JP2000323558A - 静電吸着装置 - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハへの漏れ電流やウエハの熱膨張ずれに
よって露光パターン精度が低下することを防止できる静
電吸着装置を提供する。 【解決手段】 静電吸着装置1は、絶縁体基盤21と、
基盤上の電極17、19と、その上の誘電体層11、1
3とからなる。誘電体層11、13は、吸着面10にお
ける平面的な配置において、11a、13a、11b、
13b、11cの5つの領域に分かれている。細いリン
グ状の誘電体層領域13a、bは、体積固有抵抗が低い
セラミックスから構成されており、主にジョンセンラー
ベック力によりウエハを吸着する。他の領域は、体積固
有抵抗が高いセラミックスから構成されており、主にク
ーロン力でウエハを吸着する。
よって露光パターン精度が低下することを防止できる静
電吸着装置を提供する。 【解決手段】 静電吸着装置1は、絶縁体基盤21と、
基盤上の電極17、19と、その上の誘電体層11、1
3とからなる。誘電体層11、13は、吸着面10にお
ける平面的な配置において、11a、13a、11b、
13b、11cの5つの領域に分かれている。細いリン
グ状の誘電体層領域13a、bは、体積固有抵抗が低い
セラミックスから構成されており、主にジョンセンラー
ベック力によりウエハを吸着する。他の領域は、体積固
有抵抗が高いセラミックスから構成されており、主にク
ーロン力でウエハを吸着する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、露光装置等におい
て半導体ウエハ等の試料の固定に用いる静電吸着装置に
関する。特には、ウエハへの漏れ電流やウエハの熱膨張
ずれによって露光パターン精度が低下することを防止す
るための改良を加えた静電吸着装置に関する。
て半導体ウエハ等の試料の固定に用いる静電吸着装置に
関する。特には、ウエハへの漏れ電流やウエハの熱膨張
ずれによって露光パターン精度が低下することを防止す
るための改良を加えた静電吸着装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図2に従来技術による静電吸着装置を説
明するための模式図を示す。セラミックスで構成された
静電吸着装置51は、その内部に電極67、69と、そ
の電極67、69に電圧を印加する手段である電源制御
系79を備える。より具体的には、静電吸着装置51
は、絶縁体からなる基板71と、該基板71上に配置さ
れた静電電極67、69と、該電極67、69上に形成
された試料吸着面60を構成する誘電体層61を具備す
る。
明するための模式図を示す。セラミックスで構成された
静電吸着装置51は、その内部に電極67、69と、そ
の電極67、69に電圧を印加する手段である電源制御
系79を備える。より具体的には、静電吸着装置51
は、絶縁体からなる基板71と、該基板71上に配置さ
れた静電電極67、69と、該電極67、69上に形成
された試料吸着面60を構成する誘電体層61を具備す
る。
【0003】電極67、69の上面と試料吸着面60の
間にある誘電層61の厚さは、通常数百マイクロメート
ルである。試料吸着面60にシリコンウエハ3を載置
し、電極67、69に電圧を印加することで、静電吸着
装置とシリコンウエハの間にクーロン力又はジョンセン
ラーベック力と呼ばれる静電力が働き、静電吸着装置5
1にシリコンウエハ3が吸着固定される。
間にある誘電層61の厚さは、通常数百マイクロメート
ルである。試料吸着面60にシリコンウエハ3を載置
し、電極67、69に電圧を印加することで、静電吸着
装置とシリコンウエハの間にクーロン力又はジョンセン
ラーベック力と呼ばれる静電力が働き、静電吸着装置5
1にシリコンウエハ3が吸着固定される。
【0004】一般的には、誘電層61の体積固有抵抗が
大きい場合はクーロン力が支配的となり、誘電層61の
体積固有抵抗が小さい場合はジョンセンラーベック力が
支配的になると言われている。クーロン力の場合は誘電
層の誘電率が吸着力に大きく影響するため、吸着力向上
のためには誘電率が大きい材料を使用する必要がある。
ジョンセンラーベック力の場合は、試料保持面とウエハ
間の微小ギャップの大きさが吸着力に大きく影響し、試
料保持面の面粗度を向上させることで大きな吸着力を得
ることが可能である。
大きい場合はクーロン力が支配的となり、誘電層61の
体積固有抵抗が小さい場合はジョンセンラーベック力が
支配的になると言われている。クーロン力の場合は誘電
層の誘電率が吸着力に大きく影響するため、吸着力向上
のためには誘電率が大きい材料を使用する必要がある。
ジョンセンラーベック力の場合は、試料保持面とウエハ
間の微小ギャップの大きさが吸着力に大きく影響し、試
料保持面の面粗度を向上させることで大きな吸着力を得
ることが可能である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記のような静電吸着
装置を電子線露光装置の試料保持として用いる場合、い
くつかの問題が発生する。まず、誘電層の体積固有抵抗
が小さい場合は、ジョンセンラーベック力が支配的とな
り大きな吸着力が得られるが、体積固有抵抗が小さいた
め、電極とウエハ間にかかる電圧により、ウエハに電流
が流れ(一例、φ300ウエハで500μA )、この電
流による磁場が露光に使用する電子線に悪影響を及ぼ
し、露光パターンの精度を低下させる一因となる。
装置を電子線露光装置の試料保持として用いる場合、い
くつかの問題が発生する。まず、誘電層の体積固有抵抗
が小さい場合は、ジョンセンラーベック力が支配的とな
り大きな吸着力が得られるが、体積固有抵抗が小さいた
め、電極とウエハ間にかかる電圧により、ウエハに電流
が流れ(一例、φ300ウエハで500μA )、この電
流による磁場が露光に使用する電子線に悪影響を及ぼ
し、露光パターンの精度を低下させる一因となる。
【0006】一方、誘電層の体積固有抵抗が大きい場合
は、クーロン力が支配的となる。この場合、誘電層の体
積固有抵抗が大きいため、ウエハに流れる電流は非常に
少ないが、一般的に使用されているセラミックスでは誘
電率が比較的小さいため、大きな吸着力は得られない。
したがって、露光中に試料保持装置からウエハがずれる
可能性がある。特に、電子線による加熱に起因するウエ
ハの変形によるずれが問題となる。
は、クーロン力が支配的となる。この場合、誘電層の体
積固有抵抗が大きいため、ウエハに流れる電流は非常に
少ないが、一般的に使用されているセラミックスでは誘
電率が比較的小さいため、大きな吸着力は得られない。
したがって、露光中に試料保持装置からウエハがずれる
可能性がある。特に、電子線による加熱に起因するウエ
ハの変形によるずれが問題となる。
【0007】本発明は、このような問題点に鑑みてなさ
れたもので、露光装置等に使用される静電吸着装置であ
って、ウエハ(試料)への漏れ電流やウエハの熱膨張ず
れによって露光パターン精度やパターンの描画位置精度
が低下することを防止できる静電吸着装置を提供するこ
とを目的とする。
れたもので、露光装置等に使用される静電吸着装置であ
って、ウエハ(試料)への漏れ電流やウエハの熱膨張ず
れによって露光パターン精度やパターンの描画位置精度
が低下することを防止できる静電吸着装置を提供するこ
とを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】上
記課題を解決するため、本発明の静電吸着装置は、静電
吸着力を用いて試料を吸着固定する吸着面を有する静電
吸着装置であって;上記吸着面を構成する誘電体層が、
性質の異なる材料からなる少なくとも2つの領域に分割
されていることを特徴とする。
記課題を解決するため、本発明の静電吸着装置は、静電
吸着力を用いて試料を吸着固定する吸着面を有する静電
吸着装置であって;上記吸着面を構成する誘電体層が、
性質の異なる材料からなる少なくとも2つの領域に分割
されていることを特徴とする。
【0009】本発明のより具体的な態様の静電吸着装置
は、絶縁体からなる基板と、該基板上に配置された静電
電極と、該電極上に形成された試料吸着面を構成する誘
電体層と、を具備する静電吸着装置であって;上記誘電
体層が、吸着面上において少なくとも2つの平面領域に
分割されて形成されており、各領域の誘電体層が性質の
