JP7252378B2 - 試料保持具 - Google Patents

試料保持具 Download PDF

Info

Publication number
JP7252378B2
JP7252378B2 JP2021575782A JP2021575782A JP7252378B2 JP 7252378 B2 JP7252378 B2 JP 7252378B2 JP 2021575782 A JP2021575782 A JP 2021575782A JP 2021575782 A JP2021575782 A JP 2021575782A JP 7252378 B2 JP7252378 B2 JP 7252378B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
internal wiring
heating resistor
resistance value
wiring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2021575782A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2021157523A1 (ja
Inventor
優志 積久
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Publication of JPWO2021157523A1 publication Critical patent/JPWO2021157523A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7252378B2 publication Critical patent/JP7252378B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

本開示は、半導体集積回路の製造工程または液晶表示装置の製造工程等において用いられる、半導体ウエハ等の試料を保持する試料保持具に関するものである。
従来技術の一例は、特許文献1に記載されている。
特開2019-153708
本開示の試料保持具は、試料保持面である第1面および該第1面と反対側の第2面を有する板状の絶縁基体と、前記絶縁基体の前記第2面に設けられた発熱抵抗体と、前記絶縁基体の内部に設けられた内部配線と、を備える。前記第2面は、複数の領域に区画されており、前記複数の領域は、平面視において、前記内部配線の一部と前記発熱抵抗体の一部とを含む第1領域と、前記内部配線を含まず、前記発熱抵抗体の他の一部を含む第2領域とを有する。前記発熱抵抗体の、前記第1領域に含まれる部分の電気抵抗値を、前記発熱抵抗体の、前記第2領域に含まれる部分の電気抵抗値より低くしている。
本開示の目的、特色、および利点は、下記の詳細な説明と図面とからより明確になるであろう。
第1実施形態の試料保持具の断面図である。 試料保持具の内部配線を示す平面図である。 試料保持具の発熱抵抗体を示す平面図である。 試料保持具の部分拡大図である。 試料保持具の部分拡大図である。 試料保持具の部分拡大図である。 第2実施形態の試料保持具の断面図である。 試料保持具の部分拡大図である。 図3Bの切断面線VI-VIにおける試料保持具の断面図である。 図3Cの切断面線VII-VIIにおける試料保持具の断面図である。
本開示の試料保持具の基礎となる構成である半導体製造装置等に用いられる試料保持具として、例えば、特許文献1に記載の保持装置が知られている。特許文献1に記載の保持装置は、ヒータ電極と給電部とを接続するためのドライバ電極が、セラミック部材に内層されている。
セラミック部材に内層されたドライバ電極(内層配線)は、通電により発熱することがあり、この発熱が、試料保持具の表面において温度分布の不均一化を生じさせる場合がある。
以下、試料保持具100について、図面を参照して説明する。図1は、第1実施形態の試料保持具を示す断面図である。図2Aは、試料保持具の内部配線を示す平面図である。図2Bは、試料保持具の発熱抵抗体を示す平面図である。試料保持具100は、絶縁基体10と、発熱抵抗体11と、内部配線12と、を備える。試料保持具100は、さらに、支持体20と、接合材30とを備えていてもよい。
