対して傾けることによって、
独立した訓練された観察者らによって確立されたものであり、グリッドの相対拡散率は盲
目的にランク付けされている。したがって、ナノ銀層は、導電線の外面の平滑性を高め／
粗さを低減させると仮定され、この仮説は、共焦点レーザ走査顕微鏡（Ｏｌｙｍｐｕｓ（
登録商標）ＬＥＸＴ ＯＬＳ４０００ ３Ｄ）を用いた線の反射面の顕微鏡研究により確
認された。
A comparative example lacking the nano-silver layer was similarly prepared. The fired grids of lines with the nanosilver layer showed lower light diffusivity compared to the grids made without the nanosilver ink layer. Such findings suggest that by tilting at least five grids of each type with respect to a constant light source,
Established by independent trained observers, the relative diffusivity of the grids was blind-ranked. Therefore, the nano-silver layer enhances the smoothness of the outer surface of the conductive line/
hypothesized to reduce roughness, a hypothesis supported by confocal laser scanning microscopy (Olympus (
This was confirmed by a microscopic study of the reflective surface of the line using LEXT OLS 4000 3D).
本実施例では、剥離層の形成後にナノ銀インクを溝に塗布したが、この初期の工程は必
須ではないと考えることができ、適切に配合されたインクによれば、将来的な積層時に導
電線を可撓性膜から十分に剥離させることができる。上記に例示した銀に加えて、アルミ
ニウム、クロム、コバルト、銅、金、インジウムスズ酸化物、モリブデン、ニッケル、パ
ラジウムおよび白金を含む金属ナノインクも同様に、グリッドの反射性を高める（または
、それらの拡散率を低減する）と考えられる。線の面の反射率を改善する材料は、導電性
金属、合金または金属酸化物であり得るが、これは必須ではなく、反射増強層が適用され
る場合、これは主として遮蔽を低減して得られる太陽電池の効率を改善するように働き、
導電線の能力は、主にそのコアによって提供される。
In this example, the nano-silver ink was applied to the grooves after the release layer was formed, but this initial step can be considered optional, and properly formulated inks will allow for future lamination to be conductive. The wire can be sufficiently peeled from the flexible film. In addition to the silver exemplified above, metallic nanoinks including aluminum, chromium, cobalt, copper, gold, indium tin oxide, molybdenum, nickel, palladium, and platinum also enhance grid reflectivity (or reducing the spreading factor). The material that improves the reflectivity in the plane of the line can be a conductive metal, alloy or metal oxide, but this is not essential and if a reflection enhancing layer is applied this will primarily result in reduced shielding. work to improve the efficiency of the solar cell that is
A conductive line's capabilities are primarily provided by its core.
光反射材料は、銀ナノ粒子で作ることができ、それは、１～２０体積％の量で反射組成
物中に存在し得る。乾燥すると、光反射コーティングは、０．２～１０μｍの範囲の厚さ
を有し得る。
The light reflective material can be made of silver nanoparticles, which can be present in the reflective composition in an amount of 1-20% by volume. When dried, the light reflective coating can have a thickness in the range of 0.2-10 μm.
［複数組の溝］
先に詳述した本発明の実施形態では、１つのパターンの溝が形成され、次いで、乾燥組
成物のパターンを転写するのに最適な基板上への積層に先立って対象の組成物が充填され
る可撓性膜を説明した。（例えば、異なる形状、異なる寸法、異なるプロファイル、異な
る組成などの相違点を有する）個別のパターンを同じ基板上に形成する場合、本教示に従
う方法は適切であり得る。例えば、第１のパターンを有する第１の膜を基板の第１の面に
適用し、第２のパターンを有する第２の膜を該基板の第２の面に適用することができる。
基板の第１および第２の面は、基板の同側、典型的には重複しない領域にあり得るが、反
対側にあってもよい。さらに、各膜の各パターンは、同じまたは異なる組成物で充填され
ていてもよい。
[Multiple sets of grooves]
In the embodiments of the invention detailed above, one pattern of grooves is formed and then filled with the composition of interest prior to lamination onto a substrate suitable for transferring the pattern of the dry composition. A flexible membrane has been described. Methods in accordance with the present teachings may be suitable when distinct patterns (eg, having differences such as different shapes, different dimensions, different profiles, different compositions, etc.) are formed on the same substrate. For example, a first film having a first pattern can be applied to a first side of a substrate and a second film having a second pattern can be applied to a second side of the substrate.
The first and second sides of the substrate can be on the same side of the substrate, typically in non-overlapping regions, but can also be on opposite sides. Further, each pattern of each membrane may be filled with the same or different compositions.
例として、太陽電池では、集光側（ソーラー面）の導電線を、第１の膜から第１の組成
物の第１のパターンを転写することによって形成し、背面電極を、第２の膜から第２の組
成物の第２のパターンを転写することによって形成することができる。好ましくは、個別
のパターンは、積層ステップの間に付随して転写され、その際、圧力は、基板の各面にそ
れぞれ面する両方の膜に同時に加えられる。
By way of example, in a solar cell, the conductive lines on the light collecting side (solar face) are formed by transferring a first pattern of a first composition from a first film, and the back electrode is formed on a second film. can be formed by transferring the second pattern of the second composition from the Preferably, the discrete pattern is concomitantly transferred during the lamination step, wherein pressure is simultaneously applied to both films respectively facing each side of the substrate.
