JP2000323558A - 静電吸着装置 - Google Patents
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハへの漏れ電流やウエハの熱膨張ずれに
よって露光パターン精度が低下することを防止できる静
電吸着装置を提供する。 【解決手段】 静電吸着装置１は、絶縁体基盤２１と、
基盤上の電極１７、１９と、その上の誘電体層１１、１
３とからなる。誘電体層１１、１３は、吸着面１０にお
ける平面的な配置において、１１ａ、１３ａ、１１ｂ、
１３ｂ、１１ｃの５つの領域に分かれている。細いリン
グ状の誘電体層領域１３ａ、ｂは、体積固有抵抗が低い
セラミックスから構成されており、主にジョンセンラー
ベック力によりウエハを吸着する。他の領域は、体積固
有抵抗が高いセラミックスから構成されており、主にク
ーロン力でウエハを吸着する。
よって露光パターン精度が低下することを防止できる静
電吸着装置を提供する。 【解決手段】 静電吸着装置１は、絶縁体基盤２１と、
基盤上の電極１７、１９と、その上の誘電体層１１、１
３とからなる。誘電体層１１、１３は、吸着面１０にお
ける平面的な配置において、１１ａ、１３ａ、１１ｂ、
１３ｂ、１１ｃの５つの領域に分かれている。細いリン
グ状の誘電体層領域１３ａ、ｂは、体積固有抵抗が低い
セラミックスから構成されており、主にジョンセンラー
ベック力によりウエハを吸着する。他の領域は、体積固
有抵抗が高いセラミックスから構成されており、主にク
ーロン力でウエハを吸着する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、露光装置等におい
て半導体ウエハ等の試料の固定に用いる静電吸着装置に
関する。特には、ウエハへの漏れ電流やウエハの熱膨張
ずれによって露光パターン精度が低下することを防止す
るための改良を加えた静電吸着装置に関する。
て半導体ウエハ等の試料の固定に用いる静電吸着装置に
関する。特には、ウエハへの漏れ電流やウエハの熱膨張
ずれによって露光パターン精度が低下することを防止す
るための改良を加えた静電吸着装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２に従来技術による静電吸着装置を説
明するための模式図を示す。セラミックスで構成された
静電吸着装置５１は、その内部に電極６７、６９と、そ
の電極６７、６９に電圧を印加する手段である電源制御
系７９を備える。より具体的には、静電吸着装置５１
は、絶縁体からなる基板７１と、該基板７１上に配置さ
れた静電電極６７、６９と、該電極６７、６９上に形成
された試料吸着面６０を構成する誘電体層６１を具備す
る。
明するための模式図を示す。セラミックスで構成された
静電吸着装置５１は、その内部に電極６７、６９と、そ
の電極６７、６９に電圧を印加する手段である電源制御
系７９を備える。より具体的には、静電吸着装置５１
は、絶縁体からなる基板７１と、該基板７１上に配置さ
れた静電電極６７、６９と、該電極６７、６９上に形成
された試料吸着面６０を構成する誘電体層６１を具備す
る。
【０００３】電極６７、６９の上面と試料吸着面６０の
間にある誘電層６１の厚さは、通常数百マイクロメート
ルである。試料吸着面６０にシリコンウエハ３を載置
し、電極６７、６９に電圧を印加することで、静電吸着
装置とシリコンウエハの間にクーロン力又はジョンセン
ラーベック力と呼ばれる静電力が働き、静電吸着装置５
１にシリコンウエハ３が吸着固定される。
間にある誘電層６１の厚さは、通常数百マイクロメート
ルである。試料吸着面６０にシリコンウエハ３を載置
し、電極６７、６９に電圧を印加することで、静電吸着
装置とシリコンウエハの間にクーロン力又はジョンセン
ラーベック力と呼ばれる静電力が働き、静電吸着装置５
１にシリコンウエハ３が吸着固定される。
【０００４】一般的には、誘電層６１の体積固有抵抗が
大きい場合はクーロン力が支配的となり、誘電層６１の
体積固有抵抗が小さい場合はジョンセンラーベック力が
支配的になると言われている。クーロン力の場合は誘電
層の誘電率が吸着力に大きく影響するため、吸着力向上