絶縁基体10は、第1面10aおよび該第1面10aと反対側の第2面10bを有するセラミック体であり、第1面10aが、試料を保持する試料保持面である。絶縁基体10は、板状の部材であって、外形状は限定されず、例えば円板状または角板状であってもよい。
絶縁基体10は、例えばセラミック材料で構成される。セラミック材料としては、例えばアルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素またはイットリア等とすることができる。絶縁基体10の外形寸法は、例えば直径(または辺長)を200~500mm、厚みを2~15mmにすることができる。
試料保持具100は、図2Bに示すように、絶縁基体10の第2面10bに発熱抵抗体11が設けられており、内部には、図2Aに示すように、内部配線12が設けられている。発熱抵抗体11と内部配線12とは、第1貫通導体13によって電気的に接続される。また、内部配線12は、通電のために、第2貫通導体14によって、外部電源などと接続するための外部配線21と接続される。本実施形態では、第1貫通導体13が外方に外周側に位置しており、第2貫通導体14が中央側に位置している。第2貫通導体14を中央側に集めて、外部との接続を容易にしている。発熱抵抗体11は、第2面10b全体にわたって設けられており、発熱抵抗体11が発熱することで、試料保持面である第1面10a全体にわたって加熱される。発熱抵抗体11および内部配線12は、例えば、金属材料を有する。金属材料としては、例えば、白金、タングステンまたはモリブデン等の金属材料を有する。
試料保持具100は、例えば、試料保持面である絶縁基体10の第1面10aよりも上方においてプラズマを発生させて用いられる。プラズマは、例えば、外部に設けられた複数の電極間に高周波を印加することによって、電極間に位置するガスを励起させ、発生させることができる。
支持体20は、金属製であり、絶縁基体10を支持するための部材である。金属材料としては、例えば、アルミニウムを用いることができる。支持体20の外形状は特に限定されず、円形状または四角形状であってもよい。支持体20の外形寸法は、例えば直径(または辺長)を200~500mmに、厚さを10~100mmにすることができる。支持体20は、絶縁基体10と同じ外形状であってもよく、異なる外形状であってもよく、同じ外形寸法であってもよく、異なる外形寸法であってもよい。
支持体20と絶縁基体10とは、接合材30を介して接合されている。具体的には、支持体20の第1面20aと絶縁基体10の第2面10bとが、接合材30によって接合されている。接合材30としては、例えば、樹脂材料の接着剤を用いることができる。樹脂材料としては、例えば、シリコーン樹脂などを用いることができる。
図1に示すように、絶縁基体10は、第1面10aから第2面10bまで貫通する貫通孔である第1貫通孔15を有していてもよい。また、支持体20は、第1面20aから第1面20aと反対側の第2面20bまで貫通する第2貫通孔16を有していてもよい。第2貫通孔16と第1貫通孔15とは連通しており、絶縁基体10の第1面10aから、接合材30を通って、支持体20の第2面20bまで連続した孔となっている。第2貫通孔16および第1貫通孔15は、例えば、ヘリウム等のプラズマ発生用ガスを、支持体20の第2面20b側から試料保持面である絶縁基体10の第1面10a側に流入させるためのガス流入孔として設けられている。なお、支持体20の中央部には、絶縁基体10の第2貫通導体14と接続した外部配線21を外部に導出するための貫通孔22が設けられている。
図2Bに示すように、絶縁基体10の第2面10bは、例えば円形であり、仮想的な境界線Lによって、複数の領域Sに区画されている。本実施形態では、第2面10bの中心から放射状に延びる直線状の境界線Lによって8等分され、さらに第2面10bの1/2の半径の同心円状の境界線Lによって区画されている。これにより、第2面10bの中央部分は、8つの扇型の領域Sに等分されており、外周部分は、円環が8つの領域Sに等分されており、第2面10bは、16の領域Sに区画されている。本実施形態の領域Sの形状および個数は、一例であって、これに限らず適宜設定することが可能である。なお、ここで言う等分とは、厳密な意味での等分である必要はなく、例えば、各領域Sの面積の差が、各領域Sの面積の20%以内であればよい。