以下に説明するように、基板の同側に転写されることになる個別のパターンは、単一の
膜を使用して有利に得ることができる。図６は、それぞれ異なる材料で充填された複数組
の溝を有する膜を示す。このような膜は、基板上に異なるパターンの材料を提供するため
に利用することができる。例として、第１のパターンは、バスバーの形成を可能にし得る
一方で、第２のパターンは、フィンガーグリッド線の形成を可能にし得る。このような場
合、２つのパターンがいくつかの領域で交差することさえあり得るが、第１および第２の
パターンの組成物は、例えば、ガラスフリットの量において異なり得る。この例示的な実
施例では、グリッド線を形成するための第２のパターンの組成物は、完成した太陽電池に
おける基板と適切に電気的に接触するためのガラスフリットを含むが、バスラインを形成
するための第１のパターンの組成物には、多量のガラスフリットは必要ではない。いくつ
かの実施形態において、バスラインの作製に供する組成物は、ガラスフリットを含まなく
てもよい。バスラインは、基板と電気的に接続するのではなく、むしろグリッド線を相互
接続するために主に使用されるからである。
As explained below, discrete patterns to be transferred to the same side of the substrate can be advantageously obtained using a single film. FIG. 6 shows a membrane with multiple sets of grooves, each filled with a different material. Such films can be utilized to provide different patterns of material on a substrate. As an example, a first pattern may allow the formation of busbars, while a second pattern may allow the formation of finger gridlines. In such cases, the compositions of the first and second patterns may differ, for example, in the amount of glass frit, although the two patterns may even intersect in some areas. In this exemplary embodiment, the composition of the second pattern for forming the grid lines includes a glass frit for proper electrical contact with the substrates in the finished solar cell, but not for forming the bus lines. A large amount of glass frit is not required in the composition of the first pattern for forming. In some embodiments, the composition for making bus lines may be free of glass frit. This is because the bus lines are primarily used to interconnect the grid lines rather than electrically connecting to the substrate.
図６では、溝１１０Ａによって象徴される溝パターンは、膜１１０Ａにエンボス加工さ
れている。次いで、ドクターブレード１３０Ａを用いて、第１の溝パターンを第１の組成
物１２０Ａで充填する。ドクターブレード１３０Ａの作用は、加圧ローラ１３２Ａによっ
て、または任意の他の所望の方法によって支えられる。例えば、図１Ａ～１Ｄ、および図
３Ａ～３Ｄに関して上記により詳細に説明したように、複数の充填ステップを利用するこ
とができ、複数の充填および／または乾燥ステーションおよび／またはドクターブレード
を利用することができる（不図示）。同様に、溝間のスペースにおける組成物の除去を容
易にするために、クリーニングステーションを任意に含むことができる。
In FIG. 6, a groove pattern, symbolized by
例として、１４０Ａ、１４０Ｂ、１４０Ｃなどによって示される第１のパターンの溝を
満たしたら、溝１１２によって象徴される第２の組の溝を膜に形成する。次いで、ドクタ
ーブレード１３０Ｂを用いて、第２の組の溝を第２の組成物１２０Ｂで充填する。ドクタ
ーブレード１３０Ｂの作用は、加圧ローラ１３２Ｂによって、または任意の他の所望の方
法によって支えられる。第１のパターンの溝１４０Ａ、１４０Ｂ、１４０Ｃが既に充填さ
れているので、第２の組成物１２０Ｂは、第２のパターンの溝に適用される。第２の組の
溝は、所望の充填レベル１４２が達成されるまで、単一または複数の充填ステップ、ドク
ターブレード、流動助剤などによって充填することができる。したがって、膜は複数の溝
パターンを担持していてもよく、溝パターンの各々は所望の特性のセットを提供する組成
物を利用することができる。この図では、２つのパターンの溝はそれぞれ溝１１０Ａおよ
び１１２で示されており、これらは図に示された視点からは互いに平行に見え得るが、そ
うである必要はなく、一方のパターンの溝は、第２のパターンの溝に対して任意の所望の
配置および向きをとることができる。
By way of example, once the grooves of the first pattern indicated by 140A, 140B, 140C, etc. have been filled, a second set of grooves symbolized by
図６はまた、溝を形成するために様々な方法が利用され得ることを示している。第１の
組の溝が、ダイローラ１２０Ａ（１０４Ａは、対応する加圧ローラを表している）による
エンボス加工によって形成されているように描かれている一方で、第２の組の溝は、符号
１５０によって象徴される代替的な方法を利用して形成されている。そのような溝形成装
置は、膜１００Ａの一部を選択的に切除するための、または特定の場合には加熱によって
膜収縮を引き起こすための、専用パンチからレーザ源まで多くの装置の１つであり得る。
あるいは、溝のパターンは、フォトリソグラフィなどのパターニング技術によって可撓性
膜上に形成することができる。
FIG. 6 also shows that various methods can be utilized to form the grooves. While the first set of grooves is depicted as being formed by embossing with
Alternatively, a pattern of grooves can be formed on the flexible film by patterning techniques such as photolithography.
膜の溝を様々な組成物で充填したら、例えば、図３Ｄに２５０で示すように接着剤コー
ティングを塗布し、上述したように、パターン化された組成物を基板に転写するために、
膜を基板と接触させることができる。
Once the grooves in the membrane have been filled with various compositions, an adhesive coating is applied, for example, as shown at 250 in FIG. 3D, to transfer the patterned composition to the substrate as described above.
The membrane can be in contact with the substrate.
本方法が、様々なパターンと基板との間の適切な位置合わせを容易にし得ることが容易
に理解されよう。そのような位置合わせをさらに容易にすることができる方法で、パター
ンを可撓性膜上で互いに分離することができる。
It will be readily appreciated that the method can facilitate proper alignment between various patterns and the substrate. The patterns can be separated from each other on the flexible membrane in a manner that can further facilitate such alignment.
図１Ｅは、後に基板へ転写するための、複数の組成物を有する膜を製造することを目的
としたプロセスステップを反映するいくつかの破線要素を示す。第１のパターン溝を充填
した（３１５）後、任意の所望の方法によって、追加の組の溝を膜上に形成する（３４０
）。次いで、第２の組の溝を第２の組成物で充填する（３４５）（充填は、任意に、先の
パターンの溝を充填するのに使用された組成物のセット、またはその組成物とは異なる組
成物のセットの充填および乾燥のサイクルを繰り返して実行される）。第１のパターンと
は異なるパターンのためのこれらのプロセスステップは、破線３５５で示されるように、
任意の所望の回数繰り返すことができる。すべての所望のパターンが膜に形成されて所望
の材料ペーストで満たされると、プロセスは、膜を基板に接触させ、続いて材料を基板に
転写するステップ３５０（先に説明した３２０、３２５、および３３０を含む）へと続き
、最終ステップ３３５は、すべての転写されたパターンの材料を焼結するようになってい
る。いくつかの実施形態において、プロセスのステップは、連続的に実行されず、また同
じ主体によって実行されない。特定の実施形態では、材料が完全に焼結されていなくても
よく、いくつかの実施形態では、多数の組成物への損傷を防ぐために温度および他の環境
条件が調整される。
FIG. 1E shows several dashed line elements reflecting process steps aimed at producing a film with multiple compositions for subsequent transfer to a substrate. After filling 315 the first pattern grooves, additional sets of grooves are formed 340 on the film by any desired method.