のためには誘電率が大きい材料を使用する必要がある。
ジョンセンラーベック力の場合は、試料保持面とウエハ
間の微小ギャップの大きさが吸着力に大きく影響し、試
料保持面の面粗度を向上させることで大きな吸着力を得
ることが可能である。
大きい場合はクーロン力が支配的となり、誘電層６１の
体積固有抵抗が小さい場合はジョンセンラーベック力が
支配的になると言われている。クーロン力の場合は誘電
層の誘電率が吸着力に大きく影響するため、吸着力向上
のためには誘電率が大きい材料を使用する必要がある。
ジョンセンラーベック力の場合は、試料保持面とウエハ
間の微小ギャップの大きさが吸着力に大きく影響し、試
料保持面の面粗度を向上させることで大きな吸着力を得
ることが可能である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のような静電吸着
装置を電子線露光装置の試料保持として用いる場合、い
くつかの問題が発生する。まず、誘電層の体積固有抵抗
が小さい場合は、ジョンセンラーベック力が支配的とな
り大きな吸着力が得られるが、体積固有抵抗が小さいた
め、電極とウエハ間にかかる電圧により、ウエハに電流
が流れ（一例、φ３００ウエハで５００μA ）、この電
流による磁場が露光に使用する電子線に悪影響を及ぼ
し、露光パターンの精度を低下させる一因となる。
装置を電子線露光装置の試料保持として用いる場合、い
くつかの問題が発生する。まず、誘電層の体積固有抵抗
が小さい場合は、ジョンセンラーベック力が支配的とな
り大きな吸着力が得られるが、体積固有抵抗が小さいた
め、電極とウエハ間にかかる電圧により、ウエハに電流
が流れ（一例、φ３００ウエハで５００μA ）、この電
流による磁場が露光に使用する電子線に悪影響を及ぼ
し、露光パターンの精度を低下させる一因となる。
【０００６】一方、誘電層の体積固有抵抗が大きい場合
は、クーロン力が支配的となる。この場合、誘電層の体
積固有抵抗が大きいため、ウエハに流れる電流は非常に
少ないが、一般的に使用されているセラミックスでは誘
電率が比較的小さいため、大きな吸着力は得られない。
したがって、露光中に試料保持装置からウエハがずれる
可能性がある。特に、電子線による加熱に起因するウエ
ハの変形によるずれが問題となる。
は、クーロン力が支配的となる。この場合、誘電層の体
積固有抵抗が大きいため、ウエハに流れる電流は非常に
少ないが、一般的に使用されているセラミックスでは誘
電率が比較的小さいため、大きな吸着力は得られない。
したがって、露光中に試料保持装置からウエハがずれる
可能性がある。特に、電子線による加熱に起因するウエ
ハの変形によるずれが問題となる。
【０００７】本発明は、このような問題点に鑑みてなさ
れたもので、露光装置等に使用される静電吸着装置であ
って、ウエハ（試料）への漏れ電流やウエハの熱膨張ず
れによって露光パターン精度やパターンの描画位置精度
が低下することを防止できる静電吸着装置を提供するこ
とを目的とする。
れたもので、露光装置等に使用される静電吸着装置であ
って、ウエハ（試料）への漏れ電流やウエハの熱膨張ず
れによって露光パターン精度やパターンの描画位置精度
が低下することを防止できる静電吸着装置を提供するこ
とを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】上
記課題を解決するため、本発明の静電吸着装置は、静電
吸着力を用いて試料を吸着固定する吸着面を有する静電
吸着装置であって；上記吸着面を構成する誘電体層が、
性質の異なる材料からなる少なくとも２つの領域に分割
されていることを特徴とする。
記課題を解決するため、本発明の静電吸着装置は、静電
吸着力を用いて試料を吸着固定する吸着面を有する静電
吸着装置であって；上記吸着面を構成する誘電体層が、
性質の異なる材料からなる少なくとも２つの領域に分割
されていることを特徴とする。
【０００９】本発明のより具体的な態様の静電吸着装置
は、絶縁体からなる基板と、該基板上に配置された静電
電極と、該電極上に形成された試料吸着面を構成する誘
電体層と、を具備する静電吸着装置であって；上記誘電
体層が、吸着面上において少なくとも２つの平面領域に
