JP7221401B2 - 電気回路基板及びパワーモジュール - Google Patents

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Description

本開示は、配線材としての金属板が絶縁基板にろう材により接合された電気回路基板及びこれを用いたパワーモジュールに関するものである。
従来、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）等の電子部品が搭載されたパワーモジュール等の電子装置に用いられる電気回路基板として、例えば、セラミック焼結体等からなる絶縁基板の上面に銅等の金属材料からなる金属板が接合された電気回路基板が用いられている。
金属板を打ち抜き加工で作製して、絶縁基板の上面に対して垂直な側面を有する金属板とすることで、金属板（の側面）同士の間隔を小さくすること（狭ギャップ化）が行なわれている（例えば、特開２００７－５３３４９号公報を参照。）。
絶縁基板と金属板との接合は、金属板をろう材を介して絶縁基板に積層し、ろう付けすることで行われる。
特開２０１４－７２３０４号公報に記載の半導体モジュールにあっては、金属板、金属板上に搭載された電子部品および絶縁基板をモールド樹脂で封止している。
本開示の１つの態様の電気回路基板は、絶縁基板と、金属板と、前記絶縁基板と前記金属板とを接合しているろう材とを備え、前記金属板の側面に複数の凹部が点在しており、前記ろう材の側面は前記金属板の側面に連続しており、前記ろう材の側面と前記金属板の側面とで一つの凹曲面状を成している。
電気回路基板の一例を示す斜視図である。 電気回路基板の一例を示す斜視図である。 図１Ａおよび図１Ｂに示す電気回路基板の上面図である 図２ＡのＢ－Ｂ線における断面図である。 電気回路基板の要部縦断面図である。 金属板の側面を拡大して示す要部側面図である。 パワーモジュールの上面図である 図５ＡのＢ－Ｂ線における断面図である。 パワーモジュールの他の一例を示す断面図である。 パワーモジュールの他の一例を示す断面図である。 パワーモジュールの要部縦断面図である。
本開示の実施形態の電気回路基板及びパワーモジュールについて図面を参照して説明する。なお、以下の説明における上下の区別は便宜的なものであり、実際に電気回路基板が使用される際の上下を限定するものではない。
<電気回路基板>
図１Ａ，図１Ｂ，図２Ａおよび図２Ｂに示すように本実施形態の電気回路基板１０は、絶縁基板１と、絶縁基板１の主面（上下面）にろう材３で接合されている金属板２とを備えている。絶縁基板１の上面に複数の金属板２，２，２が接合され、絶縁基板１の下面に単一の金属板２が接合されている。
絶縁基板１は、セラミック焼結体からなり、高い機械的強度および高い伝熱特性（冷却特性）などの特性を有するものがよい。セラミック焼結体としては、公知の材料を用いることができ、例えば、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）質焼結体、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）質焼結体、窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）質焼結体および炭化珪素（ＳｉＣ）質焼結体などを用いることができる。このような絶縁基板１は、公知の製造方法によって製造することができ、例えば、アルミナ粉末に焼結助剤を添加した原料粉末に有機バインダー等を加えて混練して、基板状に成形したのち、焼成することで製造することができる。
本実施形態では、金属板２が銅（Ｃｕ）または銅合金からなる。ろう材３としては、銀―銅（Ａｇ－Ｃｕ）合金ろうに、チタン（Ｔｉ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）等の活性金属を含む活性金属ろうを用いることができる。なお、金属板２がアルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム合金からなる場合は、Ａｌ－Ｓｉ系合金またはＡｌ－Ｇｅ系合金のろう材を用いることができる。
金属板２の表面には、その表面の保護のため、あるいはボンディングワイヤー等の接合性の向上のためにめっき層をもうけてもよい。めっき層は、パラジウム、ニッケル、銀等の金属めっき層とすることができる。
図３に、金属板２の側面２１及びろう材３の側面３３が縦断面図で示される。図４に金属板２の側面２１の一部を拡大して描いた側面図が示される。
金属板２の側面２１に複数の凹部２１ａが点在している。凹部２１ａは金属板２の側面２１から陥没している部分である。
封止樹脂を適用する場合、この凹部２１ａに樹脂が入り込んで、封止樹脂（５０）の側面２１に対する接着性が向上する。側面２１には周囲に対して突出した凸部がないので、封止樹脂に凸起点のクラックが入り難く、封止信頼性が高い。また、封止樹脂にクラックが入ってそのクラック内で凸部から放電して絶縁性が低下する可能性も低い。
また図４に示すように金属板２の側面２１は、凹部２１ａの周囲の表面に筋目２１ｂを有する。
筋目２１ｂは微小な凹凸（溝）なので、樹脂の接着性がより向上する。
筋目２１ｂは一定の方向に延びるものではないので樹脂の接着性に関してあらゆる方向の応力に対して効果的に作用しつつ、筋目２１ｂは深さ（高さ）が微小で短いので筋目起点で樹脂にクラックが入り難い。
金属板２を銅又は銅合金とする場合、導通抵抗を小さくすることができる。また、後述するように、エッチングによって凹部２１ａおよび筋目２１ｂを容易に形成することができる。
図３に示すようにろう材３の側面３３は金属板２の側面２１に連続しているものとすることができる。金属板２が銅または銅合金である場合のろう材３は銀―銅合金ろうであり、このとき、該銀―銅合金ろうの銅の成分比率より高い比率で、ろう材３の側面３３に銅３Ｃがあるものとすることができる。
これにより、ろう材３の側面３３における銀の比率が小さいことから、ろう材３の側面において銀のマイグレーションが発生し難い。そのため、隣接する２つの金属板２，２間における絶縁信頼性が高いものとなる。
また、金属板２の側面２１からのろう材３の突出が小さく、隣接する２つの金属板２，２のそれぞれを接合するろう材３，３間の距離が大きくなるので、マイグレーションが発生し難くなる。また、これにより金属板２，２同士の間隔を小さくできるため、電気回路基板１０およびパワーモジュールを小型化することができる。
以上説明したように本実施形態の電気回路基板（１０）によれば、隣接する金属板（２，２）間の絶縁性、金属板側面（２１）への封止樹脂（５０）の接着性が良好である。
図３に示すようにろう材３の側面３３は金属板２の側面２１に連続しており、ろう材３の側面３３の金属板２の側面２１に対するずれや被りがない。
図３に示す金属板２の側面２１とろう材３の側面３３との接点Ｐにおいて金属板２の側面２１の下縁（Ｐ）にろう材３の側面３３の上縁（Ｐ）が接して、金属板２の側面２１とろう材３の側面３３とで一つの凹曲面状を成している。当該凹曲面は、図３の縦断面図において二点鎖線で示す凹曲線ＷＳに相当する。なお、凹曲線ＷＳは、凹部２１ａ形成前の金属板２の側面２１を示す。金属板２の側面２１は、凹部２１ａ形成後も、凹部２１ａを除いて、ほぼ凹曲線ＷＳに沿った凹曲面状を成している。凹部２１ａはこの凹曲線ＷＳに沿った凹曲面（側面２１）から陥没している部分である。
ろう材３の側面３３の金属板２の側面２１に対するずれがないので、金属板２の下面が外縁までろう材３で接合されており、ろう材３の金属板２に対する接合性が良好である。
金属板２から側方へのろう材３のはみ出しはわずかであって、ほとんど無い。これにより、隣接する金属板２，２間のギャップが確保される。
金属板２の側面２１とろう材３の側面３３とでつくる凹曲面状の形状は、裾野が広かった形状である。ろう材３の側面３３の下縁が金属板２の側面２１の上縁より外側に位置している。図３に示すように、ろう材３の側面３３の下縁が金属板２より外側に広がり、金属板２の外縁部は厚みが徐々に薄くなる形状である。このような外縁形状を有するため、金属板２と絶縁基板１との間に発生する熱応力を緩和することができ、ろう材３の絶縁基板１に対する接合性が良好である。これにより、金属板２の端部からの剥離が抑制される。
なお、金属板２の側面２１とろう材３の側面３３とでつくる凹曲面状の形状は、金属板２の側面２１の上端部では反り返っているものとすることができる。これにより、金属板２の上面の面積が広く確保される。また、封止樹脂（５０）が金属板２の側面２１の上端部に引っ掛かって、より剥がれ難くなる。
以上のような金属板２の形状は、打ち抜き後に研磨し、加工しても形成できるが、エッチングで容易に形成可能である。
以上の結果、絶縁基板１と金属板２の接合性が良好であるとともに、隣接する金属板２，２間のギャップを精度よく確保できている。
〈電気回路基板の製造方法〉
電気回路基板の製造方法につき説明する。
（製造方法の概説）
１．パターンの形成方法
金属板２の外形パターンの形成方法およびろう材３による金属板２の絶縁基板１への接合方法としては以下の（Ａ）（Ｂ）の方法を挙げることができる。
（Ａ）金属板２をパターン加工した後に絶縁基板１に接合する方法である。
このとき、パターン加工は打ち抜き加工で形成してもよく、また、エッチングでパターン加工することもできる。ろう材３となるろう材ペーストを絶縁基板１上に塗布し、その上にパターン加工した金属板２を載置して加熱することで接合することができる。
ろう材ペーストの塗布はパターン形状での塗布（以下、パターン塗布ともいう）でも、絶縁基板１の全面に塗布（以下、全面塗布ともいう）でもよい。
ろう材ペーストをパターン形状で塗布する場合は、位置ずれを考慮して金属板２の外形パターンより一回り大きいパターンとすることができる。
（Ｂ）大型の金属板を接合した後にエッチングでパターン加工する方法である。
このとき、ろう材ペーストは全面塗布してもよいし、パターン塗布でもよい。
ろう材３を全面塗布する場合は、金属板２のパターン形状への位置合わせが不要である。方法（Ａ）または（Ｂ）のいずれの方法であっても、全面塗布により金属板２，２間に形成されたろう材３をエッチングにより除去することで、これらの間の絶縁性を確保することができる。ろう材３の側面３３が金属板２の側面２１に連続したものとする場合にも、ろう材３の金属板２のパターン形状からはみ出す部分をエッチングにより除去すればよい。
２．凹部の形成方法
金属板２の側面２１に凹部２１ａを形成する方法としては以下の（１）～（３）の方法を挙げることができる。
（１）金属板２の側面２１に型押しで凹部２１ａを形成する方法である。
（２）金属板２の側面２１に凹部２１ａの形成予定部で開口するマスクパターンを形成してエッチングする方法である。
（３）金属板２の側面２１の一部を選択的にエッチングする性質を有したエッチング液でエッチングする方法である。
３．組合せ
上記のパターンの形成方法（Ａ），（Ｂ）と、凹部の形成方法（１）～（３）とを組み合わせて実施することができる。パターン加工後に接合する方法（Ａ）の場合には、金属板２を絶縁基板１に接合する前に凹部２１ａを形成してもよいし、接合してから形成してもよい。また、打ち抜き加工によってパターン加工する場合には、打ち抜き加工で形成された側面を研磨等で凸部等を除去して平滑にして、金属板２の側面２１を形成した後に凹部２１ａを形成する。
上記のパターン形成方法と凹部の形成方法とを組み合わせた、電気回路基板の製造方法の一例（製造方法１）を以下に開示する。製造方法１は、上記パターン形成方法（Ｂ）と凹部の形成方法（３）とを組み合わせた例である。
まず、絶縁基板１の上下面にろう材３を全面ベタ印刷し、ろう材３の上に、平面視の大きさが絶縁基板１と同じである金属板２を配置し、加圧、加熱してろう付けする。ここで、絶縁基板１としてはセラミック焼結体が適用されている。金属板２としては銅又は銅合金が適用されている。またろう材３としては、銀―銅（Ａｇ－Ｃｕ）合金ろうに、活性金属としてチタン（Ｔｉ）を含む活性金属ろうが適用されている。
その後、金属板２の上面に配置したレジストマスクをマスクとして塩化第二鉄液等のエッチング液により金属板２をエッチングすることで、所望の回路パターン形状に金属板２を形成する。このとき、エッチング条件（エッチング液濃度、エッチング時間等）を調整するにより金属板２の側面２１を凹曲面とすることができる。
次に、金属板２の外形からはみ出しているろう材３を、以下のようにしてエッチングにより除去する。
ろう材３のエッチングには２つのエッチング液を交互に繰り返し用いる。
まず、第１液によりエッチングを行う。
第１液としては、主に銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）を溶解するエッチング液を選択する。例えば、フッ酸並びに過酸化水素水、アンモニアを含むエッチング液である。
第１液によるエッチングにより金属板２，２間に位置する銀－銅合金活性金属ろう中の銀及びチタンの溶解が進行する。
次に、第２液によりエッチングを行う。第２液として、主に銅（Ｃｕ）を溶解するエッチング液を選択する。例えば、硫酸+過酸化水素水を用いたエッチング液または過硫酸塩＋硫酸系のエッチング液である。
第２液によるエッチングにより、銀－銅合金ろう中の銅の溶解が進行する。また、金属板２の側面２１も銅であるので、エッチングされる。但し、第２液として銅の結晶方位によりエッチングレートが異なる液を選択しておく。硫酸+過酸化水素水のエッチング液では銅結晶の｛００１｝面のエッチングレートが高く、過硫酸塩＋硫酸系のエッチング液は、銅結晶の｛３２７｝面、｛４２５｝面のエッチングレートが高い。そのため、エッチングされやすい結晶面を側面２１に露出した銅結晶が溶解して、側面２１に凹部２１ａを生じさせる（図３）。また、第２エッチング液は、上記の塩化第二鉄等のエッチング液に比較してエッチングレートが小さい。そのため、エッチング液によって形成された金属板２の側面２１は、上記の結晶方位を有する部分以外はほとんどエッチングされない。
さらに、第１液によるエッチング、第２液によるエッチングを交互に繰り返し、金属板２からはみ出しているろう材３を除去して絶縁基板１を露出させる。図３がその状態を示す断面図であり、図４が側面２１の部分拡大模式図である。金属板２の側面２１に、陥没した凹部２１ａが点在している。また、図４に示すように第１液によるエッチングと第２液によるエッチングとの交互に繰り返しの結果、凹部２１ａの周囲の表面に筋目２１ｂが形成されている。
また、図３に示すようにろう材３の側面３３には、銀よりエッチングされにくい銅３Ｃが多く残る。上述した、銀―銅合金ろうの銅の成分比率より高い比率で銅が存在している、ろう材３の側面３３となる。なお、ろう材３を共晶組成から少し外して銅を増やし、銅の比率を高めると、より側面３３の銅３Ｃを多くしやすい。このとき、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｓｂ（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）を添加することで銅が増えたことによる融点上昇を抑えることができる。
以上の製造方法１により、図３及び図４に示した金属板２及びろう材３の側面を得ることが容易である。金属板２およびろう材３の外形パターンならびに凹部２１ａの形成を、エッチング条件（エッチング液等）を変えるだけで、連続して容易に精度よく実施することができる。
〈パワーモジュール〉
上記のような電気回路基板１０に電子部品４０を搭載し、電子部品４０等を封止樹脂５０で覆うことで、図５Ａおよび図５Ｂ，図６Ａならびに図６Ｂに示す例のようなパワーモジュール１００となる。なお、図５Ａおよび図５Ｂにおいては、金属板２（１２１）上に搭載され、電子部品４０と別の金属板２（１２２）とがボンディングワイヤー４１で接続されている状態が見やすいように、封止樹脂５０を取り除いた状態を示している。パワーモジュール１００は、例えば、自動車などに用いられ、ＥＣＵ（engine control unit）およびパワーアシストハンドル、モータドライブなどの各種制御ユニットに使用される。パワーモジュール１００は、このような車載の制御ユニットに限られるものではなく、例えば、その他の各種インバータ制御回路、電力制御回路、パワーコンディショナー等に用いられる。
図５Ａおよび図５Ｂ，図６Ａならびに図６Ｂに示す例のパワーモジュール１００においては、セラミック基板（１）の表面（上面）の中央部に接合された金属板２（１２１）の上に、１つの電子部品４０が搭載されている。電子部品４０が搭載された金属板２（１２１）を挟むように配置されて接合された金属板２（１２２）と電子部品４０とはボンディングワイヤー４１によって電気的に接続されている。この外側の金属板２（１２２）は、外部の電気回路と接続するための端子として機能する。また、電子部品４０で発生した熱は、セラミック基板（１）の上面に接合された金属板２（１２１、１２２）およびセラミック基板（１）を介してセラミック基板（１）の下面に接合された金属板２（１２３）に伝わり、さらに外部へ放熱することができる。つまり、セラミック基板（１）の下面に接合された金属板２（１２３）は放熱板として機能する。電子部品４０の数、大きさおよび搭載位置等については、図５Ａおよび図５Ｂ，図６Ａならびに図６Ｂに示す例に限られるものではない。
電子部品４０は、例えばパワー半導体であり、上記のような各種制御ユニットにおいて、電力制御のために用いられる。例えばＳｉを用いたＭＯＳ－ＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor－Field Effect Transistor）またはＩＧＢＴといったトランジスタ、あるいはＳｉＣまたはＧａＮを用いたパワー素子があげられる。
電子部品４０は、不図示の接合材によって電気回路基板１０の金属板２に接合されて固定される。接合材は、例えば、はんだまたは銀ナノペーストを用いることができる。金属板２の表面に部分的に金属皮膜を設ける場合は、平面視での電子部品４０の大きさが金属皮膜の大きさより小さいと、電子部品４０の側面から金属皮膜の上面にかけて接合材のフィレットが形成されるので、電子部品４０の金属板２（金属皮膜）への接合強度を高めることができる。また、金属皮膜の表面は接合材によって覆われて露出しないので、後述する封止樹脂５０の接合性が向上する。
ボンディングワイヤー４１は、電子部品４０の端子電極（不図示）と金属板２とを電気的に接続する、接続部材である。ボンディングワイヤー４１としては、例えば、金もしくはアルミニウム製のものを用いることができる。
図６Ａに示す例のパワーモジュール１０１は、図１Ａ，図１Ｂ，図２Ａおよび図２Ｂに示す例の電気回路基板１０を用いたパワーモジュールである。この例では電気回路基板１０の上面から下面の外周部にかけて封止樹脂５０で覆われて、電子部品４０が封止されているものである。封止樹脂５０は、セラミック基板（１）の下面に接合された金属板２（１２３）の主面（下面）は覆っていない。そのため、放熱板として機能する金属板２（１２３）を外部の放熱体等に直接に熱的に接続することができるので、放熱性に優れたパワーモジュール１０１とすることができる。また、端子として機能する金属板２（１２２）は、絶縁基板１からはみ出す長さであり、封止樹脂５０からもはみ出している。これによって、端子として機能する金属板２（１２２）と外部の電気回路との電気的に接続が容易に可能となっている。
封止樹脂５０には、熱伝導性、絶縁性、耐環境性および封止性の点から、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、イミド樹脂などの熱硬化性樹脂を使用することができる。
図６Ｂに示す例のパワーモジュール１０２は、図５Ａおよび図５Ｂに示す例のパワーモジュール１００における電気回路基板１０と同様の電気回路基板１０を用いたパワーモジュールである。この例では、電気回路基板１０が内側空間を有する筐体６０の内部空間に配置され、内部空間に封止樹脂５０が充填されて電子部品４０および電気回路基板１０が封止されている。
図５Ａおよび図５Ｂ、図６Ａならびに図６Ｂに示す例のように、電子部品４０、金属板２および絶縁基板１を覆う封止樹脂５０を備えるパワーモジュール１０１，１０２とすることができる。封止樹脂５０によって電子部品４０の耐環境性が向上し、また隣接する金属板１２１，１２２間の絶縁性が向上したものとなる。
筐体６０は、枠体６１と、この枠体６１の一方の開口を塞ぐ放熱板６２とで構成されており、枠体６１と放熱板６２とで囲まれた空間が内側空間となる。また、内側空間から筐体６０の枠体６１を貫通して外部へ導出されたリード端子６３を備えている。そして、リード端子６３の内部空間内の端部と電気回路基板１０の金属板２とがボンディングワイヤー４１で接続されている。これにより、電子部品４０と外部の電気回路とが電気的に接続可能となっている。
枠体６１は、樹脂材料、金属材料またはこれらの混合材料からなり、放熱板６２により一方の開口が塞がれて電気回路基板１０を収納する内側空間を形成している。枠体６１に用いられる材料としては、放熱性、耐熱性、耐環境性および軽量性の点から、銅、アルミニウムなどの金属材料またはポリブチルテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリフェニレンサルファイト（ＰＰＳ）などの樹脂材料を使用することができる。これらの中でも、入手しやすさの点から、ＰＢＴ樹脂を用いることが望ましい。また、ＰＢＴ樹脂には、ガラス繊維を添加して繊維強化樹脂とすることが、機械的強度が増大するので好ましい。
リード端子６３は、内側空間から枠体６１を貫通して外部へ導出するように取り付けられている、導電性の端子である。このリード端子６３の内側空間側の端部は電気回路基板１０の金属板２と電気的に接続され、外部側の端部は外部の電気回路（図示せず）または電源装置（図示せず）などと電気的に接続される。このリード端子６３には、導電性端子に用いられる各種の金属材料、例えばＣｕおよびＣｕ合金、ＡｌおよびＡｌ合金、ＦｅおよびＦｅ合金、ステンレススチール（ＳＵＳ）等を用いることができる。
放熱板６２は、動作時に電子部品４０で生じた熱を、パワーモジュール１０２の外部に放熱するためのものである。この放熱板６２には、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｕ－Ｗなどの高熱伝導性材料を使用することができる。特に、ＡｌはＦｅなどの一般的な構造材料としての金属材料と比べて熱伝導性が高く、電子部品４０で生じた熱をより効率的にパワーモジュール１０２の外部に放熱できるので、電子部品４０を安定して正常に動作させることが可能となる。また、ＡｌはＣｕあるいはＣｕ－Ｗなどの他の高熱伝導性材料と比較して、入手しやすく安価であることから、パワーモジュール１０２の低コスト化にも有利になる点で優れている。
放熱板６２と電気回路基板１０の金属板２（１２３）とは、不図示の伝熱性接合材で熱的に接続されている。伝熱性接合材としては、ろう材を用いて熱的に接続するとともに機械的に強固に接合してもよく、グリスなどで熱的に接続し、機械的には比較的弱く接合してもよく、さらに後述のように封止樹脂５０によって接合してもよい。
封止樹脂５０は、内側空間に充填され、電気回路基板１０に搭載された電子部品４０を封止して保護するものである。電気回路基板１０と放熱板６２との機械的な接合と内側空間の封止とを同じ封止樹脂５０で行なってもよい。この場合、電気回路基板１０と放熱板６２との機械的な強固な接合と樹脂封止とを同一工程で行うことができる。
パワーモジュール１０２は、さらに放熱特性を向上させるために、放熱板６２の、電気回路基板１０が接合されている側とは反対側の露出した面に、伝熱性接合材７１を介して冷却器７０を接合してもよい。この伝熱性接合材７１は上記した、放熱板６２と電気回路基板１０の金属板２（１２３）とを接続する伝熱性接合材と同様のものを用いることができる。図６Ｂに示す例では、冷却器７０は金属等のブロック体に水等の冷媒を通過させる流路を設けたものを示しているが、これ以外の、例えば冷却フィンであってもよい。このような冷却器７０は、図５Ａおよび図５Ｂならびに図６Ａに示す例のパワーモジュール１００，１０１にも適用することができ、電気回路基板１０の金属板２（１２３）に接続すればよい。この場合は、平板状のもの、すなわち図６Ｂに示す放熱板６２だけを冷却器７０として適用することもできる。
以上のようなパワーモジュールにおいて、電子部品４０、金属板２および絶縁基板１その他を覆う封止樹脂５０は、図７に示すように凹部２１ａに入り込んで金属板２の側面２１にも接合している。
凹部２１ａに封止樹脂５０が入り込むので、封止樹脂５０の接着性が向上する。これにより、封止樹脂５０の高温での剥離が抑制されるので、耐熱性が向上する。
以上本開示の実施形態を説明したが、この実施形態は、例として示したものであり、この他の様々な形態で実施が可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、構成要素の省略、置き換え、変更を行うことができる。
以上の実施形態では、金属板２を絶縁基板１の両面に設置したが、金属板２を絶縁基板１の片面にのみ設置した電気回路基板を実施してもよい。また、電気回路基板１０は、いわゆる多数個取りの形態で作製してこれを分割することで作製することもできる。多数個取りの電気回路基板は、電気回路基板１０の絶縁基板１となる基板領域を複数有する大型の絶縁基板を準備し、上記した方法で各基板領域上に金属板２を形成することで作製することができる。パターン形成方法（Ｂ）の場合は、大型の金属板として、大型の絶縁基板と同程度の大きさの金属板を用いることができる。
本開示は、電気回路基板及びパワーモジュールに利用することができる。
１ 絶縁基板
２ 金属板
３ ろう材
３Ｃ ろう材側面の銅
１０ 電気回路基板
２１ 金属板の側面
２１ａ 凹部
２１ｂ 筋目
３３ ろう材の側面
４０ 電子部品
４１ ボンディングワイヤー
５０ 封止樹脂
１００ パワーモジュール
１０１ パワーモジュール
１０２ パワーモジュール

Claims (5)

  1. 絶縁基板と、金属板と、前記絶縁基板と前記金属板とを接合しているろう材とを備え、
    前記金属板の側面に凹部が点在しており、
    前記ろう材の側面は前記金属板の側面に連続しており、前記ろう材の側面と前記金属板の側面とで一つの凹曲面状を成している電気回路基板。
  2. 前記金属板の側面は、前記凹部の周囲の表面に筋目を有する請求項１に記載の電気回路基板。
  3. 前記金属板は、銅又は銅合金である請求項１または請求項２に記載の電気回路基板。
  4. 前記ろう材は銀―銅合金ろうであり、
    該銀―銅合金ろうの銅の成分比率より高い比率で、前記ろう材の側面に銅がある請求項３に記載の電気回路基板。
  5. 請求項１から請求項４のうちいずれか一に記載の電気回路基板と、
    該電気回路基板の前記金属板上に搭載された電子部品と、
    前記電子部品、前記金属板および前記絶縁基板を覆う封止樹脂と、を備え、
    前記封止樹脂が前記凹部に入り込んで前記金属板の側面に接合しているパワーモジュール。
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