JP6567050B2 - 発光装置およびその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、発光装置およびその製造方法に関する。
セラミック基板や金属基板などの汎用基板の上にLED(発光ダイオード)素子などの発光素子が実装されたCOB(Chip On Board)の発光装置が知られている。こうした発光装置では、蛍光体を含有する樹脂により例えば青色光を発光するLED素子を封止し、LED素子からの光により蛍光体を励起させて得られる光を混合させることにより、用途に応じて白色光などを得ている。
例えば、特許文献1には、ダイボンド用の実装面を有する高熱伝導性の放熱基台と、この放熱基台上に載置され、実装面の一部を露出する孔部及び放熱基台の外周縁より外方に張り出す張出部を有する回路基板と、孔部を通して実装面上に実装される発光素子と、この発光素子の上方を封止する透光性の樹脂体とを備え、張出部の外周縁に発光素子と導通するスルーホールを形成し、このスルーホールの上面及び下面に外部接続電極を設けた発光ダイオードが記載されている。
また、特許文献2には、凹部が形成されたキャビティと、凹部の底部を貫通する状態でキャビティに取り付けられた凸状のヒートスラグ(台座部)と、ヒートスラグ上に搭載されたサブマウント基板と、サブマウント基板上に配置された複数のLEDチップと、各LEDチップと電気的に接続するリードフレームと、各LEDチップを内包する蛍光体層と、凹部に封入されたシリコーン樹脂で形成されたレンズとを有するLEDパッケージが記載されている。
また、こうした発光装置の製造時には、例えば色度のバラつきを抑えるために、樹脂内に分散させた蛍光体を沈降させてから樹脂を硬化させることが行われている。例えば、特許文献3には、基板に撥液剤パターンを形成する工程と、基板における撥液剤パターンの内側にLEDチップを実装する工程と、撥液剤パターンの内側に蛍光体を混練した封止樹脂を塗布する工程と、無風状態にて封止樹脂内の蛍光体を沈降させる工程とを含む発光素子パッケージの製造方法が記載されている。
特開2006−005290号公報 特開2010−170945号公報 特開2012−044048号公報
発光装置の上にレンズなどの光学素子を搭載して出射光を集光する場合には、集光性を向上させるために、発光装置の発光部をなるべく小型化することが望ましい。ただし、発光部を1個の発光素子で実現しようとすると、必要な発光強度を確保するためには大型の発光素子を使用しなければならず、製造コストが上昇したり、発光素子への電流供給が不均一になって発光効率が悪くなったりするなどの不都合がある。そこで、複数の発光素子を高密度に実装して、必要な発光強度を確保しつつ小型の発光部を実現することが考えられる。
しかしながら、複数の発光素子を基板上に実装し、蛍光体を含有する樹脂によりそれらの発光素子を封止して、発光素子からの出射光と蛍光体による励起光とを混合させることにより目的の白色光などを得る発光装置では、実際の出射光の色味が目的の光の色味とは異なることがある。これは、短絡を防ぐために発光素子同士はある程度の間隔を開けて実装されるので、封止樹脂のうち発光素子同士の間を埋める部分にも蛍光体が含まれることにより、発光素子のどの面から光が出射されるかに応じて蛍光体層におけるその光の通過距離が異なることに起因する。発光素子からの出射位置および出射方向によって蛍光体層における光の通過距離が変化し、それに応じて蛍光体に対応する色の光の強度も変動するため、実際の出射光の色味を設計値に合わせることが難しくなる。
そこで、本発明は、高密度に実装された複数の発光素子からの出射光と発光素子を封止する樹脂に含まれる蛍光体による励起光とを混合させて得られる実際の光の色味と設計値とのずれを極力抑えた発光装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
基板と、基板上に密集して実装された複数の発光素子と、蛍光体を含有せず、複数の発光素子の素子間に配置された第1の樹脂と、蛍光体を含有し、複数の発光素子の露出部の周囲を覆う第2の樹脂とを有することを特徴とする発光装置が提供される。
上記の発光装置では、複数の発光素子は、隣接する発光素子同士の間隔が5μm以上かつ50μm以下になるように基板上に密集して実装されていることが好ましい。また、上記の発光装置は、第2の樹脂を覆うように基板上に載置された光学素子をさらに有することが好ましい。