分割されて形成されており、各領域の誘電体層が性質の
異なる２つ以上の材料のいずれかからなることを特徴と
する。
は、絶縁体からなる基板と、該基板上に配置された静電
電極と、該電極上に形成された試料吸着面を構成する誘
電体層と、を具備する静電吸着装置であって；上記誘電
体層が、吸着面上において少なくとも２つの平面領域に
分割されて形成されており、各領域の誘電体層が性質の
異なる２つ以上の材料のいずれかからなることを特徴と
する。
【００１０】本発明においては、例えば、上記性質の異
なる材料の一方の体積固有抵抗を１０14Ωcm以上とし、
他方の材料の体積固有抵抗を１０13Ωcm以下とすること
ができる。すなわち、１つの静電チャックの吸着面の一
部をクーロン力タイプ（例えば体積固有抵抗１０14〜１
０17Ωcm）、一部をジョンセンラーベック力タイプ（例
えば体積固有抵抗１０9 〜１０12Ωcm）とする。これに
より、ウエハに流れる電流を全体として比較的低く抑制
し、それでいながら、吸着面の一部に吸着力が非常に強
い部分が存在することで、吸着面上におけるウエハのず
れを抑制することが可能となる。
なる材料の一方の体積固有抵抗を１０14Ωcm以上とし、
他方の材料の体積固有抵抗を１０13Ωcm以下とすること
ができる。すなわち、１つの静電チャックの吸着面の一
部をクーロン力タイプ（例えば体積固有抵抗１０14〜１
０17Ωcm）、一部をジョンセンラーベック力タイプ（例
えば体積固有抵抗１０9 〜１０12Ωcm）とする。これに
より、ウエハに流れる電流を全体として比較的低く抑制
し、それでいながら、吸着面の一部に吸着力が非常に強
い部分が存在することで、吸着面上におけるウエハのず
れを抑制することが可能となる。
【００１１】本発明の静電吸着装置においては、上記性
質の異なる材料の一方の比誘電率を２０以上とし、他方
の材料の比誘電率を２０未満とすることもできる。これ
により、強力な吸着力が必要な部分にのみ強い吸着力を
発生させることができる。
質の異なる材料の一方の比誘電率を２０以上とし、他方
の材料の比誘電率を２０未満とすることもできる。これ
により、強力な吸着力が必要な部分にのみ強い吸着力を
発生させることができる。
【００１２】本発明の静電吸着装置においては、上記各
誘電体層領域毎に静電電極を別個に設け、各電極を独立
して電圧制御することもできる。各領域の誘電体層に印
加する電圧を異ならせることにより、もれ電流の量と得
られる吸着力をバランスよく得ることができる。なお、
このように異なる電圧を各電極に印加した場合でも、ウ
エハをアース電位とすれば、吸着力や電子線への悪影響
は少ない。
誘電体層領域毎に静電電極を別個に設け、各電極を独立
して電圧制御することもできる。各領域の誘電体層に印
加する電圧を異ならせることにより、もれ電流の量と得
られる吸着力をバランスよく得ることができる。なお、
このように異なる電圧を各電極に印加した場合でも、ウ
エハをアース電位とすれば、吸着力や電子線への悪影響
は少ない。
【００１３】本発明の静電吸着装置においては、上記体
積固有抵抗が１０14Ωcm以上の材料の領域が上記吸着面
中に占める割合を２０％以上とし、上記体積固有抵抗が
１０ 13Ωcm以下の材料の領域が上記吸着面中に占める割
合を３０％以下とすることができる。
積固有抵抗が１０14Ωcm以上の材料の領域が上記吸着面
中に占める割合を２０％以上とし、上記体積固有抵抗が
１０ 13Ωcm以下の材料の領域が上記吸着面中に占める割
合を３０％以下とすることができる。
【００１４】ジョンセンラーベック力タイプの領域は、
比較的面積を狭くして吸着面上に分散させて設けること
が好ましい。そして、クーロン力タイプの領域は、ジョ
ンセンラーベック力タイプの領域以外の部分にできるだ
け広く設けることが好ましい。すなわち、クーロン力タ
イプの部分はウエハの反りを矯正してウエハを平らに保
持する役割を果たす。一方、ジョンセンラーベック力タ
イプの部分は吸着力が大きいため、ウエハにクーロン力
タイプの部分の吸着力では保持しきれない力が加わった
時にもウエハを保持することができ、熱膨張等に起因す
るウエハのずれを減少させることが可能となる。
比較的面積を狭くして吸着面上に分散させて設けること