異なる2つ以上の材料のいずれかからなることを特徴と
する。
は、絶縁体からなる基板と、該基板上に配置された静電
電極と、該電極上に形成された試料吸着面を構成する誘
電体層と、を具備する静電吸着装置であって;上記誘電
体層が、吸着面上において少なくとも2つの平面領域に
分割されて形成されており、各領域の誘電体層が性質の
異なる2つ以上の材料のいずれかからなることを特徴と
する。
【0010】本発明においては、例えば、上記性質の異
なる材料の一方の体積固有抵抗を1014Ωcm以上とし、
他方の材料の体積固有抵抗を1013Ωcm以下とすること
ができる。すなわち、1つの静電チャックの吸着面の一
部をクーロン力タイプ(例えば体積固有抵抗1014〜1
017Ωcm)、一部をジョンセンラーベック力タイプ(例
えば体積固有抵抗109 〜1012Ωcm)とする。これに
より、ウエハに流れる電流を全体として比較的低く抑制
し、それでいながら、吸着面の一部に吸着力が非常に強
い部分が存在することで、吸着面上におけるウエハのず
れを抑制することが可能となる。
なる材料の一方の体積固有抵抗を1014Ωcm以上とし、
他方の材料の体積固有抵抗を1013Ωcm以下とすること
ができる。すなわち、1つの静電チャックの吸着面の一
部をクーロン力タイプ(例えば体積固有抵抗1014〜1
017Ωcm)、一部をジョンセンラーベック力タイプ(例
えば体積固有抵抗109 〜1012Ωcm)とする。これに
より、ウエハに流れる電流を全体として比較的低く抑制
し、それでいながら、吸着面の一部に吸着力が非常に強
い部分が存在することで、吸着面上におけるウエハのず
れを抑制することが可能となる。
【0011】本発明の静電吸着装置においては、上記性
質の異なる材料の一方の比誘電率を20以上とし、他方
の材料の比誘電率を20未満とすることもできる。これ
により、強力な吸着力が必要な部分にのみ強い吸着力を
発生させることができる。
質の異なる材料の一方の比誘電率を20以上とし、他方
の材料の比誘電率を20未満とすることもできる。これ
により、強力な吸着力が必要な部分にのみ強い吸着力を
発生させることができる。
【0012】本発明の静電吸着装置においては、上記各
誘電体層領域毎に静電電極を別個に設け、各電極を独立
して電圧制御することもできる。各領域の誘電体層に印
加する電圧を異ならせることにより、もれ電流の量と得
られる吸着力をバランスよく得ることができる。なお、
このように異なる電圧を各電極に印加した場合でも、ウ
エハをアース電位とすれば、吸着力や電子線への悪影響
は少ない。
誘電体層領域毎に静電電極を別個に設け、各電極を独立
して電圧制御することもできる。各領域の誘電体層に印
加する電圧を異ならせることにより、もれ電流の量と得
られる吸着力をバランスよく得ることができる。なお、
このように異なる電圧を各電極に印加した場合でも、ウ
エハをアース電位とすれば、吸着力や電子線への悪影響
は少ない。
【0013】本発明の静電吸着装置においては、上記体
積固有抵抗が1014Ωcm以上の材料の領域が上記吸着面
中に占める割合を20%以上とし、上記体積固有抵抗が
10 13Ωcm以下の材料の領域が上記吸着面中に占める割
合を30%以下とすることができる。
積固有抵抗が1014Ωcm以上の材料の領域が上記吸着面
中に占める割合を20%以上とし、上記体積固有抵抗が
10 13Ωcm以下の材料の領域が上記吸着面中に占める割
合を30%以下とすることができる。
【0014】ジョンセンラーベック力タイプの領域は、
比較的面積を狭くして吸着面上に分散させて設けること
が好ましい。そして、クーロン力タイプの領域は、ジョ
ンセンラーベック力タイプの領域以外の部分にできるだ
け広く設けることが好ましい。すなわち、クーロン力タ
イプの部分はウエハの反りを矯正してウエハを平らに保
持する役割を果たす。一方、ジョンセンラーベック力タ
イプの部分は吸着力が大きいため、ウエハにクーロン力
タイプの部分の吸着力では保持しきれない力が加わった
時にもウエハを保持することができ、熱膨張等に起因す
るウエハのずれを減少させることが可能となる。
比較的面積を狭くして吸着面上に分散させて設けること