図3Aは、試料保持具の部分拡大図である。図3Aでは、平面視において、領域Sと、内部配線12と、発熱抵抗体11との位置関係がわかりやすいように、内部配線12および発熱抵抗体11を実線で表している。試料保持具100の平面視において、第2面10bの複数の領域Sは、内部配線12の一部と発熱抵抗体11の一部との両方を含む第1領域S1と、内部配線12を含まず、発熱抵抗体11の他の一部を含む第2領域S2とを有する。発熱抵抗体11は、第2面10b全体を加熱するために、全体にわたって設けられているが、内部配線12は、発熱抵抗体11と外部電源とを接続するための配線であるので、必要な箇所に部分的に設ければよい。その場合、上記のように、内部配線12と発熱抵抗体11との両方が含まれる第1領域S1と、内部配線12は含まれずに、発熱抵抗体11のみが含まれる第2領域S2とがある。
内部配線12は、発熱抵抗体11のように意図して発熱させるものではなく、例えば、配線幅を、発熱抵抗体11より広くするなどして電気抵抗値を比較的低くしているが、それでも通電時には、発熱する可能性がある。この内部配線12の発熱量は、発熱抵抗体11の発熱量に比べて小さいものではあるが、内部配線12の発熱によって、絶縁基体10の第1面10aのうち、内部配線12が含まれる第1領域S1に対応する領域では、発熱抵抗体11の発熱量に、内部配線12の発熱量が加わることとなる。第1領域S1に対応する領域は、第1面10aのうち、内部配線12を含まない第2領域S2に対応する領域よりも発熱量が大きくなり、試料保持面(第1面10a)における温度分布が不均一化する。本実施形態では、第1領域S1に含まれる部分の発熱抵抗体11の電気抵抗値を、第2領域S2に含まれる部分の発熱抵抗体11の電気抵抗値より低くしている。
上記のように、試料保持面(第1面10a)における温度分布の不均一化は、第1領域S1における内部配線12の発熱によって生じる、第1領域S1と第2領域S2との発熱量の差分が原因となっている。本実施形態では、第1領域S1に含まれる部分の発熱抵抗体11の電気抵抗値を相対的に低くすることで、発熱抵抗体11による発熱量を相対的に小さくすることができる。これにより、第1領域S1と第2領域S2との発熱量の差分を低減して、試料保持面の温度分布が不均一化することを抑制することができる。なお、本実施形態において、領域Sに内部配線12の一部を含むとは、少しでも含まれれば、含むとすることができる。例えば、平面視において、領域Sの面積のうち、内部配線12が占める面積の割合が、20%以上の場合は、より温度分布の不均一化を抑制することができる。
第1領域S1に含まれる部分の発熱抵抗体11の電気抵抗値を、第2領域S2に含まれる部分の発熱抵抗体11の電気抵抗値より低くするには、例えば、第1領域S1に含まれる部分の発熱抵抗体11の配線幅を、第2領域S2に含まれる部分の発熱抵抗体11の配線幅よりも大きくする、第1領域S1に含まれる部分の発熱抵抗体11の配線厚さを、第2領域S2に含まれる部分の発熱抵抗体11の配線厚さよりも大きくする、などで実現できる。配線幅と配線厚さの両方を上記のように異ならせてもよく、いずれか一方を上記のように異ならせてもよい。また、配線幅と配線厚さを同じままとして、第1領域S1に含まれる部分の発熱抵抗体11の材料を、第2領域S2に含まれる部分の発熱抵抗体11の材料より抵抗率(例えば、体積固有抵抗)が低い材料としてもよい。発熱抵抗体11の材料を、複数の材料の組み合わせとする場合は、複数の材料の混合割合を変化させて、抵抗率を低い材料としてもよい。さらに、配線幅と配線厚さの両方に加えて、材料の抵抗率も異ならせるようにしてもよい。
第2面10bの複数の領域Sには、第1領域S1に相当する領域が、複数含まれていてもよい。複数含まれている場合、発熱抵抗体11の電気抵抗値を、各第1領域S1で同程度に低くしてもよく、第1領域S1ごとに異なるようにしてもよい。例えば、第1領域S1に含まれる内部配線12の割合に応じて異ならせてもよい。平面視において、第1領域S1ごとに、第1領域S1の面積に占める内部配線12の面積の割合を求め、求めた割合に応じて、第1領域S1に含まれる発熱抵抗体11の電気抵抗値の低下量を異ならせてもよい。電気抵抗値の低下量は、配線幅の変化量、配線厚さの変化量、発熱抵抗体11の材料の選択(複数材料の混合割合を含む)によって調整することができる。
また、内部配線12の一部は、図3Bに示すように、分岐部分を有していてもよい。内部配線12を含む第1領域S1は、この分岐部分を含む第1A領域S1Aと、分岐部分を含まない第1B領域S1Bとを有する。内部配線12の分岐部分では、角部における電流の集中、角部による電気抵抗値の上昇などによって、分岐部分を含まない内部配線12の部分よりも発熱量が大きくなる。すなわち、分岐部分が含まれる第1A領域S1Aは、含まない第1B領域S1Bよりも発熱量が大きくなる。この発熱量の違いにより、試料保持面(第1面10a)における温度分布が不均一化する。本実施形態では、第1A領域S1Aに含まれる部分の発熱抵抗体11の電気抵抗値を、第1B領域S1Bに含まれる部分の発熱抵抗体11の電気抵抗値より低くしている。
試料保持面(第1面10a)における温度分布の不均一化は、第1A領域S1Aの分岐部分によって生じる、第1A領域S1Aと第1B領域S1Bとの発熱量の差分が原因となっている。本実施形態では、第1A領域S1Aに含まれる部分の発熱抵抗体11の電気抵抗値を相対的に低くすることで、発熱抵抗体11による発熱量を相対的に小さくすることができる。これにより、第1A領域S1Aと第1B領域S1Bとの発熱量の差分を低減して、試料保持面の温度分布が不均一化することを抑制することができる。なお、第1A領域S1Aに含まれる部分の発熱抵抗体11の電気抵抗値は、上記と同様にして低くすることができる。
第1領域S1には、第1A領域S1Aに相当する領域が、複数含まれていてもよい。複数含まれている場合、発熱抵抗体11の電気抵抗値を、各第1A領域S1Aで同程度に低くしてもよく、第1A領域S1Aごとに異なるようにしてもよい。例えば、第1A領域S1Aに含まれる分岐部分の割合に応じて異ならせてもよい。平面視において、第1A領域S1Aごとに、第1A領域S1Aの面積に占める分岐部分の面積の割合を求め、求めた割合に応じて、第1A領域S1Aに含まれる発熱抵抗体11の電気抵抗値の低下量を異ならせてもよい。
さらに、試料保持具100は、内部配線12と発熱抵抗体11とを電気的に接続する第1貫通導体13、および内部配線12と外部配線とを電気的に接続する第2貫通導体14を備えていてもよい。内部配線12を含む第1領域S1は、第1貫通導体13または第2貫通導体14の少なくともいずれかを含む第1E領域S1Eと、第1貫通導体13および第2貫通導体14を含まない第1F領域S1Fとを有する。図3Cには、第1貫通導体13を含む第1E領域を示している。内部配線12と第1貫通導体13または第2貫通導体14との接続部分は、絶縁基体10の厚さ方向への屈曲部分または分岐部分となっている。接続部分の角部における電流の集中、角部による電気抵抗値の上昇などによって、接続部分を含まない内部配線12の部分よりも発熱量が大きくなる。すなわち、接続部分が含まれる第1E領域S1Eは、含まない第1F領域S1Fよりも発熱量が大きくなる。この発熱量の違いにより、試料保持面(第1面10a)における温度分布が不均一化する。本実施形態では、第1E領域S1Eに含まれる部分の発熱抵抗体11の電気抵抗値を、第1F領域S1Fに含まれる部分の発熱抵抗体11の電気抵抗値より低くしている。
試料保持面(第1面10a)における温度分布の不均一化は、第1E領域S1Eの接続部分によって生じる、第1E領域S1Eと第1F領域S1Fとの発熱量の差分が原因となっている。本実施形態では、第1E領域S1Eに含まれる部分の発熱抵抗体11の電気抵抗値を相対的に低くすることで、発熱抵抗体11による発熱量を相対的に小さくすることができる。これにより、第1E領域S1Eと第1F領域S1Fとの発熱量の差分を低減して、試料保持面の温度分布が不均一化することを抑制することができる。なお、第1E領域S1Eに含まれる部分の発熱抵抗体11の電気抵抗値は、上記と同様にして低くすることができる。