). The second set of grooves is then filled 345 with a second composition (optionally, the set of compositions used to fill the grooves of the previous pattern, or is performed by repeating the filling and drying cycle of a set of different compositions). These process steps for a pattern different from the first pattern, as indicated by dashed
It can be repeated any desired number of times. Once all desired patterns have been formed in the film and filled with the desired material paste, the process proceeds to contact the film with the substrate, followed by
本開示の明細書および特許請求の範囲において、動詞「備える」、「含む」、および「
有する」のそれぞれ、ならびにその活用形の使用は、動詞の１つまたは複数の目的語が、
該動詞の主語のメンバー、組成物、要素、組成物、ステップまたは部分の完全なリストで
ある必要はないことを示している。
In the specification and claims of this disclosure, the verbs "comprise,""include," and "
Each use of "to have", as well as its conjugations, means that one or more objects of the verb are
It indicates that there need not be an exhaustive list of members, compositions, elements, compositions, steps or parts of the subject of the verb.
本明細書で使用されるとき、単数形の不定冠詞“ａ”，“ａｎ”および定冠詞“ｔｈｅ
”は、文脈からそうでないことが明らかでない限り複数の言及を含み、「少なくとも１つ
」または「１つ以上」を意味する。
As used herein, the singular indefinite articles “a”, “an” and the definite article “the
"" includes plural references and means "at least one" or "one or more" unless the context clearly dictates otherwise.
「上」、「下」、「右」、「左」、「底部」、「下方」、「下げられた」、「低い」、
「上部」、「上方」、「上げられた」、「高い」、「垂直」、「水平」、「背方」、「前
方」、「上流」、「下流」などの位置または動作を表す用語、ならびにそれらの文法的な
変形は、本明細書では、例示的な目的のためだけに使用され得るものであり、特定の構成
要素の相対位置、配置、または移動を示すこと、本例における第１および第２の構成要素
を示すこと、あるいはその両方を目的としたものである。このような用語は、例えば、「
底部」の構成要素が「上部」の構成要素の下にあることを必ずしも示しているわけではな
く、そのような方向、構成要素またはその両方は、反転、回転、空間移動され、対角線方
向もしくは対角線位置に配置、水平もしくは垂直に配置され得るものであり、あるいは同
様に変更され得るものである。
"top", "bottom", "right", "left", "bottom", "bottom", "lowered", "low",
Terms of position or action, such as "top", "upward", "raised", "high", "vertical", "horizontal", "backward", "forward", "upstream", "downstream" , as well as grammatical variations thereof, may be used herein for illustrative purposes only, to indicate the relative position, placement, or movement of certain components; It is intended to show first and/or second components. Such terms, for example,
It does not necessarily imply that the "bottom" component is below the "top" component, and that such orientation, component or both may be flipped, rotated, space shifted, diagonally or diagonally. It can be arranged in position, arranged horizontally or vertically, or can be similarly varied.
特に明記しない限り、選択のための選択肢リストの最後の２つの要素間の「および／ま
たは」という表現の使用は、列挙された選択肢のうちの１つまたは複数の選択が適切であ
り、かつ行われ得ることを示す。
Unless otherwise stated, the use of the phrase "and/or" between the last two elements of a list of alternatives for selection indicates that the choice of one or more of the enumerated alternatives is appropriate and the line show that it can be broken.
本開示において、特に明記しない限り、本技術の実施形態の１つまたは複数の特徴の条
件または関係特性を修正する「およそ」および「約」などの形容詞は、その条件または特
徴が、それが意図される用途のための実施形態の動作に許容される許容範囲内に定義され
るか、または実行されている測定および／もしくは使用されている測定機器から予測され
る変動内に定義されることを意味するものと理解される。さらに、特に明記しない限り、
本開示で使用される用語は、関連する用語の正確な意味から逸脱し得るが、本発明または
その関連部分が説明され、また当業者によって理解されるように動作し機能することを可
能にする許容範囲を有するものと解釈されるべきである。
In this disclosure, unless expressly stated otherwise, adjectives such as “approximately” and “about” modifying a term or relationship characteristic of one or more features of an embodiment of the technology do not indicate that that term or feature is intended. defined within the tolerances allowed for the operation of the embodiment for the intended application, or within the variations expected from the measurements being performed and/or the measuring equipment being used. be understood to mean In addition, unless otherwise stated,
The terms used in this disclosure may depart from the precise meaning of the terms associated with them to enable the invention, or relevant portions thereof, to operate and function as described and understood by those skilled in the art. should be interpreted as having tolerance.
本明細書に参照されている特定の商標は、コモンローまたは第三者の登録商標であり得
る。これらの商標の使用は一例であって、説明的であると解釈されるべきではなく、本開
示の範囲をそのような商標にのみ関連する材料に限定するべきではない。
Certain trademarks referenced herein may be common law or registered third party trademarks. The use of these trademarks is exemplary and should not be construed as illustrative, nor should the scope of this disclosure be limited to material relating solely to such trademarks.
本開示は、特定の実施形態および一般的に関連する方法に関して説明してきたが、実施
形態および方法の変更および置換は当業者に明らかであろう。本開示は、本明細書に記載
の特定の実施例によっては限定されないと理解されるべきである。
Although this disclosure has been described in terms of specific embodiments and generally associated methods, modifications and permutations of the embodiments and methods will be apparent to those skilled in the art. It should be understood that the disclosure is not limited by the particular examples described herein.
