JP7241540B2 - 測定方法及び測定治具 - Google Patents
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Description
まず、図1を参照して、本実施形態に係る基板処理装置100の構成について説明する。図1は、一実施形態に係る基板処理装置の一例を示す断面模式図である。
[測定タイミング]
図2に、基板処理装置100においてウエハWを処理する処理サイクルの一例を示す。本処理が開始されると、まず、ゲートバルブGを開けてウエハWを搬入する(ステップS1)。次に、ガス供給部5から所定のガスをチャンバC内に充填し、チャンバCの内部を調圧する(ステップS2)。充填するガスは、アルゴンガス等の不活性ガスが好ましいが、窒素ガス等であってもよい。
次に、電流値及び電圧値の測定シーケンスの一例について、図3及び図4を参照しながら説明する。図3は、一実施形態に係る放電開始電圧の測定シーケンスを示す図である。図4は、一実施形態に係る放電開始電圧の測定方法を説明するための図である。なお、測定シーケンスの制御は、制御部200により行われる。
このようにして測定した電流値及び電圧値の実測値の一例について説明する。ここでは図3の「4」のフェーズにおいてDC電圧を上昇させたときに実際に測定した電流値及び電圧値の一例について、図5を参照して説明する。図5は、一実施形態に係る電圧値及び電流値の実測値の一例を示す図である。
なお、制御部200は、信号記録装置15が記録した電流値及び電圧値を取得し、放電開始電圧値V0及び電流値i(t0)~i(t1)に基づき、静電容量Cを算出することに限られない。例えば、図5の線B1に示す1番目の放電、線B2に示す2番目の放電及び線B3に示す3番目の放電の開始時刻から終了時刻におけるそれぞれの電流値iを、式(1)に代入し、算出した3つの電荷量qの平均値を求めてもよい。電荷量qの平均値を式(2)に代入することで、静電チャック22の静電容量Cが算出できる。これによれば、電荷量qの平均値を使用することで、測定時の電流値及び電圧値のバラツキによる静電チャック22の静電容量Cの算出結果の精度の低下を抑制できる。
次に、算出した静電チャック22の静電容量Cを用いた吸着力判定処理について、図6を参照して説明する。図6は、一実施形態に係る静電容量を用いた吸着力判定処理を示すフローチャートである。
次に、放電開始電圧を測定するための測定治具300について、図7を参照しながら説明する。図7は、一実施形態に係る測定治具を示す図である。
次に、図9を参照して、端子Tの接触判定処理及び放電開始電圧値V0の測定処理について説明する。図9は、一実施形態に係る端子の接触判定処理及び放電開始電圧値の測定処理を示すフローチャートである。
2 載置台
3 第1の高周波電源
4 第2の高周波電源
5 ガス供給部
8 エッジリング
12 電流計
13 電圧計
14、17 電源
15 信号記録装置
19 RCフィルタ
21 電極
22 静電チャック
23 基台
100 基板処理装置
200 制御部
300 測定治具
310、320 固定部
C チャンバ
Claims (14)
- グラウンドに接続される基板を接触させた静電チャック内の電極に端子を接触させる工程と、
前記端子、前記静電チャック及び前記基板を固定する工程と、
前記端子に接続された電流計及び電圧計により電流値及び電圧値を測定する工程と、
測定した前記電流値及び前記電圧値に基づき、前記電流値の傾き及び/又は前記電流値のピーク時の値から前記端子と前記電極との導通を判定する工程と、
を有する測定方法。 - 基板を静電チャックに載置する工程と、
ガスをチャンバ内に供給する工程と、
静電吸着のための電源、静電チャック、基板又はエッジリング、プラズマ、グラウンドに接続された部材で形成される回路において、前記チャンバ内にてガス放電が生じたときの前記電源に並列に接続された電圧計が測定する放電開始電圧値と、前記静電チャック内の電極と前記電源との間の給電線に直列に接続された電流計が測定する電流値とを取得する工程と、
取得した前記放電開始電圧値及び前記電流値に基づき、前記電流値の傾き及び/又は前記電流値のピーク時の値から前記静電チャック内の電極と端子との導通を判定する工程と、
を有する測定方法。 - 測定した前記放電開始電圧値と電流値とから前記静電チャックの静電容量を算出する工程を有する、
請求項2に記載の測定方法。
測定方法。 - 前記ガス放電は、前記静電チャックの基台及び前記静電チャックの上の基板をフローティングさせた状態で前記静電チャックの電極に電圧を印加することで発生させる、
請求項2又は3に記載の測定方法。 - 前記ガス放電は、前記静電チャックに対向する上部電極と前記静電チャックとの間に電圧差を生じさせることで発生させる、
請求項2~4のいずれか一項に記載の測定方法。 - 算出した前記静電チャックの静電容量と、予め定められた静電容量の閾値とを比較し、比較の結果に応じて前記チャンバ内の状態を判定する工程を有する、
請求項3~5のいずれか一項に記載の測定方法。 - 前記比較の結果に応じて、前記静電チャックの基板の吸着力を判定する、
請求項6に記載の測定方法。 - 前記比較の結果に応じて、クリーニングの実行及び/又はトリートメントの実行の要否を判定する、
請求項6又は7に記載の測定方法。 - 前記静電チャックを複数のゾーンに分割し、分割した各ゾーンの静電容量を算出する、
請求項2~8のいずれか一項に記載の測定方法。 - 前記ガス放電は、前記静電チャックの基台及び前記静電チャックのエッジリング載置面に設けられたエッジリングをフローティングさせた状態で前記エッジリングの電極に電圧を印加することで発生させ、
前記静電チャックのエッジリング載置面の静電容量を算出する、
請求項9に記載の測定方法。 - 前記ガスは、不活性ガスである、
請求項2~10のいずれか一項に記載の測定方法。 - 前記基板は、シリコン含有物又は金属から形成され、接地されている、
請求項1又は2に記載の測定方法。 - 前記端子と電流計との間にRCフィルタが接続され、所定の周波数帯の電流をカットする工程を有する、
請求項1又は2に記載の測定方法。 - グラウンドに接続される基板を接触させた静電チャックの電極に接触させる端子と、
前記端子、前記静電チャック及び前記基板を固定する固定部と、
前記端子に接続された電流計及び電圧計と、
前記電流計及び電圧計を用いて前記端子に流れる電流値及び電圧値を測定し、測定した前記電流値及び前記電圧値に基づき、前記電流値の傾き及び/又は前記電流値のピーク時の値から前記端子と前記電極との導通を判定する制御部と、
を有する測定治具。
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Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002222850A (ja) | 2001-01-25 | 2002-08-09 | Mitsubishi Electric Corp | 静電チャックにおける被吸着物の離脱方法 |
