JP7240907B2 - 発光装置及び発光装置の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、発光装置及び発光装置の製造方法に関する。
LED(light-emitting diode)素子等の発光素子を利用した発光装置が、照明等に広く利用されている。
例えば、セラミックス基板又は金属基板等の基板の上にLED(発光ダイオード)素子等の発光素子が実装されたCOB(Chip On Board)型の発光装置が提案されている。こうした発光装置によると、蛍光体を含む樹脂により青色光を発する発光素子を封止し、発光素子からの光により蛍光体を励起させて得られる光と、青色光とを混合させることにより、用途に応じた光を得ることができる。
複数の発光素子は、例えば、矩形の輪郭を有するように基板上に配置される(例えば特許文献1参照)。
図1は、従来例の発光装置を示す図である。
発光装置100は、基板111と、基板111上に配置された複数の発光装置120と、複数の発光素子120を囲むように基板111上に配置される枠体140と、蛍光体を含み、複数の発光素子120を封止するように枠体140の内側に配置される封止層150を備える。
複数の発光素子120は、全体として、矩形の輪郭120aを有するように基板111上に配置される。
枠体140も、複数の発光素子120と同様に矩形の輪郭を有するように、複数の発光素子120を囲むように配置される。
複数の発光素子120が発する光は封止層150の表面から出射するので、枠体140により囲まれている封止層150の表面は発光領域100aを形成する。
ここで、矩形の輪郭120aが有する4つの頂点に位置する発光素子120bと枠体140との間は、発光素子120bから出射する光との不要な干渉が生じることを防止する観点から、所定の距離Rだけ隔てられている。
発光素子120bと枠体140との間の距離を、所定の距離Rだけ離間させることが困難な場合には、矩形の輪郭120aの頂点の位置に発光素子を配置しないようにする場合もあり得る。
特開2011-228369号公報
発光装置の性能を表す指標として、発光領域内に配置される発光素子の数を、発光領域の面積で割った商として得られる発光密度がある。使用される発光素子が同じであれば、一般に発光密度が高い程、高い輝度の発光装置が得られる。
図1に示す発光装置では、矩形の輪郭120aの4つの頂点に位置する発光素子120bと枠体140との間の距離を所定の距離以上に保つという制約により、発光領域を小さくすることに対して制限を受ける。
特に、矩形の輪郭120aの頂点となる位置に発光素子を配置できない場合には、発光領域内に配置される発光素子の数が減少することにより、発光密度の低下を招く。
そこで、本明細書では、発光領域を低減して発光密度を向上する発光装置を提案することを課題とする。
本明細書に開示する発光装置は、基板と、基板上に配置される複数の発光素子と、基板上において、複数の発光素子を囲むように配置される枠体と、複数の発光素子を封止するように枠体の内側に配置される封止層と、を備え、基板上に配置された複数の発光素子の最外縁をなぞった形状は、平面視で、4角形以上の多角形であり、枠体の内縁は、基板上に配置された複数の発光素子の最外縁をなぞった形状と同じ多角形を為し、多角形の各頂点には、枠体の内側から外側に向かって突出する突出部が配置されることを特徴とする。
また、発光装置では、突出部は、第1部分と、第1部分よりも外側に配置され、第1部分よりも厚さの薄い第2部分と、を有することが好ましい。
特に、発光装置では、基板上に配置される第2の基板を備え、突出部は、第2の基板上に配置され、第1部分が配置される第2の基板の部分は凹んでいることが好ましい。
また、発光装置では、突出部は、枠体を形成する長尺状の枠連続体が、内側から外側に向かって捲回するように配置されて形成されていることが好ましい。
特に、発光装置では、枠連続体は、枠連続体同士が重なることなく捲回していることが好ましい。
本明細書に開示する発光装置の製造方法は、複数の発光素子を基板上に配置する第1工程であって、基板上に配置された複数の発光素子の最外縁をなぞった形状は、平面視で、4角形以上の多角形となる第1工程と、長尺状の枠連続体を用いて、基板上において、複数の発光素子を囲むように枠体を形成する第2工程であって、枠体の内縁は、基板上に配置された複数の発光素子の最外縁をなぞった形状と同じ多角形を有し、多角形の各頂点において、枠体の内側から外側に向かって突出する突出部を有するように、枠体を形成する第2工程と、複数の発光素子を封止するように、枠体の内側に封止層を形成する第3工程と、を備えることを特徴とする。
また、発光装置の製造方法において、第2工程では、一の突出部が配置される内縁の第1の頂点と隣接する内縁の第2の頂点側から当該第1の頂点に向かって伸びてきた枠連続体を、第1の頂点において、内側から外側に向かって捲回させた後、第1の頂点と隣接する内縁の第3の頂点に向かって伸びるように配置して、突出部を形成することが好ましい。
特に、発光装置の製造方法において、第1の頂点において、枠連続体を、内側から外側に向かって捲回させて交差させた後第3の頂点に向かって伸びるように配置して、突出部を形成することが好ましい。
更に、発光装置の製造方法において、第1工程と第2工程との間に、突出部が形成される部分に凹部を有する第2の基板を基板上に配置する第4工程を備え、第2工程では、第1の頂点において、枠連続体を、内側から外側に向かって捲回させて凹部上で枠体同士を交差させた後、第3の頂点に向かって伸びるように配置して、突出部を第2の基板上に形成することが好ましい。
また、発光装置の製造方法において、枠連続体を、第1の頂点において、枠体同士が重なることなく内側から外側に向かって捲回させた後、第3の頂点に向かって伸びるように配置して、突出部を形成することが好ましい。
上述した本明細書に開示する発光装置は、発光領域を低減して発光密度を向上する。
従来例の発光装置を示す図である。 (A)は、本明細書に開示する発光装置の一実施形態の平面図であり、(B)は(A)のA-A´線断面図であり、(C)は(A)のB-B´線断面図である。 (A)は、図2に示す発光装置の発光領域を説明する図であり、(B)は、図1に示す従来例の発光装置の発光領域を説明する図である。 本明細書に開示する発光装置の一実施形態の変型例1の要部を示す図である。 (A)は、本明細書に開示する発光装置の一実施形態の変型例2を示す平面図であり、(B)は(A)のA-A´線断面図であり、(C)は(A)のB-B´線断面図である。 本明細書に開示する発光装置の一実施形態の変型例3の要部を示す図である。 本明細書に開示する発光装置の製造方法の一実施形態の工程を説明する図(その1)である。 本明細書に開示する発光装置の製造方法の一実施形態の工程を説明する図(その2)である。 本明細書に開示する発光装置の製造方法の一実施形態の工程を説明する図(その3)である。 本明細書に開示する発光装置の製造方法の一実施形態の工程を説明する図(その4)である。 本明細書に開示する発光装置の製造方法の一実施形態の工程を説明する図(その5)である。
以下、本明細書で開示する発光装置の好ましい一実施形態を、図を参照して説明する。但し、本発明の技術範囲はそれらの実施形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された発明とその均等物に及ぶものである。
図2(A)は、本明細書に開示する発光装置の一実施形態の平面図であり、図2(B)は図2(A)のA-A´線断面図であり、図2(C)は図2(A)のB-B´線断面図である。図2(A)においては、封止層の表示を省略している。図2(B)においては、発光素子とワイヤとの接続関係を示す為に、A-A´線断面には含まれないワイヤも示している。
発光装置1は、実装基板11(基板)と、回路基板12(第2の基板)と、複数の発光素子20と、枠体40と、封止層50を備える。また、実装基板11及び回路基板12に付す括弧内には特許請求の範囲に記載した発明特定事項を示す(以下同様)。
実装基板11は、一例として、矩形の形状を有し、アルミ製の基板である。実装基板11は、平坦な表面を有することが好ましい。回路基板12と、複数の発光素子20と、枠体40と、封止層50は、実装基板11の平坦な表面上に配置されて支持される。
回路基板12は、一例として、実装基板11と同じ輪郭を有し、実装基板11上に配置される。回路基板12は、その中央部に矩形の開口部12aを有する。回路基板12は、裏面が接着シート等の接着部材によって実装基板11の上に貼り付けられて固定される。回路基板12の表面には、開口部12aを取り囲むように、一対の配線パターン13A、13Bが配置される。また、回路基板12の表面で対角に位置する2つの角部には、発光装置1を外部電源(図示せず)に接続するための一対の接続電極17A及び17Bが配置される。一方の接続電極17Aはアノードであり、他方の接続電極17Bはカソードである。一対の接続電極17A及び17Bに外部電源から直流電圧が印加されることによって、発光素子20は発光する。回路基板12、及び一対の配線パターン13A、13Bは、絶縁性の膜であるソルダレジスト14によって覆われて保護される。一対の接続電極17A及び17Bは、例えば、ソルダレジスト14によって覆われていない実装基板11の上面に形成された配線パターン13A、13bが露出して形成される。
発光素子20は、矩形上に形成された青色系の半導体発光素子(以下、青色LED素子とも称する)である。複数の発光素子20が、開口部12a内の実装基板11上に配置される。発光素子20は、その上面が実装基板11の表面と平行に配置されることが好ましい。発光素子20として、例えば発光波長域が440~455nmのInGaN系化合物半導体等を用いることができる。
実装基板11上に配置された複数の発光素子20の最外縁をなぞった形状は、平面視で、4角形以上の多角形である。本明細書では、実装基板11上に配置された複数の発光素子20の最外縁をなぞった形状を、以下、複数の発光素子20の輪郭20aともいう。図2(A)に示す例では、9個の発光素子20が、3行3列に配置されており、全体として矩形の輪郭20aを形成する。なお、複数の発光素子20は、4角形以上の多角形の輪郭を有していればよく、図2(A)に示すように、4角形に限定されるものではない。
発光素子20の上面には一対の素子電極(図示せず)が配置される。近接する発光素子20の素子電極は、ワイヤ30によって電気的に接続される。開口部12aの外周側に位置する発光素子20の第1の素子電極は、ワイヤ30によって、回路基板12の配線パターン13A又は13Bと電気的に接続され、第2の素子電極は、ワイヤ30によって、隣接する発光素子20の素子電極と電気的に接続される。複数の発光素子20は、一対の接続電極17A及び17Bの間に直列接続されることによって、一対の配線パターン13A、13B及びワイヤ30を介して直流電流が供給される。
枠体40は、長尺状の枠連続体41により形成されており、複数の発光素子20を囲むように、開口部12aの周囲に沿って配置される。枠体40の内縁43は、実装基板11上に配置された複数の発光素子20の最外縁をなぞった形状(輪郭20a)と同じ矩形を有する。
複数の発光素子20が発光する光は封止層50の表面50aから出射するので、枠体40により囲まれている封止層50の表面50aは発光領域1aを形成する。
枠体40は、枠体40における矩形の内縁43の頂点40a、40b、40c、40dにおいて、複数の発光素子20が配置される内側(発光領域1a側)から外側(発光領域1a側とは反対側)に向かって突出する突出部42a、42b、42c、42dを有する。本明細書において、枠体40の内側は、枠体40に対して発光領域1a側を意味し、枠体40の外側は、枠体40に対して発光領域1a側とは反対側を意味する。
突出部42a、42b、42c、42dを除いた枠体40の断面形状は、枠連続体41が伸びる方向において、ほぼ同じ高さを有する。また、図2(B)に示すように、突出部42a、42b、42c、42dを除いた枠体40の断面形状は、枠連続体41が伸びる方向と直行する方向において、中央が高く周辺が低く、上方に向かって凸である。
また、突出部42a、42b、42c、42dにおける枠体40の断面形状は、図2(C)に示すように、内側に配置される第1部分P1と、第1部分P1よりも外側に配置され、第1部分P1よりも厚さの薄い第2部分P2とを有する。これは、長尺状の枠連続体41が、頂点40a、40b、40c、40dにおいて、内側から外側に向かって捲回した後重なるように交差して、突出部42a、42b、42c、42dが形成されること(図10(A)参照)に起因している。このことについては、発光装置の製造方法の説明において、更に後述する。
枠体40は、長尺状の枠連続体41を用いて、突出部42a、42b、42c、42dを有するように内縁43の頂点40a、40b、40c、40dが形成されることにより、矩形の輪郭20aの頂点に位置する発光素子20bと枠体40の内縁43の頂点40a、40b、40c、40dとの間を、所定の距離Rだけ離間させると共に、発光領域1aが低減しないようになされている。
枠体40の内縁43の頂点40a、40b、40c、40dの内側の角度は、約90度を有することが、発光領域1aの面積を低減する観点から好ましい。これにより、枠連続体41が隣接する頂点40a、40b、40c、40d同士をより短い距離で接続できるからである。
図2(A)に示すように、突出部42a、42b、42c、42dは、2つの直線状の枠連続体41の部分と接続している。突出部42aの外側の部分と直線状の枠連続体41の外側の部分とがなす角度θは、鈍角(90度よりも大きく180度よりも小さい)であることが、枠体40の内縁43の頂点40a、40b、40c、40dの内側の角度が、約90度になるように枠体40を形成する上で好ましい。
枠体40の内縁43が矩形の場合には、上述したように、枠体40の内縁43の頂点40a、40b、40c、40dの内側の角度は、約90度を有することが好ましい。枠体40の内縁43の頂点の内側の角度は、輪郭20aが形成する多角形の各頂点の内角の角度と一致することが、大きな発光領域の面積を得る観点から好ましい。
枠体40は、白色の成形樹脂で形成されることが好ましい。例えば、枠連続体41は、酸化チタン等の微粒子が分散されたシリコン樹脂又はエポキシ樹脂を用いて形成される。
封止層50は、透光性を有する樹脂に蛍光体が含有された部材であり、複数の発光素子20を封止するために枠体40の内側に配置される。図2(B)及び図2(C)に示すように、発光装置1では、封止層50の表面50aの位置は、枠体40の頂点よりも低く、枠体40の側面の部分にある。蛍光体は、発光素子20が出射した青色光を吸収して黄色光に波長変換する、例えばYAG(yttrium aluminum garnet)等の粒子状の蛍光体材料であり、青色光と蛍光体により波長変換された黄色光とが混合されることにより白色光が得られる。封止層50は、例えば、エポキシ樹脂又はシリコン樹脂等の樹脂に蛍光体が含有されて形成され得る。封止層50は、青色光を吸収して他の色の光に波長変換する蛍光体を有していてもよい。また、発光素子20が白色系の半導体発光素子(例えば、発光素子20の近傍にのみ蛍光体材料を局在させたもの)である場合には、封止層50は、蛍光体を有していなくてもよい。
発光素子20から枠体40に向けて出射された光は、枠体40の内側、即ち発光素子20側の表面で反射されて発光装置1の上方に出射される。
発光装置1の発光領域1aが、図1に示す従来例の発光装置よりも低減することを、図3(A)及び図3(B)を参照しながら、以下に説明する。
図3(A)は、図2に示す発光装置の発光領域を説明する図であり、図3(B)は、図1に示す従来例の発光装置の発光領域を説明する図である。
図3(A)では、発光装置1の枠体40及び複数の発光素子20を含む主要な構成要素以外の構成要素の図示は省略されている。
枠体40の内縁43に囲まれて規定される発光領域1aは、矩形の形状を有しており、縦方向の長さはL1であり、横方向の長さはL2である。図3(A)に示す例では、発光領域1aは、正方形のように示されているが、長方形であってもよい。
複数の発光素子20により形成される矩形の輪郭20aの4つの頂点に位置する発光素子20bと枠体40の対応する内縁43の頂点40a、40b、40c、40dとの間は、発光素子20bから発光される光との不要な干渉が生じることを防止する観点から、所定の距離Rだけ隔てられている。
図3(A)に示す発光装置1の発光領域1aの面積S1は、下記式(1)で表される。
S1=L1×L2 (1)
図3(B)も、図3(A)と同様に、発光装置100の枠体140及び複数の発光素子120を含む主要な構成要素以外の構成要素の図示は省略されている。
発光装置100は、9個の発光素子120を有する。9個の発光素子120は、3行3列に配置されており、全体として矩形の輪郭120aを有する。
枠体140の内縁143は、複数の発光素子120が形成する輪郭120aと同様に矩形の輪郭を有する。枠体140により囲まれている封止層(図示せず)の表面は発光領域100aを形成する。
枠体140の矩形の内縁143は、4つの頂点140a、140b、140c、140dを有する。
発光装置100における複数の発光素子120及び矩形の輪郭120aの形状及び寸法は、図3(A)に示す発光装置1の発光素子20及び輪郭20aと同じである。
発光装置100でも、矩形の輪郭120aの頂点に位置する発光素子120bと枠体140の対応する内縁143の頂点140a、140b、140c、140dとの間は、発光素子120bから発光される光との不要な干渉が生じることを防止する観点から、発光装置1と同様に所定の距離Rだけ隔てられている。
矩形の輪郭120aの4つの頂点に位置する発光素子120bと枠体140の対応する内縁143の頂点140a、140b、140c、140dとの間の領域は、半径Rの1/4円の扇形の形状を有する。
図3(B)には、図3(A)に示す発光装置1の発光領域1aを鎖線で示す。発光領域1aは、発光領域100aに対して、4つの頂点140a、140b、140c、140dにおいて内接するように配置されている。発光装置100の発光領域100aは、発光装置1の発光領域1aよりも大きい。
枠体140における内縁143の4つの頂点140a、140b、140c、140d以外の部分では、発光領域1aと発光領域100aの枠体141との間は、所定の長さL3だけ離間している。ここで、L3<Rである。
発光領域100aの面積S2は、下記式(2)で表される。
S2=(L1+2×L3)×(L2+2×L3)-4×(R-πR/4) (2)
発光装置100の発光領域100aの面積S2と、発光装置1の発光領域1aの面積S1との差ΔSは、下記式(3)で表される。
ΔS=2(L1L3+L2L3)-R(4-π) (3)
ΔS>0であるので、発光装置1の発光領域1aの面積S1は、発光装置100の発光領域100aの面積S2よりもΔSだけ小さい。
発光装置1が有する発光素子20の数は、発光装置100が有する発光素子120の数と同じなので、発光装置1の発光密度は、発光装置100よりも増大する。
発光装置1では、枠体40が、長尺状の枠連続体41を用いて、突出部42a、42b、42c、42dを有するように内縁43の頂点40a、40b、40c、40dが形成されることにより、枠連続体41の内側が、頂点40a、40b、40c、40dにおいて、輪郭20aの頂点と同様に約90度の角度を有するように形成されている。
これにより、発光装置1では、矩形の輪郭20aの頂点に位置する発光素子20bと枠体40の内縁43の頂点40a、40b、40c、40dとの間を、所定の距離Rだけ離間させると共に、発光装置100に比べ、発光領域を低減させることが可能となる。
上述した本実施形態の発光装置1によれば、発光領域1aを低減して発光密度を向上できる。
次に、上述した本明細書の発光装置の変型例1~3を、図4~図6を参照しながら、以下に説明する。
図4は、本明細書に開示する発光装置の一実施形態の変型例1の要部を示す図である。
変型例1の発光装置1では、突出部42a、42b、42c、42dの形状が、上述した実施形態(図2(C)参照)とは異なっている。
図4は、図2(C)に対応する図である。
変型例1の発光装置1では、回路基板12は、突出部42a、42b、42c、42dが配置される部分に凹部12bを有する。凹部12bは、他の部分よりも実装基板11側に凹んでいる。
凹部12b内に配置される配線パターン13B(又は配線パターン13A)の部分も、回路基板12の凹部12bの形状に対応して凹んだ形状を有する。
突出部42aの第1部分P1は、凹部12bの部分に配置される。凹部12bが回路基板12における他の部分よりも凹んでいる深さは、突出部42aの第1部分P1の厚さと第2部分P2の厚さとの差と一致することが好ましい。突出部42aの上面は、内側から外側に向かってほぼ同じ高さを有する。これにより、発光装置1の高さを低くして、発光装置1が照明装置に組み込まれて使用される時に、発光装置1の収納容積を低減することができる。
なお、凹部12bは、回路基板12の一部を欠落させて形成してもよい。この場合、凹部12bの深さは、回路基板12の厚さと一致する。
上述した突出部42aに対する説明は、他の突出部42b、42c、42dに対しても適宜適用される。
図5(A)は、本明細書に開示する発光装置の一実施形態の変型例2を示す平面図であり、図5(B)は図5(A)のA-A´線断面図であり、図5(C)は図5(A)のB-B´線断面図である。
変型例2の発光装置1では、突出部42a、42b、42c、42dの形状が、上述した実施形態とは異なっている。
変型例2の発光装置1では、上述した実施形態と同様に、突出部42a、42b、42c、42dは、枠体40を形成する長尺状の枠連続体41により形成されている。
枠体40では、内縁43の頂点40a、40b、40c、40dにおいて、内側から外側に向かって枠体同士が重なることなく、突出部42a、42b、42c、42dが形成される。
枠連続体41は、内縁43の頂点40b側から頂点40aに向かって伸びてきて、頂点40aにおいて、内側から外側に向かう方向で屈折し、先端部で頂点40d側に向かって捲回し、再び内側へ折り返して伸びた後、枠体同士が重なることなく頂点40dに向かって伸びるように配置されて、突出部42aが形成される。
突出部42aにおいて、折り返されて対向する枠連続体41同士の間には、隙間が形成されている。
図5(C)に示すように、突出部42aの上面の形状は、内側から外側に向かってほぼ同じ高さを有する。これにより、発光装置1の高さを低くして、発光装置1が照明装置に組み込まれて使用される時に、発光装置1の収納容積を低減することができる。
上述した突出部42aに対する説明は、他の突出部42b、42c、42dに対しても適宜適用される。
図6は、本明細書に開示する発光装置の一実施形態の変型例3の要部を示す図である。
変型例3の発光装置1では、枠体40の形状が、上述した実施形態とは異なっている。
図6では、発光装置1の枠体40及び複数の発光素子20の輪郭20aを含む主要な構成要素以外の構成要素の図示は省略されている。
変型例3の発光装置1では、複数の発光素子20は、全体として、8角形の輪郭20aを有するように、実装基板11上に配置される。本明細書では、輪郭20aは、図6に示すように、実装基板11上に配置された複数の発光素子20の最外縁に内接するようになぞった形状である。
枠体40の内縁43は、複数の発光素子20が形成する輪郭20aと同様に8角形の輪郭20aを有する。
枠体40は、枠体40における8角形の内縁43の頂点40a、40b、40c、40d、40e、40f、40g、40hにおいて、内側(発光領域1a側)から外側(発光領域1a側とは反対側)に向かって突出する突出部42a、42b、42c、42d、42e、42f、43g、43hを有する。
なお、複数の発光素子20が形成する輪郭20aは、4角形又は8角形に限定されるものではない。複数の発光素子20が形成する輪郭20aは、5角形、7角形又は9角形以上であってもよい。枠体40の内縁43は、複数の発光素子20が形成する輪郭20aと対応する形状を有することが好ましい。
本発明の発光装置によれば、複数の発光素子の輪郭に対応する形状の輪郭を有する枠体の内縁が、その頂点に突出部を有することにより、発光領域を低減して発光密度を向上できる。すなわち、発光領域を低減するためには枠体に頂点を持たせ、各頂点に対し突起部を設ければ良い。この結果、例えば、実装用の基板に配線パターンや電極を直接的に形成できる場合は、回路基板(第2の基板)を使用しなくても良くなる。
次に、本明細書に開示する発光装置1の製造方法の一実施形態を、図7~図11を参照しながら、以下に説明する。
まず、図7(A)~図7(C)に示すように、実装基板11と開口部12Aを有する回路基板12とを接着する。なお、回路基板12上には、予め印刷法等の技術を用いて、一対の配線パターン13A、13Bが形成され、さらに、一対の配線パターン13A、13B上に、ソルダレジスト14のパターンが形成されている。一対の接続電極17A、17Bは、ソルダレジスト14により覆われていない部分の配線パターン13A、13Bにより形成される。また、ソルダレジスト14は、回路基板12の開口部12a及び一対の配線パターン13A、13Bの一部が露出するように、矩形の開口部14aを有する。図7(A)は、図2(A)に対応する平面図であり、図7(B)は図7(A)のA-A´線断面図であり、図7(C)は図7(A)のB-B´線断面図である。この説明は、以下の工程における他の図面に対しても適宜適用される。
次に、図8(A)~図8(C)に示すように、回路基板12の開口部12aから露出している実装基板11上に、複数の発光素子20がダイボンドにより接着される。
次に、図9(A)~図9(C)に示すように、近接する発光素子20同士をワイヤ30で互いに電気的に接続し、また開口部12aの外周側に位置する発光素子20を、ワイヤ30を用いて配線パターン13A又は13Bに接続する。一例では、ワイヤ30は、超音波溶着によって発光素子20に接続される。本実施形態では、3個の発光素子20が直列接続された3つの列が、一対の配線パターン13A、13Bの間に並列に接続される。
次に、図10(A)~図10(C)に示すように、開口部12aの周囲に沿って、回路基板12及び一対の配線パターン13A、13Bの上に、枠体40が複数の発光素子20を囲むように形成される。枠体40は、ソルダレジスト14の開口部14Aの内側に沿って形成されて、ワイヤ30と配線パターン13A又は13Bとの接点を覆う。
枠体40の材料として、例えば、酸化チタン等の微粒子が分散されたシリコン樹脂又はエポキシ樹脂等の樹脂を用いることができる。
枠体40を形成する方法として、例えば、液体の樹脂を、ディスペンサによりソルダレジスト14の開口部14Aの内側に沿って塗布した後、硬化する技術を用いることができる。硬化した樹脂は、長尺状の枠連続体41を形成する。
枠体40の形成において、例えば、内縁43の頂点40aに配置される突出部42aは、以下のように形成される。
図10(A)中の矢印に示すように、突出部40aが配置される内縁43の頂点40aと隣接する内縁43の頂点40b側から頂点40aに向かって伸びるように液体の樹脂を基板上に塗布する。次に、頂点40aにおいて、液体の樹脂を内側から外側に向かって伸びるように基板上に塗布し、液体の樹脂を頂点40b側へ捲回させて再び内側へ折り返して伸びるように基板上に塗布する。次に、液体の樹脂を既に塗布された樹脂上に重なるように交差させて塗布した後、突出部40aが配置される頂点40aと隣接する内縁43の頂点40dに向かって伸びるように液体の樹脂を塗布する。他の突出部42b,42c、42dが形成される場所についても、同様に液体の樹脂が塗布される。次に、塗布した樹脂を硬化させることにより、突出部42a、42b,42c、42dを有する枠体40が形成される。
なお、内縁43の頂点40a、頂点40b及び頂点40dは、液体の樹脂が硬化されて形成されるので、突出部42aが形成される時点では、内縁43の頂点40a、頂点40b及び頂点40dはまだ形成されていない。上述した説明において、「突出部40aが配置される内縁43の頂点40aと隣接する内縁43の頂点40b側から頂点40aに向かって伸びるように液体の樹脂を基板上に塗布する」ことは、「突出部40aが配置される内縁43の頂点40aと隣接する内縁43の頂点40b側から将来頂点40aが形成される位置に向かって伸びるように液体の樹脂を基板上に塗布する」ことを意味する。また、「突出部40aが配置される頂点40aと隣接する内縁43の頂点40dに向かって伸びるように液体の樹脂を塗布する」は、「突出部40aが配置される頂点40aと隣接する将来内縁43の頂点40dが形成される位置に向かって伸びるように液体の樹脂を塗布する」ことを意味する。このことは、他の同様の説明に対しても適宜適用される。
図10(C)に示すように、内縁43の頂点40aにおいて、液体の樹脂が交差した部分が硬化することにより、第1部分P1が形成され、交差しない部分により第2部分P2が形成される。
図10(A)に示す例では、突出部42a、42b,42c、42dは隙間を有していないが、液体の樹脂を基板上への塗布する仕方によっては、内側から外側へ向かって塗布される樹脂と、外側から内側へ向かって塗布される樹脂との間に隙間が形成される場合もある。
次に、図2(A)~図2(C)に示すように、枠体40の内側に蛍光体を含む樹脂が充填されて、複数の発光素子20を封止するように、封止層50が形成される。これにより、図2に示す発光装置1が得られる。
次に、上述した発光装置の製造方法の変型例1及び変型例2の製造方法を、以下に説明する。
まず、発光装置の製造方法の変型例1について、以下に説明する。
発光装置の製造方法の変型例1は、図4に示す突出部を有する発光装置の製造方法である。
変型例1では、図7に示す工程において、図4に示すように、突出部42a、42b、42c、42dの第1部分P1が配置される部分に凹部12bを有する回路基板12が、実装基板11上に配置される。凹部12b内に配置される配線パターン13B(又は配線パターン13A)の部分も、回路基板12の凹部12bの形状に対応して凹んだ形状を有する。
図8及び図9に示す工程は、上述した発光装置の製造方法の実施形態と同様である。
次に、図10に示す工程では、図10(A)中の矢印に示すように、突出部40aが配置される内縁43の頂点40aと隣接する頂点40b側から頂点40aに向かって伸びるように液体の樹脂を基板上に塗布する。次に、頂点40aにおいて、液体の樹脂を凹部12bにより凹んだ部分に塗布した後内側から外側に向かって伸びるように基板上に塗布する。次に、液体の樹脂を頂点40b側へ捲回させて再び内側へ折り返して伸びるように基板上に塗布する。次に、液体の樹脂を凹部12bにより凹んだ部分に既に塗布された樹脂上に重なるように交差させて塗布した後、突出部40aが配置される頂点40aと隣接する頂点40dに向かって伸びるように液体の樹脂を塗布する。他の突出部42b,42c、42dが形成される場所についても、同様に液体の樹脂が塗布される。次に、塗布した樹脂を硬化させることにより、突出部42a、42b,42c、42dを有する枠体40が形成される。
図4に示すように、回路基板12の凹部12bにより凹んだ部分に塗布された樹脂が硬化することにより、第1部分P1が形成され、交差しない部分により第2部分P2が形成される。
後の工程は、上述した発光装置の製造方法の実施形態と同様にして、図4に示す発光装置が得られる。
次に、発光装置の製造方法の変型例2について、以下に説明する。
発光装置の製造方法の変型例2は、図5に示す突出部を有する発光装置の製造方法である。
図7~図9に示す工程は、上述した発光装置の製造方法の実施形態と同様である。
次に、図11に示す工程では、図11(A)中の矢印に示すように、突出部40aが配置される内縁43の頂点40aと隣接する頂点40b側から頂点40aに向かって伸びるように液体の樹脂を基板上に塗布する。次に、頂点40aにおいて、液体の樹脂を内側から外側に向かって伸びるように基板上に塗布し、液体の樹脂を頂点40d側へ捲回させて再び内側へ折り返して伸びるように基板上に塗布する。次に、液体の樹脂を既に塗布された樹脂と重ならないように塗布し、突出部40aが配置される頂点40aと隣接する頂点40dに向かって伸びるように液体の樹脂を塗布する。他の突出部42b,42c、42dが形成される場所についても、同様に液体の樹脂が塗布される。次に、塗布した樹脂を硬化させることにより、突出部42a、42b,42c、42dを有する枠体40が形成される。
後の工程は、上述した発光装置の製造方法の実施形態と同様にして、図5に示す発光装置が得られる。
本発明では、上述した実施形態の発光装置及び発光装置の製造方法は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更が可能である。
例えば、上述した実施形態では、突出部は、ソルダレジスト上に配置されていなかったが、突出部の一部は、ソルダレジスト上に配置されるようにしてもよい。
1 発光装置
1a、100a 発光領域
11 実装基板(基板)
12 回路基板(第2の基板)
12a 開口部
12b 凹部
13A、13B 配線パターン
14 ソルダレジスト
17A、17B 接続電極
20 発光素子
20a 輪郭
30 ワイヤ
40、140 枠体
40a、40b、40c、40d、40e、40f、40g,40h 頂点
140a、140b、140c、140d 頂点
41 枠連続体
42a、42b、42c、42d、42e、42f、42g,42h 突出部
43 内縁
P1 第1部分
P2 第2部分
50 封止層
50a 封止層の表面

Claims (4)

  1. 基板と、
    前記基板上に配置される複数の発光素子と、
    前記基板上において、前記複数の発光素子を囲むように配置される枠体と、
    前記複数の発光素子を封止するように前記枠体の内側に配置される封止層と、
    を備え、
    前記基板上に配置された前記複数の発光素子の最外縁をなぞった形状は、平面視で、4角形以上の多角形であり、
    前記枠体の内縁は、前記基板上に配置された前記複数の発光素子の最外縁をなぞった形状と同じ多角形を為し、前記多角形の各頂点には、前記枠体の内側から外側に向かって突出する突出部が配置され、
    前記突出部は、
    第1部分と、
    前記第1部分よりも前記外側に配置され、前記第1部分よりも厚さの薄い第2部分と、を有する、ことを特徴とする発光装置。
  2. 前記基板上に配置される第2の基板を備え、
    前記突出部は、前記第2の基板上に配置され、
    前記第1部分が配置される前記第2の基板の部分は凹んでいる請求項に記載の発光装置。
  3. 複数の発光素子を基板上に配置する第1工程であって、前記基板上に配置された前記複数の発光素子の最外縁をなぞった形状は、平面視で、4角形以上の多角形となる第1工程と、
    長尺状の枠連続体を用いて、前記基板上において、前記複数の発光素子を囲むように枠体を形成する第2工程であって、前記枠体の内縁は、前記基板上に配置された前記複数の発光素子の最外縁をなぞった形状と同じ多角形を有し、前記多角形の各頂点において、前記枠体の内側から外側に向かって突出する突出部を有するように、前記枠体を形成する第2工程と、
    前記複数の発光素子を封止するように、前記枠体の内側に封止層を形成する第3工程と、を備え、
    前記第2工程では、
    一の前記突出部が配置される前記内縁の第1の頂点と隣接する前記内縁の第2の頂点側から当該第1の頂点に向かって伸びてきた前記枠連続体を、前記第1の頂点において、前記内側から前記外側に向かって捲回させた後、前記第1の頂点と隣接する前記内縁の第3の頂点に向かって伸びるように配置して、前記突出部を形成し、
    前記第1の頂点において、前記枠連続体を、前記内側から前記外側に向かって捲回させて交差させた後前記第3の頂点に向かって伸びるように配置して、前記突出部を形成する、ことを特徴とする発光装置の製造方法。
  4. 前記第1工程と前記第2工程との間に、前記突出部が形成される部分に凹部を有する第2の基板を前記基板上に配置する第4工程を備え、
    前記第2工程では、前記第1の頂点において、前記枠連続体を、前記内側から前記外側に向かって捲回させて前記凹部上で前記枠連続体同士を交差させた後、前記第3の頂点に向かって伸びるように配置して、前記突出部を前記第2の基板上に形成する請求項に記載の発光装置の製造方法。
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