Claims (16)
前記膜は、前記基板の表面に適合することが可能である熱可塑性ポリマーからなるとともに溝のパターンを含む第１の面を有し、
前記溝は、導電性材料の粒子および接着剤を含む組成物で前記膜の前記第１の面と同じ高さになるように充填され、
前記組成物は、前記組成物にエネルギーが加えられると導電性になるように適合され、
前記第１の面の溝でない部分は、前記組成物を含まず、前記膜は、前記膜の前記第１の面と前記基板とが互いに押し付けられると、前記溝内の前記組成物および前記接着剤が前記膜よりも前記基板に強力に付着し、その後、前記基板から前記膜を分離すると、前記溝のパターンを反映するパターンで前記組成物が前記基板上に残る、可撓性膜。 A flexible film suitable for applying a pattern of electrical conductors to a substrate, comprising:
said membrane having a first surface comprised of a thermoplastic polymer capable of conforming to the surface of said substrate and containing a pattern of grooves;
the grooves are filled flush with the first surface of the membrane with a composition comprising particles of a conductive material and an adhesive;
the composition is adapted to become electrically conductive when energy is applied to the composition;
The non-groove portions of the first surface are free of the composition, and the film is formed with the composition in the grooves and the adhesive when the first surface of the film and the substrate are pressed together. A flexible film wherein an agent adheres more strongly to the substrate than the film, and wherein subsequent separation of the film from the substrate leaves the composition on the substrate in a pattern that reflects the pattern of the grooves.
前記剥離コーティングは前記膜と前記組成物との間に配置される、請求項１～６の何れか一項に記載の可撓性膜。 further comprising a release coating on the first surface of the membrane;
A flexible membrane according to any preceding claim, wherein the release coating is disposed between the membrane and the composition.
前記光調整コーティングは、前記膜と前記組成物との間に配置され、又は前記膜の前記第１の面上の剥離コーティングと前記組成物との間に配置される、請求項１～８の何れか一項に記載の可撓性膜。 further comprising a light modulating coating present only on the walls of said groove;
The light modulating coating of claims 1-8, wherein the light modulating coating is disposed between the film and the composition, or between a release coating on the first side of the film and the composition. A flexible membrane according to any one of the preceding claims.
前記接着剤コーティングは３μｍ以下の乾燥厚さを有し、前記溝内に存在するあらゆる組成物を被覆する、請求項１～９の何れか一項に記載の可撓性膜。 further comprising an adhesive coating present on said first side of said membrane;
A flexible membrane according to any one of the preceding claims, wherein said adhesive coating has a dry thickness of 3 µm or less and covers any composition present in said grooves.
前記パターン内の少なくとも２つの溝、若しくは同じ溝の２つの異なるセグメントは、深さおよび／若しくは幅および／若しくは断面プロファイルが互いに異なる、請求項１～１２の何れか一項に記載の可撓性膜。 grooves of the pattern of the first surface are identical to each other, or at least two grooves within the pattern, or two different segments of the same groove, have a depth and/or width and/or a cross-sectional profile Flexible membranes according to any one of claims 1 to 12, which are different from each other.
各線の少なくとも一部が、三角形、台形、多角形、半円形または半楕円形から選択されるテーパー断面形状を有し、
いずれの形状も少なくとも底幅ＷＢおよび高さｈを有し、前記高さと前記底幅との間の無次元アスペクト比ＡＳＰが、５：１～１：５、３：１～１：２、２：１～１：１または１．７５：１～１：１．７５の範囲である、請求項１～１３の何れか一項に記載の可撓性膜。 said grooves form continuous or discrete straight lines or curves;
at least a portion of each line has a tapered cross-sectional shape selected from triangular, trapezoidal, polygonal, semi-circular, or semi-elliptical;
Any shape has at least a base width WB and a height h, and a dimensionless aspect ratio ASP between said height and said base width of 5:1 to 1:5, 3:1 to 1:2, 2 :1 to 1:1 or 1.75:1 to 1:1.75.
少なくとも６０°であり、かつ最大９０°、最大８５°、若しくは最大８０°であり、お
よび／または、（ｂ）少なくとも０．７５、少なくとも１、若しくは少なくとも１．３であり、かつ最大８、最大４、若しくは最大２である平均勾配を有する、請求項１４に記載の可撓性膜。 (a) the tapered surface of the tapered cross-sectional shape forms an angle of at least 30°, at least 40°, at least 45°, at least 50°, or at least 60° with the first surface of the film; and up to 90°, up to 85°, or up to 80°; and/or (b) at least 0.75, at least 1, or at least 1.3 and up to 8, up to 4, or up to 2 15. The flexible membrane of Claim 14, having an average slope.
前記基板は、平坦な又は平坦ではない、硬質太陽電池ウェハ又は硬質でない太陽電池フィルムから選択される半導体の基板の面である、請求項１～１５の何れか一項に記載の可撓性膜。
the pattern of the grooves on the first side corresponds, at least in part, to a desired pattern of electrical conductors applied to the substrate;
The flexible membrane according to any one of the preceding claims, wherein said substrate is the surface of a semiconductor substrate selected from rigid solar cell wafers or non-rigid solar cell films, flat or non-planar. .