また、基板上に密集して複数の発光素子を実装する工程と、蛍光体を含有しない第1の樹脂を複数の発光素子の素子間に配置する工程と、蛍光体を含有する第2の樹脂で複数の発光素子の露出部の周囲を覆う工程とを有することを特徴とする発光装置の製造方法が提供される。
上記の製造方法の配置する工程では、基板上に実装された複数の発光素子の素子間に側方から第1の樹脂を注入して複数の発光素子の素子間を第1の樹脂で塞ぐことが好ましい。上記の製造方法では、第1の樹脂は、実装する工程において複数の発光素子を基板に接着させるための樹脂であり、配置する工程では、第1の樹脂を複数の発光素子の素子間にはみ出させて複数の発光素子の素子間を第1の樹脂で塞ぐことが好ましい。
上記の発光装置およびその製造方法によれば、高密度に実装された複数の発光素子からの出射光と発光素子を封止する樹脂に含まれる蛍光体による励起光とを混合させて得られる実際の光の色味と設計値とのずれを極力抑えることが可能となる。
(A)〜(C)は、発光装置1の上面図および断面図である。 発光装置1の拡大断面図である。 レンズ80付きの発光装置1’の側面図である。 LED素子30同士の実装間隔と発光装置1’の照度との関係を示すグラフである。 (A)〜(C)は、発光装置1の製造工程を示す上面図および断面図である。 (A)〜(C)は、発光装置1の製造工程を示す上面図および断面図である。 (A)〜(C)は、発光装置1の製造工程を示す上面図および断面図である。 (A)〜(C)は、発光装置1の製造工程を示す上面図および断面図である。 (A)〜(C)は、発光装置2の上面図および断面図である。 (A)〜(C)は、発光装置2の製造工程を示す上面図および断面図である。 (A)〜(C)は、発光装置2の製造工程を示す上面図および断面図である。 (A)〜(C)は、発光装置2の製造工程を示す上面図および断面図である。 (A)〜(C)は、発光装置2の製造工程を示す上面図および断面図である。
以下、図面を参照しつつ、発光装置およびその製造方法について説明する。ただし、本発明は図面または以下に記載される実施形態には限定されないことを理解されたい。
図1(A)〜図1(C)は、発光装置1の上面図および断面図である。図1(A)は完成品としての発光装置1の上面図であり、図1(B)は図1(A)のIB−IB線に沿った断面図、図1(C)は図1(A)のIC−IC線に沿った断面図である。発光装置1は、発光素子としてLED素子を含み、例えば照明用LED、LED電球などの種々の照明装置として利用される。発光装置1は、主要な構成要素として、実装基板10、回路基板20、LED素子30、樹脂枠40、封止樹脂50、透明樹脂60およびツェナーダイオード70を有する。
実装基板10は、一例としてほぼ正方形の形状を有し、その上面の中央にLED素子30が実装される実装領域を有する金属基板である。実装基板10は、LED素子30および後述する蛍光体の粒子により発生した熱を放熱させる放熱基板としても機能するため、例えば、耐熱性および放熱性に優れたアルミニウムで構成される。ただし、実装基板10の材質は、耐熱性と放熱性に優れたものであれば、例えば銅など、別の金属でもよい。
回路基板20は、一例として、実装基板10と同じ大きさのほぼ正方形の形状を有し、その中心部に矩形の開口部21を有する。回路基板20は、その下面が例えば接着シートにより実装基板10の上に貼り付けられて固定される。回路基板20の上面には、+電極側の配線パターン22Aと−電極側の配線パターン22Bが形成されている。また、回路基板20の上面で対角に位置する2つの角部には、発光装置1を外部電源に接続するための接続電極23A,23Bが形成されている。接続電極23Aは+電極、接続電極23Bは−電極であり、これらが外部電源に接続されて電圧が印加されることによって、発光装置1は発光する。また、回路基板20の上面には、開口部21の外周部分および接続電極23A,23Bの部分を除いて配線パターン22A,22Bを覆う白色レジスト24が形成されている(後述する図5(A)を参照)。