JP2003152062A (ja) | 2001-11-13 | 2003-05-23 | Nihon Ceratec Co Ltd | 静電チャック |
JP2008047564A (ja) | 2006-08-10 | 2008-02-28 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置、静電チャックの診断方法及び記憶媒体 |
WO2010047311A1 (ja) | 2008-10-20 | 2010-04-29 | 株式会社クリエイティブ テクノロジー | 静電チャックの検査方法及び静電チャック装置 |
JP2010171454A (ja) | 2010-04-19 | 2010-08-05 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2016032113A (ja) | 2014-07-25 | 2016-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | ウエハ固定のためのesc電荷制御装置及び方法 |
JP2016040805A (ja) | 2014-08-13 | 2016-03-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理装置 |
JP2018093179A (ja) | 2016-12-06 | 2018-06-14 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置 |
JP2018107265A (ja) | 2016-12-26 | 2018-07-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 計測方法、除電方法及びプラズマ処理装置 |
JP2018206804A (ja) | 2017-05-30 | 2018-12-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 静電チャック及びプラズマ処理装置 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0493089B1 (en) * | 1990-12-25 | 1998-09-16 | Ngk Insulators, Ltd. | Wafer heating apparatus and method for producing the same |
US5384681A (en) * | 1993-03-01 | 1995-01-24 | Toto Ltd. | Electrostatic chuck |
US5557215A (en) * | 1993-05-12 | 1996-09-17 | Tokyo Electron Limited | Self-bias measuring method, apparatus thereof and electrostatic chucking apparatus |
JPH07211768A (ja) | 1994-01-13 | 1995-08-11 | Hitachi Ltd | 静電吸着装置の保持状態確認方法 |
JP3966931B2 (ja) * | 1996-10-22 | 2007-08-29 | 株式会社アルバック | 静電吸着装置、静電吸着力測定方法、記録媒体 |
US6198616B1 (en) * | 1998-04-03 | 2001-03-06 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for supplying a chucking voltage to an electrostatic chuck within a semiconductor wafer processing system |
US7218503B2 (en) * | 1998-09-30 | 2007-05-15 | Lam Research Corporation | Method of determining the correct average bias compensation voltage during a plasma process |
JP3771766B2 (ja) * | 2000-02-16 | 2006-04-26 | 三菱重工業株式会社 | 静電チャック評価装置及び静電チャック評価方法 |
JP4615670B2 (ja) | 2000-04-19 | 2011-01-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 静電チャックにおけるチャッキング力を制御する方法及び装置 |
US7208067B2 (en) * | 2003-03-27 | 2007-04-24 | Tokyo Electron Limited | Method and system for monitoring RF impedance to determine conditions of a wafer on an electrostatic chuck |
KR20060079931A (ko) * | 2005-01-04 | 2006-07-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조 장치의 정전용량 모니터링방법 |
KR20060100028A (ko) * | 2005-03-16 | 2006-09-20 | 삼성전자주식회사 | 정전척 모니터링 시스템 |
KR100814636B1 (ko) * | 2006-01-06 | 2008-03-18 | 코닉시스템 주식회사 | 전류를 피드백신호로 하여 구동전압을 제어하는 정전척구동전압 제어장치 |
JP4920991B2 (ja) * | 2006-02-22 | 2012-04-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP4657949B2 (ja) * | 2006-03-01 | 2011-03-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | エッチング処理装置および自己バイアス電圧測定方法ならびにエッチング処理装置の監視方法 |
US7754615B2 (en) * | 2006-07-31 | 2010-07-13 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for detecting endpoint in a dry etching system by monitoring a superimposed DC current |