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB1613051.0 | 2016-07-28 | ||
| GBGB1613051.0A GB201613051D0 (en) | 2016-07-28 | 2016-07-28 | Applying an electrical conductor to a substrate |
| GBGB1709427.7A GB201709427D0 (en) | 2016-07-28 | 2017-06-14 | Applying electrical conductors to a substrate |
| GB1709427.7 | 2017-06-14 | ||
| JP2019504700A JP7013035B2 (en) | 2016-07-28 | 2017-07-28 | How to apply the electric conductor of the solar cell |
| PCT/IB2017/054626 WO2018020479A1 (en) | 2016-07-28 | 2017-07-28 | Application of electrical conductors of a solar cell |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019504700A Division JP7013035B2 (en) | 2016-07-28 | 2017-07-28 | How to apply the electric conductor of the solar cell |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022064898A JP2022064898A (en) | 2022-04-26 |
| JP7253852B2 true JP7253852B2 (en) | 2023-04-07 |
Family
ID=56936708
Family Applications (6)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019504710A Pending JP2019523559A (en) | 2016-07-28 | 2017-07-28 | Method of applying an electrical conductor to an electrically insulating substrate |
| JP2019504691A Active JP7311895B2 (en) | 2016-07-28 | 2017-07-28 | Equipment for applying conductor patterns to substrates |
| JP2019504700A Active JP7013035B2 (en) | 2016-07-28 | 2017-07-28 | How to apply the electric conductor of the solar cell |
| JP2022002861A Active JP7253852B2 (en) | 2016-07-28 | 2022-01-12 | Application method for electrical conductors in solar cells |
| JP2022111553A Pending JP2022163017A (en) | 2016-07-28 | 2022-07-12 | Device for applying electrical conductor pattern to substrate |
| JP2023039543A Pending JP2023082014A (en) | 2016-07-28 | 2023-03-14 | Application method of electrical conductor to electric insulation substrate |
Family Applications Before (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019504710A Pending JP2019523559A (en) | 2016-07-28 | 2017-07-28 | Method of applying an electrical conductor to an electrically insulating substrate |
| JP2019504691A Active JP7311895B2 (en) | 2016-07-28 | 2017-07-28 | Equipment for applying conductor patterns to substrates |
| JP2019504700A Active JP7013035B2 (en) | 2016-07-28 | 2017-07-28 | How to apply the electric conductor of the solar cell |
Family Applications After (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022111553A Pending JP2022163017A (en) | 2016-07-28 | 2022-07-12 | Device for applying electrical conductor pattern to substrate |
| JP2023039543A Pending JP2023082014A (en) | 2016-07-28 | 2023-03-14 | Application method of electrical conductor to electric insulation substrate |
Country Status (13)
| Country | Link |
|---|---|
| US (7) | US10973129B2 (en) |
| EP (4) | EP3491902B1 (en) |
| JP (6) | JP2019523559A (en) |
| KR (5) | KR20220164606A (en) |
| CN (4) | CN109565935B (en) |
| CA (3) | CA3032024C (en) |
| ES (1) | ES2868802T3 (en) |
| GB (2) | GB201613051D0 (en) |
| IL (2) | IL290336B (en) |
| MX (2) | MX2019001075A (en) |
| PL (1) | PL3491900T3 (en) |
| RU (1) | RU2758792C2 (en) |
| WO (3) | WO2018020483A1 (en) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11751336B2 (en) * | 2016-07-28 | 2023-09-05 | Lumet Technologies, LTD. | Method for applying a pattern to a substrate |
| GB201613051D0 (en) * | 2016-07-28 | 2016-09-14 | Landa Labs (2012) Ltd | Applying an electrical conductor to a substrate |
| RU2697508C1 (en) * | 2018-06-19 | 2019-08-15 | Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Всероссийский Научно-Исследовательский Институт Автоматики Им.Н.Л.Духова" (Фгуп "Внииа") | Manufacturing method of printed-circuit boards and device for production of conducting circuit |
| WO2020023053A1 (en) * | 2018-07-27 | 2020-01-30 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Cleaning electrophotographic printing drums |
| DE102018123261A1 (en) * | 2018-09-21 | 2020-03-26 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Process for applying conductor material to substrates |
| GB2592557A (en) * | 2019-10-22 | 2021-09-08 | Landa Labs 2012 Ltd | Transferable composition and methods for preparing and using the same |
| GB2591723B (en) | 2019-10-22 | 2022-09-14 | Lumet Tech Ltd | Method and apparatus for introducing a substrate into a nip |
| IL272290A (en) * | 2020-01-27 | 2021-07-29 | Creative Ic3D Ltd | Semi additive manufacturing process for producing printed electronics |
| CN112071921A (en) * | 2020-09-01 | 2020-12-11 | 深圳纳弘熠岦光学科技有限公司 | Grid line preparation method |
| GB2605622B (en) | 2021-04-07 | 2023-12-20 | Landa Labs 2012 Ltd | System for introducing a substrate into a nip |
| EP4178326A1 (en) * | 2021-11-09 | 2023-05-10 | Wuhan Dr Laser Technology Corp., Ltd. | Pattern transfer printing system and method |
| US11910537B2 (en) | 2021-11-09 | 2024-02-20 | Wuhan Dr Laser Technology Corp,. Ltd | Pattern transfer printing systems and methods |
| CN114709278B (en) * | 2022-06-06 | 2022-08-23 | 一道新能源科技(衢州)有限公司 | Method for preparing crystalline silicon solar cell electrode by laser melting |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000183503A (en) | 1998-12-11 | 2000-06-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of wiring board and conductor paste to be used therefor |
| JP2004063943A (en) | 2002-07-31 | 2004-02-26 | Koa Corp | Conductive pattern forming method |
| US20130020110A1 (en) | 2010-04-09 | 2013-01-24 | Korea Institute Of Machinery & Materials | Method of manufacturing film product using thermal roll imprinting and blade coating, and security film and film integral electric device using the same |
| JP2016058664A (en) | 2014-09-11 | 2016-04-21 | コネクテックジャパン株式会社 | Substrate having conductive part |
Family Cites Families (101)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1196201A (en) * | 1967-09-19 | 1970-06-24 | Tokyo Shibaura Electric Co | A method of Printing Electrical Circuits onto Substrates |
| US3984244A (en) | 1974-11-27 | 1976-10-05 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for laminating a channeled photosensitive layer on an irregular surface |
| US4476002A (en) | 1982-06-29 | 1984-10-09 | Union Carbide Corporation | Metal current carrier for electrochemical cell electrodes |
| JPS63239895A (en) * | 1986-11-19 | 1988-10-05 | 株式会社日立製作所 | Method and apparatus for manufacture of printed circuit |