第1領域S1には、第1E領域S1Eに相当する領域が、複数含まれていてもよい。複数含まれている場合、発熱抵抗体11の電気抵抗値を、各第1E領域S1Eで同程度に低くしてもよく、第1E領域S1Eごとに異なるようにしてもよい。例えば、第1E領域S1Eに含まれる第1貫通導体13および第2貫通導体14の数に応じて異ならせてもよい。
次に第2実施形態について説明する。図4の断面図のように、本実施形態の試料保持具101では、内部配線12が、第1内部配線121と、第1内部配線121とは異なる層に位置する第2内部配線122とを有する点が、第1実施形態の試料保持具100と異なっている。図5に示すように、第1領域S1は、第1内部配線121および第2内部配線122が、それぞれ垂直方向に重なる第1C領域S1Cと、第1内部配線121および第2内部配線122が重ならない第1D領域S1Dとを有する。第1C領域S1Cは、平面視において、第1C領域S1C内の第1内部配線121と第1C領域S1C内の第2内部配線122との、少なくとも一部同士が重なるような領域である。第1内部配線121と第2内部配線122の重なり部分では、重ならない場合よりも発熱量が大きくなる。すなわち、重なり部分が含まれる第1C領域S1Cは、含まない第1D領域S1Dよりも発熱量が大きくなる。この発熱量の違いにより、試料保持面(第1面10a)における温度分布が不均一化する。本実施形態では、第1C領域S1Cに含まれる部分の発熱抵抗体11の電気抵抗値を、第1D領域S1Dに含まれる部分の発熱抵抗体11の電気抵抗値より低くしている。
試料保持面(第1面10a)における温度分布の不均一化は、第1C領域S1Cに含まれる重なり部分によって生じる、第1C領域S1Cと第1D領域S1Dとの発熱量の差分が原因となっている。本実施形態では、第1C領域S1Cに含まれる部分の発熱抵抗体11の電気抵抗値を相対的に低くすることで、発熱抵抗体11による発熱量を相対的に小さくすることができる。これにより、第1C領域S1Cと第1D領域S1Dとの発熱量の差分を低減して、試料保持面の温度分布が不均一化することを抑制することができる。なお、第1C領域S1Cに含まれる部分の発熱抵抗体11の電気抵抗値は、上記と同様にして低くすることができる。
第1領域S1には、第1C領域S1Cに相当する領域が、複数含まれていてもよい。複数含まれている場合、発熱抵抗体11の電気抵抗値を、各第1C領域S1Cで同程度に低くしてもよく、第1C領域S1Cごとに異なるようにしてもよい。例えば、第1C領域S1Cに含まれる重なり部分の割合に応じて異ならせてもよい。平面視において、第1C領域S1Cごとに、第1C領域S1Cの面積に占める重なり部分の面積の割合を求め、求めた割合に応じて、第1C領域S1Cに含まれる発熱抵抗体11の電気抵抗値の低下量を異ならせてもよい。
上記の第1実施形態および第2実施形態の変形例について説明する。図6は、図3Bの切断面線VI-VIにおける試料保持具の断面図である。内部配線12の分岐部分では、分岐部分を含まない内部配線12の部分よりも発熱量が大きくなる。内部配線12において、この分岐部分の配線厚さを、分岐部分以外の部分の配線厚さより厚くしている。これにより、分岐部分を有する内部配線12の発熱量を小さくすることができる。なお、図3Bの切断面線は、変形例を説明するための切断面線であって、上記の図3Bの説明においては、分岐部分の配線厚さは、分岐部分以外の部分の配線厚さと同じである。
また、上記の第1実施形態および第2実施形態の他の変形例について説明する。図7は、図3Cの切断面線VII-VIIにおける試料保持具の断面図である。内部配線12と第1貫通導体13または第2貫通導体14との接続部分では、接続部分を含まない内部配線12の部分よりも発熱量が大きくなる。内部配線12において、この接続部分の配線厚さを、接続部分以外の部分の配線厚さより厚くしている。これにより、接続部分を有する内部配線12の発熱量を小さくすることができる。なお、図3Cの切断面線は、他の変形例を説明するための切断面線であって、上記の図3Cの説明においては、接続部分の配線厚さは、接続部分以外の部分の配線厚さと同じである。