US7514935B2 (en) * | 2006-09-13 | 2009-04-07 | Advanced Energy Industries, Inc. | System and method for managing power supplied to a plasma chamber |
US20080153182A1 (en) * | 2006-12-21 | 2008-06-26 | Sokudo Co., Ltd | Method and system to measure and compensate for substrate warpage during thermal processing |
US8149562B2 (en) * | 2007-03-09 | 2012-04-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | System for decharging a wafer or substrate after dechucking from an electrostatic chuck |
US7737702B2 (en) * | 2007-08-15 | 2010-06-15 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for wafer level arc detection at an electrostatic chuck electrode |
US9313872B2 (en) * | 2009-10-27 | 2016-04-12 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
JP6320248B2 (ja) * | 2014-03-04 | 2018-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法 |
US10074549B2 (en) * | 2016-03-28 | 2018-09-11 | Tokyo Electron Limited | Method for acquiring data indicating electrostatic capacitance |
US10804821B2 (en) * | 2016-11-04 | 2020-10-13 | Advanced Ion Beam Technology, Inc. | Apparatus and method for monitoring the relative relationship between the wafer and the chuck |
-
2018
- 2018-12-28 JP JP2018248274A patent/JP7241540B2/ja active Active
-
2019
- 2019-12-17 TW TW108146143A patent/TWI825247B/zh active
- 2019-12-26 KR KR1020190174637A patent/KR20200083278A/ko active Search and Examination
- 2019-12-27 CN CN201911377536.4A patent/CN111381194B/zh active Active
- 2019-12-27 US US16/728,161 patent/US11456199B2/en active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002222850A (ja) | 2001-01-25 | 2002-08-09 | Mitsubishi Electric Corp | 静電チャックにおける被吸着物の離脱方法 |
JP2003152062A (ja) | 2001-11-13 | 2003-05-23 | Nihon Ceratec Co Ltd | 静電チャック |
JP2008047564A (ja) | 2006-08-10 | 2008-02-28 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置、静電チャックの診断方法及び記憶媒体 |
WO2010047311A1 (ja) | 2008-10-20 | 2010-04-29 | 株式会社クリエイティブ テクノロジー | 静電チャックの検査方法及び静電チャック装置 |
JP2010171454A (ja) | 2010-04-19 | 2010-08-05 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2016032113A (ja) | 2014-07-25 | 2016-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | ウエハ固定のためのesc電荷制御装置及び方法 |
JP2016040805A (ja) | 2014-08-13 | 2016-03-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理装置 |
JP2018093179A (ja) | 2016-12-06 | 2018-06-14 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置 |
JP2018107265A (ja) | 2016-12-26 | 2018-07-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 計測方法、除電方法及びプラズマ処理装置 |
JP2018206804A (ja) | 2017-05-30 | 2018-12-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 静電チャック及びプラズマ処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202109058A (zh) | 2021-03-01 |
KR20200083278A (ko) | 2020-07-08 |
JP2020107859A (ja) | 2020-07-09 |
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US20200211886A1 (en) | 2020-07-02 |
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