| DE3840704A1 (en) * | 1987-12-02 | 1989-07-06 | Mitsubishi Gas Chemical Co | METHOD FOR PRODUCING A COPPER PLATED LAYER |
| US5037023A (en) | 1988-11-28 | 1991-08-06 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for wire bonding |
| US5176310A (en) | 1988-11-28 | 1993-01-05 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for wire bond |
| JP2870023B2 (en) * | 1989-07-24 | 1999-03-10 | 凸版印刷株式会社 | Pattern transfer method and apparatus using thermal roll |
| JP3239898B2 (en) * | 1990-03-02 | 2001-12-17 | 大日本印刷株式会社 | Thick film pattern forming method |
| DE69121449T2 (en) * | 1990-04-12 | 1997-02-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Conductive ink composition and method of making a thick layer pattern |
| CA2073575A1 (en) | 1991-07-19 | 1993-01-20 | Paul C. Koehler | Pleated metal article |
| JP2634724B2 (en) * | 1992-01-24 | 1997-07-30 | 日立テクノエンジニアリング株式会社 | Thick film forming method |
| JP3039285B2 (en) * | 1993-09-21 | 2000-05-08 | 松下電器産業株式会社 | Electronic component and method of manufacturing the same |
| US5609704A (en) * | 1993-09-21 | 1997-03-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating an electronic part by intaglio printing |
| JPH08160216A (en) * | 1994-12-02 | 1996-06-21 | Dainippon Printing Co Ltd | Transfer method and transfer device used therefor |
| TW353762B (en) * | 1996-10-21 | 1999-03-01 | Dainippon Printing Co Ltd | Transfer sheet, and pattern-forming method |
| JP3376552B2 (en) * | 1996-11-05 | 2003-02-10 | 株式会社トクヤマ | Substrate centering device |
| US6207268B1 (en) * | 1996-11-12 | 2001-03-27 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Transfer sheet, and pattern-forming method |
| JP3173439B2 (en) * | 1997-10-14 | 2001-06-04 | 松下電器産業株式会社 | Ceramic multilayer substrate and method of manufacturing the same |
| JPH11312860A (en) | 1998-04-27 | 1999-11-09 | Jsr Corp | Manufacture of electrode and transfer film |
| US6374733B1 (en) * | 1998-12-07 | 2002-04-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing ceramic substrate |
| JP3951508B2 (en) * | 1999-06-11 | 2007-08-01 | 松下電器産業株式会社 | Manufacturing method of electronic parts |
| JP3831179B2 (en) | 1999-06-29 | 2006-10-11 | 株式会社東芝 | Semiconductor device manufacturing method and pattern forming method |
| EP1336999A4 (en) * | 2000-10-31 | 2006-08-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | High polymer electrolyte fuel cell |
| GB0106417D0 (en) * | 2001-03-15 | 2001-05-02 | Oxford Biosensors Ltd | Transfer screen-printing |
| JP2003031948A (en) * | 2001-07-12 | 2003-01-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of manufacturing ceramic multilayer board |
| US6591496B2 (en) * | 2001-08-28 | 2003-07-15 | 3M Innovative Properties Company | Method for making embedded electrical traces |
| US20030108664A1 (en) | 2001-10-05 | 2003-06-12 | Kodas Toivo T. | Methods and compositions for the formation of recessed electrical features on a substrate |
| JP2003223906A (en) | 2002-01-30 | 2003-08-08 | Aisin Seiki Co Ltd | Manufacturing method of conductive component and manufacturing method of separator for fuel cell |
| US6964722B2 (en) * | 2002-08-07 | 2005-11-15 | Trio Industries Holdings, L.L.C. | Method for producing a wood substrate having an image on at least one surface |
| US6805809B2 (en) * | 2002-08-28 | 2004-10-19 | Board Of Trustees Of University Of Illinois | Decal transfer microfabrication |
| US6703114B1 (en) | 2002-10-17 | 2004-03-09 | Arlon | Laminate structures, methods for production thereof and uses therefor |
| JP4111116B2 (en) * | 2002-12-05 | 2008-07-02 | 株式会社村田製作所 | Method for forming thick film wiring and method for manufacturing multilayer electronic component |
| AU2003258741A1 (en) | 2003-03-05 | 2004-09-28 | Outokumpu Oyj | Method and system for manufacturing an electrically conductive metal foil structure |
| JP4269745B2 (en) * | 2003-03-31 | 2009-05-27 | 株式会社日立製作所 | Stamper and transfer device |
| JP2005011877A (en) * | 2003-06-17 | 2005-01-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method for forming circuit pattern |
| JP2005234206A (en) * | 2004-02-19 | 2005-09-02 | Fuji Xerox Co Ltd | Recording material cooling apparatus |
| TWI347151B (en) | 2004-03-19 | 2011-08-11 | Panasonic Corp | Flexible substrate having interlaminar junctions, and process for producing the same |
| JP2005276983A (en) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electronic component, and manufacturing method and printing method thereof |
| JP2005328025A (en) | 2004-04-13 | 2005-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacturing method of surface mount electronic component, surface mount electronic component manufactured by manufacturing method, and electronic apparatus using same |
| JP3960320B2 (en) * | 2004-04-19 | 2007-08-15 | 松下電器産業株式会社 | Wiring board, balun using the same, and manufacturing method of wiring board |
| US7414313B2 (en) | 2004-12-22 | 2008-08-19 | Eastman Kodak Company | Polymeric conductor donor and transfer method |
| US20060200980A1 (en) * | 2005-03-09 | 2006-09-14 | Gagne Norman P | System for producing flexible circuits |
| US20060260944A1 (en) | 2005-05-19 | 2006-11-23 | The Regents Of The University Of California | Method and apparatus for dielectrophoretic separation |
| KR100715199B1 (en) * | 2005-09-28 | 2007-05-07 | 조현철 | Automatic Inspection Machine for Printed Circuit Board |
| WO2007094476A1 (en) | 2006-02-14 | 2007-08-23 | Showa Denko K.K. | Light-emitting diode |
| EP1998383B1 (en) | 2006-02-27 | 2016-12-28 | Kyocera Corporation | Method for manufacturing ceramic member, and ceramic member for gas sensor device, fuel cell device, filter device, multi-layer piezoelectric device, injection apparatus, and fuel injection system |
| EP1996734B1 (en) | 2006-03-09 | 2018-08-01 | The Regents of The University of California | Method and apparatus for target detection using electrode-bound viruses |
| US7744714B2 (en) | 2006-11-20 | 2010-06-29 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Paste patterns formation method and transfer film used therein |
| US20080229941A1 (en) | 2007-03-19 | 2008-09-25 | Babak Heidari | Nano-imprinting apparatus and method |
| DE102007027999A1 (en) | 2007-06-14 | 2008-12-18 | Leonhard Kurz Gmbh & Co. Kg | Hot embossing of structures |
