JP7210978B2 - ネガ型感光性樹脂組成物および半導体装置 - Google Patents
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Description
膜形成用のネガ型感光性樹脂組成物であって、
エポキシ樹脂と、
フェノキシ樹脂と、
光酸発生剤と、
下記一般式(1)で表される芳香族スルホニウム塩を含む熱酸発生剤と、
を含む、ネガ型感光性樹脂組成物が提供される。
R1は水素原子、メトキシカルボニル基、アセチル基、ベンゾイル基のいずれか示し、
R2は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1~4のアルキル基のいずれかを示し、
R3は炭素数1~4のアルキル基、炭素数1~4のアルキル基で置換もしくは無置換のベンジル基またはα-ナフチルメチル基のいずれかを示し、
R4は炭素数1~4のアルキル基を示す。
XはSbF6、PF6、AsF6、BF4、CF3SO3、(CF3SO2)2N、B(C6F5)4のいずれかを示す。)
半導体チップと、
半導体チップの表面上に設けられた再配線層と、を備えており、
前記再配線層中の絶縁層が、上記のネガ型感光性樹脂組成物の硬化物で構成される、半導体装置が提供される。
本実施形態の感光性樹脂組成物は、エポキシ樹脂と、フェノキシ樹脂と、光酸発生剤と、所定の芳香族スルホニウム塩を含む熱酸発生剤と、膜形成用のネガ型感光性樹脂組成物である。
(エポキシ樹脂)
本実施形態の感光性樹脂組成物は、エポキシ樹脂を含む。これにより、感光性樹脂組成物の樹脂膜における膜物性や加工性を高めることができる。
上記エポキシ樹脂としては、たとえば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ナフタレン骨格型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールAジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールFジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、ビスフェノールSジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、芳香族多官能エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂、脂肪族多官能エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、多官能脂環式エポキシ樹脂などが挙げられる。エポキシ樹脂は、単独で用いても複数組み合わせて用いてもよい。
本実施形態の感光性樹脂組成物は、フェノキシ樹脂を含む。これにより、感光性樹脂組成物の樹脂膜の可撓性を高めることができる。
本実施形態の感光性樹脂組成物は、光酸発生剤を含む。これにより感度や解像度などパターニング時における加工性を高めることができる。
本実施形態の感光性樹脂組成物は、光酸発生剤から発生した酸を触媒として利用する化学増幅型感光性樹脂組成物であり、ネガ型感光性樹脂組成物として用いることができる。
本明細書中、「~」は、特に明示しない限り、上限値と下限値を含むことを表す。
R1は水素原子、メトキシカルボニル基、アセチル基、ベンゾイル基のいずれか示し、
R2は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1~4のアルキル基のいずれかを示し、
R3は炭素数1~4のアルキル基、炭素数1~4のアルキル基で置換もしくは無置換のベンジル基またはα-ナフチルメチル基のいずれかを示し、
R4は炭素数1~4のアルキル基を示す。
XはSbF6、PF6、AsF6、BF4、CF3SO3、(CF3SO2)2N、B(C6F5)4のいずれかを示す。
本実施形態の感光性樹脂組成物は、界面活性剤を含むことができる。界面活性剤を含むことにより、塗工時における濡れ性を向上させ、均一な樹脂膜そして硬化膜を得ることができる。界面活性剤は、たとえば、フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、アルキル系界面活性剤、およびアクリル系界面活性剤等が挙げられる。
本実施形態の感光性樹脂組成物は、密着助剤を含むことができる。これにより、無機材料との密着性を一層向上させることができる。
エポキシ基含有カップリング剤としては、例えばγ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ-グリシジルプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
アクリル基含有カップリング剤またはメタクリル基含有カップリング剤としては、例えばγ-(メタクリロキシプロピル)トリメトキシシラン、γ-(メタクリロキシプロピル)メチルジメトキシシラン、γ-(メタクリロキシプロピル)メチルジエトキシシラン等が挙げられる。
メルカプト基含有カップリング剤としては、例えば3-メルカプトプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
ビニル基含有カップリング剤としては、例えばビニルトリス(β-メトキシエトキシ)シラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン等が挙げられる。
ウレイド基含有カップリング剤としては、例えば3-ウレイドプロピルトリエトキシシラン等が挙げられる。
スルフィド基含有カップリング剤としては、例えばビス(3-(トリエトキシシリル)プロピル)ジスルフィド、ビス(3-(トリエトキシシリル)プロピル)テトラスルフィド等が挙げられる。
酸無水物含有カップリング剤としては、例えば3-トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物、3-トリエトキシシシリルプロピルコハク酸無水物、3-ジメチルメトキシシリルプロピルコハク酸無水物等が挙げられる。
本実施形態の感光性樹脂組成物には、上記の成分に加えて、必要に応じて、その他の添加剤が添加されていてもよい。その他の添加剤としては、例えば、酸化防止剤、シリカ等の充填材、増感剤、フィルム化剤等が挙げられる。
本実施形態の感光性樹脂組成物は、溶剤を含むことができる。溶剤として、有機溶剤を含むことができる。上記有機溶剤としては、感光性樹脂組成物の各成分を溶解可能なもので、且つ、各構成成分と化学反応しないものであれば特に制限なく用いることができる。