が好ましい。そして、クーロン力タイプの領域は、ジョ
ンセンラーベック力タイプの領域以外の部分にできるだ
け広く設けることが好ましい。すなわち、クーロン力タ
イプの部分はウエハの反りを矯正してウエハを平らに保
持する役割を果たす。一方、ジョンセンラーベック力タ
イプの部分は吸着力が大きいため、ウエハにクーロン力
タイプの部分の吸着力では保持しきれない力が加わった
時にもウエハを保持することができ、熱膨張等に起因す
るウエハのずれを減少させることが可能となる。
【００１５】本発明の静電吸着装置においては、上記体
積固有抵抗が１０13Ωcm以下の材料の領域（ジョンセン
ラーベック力タイプの領域）を、比較的幅狭の同心リン
グ状に何本か設けることもできる。あるいは、ジョンセ
ンラーベック力タイプの領域が、クーロン力タイプの領
域中に点在するような形態とすることもできる。
積固有抵抗が１０13Ωcm以下の材料の領域（ジョンセン
ラーベック力タイプの領域）を、比較的幅狭の同心リン
グ状に何本か設けることもできる。あるいは、ジョンセ
ンラーベック力タイプの領域が、クーロン力タイプの領
域中に点在するような形態とすることもできる。
【００１６】本発明の静電吸着装置においては、上記試
料吸着面に凹凸加工が施されており、その凹部分の深さ
が２０μm 以下であることが好ましい。露光装置に使用
される試料保持装置の試料保持面は、パーティクル等の
影響を排除するため、凹凸をつけてウエハとの接触面積
を減少させるのが一般的である。本発明の静電吸着装置
の場合でも表面に凹凸をつけて接触面積を減少させるこ
とができる。この場合、凹部分の深さを２０μm より浅
くすることで、非接触部分で発生する吸着力も静電試料
保持力として作用するため、静電吸着装置の全体的な吸
着力を向上させることが可能である。なお凹部分の深さ
の下限は、パーティクルの大きさを考慮して、０．５μ
m 程度と考えられる。
料吸着面に凹凸加工が施されており、その凹部分の深さ
が２０μm 以下であることが好ましい。露光装置に使用
される試料保持装置の試料保持面は、パーティクル等の
影響を排除するため、凹凸をつけてウエハとの接触面積
を減少させるのが一般的である。本発明の静電吸着装置
の場合でも表面に凹凸をつけて接触面積を減少させるこ
とができる。この場合、凹部分の深さを２０μm より浅
くすることで、非接触部分で発生する吸着力も静電試料
保持力として作用するため、静電吸着装置の全体的な吸
着力を向上させることが可能である。なお凹部分の深さ
の下限は、パーティクルの大きさを考慮して、０．５μ
m 程度と考えられる。
【００１７】以下、図面を参照しつつ、本発明の１実施
例に係る静電吸着装置について説明する。図１は、本発
明の１実施例に係る静電吸着装置を模式的に示す図であ
る。（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は側面断面図であ
る。この静電吸着装置１も、図２の従来の静電吸着装置
同様に、セラミックス等からなる絶縁体基板２１と、基
板上の電極１７、１９と、その上の誘電体層１１、１３
とからなる３層構造を有する。ただし、誘電体層１１、
１３は、吸着面１０における平面的な配置において、５
つの領域、すなわち外側から１１ａ、１３ａ、１１ｂ、
１３ｂ、１１ｃの領域に分かれている。
例に係る静電吸着装置について説明する。図１は、本発
明の１実施例に係る静電吸着装置を模式的に示す図であ
る。（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は側面断面図であ
る。この静電吸着装置１も、図２の従来の静電吸着装置
同様に、セラミックス等からなる絶縁体基板２１と、基
板上の電極１７、１９と、その上の誘電体層１１、１３
とからなる３層構造を有する。ただし、誘電体層１１、
１３は、吸着面１０における平面的な配置において、５
つの領域、すなわち外側から１１ａ、１３ａ、１１ｂ、
１３ｂ、１１ｃの領域に分かれている。
【００１８】この静電吸着装置の吸着面１０は平面形状
が円形であり、各誘電体層領域１１ａ、ｂ、ｃ、１３
ａ、ｂは、吸着面１０上において同心円（リング）状に