が好ましい。そして、クーロン力タイプの領域は、ジョ
ンセンラーベック力タイプの領域以外の部分にできるだ
け広く設けることが好ましい。すなわち、クーロン力タ
イプの部分はウエハの反りを矯正してウエハを平らに保
持する役割を果たす。一方、ジョンセンラーベック力タ
イプの部分は吸着力が大きいため、ウエハにクーロン力
タイプの部分の吸着力では保持しきれない力が加わった
時にもウエハを保持することができ、熱膨張等に起因す
るウエハのずれを減少させることが可能となる。
【0015】本発明の静電吸着装置においては、上記体
積固有抵抗が1013Ωcm以下の材料の領域(ジョンセン
ラーベック力タイプの領域)を、比較的幅狭の同心リン
グ状に何本か設けることもできる。あるいは、ジョンセ
ンラーベック力タイプの領域が、クーロン力タイプの領
域中に点在するような形態とすることもできる。
積固有抵抗が1013Ωcm以下の材料の領域(ジョンセン
ラーベック力タイプの領域)を、比較的幅狭の同心リン
グ状に何本か設けることもできる。あるいは、ジョンセ
ンラーベック力タイプの領域が、クーロン力タイプの領
域中に点在するような形態とすることもできる。
【0016】本発明の静電吸着装置においては、上記試
料吸着面に凹凸加工が施されており、その凹部分の深さ
が20μm 以下であることが好ましい。露光装置に使用
される試料保持装置の試料保持面は、パーティクル等の
影響を排除するため、凹凸をつけてウエハとの接触面積
を減少させるのが一般的である。本発明の静電吸着装置
の場合でも表面に凹凸をつけて接触面積を減少させるこ
とができる。この場合、凹部分の深さを20μm より浅
くすることで、非接触部分で発生する吸着力も静電試料
保持力として作用するため、静電吸着装置の全体的な吸
着力を向上させることが可能である。なお凹部分の深さ
の下限は、パーティクルの大きさを考慮して、0.5μ
m 程度と考えられる。
料吸着面に凹凸加工が施されており、その凹部分の深さ
が20μm 以下であることが好ましい。露光装置に使用
される試料保持装置の試料保持面は、パーティクル等の
影響を排除するため、凹凸をつけてウエハとの接触面積
を減少させるのが一般的である。本発明の静電吸着装置
の場合でも表面に凹凸をつけて接触面積を減少させるこ
とができる。この場合、凹部分の深さを20μm より浅
くすることで、非接触部分で発生する吸着力も静電試料
保持力として作用するため、静電吸着装置の全体的な吸
着力を向上させることが可能である。なお凹部分の深さ
の下限は、パーティクルの大きさを考慮して、0.5μ
m 程度と考えられる。
【0017】以下、図面を参照しつつ、本発明の1実施
例に係る静電吸着装置について説明する。図1は、本発
明の1実施例に係る静電吸着装置を模式的に示す図であ
る。(A)は平面図であり、(B)は側面断面図であ
る。この静電吸着装置1も、図2の従来の静電吸着装置
同様に、セラミックス等からなる絶縁体基板21と、基
板上の電極17、19と、その上の誘電体層11、13
とからなる3層構造を有する。ただし、誘電体層11、
13は、吸着面10における平面的な配置において、5
つの領域、すなわち外側から11a、13a、11b、
13b、11cの領域に分かれている。
例に係る静電吸着装置について説明する。図1は、本発
明の1実施例に係る静電吸着装置を模式的に示す図であ
る。(A)は平面図であり、(B)は側面断面図であ
る。この静電吸着装置1も、図2の従来の静電吸着装置
同様に、セラミックス等からなる絶縁体基板21と、基
板上の電極17、19と、その上の誘電体層11、13
とからなる3層構造を有する。ただし、誘電体層11、
13は、吸着面10における平面的な配置において、5
つの領域、すなわち外側から11a、13a、11b、
13b、11cの領域に分かれている。
【0018】この静電吸着装置の吸着面10は平面形状
が円形であり、各誘電体層領域11a、b、c、13
a、bは、吸着面10上において同心円(リング)状に
配置されている。各領域のうち中央領域11cは比較的
小径の円形であり、その外側の領域13bは細く比較的
小径のリング状である。領域13bの外側の領域11b
は、比較的幅広のリング状である。領域11bの外側の