さらに、内部配線12の少なくとも一部は、第2面10bの領域Sの境界線Lに沿って配設されていてもよい。例えば、図3Bに示すように、内部配線12の分岐部分を有する部分は、境界線Lに沿って配設されており、この部分の凡その形状が、第1A領域S1Aの形状である扇型に類似する形状となっている。特に試料保持面が円形である場合は、扇形状に領域Sを設けることで発熱量の制御が容易になり、より温度分布の不均一化を抑制することができる。このように内部配線12(分岐部分)の形状と、領域Sの形状が類似していることで発熱重複領域が同一になり易く、領域Sの発熱量制御で温度分布の不均一化を抑制することができる。
図2Aおよび図2Bで示す試料保持具100は、内部配線12の分岐部分を含む第1A領域S1Aおよび内部配線12と第1貫通導体13との接続部分を含む第1E領域S1Eを、1つの試料保持具100が有するものとしているが、分岐部分を含む第1A領域S1Aも接続部分を含む第1E領域S1Eも必須ではなく、これらの領域を有していなくてもよい。
図4および図5で示す試料保持具101は、第1内部配線121と第2内部配線122との重なり部分を含む第1C領域S1Cを有しているが、内部配線12が、第1内部配線121と第2内部配線122とを有する多層配線構造であっても、重なり部分を含む第1C領域S1Cは必須ではなく、第1C領域S1Cを有していなくてもよい。
また、試料保持具100が、分岐部分を含む第1A領域S1Aを有している場合に、発熱抵抗体11の電気抵抗値を、分岐部分を含まない第1B領域S1Bより低くしなくてもよい。内部配線12を含まない領域である第2領域S2の発熱抵抗体11の電気抵抗値より低い電気抵抗値であれば、第1A領域S1Aの発熱抵抗体11の電気抵抗値と第1B領域S1Bの発熱抵抗体11の電気抵抗値とが同じであってもよい。
また、試料保持具100が、接続部分を含む第1E領域S1Eを有している場合に、発熱抵抗体11の電気抵抗値を、接続部分を含まない第1F領域S1Fより低くしなくてもよい。内部配線12を含まない領域である第2領域S2の発熱抵抗体11の電気抵抗値より低い電気抵抗値であれば、第1E領域S1Eの発熱抵抗体11の電気抵抗値と第1F領域S1Fの発熱抵抗体11の電気抵抗値とが同じであってもよい。
また、試料保持具101が、重なり部分を含む第1C領域S1Cを有している場合に、発熱抵抗体11の電気抵抗値を、重なり部分を含まない第1D領域S1Dより低くしなくてもよい。内部配線12を含まない領域である第2領域S2の発熱抵抗体11の電気抵抗値より低い電気抵抗値であれば、第1C領域S1Cの発熱抵抗体11の電気抵抗値と第1D領域S1Dの発熱抵抗体11の電気抵抗値とが同じであってもよい。
本開示は次の実施の形態が可能である。
本開示の試料保持具は、試料保持面である第1面および該第1面と反対側の第2面を有する板状の絶縁基体と、前記絶縁基体の前記第2面に設けられた発熱抵抗体と、前記絶縁基体の内部に設けられた内部配線と、を備える。前記第2面は、複数の領域に区画されており、前記複数の領域は、平面視において、前記内部配線の一部と前記発熱抵抗体の一部とを含む第1領域と、前記内部配線を含まず、前記発熱抵抗体の他の一部を含む第2領域とを有する。前記発熱抵抗体の、前記第1領域に含まれる部分の電気抵抗値を、前記発熱抵抗体の、前記第2領域に含まれる部分の電気抵抗値より低くしている。
本開示の試料保持具によれば、試料保持面の温度分布が不均一化することを抑制することができる。
以上、本開示の実施形態について詳細に説明したが、また、本開示は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲内において、種々の変更、改良等が可能である。上記各実施形態をそれぞれ構成する全部または一部を、適宜、矛盾しない範囲で組み合わせ可能であることは、言うまでもない。
10 絶縁基体
10a 絶縁基体の第1面
10b 絶縁基体の第2面
11 発熱抵抗体
12 内部配線
13 第1貫通導体
14 第2貫通導体
15 第1貫通孔
16 第2貫通孔
20 支持体
20a 支持体の第1面
20b 支持体の第2面
21 外部配線
22 貫通孔
30 接合材
100 試料保持具
121 第1内部配線
122 第2内部配線
L 境界線
S 領域
S1 第1領域
S1A 第1A領域
S1B 第1B領域
S1C 第1C領域
S1D 第1D領域
S1E 第1E領域
S1F 第1F領域
S2 第2領域