配置されている。各領域のうち中央領域１１ｃは比較的
小径の円形であり、その外側の領域１３ｂは細く比較的
小径のリング状である。領域１３ｂの外側の領域１１ｂ
は、比較的幅広のリング状である。領域１１ｂの外側の
領域１３ａは比較的大径で細いリング状である。最外周
部の領域１１ａは、領域１３ａよりも幅広のリング状で
ある。
が円形であり、各誘電体層領域１１ａ、ｂ、ｃ、１３
ａ、ｂは、吸着面１０上において同心円（リング）状に
配置されている。各領域のうち中央領域１１ｃは比較的
小径の円形であり、その外側の領域１３ｂは細く比較的
小径のリング状である。領域１３ｂの外側の領域１１ｂ
は、比較的幅広のリング状である。領域１１ｂの外側の
領域１３ａは比較的大径で細いリング状である。最外周
部の領域１１ａは、領域１３ａよりも幅広のリング状で
ある。
【００１９】細いリング状の誘電体層領域１３ａ、ｂ
は、体積固有抵抗が低いセラミックス、例えばアルミナ
から構成されている。なお、同じ種類のセラミックスで
も製法や組成を変えることで体積固有抵抗を変えること
ができる。この領域１３ａ、ｂは、主にジョンセンラー
ベック力によりウエハを吸着する。中央部領域１１ｃ及
び比較的幅広のリング状の誘電体層領域１１ｂ、１１ａ
は、体積固有抵抗が高いセラミックスから構成されてい
る。この領域１１ａ、ｂ、ｃは、主にクーロン力でウエ
ハを吸着する。
は、体積固有抵抗が低いセラミックス、例えばアルミナ
から構成されている。なお、同じ種類のセラミックスで
も製法や組成を変えることで体積固有抵抗を変えること
ができる。この領域１３ａ、ｂは、主にジョンセンラー
ベック力によりウエハを吸着する。中央部領域１１ｃ及
び比較的幅広のリング状の誘電体層領域１１ｂ、１１ａ
は、体積固有抵抗が高いセラミックスから構成されてい
る。この領域１１ａ、ｂ、ｃは、主にクーロン力でウエ
ハを吸着する。
【００２０】各誘電体層領域は、電極層を挟んで低熱膨
張率の絶縁体部材（基盤２１）に固定されており、各領
域の互いの位置は安定化されている。誘電体層の２種類
の材料は一般的には熱膨張率が異なるため、各誘電体層
領域間は少し隙間１５をあけて配置するのがよい。
張率の絶縁体部材（基盤２１）に固定されており、各領
域の互いの位置は安定化されている。誘電体層の２種類
の材料は一般的には熱膨張率が異なるため、各誘電体層
領域間は少し隙間１５をあけて配置するのがよい。
【００２１】次に電極の配置について説明する。図１
（Ｂ）に示すように、各誘電体層領域１１ａ、ｂ、ｃ、
１３ａ、ｂの下には、別個独立の電極１７ａ、ｂ、ｃ、
１９ａ、ｂが設けられている。各電極１７ａ、ｂ、ｃ、
１９ａ、ｂの平面形状は、ほぼ各誘電体層領域１１ａ、
ｂ、ｃ、１３ａ、ｂの形に対応している。
（Ｂ）に示すように、各誘電体層領域１１ａ、ｂ、ｃ、
１３ａ、ｂの下には、別個独立の電極１７ａ、ｂ、ｃ、
１９ａ、ｂが設けられている。各電極１７ａ、ｂ、ｃ、
１９ａ、ｂの平面形状は、ほぼ各誘電体層領域１１ａ、
ｂ、ｃ、１３ａ、ｂの形に対応している。
【００２２】各電極は、それぞれ電源制御系２９に接続
されている。本実施例では電極を誘電体層材料領域毎に
配置し、独立に電圧供給を制御可能な構成としている。
これは、クーロン力タイプ領域とジョンセンラーベック
力タイプ領域で異なる電圧を印加する可能性が高いため
である。例えばクーロン力タイプ領域で印加電圧は６０
０〜１．５KVであり、ジョンセンラーベック力タイプ領
域で４００〜６００Vである。このように異なる電圧を
印加した場合でも、ウエハをアース電位とすれば、ウエ
ハ吸着力やウエハ面に入射する電子線への影響は少な
い。なお、本実施例では電極配置を単極型と仮定してい
るが、もちろん双極型に配置してもよく、さらに電極を
細分化して配置し個別に制御してもよい。
されている。本実施例では電極を誘電体層材料領域毎に
配置し、独立に電圧供給を制御可能な構成としている。
これは、クーロン力タイプ領域とジョンセンラーベック
力タイプ領域で異なる電圧を印加する可能性が高いため
である。例えばクーロン力タイプ領域で印加電圧は６０
０〜１．５KVであり、ジョンセンラーベック力タイプ領
域で４００〜６００Vである。このように異なる電圧を