LED素子30は、発光素子の一例であり、例えば発光波長帯域が450〜460nm程度の青色光を発光する青色LEDである。発光装置1では、複数のLED素子30が、回路基板20の開口部21内で露出している実装基板10の中央に、格子状に配列して実装される。図1(A)では、特に16個のLED素子30が実装された場合の例を示している。LED素子30の下面は、例えば透明な絶縁性の接着剤などにより、実装基板10の上面に固定される。また、LED素子30は上面に一対の素子電極を有し、図1(A)に示すように、隣接するLED素子30の素子電極は、ワイヤ31により相互に電気的に接続される。開口部21の外周側に位置するLED素子30から出たワイヤ31は、回路基板20の配線パターン22A,22Bに接続される。これにより、各LED素子30にはワイヤ31を介して電流が供給される。
樹脂枠40は、回路基板20の開口部21の大きさに合わせて例えば白色の樹脂で構成されたほぼ矩形の枠体であり、回路基板20の上面における開口部21の外周部分に固定される。樹脂枠40は、封止樹脂50の流出しを防止するためのダム材であり、また、LED素子30から側方に出射された光を、発光装置1の上方(LED素子30から見て実装基板10とは反対側)に向けて反射させる。
なお、発光装置1では、実装基板10上の実装領域、回路基板20の開口部21および樹脂枠40が矩形になっているが、これらは円形などの他の形状であってもよい。
封止樹脂50は、第2の樹脂の一例であり、開口部21内に注入されて、複数のLED素子30の露出部(例えば、LED素子30の上面や、最も外側に実装されたLED素子30の樹脂枠40側の側面など)の周囲を覆う。これにより、封止樹脂50は、複数のLED素子30およびワイヤ31の全体を一体に被覆し保護(封止)する。例えば、封止樹脂50としては、エポキシ樹脂またはシリコーン樹脂などの無色かつ透明な樹脂を、特に250℃程度の耐熱性がある樹脂を使用するとよい。
また、封止樹脂50には、黄色蛍光体などの蛍光体(後述する図2の蛍光体51)が分散混入されている。黄色蛍光体は、LED素子30が出射した青色光を吸収して黄色光に波長変換する、例えばYAG(yttrium aluminum garnet)などの粒子状の蛍光体材料である。発光装置1は、青色LEDであるLED素子30からの青色光と、それによって黄色蛍光体を励起させて得られる黄色光とを混合させることで得られる白色光を出射する。
あるいは、封止樹脂50は、例えば緑色蛍光体と赤色蛍光体などの複数種類の蛍光体を含有してもよい。緑色蛍光体は、LED素子30が出射した青色光を吸収して緑色光に波長変換する、例えば(BaSr)SiO:Eu2+などの粒子状の蛍光体材料である。赤色蛍光体は、LED素子30が出射した青色光を吸収して赤色光に波長変換する、例えばCaAlSiN:Eu2+などの粒子状の蛍光体材料である。この場合、発光装置1は、青色LEDであるLED素子30からの青色光と、それによって緑色蛍光体および赤色蛍光体を励起させて得られる緑色光および赤色光とを混合させることで得られる白色光を出射する。
透明樹脂60は、第1の樹脂の一例であり、封止樹脂50と同様のエポキシ樹脂またはシリコーン樹脂などの無色かつ透明な樹脂であるが、封止樹脂50とは異なり蛍光体を含有しない。透明樹脂60は、封止樹脂50が開口部21内に注入される前に複数のLED素子30の間にある隙間に注入されることで、LED素子30の素子間を埋め尽くしている。すなわち、透明樹脂60は、複数のLED素子30の素子間における各LED素子30の下端から上端までの空間を塞いでいる。
ツェナーダイオード70は、静電気などによりLED素子30が破壊されることを防ぐために回路基板20上に設けられる。ツェナーダイオード70は、複数のLED素子30と並列に配線パターン22A,22Bに接続され(後述する図7(A)を参照)、LED素子30に逆方向に電圧がかけられたときに電流をバイパスさせてLED素子30を保護する。
図2は、発光装置1の拡大断面図である。図2では、図1(B)におけるLED素子30の付近を拡大して示している。また、図2では、封止樹脂50に含有されている蛍光体51も図示している。発光装置1では、複数のLED素子30の素子間に透明樹脂60が充填されていることにより、蛍光体51は素子間には入り込まず、LED素子30の上面よりも上側に存在する。蛍光体51は封止樹脂50内に均一に分散していてもよいが、図2では、蛍光体51がLED素子30と透明樹脂60の直上に沈殿した状態を示している。
仮に透明樹脂60が存在せず、青色LEDであるLED素子30の素子間にも封止樹脂50が充填されて蛍光体51が入り込んでいたとすると、LED素子30の上面からの出射光よりも側面からの出射光の方が、黄色蛍光体である蛍光体51の層をより長く通って発光装置の外部に出射されるため、黄色光の強度が強くなる。すなわち、LED素子30からの出射位置および出射方向によって黄色光の強度が変動するため、出射光の色味が設計値からずれてしまう。
しかしながら、発光装置1では、透明樹脂60があることにより蛍光体51がLED素子30の素子間に入り込まないので、LED素子30から側方に出射された光であっても、素子間を通過してLED素子30の上面よりも上側に達するまでは色の変化が起こらない。このため、LED素子30の上面からの出射光と側面からの出射光は、LED素子30の上面よりも上側で同じ距離だけ蛍光体51の層を通って発光装置1の外部に出射される。すなわち、発光装置1では、LED素子30からの出射位置と出射方向によらずに出射光が蛍光体層を通過する距離が一定になる。したがって、発光装置1では、LED素子30から側方に出射された光は色味のバラつきの原因にならず、実際の出射光の色味と目的の光の色味とのずれが生じにくくなるため、色度が均一な出射光が得られる。
なお、透明樹脂60は、蛍光体51の粒子が複数のLED素子30の素子間に実質的に入り込まないように素子間に配置されていればよく、必ずしも複数のLED素子30の素子間における各LED素子30の下端から上端までの空間全体を埋め尽くしていなくてもよい。例えば、透明樹脂60によりLED素子30の素子間の上端が塞がれ、素子間に気泡が存在することにより、透明樹脂60が充填されていない箇所が一部にあってもよい。
図2では、開口部21の内壁と外周側に位置するLED素子30との間の外周部分52にも透明樹脂が充填され、蛍光体51が入り込んでいない状態を示している。出射光が蛍光体層を通過する距離を一定にして色味の変動をなくすためには、外周部分52にも透明樹脂60を充填することが好ましい。ただし、蛍光体51を沈殿させて、外周部分52においてもLED素子30の上側とほぼ同等の厚さで蛍光体51を配置できれば、必ずしも外周部分52は透明樹脂60で埋め尽くされていなくてもよい。あるいは、外周部分52には、透明樹脂60に代えて、蛍光体を含有しない白色樹脂を充填してもよい。
図3は、レンズ80付きの発光装置1’の側面図である。発光装置1を照明装置として利用するときには、図3に示すように、例えば封止樹脂50を覆うように、レンズ80が回路基板20の上面に載置される。レンズ80は光学素子の一例であり、発光装置1内の複数のLED素子30から出射された光を集光して、発光装置1’の上方に出射する。レンズ80を搭載し易くするためには、回路基板20上において封止樹脂50で覆われていない領域の面積を広げて、レンズ80が載置される平面領域を確保するとよい。発光装置1では、複数のLED素子30が密集して実装され、素子数を減らさずに発光部(発光エリア)を狭くすることができるため、LED素子30からの出射光を効率よくレンズ80に入射させることが可能になる。
なお、発光装置1の用途によっては、例えばフィルタなど、レンズ80以外の光学素子を回路基板20の上に載置してもよい。例えば、レンズ80ではなく平板形状の光学素子を通して、発光装置1内の複数のLED素子30からの光を出射させてもよい。
図4は、LED素子30同士の実装間隔と発光装置1’の照度との関係を示すグラフである。グラフの横軸はLED素子30同士の実装間隔d(μm)であり、縦軸は実装間隔dを0mmとしたときの発光装置1’からの出射光の照度を基準とした相対照度Iである。なお、各LED素子30は1mm角の矩形、レンズ80の入射端部は直径10mmの円形である。図4では、実装間隔dが30μmのときと50μmのときの、レンズ80を通した出射光の相対強度Iの最大値(Max)、平均値(Ave)および最小値(Min)をそれぞれ示している。図4に示すように、相対強度Iの最小値については、レンズ80の組込みのバラつきに起因して、実装間隔dが30μmのときと50μmのときは実装間隔dが0μmのときと比べて20%程度低下している。しかしながら、相対強度Iの最大値と平均値については、図示した範囲では実装間隔dによらずにほぼ一定である。
LED素子30同士の実装間隔dは、レンズ80で集光するためには狭いほど発光点が小さくなるので好ましい。しかしながら、実装間隔dは、例えば隣接するLED素子30同士で短絡が発生しないように、最低でも5μm程度は確保する必要がある。また、実装間隔dをあまり広げ過ぎると、レンズ80の入射端部の直径に対する複数のLED素子30による発光径が大きくなって光の損失が生じるため、発光装置1’からの出射光の照度は低下する。例えば、図4の測定に用いたレンズ80を使用する場合には、実装間隔dの上限は50μm程度が好ましい。また、実装間隔dが50μm程度以下であると、発光装置1の製造時に、LED素子30の素子間に透明樹脂60を充填する工程が容易になる。したがって、複数のLED素子30は、隣接するLED素子30同士の間隔が5μm以上かつ50μm以下になるように実装基板10上に密集させて実装することが好ましい。
ただし、LED素子30同士の実装間隔dの上限は、レンズ80として例えば図4の測定に用いたものよりも大きなレンズを使用するなど、レンズ80の大きさや形状を変えれば、200μm程度まで大きくすることが可能である。したがって、隣接するLED素子30同士の実装間隔は、5μm以上かつ200μm以下であってもよい。
図5(A)〜図8(C)は、発光装置1の製造工程を示す上面図および断面図である。図5(B)、図5(C)、図6(B)、図6(C)、図7(B)、図7(C)、図8(B)および図8(C)は、それぞれ、図5(A)のVB−VB線、VC−VC線、図6(A)のVIB−VIB線、VIC−VIC線、図7(A)のVIIB−VIIB線、VIIC−VIIC線、図8(A)のVIIIB−VIIIB線およびVIIIC−VIIIC線に沿った断面を示す。
発光装置1の製造時には、まず、図5(A)〜図5(C)に示すように、実装基板10と開口部21を有する回路基板20とが、重ね合わされて貼り合わされる。そして、図6(A)〜図6(C)に示すように、回路基板20の開口部21内で露出している実装基板10の上面に、複数のLED素子30が互いに5〜50μmの間隔を開けて実装される。このとき、回路基板20の上面における配線パターン22Aと配線パターン22Bの間に、ツェナーダイオード70も実装される。次に、図7(A)〜図7(C)に示すように、近接するLED素子30同士がワイヤ31で互いに電気的に接続され、開口部21の外周側のLED素子30から出たワイヤ31が配線パターン22A,22Bに接続される。このとき、ツェナーダイオード70も、ワイヤ71で配線パターン22A,22Bに接続される。
続いて、図8(A)〜図8(C)に示すように、回路基板20の上面における開口部21の外周部分に樹脂枠40が固定される。そして、蛍光体を含有しない透明樹脂60を複数のLED素子30の素子間に配置し、さらに、蛍光体を含有する封止樹脂50で複数のLED素子30の露出部の周囲を覆って、複数のLED素子30の全体を封止する。以上の工程により、図1(A)〜図1(C)に示す発光装置1が完成する。
透明樹脂60は、例えば、互いに5〜50μmの間隔を開けてLED素子30を実装基板10上に接着させて、ダイボンド用の接着剤が硬化した後に、上方から素子間に注入される。あるいは、実装基板10上に実装された複数のLED素子30の素子間に側方から透明樹脂60を注入し、毛細管現象を利用してその樹脂を素子間に広がらせることにより、複数のLED素子30の素子間を透明樹脂60で塞いでもよい。これらの方法により、複数のLED素子30の素子間における各LED素子30の下端から上端までの空間が、透明樹脂60で塞がれる。特に、毛細管現象を利用する場合には、LED素子30同士の実装間隔は50μm程度以下であることが好ましい。
あるいは、ダイボンド用の接着剤を介して比較的大きな間隔を開けてLED素子30を実装基板10上に配置し、接着剤の硬化前に素子同士の間隔を5〜50μmの範囲に縮めて接着剤を素子間にはみ出させることにより、接着剤で素子間を塞いでもよい。この場合には、透明樹脂60を別途素子間に注入する必要はなく、複数のLED素子30を実装基板10に接着させるための接着剤(ダイボンドペースト)が第1の樹脂に相当する。
あるいは、複数のLED素子30の素子間に充填される透明樹脂60は、例えばワイヤ31の保護のためにLED素子30の上面を覆うコーティング材などでもよい。すなわち、透明樹脂60を別途素子間に注入せずに、コーティング材を透明樹脂60として兼用してもよい。
図9(A)〜図9(C)は、発光装置2の上面図および断面図である。図9(A)は完成品としての発光装置2の上面図であり、図9(B)は図9(A)のIXB−IXB線に沿った断面図、図9(C)は図9(A)のIXC−IXC線に沿った断面図である。発光装置2は、主要な構成要素として、実装基板10’、LED素子30、樹脂枠40、封止樹脂50、透明樹脂60およびツェナーダイオード70を有する。発光装置2は、発光装置1にあった開口部21を有する回路基板20がないという点が発光装置1とは異なる。
実装基板10’は、例えばセラミックスで構成された絶縁基板であり、その上面の中央にLED素子30が実装される実装領域を有する。発光装置2でも、発光装置1と同じ複数のLED素子30が、実装基板10’の中央に格子状に配列して実装される。実装基板10’の上面には、発光装置1の回路基板20と同様に、+電極側の配線パターン22Aと−電極側の配線パターン22Bが形成されており、実装基板10’の上面で対角に位置する2つの角部には、接続電極23A,23Bが形成されている。また、実装基板10’の上面には、LED素子30の実装領域の外周部分および接続電極23A,23Bの部分を除いて、配線パターン22A,22Bを覆う白色レジスト24が形成されている(後述する図10(A)を参照)。
樹脂枠40は、実装基板10’の実装領域の大きさに合わせて例えば白色の樹脂で構成された、発光装置1のものと同じほぼ矩形の枠体である。ただし、樹脂枠40は、円形などの他の形状であってもよい。封止樹脂50は、実装基板10’上の樹脂枠40で囲われた部分に注入されて、複数のLED素子30の全体を一体に被覆し保護(封止)する。封止樹脂50は、発光装置1のものと同じように、蛍光体が分散混入された、シリコーン樹脂などの耐熱性を有する樹脂である。
透明樹脂60は、発光装置1のものと同じように、蛍光体を含有しないエポキシ樹脂またはシリコーン樹脂などの無色かつ透明な樹脂である。透明樹脂60は、封止樹脂50が注入される前に複数のLED素子30の間にある隙間に注入されることで、LED素子30の素子間に蛍光体が入り込まないように、素子間を埋め尽くしている。ツェナーダイオード70は、実装基板10’上で複数のLED素子30と並列に配線パターン22A,22Bに接続されて(後述する図12(A)を参照)、LED素子30に逆方向に電圧がかけられたときにLED素子30を保護する。
発光装置2でも、透明樹脂60があることにより封止樹脂50内の蛍光体がLED素子30の素子間に入り込まないので、LED素子30からの出射位置と出射方向によらずに出射光が蛍光体層を通過する距離は一定になる。このため、発光装置2でも、実際の出射光の色味と目的の光の色味とのずれは生じにくくなり、色度が均一な出射光が得られる。
なお、発光装置2でも、蛍光体51の粒子が複数のLED素子30の素子間に実質的に入り込まなければ、透明樹脂60は、必ずしも複数のLED素子30の素子間における各LED素子30の下端から上端までの空間全体を埋め尽くしていなくてもよい。
また、発光装置2でも、樹脂枠40と外周側に位置するLED素子30との間の外周部分にも、透明樹脂60または白色樹脂を充填することが好ましい。ただし、封止樹脂50内の蛍光体を沈殿させて、外周部分においてもLED素子30の上側とほぼ同等の厚さで蛍光体を配置できれば、必ずしも外周部分は透明樹脂60または白色樹脂で埋め尽くされていなくてもよい。
また、発光装置2でも、封止樹脂50を覆うように発光装置1’と同様のレンズ80などの光学素子を実装基板10’の上面に載置してもよい。また、発光装置2でも、発光装置1と同様に、隣接するLED素子30同士の間隔が5μm以上かつ50μm以下、あるいは5μm以上かつ200μm以下になるように、複数のLED素子30を実装基板10’上に密集させて実装することが好ましい。
図10(A)〜図13(C)は、発光装置2の製造工程を示す上面図および断面図である。図10(B)、図10(C)、図11(B)、図11(C)、図12(B)、図12(C)、図13(B)および図13(C)は、それぞれ、図10(A)のXB−XB線、XC−XC線、図11(A)のXIB−XIB線、XIC−XIC線、図12(A)のXIIB−XIIB線、XIIC−XIIC線、図13(A)のXIIIB−XIIIB線およびXIIIC−XIIIC線に沿った断面を示す。
発光装置2の製造時には、まず、図10(A)〜図10(C)に示すような、配線パターン22A,22B、接続電極23A,23Bおよび白色レジスト24が形成された実装基板10’が用意される。そして、図11(A)〜図11(C)に示すように、実装基板10’の中央に、複数のLED素子30が互いに5〜50μmの間隔を開けて実装される。このとき、実装基板10’の上面における配線パターン22Aと配線パターン22Bの間に、ツェナーダイオード70も実装される。次に、図12(A)〜図12(C)に示すように、近接するLED素子30同士がワイヤ31で互いに電気的に接続され、実装領域の外周側のLED素子30から出たワイヤ31が配線パターン22A,22Bに接続される。このとき、ツェナーダイオード70も、ワイヤ71で配線パターン22A,22Bに接続される。
続いて、図13(A)〜図13(C)に示すように、実装基板10’の実装領域の外周部分に樹脂枠40が固定される。そして、蛍光体を含有しない透明樹脂60を複数のLED素子30の素子間に配置し、さらに、蛍光体を含有する封止樹脂50で複数のLED素子30の露出部の周囲を覆って、複数のLED素子30の全体を封止する。以上の工程により、図9(A)〜図9(C)に示す発光装置2が完成する。
なお、発光装置1,2における透明樹脂60は、白色樹脂であってもよい。すなわち、第1の樹脂として、蛍光体を含有しない白色樹脂を用いても、発光装置1,2と同様に、実際の出射光の色味と目的の光の色味とのずれは生じにくくなり、色度が均一な出射光が得られる。
また、上記の発光装置1,2ではLED素子30はワイヤボンディングで実装されていたが、上記の構成は、LED素子がフリップチップ実装される発光装置にも同様に適用可能である。すなわち、実装基板上に密集してフリップチップ実装された複数のLED素子の素子間を透明樹脂で塞げば、封止樹脂内の蛍光体が素子間に入り込まなくなるため、発光装置1,2と同様に、実際の出射光の色味と目的の光の色味とのずれは生じにくくなり、色度が均一な出射光が得られる。

Claims (5)

  1. 基板と、
    前記基板上に密集してダイボンディングで実装された複数の発光素子と、
    前記複数の発光素子のダイボンド用の接着剤であり、蛍光体を含有せず、前記複数の発光素子の素子間にはみ出ることで前記素子間に配置された第1の樹脂と、
    蛍光体を含有し、前記複数の発光素子の露出部の周囲を覆う第2の樹脂と、
    を有することを特徴とする発光装置。
  2. 前記複数の発光素子は、隣接する発光素子同士の間隔が5μm以上かつ50μm以下になるように前記基板上に密集して実装されている、請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記第2の樹脂を覆うように前記基板上に載置された光学素子をさらに有する、請求項1または2に記載の発光装置。
  4. ダイボンド用の接着剤であり蛍光体を含有しない第1の樹脂を介して基板上に数の発光素子を配置する工程と、
    記複数の発光素子の素子間に前記第1の樹脂をはみ出させることにより、前記素子間を前記第1の樹脂で塞ぐ工程と、
    蛍光体を含有する第2の樹脂で前記複数の発光素子の露出部の周囲を覆う工程と、
    を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
  5. 前記塞ぐ工程では、隣接する発光素子同士の間隔を前記第1の樹脂の硬化前に5μm以上かつ50μm以下の範囲内に縮めて、前記第1の樹脂を前記子間にはみ出させ、請求項4に記載の製造方法。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7113607B2 (ja) * 2017-11-01 2022-08-05 シチズン電子株式会社 Ledパッケージ及びその製造方法
KR102613886B1 (ko) 2018-08-06 2023-12-15 서울바이오시스 주식회사 발광 장치, 및 이를 포함하는 광 조사기
JP7240907B2 (ja) * 2019-03-12 2023-03-16 シチズン電子株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
WO2021261567A1 (ja) * 2020-06-25 2021-12-30 シチズン電子株式会社 発光装置
KR20230023834A (ko) * 2020-12-09 2023-02-20 주식회사 솔루엠 에어포켓 방지 기판, 에어포켓 방지 기판 모듈, 이를 포함하는 전기기기 및 이를 포함하는 전기기기의 제조 방법

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6917057B2 (en) * 2002-12-31 2005-07-12 Gelcore Llc Layered phosphor coatings for LED devices
JP2006005290A (ja) 2004-06-21 2006-01-05 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
KR100638721B1 (ko) * 2005-01-28 2006-10-30 삼성전기주식회사 수지 흐름 개선용 리드 프레임 구조를 갖는 측면형발광다이오드 패키지
JP2006303122A (ja) * 2005-04-19 2006-11-02 Citizen Electronics Co Ltd チップ型led
KR20060132298A (ko) * 2005-06-17 2006-12-21 삼성전기주식회사 발광소자 패키지
JP5158472B2 (ja) * 2007-05-24 2013-03-06 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
JP2009076516A (ja) 2007-09-19 2009-04-09 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
JP2009076803A (ja) 2007-09-25 2009-04-09 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光モジュール及び発光装置
EP2216834B1 (en) * 2007-11-29 2017-03-15 Nichia Corporation Light-emitting apparatus
JP5266075B2 (ja) 2009-01-26 2013-08-21 パナソニック株式会社 電球形照明装置
US20100327733A1 (en) * 2009-06-25 2010-12-30 Bridgelux, Inc. Multiple layer phosphor bearing film
JP2012044048A (ja) 2010-08-20 2012-03-01 Sharp Corp 発光素子パッケージの製造方法及び発光素子パッケージ
US8455895B2 (en) 2010-11-08 2013-06-04 Bridgelux, Inc. LED-based light source utilizing asymmetric conductors
JP2012109478A (ja) * 2010-11-19 2012-06-07 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光体および照明装置
US20130062633A1 (en) * 2011-04-18 2013-03-14 Randolph Cary Demuynck LED Array Having Embedded LED and Method Therefor
JPWO2013011628A1 (ja) * 2011-07-19 2015-02-23 パナソニック株式会社 発光装置及びその製造方法
US9343441B2 (en) * 2012-02-13 2016-05-17 Cree, Inc. Light emitter devices having improved light output and related methods
JP2013232477A (ja) * 2012-04-27 2013-11-14 Toshiba Corp 発光モジュール
JP6065408B2 (ja) * 2012-04-27 2017-01-25 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
JP2015056552A (ja) * 2013-09-12 2015-03-23 東芝ライテック株式会社 発光体および照明装置
JP6187277B2 (ja) * 2014-01-21 2017-08-30 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
JP5712313B2 (ja) * 2014-04-30 2015-05-07 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法

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