Claims (7)

  1. 試料保持面である第1面および該第1面と反対側の第2面を有する板状の絶縁基体と、
    前記絶縁基体の前記第2面に設けられた発熱抵抗体と、
    前記絶縁基体の内部に設けられた内部配線と、を備え、
    前記第2面は、複数の領域に区画されており、
    前記複数の領域は、平面視において、前記内部配線の一部と前記発熱抵抗体の一部とを含む第1領域と、前記内部配線を含まず、前記発熱抵抗体の他の一部を含む第2領域とを有し、
    前記発熱抵抗体の、前記第1領域に含まれる部分の電気抵抗値は、前記発熱抵抗体の、前記第2領域に含まれる部分の電気抵抗値より低い試料保持具。
  2. 前記内部配線の前記一部は、分岐部分を有し、
    前記第1領域は、前記分岐部分を含む第1A領域と、前記分岐部分を含まない第1B領域とを有し、
    前記発熱抵抗体の、前記第1A領域に含まれる部分の電気抵抗値は、前記発熱抵抗体の、前記第1B領域に含まれる部分の電気抵抗値より低い、請求項1記載の試料保持具。
  3. 前記内部配線は、第1内部配線と、該第1内部配線とは異なる層に位置する第2内部配線とを有し、
    前記第1領域は、前記第1内部配線および前記第2内部配線が、それぞれ垂直方向に重なる第1C領域と、前記第1内部配線および前記第2内部配線が重ならない第1D領域とを有し、
    前記発熱抵抗体の、前記第1C領域に含まれる部分の電気抵抗値は、前記発熱抵抗体の、前記第1D領域に含まれる部分の電気抵抗値より低い、請求項1または2記載の試料保持具。
  4. 前記内部配線と前記発熱抵抗体とを電気的に接続する第1貫通導体と、
    前記内部配線と外部配線とを電気的に接続する第2貫通導体と、を備え、
    前記第1領域は、前記第1貫通導体または前記第2貫通導体の少なくともいずれかを含む第1E領域と、前記第1貫通導体および前記第2貫通導体を含まない第1F領域とを有し、
    前記発熱抵抗体の、前記第1E領域に含まれる部分の電気抵抗値は、前記発熱抵抗体の、前記第1F領域に含まれる部分の電気抵抗値より低い、請求項1~3のいずれか1つに記載の試料保持具。
  5. 前記内部配線は、分岐部分を有し、前記分岐部分における配線厚さが、前記分岐部分以外の部分の配線厚さより厚い、請求項1記載の試料保持具。
  6. 前記内部配線と前記発熱抵抗体とを電気的に接続する第1貫通導体と、
    前記内部配線と外部配線とを電気的に接続する第2貫通導体と、を備え、
    前記内部配線は、前記第1貫通導体または前記第2貫通導体と接続した接続部分における配線厚さが、前記接続部分以外の部分の配線厚さより厚い、請求項1記載の試料保持具。
  7. 前記内部配線の少なくとも一部は、前記領域の境界線に沿って配設されている、請求項1~6のいずれか1つに記載の試料保持具。
JP2021575782A 2020-02-03 2021-02-01 試料保持具 Active JP7252378B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020016430 2020-02-03
JP2020016430 2020-02-03
PCT/JP2021/003535 WO2021157523A1 (ja) 2020-02-03 2021-02-01 試料保持具

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2021157523A1 JPWO2021157523A1 (ja) 2021-08-12
JP7252378B2 true JP7252378B2 (ja) 2023-04-04

Family

ID=77200192

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021575782A Active JP7252378B2 (ja) 2020-02-03 2021-02-01 試料保持具

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP7252378B2 (ja)
WO (1) WO2021157523A1 (ja)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004296254A (ja) 2003-03-27 2004-10-21 Sumitomo Electric Ind Ltd セラミックスヒータおよびそれを搭載した半導体あるいは液晶製造装置
JP2015018704A (ja) 2013-07-11 2015-01-29 日本碍子株式会社 セラミックヒータ
JP2016139503A (ja) 2015-01-27 2016-08-04 日本特殊陶業株式会社 積層発熱体
JP2016225355A (ja) 2015-05-27 2016-12-28 京セラ株式会社 試料保持具およびこれを用いたプラズマエッチング装置
WO2018016384A1 (ja) 2016-07-19 2018-01-25 日本碍子株式会社 静電チャックヒータ
JP2018026405A (ja) 2016-08-08 2018-02-15 新光電気工業株式会社 基板固定装置及びその製造方法
JP2020017686A (ja) 2018-07-27 2020-01-30 日本特殊陶業株式会社 保持装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102348108B1 (ko) * 2015-10-05 2022-01-10 주식회사 미코세라믹스 온도 편차 특성이 개선된 기판 가열 장치

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004296254A (ja) 2003-03-27 2004-10-21 Sumitomo Electric Ind Ltd セラミックスヒータおよびそれを搭載した半導体あるいは液晶製造装置
JP2015018704A (ja) 2013-07-11 2015-01-29 日本碍子株式会社 セラミックヒータ
JP2016139503A (ja) 2015-01-27 2016-08-04 日本特殊陶業株式会社 積層発熱体
JP2016225355A (ja) 2015-05-27 2016-12-28 京セラ株式会社 試料保持具およびこれを用いたプラズマエッチング装置
WO2018016384A1 (ja) 2016-07-19 2018-01-25 日本碍子株式会社 静電チャックヒータ
JP2018026405A (ja) 2016-08-08 2018-02-15 新光電気工業株式会社 基板固定装置及びその製造方法
JP2020017686A (ja) 2018-07-27 2020-01-30 日本特殊陶業株式会社 保持装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2021157523A1 (ja) 2021-08-12
WO2021157523A1 (ja) 2021-08-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10153192B2 (en) Electrostatic chuck device
JP5505667B2 (ja) 交流駆動静電チャック
JP2008527694A (ja) 基板を空間的かつ時間的に温度制御するための装置
JP7278035B2 (ja) 静電チャック、基板固定装置
JP6290650B2 (ja) 加熱装置
JP2000323558A (ja) 静電吸着装置
TWI803534B (zh) 靜電卡盤裝置
JP2015035448A (ja) 静電チャック
JPWO2020153449A1 (ja) 静電チャック
JP2008118052A (ja) 基板加熱装置
JP6392961B2 (ja) 静電チャック
JP7252378B2 (ja) 試料保持具
TW202008502A (zh) 靜電吸盤
JP2018181992A (ja) 保持装置
CN111712910B (zh) 保持装置
JP7261151B2 (ja) 試料保持具
JP7411431B2 (ja) 静電チャック、基板固定装置
WO2020171179A1 (ja) 試料保持具
JP7494972B1 (ja) 静電チャック
JP2019220645A (ja) 保持装置
JP7494973B1 (ja) 静電チャック
JP2011204456A (ja) 加熱用部材およびこれを用いた加熱装置
JP7383575B2 (ja) 保持装置
JP6641608B1 (ja) 静電チャック
JP6943774B2 (ja) 保持装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220802

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230228

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230323

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7252378

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150