JP2016032113A - ウエハ固定のためのesc電荷制御装置及び方法 - Google Patents
ウエハ固定のためのesc電荷制御装置及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016032113A JP2016032113A JP2015146714A JP2015146714A JP2016032113A JP 2016032113 A JP2016032113 A JP 2016032113A JP 2015146714 A JP2015146714 A JP 2015146714A JP 2015146714 A JP2015146714 A JP 2015146714A JP 2016032113 A JP2016032113 A JP 2016032113A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- esc
- plasma
- voltage
- set point
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 53
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 53
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims 4
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 claims 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005524 ceramic coating Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32697—Electrostatic control
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32422—Arrangement for selecting ions or species in the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32697—Electrostatic control
- H01J37/32706—Polarising the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】 処理プラズマが存在するときの静電チャック(ESC)への電圧印加に係る電流スパイクが抑制又は緩和されるプラズマ処理方法及び装置が供される。例によると、前記処理プラズマが衝突した後に前記電圧が印加されるが、前記電圧は、所望の最終ESC電圧を実現するようにステップ状に増大又は上昇する。代替実施例では、前記ESC電圧は、前記ウエハを処理するため、前記プラズマの衝突前に少なくとも部分的に印加される。前記処理プラズマが存在する間に前記ESCへの電圧印加に係る電流スパイクを減少させることによって、前記ウエハ上での粒子の移送又は堆積は減少し得る。
【選択図】 図1
Description
10 チャンバ
20 ウエハ支持体
21 上側電極
22 電源
25 ウエハ
30 排出ポート
32 ゲートバルブ
55 制御装置
98 電離気体
100 プラズマ
Claims (20)
- 基板の処理方法であって、
静電チャック(ESC)を有するプラズマ処理チャンバ内で前記基板を受け取る工程;
前記プラズマ処理チャンバ内でプラズマを点火する工程;
第1設定点から第2設定点まで上昇するESC電圧を前記ESCへ印加する工程であって、前記ESC電圧は、前記第1設定点と前記第2設定点との間に設けられる少なくとも1つの中間設定点を用いて上昇する、工程;及び、
前記プラズマを用いて前記基板をエッチングする工程、
を有する方法。 - 前記第1設定点が、前記第2設定点で印加される第2電圧の大きさよりも小さい第1電圧の大きさを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記ESC電圧の上昇が:
各電圧上昇について実質的に等しい長さの時間;並びに、
前記第1設定点と後続の前記中間設定点の各点又は前記中間設定点との間、及び、(複数の)前記中間設定点と前記第2設定点との間で実質的に同様の差異;
を供する工程、を有する、請求項1に記載の方法。 - 前記ESCの電圧が階段状に上昇し、
各印加された電圧は、次の電圧増加の前に0.1秒乃至2.0秒の期間維持される、
請求項3に記載の方法。 - 前記電圧の階段状の上昇が、前記第1設定点と前記第2設定点との間での電圧においてわずか100段階の段階を有する、請求項4に記載の方法。
- 前記第2設定点がわずか5000Vの大きさを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記第2設定点が少なくとも500Vの大きさを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記プラズマ処理チャンバが、前記プラズマの点火を可能にするマイクロ波電源を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記プラズマ処理チャンバが、前記プラズマの点火を可能にする高周波電源を有する、請求項1に記載の方法。
- 基板を処理する方法であって、
静電チャック(ESC)を有するプラズマ処理チャンバ内で前記基板を受け取る工程;
前記プラズマ処理チャンバ内でプラズマを点火する工程;
少なくとも3つの異なる連続して増加する電荷の大きさを用いることによって階段状に前記ESCを帯電する工程;及び、
前記プラズマを用いて前記基板をエッチングする工程、
を有する方法。 - 前記帯電は、電子が前記プラズマから前記基板へ引き出されるように前記ESCへ電圧を印加する工程を有する、請求項10に記載の方法。
- 各連続する電荷の上昇が、次の電荷の上昇の前の所定期間維持され、かつ、
前記所定期間は0.1乃至2.0秒の範囲内である、
請求項10に記載の方法。 - 前記帯電が、第1種の負に帯電した粒子を、第2種の負に帯電した粒子よりも、前記第1種の負に帯電した粒子のより大きな移動度を利用して、より多く引きつける電位差を生成する工程を有する、請求項10に記載の方法。
- 前記プラズマが前記第2種の負に帯電した粒子と前記第1種の負に帯電した粒子を含み、
前記第1種の負に帯電した粒子は電子で、かつ、
前記第1種の負に帯電した粒子は密で堅い汚染粒子である、
請求項13に記載の方法。 - 前記ESCの帯電が、前記ESCへ印加される電圧を、最終ESC電圧に到達するまで階段状に上昇させる工程を有する、請求項10に記載の方法。
- 前記プラズマの点火が、前記ESCの少なくとも部分的な帯電の後に起こる、請求項10に記載の方法。
- 少なくとも1つの制御装置、及び、コンピュータの処理装置が実行可能な命令を格納するコンピュータ可読非一時的有形媒体を有するプラズマ処理装置であって、
前記コンピュータの処理装置が実行可能な命令が前記少なくとも1つの制御装置によって実行されるときに、
プラズマ電源によって電力が供される電極に対向する帯電チャックを有するプラズマ処理チャンバ内に基板を設ける工程;
前記プラズマ電源をプラズマ点火点に設定する工程;及び、
所望の電荷レベルに到達するまで3つ以上の上昇するチャック電荷設定点を介して上昇する工程であって、各チャック電荷設定点は、次の電荷設定点へ上昇するまで所定期間維持される、工程、
を有する方法が実行される、プラズマ処理装置。 - 基板を処理する方法であって:
静電チャック(ESC)を有するプラズマ処理チャンバ内で前記基板を受け取る工程;
ESC電圧を前記ESCへ印加する工程;
前記ESC電圧の印加後に前記プラズマ処理チャンバ内でプラズマを点火する工程;及び、
前記プラズマを用いて前記基板をエッチングする工程、
を有する方法。 - 前記ESC電圧を印加する工程が、初期設定点から、前記基板のエッチング中に用いられる最終設定点へ前記ESC電圧を変化させる工程を有する、請求項18に記載の方法。
- 前記ESC電圧を印加する工程が、第1設定点から第2設定点へ、該第1設定点と前記第2設定点との間に設けられる少なくとも1つの中間設定点を用いることによって前記ESC電圧を上昇させる工程を有する、請求項18に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201462028919P | 2014-07-25 | 2014-07-25 | |
