JP7238847B2 - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Description
《態様1》
酸化ガリウム系単結晶半導体層の面上に金属電極層が形成されており、かつ前記酸化ガリウム系単結晶半導体層の面上のうち、前記金属電極層が積層されていない露出部の少なくとも一部にドーパントがドープされている、半導体素子前駆体を提供すること、及び
前記半導体素子前駆体にアニール処理を行い、それによって前記酸化ガリウム系単結晶半導体層のうち、前記金属電極層と積層方向に重複する部分に前記ドーパントを拡散させること、
を含む、半導体素子の製造方法。
《態様2》
前記半導体素子前駆体を提供することが、
酸化ガリウム系単結晶半導体層の面上の一部に、前記金属電極層を積層すること、及び
前記金属電極層を積層した後に、前記酸化ガリウム系単結晶半導体層の面上のうち、前記金属電極層が積層されていない前記露出部の少なくとも一部に、前記ドーパントをイオン注入することによって、前記ドーパントをドープすること、
を含む、態様1に記載の製造方法。
《態様3》
少なくとも前記金属電極層の一部分をマスクとして前記ドーパントをイオン注入することによって、前記露出部のうち、少なくとも前記金属電極層が積層されている部分に隣接する部分に、前記ドーパントをドープすること、
を含む、態様2に記載の製造方法。
《態様4》
前記酸化ガリウム系単結晶半導体層にイオン注入される前記ドーパントのドーズ量が5×1013cm-2~5×1014cm-2である、態様2又は3に記載の製造方法。
《態様5》
前記酸化ガリウム系単結晶半導体層は、基材層及び前記基材層上に形成されているドリフト層を有しており、
前記金属電極層は、前記ドリフト層の面上に形成されており、かつ
前記ドリフト層の面上のうち、前記金属電極層が積層されていない露出部の少なくとも一部にドーパントがドープされている、
態様1~4のいずれか一つに記載の製造方法。
《態様6》
前記ドリフト層の厚さが0.5μm~20.0μmである、態様5に記載の製造方法。
《態様7》
前記金属電極層が、Ti、Mo、Ni、及びPtからなる群から選択される少なくとも1つの金属からなる層である、態様1~6のいずれか一つに記載の製造方法。
《態様8》
前記ドーパントがアクセプタである、態様1~7のいずれか一つに記載の製造方法。
《態様9》
前記アクセプタがMgである、態様8に記載の製造方法。
《態様10》
前記アニール処理を1000℃~1200℃の温度で行う、態様1~9のいずれか一つに記載の製造方法。
本開示の製造方法において、半導体素子前駆体は、酸化ガリウム系単結晶半導体層の面上に金属電極層が形成されており、かつ酸化ガリウム系単結晶半導体層の面上のうち、金属電極層が積層されていない露出部の少なくとも一部にドーパントがドープされている、材料である。
酸化ガリウム系単結晶半導体層は、金属電極層が積層されていない露出部の少なくとも一部にドーパントがドープされている。
金属電極層は、酸化ガリウム系単結晶半導体層の面上に形成されている。酸化ガリウム系単結晶半導体層が基材層及びドリフト層を有している場合には、金属電極層は、ドリフト層の面上に形成されている。金属電極層は、酸化ガリウム系単結晶半導体層と接合されて、ショットキー接合を形成している。
本開示の製造方法において、半導体素子前駆体を提供することは、酸化ガリウム系単結晶半導体層の面上の一部に、金属電極層を積層すること、及び金属電極層を積層した後に、酸化ガリウム系単結晶半導体層の面上のうち、金属電極層が積層されていない露出部の少なくとも一部に、ドーパントをイオン注入することによって、ドーパントをドープすることを含んでいることができる。
金属電極層の積層方法は、半導体素子の金属電極層、より具体的には半導体とショットキー接合を形成する金属電極層を形成するための公知の方法であってよい。このような方法としては、例えば公知の物理蒸着法又は化学蒸着法等を挙げることができる。
ドーパントは、金属電極層が積層されていない露出部の少なくとも一部に、イオン注入することにより行ってよい。なお、ドーパントのイオン注入方法は特に限定されず、公知の方法によって行うことができる。
本開示の製造方法では、半導体素子前駆体にアニール処理を行い、それによって酸化ガリウム系単結晶半導体層のうち、金属電極層と積層方向に重複する部分にドーパントを拡散させる。
〈試料の調製〉
以下のようにして、実施例1の試料を調製した。
ダイナミック二次イオン質量分析法(D-SIMS)によって、実施例1の試料のイオン注入直後及びアニール処理後におけるドリフト層の所定の位置におけるMgの深さ方向の拡散状態を測定した。
2 金属電極層の成膜
3 イオン注入
4 イオン注入用レジストマスク
10 酸化ガリウム系単結晶半導体層
11 基材層
12 ドリフト層
20 金属電極層
30 高抵抗領域
40 半導体素子前駆体
50 半導体素子
Claims (10)
- 酸化ガリウム系単結晶半導体層の面上に金属電極層が形成されており、かつ前記酸化ガリウム系単結晶半導体層の面上のうち、前記金属電極層が積層されていない露出部の少なくとも一部にドーパントがドープされている、半導体素子前駆体を提供すること、及び
前記半導体素子前駆体にアニール処理を行い、それによって前記酸化ガリウム系単結晶半導体層のうち、前記金属電極層と積層方向に重複する部分に前記ドーパントを拡散させること、
を含む、半導体素子の製造方法。 - 前記半導体素子前駆体を提供することが、
酸化ガリウム系単結晶半導体層の面上の一部に、前記金属電極層を積層すること、及び
前記金属電極層を積層した後に、前記酸化ガリウム系単結晶半導体層の面上のうち、前記金属電極層が積層されていない前記露出部の少なくとも一部に、前記ドーパントをイオン注入することによって、前記ドーパントをドープすること、
を含む、請求項1に記載の製造方法。 - 少なくとも前記金属電極層の一部分をマスクとして前記ドーパントをイオン注入することによって、前記露出部のうち、少なくとも前記金属電極層が積層されている部分に隣接する部分に、前記ドーパントをドープすること、
を含む、請求項2に記載の製造方法。 - 前記酸化ガリウム系単結晶半導体層にイオン注入される前記ドーパントのドーズ量が5×1013cm-2~5×1014cm-2である、請求項2又は3に記載の製造方法。
- 前記酸化ガリウム系単結晶半導体層は、基材層及び前記基材層上に形成されているドリフト層を有しており、
前記金属電極層は、前記ドリフト層の面上に形成されており、かつ
前記ドリフト層の面上のうち、前記金属電極層が積層されていない露出部の少なくとも一部にドーパントがドープされている、
請求項1~4のいずれか一項に記載の製造方法。 - 前記ドリフト層の厚さが0.5μm~20.0μmである、請求項5に記載の製造方法。
- 前記金属電極層が、Ti、Mo、Ni、及びPtからなる群から選択される少なくとも1つの金属からなる層である、請求項1~6のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記ドーパントがアクセプタである、請求項1~7のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記アクセプタがMgである、請求項8に記載の製造方法。
- 前記アニール処理を1000℃~1200℃の温度で行う、請求項1~9のいずれか一項に記載の製造方法。
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US11462402B2 (en) * | 2020-10-21 | 2022-10-04 | Cornell University | Suboxide molecular-beam epitaxy and related structures |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013035845A1 (ja) | 2011-09-08 | 2013-03-14 | 株式会社タムラ製作所 | Ga2O3系半導体素子 |
JP2015026796A (ja) | 2013-03-01 | 2015-02-05 | 株式会社タムラ製作所 | Ga2O3系単結晶体のドナー濃度制御方法、及びオーミックコンタクト形成方法 |
JP2016039194A (ja) | 2014-08-06 | 2016-03-22 | 株式会社タムラ製作所 | Ga2O3系単結晶の高抵抗領域形成方法、並びに、結晶積層構造体及び半導体素子 |
JP2018170334A (ja) | 2017-03-29 | 2018-11-01 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2018186246A (ja) | 2017-04-27 | 2018-11-22 | 国立研究開発法人情報通信研究機構 | Ga2O3系半導体素子 |
JP2019012827A (ja) | 2017-06-30 | 2019-01-24 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 窒化ガリウム系の半導体装置及びその製造方法 |
JP2019012836A (ja) | 2018-09-05 | 2019-01-24 | 株式会社タムラ製作所 | 半導体素子 |
JP2019075508A (ja) | 2017-10-18 | 2019-05-16 | 矢崎総業株式会社 | 半導体装置および半導体ウェーハ |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6940152B2 (en) * | 2002-02-21 | 2005-09-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor storage device and its manufacturing method |
JP2007165611A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Showa Denko Kk | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2007165612A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Showa Denko Kk | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
KR102147816B1 (ko) * | 2013-08-09 | 2020-08-25 | 고쿠리츠다이가쿠호진 호쿠리쿠 센단 가가쿠 기쥬츠 다이가쿠인 다이가쿠 | 산화물 반도체층 및 그 제조방법, 그리고 산화물 반도체의 전구체, 산화물 반도체층, 반도체 소자, 및 전자 디바이스 |
JP5828568B1 (ja) * | 2014-08-29 | 2015-12-09 | 株式会社タムラ製作所 | 半導体素子及びその製造方法 |
JP6406602B2 (ja) * | 2014-08-29 | 2018-10-17 | 株式会社タムラ製作所 | 半導体素子及びその製造方法、並びに結晶積層構造体 |
CN107799418A (zh) * | 2016-08-31 | 2018-03-13 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体结构及其形成方法 |
CN108470830A (zh) * | 2018-03-26 | 2018-08-31 | 湖北大学 | 一种有机无机杂化薄膜晶体管及其制备方法 |
CN110137262A (zh) * | 2019-04-12 | 2019-08-16 | 西交利物浦大学 | 一种双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管及制备方法 |
-
2020
- 2020-04-16 JP JP2020073653A patent/JP7238847B2/ja active Active
-
2021
- 2021-02-19 US US17/179,533 patent/US11152225B1/en active Active
- 2021-04-07 CN CN202110376723.1A patent/CN113539834B/zh active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013035845A1 (ja) | 2011-09-08 | 2013-03-14 | 株式会社タムラ製作所 | Ga2O3系半導体素子 |
JP2015026796A (ja) | 2013-03-01 | 2015-02-05 | 株式会社タムラ製作所 | Ga2O3系単結晶体のドナー濃度制御方法、及びオーミックコンタクト形成方法 |
JP2016039194A (ja) | 2014-08-06 | 2016-03-22 | 株式会社タムラ製作所 | Ga2O3系単結晶の高抵抗領域形成方法、並びに、結晶積層構造体及び半導体素子 |
JP2018170334A (ja) | 2017-03-29 | 2018-11-01 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2018186246A (ja) | 2017-04-27 | 2018-11-22 | 国立研究開発法人情報通信研究機構 | Ga2O3系半導体素子 |
JP2019012827A (ja) | 2017-06-30 | 2019-01-24 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 窒化ガリウム系の半導体装置及びその製造方法 |
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