領域13aは比較的大径で細いリング状である。最外周
部の領域11aは、領域13aよりも幅広のリング状で
ある。
が円形であり、各誘電体層領域11a、b、c、13
a、bは、吸着面10上において同心円(リング)状に
配置されている。各領域のうち中央領域11cは比較的
小径の円形であり、その外側の領域13bは細く比較的
小径のリング状である。領域13bの外側の領域11b
は、比較的幅広のリング状である。領域11bの外側の
領域13aは比較的大径で細いリング状である。最外周
部の領域11aは、領域13aよりも幅広のリング状で
ある。
【0019】細いリング状の誘電体層領域13a、b
は、体積固有抵抗が低いセラミックス、例えばアルミナ
から構成されている。なお、同じ種類のセラミックスで
も製法や組成を変えることで体積固有抵抗を変えること
ができる。この領域13a、bは、主にジョンセンラー
ベック力によりウエハを吸着する。中央部領域11c及
び比較的幅広のリング状の誘電体層領域11b、11a
は、体積固有抵抗が高いセラミックスから構成されてい
る。この領域11a、b、cは、主にクーロン力でウエ
ハを吸着する。
は、体積固有抵抗が低いセラミックス、例えばアルミナ
から構成されている。なお、同じ種類のセラミックスで
も製法や組成を変えることで体積固有抵抗を変えること
ができる。この領域13a、bは、主にジョンセンラー
ベック力によりウエハを吸着する。中央部領域11c及
び比較的幅広のリング状の誘電体層領域11b、11a
は、体積固有抵抗が高いセラミックスから構成されてい
る。この領域11a、b、cは、主にクーロン力でウエ
ハを吸着する。
【0020】各誘電体層領域は、電極層を挟んで低熱膨
張率の絶縁体部材(基盤21)に固定されており、各領
域の互いの位置は安定化されている。誘電体層の2種類
の材料は一般的には熱膨張率が異なるため、各誘電体層
領域間は少し隙間15をあけて配置するのがよい。
張率の絶縁体部材(基盤21)に固定されており、各領
域の互いの位置は安定化されている。誘電体層の2種類
の材料は一般的には熱膨張率が異なるため、各誘電体層
領域間は少し隙間15をあけて配置するのがよい。
【0021】次に電極の配置について説明する。図1
(B)に示すように、各誘電体層領域11a、b、c、
13a、bの下には、別個独立の電極17a、b、c、
19a、bが設けられている。各電極17a、b、c、
19a、bの平面形状は、ほぼ各誘電体層領域11a、
b、c、13a、bの形に対応している。
(B)に示すように、各誘電体層領域11a、b、c、
13a、bの下には、別個独立の電極17a、b、c、
19a、bが設けられている。各電極17a、b、c、
19a、bの平面形状は、ほぼ各誘電体層領域11a、
b、c、13a、bの形に対応している。
【0022】各電極は、それぞれ電源制御系29に接続
されている。本実施例では電極を誘電体層材料領域毎に
配置し、独立に電圧供給を制御可能な構成としている。
これは、クーロン力タイプ領域とジョンセンラーベック
力タイプ領域で異なる電圧を印加する可能性が高いため
である。例えばクーロン力タイプ領域で印加電圧は60
0〜1.5KVであり、ジョンセンラーベック力タイプ領
域で400〜600Vである。このように異なる電圧を
印加した場合でも、ウエハをアース電位とすれば、ウエ
ハ吸着力やウエハ面に入射する電子線への影響は少な
い。なお、本実施例では電極配置を単極型と仮定してい
るが、もちろん双極型に配置してもよく、さらに電極を
細分化して配置し個別に制御してもよい。
されている。本実施例では電極を誘電体層材料領域毎に
配置し、独立に電圧供給を制御可能な構成としている。
これは、クーロン力タイプ領域とジョンセンラーベック
力タイプ領域で異なる電圧を印加する可能性が高いため
である。例えばクーロン力タイプ領域で印加電圧は60
0〜1.5KVであり、ジョンセンラーベック力タイプ領
域で400〜600Vである。このように異なる電圧を
印加した場合でも、ウエハをアース電位とすれば、ウエ
ハ吸着力やウエハ面に入射する電子線への影響は少な
い。なお、本実施例では電極配置を単極型と仮定してい