| US20090025595A1 (en) * | 2007-07-25 | 2009-01-29 | Nano Terra Inc. | Contact Printing Method Using an Elastomeric Stamp Having a Variable Surface Area and Variable Shape |
| TW200920687A (en) * | 2007-11-02 | 2009-05-16 | Delta Electronics Inc | Method for treating surface of element |
| JP5453292B2 (en) | 2007-11-26 | 2014-03-26 | エス・ディ・ウォレン・カンパニー | Method for manufacturing an electronic device |
| JP2009172965A (en) | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Fujifilm Corp | Apparatus and method for peeling off photosensitive web |
| US8470701B2 (en) * | 2008-04-03 | 2013-06-25 | Advanced Diamond Technologies, Inc. | Printable, flexible and stretchable diamond for thermal management |
| US8720052B2 (en) * | 2008-05-20 | 2014-05-13 | 3M Innovative Properties Company | Method for continuous sintering on indefinite length webs |
| US8383929B2 (en) | 2008-07-18 | 2013-02-26 | Solyndra Llc | Elongated photovoltaic devices, methods of making same, and systems for making same |
| JP2010062170A (en) | 2008-09-01 | 2010-03-18 | Casio Comput Co Ltd | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| EP2357876A4 (en) | 2008-09-05 | 2012-04-25 | Sumitomo Bakelite Co | Electroconductive connecting material, method for connecting terminals to each other using the electroconductive connecting material, and method for manufacturing connecting terminal |
| JP5646492B2 (en) * | 2008-10-07 | 2014-12-24 | エムシー１０ インコーポレイテッドＭｃ１０，Ｉｎｃ． | Stretchable integrated circuit and device with sensor array |
| JP2010129604A (en) | 2008-11-25 | 2010-06-10 | Fujikura Ltd | Circuit board and manufacturing method of the same |
| EP2384102A4 (en) * | 2008-12-22 | 2012-08-08 | Fujitsu Ltd | Electronic component and method for manufacturing same |
| JP2010161298A (en) | 2009-01-09 | 2010-07-22 | Denso Corp | Method for filling conductive paste and method for manufacturing multilayer substrate |
| JP5319326B2 (en) * | 2009-02-25 | 2013-10-16 | 株式会社東芝 | Method for forming uneven pattern and sheet for forming uneven pattern |
| JP2010239101A (en) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Hidejiro Ono | Method of forming pattern and printing machine |
| JP2010267357A (en) * | 2009-05-18 | 2010-11-25 | Hitachi High-Technologies Corp | Method and device for manufacturing patterned medium |
| CN104241445B (en) * | 2009-05-26 | 2017-01-18 | 株式会社Lg化学 | Method for preparation of front electrode for solar cell of high efficiency |
| JP5206616B2 (en) | 2009-07-31 | 2013-06-12 | 味の素株式会社 | Composition for gastrointestinal imaging in CT colonography |
| KR20120092600A (en) | 2009-09-30 | 2012-08-21 | 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 | Conductive connection material, method for connection between terminals and method for manufacturing connecting terminal |
| EP2519088A1 (en) | 2009-12-24 | 2012-10-31 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Conductive connection material, electronic component producing method, and electronic member and electronic component with conductive connection material |
| US20110209749A1 (en) * | 2010-01-07 | 2011-09-01 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology | Pattern transfer method and apparatus, flexible display panel, flexible solar cell, electronic book, thin film transistor, electromagnetic-shielding sheet, and flexible printed circuit board applying thereof |
| US8480942B2 (en) * | 2010-01-27 | 2013-07-09 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Method of forming a patterned layer of a material on a substrate |
| KR101622438B1 (en) | 2010-01-29 | 2016-05-18 | 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 | Conductive connection sheet, method for connecting terminals, method for forming connection terminal, semiconductor device, and electronic device |
| US9012335B2 (en) | 2010-03-12 | 2015-04-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same |
| DE102010015659A1 (en) * | 2010-04-20 | 2011-10-20 | Giesecke & Devrient Gmbh | Transfer method for the production of conductor structures by means of nanoinks |
| KR20130100950A (en) | 2010-07-05 | 2013-09-12 | 디아이씨 가부시끼가이샤 | Substrate with a transparent conductive layer, manufacturing method for said substrate, transparent conductive film laminate for use in a touch panel, and touch panel |
| JP2012142539A (en) | 2010-12-14 | 2012-07-26 | Mitsubishi Materials Corp | Back electrode tape for thin film solar cell and manufacturing method of thin film solar cell using back electrode tape |
| WO2012097163A1 (en) * | 2011-01-14 | 2012-07-19 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Optical component array having adjustable curvature |
| JP5717595B2 (en) * | 2011-03-29 | 2015-05-13 | 株式会社ミマキエンジニアリング | Curved surface printing method and printing system |
| JP2012213864A (en) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Toppan Printing Co Ltd | Printing plate and method of manufacturing the printing plate |
| KR101358254B1 (en) * | 2012-02-06 | 2014-02-06 | 하나마이크로(주) | Method to form a pattern of functional composition on a substrate and electronic device having a pattern of functional composition |
| JPWO2013118217A1 (en) | 2012-02-10 | 2015-05-11 | 日本電気株式会社 | Manufacturing method of sheet lamination module |
| JP2014004819A (en) | 2012-05-28 | 2014-01-16 | Hitachi High-Technologies Corp | Pattern forming method and forming apparatus thereof |
| CN102806660B (en) * | 2012-08-16 | 2014-10-15 | 上海交通大学 | Device and method for processing polymer film surface microstructure based on roll-to-roll hot rolling |
| JP5189705B1 (en) | 2012-09-25 | 2013-04-24 | 田中貴金属工業株式会社 | Sensor electrode, manufacturing method thereof, and metal paste for electrode formation |
| IN2015DN03284A (en) | 2012-10-31 | 2015-10-09 | Hewlett Packard Indigo Bv | |
| KR101604886B1 (en) * | 2012-12-06 | 2016-03-25 | (주)엘지하우시스 | Sound absorptive sheet having microresonance structure and method of manufacturing the same and sound absorption type soundproof panel using the same |
| JP5889439B2 (en) * | 2012-12-25 | 2016-03-22 | 三菱電機株式会社 | Printing method, printing apparatus, and method for manufacturing solar cell using the same |
| US8936461B2 (en) * | 2013-03-14 | 2015-01-20 | Dominic Palazzolo | Transfer device and method of using |
