JP7222374B2 - 配管接続方法及び半導体ウェーハ熱処理装置 - Google Patents
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Description
のオーステナイト系ステンレスパーツについて、配管の溶接を行う場合、半導体ウェーハ熱処理装置本体とガス配管の先端部分との間に隙間が出来ない溶接により接続する接続方法で行う事によりそこから発生する金属汚染やパーティクルを抑える配管接続方法と半導体ウェーハ熱処理装置を提供することを目的とする。
エピタキシャル成長装置本体に突き出し部を形成し、この突き出し部分とガス配管の端部とを溶接してエピタキシャル成長装置本体とガス配管を接続し、半導体ウェーハ熱処理装置を得た。エピタキシャル成長装置、ガス配管及び溶接方法は以下に示す通りある。
装置本体の寸法:約400×60×50mm、
突き出し部の長さ:5mm、
突き出し部の直径:3/8インチ(=約9.5mm)、
突き出し部の肉厚:1mm、
配管の基材:SUS316L、
配管の直径:3/8インチ(=約9.5mm)、
配管の肉厚:1mm、
溶接方法:アーク溶接。
キャリアガス:水素、
使用シリコンソース:トリクロロシラン、
膜厚:4μm。
熱処理温度:1130℃、
熱処理回数:4回、
測定元素:Mo、
測定方法:ICP-MS(誘導結合プラズマ質量分析)、
測定装置:アジレントテクノロジー社 Agilent8800シリーズ トリプル四重極ICP-MS。
エピタキシャル成長装置本体に差し込み穴を形成し、この差し込み穴にガス配管を差し込み溶接してエピタキシャル成長装置本体とガス配管を接続し、半導体ウェーハ熱処理装置を得た。エピタキシャル成長装置、ガス配管及び溶接方法は以下に示す通りある。
装置本体の寸法:約400×60×50mm、
差し込み部の寸法:直径10mm、
配管の基材:SUS316L、
配管の直径:3/8インチ(=約9.5mm)、
配管の肉厚:1mm、
溶接方法:アーク溶接、
装置本体と配管先端部との間の隙間:約0.5mm。
3…突き出し部、 10…半導体ウェーハ熱処理装置(本発明)、
11…半導体ウェーハ熱処理装置本体(従来例)、 12…ガス配管、
13…溶接点、 14…隙間、 15穴部、
20…半導体ウェーハ熱処理装置(従来例)。
Claims (6)
- 腐食性ガスを流通させる半導体ウェーハ熱処理装置本体とガス配管を溶接によって接続させる接続方法であって、
前記半導体ウェーハ熱処理装置本体及び前記ガス配管をオーステナイト系のステンレスの基材とし、
前記半導体ウェーハ熱処理装置本体に前記ガス配管を溶接する溶接部に前記ガス配管と同じ断面形状の短管の突き出し部を形成し、該突き出し部と前記ガス配管の端部とを突き合わせて溶接して接続することを特徴とする半導体ウェーハ熱処理装置本体とガス配管の接続方法。 - 前記腐食性ガスを、塩素を含有するガスとすることを特徴とする請求項1に記載の半導体ウェーハ熱処理装置本体とガス配管の接続方法。
- 前記装置本体をエピタキシャル成長装置とすることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体ウェーハ熱処理装置本体とガス配管の接続方法。
- 腐食性ガスを流通させる半導体ウェーハ熱処理装置本体とガス配管が溶接によって接続された半導体ウェーハ熱処理装置であって、
前記半導体ウェーハ熱処理装置本体及び前記ガス配管はオーステナイト系のステンレスの基材であり、
前記半導体ウェーハ熱処理装置本体に前記ガス配管を溶接した溶接部は、前記半導体ウェーハ熱処理装置本体に前記ガス配管と同じ断面形状の短管の突き出し部を有し、該突き出し部と前記ガス配管の端部とが突き合わされて溶接で接続されたものであることを特徴とする半導体ウェーハ熱処理装置。 - 前記腐食性ガスが、塩素を含有するガスであることを特徴とする請求項4に記載の半導体ウェーハ熱処理装置。
- 前記装置本体はエピタキシャル成長装置であることを特徴とする請求項4または請求項5に記載の半導体ウェーハ熱処理装置。
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