るが、もちろん双極型に配置してもよく、さらに電極を
細分化して配置し個別に制御してもよい。
【0023】本実施例の静電吸着装置においては、以上
のように構成することで、ウエハに流れる電流が少な
く、なおかつウエハがずれる可能性が少ない静電吸着装
置を実現できる。なお、2種類のセラミックスの配置
は、同心リング状ではなく、ジョンセンラーベック力タ
イプの部分13が、クーロン力タイプの部分11中に点
在するような形態にしてもよい。
のように構成することで、ウエハに流れる電流が少な
く、なおかつウエハがずれる可能性が少ない静電吸着装
置を実現できる。なお、2種類のセラミックスの配置
は、同心リング状ではなく、ジョンセンラーベック力タ
イプの部分13が、クーロン力タイプの部分11中に点
在するような形態にしてもよい。
【0024】以下に本実施例の静電チャックの具体的構
成例を記す。 (1)絶縁体基板 材料:アルミナ、厚さ:10mm (2)電極 材料:チタン、厚さ:0.01mm、 低体積固有抵抗誘電体層電極印加電圧: 400V 高体積固有抵抗誘電体層電極印加電圧:1000V
成例を記す。 (1)絶縁体基板 材料:アルミナ、厚さ:10mm (2)電極 材料:チタン、厚さ:0.01mm、 低体積固有抵抗誘電体層電極印加電圧: 400V 高体積固有抵抗誘電体層電極印加電圧:1000V
【0025】(3)低体積固有抵抗誘電体層 材料:アルミナ、厚さ:0.2mm、幅:10mm、 外径:内側30mm、外側:70mm、吸着面における面積
比率:16% 体積固有抵抗:5×1010Ωcm 、比誘電率:10
比率:16% 体積固有抵抗:5×1010Ωcm 、比誘電率:10
【0026】(4)高体積固有抵抗誘電体層 材料:アルミナ、厚さ:0.2mm 吸着面における面積比率:84% 体積固有抵抗:5×1015Ωcm、比誘電率:10
【0027】次に、本実施例の静電チャックの代表的な
製作方法例は、ベース部の絶縁体基板を用意するととも
に誘電体基板を用意(これが静電チャック)を用意す
る。次に、誘電体基板裏面に電極を形成する。次に誘電
体基板とベース部基板張り合せる。最後に給電端子を配
線する。
製作方法例は、ベース部の絶縁体基板を用意するととも
に誘電体基板を用意(これが静電チャック)を用意す
る。次に、誘電体基板裏面に電極を形成する。次に誘電
体基板とベース部基板張り合せる。最後に給電端子を配
線する。
【0028】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、試料(ウエハ等)への漏れ電流や試料の熱膨
張ずれによって露光パターン精度が低下することを防止
可能な静電吸着装置を提供できる。
によれば、試料(ウエハ等)への漏れ電流や試料の熱膨
張ずれによって露光パターン精度が低下することを防止
可能な静電吸着装置を提供できる。
【図1】本発明の1実施例に係る静電吸着装置を模式的
に示す図である。(A)は平面図であり、(B)は側面
断面図である。
に示す図である。(A)は平面図であり、(B)は側面
断面図である。
【図2】従来技術による静電吸着装置を説明する模式図
を示す。
を示す。
1 静電チャック 3 ウエハ 10 吸着面 11 誘電体層 13 誘電体層 15 スキマ 17 静電電極 19 静電電極 21 絶縁体基盤 23、25 配
線
線
Claims (8)
- 【請求項1】 静電吸着力を用いて試料を固定する吸着
面を有する静電吸着装置であって;上記吸着面を構成す
る誘電体層が、性質の異なる材料からなる少なくとも2
つの領域に分割されていることを特徴とする静電吸着装
置。 - 【請求項2】 絶縁体からなる基板と、 該基板上に配置された静電電極と、 該電極上に形成された試料吸着面を構成する誘電体層
と、 を具備する静電吸着装置であって;上記誘電体層が、吸
着面上において少なくとも2つの平面領域に分割されて
形成されており、各領域の誘電体層が性質の異なる2つ
以上の材料のいずれかからなることを特徴とする静電吸
着装置。 - 【請求項3】 上記性質の異なる材料の一方の体積固有
抵抗が1014Ωcm以上であり、 他方の材料の体積固有抵抗が1013Ωcm以下であること
を特徴とする請求項1又は2記載の静電吸着装置。 - 【請求項4】 上記性質の異なる材料の一方の比誘電率
が20以上であり、 他方の材料の比誘電率が20未満であることを特徴とす
る請求項1又は2記載の静電吸着装置。 - 【請求項5】 上記各誘電体層領域毎に静電電極を別個
に設け、各電極を独立して電圧制御することを特徴とす
る請求項1〜4のいずれか1項記載の静電吸着装置。 - 【請求項6】 上記試料の電位がアース電位となるよう
に、上記電極の電源及び電圧制御系を構成したことを特
徴とする請求項1又は2記載の静電吸着装置。 - 【請求項7】 上記体積固有抵抗が1014Ωcm以上の材
料の領域が上記吸着面中に占める割合が20%以上であ
り、 上記体積固有抵抗が1013Ωcm以下の材料の領域が上記
吸着面中に占める割合が30%以下であることを特徴と
する請求項3記載の静電吸着装置。 - 【請求項8】 上記試料吸着面に凹凸加工が施されてお
り、その凹部分の深さが20μm 以下であることを特徴
とする請求項1又は2記載の静電吸着装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP11126660A JP2000323558A (ja) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | 静電吸着装置 |
US09/560,830 US6522519B1 (en) | 1999-05-07 | 2000-04-28 | Electrostatic chucking device and methods for holding microlithographic sample |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP11126660A JP2000323558A (ja) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | 静電吸着装置 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2000323558A true JP2000323558A (ja) | 2000-11-24 |
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ID=14940726
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP11126660A Pending JP2000323558A (ja) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | 静電吸着装置 |
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---|---|
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JP (1) | JP2000323558A (ja) |
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KR102644272B1 (ko) | 2016-10-31 | 2024-03-06 | 삼성전자주식회사 | 정전척 어셈블리 |
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1999
- 1999-05-07 JP JP11126660A patent/JP2000323558A/ja active Pending
-
2000
- 2000-04-28 US US09/560,830 patent/US6522519B1/en not_active Expired - Lifetime
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---|---|
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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