印加した場合でも、ウエハをアース電位とすれば、ウエ
ハ吸着力やウエハ面に入射する電子線への影響は少な
い。なお、本実施例では電極配置を単極型と仮定してい
るが、もちろん双極型に配置してもよく、さらに電極を
細分化して配置し個別に制御してもよい。
【００２３】本実施例の静電吸着装置においては、以上
のように構成することで、ウエハに流れる電流が少な
く、なおかつウエハがずれる可能性が少ない静電吸着装
置を実現できる。なお、２種類のセラミックスの配置
は、同心リング状ではなく、ジョンセンラーベック力タ
イプの部分１３が、クーロン力タイプの部分１１中に点
在するような形態にしてもよい。
のように構成することで、ウエハに流れる電流が少な
く、なおかつウエハがずれる可能性が少ない静電吸着装
置を実現できる。なお、２種類のセラミックスの配置
は、同心リング状ではなく、ジョンセンラーベック力タ
イプの部分１３が、クーロン力タイプの部分１１中に点
在するような形態にしてもよい。
【００２４】以下に本実施例の静電チャックの具体的構
成例を記す。 （１）絶縁体基板 材料：アルミナ、厚さ：１０mm （２）電極 材料：チタン、厚さ：０．０１mm、 低体積固有抵抗誘電体層電極印加電圧： ４００V 高体積固有抵抗誘電体層電極印加電圧：１０００V
成例を記す。 （１）絶縁体基板 材料：アルミナ、厚さ：１０mm （２）電極 材料：チタン、厚さ：０．０１mm、 低体積固有抵抗誘電体層電極印加電圧： ４００V 高体積固有抵抗誘電体層電極印加電圧：１０００V
【００２５】（３）低体積固有抵抗誘電体層 材料：アルミナ、厚さ：０．２mm、幅：１０mm、 外径：内側３０mm、外側：７０mm、吸着面における面積
比率：１６％ 体積固有抵抗：５×１０10Ωcm 、比誘電率：１０
比率：１６％ 体積固有抵抗：５×１０10Ωcm 、比誘電率：１０
【００２６】（４）高体積固有抵抗誘電体層 材料：アルミナ、厚さ：０．２mm 吸着面における面積比率：８４％ 体積固有抵抗：５×１０15Ωcm、比誘電率：１０
【００２７】次に、本実施例の静電チャックの代表的な
製作方法例は、ベース部の絶縁体基板を用意するととも
に誘電体基板を用意（これが静電チャック）を用意す
る。次に、誘電体基板裏面に電極を形成する。次に誘電
体基板とベース部基板張り合せる。最後に給電端子を配
線する。
製作方法例は、ベース部の絶縁体基板を用意するととも
に誘電体基板を用意（これが静電チャック）を用意す
る。次に、誘電体基板裏面に電極を形成する。次に誘電
体基板とベース部基板張り合せる。最後に給電端子を配
線する。
【００２８】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、試料（ウエハ等）への漏れ電流や試料の熱膨
張ずれによって露光パターン精度が低下することを防止
可能な静電吸着装置を提供できる。
によれば、試料（ウエハ等）への漏れ電流や試料の熱膨
張ずれによって露光パターン精度が低下することを防止
可能な静電吸着装置を提供できる。
【図１】本発明の１実施例に係る静電吸着装置を模式的
に示す図である。（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は側面
断面図である。
に示す図である。（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は側面
断面図である。
【図２】従来技術による静電吸着装置を説明する模式図
を示す。
を示す。
１ 静電チャック ３ ウエハ １０ 吸着面 １１ 誘電体層 １３ 誘電体層 １５ スキマ １７ 静電電極 １９ 静電電極 ２１ 絶縁体基盤 ２３、２５ 配
線
線
Claims (8)
- 【請求項１】 静電吸着力を用いて試料を固定する吸着
面を有する静電吸着装置であって；上記吸着面を構成す
る誘電体層が、性質の異なる材料からなる少なくとも２
つの領域に分割されていることを特徴とする静電吸着装
置。 - 【請求項２】 絶縁体からなる基板と、 該基板上に配置された静電電極と、 該電極上に形成された試料吸着面を構成する誘電体層
と、 を具備する静電吸着装置であって；上記誘電体層が、吸
着面上において少なくとも２つの平面領域に分割されて
形成されており、各領域の誘電体層が性質の異なる２つ
以上の材料のいずれかからなることを特徴とする静電吸
着装置。 - 【請求項３】 上記性質の異なる材料の一方の体積固有
抵抗が１０14Ωcm以上であり、 他方の材料の体積固有抵抗が１０13Ωcm以下であること
を特徴とする請求項１又は２記載の静電吸着装置。 - 【請求項４】 上記性質の異なる材料の一方の比誘電率
が２０以上であり、 他方の材料の比誘電率が２０未満であることを特徴とす
る請求項１又は２記載の静電吸着装置。 - 【請求項５】 上記各誘電体層領域毎に静電電極を別個
に設け、各電極を独立して電圧制御することを特徴とす
る請求項１〜４のいずれか１項記載の静電吸着装置。 - 【請求項６】 上記試料の電位がアース電位となるよう
に、上記電極の電源及び電圧制御系を構成したことを特
徴とする請求項１又は２記載の静電吸着装置。 - 【請求項７】 上記体積固有抵抗が１０14Ωcm以上の材
料の領域が上記吸着面中に占める割合が２０％以上であ
り、 上記体積固有抵抗が１０13Ωcm以下の材料の領域が上記
吸着面中に占める割合が３０％以下であることを特徴と
する請求項３記載の静電吸着装置。 - 【請求項８】 上記試料吸着面に凹凸加工が施されてお
り、その凹部分の深さが２０μm 以下であることを特徴
とする請求項１又は２記載の静電吸着装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11126660A JP2000323558A (ja) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | 静電吸着装置 |
| US09/560,830 US6522519B1 (en) | 1999-05-07 | 2000-04-28 | Electrostatic chucking device and methods for holding microlithographic sample |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11126660A JP2000323558A (ja) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | 静電吸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000323558A true JP2000323558A (ja) | 2000-11-24 |
Family
ID=14940726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11126660A Pending JP2000323558A (ja) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | 静電吸着装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6522519B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000323558A (ja) |
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| KR20200059570A (ko) * | 2018-11-21 | 2020-05-29 | 삼성전자주식회사 | 정전 척, 및 그를 포함하는 플라즈마 처리 장치 |
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-
1999
- 1999-05-07 JP JP11126660A patent/JP2000323558A/ja active Pending
-
2000
- 2000-04-28 US US09/560,830 patent/US6522519B1/en not_active Expired - Lifetime
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20040629 |