| JP5963205B2 (en) * | 2013-06-28 | 2016-08-03 | 株式会社都ローラー工業 | Method for forming carbon-based material film |
| KR101436123B1 (en) | 2013-07-09 | 2014-11-03 | 피에스아이 주식회사 | Display including nano-scale LED and method for manufacturing thereof |
| KR102138519B1 (en) * | 2013-11-08 | 2020-07-28 | 엘지전자 주식회사 | Decor panel for home appliances and apparatus for manufacturing the same |
| RU2593463C2 (en) * | 2013-12-23 | 2016-08-10 | Станислав Викторович Хартов | Method for producing conductive mesh micro- and nanostructures and structure therefor |
| US20170013724A1 (en) | 2014-02-28 | 2017-01-12 | Utilight Ltd | Tracks patterns production apparatus |
| JP6063411B2 (en) * | 2014-03-28 | 2017-01-18 | 富士フイルム株式会社 | Conductive film, conductive film manufacturing method, and touch panel |
| WO2015156316A1 (en) | 2014-04-08 | 2015-10-15 | 株式会社フジクラ | Wiring body and wiring substrate |
| US9437754B2 (en) * | 2014-11-10 | 2016-09-06 | E I Du Pont De Nemours And Company | Method of manufacturing electrical device |
| EP3190488B1 (en) | 2014-12-26 | 2019-05-15 | Fujikura Ltd. | Wiring body, wiring board, touch sensor and method for producing wiring body |
| WO2016199543A1 (en) * | 2015-06-08 | 2016-12-15 | 株式会社瑞光 | Composite sheet, and device and method for manufacturing composite sheet |
| GB201613051D0 (en) | 2016-07-28 | 2016-09-14 | Landa Labs (2012) Ltd | Applying an electrical conductor to a substrate |
-
2016
- 2016-07-28 GB GBGB1613051.0A patent/GB201613051D0/en not_active Ceased
-
2017
- 2017-06-14 GB GBGB1709427.7A patent/GB201709427D0/en not_active Ceased
- 2017-07-28 CA CA3032024A patent/CA3032024C/en active Active
- 2017-07-28 CN CN201780046481.1A patent/CN109565935B/en active Active
- 2017-07-28 JP JP2019504710A patent/JP2019523559A/en active Pending
- 2017-07-28 CN CN201780046508.7A patent/CN109565936B/en active Active
- 2017-07-28 KR KR1020227039854A patent/KR20220164606A/en active IP Right Grant
- 2017-07-28 KR KR1020197005861A patent/KR102369972B1/en active IP Right Grant
- 2017-07-28 CA CA3032108A patent/CA3032108C/en active Active
- 2017-07-28 KR KR1020197005858A patent/KR20190034296A/en not_active Application Discontinuation
- 2017-07-28 KR KR1020197005859A patent/KR20190033088A/en not_active IP Right Cessation
- 2017-07-28 PL PL17751140T patent/PL3491900T3/en unknown
- 2017-07-28 MX MX2019001075A patent/MX2019001075A/en unknown
- 2017-07-28 KR KR1020227039855A patent/KR102655113B1/en active IP Right Grant
- 2017-07-28 EP EP17751485.8A patent/EP3491902B1/en active Active
- 2017-07-28 EP EP17751141.7A patent/EP3491901B1/en active Active
- 2017-07-28 CN CN202210976708.5A patent/CN115458614A/en active Pending
- 2017-07-28 MX MX2023001879A patent/MX2023001879A/en unknown
- 2017-07-28 CN CN201780046494.9A patent/CN109496461B/en active Active
- 2017-07-28 IL IL290336A patent/IL290336B/en unknown
- 2017-07-28 EP EP20216728.4A patent/EP3826438B1/en active Active
- 2017-07-28 WO PCT/IB2017/054632 patent/WO2018020483A1/en unknown
- 2017-07-28 WO PCT/IB2017/054629 patent/WO2018020481A1/en unknown
- 2017-07-28 ES ES17751140T patent/ES2868802T3/en active Active
- 2017-07-28 JP JP2019504691A patent/JP7311895B2/en active Active
- 2017-07-28 JP JP2019504700A patent/JP7013035B2/en active Active
- 2017-07-28 WO PCT/IB2017/054626 patent/WO2018020479A1/en active Application Filing
- 2017-07-28 EP EP17751140.9A patent/EP3491900B1/en active Active
- 2017-07-28 CA CA3031869A patent/CA3031869C/en active Active
- 2017-07-28 RU RU2018146300A patent/RU2758792C2/en active
-
2019
- 2019-01-20 IL IL264329A patent/IL264329B/en unknown
- 2019-01-28 US US16/258,808 patent/US10973129B2/en active Active
- 2019-01-28 US US16/258,892 patent/US10834824B2/en active Active
- 2019-01-28 US US16/258,851 patent/US10645815B2/en active Active
-
2020
- 2020-03-26 US US16/831,794 patent/US20200229308A1/en not_active Abandoned
- 2020-10-01 US US17/060,078 patent/US11546999B2/en active Active
- 2020-12-23 US US17/132,472 patent/US11832395B2/en active Active
-
2021
- 2021-01-19 US US17/151,664 patent/US11570902B2/en active Active
-
2022
- 2022-01-12 JP JP2022002861A patent/JP7253852B2/en active Active
- 2022-07-12 JP JP2022111553A patent/JP2022163017A/en active Pending
-
2023
- 2023-03-14 JP JP2023039543A patent/JP2023082014A/en active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000183503A (en) | 1998-12-11 | 2000-06-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of wiring board and conductor paste to be used therefor |
| JP2004063943A (en) | 2002-07-31 | 2004-02-26 | Koa Corp | Conductive pattern forming method |
| US20130020110A1 (en) | 2010-04-09 | 2013-01-24 | Korea Institute Of Machinery & Materials | Method of manufacturing film product using thermal roll imprinting and blade coating, and security film and film integral electric device using the same |
| JP2016058664A (en) | 2014-09-11 | 2016-04-21 | コネクテックジャパン株式会社 | Substrate having conductive part |
Also Published As
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7253852B2 (en) | Application method for electrical conductors in solar cells | |
| AU2022204798B2 (en) | Membranes for application of electrical conductors to a substrate | |
| TWI660516B (en) | Mechanically deformed metal particles | |
| US11877402B2 (en) | Application of electrical conductors of a solar cell | |
| BR122023000569B1 (en) | FLEXIBLE MEMBRANE SUITABLE FOR APPLYING A PATTERN OF ELECTRICAL CONDUCTORS TO A SUBSTRATE FORMED BY A SURFACE OF A SOLAR CELL | |
| BR112019001584B1 (en) | APPLICATION OF ELECTRICAL CONDUCTORS OF A SOLAR CELL | |
| US20230292445A1 (en) | Application of electrical conductors to an electrically insulating substrate |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220207 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220207 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20221024 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221025 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221216 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20221216 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230314 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230320 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7253852 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |