JP7222995B2 - パターン印刷用レジスト組成物及びそれを用いた回路パターンの製造方法 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 97
- 238000007639 printing Methods 0.000 title claims description 89
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 68
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 68
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 55
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 32
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 22
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 20
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 claims description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 claims description 9
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 claims description 8
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 claims description 7
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000440 bentonite Substances 0.000 claims description 5
- 229910000278 bentonite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- SVPXDRXYRYOSEX-UHFFFAOYSA-N bentoquatam Chemical compound O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O SVPXDRXYRYOSEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000004927 clay Substances 0.000 claims description 5
- 229910052570 clay Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000454 talc Substances 0.000 claims description 5
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000004658 ketimines Chemical group 0.000 claims description 4
- -1 Ketimine compound Chemical class 0.000 description 58
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 40
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 24
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 19
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 9
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 8
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 8
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 6
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- 229910004032 NK-100PM Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- 238000004448 titration Methods 0.000 description 4
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N Benzyl alcohol Chemical compound OCC1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004010 NK-200PM Inorganic materials 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 3
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 3
- BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N butan-2-ol Chemical compound CCC(C)O BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N butyric aldehyde Natural products CCCC=O ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 3
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 3
- 229920000083 poly(allylamine) Polymers 0.000 description 3
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 3
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000006527 (C1-C5) alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- VPBZZPOGZPKYKX-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethoxypropane Chemical compound CCOCC(C)OCC VPBZZPOGZPKYKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WXEGUPQIFBRJFC-UHFFFAOYSA-N 1-(1-ethoxypropan-2-yloxy)pentane Chemical compound C(CCCC)OC(COCC)C WXEGUPQIFBRJFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HMBWWRLRSBNRJS-UHFFFAOYSA-N 1-[1-(1-propoxypropan-2-yloxy)propan-2-yloxy]butane Chemical compound CCCCOC(C)COC(C)COCCC HMBWWRLRSBNRJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-hydroxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(O)COC(C)COC(C)CO LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HXLAEGYMDGUSBD-UHFFFAOYSA-N 3-[diethoxy(methyl)silyl]propan-1-amine Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCN HXLAEGYMDGUSBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZYAASQNKCWTPKI-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propan-1-amine Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCN ZYAASQNKCWTPKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- IRIAEXORFWYRCZ-UHFFFAOYSA-N Butylbenzyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC1=CC=CC=C1 IRIAEXORFWYRCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZVFDTKUVRCTHQE-UHFFFAOYSA-N Diisodecyl phthalate Chemical compound CC(C)CCCCCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCCCCCC(C)C ZVFDTKUVRCTHQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMIMRNSIRUDHCM-UHFFFAOYSA-N Isopropylaldehyde Chemical compound CC(C)C=O AMIMRNSIRUDHCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- NBBJYMSMWIIQGU-UHFFFAOYSA-N Propionic aldehyde Chemical compound CCC=O NBBJYMSMWIIQGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001089 [(2R)-oxolan-2-yl]methanol Substances 0.000 description 2
- 125000005210 alkyl ammonium group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001346 alkyl aryl ethers Chemical class 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N benzaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=CC=C1 HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- RWPICVVBGZBXNA-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) benzene-1,4-dicarboxylate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=C(C(=O)OCC(CC)CCCC)C=C1 RWPICVVBGZBXNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHRGRCVQAFMJIZ-UHFFFAOYSA-N cadaverine Chemical compound NCCCCCN VHRGRCVQAFMJIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N caprylic alcohol Natural products CCCCCCCCO KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 150000001728 carbonyl compounds Chemical class 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 239000004359 castor oil Substances 0.000 description 2
- 235000019438 castor oil Nutrition 0.000 description 2
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N decan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCO MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 2
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JQCXWCOOWVGKMT-UHFFFAOYSA-N diheptyl phthalate Chemical compound CCCCCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCCCCC JQCXWCOOWVGKMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HBGGXOJOCNVPFY-UHFFFAOYSA-N diisononyl phthalate Chemical compound CC(C)CCCCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCCCCC(C)C HBGGXOJOCNVPFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol monomethyl ether acetate Natural products COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 2
- ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N glycerol triricinoleate Natural products CCCCCC[C@@H](O)CC=CCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](COC(=O)CCCCCCCC=CC[C@@H](O)CCCCCC)OC(=O)CCCCCCCC=CC[C@H](O)CCCCCC ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N 0.000 description 2
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- 125000001841 imino group Chemical group [H]N=* 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- XMGQYMWWDOXHJM-UHFFFAOYSA-N limonene Chemical compound CC(=C)C1CCC(C)=CC1 XMGQYMWWDOXHJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZADYMNAVLSWLEQ-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-);silicon(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Mg+2].[Si+4] ZADYMNAVLSWLEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- UODXCYZDMHPIJE-UHFFFAOYSA-N menthanol Chemical compound CC1CCC(C(C)(C)O)CC1 UODXCYZDMHPIJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000325 methylidene group Chemical group [H]C([H])=* 0.000 description 2
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 2
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N pentan-2-one Chemical compound CCCC(C)=O XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical class OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 2
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 2
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 2
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- KIDHWZJUCRJVML-UHFFFAOYSA-N putrescine Chemical compound NCCCCN KIDHWZJUCRJVML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 2
- BSYVTEYKTMYBMK-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofurfuryl alcohol Chemical compound OCC1CCCO1 BSYVTEYKTMYBMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XFNJVJPLKCPIBV-UHFFFAOYSA-N trimethylenediamine Chemical compound NCCCN XFNJVJPLKCPIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 2
- 150000003672 ureas Chemical class 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- NOOLISFMXDJSKH-UTLUCORTSA-N (+)-Neomenthol Chemical compound CC(C)[C@@H]1CC[C@@H](C)C[C@@H]1O NOOLISFMXDJSKH-UTLUCORTSA-N 0.000 description 1
- DNIAPMSPPWPWGF-VKHMYHEASA-N (+)-propylene glycol Chemical compound C[C@H](O)CO DNIAPMSPPWPWGF-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- BGCIAWBDYRWKEK-UHFFFAOYSA-N (1-butylcyclohexyl) acetate Chemical compound CCCCC1(OC(C)=O)CCCCC1 BGCIAWBDYRWKEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXKHJCMKWLCRFQ-UHFFFAOYSA-N (1-pentylcyclohexyl) acetate Chemical compound CCCCCC1(OC(C)=O)CCCCC1 PXKHJCMKWLCRFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDIYABNICDPBCR-UHFFFAOYSA-N (1-tert-butylcyclohexyl) acetate Chemical compound CC(=O)OC1(C(C)(C)C)CCCCC1 GDIYABNICDPBCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VJDHKUHTYJLWPV-UHFFFAOYSA-N (2-nitrophenyl)methyl 4-(2-methylprop-2-enoyloxy)piperidine-1-carboxylate Chemical compound C(C(=C)C)(=O)OC1CCN(CC1)C(=O)OCC1=C(C=CC=C1)[N+](=O)[O-] VJDHKUHTYJLWPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001716 (4-methyl-1-propan-2-yl-1-cyclohex-2-enyl) acetate Substances 0.000 description 1
- HFROTQKOFJESPY-CMDGGOBGSA-N (e)-3-(2-hydroxyphenyl)-1-piperidin-1-ylprop-2-en-1-one Chemical compound OC1=CC=CC=C1\C=C\C(=O)N1CCCCC1 HFROTQKOFJESPY-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 1
- OLAQBFHDYFMSAJ-UHFFFAOYSA-L 1,2-bis(7-methyloctyl)cyclohexane-1,2-dicarboxylate Chemical compound CC(C)CCCCCCC1(C([O-])=O)CCCCC1(CCCCCCC(C)C)C([O-])=O OLAQBFHDYFMSAJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- LEEANUDEDHYDTG-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethoxypropane Chemical compound COCC(C)OC LEEANUDEDHYDTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVMMVWNXKOSPRB-UHFFFAOYSA-N 1,2-dipropoxypropane Chemical compound CCCOCC(C)OCCC PVMMVWNXKOSPRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940058015 1,3-butylene glycol Drugs 0.000 description 1
- DSVGICPKBRQDDX-UHFFFAOYSA-N 1,3-diacetoxypropane Chemical compound CC(=O)OCCCOC(C)=O DSVGICPKBRQDDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N 1,3-propanediol Substances OCCCO YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ITWBWJFEJCHKSN-UHFFFAOYSA-N 1,4,7-triazonane Chemical compound C1CNCCNCCN1 ITWBWJFEJCHKSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUKSWKGOQKREON-UHFFFAOYSA-N 1,4-diacetoxybutane Chemical compound CC(=O)OCCCCOC(C)=O XUKSWKGOQKREON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 1,4-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C=C1 CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043375 1,5-pentanediol Drugs 0.000 description 1
- CUVLMZNMSPJDON-UHFFFAOYSA-N 1-(1-butoxypropan-2-yloxy)propan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)OCC(C)O CUVLMZNMSPJDON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AQWRIQQOBJAALB-UHFFFAOYSA-N 1-(1-propoxypropan-2-yloxy)pentane Chemical compound C(CCCC)OC(COCCC)C AQWRIQQOBJAALB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSYFTWVCWOZBCI-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-dimethoxyethoxy)propan-2-ol Chemical compound COC(COCC(C)O)OC NSYFTWVCWOZBCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KNTUPCOHGQQHBD-UHFFFAOYSA-N 1-(2-butoxyethoxy)pentane Chemical group CCCCCOCCOCCCC KNTUPCOHGQQHBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QMGJMGFZLXYHCR-UHFFFAOYSA-N 1-(2-butoxypropoxy)butane Chemical compound CCCCOCC(C)OCCCC QMGJMGFZLXYHCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOECJVYWINLCEV-UHFFFAOYSA-N 1-(2-ethoxyethoxy)pentane Chemical group CCCCCOCCOCC UOECJVYWINLCEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZBACIJSSOHXQA-UHFFFAOYSA-N 1-(2-ethoxyethoxy)propane Chemical compound CCCOCCOCC MZBACIJSSOHXQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IWCXODVUSSZHIJ-UHFFFAOYSA-N 1-(2-ethoxypropoxy)butane Chemical compound CCCCOCC(C)OCC IWCXODVUSSZHIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDFQEFFBRPGSMC-UHFFFAOYSA-N 1-(2-methoxyethoxy)butane Chemical compound CCCCOCCOC XDFQEFFBRPGSMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OJTBQXZLANYDLF-UHFFFAOYSA-N 1-(2-methoxyethoxy)pentane Chemical compound CCCCCOCCOC OJTBQXZLANYDLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ILLHRDFIVGEPIU-UHFFFAOYSA-N 1-(2-methoxyethoxy)propane Chemical compound CCCOCCOC ILLHRDFIVGEPIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BBBXCILPEPCLBD-UHFFFAOYSA-N 1-(2-methoxypropoxy)butane Chemical compound CCCCOCC(C)OC BBBXCILPEPCLBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JZBJQXJUCASBFY-UHFFFAOYSA-N 1-(2-pentoxypropoxy)pentane Chemical compound CCCCCOCC(C)OCCCCC JZBJQXJUCASBFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCBZQEYJWBUONO-UHFFFAOYSA-N 1-(2-propoxyethoxy)butane Chemical group CCCCOCCOCCC ZCBZQEYJWBUONO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PDKJACXZLHIRMN-UHFFFAOYSA-N 1-(2-propoxyethoxy)pentane Chemical group CCCCCOCCOCCC PDKJACXZLHIRMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KUMBOQIHKBGCQX-UHFFFAOYSA-N 1-(2-propoxypropoxy)butane Chemical compound CCCCOCC(C)OCCC KUMBOQIHKBGCQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBVHNUMQFSVYGE-UHFFFAOYSA-N 1-[1-(1-methoxypropan-2-yloxy)propan-2-yloxy]propan-2-yl acetate Chemical compound COCC(C)OCC(C)OCC(C)OC(C)=O VBVHNUMQFSVYGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKEHLQXXZMANPK-UHFFFAOYSA-N 1-[1-(1-propoxypropan-2-yloxy)propan-2-yloxy]propan-2-ol Chemical compound CCCOCC(C)OCC(C)OCC(C)O JKEHLQXXZMANPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCNZRFLQCBZYMO-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]pentane Chemical compound CCCCCOCCOCCOCCCC QCNZRFLQCBZYMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOWSVNMPHMJCBZ-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-butoxypropoxy)propoxy]butane Chemical compound CCCCOCC(C)OCC(C)OCCCC UOWSVNMPHMJCBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPHFJZRSMXHTAW-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]butane Chemical compound CCCCOCC(C)OCC(C)OC QPHFJZRSMXHTAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFPXRLGRCVOOHJ-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-pentoxypropoxy)propoxy]pentane Chemical compound CCCCCOCC(C)OCC(C)OCCCCC VFPXRLGRCVOOHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWXNQBGBKAMLPP-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-propoxyethoxy)ethoxy]pentane Chemical compound CCCCCOCCOCCOCCC CWXNQBGBKAMLPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSWALFQRZUNESD-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-propoxypropoxy)propoxy]pentane Chemical compound CCCCCOCC(C)OCC(C)OCCC RSWALFQRZUNESD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)O RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUWDFGKRNIDKAE-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCCCOCC(C)OC(C)=O FUWDFGKRNIDKAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSSNTDFYBPYIEC-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylimidazole Chemical compound C=CN1C=CN=C1 OSSNTDFYBPYIEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CAQYAZNFWDDMIT-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-methoxyethane Chemical compound CCOCCOC CAQYAZNFWDDMIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GFMGMTAHHMMNTA-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-methoxypropane Chemical compound CCOCC(C)OC GFMGMTAHHMMNTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HDWMWIODPYURAA-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-propoxypropane Chemical compound CCCOC(C)COCC HDWMWIODPYURAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZHIWRCQKBBTOW-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxybutane Chemical compound CCCCOCC PZHIWRCQKBBTOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCOCC(C)OC(C)=O LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIYRYVJXMPWPAS-UHFFFAOYSA-N 1-methoxy-2-propoxypropane Chemical compound CCCOC(C)COC LIYRYVJXMPWPAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQVBKQCAXKLACB-UHFFFAOYSA-N 1-pentoxypropan-2-ol Chemical compound CCCCCOCC(C)O MQVBKQCAXKLACB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JARAFYFHEFPUIB-UHFFFAOYSA-N 1-pentoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCCCCOCC(C)OC(C)=O JARAFYFHEFPUIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOERQAIRIDZWHX-UHFFFAOYSA-N 1-propoxy-2-(2-propoxypropoxy)propane Chemical compound CCCOCC(C)OCC(C)OCCC JOERQAIRIDZWHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMFAHCVITRDZQB-UHFFFAOYSA-N 1-propoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCCOCC(C)OC(C)=O DMFAHCVITRDZQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XPZBNIUWMDJFPW-UHFFFAOYSA-N 2,2,3-trimethylcyclohexan-1-one Chemical compound CC1CCCC(=O)C1(C)C XPZBNIUWMDJFPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVFZQHWFGFKQIG-UHFFFAOYSA-N 2,2,3-trimethylcyclopentan-1-one Chemical compound CC1CCC(=O)C1(C)C AVFZQHWFGFKQIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVJIVFKAROPUOS-UHFFFAOYSA-N 2,2-bis(aminomethyl)propane-1,3-diamine Chemical compound NCC(CN)(CN)CN VVJIVFKAROPUOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTMRRSWNXVJMBA-UHFFFAOYSA-L 2,2-diethylpropanedioate Chemical compound CCC(CC)(C([O-])=O)C([O-])=O LTMRRSWNXVJMBA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- STMDPCBYJCIZOD-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4-dinitroanilino)-4-methylpentanoic acid Chemical compound CC(C)CC(C(O)=O)NC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1[N+]([O-])=O STMDPCBYJCIZOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JONNRYNDZVEZFH-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxypropoxy)propyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)COC(C)COC(C)=O JONNRYNDZVEZFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MIYRHXBYLQWDQS-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxypropoxy)-1-methoxypropane Chemical compound CCOC(C)COC(C)COC MIYRHXBYLQWDQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CADVUMMFHYFDNX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxypropoxy)-1-propoxypropane Chemical compound CCCOCC(C)OCC(C)OCC CADVUMMFHYFDNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CKCGJBFTCUCBAJ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxypropoxy)propyl acetate Chemical compound CCOC(C)COC(C)COC(C)=O CKCGJBFTCUCBAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXZJDGNHGLPKQB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hydroxypropoxy)propan-1-ol prop-1-ene Chemical compound CC(COC(C)CO)O.C=CC.C=CC QXZJDGNHGLPKQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJINVQNEBGOMCR-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound COCCOCCOC(C)=O BJINVQNEBGOMCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZXAHVCTRLTLNA-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxypropoxy)-1-propoxypropane Chemical compound CCCOCC(C)OCC(C)OC RZXAHVCTRLTLNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWTNRNHDJZLBCD-UHFFFAOYSA-N 2-(2-pentoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCCOCCOCCO PWTNRNHDJZLBCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSHVPEDOYHYTBV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-pentoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCCOCCOCCOC(C)=O MSHVPEDOYHYTBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QRLZJWCPSKLFKP-UHFFFAOYSA-N 2-(2-pentoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CCCCCOC(C)COC(C)CO QRLZJWCPSKLFKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UVKZXJMQLRMGMH-UHFFFAOYSA-N 2-(2-pentoxypropoxy)propyl acetate Chemical compound C(C)(=O)OCC(OCC(C)OCCCCC)C UVKZXJMQLRMGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DJCYDDALXPHSHR-UHFFFAOYSA-N 2-(2-propoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCOCCOCCO DJCYDDALXPHSHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWQAFGZJIHVLGX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-propoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCOCCOCCOC(C)=O GWQAFGZJIHVLGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYVAYAJYLWYJJN-UHFFFAOYSA-N 2-(2-propoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CCCOC(C)COC(C)CO XYVAYAJYLWYJJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFBBZQDFWTVNGP-UHFFFAOYSA-N 2-(2-propoxypropoxy)propyl acetate Chemical compound CCCOC(C)COC(C)COC(C)=O UFBBZQDFWTVNGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBNHCGDYYBMKJN-UHFFFAOYSA-N 2-(4-methylcyclohexyl)propan-2-yl acetate Chemical compound CC1CCC(C(C)(C)OC(C)=O)CC1 HBNHCGDYYBMKJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YSUQLAYJZDEMOT-UHFFFAOYSA-N 2-(butoxymethyl)oxirane Chemical compound CCCCOCC1CO1 YSUQLAYJZDEMOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INRKVKPTZMIOTG-UHFFFAOYSA-N 2-(pentyloxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCCOCCOC(C)=O INRKVKPTZMIOTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UNNGUFMVYQJGTD-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylbutanal Chemical compound CCC(CC)C=O UNNGUFMVYQJGTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCOCCO COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SGQLKNKVOZVAAY-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOCCOC(C)=O SGQLKNKVOZVAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JDSQBDGCMUXRBM-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CCCCOC(C)COC(C)COC(C)CO JDSQBDGCMUXRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYTRLHRQWPTWNT-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxypropoxy)propoxy]propyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)COC(C)COC(C)COC(C)=O ZYTRLHRQWPTWNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-ethoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCOCCOCCOCCO WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NVSCAPMJFRYMFK-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-ethoxyethoxy)ethoxy]ethyl acetate Chemical compound CCOCCOCCOCCOC(C)=O NVSCAPMJFRYMFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FMVOPJLFZGSYOS-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-ethoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CCOC(C)COC(C)COC(C)CO FMVOPJLFZGSYOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JDNLDGRWNMIHQC-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-ethoxypropoxy)propoxy]propyl acetate Chemical compound CCOC(C)COC(C)COC(C)COC(C)=O JDNLDGRWNMIHQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDHQGBWMLCBNSM-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]ethyl acetate Chemical compound COCCOCCOCCOC(C)=O SDHQGBWMLCBNSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound COC(C)COC(C)COC(C)CO WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PLLUGRGSPQYBKB-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-pentoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCCCCOCCOCCOCCO PLLUGRGSPQYBKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDNGEAUZTGLFNU-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-pentoxyethoxy)ethoxy]ethyl acetate Chemical compound CCCCCOCCOCCOCCOC(C)=O LDNGEAUZTGLFNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPIUXDISLQFSAP-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-pentoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CCCCCOC(C)COC(C)COC(C)CO RPIUXDISLQFSAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXVKGCKZJVKDAB-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-pentoxypropoxy)propoxy]propyl acetate Chemical compound CCCCCOC(C)COC(C)COC(C)COC(C)=O LXVKGCKZJVKDAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCBPVRDDYVJQHA-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-propoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCCOCCOCCOCCO KCBPVRDDYVJQHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ONPJEOPZOXVCDK-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-propoxyethoxy)ethoxy]ethyl acetate Chemical compound CCCOCCOCCOCCOC(C)=O ONPJEOPZOXVCDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GVNDORYZXGHHCM-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-propoxypropoxy)propoxy]propyl acetate Chemical compound CCCOC(C)COC(C)COC(C)COC(C)=O GVNDORYZXGHHCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JTXMVXSTHSMVQF-UHFFFAOYSA-N 2-acetyloxyethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCOC(C)=O JTXMVXSTHSMVQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOC(C)=O NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQAMFDRRWURCFQ-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-1h-imidazole Chemical compound CCC1=NC=CN1 PQAMFDRRWURCFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YIWUKEYIRIRTPP-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexan-1-ol Chemical compound CCCCC(CC)CO YIWUKEYIRIRTPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVQDALFNSIKMBH-UHFFFAOYSA-N 2-pentoxyethanol Chemical compound CCCCCOCCO QVQDALFNSIKMBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEYKMVJDLWJFOA-UHFFFAOYSA-N 2-propoxyethanol Chemical compound CCCOCCO YEYKMVJDLWJFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QMAQLCVJIYANPZ-UHFFFAOYSA-N 2-propoxyethyl acetate Chemical compound CCCOCCOC(C)=O QMAQLCVJIYANPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPAGVACEWQNVQO-UHFFFAOYSA-N 3-acetyloxybutyl acetate Chemical compound CC(=O)OC(C)CCOC(C)=O MPAGVACEWQNVQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 3-methoxy-1-butanol Chemical compound COC(C)CCO JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MFKRHJVUCZRDTF-UHFFFAOYSA-N 3-methoxy-3-methylbutan-1-ol Chemical compound COC(C)(C)CCO MFKRHJVUCZRDTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QMYGFTJCQFEDST-UHFFFAOYSA-N 3-methoxybutyl acetate Chemical compound COC(C)CCOC(C)=O QMYGFTJCQFEDST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIRDIZPKBSSVBK-UHFFFAOYSA-N 3-o-ethyl 1-o-methyl propanedioate Chemical compound CCOC(=O)CC(=O)OC LIRDIZPKBSSVBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VATRWWPJWVCZTA-UHFFFAOYSA-N 3-oxo-n-[2-(trifluoromethyl)phenyl]butanamide Chemical compound CC(=O)CC(=O)NC1=CC=CC=C1C(F)(F)F VATRWWPJWVCZTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 3-propoxypropan-1-ol Chemical compound CCCOCCCO LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PRKPGWQEKNEVEU-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-(3-triethoxysilylpropyl)pentan-2-imine Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN=C(C)CC(C)C PRKPGWQEKNEVEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIJBVCVBCQOWMM-UHFFFAOYSA-N 5-acetyloxypentyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCCCCOC(C)=O PIJBVCVBCQOWMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMFWEWMHABZQNB-UHFFFAOYSA-N 6-acetyloxyhexyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCCCCCOC(C)=O ZMFWEWMHABZQNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZCLKYGREBVARF-UHFFFAOYSA-N Acetyl tributyl citrate Chemical compound CCCCOC(=O)CC(C(=O)OCCCC)(OC(C)=O)CC(=O)OCCCC QZCLKYGREBVARF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 1
- DCXYFEDJOCDNAF-UHFFFAOYSA-N Asparagine Natural products OC(=O)C(N)CC(N)=O DCXYFEDJOCDNAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APNLEEXMEADBAD-UHFFFAOYSA-N C(CCCC)OC(COC)C Chemical compound C(CCCC)OC(COC)C APNLEEXMEADBAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRGYWHGLCQBTBJ-UHFFFAOYSA-N C(CCCC)OCC(OCC(C)OC)C Chemical compound C(CCCC)OCC(OCC(C)OC)C FRGYWHGLCQBTBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NYSFUWJAVUDRIT-UHFFFAOYSA-N CC(C)(CO)O.C(C(C)O)O Chemical compound CC(C)(CO)O.C(C(C)O)O NYSFUWJAVUDRIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N Carbamic acid Chemical group NC(O)=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229920001661 Chitosan Polymers 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- YYLLIJHXUHJATK-UHFFFAOYSA-N Cyclohexyl acetate Chemical compound CC(=O)OC1CCCCC1 YYLLIJHXUHJATK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NOTFZGFABLVTIG-UHFFFAOYSA-N Cyclohexylethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCC1CCCCC1 NOTFZGFABLVTIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NOOLISFMXDJSKH-UHFFFAOYSA-N DL-menthol Natural products CC(C)C1CCC(C)CC1O NOOLISFMXDJSKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYGXAGIECVVIOZ-UHFFFAOYSA-N Dibutyl decanedioate Chemical compound CCCCOC(=O)CCCCCCCCC(=O)OCCCC PYGXAGIECVVIOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCXYFEDJOCDNAF-REOHCLBHSA-N L-asparagine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(N)=O DCXYFEDJOCDNAF-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- ALQSHHUCVQOPAS-UHFFFAOYSA-N Pentane-1,5-diol Chemical compound OCCCCCO ALQSHHUCVQOPAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQYUMYWMJTYZTK-UHFFFAOYSA-N Phenyl glycidyl ether Chemical compound C1OC1COC1=CC=CC=C1 FQYUMYWMJTYZTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 108010039918 Polylysine Proteins 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- AWMVMTVKBNGEAK-UHFFFAOYSA-N Styrene oxide Chemical compound C1OC1C1=CC=CC=C1 AWMVMTVKBNGEAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YSMRWXYRXBRSND-UHFFFAOYSA-N TOTP Chemical compound CC1=CC=CC=C1OP(=O)(OC=1C(=CC=CC=1)C)OC1=CC=CC=C1C YSMRWXYRXBRSND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N acetaldehyde Chemical compound [14CH]([14CH3])=O IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N 0.000 description 1
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000008055 alkyl aryl sulfonates Chemical class 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- IGODOXYLBBXFDW-UHFFFAOYSA-N alpha-Terpinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC(C)(C)C1CCC(C)=CC1 IGODOXYLBBXFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZWDNVDDEDBXBMD-UHFFFAOYSA-N anthracen-9-ylmethyl n,n-diethylcarbamate Chemical compound C1=CC=C2C(COC(=O)N(CC)CC)=C(C=CC=C3)C3=CC2=C1 ZWDNVDDEDBXBMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011260 aqueous acid Substances 0.000 description 1
- 229960001230 asparagine Drugs 0.000 description 1
- 235000009582 asparagine Nutrition 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L barium(2+);oxomethanediolate Chemical compound [Ba+2].[O-][14C]([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- RUOKPLVTMFHRJE-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2,3-triamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=C1N RUOKPLVTMFHRJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019445 benzyl alcohol Nutrition 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- ZFMQKOWCDKKBIF-UHFFFAOYSA-N bis(3,5-difluorophenyl)phosphane Chemical compound FC1=CC(F)=CC(PC=2C=C(F)C=C(F)C=2)=C1 ZFMQKOWCDKKBIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HORIEOQXBKUKGQ-UHFFFAOYSA-N bis(7-methyloctyl) cyclohexane-1,2-dicarboxylate Chemical compound CC(C)CCCCCCOC(=O)C1CCCCC1C(=O)OCCCCCCC(C)C HORIEOQXBKUKGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQSLMFSQEBXZHN-UHFFFAOYSA-N bis(8-methylnonyl) butanedioate Chemical compound CC(C)CCCCCCCOC(=O)CCC(=O)OCCCCCCCC(C)C BQSLMFSQEBXZHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGTXVXDNHPWPHH-UHFFFAOYSA-N butane-1,3-diamine Chemical compound CC(N)CCN RGTXVXDNHPWPHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019437 butane-1,3-diol Nutrition 0.000 description 1
- GHWVXCQZPNWFRO-UHFFFAOYSA-N butane-2,3-diamine Chemical compound CC(N)C(C)N GHWVXCQZPNWFRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 230000009918 complex formation Effects 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 150000003997 cyclic ketones Chemical class 0.000 description 1
- FHADSMKORVFYOS-UHFFFAOYSA-N cyclooctanol Chemical compound OC1CCCCCCC1 FHADSMKORVFYOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBSHAXJPLHCYTH-UHFFFAOYSA-N cyclooctyl acetate Chemical compound CC(=O)OC1CCCCCCC1 VBSHAXJPLHCYTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCIXKGXIYUWCLL-UHFFFAOYSA-N cyclopentanol Chemical compound OC1CCCC1 XCIXKGXIYUWCLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YFPCLQKFNXUAAK-UHFFFAOYSA-N cyclopentyl acetate Chemical compound CC(=O)OC1CCCC1 YFPCLQKFNXUAAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NZZIMKJIVMHWJC-UHFFFAOYSA-N dibenzoylmethane Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)CC(=O)C1=CC=CC=C1 NZZIMKJIVMHWJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical class C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UYAAVKFHBMJOJZ-UHFFFAOYSA-N diimidazo[1,3-b:1',3'-e]pyrazine-5,10-dione Chemical compound O=C1C2=CN=CN2C(=O)C2=CN=CN12 UYAAVKFHBMJOJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- BEPAFCGSDWSTEL-UHFFFAOYSA-N dimethyl malonate Chemical compound COC(=O)CC(=O)OC BEPAFCGSDWSTEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- MIMDHDXOBDPUQW-UHFFFAOYSA-N dioctyl decanedioate Chemical compound CCCCCCCCOC(=O)CCCCCCCCC(=O)OCCCCCCCC MIMDHDXOBDPUQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 229910000514 dolomite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010459 dolomite Substances 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- DLXUKSIRMFCUAF-UHFFFAOYSA-N ethane-1,2-diol;hexane-1,2-diol Chemical compound OCCO.CCCCC(O)CO DLXUKSIRMFCUAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N ethyl acetoacetate Chemical compound CCOC(=O)CC(C)=O XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000002438 flame photometric detection Methods 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- LEQAOMBKQFMDFZ-UHFFFAOYSA-N glyoxal Chemical compound O=CC=O LEQAOMBKQFMDFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940015043 glyoxal Drugs 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diol Chemical compound OCCCCCCO XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 229910002011 hydrophilic fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical group OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKYWVDODHFEZIM-UHFFFAOYSA-N ketoprofen Chemical compound OC(=O)C(C)C1=CC=CC(C(=O)C=2C=CC=CC=2)=C1 DKYWVDODHFEZIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000001510 limonene Nutrition 0.000 description 1
- 229940087305 limonene Drugs 0.000 description 1
- 239000000391 magnesium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052919 magnesium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019792 magnesium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229940041616 menthol Drugs 0.000 description 1
- IMXBRVLCKXGWSS-UHFFFAOYSA-N methyl 2-cyclohexylacetate Chemical compound COC(=O)CC1CCCCC1 IMXBRVLCKXGWSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- VTSNJHFEYBVMHF-UHFFFAOYSA-N n'-(2-aminoethyl)ethane-1,2-diamine;4-methylpentan-2-one Chemical compound CC(C)CC(C)=O.NCCNCCN VTSNJHFEYBVMHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INJVFBCDVXYHGQ-UHFFFAOYSA-N n'-(3-triethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNCCN INJVFBCDVXYHGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N n'-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCN PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N n-Octanol Natural products CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WIBFFTLQMKKBLZ-SEYXRHQNSA-N n-butyl oleate Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(=O)OCCCC WIBFFTLQMKKBLZ-SEYXRHQNSA-N 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229930014626 natural product Natural products 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 235000019198 oils Nutrition 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFJYNSNXFXLKNS-UHFFFAOYSA-N p-menthane Chemical compound CC(C)C1CCC(C)CC1 CFJYNSNXFXLKNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N para-ethylbenzaldehyde Natural products CCC1=CC=C(C=O)C=C1 QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JGQDLMSXMOGEMC-UHFFFAOYSA-N pentane-2,4-diamine Chemical compound CC(N)CC(C)N JGQDLMSXMOGEMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UDKSLGIUCGAZTK-UHFFFAOYSA-N phenyl pentadecane-1-sulfonate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCS(=O)(=O)OC1=CC=CC=C1 UDKSLGIUCGAZTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920001308 poly(aminoacid) Polymers 0.000 description 1
- 229920001281 polyalkylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000656 polylysine Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920000166 polytrimethylene carbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920002717 polyvinylpyridine Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 239000010734 process oil Substances 0.000 description 1
- PZZICILSCNDOKK-UHFFFAOYSA-N propane-1,2,3-triamine Chemical compound NCC(N)CN PZZICILSCNDOKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OJTDGPLHRSZIAV-UHFFFAOYSA-N propane-1,2-diol Chemical compound CC(O)CO.CC(O)CO OJTDGPLHRSZIAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPJZKLBPJBMLQG-KWRJMZDGSA-N propanoyl (z,12r)-12-hydroxyoctadec-9-enoate Chemical compound CCCCCC[C@@H](O)C\C=C/CCCCCCCC(=O)OC(=O)CC BPJZKLBPJBMLQG-KWRJMZDGSA-N 0.000 description 1
- QZQLNUYDNNRPMA-UHFFFAOYSA-N propyl 2-cyclohexylacetate Chemical compound CCCOC(=O)CC1CCCCC1 QZQLNUYDNNRPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940116423 propylene glycol diacetate Drugs 0.000 description 1
- AOHJOMMDDJHIJH-UHFFFAOYSA-N propylenediamine Chemical compound CC(N)CN AOHJOMMDDJHIJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical class [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003549 soybean oil Substances 0.000 description 1
- 235000012424 soybean oil Nutrition 0.000 description 1
- 230000004936 stimulating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N tetraethylenepentamine Chemical compound NCCNCCNCCNCCN FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 description 1
- 230000009974 thixotropic effect Effects 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- STCOOQWBFONSKY-UHFFFAOYSA-N tributyl phosphate Chemical compound CCCCOP(=O)(OCCCC)OCCCC STCOOQWBFONSKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol monomethyl ether Chemical compound COCCOCCOCCO JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
- MBYLVOKEDDQJDY-UHFFFAOYSA-N tris(2-aminoethyl)amine Chemical compound NCCN(CCN)CCN MBYLVOKEDDQJDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021122 unsaturated fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- RNWHGQJWIACOKP-UHFFFAOYSA-N zinc;oxygen(2-) Chemical class [O-2].[Zn+2] RNWHGQJWIACOKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic Table
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- H—ELECTRICITY
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- H05K3/061—Etching masks
- H05K3/064—Photoresists
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Description
本発明は、パターン印刷用レジスト組成物及びそれを用いた回路パターンの製造方法に関する。
レジスト材料は、半導体、製版、プリント基板等の電極回路形成時の保護材料として使用され、家電用、工業用、車載用、航空用、宇宙用の電子部品、工業用ロボット、太陽電池等の製造には不可欠なものである。
エッチングレジスト材には、導電性層エッチング液への耐性、エッチング後のレジスト層の易剥離性等の様々の特性が要求される。
一般的に電子基板、太陽電池電極の電極形成の場合、導電層のエッチングには酸性のエッチング液を使用することが大半で、適用されるレジストは、アルカリ現像、剥離タイプのレジストである。なお、半導体、n型アモルファス光電層を有する太陽電池では、プラズマによるエッチング方法も提案されているが、マスク精度、下地のp層でダメージ等といった課題があり実用化されていない。そのため実績のあるウェットエッチングを適用することが、生産の点では実用的である。n層のウェットエッチングにはアルカリ性のエッチング液が必要である。従って、そのパターニングには耐アルカリ性のレジストが必須となる。また、工程簡略化の点では、感光性レジストの場合、露光、現像工程が煩雑となることから加熱乾燥型のパターン印刷レジストが好ましい。
しかし、アルカリエッチングによる電極パターンを形成する例としては、FPC上のスルーホールを形成する際、エッチングを防止したい部分に銅の酸化膜を形成したり(特許文献1)、銅と耐アルカリ性のある錯体を形成する化合物を塗布したりする例が開示されている程度である(特許文献2)。
一方、レジスト剤としては、耐アルカリ性のパターン印刷レジストは市販されておらず、耐酸性、アルカリ剥離性を有するレジスト種の乾燥条件を例えばポストベークするなどして調整して、ぎりぎり耐アルカリ性を確保している実情がある(特許文献3)。そこで、新たに耐アルカリ性レジストを設計する必要があった。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、皮膜の酸化、錯体形成等の煩雑な工程を経ること無く、アルカリエッチング対象の下地を簡便に保護し、エッチング工程後速やかに保護層を剥離できるパターン印刷用レジスト組成物及びそれを用いた回路パターンの製造方法を得ることを目的とする。
本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意研究を重ね、レジスト組成物の基本設計として、耐アルカリ性と酸剥離性を両立させるため、アミノ基等の塩基性官能基を有するポリマーをバインダーとして用い、そこに溶剤、充填剤、チクソトロピー性を添加することが良好な作用、効果をもたらすとの知見を得た。尚、剥離の原理は、剥離液中に含まれる酸成分と、レジスト組成物中に含まれる前記バインダー成分中の塩基性残基との間で解離度の高いイオン対を形成し、バインダーに水溶性を付与して、レジストを溶解、膨潤させて剥離するというものである。このような基本設計に加え、酸剥離性を補助する成分として、剥離時ある種のトリガーによりアミン成分を発生させる成分を添加することで、剥離制御の精度より高め得ること、またバインダー全体としてのアミン価を所定の範囲に設定しつつアミノ基含有ポリマーとして複数種を組み合わせて用いることでレジスト組成物の粘度、耐アルカリ性と酸剥離性のバランスも良好となることも想到し、これらの知見に基づき更に研究を進めた結果本発明に到達したものである。より具体的には本発明は以下のものを提供する。
すなわち上記課題を解決する本発明の第一の観点は、いずれもアミノ基を含有するが相互にアミン価が異なるアミノ基含有樹脂を少なくとも2種以上組み合わせてなり、かつその全体としてのアミン価が1.5~10.0である樹脂(A)成分、水分及び/又は光によりアミンを発生する化合物(B)成分、増粘剤(C)成分、並びに希釈剤(D)成分を含有するパターン印刷用レジスト組成物である。
また、前記第一の観点の一実施形態においては、上記(A)成分がアミノ基変性アクリル樹脂及びポリエチレンイミンなる群から選択されてなる少なくとも2種を含むものである上記パターン印刷用レジスト組成物が示される。
さらに前記第一の観点の一実施形態においては、上記(A)成分が水溶性樹脂と非水溶性樹脂とを含む上記パターン印刷用レジスト組成物がまた示される。
前記第一の観点の一実施形態においては、また、上記パターン印刷用レジスト組成物100質量部に対して、上記(A)成分の含有量が10質量部以上50質量部以下である上記パターン印刷用レジスト組成物がさらに示される。
前記第一の観点の一実施形態においては、上記(B)成分がケチミン構造を有する化合物及び光塩基発生剤からなる群から選択されてなる少なくとも1種であり、その含有量がパターン印刷レジスト組成物100質量部に対して0.1質量部以上10質量部以下である上記パターン印刷用レジスト組成物が示される。
前記第一の観点の一実施形態においては、また、上記(C)成分がフュームドシリカ、クレー、ベントナイト及びタルクからなる群から選択される少なくとも1つのものであり、(C)成分の含有量がパターン印刷用レジスト組成物100質量部に対して0.01質量部以上5質量部である上記パターン印刷レジスト組成物がさらに示される。
さらに前記第一の観点の一実施形態においては、上記(D)成分がエチレングリコールモノエチルエーテルである上記パターン印刷レジスト組成物がまた示される。
上記課題を解決する本発明の別の観点は、上記のパターン印刷用レジスト組成物を用いて、アルカリ水溶液により下地層をエッチングする工程有する回路パターンの形成方法である。
上記別の観点の一実施形態においては、上記パターン印刷用レジスト組成物を用いて、アルカリ水溶液により下地層をエッチングした後で、酸水溶液及び/又はアルコール含有水溶液を用いてレジスト剥離する工程を備える、回路パターンの形成方法がさらに示される。
上記課題を解決する本発明のさらに別の観点は、上記した回路パターン形成方法により太陽電池アモルファス層上への回路パターン形成を含む回路パターン形成工程を有する太陽電池の製造方法である。
上記課題を解決する本発明のまた別の観点は、上記した太陽電池の製造方法で製造されてなる、太陽電池である。
本発明によれば、アルカリ性エッチング液に対する耐性が高く、酸性水溶液により簡単に剥離可能で、しかも印刷で保護パターン形成可能なレジスト組成物を得ることができる。
本発明の一実施形態について説明すると以下の通りであるが、本発明はこれに限定されるものではない。
本発明に係るパターン印刷用レジスト組成物は、いずれもアミノ基を含有するが相互にアミン価が異なるアミノ基含有樹脂を少なくとも2種以上組み合わせてなり、かつその全体としてのアミン価が1.5~10.0である樹脂(A)成分、水分及び/又は光によりアミンを発生する化合物(B)成分、増粘剤(C)成分、並びに希釈剤(D)成分を含有する。
ここで、上記のような組成を有する本発明に係るパターン印刷用レジスト組成物は、耐アルカリエッチング性と酸剥離性との両立という特性を有するものである。以下に詳述するように、耐アルカリエッチング性と酸剥離性の基本性能は、樹脂(A)成分中のカチオン性の置換基(アミノ基)に依存するものである。更に、耐アルカリエッチング性を維持したまま、酸剥性の精度を向上させるため、水分及び/又はUV(紫外線)等の光をトリガーとしてアミンを発生する化合物(B)成分を添加するものである。また、パターン印刷性能である隠蔽性、チクソトロピー性を付与する目的で増粘剤(C)を添加し、希釈剤(D)成分により粘度を調整するものである。以下、各成分について順次説明する。
[アミノ基を含有する樹脂(A)成分]
本発明に係るパターン印刷用レジスト組成物においてバインダーとして配合される樹脂(A)成分は、少なくとも2種以上のアミノ基含有樹脂を組み合わせてなるものである。そして、組み合わされる2種以上のアミノ基含有樹脂は相互に異なるアミン価を有するものとされる。そして、このような複数種のアミノ基含有樹脂を組み合わせてなる樹脂(A)成分全体としてのアミン価が1.5~10.0の範囲、より好ましくは、1.6~7.0の範囲、更に好ましくは1.8~6.0の範囲とするよう組み合わせる。なお、本明細書において用語「アミン価」とは、非水系による酸滴定で測定したものであり(単位 mmol/g (固形分換算))、後述する実施例での一部記載を除き、簡略化のため、無名数として表現する。
本発明に係るパターン印刷用レジスト組成物においてバインダーとして配合される樹脂(A)成分は、少なくとも2種以上のアミノ基含有樹脂を組み合わせてなるものである。そして、組み合わされる2種以上のアミノ基含有樹脂は相互に異なるアミン価を有するものとされる。そして、このような複数種のアミノ基含有樹脂を組み合わせてなる樹脂(A)成分全体としてのアミン価が1.5~10.0の範囲、より好ましくは、1.6~7.0の範囲、更に好ましくは1.8~6.0の範囲とするよう組み合わせる。なお、本明細書において用語「アミン価」とは、非水系による酸滴定で測定したものであり(単位 mmol/g (固形分換算))、後述する実施例での一部記載を除き、簡略化のため、無名数として表現する。
樹脂(A)成分全体としてのアミン価が1.5未満では、耐酸性が高まり良好な酸剥離性が得られない虞れが生じ、一方、アミン価が10.0を越えると水溶性が強くなり過ぎ、アルカリエッチング時にレジストパターンが溶解、剥離し、下地保護性能が低下する虞れが生じる。
本発明において組み合わせて用いられる各々のアミノ基含有樹脂の有するアミン価としては、これらを複数組み合わせた場合に樹脂(A)成分全体としてのアミン価が上記所定の範囲に入るものとすることができる限り、特に限定はないが、代表的には例えば、低いところではアミン価0.5程度から、高いところではアミン価30程度までのアミン価としては比較的広範囲な種々のものを用いることが可能である。
また、樹脂(A)成分全体としてのアミン価は、組み合わせる各々のアミノ基含有樹脂の有するアミン価と、各々の配合量とを適宜調整することで、所期の範囲内に比較的容易に収めることができる。複数種のアミノ基含有樹脂を組み合わせることによって、レジスト組成物の粘度、耐アルカリ性と酸剥離性のバランスを図りやすくすることができる。このため、樹脂(A)成分全体としてのアミン価が所期の範囲内に収まることに加えて、組み合わされる各アミノ基含有樹脂のうちのそれぞれの配合量がある程度実質的な量である、例えば、2種類を組み合わせる場合において、樹脂(A)成分全体100質量部当たりに一方のアミノ基含有樹脂が少なくとも1質量部以上であるような態様であることが、上記のバランスの改善が高まるために望ましい。また、本発明に係る樹脂(A)成分を構成する上で組み合わせるアミノ基含有樹脂の種類は2種という態様に限られず、それよりも多い3種ないしはそれ以上を組み合わせるものであってももちろん構わない。このようなより多い種類を組み合わせる場合にも、少なくともそのうちの2種類は上記したような実質的な配合量であることが望まれる。
本発明に係る樹脂(A)成分を構成し得るアミノ基含有樹脂、一般的には、アミノ基を含有しかつアミン価が上記したような0.5~30、望ましくは0.6~20である樹脂としては、例えば、架橋されていない親水性の塩基性樹脂を例示することができる。このようなものとしては、特に限定されるものではないが、具体的には例えば、直鎖状ポリアルキレンアミン、分岐状ポリアルキレンアミン、ポリビニルアミン、ポリアリルアミン、ポリN-ビニルイミダゾール、ポリビニルピリジン、ポリビニルピリジンアミンオキシド、ポリジアリルアミン、ポリアミドポリアミン、ポリジメチルアミノアルキルアクリレート、ポリジメチルアミノアルキルメタクリレート、ポリジメチルアミノアルキルアクリルアミド、ポリジメチルアミノアルキルメタクリルアミド、ポリアミジン、ポリビニルグアニジン、ポリジアリルアミン、ポリアクリル酸ヒドラジン、アスパラギン酸-ヘキサメチレンジアミン重縮合物;ポリリシンのような塩基性ポリアミノ酸;キトサンなどの天然物由来の塩基性樹脂;及びこれらの重合体の共重合体などを挙げることができる。好ましくは、塩基性樹脂がアミノ基含有塩基性樹脂であり、より好ましくは該塩基性樹脂が、その塩基性基の90~100モル%が未中和(フリー)の塩基の形で存在する、ポリエチレンイミン、ポリアリルアミン、ポリビニルアミン、ポリジアリルアミン、ポリジアリルジメチルアミンからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、最も好ましくはポリエチレンイミン、ポリアリルアミン、ポリビニルアミンより選ばれる少なくとも1種である。また本発明において、架橋前の塩基性樹脂の平均分子量は約1,000~10,000,000の範囲であることが好ましい。
また、本発明において樹脂(A)成分を構成する上で、組み合わせて用いられるアミノ基含有樹脂としては、水溶性樹脂と非水溶性樹脂とを組み合わせる態様が好ましいものとして挙げられる。水溶性樹脂と非水溶性樹脂とを組みあわせることにより、耐アルカリ性と酸剥離性との双方の特性が良好となる。水溶性アミノ基含有樹脂としては、上記したようなものが挙げられ、一方非水溶性アミノ基含有樹脂としては、特に限定されるものではないが、具体的には例えば、ポリエチレンイミンを側鎖にグラフトした1級アミノ基含有アクリル系ポリマー挙げられる(カルボキシル基を有するアクリル系ポリマーに、ポリエチレンイミンを反応させたグフトポリマー)等が挙げられる。
(A)成分の添加量は、パターン印刷用レジスト組成物100質量部に対して、10質量部以上50質量部以下が好ましく、耐アルカリ性と酸剥離性、印刷粘度の観点で20質量部以上40質量部以下がより好ましい。
[水分及び/又は光によりアミンを発生する化合物(B)]
本発明において用いられる、水分及び/又は光によりアミンを発生する化合物(B)としては、水分及び/又は紫外線(UV)等の光のない状態では安定ではあるが、これらに曝露されることが引き金(トリガー)となってアミンを発生するものであれば、いずれも使用可能である。
本発明において用いられる、水分及び/又は光によりアミンを発生する化合物(B)としては、水分及び/又は紫外線(UV)等の光のない状態では安定ではあるが、これらに曝露されることが引き金(トリガー)となってアミンを発生するものであれば、いずれも使用可能である。
<ケチミン化合物(B-1)>
水分によりアミンを発生する化合物としてはケミチン化合物が好ましく挙げられる。本発明のパターン印刷用レジスト組成物に用いるケチミン化合物(B-1)としては、特に限定されず、各種のものを用いることができ、例えば、公知のアミン化合物と公知のカルボニル化合物との縮合反応により得ることができる。このようなケチミン化合物は、水分のない状態では安定に存在し、水分によって一級アミンとケトンに分解され、生じた一級アミンが有機酸触媒との相乗効果により架橋性シリル基の加水分解縮合反応を促進させる効果を有する。
水分によりアミンを発生する化合物としてはケミチン化合物が好ましく挙げられる。本発明のパターン印刷用レジスト組成物に用いるケチミン化合物(B-1)としては、特に限定されず、各種のものを用いることができ、例えば、公知のアミン化合物と公知のカルボニル化合物との縮合反応により得ることができる。このようなケチミン化合物は、水分のない状態では安定に存在し、水分によって一級アミンとケトンに分解され、生じた一級アミンが有機酸触媒との相乗効果により架橋性シリル基の加水分解縮合反応を促進させる効果を有する。
ケチミン化合物(B-1)としては、例えば、特開平7-242737号公報などに挙げられているケチミン等を用いることが可能である。例えばアミン化合物としては、具体的には例えば、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、1,3-ジアミノブタン、2,3-ジアミノブタン、ペンタメチレンジアミン、2,4-ジアミノペンタン、ヘキサメチレンジアミン、p-フェニレンジアミン、p,p′-ビフェニレンジアミンなどのジアミン;1,2,3-トリアミノプロパン、トリアミノベンゼン、トリス(2-アミノエチル)アミン、テトラ(アミノメチル)メタンなどの多価アミン;ジエチレントリアミン、トリエチレントリアミン、テトラエチレンペンタミンなどのポリアルキレンポリアミン;ポリオキシアルキレン系ポリアミン;γ-アミノプロピルトリエトキシシラン、γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、γ-アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ-アミノプロピルメチルジエトキシシラン、N-(β-アミノエチル)-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-(β-アミノエチル)-γ-アミノプロピルトリエトキシシラン、N-(β-アミノエチル)-γ-アミノプロピルメチルジメトキシシランなどのアミノシランなどが使用され得る。また、カルボニル化合物としては、具体的には例えば、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、n-ブチルアルデヒド、イソブチルアルデヒド、ジエチルアセトアルデヒド、グリオキサール、ベンズアルデヒド等のアルデヒド類;シクロペンタノン、トリメチルシクロペンタノン、シクロヘキサノン、トリメチルシクロヘキサノン等の環状ケトン類;アセトン、メチルエチルケトン、メチルプロピルケトン、メチルイソプロピルケトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルケトン、ジプロピルケトン、ジイソプロピルケトン、ジブチルケトン、ジイソブチルケトン等の脂肪族ケトン類;アセチルアセトン、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、マロン酸ジメチル、マロン酸ジエチル、マロン酸メチルエチル、ジベンゾイルイルメタン等のβ-ジカルボニル化合物などが使用され得る。
ケチミン中にイミノ基が存在する場合には、イミノ基をスチレンオキサイド;ブチルグリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテルなどのグリシジルエーテル;グリシジルエステルなどと反応させてもよい。
これらのアミン成分としてシランカップリング剤を使用することもできる。具体例としては、例えば、γ-アミノプロピルトリエトキシシラン、γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、γ-アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ-アミノプロピルメチルジエトキシシランのアミノシランとメチルエチルケトン、メチルプロピルケトン、メチルイソプロピルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類との反応によって得られるケチミン化合物が挙げられる。更に、入手が容易である点から、γ-アミノプロピルトリエトキシシランとメチルイソブチルケトンの反応によって得られるN-(1,3-ジメチルブチリデン)-3-(トリエトキシシリル)-1-プロパンアミン(例えば、サイラエースS340、チッソ社製)が挙げられる。
中でも1,2-エチレンビス(イソペンチリデンイミン)、1,2-ヘキシレンビス(イソペンチリデンイミン)、1,2-プロピレンビス(イソペンチリデンイミン)、p,p′-ビフェニレンビス(イソペンチリデンイミン)、1,2-エチレンビス(イソプロピリデンイミン)、1,3-プロピレンビス(イソプロピリデンイミン)、p-フェニレンビス(イソペンチリデンイミン)、(ジエチレントリアミンメチルイソブチルケトン重縮合物)フェニルグリシジルエーテルが樹脂成分(A)との相溶性、アミン価のバランスの点で好ましい。
これらのケチミン化合物は、単独で用いてもよく、二種類以上を併用して用いてもよい。ケチミン化合物の添加量は特に制限はないが、硬化性と貯蔵安定性の点から、パターン印刷用レジスト組成物100質量部に対して、0.1質量部以上10質量部以下が好ましく、0.5質量部以上6質量部以下がより好ましい。
<光塩基発生剤(B-2)>
光(UV)照射によりアミンを発生する化合物としては、光塩基発生剤が好ましく挙げられる。
光(UV)照射によりアミンを発生する化合物としては、光塩基発生剤が好ましく挙げられる。
光塩基発生剤は、特に限定されず、例えば、紫外線等の光照射により、ビグアニジウム、イミダゾール、ピリジン、ジアミン及びこれらの誘導体を発生する化合物等が挙げられる。中でも、イミダゾール、ビグアニジウムを発生する化合物が好ましい。光塩基発生剤の具体例としては、特に限定されるものではないが、具体的には例えば、9-アンスリルメチル-N,N-ジエチルカルバメート、(E)-1-[3-(2-ヒドロキシフェニル)-2-プロペノイル]ピペリジン、1-(アニソラキノン-2-イル)エチル イミダゾールカルボキシレート、2-ニトロフェニルメチル 4-メタクリロイルオキシピペリジン-1-カルボキシレート、1,2-ジイソプロピル-3-[ビス(ジメチルアミノ)メチレン]グアニジウム 2-(3-ベンゾイルフェニル)プロピオネート、1,2-ジシクロヘキシル-4,4,5,5-テトラメチルビグアニジウム n-ブチルトリフェニルボレート等が挙げられる。これらの光塩基発生剤は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を組み合わせて使用してもよい。
添加量としては、パターン印刷用レジスト組成物100質量部に対して、0.1質量部以上10質量部以下が好ましく、0.5質量部以上6質量部以下がより好ましい。
[増粘剤(C)]
増粘剤は、パターン印刷用レジストにチクソトロピー性を付与するという観点で必須成分である。増粘剤としては、レジスト組成物中に一般的に配合され得るものであれば特に制限はなく、例えば、炭酸バリウム、炭酸カルシウム、マイカ、フュームドシリカ、タルク、クレー、ベントナイト、硫酸バリウム、アミドワックス、ポリビニルピロリドン、アクリルポリマー、ポリオレフィンワックス、ウレア誘導体、ノニオン系疎水変性ポリマー、ひまし油誘導体、アルキルアリルスルフォン酸塩、アルキルアンモニウム塩、ポリエチレン線状ファイバー等が挙げられる。ここで上記に例示するような増粘剤が粉体の形状を呈する場合には、特に限定されるわけではないが、その一次粒径が1μm未満のものである、いわゆるナノ粒子、代表的には20nm~<1000nm程度のものである、より好ましくは、50nm~500nm程度のものであることが、チクソトロピー性を付与するという増粘剤としての機能面から望まれる。また、上記に例示した増粘剤のうち、チクソトロピー性付与とレジスト組成物中の分散性のバランス及び耐アルカリ性の点で、炭酸カルシウム、マイカ、フュームドシリカ、タルク、クレー、ベントナイト、硫酸バリウム、アミドワックス、ポリビニルピロリドン、ポリオレフィンワックス、酸化ポリオレフィン、ウレア誘導体、ノニオン系疎水変性ポリマー、ひまし油誘導体、アルキルアリルスルフォン酸塩、アルキルアンモニウム塩、ポリエチレン線状ファイバー等が好ましい。パターン印刷用レジスト組成物へ少量でチクソトロピー性付与ができる点でフュームドシリカ、タルク、クレー、ベントナイトがより好ましい。フュームドシリカは、乾式法で作製されるものであって、増粘剤の密度を制御できる点でより好ましい。
増粘剤は、パターン印刷用レジストにチクソトロピー性を付与するという観点で必須成分である。増粘剤としては、レジスト組成物中に一般的に配合され得るものであれば特に制限はなく、例えば、炭酸バリウム、炭酸カルシウム、マイカ、フュームドシリカ、タルク、クレー、ベントナイト、硫酸バリウム、アミドワックス、ポリビニルピロリドン、アクリルポリマー、ポリオレフィンワックス、ウレア誘導体、ノニオン系疎水変性ポリマー、ひまし油誘導体、アルキルアリルスルフォン酸塩、アルキルアンモニウム塩、ポリエチレン線状ファイバー等が挙げられる。ここで上記に例示するような増粘剤が粉体の形状を呈する場合には、特に限定されるわけではないが、その一次粒径が1μm未満のものである、いわゆるナノ粒子、代表的には20nm~<1000nm程度のものである、より好ましくは、50nm~500nm程度のものであることが、チクソトロピー性を付与するという増粘剤としての機能面から望まれる。また、上記に例示した増粘剤のうち、チクソトロピー性付与とレジスト組成物中の分散性のバランス及び耐アルカリ性の点で、炭酸カルシウム、マイカ、フュームドシリカ、タルク、クレー、ベントナイト、硫酸バリウム、アミドワックス、ポリビニルピロリドン、ポリオレフィンワックス、酸化ポリオレフィン、ウレア誘導体、ノニオン系疎水変性ポリマー、ひまし油誘導体、アルキルアリルスルフォン酸塩、アルキルアンモニウム塩、ポリエチレン線状ファイバー等が好ましい。パターン印刷用レジスト組成物へ少量でチクソトロピー性付与ができる点でフュームドシリカ、タルク、クレー、ベントナイトがより好ましい。フュームドシリカは、乾式法で作製されるものであって、増粘剤の密度を制御できる点でより好ましい。
添加量としては、パターン印刷用レジスト組成物100質量部に対して0.01質量部以上5質量部以下が好ましく、0.1質量部以上2質量部以下がより好ましい。
[希釈剤(D)成分]
希釈としては、(A)成分、(B)成分への溶解性、(C)成分の分散性が良好であり、印刷時に過度に乾燥することなく、加熱により迅速に乾燥し、レジストパターン中に気泡等に欠損を生じないものであれば特に限定はない。
希釈としては、(A)成分、(B)成分への溶解性、(C)成分の分散性が良好であり、印刷時に過度に乾燥することなく、加熱により迅速に乾燥し、レジストパターン中に気泡等に欠損を生じないものであれば特に限定はない。
具体的には、例えば、シクロアルキルアルコール、シクロアルキルアセテート、アルキレングリコール、アルキレングリコールジアセテート、アルキレングリコールモノエーテル、アルキレングリコールジアルキルエーテル、アルキレングリコールモノエーテルアセテート、ジアルキレングリコールモノエーテル、ジアルキレングリコールジアルキルエーテル、ジアルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、トリアルキレングリコールモノエーテル、トリアルキレングリコールモノエーテルアセテート、3-メトキシブタノール、3-メトキシブタノールアセテート、テトラヒドロフルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコールアセテート、テルペン系化合物とその誘導体等を挙げることができる。
シクロアルキルアルコールとしては、例えば、シクロペンタノール、シクロヘキサノール、シクロオクチルアルコール、メチルシクロヘキシルアルコール、エチルシクロヘキシルアルコール、プロピルシクロヘキシルアルコール、i-プロピルシクロヘキシルアルコール、ブチルシクロヘキシルアルコール、i-ブチルシクロヘキシルアルコール、s-ブチルシクロヘキシルアルコール、t-ブチルシクロヘキシルアルコール、ペンチルシクロヘキシルアルコール等のC1~5アルキル基等の置換基を有していてもよい3員~15員のシクロアルキルアルコール等を挙げることができる。
シクロアルキルアセテートとしては、例えば、シクロヘキシルアセテート、シクロペンチルアセテート、シクロオクチルアセテート、メチルシクロヘキシルアセテート、エチルシクロヘキシルアセテート、プロピルシクロヘキシルアセテート、i-プロピルシクロヘキシルアセテート、ブチルシクロヘキシルアセテート、i-ブチルシクロヘキシルアセテート、s-ブチルシクロヘキシルアセテート、t-ブチルシクロヘキシルアセテート、ペンチルシクロヘキシルアセテート等のC1~5アルキル基等の置換基を有していてもよい3員~15員のシクロアルキルアセテート等を挙げることができる。
アルキレングリコールとしては、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、1,3-プロパンジオール、1,3-ブチレングリコール、1,4-ブタンジオール、1,5-ペンタンジオール、1,6-ヘキサンジオール等を挙げることができる。
アルキレングリコールジアセテートとしては、例えば、エチレングリコールジアセテート、プロピレングリコールジアセテート、1,3-プロパンジオールジアセテート、1,3-ブチレングリコールジアセテート、1,4-ブタンジオールジアセテート、1,5-ペンタンジオールジアセテート、1,6-ヘキサンジオールジアセテート等を挙げることができる。
アルキレングリコールモノエーテルとしては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノペンチルエーテル等のエチレングリコールモノC1~5アルキルエーテル;プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノペンチルエーテル等のプロピレングリコールモノC1~5アルキルエーテル等を挙げることができる。
アルキレングリコールジアルキルエーテルとしては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジプロピルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、エチレングリコールジペンチルエーテル等のエチレングリコールC1~5アルキル(直鎖又は分岐鎖)C1~5アルキル(直鎖又は分岐鎖)エーテル(末端アルキル基対称);エチレングリコールエチルメチルエーテル、エチレングリコールメチルプロピルエーテル、エチレングリコールブチルメチルエーテル、エチレングリコールメチルペンチルエーテル、エチレングリコールエチルプロピルエーテル、エチレングリコールブチルエチルエーテル、エチレングリコールエチルペンチルエーテル、エチレングリコールブチルプロピルエーテル、エチレングリコールプロピルペンチルエーテル、エチレングリコールブチルペンチルエーテル等のエチレングリコールC1~5アルキル(直鎖又は分岐鎖)C1~5アルキル(直鎖又は分岐鎖)エーテル(末端アルキル基非対称);プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジプロピルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールジペンチルエーテル等のプロピレングリコールC1~5アルキル(直鎖又は分岐鎖)C1~5アルキル(直鎖又は分岐鎖)エーテル(末端アルキル基対称);プロピレングリコールエチルメチルエーテル、プロピレングリコールメチルプロピルエーテル、プロピレングリコールブチルメチルエーテル、プロピレングリコールメチルペンチルエーテル、プロピレングリコールエチルプロピルエーテル、プロピレングリコールブチルエチルエーテル、プロピレングリコールエチルペンチルエーテル、プロピレングリコールブチルプロピルエーテル、プロピレングリコールプロピルペンチルエーテル、プロピレングリコールブチルペンチルエーテル等のプロピレングリコールC1~5アルキル(直鎖又は分岐鎖)C1~5アルキル(直鎖又は分岐鎖)エーテル(末端アルキル基非対称)等を挙げることができる。
アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテートとしては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノペンチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノC1~5アルキルエーテルアセテート;プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノペンチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノC1~5アルキルエーテルアセテート等を挙げることができる(異性体を含む)。
ジアルキレングリコールモノエーテルとしては、例えば、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノペンチルエーテル等のジエチレングリコールモノC1~5アルキルエーテル;ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノペンチルエーテル等のジプロピレングリコールモノC1~5アルキルエーテル等を挙げることができる(異性体を含む)。
ジアルキレングリコールジアルキルエーテルとしては、例えば、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジペンチルエーテル等のジエチレングリコールC1~5アルキル(直鎖又は分岐鎖)C1~5アルキル(直鎖又は分岐鎖)エーテル(末端アルキル基対称);ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルプロピルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルペンチルエーテル、ジエチレングリコールエチルプロピルエーテル、ジエチレングリコールブチルエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルペンチルエーテル、ジエチレングリコールブチルプロピルエーテル、ジエチレングリコールプロピルペンチルエーテル、ジエチレングリコールブチルペンチルエーテル等のジエチレングリコールC1~5アルキル(直鎖又は分岐鎖)C1~5アルキルエーテル(直鎖又は分岐鎖)(末端アルキル基非対称);ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジプロピルエーテル、ジプロピレングリコールジブチルエーテル、ジプロピレングリコールジペンチルエーテル等のジプロピレングリコールC1~5アルキル(直鎖又は分岐鎖)C1~5アルキル(直鎖又は分岐鎖)エーテル(末端アルキル基対称);ジプロピレングリコールエチルメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルプロピルエーテル、ジプロピレングリコールブチルメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルペンチルエーテル、ジプロピレングリコールエチルプロピルエーテル、プロピレングリコールブチルエチルエーテル、ジプロピレングリコールエチルペンチルエーテル、ジプロピレングリコールブチルプロピルエーテル、ジプロピレングリコールブチルプロピルエーテル、ジプロピレングリコールプロピルペンチルエーテルなどのジプロピレングリコールC1~5アルキル(直鎖又は分岐鎖)C1~5アルキル(直鎖又は分岐鎖)エーテル(末端アルキル基非対称)等を挙げることができる(異性体を含む)。
ジアルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテートとしては、例えば、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノペンチルエーテルアセテート等のジエチレングリコールモノC1~5アルキルエーテルアセテート;ジプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノペンチルエーテルアセテート等のジプロピレングリコールモノC1~5アルキルエーテルアセテート等を挙げることができる(異性体を含む)。
トリアルキレングリコールモノエーテルとしては、例えば、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノプロピルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノペンチルエーテル等のトリエチレングリコールモノC1~5アルキルエーテル;トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノプロピルエーテル、トリプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノペンチルエーテル等のトリプロピレングリコールモノC1~5アルキルエーテル等を挙げることができる(異性体を含む)。
トリアルキレングリコールモノエーテルアセテートとしては、例えば、トリエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、トリエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールモノペンチルエーテルアセテート等のトリエチレングリコールモノC1~5アルキルエーテルアセテート;トリプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールモノペンチルエーテルアセテート等のトリプロピレングリコールモノC1~5アルキルエーテルアセテート等を挙げることができる(異性体を含む)。
テルペン系化合物とその誘導体としては、例えば、ターピネオール、ターピネオールアセテート、ジヒドロターピネオール、ジヒドロターピニルアセテート、ジヒドロターピニルプロピオネート、リモネン、メンタン、メントール等を挙げることができる。
中でも、バインダー溶解性、増粘剤の分散性、適度な揮発性、粘度制御の点でエチレングリコールモノアルキルエーテル類が好ましい。また、溶剤(D)成分の添加量としては、パターン印刷用レジスト組成物100質量部に対して1質量部以上100質量部以下が好ましく、5質量部以上80質量部以下がより好ましい。
<レベリング剤>
パターン印刷用レジスト組成物には、硬化した際の表面凹凸の調整のために、レベリング剤が添加されても構わない。
パターン印刷用レジスト組成物には、硬化した際の表面凹凸の調整のために、レベリング剤が添加されても構わない。
一般的に、フッ素系、シリコーン系、アクリル系、エーテル系、又はエステル系のレベリング材が挙げられ、本発明に係るパターン印刷用レジスト組成物には、これらの何れのレベリング剤も使用できる。
<消泡剤>
パターン印刷用レジスト組成物には、スクリーン印刷等で発生する気泡の発生を防止ずる目的で、消泡剤が添加されてもよい。好ましい例としては、アクリル系、シリコン系フッ素系の消泡剤が挙げられる。
パターン印刷用レジスト組成物には、スクリーン印刷等で発生する気泡の発生を防止ずる目的で、消泡剤が添加されてもよい。好ましい例としては、アクリル系、シリコン系フッ素系の消泡剤が挙げられる。
<接着性付与剤>
パターン印刷用レジスト組成物には、基材への接着性を向上させるために、接着性付与剤が添加されても構わない。
パターン印刷用レジスト組成物には、基材への接着性を向上させるために、接着性付与剤が添加されても構わない。
接着性付与剤としては、架橋性シリル基含有化合物、極性基を有するビニル系単量体が好ましく、更にはシランカップリング剤、酸性基含有ビニル系単量体が好ましい。
シランカップリング剤としては、例えば、分子中にエポキシ基、イソシアネート基、イソシアヌレート基、カルバメート基、アミノ基、メルカプト基、カルボキシル基、ハロゲン基、(メタ)アクリル基等の、炭素原子及び水素原子以外の原子を有する官能基と、架橋性シリル基を併せ持つシランカップリング剤を用いることができる。
<充填剤>
パターン印刷用レジスト組成物には、一定の強度を担保するために、充填剤が添加されても構わない。ここで充填剤としては、特に限定されるわけではないが、その一次粒径が1μm以上のものである、代表的には1μm~50μm程度のものである、より好ましくは、5μm~20μm程度のものであることが、レジストに強度を付与するという増粘剤としての機能面から望まれる。
パターン印刷用レジスト組成物には、一定の強度を担保するために、充填剤が添加されても構わない。ここで充填剤としては、特に限定されるわけではないが、その一次粒径が1μm以上のものである、代表的には1μm~50μm程度のものである、より好ましくは、5μm~20μm程度のものであることが、レジストに強度を付与するという増粘剤としての機能面から望まれる。
充填材としては、特に限定されないが、結晶性シリカ、溶融シリカ、ドロマイト、カーボンブラック、酸化チタン等が、少量で充填率改善できる観点から、好ましい。特に、これら充填材で強度の高い硬化物を得たい場合には、主に結晶性シリカ、溶融シリカ、無水ケイ酸、含水ケイ酸、カーボンブラック、表面処理微細炭酸カルシウム又は、活性亜鉛華等から選ばれる充填材が好ましい。
<可塑剤>
パターン印刷用レジスト組成物には、粘度、スランプ性、又は、硬化した場合の硬度、引張り強度、若しくは伸び等機械特性の調整のために、可塑剤が添加されても構わない。
パターン印刷用レジスト組成物には、粘度、スランプ性、又は、硬化した場合の硬度、引張り強度、若しくは伸び等機械特性の調整のために、可塑剤が添加されても構わない。
可塑剤としては、例えば、ジブチルフタレート、ジイソノニルフタレート(DINP)、ジヘプチルフタレート、ジ(2-エチルヘキシル)フタレート、ジイソデシルフタレート(DIDP)、ブチルベンジルフタレート等のフタル酸エステル化合物;
ビス(2-エチルヘキシル)-1,4-ベンゼンジカルボキシレート(例えば、EASTMAN168(EASTMAN CHEMICAL製))等のテレフタル酸エステル化合物;
1,2-シクロヘキサンジカルボン酸ジイソノニルエステル(例えば、Hexamoll DINCH(BASF製))等の非フタル酸エステル化合物;
アジピン酸ジオクチル、セバシン酸ジオクチル、セバシン酸ジブチル、コハク酸ジイソデシル、アセチルクエン酸トリブチル等の脂肪族多価カルボン酸エステル化合物;
オレイン酸ブチル、アセチルリシノール酸メチル等の不飽和脂肪酸エステル化合物;
アルキルスルホン酸フェニルエステル(例えば、Mesamoll(LANXESS製));
トリクレジルホスフェート、トリブチルホスフェート等のリン酸エステル化合物;
トリメリット酸エステル化合物;
塩素化パラフィン;
アルキルジフェニル、部分水添ターフェニル等の炭化水素系油;
プロセスオイル;
エポキシ化大豆油、エポキシステアリン酸ベンジル等のエポキシ可塑剤;
等が挙げられる。
ビス(2-エチルヘキシル)-1,4-ベンゼンジカルボキシレート(例えば、EASTMAN168(EASTMAN CHEMICAL製))等のテレフタル酸エステル化合物;
1,2-シクロヘキサンジカルボン酸ジイソノニルエステル(例えば、Hexamoll DINCH(BASF製))等の非フタル酸エステル化合物;
アジピン酸ジオクチル、セバシン酸ジオクチル、セバシン酸ジブチル、コハク酸ジイソデシル、アセチルクエン酸トリブチル等の脂肪族多価カルボン酸エステル化合物;
オレイン酸ブチル、アセチルリシノール酸メチル等の不飽和脂肪酸エステル化合物;
アルキルスルホン酸フェニルエステル(例えば、Mesamoll(LANXESS製));
トリクレジルホスフェート、トリブチルホスフェート等のリン酸エステル化合物;
トリメリット酸エステル化合物;
塩素化パラフィン;
アルキルジフェニル、部分水添ターフェニル等の炭化水素系油;
プロセスオイル;
エポキシ化大豆油、エポキシステアリン酸ベンジル等のエポキシ可塑剤;
等が挙げられる。
[パターン印刷用レジスト組成物の製造方法]
パターン印刷レジスト組成物は、アミノ基を含有する樹脂であってアミン価1.5~4.0である樹脂(A)、水分、光によりアミンを発生する化合物(B)、増粘剤(C)成分、希釈剤(D)成分の順に混合、攪拌して製造される。その際、(C)成分を添加後、十分に攪拌、混練することで、チクソトロピー性が付与されたパターン印刷用レジスト組成物を効果的に得ることが出来る。また、(B)成分は水分混入の影響を受けるので、系中の水分を考慮して、設計よりも少し多めに添加する態様を採ることが望ましい。
混錬に使用する装置としては、三本ロール、プラネタリーミキサー、遊星式攪拌脱泡装置等の攪拌脱泡装置が挙げられる。なお、装置は複数種を組み合わせて使用することが出来る。
なお、混錬する場合、混錬時の発熱により、溶剤成分が揮発しないように留意すべきである。混錬時の温度は、安定性と(C)成分と追加で添加する充填剤の混錬とのバランスの観点から、0℃以上80℃以下であることが好ましく、5℃以上60℃以下であることがより好ましく、10℃以上50℃以下であることが更に好ましい。
また、(A)成分、(B)成分、(C)成分が予め混合されたパターン印刷レジスト組成物に(D)成分を混合、混練して本発明に係るパターン印刷レジスト組成物を得ることも可能である。その際混練方法は上記と同様の方法である。
[パターン印刷用レジスト組成物の特性]
本発明に係るパターン印刷用レジスト組成物は、上述したように、例えば、電極フィルム、電極基盤又は太陽電池といった装置の導電層のエッチング、パターニングに使用され得る。例えば、FPDであれば、ITO(Indium Tin Oxide)フィルム、ポリイミド製のFPC(Flexible Printed Circuits)の回路形成(エッチング)用に使用されたりする。また、太陽電池であれば、本発明に係るパターン印刷用レジスト組成物は、シリコン基板上の集電極の下の光電子発生・移動層、特に、裏面電極型太陽電池では、シリコン基板の一方の主面のみに、アモルファス層パターンを形成するのに使用され得る。
本発明に係るパターン印刷用レジスト組成物は、上述したように、例えば、電極フィルム、電極基盤又は太陽電池といった装置の導電層のエッチング、パターニングに使用され得る。例えば、FPDであれば、ITO(Indium Tin Oxide)フィルム、ポリイミド製のFPC(Flexible Printed Circuits)の回路形成(エッチング)用に使用されたりする。また、太陽電池であれば、本発明に係るパターン印刷用レジスト組成物は、シリコン基板上の集電極の下の光電子発生・移動層、特に、裏面電極型太陽電池では、シリコン基板の一方の主面のみに、アモルファス層パターンを形成するのに使用され得る。
[回路パターンの製造方法]
本発明に係る回路のパターン製造方法は、本発明に係るパターン印刷用レジスト組成物を用いてアモルファスシリコン層上に形成したレジストパターンをマスクとして、アルカリ水溶液によりアモルファスシリコン層をエッチングする工程を含む。上記回路パターンの製造方法は、更に、アルカリ水溶液によって前記アモルファスシリコン層をエッチングした後、塩酸、硫酸、硝酸等の酸水溶液及び/又は引火点を生じないアルコール含有水溶液を用いて前記レジストを剥離する工程を含んでもよい。前記アルカリ水溶液のpHは、8.0~13.0でよく、8.5~12.0でもよい。前記酸水溶液のpHは、0.1~5.0でよく、0.3~4.0でもよい。前記アルコール含有水溶液中のアルコールとしては、例えば、イソプロパノール、n-ブタノール、2-ブタノール、イソブタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、n-オクタノール、2-エチル-ヘキシルアルコール、n-デカノール、1-(2-メトキシ-2-メトキシエトキシ)-2-プロパノール、3-メトキシ-3-メチルブタノール、1-メトキシ-2-プロパノール、1-エトキシ-2-プロパノール、ベンジルアルコール等が挙げられる。
本発明に係る回路のパターン製造方法は、本発明に係るパターン印刷用レジスト組成物を用いてアモルファスシリコン層上に形成したレジストパターンをマスクとして、アルカリ水溶液によりアモルファスシリコン層をエッチングする工程を含む。上記回路パターンの製造方法は、更に、アルカリ水溶液によって前記アモルファスシリコン層をエッチングした後、塩酸、硫酸、硝酸等の酸水溶液及び/又は引火点を生じないアルコール含有水溶液を用いて前記レジストを剥離する工程を含んでもよい。前記アルカリ水溶液のpHは、8.0~13.0でよく、8.5~12.0でもよい。前記酸水溶液のpHは、0.1~5.0でよく、0.3~4.0でもよい。前記アルコール含有水溶液中のアルコールとしては、例えば、イソプロパノール、n-ブタノール、2-ブタノール、イソブタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、n-オクタノール、2-エチル-ヘキシルアルコール、n-デカノール、1-(2-メトキシ-2-メトキシエトキシ)-2-プロパノール、3-メトキシ-3-メチルブタノール、1-メトキシ-2-プロパノール、1-エトキシ-2-プロパノール、ベンジルアルコール等が挙げられる。
本発明に係るパターン印刷用レジスト組成物は、印刷によりレジストパターンの形成が可能であるため、スクリーン印刷等の印刷を用いて、下地層上に、良好なレジストパターンを容易に形成することができる。また、本発明に係るパターン印刷用レジスト組成物は、アルカリ系エッチング液に対する耐性が高いため、アルカリ水溶液により前記アモルファスシリコン層をエッチングする際に、良好なレジストパターンが維持されやすく、所望の回路パターンを精度よく得ることがより容易である。更に、本発明に係るパターン印刷用レジスト組成物は、弱酸水溶液により易剥離可能であるため、得られた回路パターン上に残渣が残りにくく、電極性能等の電気的性能が高い電子基板、太陽電池電極等を得やすい。
[太陽電池]
本発明に係る太陽電池は、本発明に係るパターン印刷用レジスト組成物又は本発明に係る回路パターンの製造方法を用いて得られる回路パターンを備える。上述の通り、この回路パターン上には残渣が残りにくいため、この回路パターンからは電極性能が高い太陽電池電極を得やすい。その結果、本発明に係る太陽電池は、高い変換効率を発揮しやすい。
本発明に係る太陽電池は、本発明に係るパターン印刷用レジスト組成物又は本発明に係る回路パターンの製造方法を用いて得られる回路パターンを備える。上述の通り、この回路パターン上には残渣が残りにくいため、この回路パターンからは電極性能が高い太陽電池電極を得やすい。その結果、本発明に係る太陽電池は、高い変換効率を発揮しやすい。
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
以上述べたように本発明に係るパターン印刷用レジスト組成物は、「いずれもアミノ基を含有するが相互にアミン価が異なるアミノ基含有樹脂を少なくとも2種以上組み合わせてなり、かつその全体としてのアミン価が1.5~10.0である樹脂(A)、水分及び/又は光によりアミンを発生する化合物(B)成分、増粘剤(C)成分、並びに希釈剤(D)成分を含有するパターン印刷用レジスト組成物」であって、本願明細書における上述の説明及び以下の実施例において述べる各特性は、以下の測定方法によって、それぞれ分析することができる。
<アミン価>
上述したように、アミン価は、非水系による酸滴定で測定する。より詳細には、ASTM D2074に記載の方法に準拠し、以下の手順により測定される。
(1) 試料0.5~2gを精秤する。
(2) 中性エタノール30mlの試料を溶解する。
(3) 0.2mol/lのエタノール性塩酸溶液で滴定する。
滴定量と下記式を用いてアミン価を算出する。
アミン価=(滴定量×滴定液の力価×0.2×56.108)/サンプル質量
上述したように、アミン価は、非水系による酸滴定で測定する。より詳細には、ASTM D2074に記載の方法に準拠し、以下の手順により測定される。
(1) 試料0.5~2gを精秤する。
(2) 中性エタノール30mlの試料を溶解する。
(3) 0.2mol/lのエタノール性塩酸溶液で滴定する。
滴定量と下記式を用いてアミン価を算出する。
アミン価=(滴定量×滴定液の力価×0.2×56.108)/サンプル質量
<パターン印刷用レジスト組成物の性能評価>
以下の方法によって、本発明のパターン印刷用レジスト組成物の性能を評価する。
以下の方法によって、本発明のパターン印刷用レジスト組成物の性能を評価する。
(粘度)
粘度はJISZ8803に記載のB型粘度計を用いて測定する。特に本発明に係る導電性ペースト組成物は高粘度であることから、HBタイプ(英弘精機製)で測定できる。ローターとしてプリンドルSC4-14を用いて23±1℃範囲で測定を行った粘度を、本明細書で規定する粘度とする。
粘度はJISZ8803に記載のB型粘度計を用いて測定する。特に本発明に係る導電性ペースト組成物は高粘度であることから、HBタイプ(英弘精機製)で測定できる。ローターとしてプリンドルSC4-14を用いて23±1℃範囲で測定を行った粘度を、本明細書で規定する粘度とする。
(印刷性)
L/S=750/250μm、乳剤厚=20μmのスクリーン印刷版、スクリーン印刷機を用いてスキージ圧=0.20MPa、速度=100mm/分でアモルファス層を製膜したシリコンウェハー上にパターン印刷し、設計値に対するパターン幅の広がり、高さ及び(D)成分に溶解した(A)成分によるレジストパターン端部よりの染み出し幅を測定、評価する。
L/S=750/250μm、乳剤厚=20μmのスクリーン印刷版、スクリーン印刷機を用いてスキージ圧=0.20MPa、速度=100mm/分でアモルファス層を製膜したシリコンウェハー上にパターン印刷し、設計値に対するパターン幅の広がり、高さ及び(D)成分に溶解した(A)成分によるレジストパターン端部よりの染み出し幅を測定、評価する。
(耐アルカリエッチング液性)
p層パターンが形成されたテクスチャー付きシリコンウェハーにn層(正孔)を製膜したセル上にライン幅450μm、ライン間スペース100μm、厚み40μmでレジストをスクリーン印刷し、120℃×30分で乾燥させて、レジストパターンを形成した。また、(B)成分として光塩基発生剤を含有する系については、乾燥後積算光量=1000mJ/cm2でUV照射(UV照射装置:ライトハンマー-6(コンベアー式)、ヘレウス(株)製)しレジストパターンを形成した。4質量%の水酸化カリウム水溶液のエッチング槽に10分間浸漬した後、走査型顕微鏡(SEM)によりn層の状態を確認し、耐アルカリエッチング液性を以下の評価基準により評価する。
良好:n層のパターン幅が400μm以上450μm以下
可:n層パターン幅が350μm以上400μm未満
不良:n層パターン幅が350μm未満
p層パターンが形成されたテクスチャー付きシリコンウェハーにn層(正孔)を製膜したセル上にライン幅450μm、ライン間スペース100μm、厚み40μmでレジストをスクリーン印刷し、120℃×30分で乾燥させて、レジストパターンを形成した。また、(B)成分として光塩基発生剤を含有する系については、乾燥後積算光量=1000mJ/cm2でUV照射(UV照射装置:ライトハンマー-6(コンベアー式)、ヘレウス(株)製)しレジストパターンを形成した。4質量%の水酸化カリウム水溶液のエッチング槽に10分間浸漬した後、走査型顕微鏡(SEM)によりn層の状態を確認し、耐アルカリエッチング液性を以下の評価基準により評価する。
良好:n層のパターン幅が400μm以上450μm以下
可:n層パターン幅が350μm以上400μm未満
不良:n層パターン幅が350μm未満
(レジスト剥離性)
上記のアルカリエッチングを行ったサンプルを3質量%の塩酸水溶液に揺動を伴い(遥動幅=3cm)、10分間浸漬して、レジスト剥離の状態を光学顕微鏡で観察する。
上記のアルカリエッチングを行ったサンプルを3質量%の塩酸水溶液に揺動を伴い(遥動幅=3cm)、10分間浸漬して、レジスト剥離の状態を光学顕微鏡で観察する。
以下、実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
<パターン印刷用レジスト組成物の調製(組成は表1参照)>
[実施例1]
ブレンド専用の容器(φ89×φ98×94mm、内容量470cc、ポリプロピレン製)に、以下の原材料(A)成分、(B)成分、及び(C)成分のうちのフュームドシリカを所定量加え、薬匙にて手攪拌した。得られた混合物に(D)成分を所定量を加え、同じく薬匙で予備混合し、更に(C)成分のうちの充填剤としての含水珪酸マグネシウム(タルク)を所定量加え、薬匙で混合後、専用の攪拌・脱泡装置(品番:泡取り錬太郎ARV-310、(株)シンキー社製)を用いて混合物にせん断を掛けて攪拌し、その後脱泡を行い、パターン印刷用レジスト組成物を得た。得られた導電性ペースト組成物に関して、上述した測定方法により、粘度、印刷性、耐アルカリエッチング液性、レジスト剥離性の特性を評価した。得られた結果を表1に示す。
[実施例1]
ブレンド専用の容器(φ89×φ98×94mm、内容量470cc、ポリプロピレン製)に、以下の原材料(A)成分、(B)成分、及び(C)成分のうちのフュームドシリカを所定量加え、薬匙にて手攪拌した。得られた混合物に(D)成分を所定量を加え、同じく薬匙で予備混合し、更に(C)成分のうちの充填剤としての含水珪酸マグネシウム(タルク)を所定量加え、薬匙で混合後、専用の攪拌・脱泡装置(品番:泡取り錬太郎ARV-310、(株)シンキー社製)を用いて混合物にせん断を掛けて攪拌し、その後脱泡を行い、パターン印刷用レジスト組成物を得た。得られた導電性ペースト組成物に関して、上述した測定方法により、粘度、印刷性、耐アルカリエッチング液性、レジスト剥離性の特性を評価した。得られた結果を表1に示す。
<樹脂(A)成分>
・ NK-100PM(水溶性アミン変性アクリル樹脂、(株)日本触媒製):48g
※樹脂物性
不揮発成分=50質量%、ガラス転移点=13℃、質量平均分子量=20000、アミン価=2.6mmol/g(固形分換算)、溶剤成分=プロピレングリコールモノメチルエーテル、粘度=6Pa・s
・ NK-350(非水溶性アミン変性アクリル樹脂、(株)日本触媒製);10g
※樹脂物性
不揮発性成分=35質量%、ガラス転移点=40℃、質量平均分子量=100000、アミン価=0.8mmol/g(固形分換算)、トルエン/イソプロピルアルコール=45/20質量%、粘度=1Pa・s
・樹脂(A)成分全体のアミン価:2.29
・ NK-100PM(水溶性アミン変性アクリル樹脂、(株)日本触媒製):48g
※樹脂物性
不揮発成分=50質量%、ガラス転移点=13℃、質量平均分子量=20000、アミン価=2.6mmol/g(固形分換算)、溶剤成分=プロピレングリコールモノメチルエーテル、粘度=6Pa・s
・ NK-350(非水溶性アミン変性アクリル樹脂、(株)日本触媒製);10g
※樹脂物性
不揮発性成分=35質量%、ガラス転移点=40℃、質量平均分子量=100000、アミン価=0.8mmol/g(固形分換算)、トルエン/イソプロピルアルコール=45/20質量%、粘度=1Pa・s
・樹脂(A)成分全体のアミン価:2.29
<(B)成分>
・ EH-235R-2((株)ADEKA製):3g
(粘度=17mPa・s、アミン価=289mmol/g)
・ EH-235R-2((株)ADEKA製):3g
(粘度=17mPa・s、アミン価=289mmol/g)
<増粘剤(C)成分>
・AEROSIL#300(親水性フュームドシリカ、エボニックジャパン(株)製)
:2g
・含水珪マグネシウム(和光純薬(株)製):27g
・AEROSIL#300(親水性フュームドシリカ、エボニックジャパン(株)製)
:2g
・含水珪マグネシウム(和光純薬(株)製):27g
<希釈剤(D)成分>
・エチレングリコールモノエチルエーテル(和光純薬(株)製):10g
・エチレングリコールモノエチルエーテル(和光純薬(株)製):10g
[実施例2]
表1に示すように実施例2の(A)成分をNK-100PMを38g、NK-350を20gとした以外は、実施例1と同様の方法でパターン印刷用レジスト組成物を作製した。なお、この実施例2のパターン印刷用レジスト組成物における、樹脂(A)成分全体のアミン価は1.98であった。得られたパターン印刷用レジスト組成物に関して実施例1と、同様の特性評価を行った。得られた結果を表1に示す。
表1に示すように実施例2の(A)成分をNK-100PMを38g、NK-350を20gとした以外は、実施例1と同様の方法でパターン印刷用レジスト組成物を作製した。なお、この実施例2のパターン印刷用レジスト組成物における、樹脂(A)成分全体のアミン価は1.98であった。得られたパターン印刷用レジスト組成物に関して実施例1と、同様の特性評価を行った。得られた結果を表1に示す。
[実施例3]
表1に示すように実施例1の(B)成分のケチミン化合物の代わりに光塩基発生剤としてWPBG-266(1,2-ジイソプロピル-3-[ビス(ジメチルアミノ)メチレン]グアニジウム2-(3-ベンゾフェニル)プロピオネート、和光純薬工業(株)製)を用いた以外は、実施例1と同様の方法でパターン印刷レジスト組成物を作製した。なお、この実施例3のパターン印刷用レジスト組成物における、樹脂(A)成分全体のアミン価は2.29であった。得られたパターン印刷用レジスト組成物に関して実施例1と、同様の特性評価を行った。得られた結果を表1に示す。同様の特性評価を行った。得られた結果を表1に示す。
表1に示すように実施例1の(B)成分のケチミン化合物の代わりに光塩基発生剤としてWPBG-266(1,2-ジイソプロピル-3-[ビス(ジメチルアミノ)メチレン]グアニジウム2-(3-ベンゾフェニル)プロピオネート、和光純薬工業(株)製)を用いた以外は、実施例1と同様の方法でパターン印刷レジスト組成物を作製した。なお、この実施例3のパターン印刷用レジスト組成物における、樹脂(A)成分全体のアミン価は2.29であった。得られたパターン印刷用レジスト組成物に関して実施例1と、同様の特性評価を行った。得られた結果を表1に示す。同様の特性評価を行った。得られた結果を表1に示す。
[実施例4]
実施例1のNK-100PMの代わりにNK-200PMを使用した以外は、実施例1と同様の方法でパターン印刷レジスト組成物を作製した。なお、この実施例4のパターン印刷用レジスト組成物における、樹脂(A)成分全体のアミン価は2.29であった。得られたパターン印刷用レジスト組成物に関して実施例1と、同様の特性評価を行った。得られた結果を表1に示す。同様の特性評価を行った。得られた結果を表1に示す。
・ NK-200PM(水溶性アミン変性アクリル樹脂、(株)日本触媒製)
※樹脂物性
不揮発成分=55質量%、ガラス転移点=16℃、質量平均分子量=20000、アミン価=2.6mmol/g(固形分換算)、溶剤成分=プロピレングリコールモノメチルエーテル、粘度=30Pa・s
実施例1のNK-100PMの代わりにNK-200PMを使用した以外は、実施例1と同様の方法でパターン印刷レジスト組成物を作製した。なお、この実施例4のパターン印刷用レジスト組成物における、樹脂(A)成分全体のアミン価は2.29であった。得られたパターン印刷用レジスト組成物に関して実施例1と、同様の特性評価を行った。得られた結果を表1に示す。同様の特性評価を行った。得られた結果を表1に示す。
・ NK-200PM(水溶性アミン変性アクリル樹脂、(株)日本触媒製)
※樹脂物性
不揮発成分=55質量%、ガラス転移点=16℃、質量平均分子量=20000、アミン価=2.6mmol/g(固形分換算)、溶剤成分=プロピレングリコールモノメチルエーテル、粘度=30Pa・s
[実施例5]
(A)成分として、NK-200PMの量を40gとし、追加でエポミンSP-006 18gを配合した以外は、実施例4と同様の方法でパターン印刷用レジスト組成物を作製した。なお、この実施例5のパターン印刷用レジスト組成物における、樹脂(A)成分全体のアミン価は8.0であった。得られたパターン印刷用レジスト組成物に関して実施例1と、同様の特性評価を行った。得られた結果を表1に示す。同様の特性評価を行った。得られた結果を表1に示す。
・ エポミンSP-006(ポリエチレンイミン、(株)日本触媒製)
※樹脂物性
不揮発成分=98%、分子量=600、アミン価=20mmol/g(固形分換算)、粘度=1.5Pa・s
(A)成分として、NK-200PMの量を40gとし、追加でエポミンSP-006 18gを配合した以外は、実施例4と同様の方法でパターン印刷用レジスト組成物を作製した。なお、この実施例5のパターン印刷用レジスト組成物における、樹脂(A)成分全体のアミン価は8.0であった。得られたパターン印刷用レジスト組成物に関して実施例1と、同様の特性評価を行った。得られた結果を表1に示す。同様の特性評価を行った。得られた結果を表1に示す。
・ エポミンSP-006(ポリエチレンイミン、(株)日本触媒製)
※樹脂物性
不揮発成分=98%、分子量=600、アミン価=20mmol/g(固形分換算)、粘度=1.5Pa・s
[実施例6]
実施例1の樹脂(A)成分のNK-100PMを23g、NK-350を23gとし、更に、エポミンSP-200を12g加えるように変更した以外は、実施例1と同様の方法でパターン印刷用レジスト組成物を作製した。なお、この実施例6のパターン印刷用レジスト組成物における、樹脂(A)成分全体のアミン価は5.28であった。得られたパターン印刷用レジスト組成物に関して実施例1と、同様の特性評価を行った。得られた結果を表1に示す。
・ エポミンSP-200(ポリエチレンイミン、(株)日本触媒製)
※樹脂物性
不揮発成分=98%、分子量=10,000、アミン価=19mmol/g(固形分換算)、粘度=95Pa・s
実施例1の樹脂(A)成分のNK-100PMを23g、NK-350を23gとし、更に、エポミンSP-200を12g加えるように変更した以外は、実施例1と同様の方法でパターン印刷用レジスト組成物を作製した。なお、この実施例6のパターン印刷用レジスト組成物における、樹脂(A)成分全体のアミン価は5.28であった。得られたパターン印刷用レジスト組成物に関して実施例1と、同様の特性評価を行った。得られた結果を表1に示す。
・ エポミンSP-200(ポリエチレンイミン、(株)日本触媒製)
※樹脂物性
不揮発成分=98%、分子量=10,000、アミン価=19mmol/g(固形分換算)、粘度=95Pa・s
[比較例1]
実施例1の(A)成分をNK-100PMをすべてNK-350にした以外は、実施例1と同様の方法でパターン印刷用レジスト組成物を作製した。なお、この比較例1のパターン印刷用レジスト組成物における、樹脂(A)成分全体のアミン価は0.8であった。同様の特性評価を行った。得られた結果を表1に示す。
実施例1の(A)成分をNK-100PMをすべてNK-350にした以外は、実施例1と同様の方法でパターン印刷用レジスト組成物を作製した。なお、この比較例1のパターン印刷用レジスト組成物における、樹脂(A)成分全体のアミン価は0.8であった。同様の特性評価を行った。得られた結果を表1に示す。
[比較例2]
比較例1のケチミン化合物(B)成分EH-235R-2を配合せず、(D)成分エチレングリコールモノエチルエーテルを13gにした以外は比較例1と同様の方法でパターン印刷用レジスト組成物を作製し、同様の特性評価を行った。なお、この比較例1のパターン印刷用レジスト組成物における、樹脂(A)成分全体のアミン価は0.8であった。得られた結果を表1に示す。
比較例1のケチミン化合物(B)成分EH-235R-2を配合せず、(D)成分エチレングリコールモノエチルエーテルを13gにした以外は比較例1と同様の方法でパターン印刷用レジスト組成物を作製し、同様の特性評価を行った。なお、この比較例1のパターン印刷用レジスト組成物における、樹脂(A)成分全体のアミン価は0.8であった。得られた結果を表1に示す。
(印刷性)
表1に示す結果から明らかなように、実施例1~6、比較例1、2のパターン印刷レジスト組成物はいずれも良好なスクリーン印刷を示した。
表1に示す結果から明らかなように、実施例1~6、比較例1、2のパターン印刷レジスト組成物はいずれも良好なスクリーン印刷を示した。
(耐アルカリエッチング液性)
表1に示す結果から明らかなように、太陽電池セルのアモルファス等のエッチング液である4質量%アルカリ水溶液に対する耐アルカリエッチング液性は、比較例1、2と実施例1~6間で差は無く、非常に良好な結果であった。
表1に示す結果から明らかなように、太陽電池セルのアモルファス等のエッチング液である4質量%アルカリ水溶液に対する耐アルカリエッチング液性は、比較例1、2と実施例1~6間で差は無く、非常に良好な結果であった。
(レジスト剥離性)
表1に示す結果から明らかなように、3質量%の塩酸に対する剥離性評価では、比較例1、2では10分間浸漬してもレジストが全く剥離していないのに対して、実施例1~6では10分間の浸漬及びその後の純水によるリンスで痕跡を残すことなく剥離が完了しており、良好な結果であった。
表1に示す結果から明らかなように、3質量%の塩酸に対する剥離性評価では、比較例1、2では10分間浸漬してもレジストが全く剥離していないのに対して、実施例1~6では10分間の浸漬及びその後の純水によるリンスで痕跡を残すことなく剥離が完了しており、良好な結果であった。
[総評]
いずれもアミノ基を含有するが相互にアミン価が異なるアミノ基含有樹脂を少なくとも2種以上組み合わせてなり、かつその全体としてのアミン価が1.5~10.0である樹脂(A)、水分及び/又は光によりアミンを発生する化合物(B)、増粘剤(C)成分、希釈剤(D)成分を含有する本発明のパターン印刷レジスト組成物に係る実施例1~6は、比較例1~2と比較して、レジストの基本性能である印刷性、耐エッチング液性は維持したまま、酸水溶液による剥離性が格段に改善している。
いずれもアミノ基を含有するが相互にアミン価が異なるアミノ基含有樹脂を少なくとも2種以上組み合わせてなり、かつその全体としてのアミン価が1.5~10.0である樹脂(A)、水分及び/又は光によりアミンを発生する化合物(B)、増粘剤(C)成分、希釈剤(D)成分を含有する本発明のパターン印刷レジスト組成物に係る実施例1~6は、比較例1~2と比較して、レジストの基本性能である印刷性、耐エッチング液性は維持したまま、酸水溶液による剥離性が格段に改善している。
Claims (11)
- いずれもアミノ基を含有するが相互にアミン価が異なるアミノ基含有樹脂を少なくとも2種以上組み合わせてなり、かつその全体としてのアミン価が1.5~10.0である樹脂(A)、水分及び/又は光によりアミンを発生する化合物(B)成分、増粘剤(C)成分、並びに希釈剤(D)成分を含有するパターン印刷用レジスト組成物。
- (A)成分がアミノ基含有アクリル樹脂及びポリエチレンイミンからなる群から選択されてなる少なくとも2種を含むものである請求項1記載のパターン印刷用レジスト組成物。
- (A)成分が水溶性樹脂と非水溶性樹脂とを含む請求項1又は2に記載のパターン印刷用レジスト組成物。
- パターン印刷用レジスト組成物100質量部に対して、(A)成分の含有量が10質量部以上50質量部以下である、請求項1~3のいずれか1項に記載のパターン印刷用レジスト組成物。
- (B)成分がケチミン構造を有する化合物及び光塩基発生剤からなる群から選択されてなる少なくとも1種であり、その含有量がパターン印刷レジスト組成物100質量部に対して0.1質量部以上10質量部以下である請求項1~4のいずれか1項に記載のパターン印刷用レジスト組成物。
- (C)成分がフュームドシリカ、クレー、ベントナイト及びタルクからなる群から選択される少なくとも1つのものであり、(C)成分の含有量がパターン印刷用レジスト組成物100質量部に対して0.01質量部以上5質量部である請求項1~5のいずれか1項に記載のパターン印刷レジスト組成物。
- (D)成分がエチレングリコールモノエチルエーテルである、請求項1~6のいずれか1項に記載のパターン印刷レジスト組成物。
- 請求項1~7のいずれか1項に記載のパターン印刷用レジスト組成物を用いて、アルカリ水溶液によりアモルファスシリコン層をエッチングする工程を有する回路パターンの形成方法。
- 請求項1~7のいずれか1項に記載のパターン印刷用レジスト組成物を用いて、アルカリ水溶液により下地層をエッチングした後で、酸水溶液及び/又はアルコール含有水溶液を用いてレジストを剥離する工程を備える、回路パターンの形成方法。
- 請求項8又は9に記載の回路パターン形成方法により太陽電池アモルファス層上への回路パターン形成を含む回路パターン形成工程を有する太陽電池の製造方法。
- 請求項10の製造方法で製造されてなる、太陽電池。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018115189 | 2018-06-18 | ||
JP2018115189 | 2018-06-18 | ||
PCT/JP2019/022491 WO2019244651A1 (ja) | 2018-06-18 | 2019-06-06 | パターン印刷用レジスト組成物及びそれを用いた回路パターンの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019244651A1 JPWO2019244651A1 (ja) | 2021-07-08 |
JP7222995B2 true JP7222995B2 (ja) | 2023-02-15 |
Family
ID=68984003
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020525497A Active JP7222995B2 (ja) | 2018-06-18 | 2019-06-06 | パターン印刷用レジスト組成物及びそれを用いた回路パターンの製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210103216A1 (ja) |
EP (1) | EP3806593A4 (ja) |
JP (1) | JP7222995B2 (ja) |
WO (1) | WO2019244651A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7495341B2 (ja) | 2020-12-21 | 2024-06-04 | 株式会社カネカ | 太陽電池の製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001133982A (ja) | 1999-11-09 | 2001-05-18 | Kansai Paint Co Ltd | パターン形成用積層被膜、その積層被膜の製造方法及びその被膜を使用したパターン形成方法 |
WO2009099065A1 (ja) | 2008-02-04 | 2009-08-13 | Sony Chemical & Information Device Corporation | レジストインク及び多層プリント配線板の製造方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02224295A (ja) | 1988-10-28 | 1990-09-06 | Shin Kobe Electric Mach Co Ltd | 片面スルーホールプリント配線板の製造法 |
JPH0651516A (ja) | 1992-06-04 | 1994-02-25 | Tokuyama Soda Co Ltd | 感光性組成物 |
JPH07242737A (ja) | 1994-03-07 | 1995-09-19 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 硬化性樹脂組成物 |
JPH07261385A (ja) * | 1994-03-17 | 1995-10-13 | Ajinomoto Co Inc | ソルダーレジストインキ組成物 |
JPH1064333A (ja) * | 1996-08-21 | 1998-03-06 | Taiyo Ink Mfg Ltd | 導電性銅ペースト組成物及びそれを用いたプリント回路基板の製造方法 |
JP3711198B2 (ja) | 1998-04-23 | 2005-10-26 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターンの形成方法 |
WO2013146271A1 (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池及びその製造方法 |
JP6191926B2 (ja) * | 2013-03-28 | 2017-09-06 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池 |
CN104752443B (zh) * | 2015-04-20 | 2016-03-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 衬底载板、柔性显示面板及相应的制作方法、柔性显示装置 |
JP6733280B2 (ja) * | 2015-04-28 | 2020-07-29 | Jsr株式会社 | 着色剤分散液及びその製造方法、着色組成物及びその製造方法、着色硬化膜、表示素子並びに固体撮像素子 |
JP6456792B2 (ja) * | 2015-08-07 | 2019-01-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体 |
JP2017066370A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 株式会社Adeka | 組成物 |
KR20180036218A (ko) * | 2016-09-30 | 2018-04-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 착색제, 이를 포함하는 착색 수지 조성물 및 컬러필터 |
-
2019
- 2019-06-06 JP JP2020525497A patent/JP7222995B2/ja active Active
- 2019-06-06 WO PCT/JP2019/022491 patent/WO2019244651A1/ja unknown
- 2019-06-06 EP EP19822212.7A patent/EP3806593A4/en not_active Withdrawn
-
2020
- 2020-12-17 US US17/125,348 patent/US20210103216A1/en active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001133982A (ja) | 1999-11-09 | 2001-05-18 | Kansai Paint Co Ltd | パターン形成用積層被膜、その積層被膜の製造方法及びその被膜を使用したパターン形成方法 |
WO2009099065A1 (ja) | 2008-02-04 | 2009-08-13 | Sony Chemical & Information Device Corporation | レジストインク及び多層プリント配線板の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2019244651A1 (ja) | 2021-07-08 |
EP3806593A4 (en) | 2021-07-21 |
WO2019244651A1 (ja) | 2019-12-26 |
US20210103216A1 (en) | 2021-04-08 |
EP3806593A1 (en) | 2021-04-14 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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