US62/028,919 | 2014-07-25 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016032113A true JP2016032113A (ja) | 2016-03-07 |
JP6169136B2 JP6169136B2 (ja) | 2017-07-26 |
Family
ID=55167287
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015146714A Active JP6169136B2 (ja) | 2014-07-25 | 2015-07-24 | ウエハ固定のためのesc電荷制御装置及び方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9530626B2 (ja) |
JP (1) | JP6169136B2 (ja) |
KR (1) | KR101809788B1 (ja) |
TW (1) | TWI620268B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020107859A (ja) * | 2018-12-28 | 2020-07-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 測定方法及び測定治具 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10818502B2 (en) * | 2016-11-21 | 2020-10-27 | Tokyo Electron Limited | System and method of plasma discharge ignition to reduce surface particles |
US10818482B2 (en) * | 2018-09-27 | 2020-10-27 | Tokyo Electron Limited | Methods for stability monitoring and improvements to plasma sources for plasma processing |
JP2022529609A (ja) * | 2019-04-15 | 2022-06-23 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 静電チャックプロセス |
CN114467164A (zh) * | 2019-09-12 | 2022-05-10 | 应用材料公司 | 排斥网和沉积方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07122544A (ja) * | 1993-10-20 | 1995-05-12 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置の制御方法 |
JPH10150100A (ja) * | 1996-09-19 | 1998-06-02 | Hitachi Ltd | 静電チャックとそれを用いた試料処理方法及び装置 |
JP2000269183A (ja) * | 1999-03-17 | 2000-09-29 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置のメンテナンス方法 |
JP2005116821A (ja) * | 2003-10-08 | 2005-04-28 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及びプラズマ生成方法 |
JP2006093558A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法、プラズマ処理装置及び記憶媒体 |
JP2008060304A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2010010236A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2011009351A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2012174978A (ja) * | 2011-02-23 | 2012-09-10 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2014011215A (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-20 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5684669A (en) * | 1995-06-07 | 1997-11-04 | Applied Materials, Inc. | Method for dechucking a workpiece from an electrostatic chuck |
US6375860B1 (en) * | 1995-03-10 | 2002-04-23 | General Atomics | Controlled potential plasma source |
JP2000021964A (ja) | 1998-07-06 | 2000-01-21 | Ngk Insulators Ltd | 静電チャックのパーティクル発生低減方法および半導体製造装置 |
US6898065B2 (en) * | 2002-07-26 | 2005-05-24 | Brad Mays | Method and apparatus for operating an electrostatic chuck in a semiconductor substrate processing system |
US20040031699A1 (en) * | 2002-08-19 | 2004-02-19 | Applied Materials, Inc. | Method for performing real time arcing detection |
JP4227865B2 (ja) | 2003-08-12 | 2009-02-18 | 株式会社ディスコ | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 |
JP4657949B2 (ja) * | 2006-03-01 | 2011-03-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | エッチング処理装置および自己バイアス電圧測定方法ならびにエッチング処理装置の監視方法 |
US7838800B2 (en) | 2006-09-25 | 2010-11-23 | Tokyo Electron Limited | Temperature controlled substrate holder having erosion resistant insulating layer for a substrate processing system |
TWI390582B (zh) * | 2008-07-16 | 2013-03-21 | Sumitomo Heavy Industries | Plasma processing device and plasma processing method |
JP2010056353A (ja) | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP5486970B2 (ja) | 2010-03-17 | 2014-05-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板脱着方法及び基板処理装置 |
JP6075555B2 (ja) * | 2013-07-05 | 2017-02-08 | 日新イオン機器株式会社 | 静電チャックシステムおよび半導体製造装置 |
-
2015
- 2015-07-23 US US14/807,319 patent/US9530626B2/en active Active
- 2015-07-24 JP JP2015146714A patent/JP6169136B2/ja active Active
- 2015-07-24 TW TW104123995A patent/TWI620268B/zh active
- 2015-07-27 KR KR1020150105983A patent/KR101809788B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07122544A (ja) * | 1993-10-20 | 1995-05-12 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置の制御方法 |
JPH10150100A (ja) * | 1996-09-19 | 1998-06-02 | Hitachi Ltd | 静電チャックとそれを用いた試料処理方法及び装置 |
JP2000269183A (ja) * | 1999-03-17 | 2000-09-29 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置のメンテナンス方法 |
JP2005116821A (ja) * | 2003-10-08 | 2005-04-28 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及びプラズマ生成方法 |
JP2006093558A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法、プラズマ処理装置及び記憶媒体 |
JP2008060304A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2010010236A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2011009351A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2012174978A (ja) * | 2011-02-23 | 2012-09-10 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2014011215A (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-20 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020107859A (ja) * | 2018-12-28 | 2020-07-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 測定方法及び測定治具 |
JP7241540B2 (ja) | 2018-12-28 | 2023-03-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 測定方法及び測定治具 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI620268B (zh) | 2018-04-01 |
KR20160012967A (ko) | 2016-02-03 |
US20160027620A1 (en) | 2016-01-28 |
KR101809788B1 (ko) | 2017-12-15 |
JP6169136B2 (ja) | 2017-07-26 |
US9530626B2 (en) | 2016-12-27 |
TW201618225A (zh) | 2016-05-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6169136B2 (ja) | ウエハ固定のためのesc電荷制御装置及び方法 | |
US8383001B2 (en) | Plasma etching method, plasma etching apparatus and storage medium | |
TWI540637B (zh) | Plasma etching method | |
CN106415779B (zh) | 用于控制等离子体密度的***和方法 | |
US8641916B2 (en) | Plasma etching apparatus, plasma etching method and storage medium | |
US9324575B2 (en) | Plasma etching method and plasma etching apparatus | |
EP2911187A1 (en) | Etching method | |
US9530666B2 (en) | Plasma etching method and plasma etching apparatus | |
KR20160028370A (ko) | 에칭 방법 | |
JP2013535074A5 (ja) | ||
TW201349337A (zh) | 電漿處理裝置 | |
US11424108B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
US20090291564A1 (en) | Apparatus and method for plasma processing | |
US20210013060A1 (en) | Plasma processing apparatus and method for releasing sample | |
US20190035606A1 (en) | Plasma Processing Apparatus and Method, and Method of Manufacturing Semiconductor Device Using the Same | |
KR102053792B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
US20170186591A1 (en) | Cleaning method of plasma processing apparatus and plasma processing apparatus | |
US20220020568A1 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
KR102427971B1 (ko) | 플라즈마 처리 방법 | |
KR101027471B1 (ko) | 플라즈마 처리방법 및 처리장치 | |
CN113192832A (zh) | 基板处理方法和基板处理*** | |
US9441290B2 (en) | System and method of improving implant quality in a plasma-based implant system | |
JP2009141014A (ja) | プラズマ処理装置及び処理方法 | |
US20200312622A1 (en) | Plasma etching apparatus and plasma etching method | |
KR100994492B1 (ko) | 플라즈마 처리방법 및 처리장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160623 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160705 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160831 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161206 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170130 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170606 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170627 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6169136 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |