JP7219140B2 - 成膜方法 - Google Patents
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- 真空成膜室内で基板に対向させて、複数枚のターゲットを一方向に沿って所定間隔で並設し、真空成膜室内にスパッタガスを導入し、各ターゲットに電力投入して各ターゲットをスパッタリングすることで基板表面に金属酸化物膜を成膜する成膜方法であって、
ターゲットの並設方向をX軸方向として、スパッタリングによる成膜中、ターゲットに対して基板をX軸方向に所定のストロークで相対往復動させるものにおいて、
ストロークは、隣接するターゲットの中心間距離の2倍以上となるように設定されることを特徴とする成膜方法。 - 前記金属酸化物膜は、IGZO膜であることを特徴とする請求項1に記載の成膜方法。
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WO2012077298A1 (ja) | 2010-12-06 | 2012-06-14 | シャープ株式会社 | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
JP2012184511A (ja) | 2007-03-01 | 2012-09-27 | Ulvac Japan Ltd | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
JP2017133065A (ja) | 2016-01-27 | 2017-08-03 | 株式会社アルバック | 成膜方法 |
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