(1)当該ネガ型感光性樹脂組成物を、直径8インチのシリコンウエハー上に、スピンコートによって乾燥後膜厚が8μmになるように塗布し、大気中で、100℃で3分乾燥して感光性樹脂膜を形成する。
(2)上記(1)で得られた感光性樹脂膜に対して、i線ステッパーを用いて、600mJ/cm2で全面露光する。続いて、ホットプレートを用いて、大気中で、70℃、5分、露光後加熱する。
(3)上記(2)で得られた感光性樹脂膜に対して、窒素雰囲気下、170℃で180分加熱処理して硬化膜Aを得る。また、上記(2)で得られた感光性樹脂膜に対して、窒素雰囲気下、230℃で180分加熱処理して硬化膜Bを得る。
(4)上記(1)で得られた感光性樹脂膜のIRスペクトルにおいて、エポキシ基に由来する910cm-1付近のピーク高さをPOとし、上記(3)で得られた硬化膜AのIRスペクトルにおいて、エポキシ基に由来する910cm-1付近のピーク高さをPAとし、硬化膜BのIRスペクトルにおいて、エポキシ基に由来する910cm-1付近のピーク高さをPBとしたとき、170℃における硬化率(%)を、式:[1-((PA-PB)/(PO-PB))]×100に基づいて算出する。
図2に示す貫通電極基板2が備える下層配線層24および上層配線層25は、それぞれ絶縁層、配線層および貫通配線等を含んでいる。これにより、下層配線層24および上層配線層25は、内部や表面に配線を含むとともに、絶縁層21を貫通する貫通配線221を介して相互の電気的接続が図られる。
次に、図1に示す半導体装置1を製造する方法について説明する。
まず、図4(a)に示すように、基板202と、基板202上に設けられた半導体チップ23および貫通配線221、222と、これらを埋め込むように設けられた絶縁層21と、を備えるチップ埋込構造体27を用意する。
次に、絶縁層21上および半導体チップ23上に、上層配線層25を形成する。
まず、図4(b)に示すように、絶縁層21上および半導体チップ23上に感光性樹脂ワニス5を塗布する(配置する)。これにより、図4(c)に示すように、感光性樹脂ワニス5の液状被膜が得られる。感光性樹脂ワニス5については、本実施形態の感光性樹脂組成物であって、感光性を有するワニスである。
次に、感光性樹脂層2510に露光処理を施す。
その後、必要に応じて、感光性樹脂層2510に露光後加熱処理を施す。
次に、感光性樹脂層2510に現像処理を施す。これにより、マスク412の遮光部に対応した領域に、感光性樹脂層2510を貫通する開口部423が形成される(図5(e)参照)。
現像液としては、例えば、有機系現像液、水溶性現像液等が挙げられる。
現像処理の後、感光性樹脂層2510に対して硬化処理(現像後加熱処理)を施す。硬化処理の条件は、特に限定されないが、160~250℃程度の加熱温度で、30~240分程度の加熱時間とされる。これにより、半導体チップ23に対する熱影響を抑えつつ、感光性樹脂層2510を硬化させ、有機絶縁層251を得ることができる。
次に、有機絶縁層251上に配線層253を形成する(図5(f)参照)。配線層253は、例えばスパッタリング法、真空蒸着法等の気相成膜法を用いて金属層を得た後、フォトリソグラフィー法およびエッチング法によりパターニングされることによって形成される。
次に、図5(g)に示すように、第1樹脂膜配置工程S20と同様にして感光性樹脂層2520を得る。感光性樹脂層2520は、配線層253を覆うように配置される。
次に、感光性樹脂層2520に露光処理を施す。処理条件は、例えば第1露光工程S21で記載した条件とされる。
次に、感光性樹脂層2520に現像処理を施す。処理条件は、例えば第1現像工程S22で記載した条件とされる。これにより、感光性樹脂層2510、2520を貫通する開口部424が形成される(図5(h)参照)。
現像処理の後、感光性樹脂層2520に対して硬化処理(現像後加熱処理)を施す。硬化条件は、例えば第1硬化工程S23で記載した条件とされる。これにより、感光性樹脂層2520を硬化させ、有機絶縁層252を得る(図6(i)参照)。
次に、開口部424に対し、図6(i)に示す貫通配線254を形成する。
なお、貫通配線254の形成箇所は、図示の位置に限定されない。
次に、図6(j)に示すように、基板202を剥離する。これにより、絶縁層21の下面が露出することとなる。
次に、図6(k)に示すように、絶縁層21の下面側に下層配線層24を形成する。下層配線層24は、いかなる方法で形成されてもよく、例えば上述した上層配線層形成工程S2と同様にして形成されてもよい。
次に、図6(L)に示すように、下層配線層24に半田バンプ26を形成する。また、上層配線層25や下層配線層24には、必要に応じてソルダーレジスト層のような保護膜を形成するようにしてもよい。
以上のようにして、貫通電極基板2が得られる。
次に、個片化した貫通電極基板2上に半導体パッケージ3を配置する。これにより、図1に示す半導体装置1が得られる。
次に、実施形態に係る半導体装置の変形例について説明する。
まず、第1変形例について説明する。
図7は、実施形態に係る半導体装置の第1変形例を示す部分拡大断面図である。
以下、第1変形例について説明するが、以下の説明では、図1、2に示す実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。なお、図1、2と同様の構成については、図7において同じ符号を付している。
次に、第2変形例について説明する。
図8は、実施形態に係る半導体装置の第2変形例を示す部分拡大断面図である。
以下、第2変形例について説明するが、以下の説明では、図1、2に示す実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。なお、図1、2と同様の構成については、図8において同じ符号を付している。
本実施形態に係る電子装置は、前述した本実施形態に係る半導体装置を備えている。
以下、参考形態の例を付記する。
1. 膜形成用のネガ型感光性樹脂組成物であって、
エポキシ樹脂と、
フェノキシ樹脂と、
光酸発生剤と、
下記一般式(1)で表される芳香族スルホニウム塩を含む熱酸発生剤と、
を含む、ネガ型感光性樹脂組成物。
(上記一般式(1)中、
R 1 は水素原子、メトキシカルボニル基、アセチル基、ベンゾイル基のいずれか示し、
R 2 は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1~4のアルキル基のいずれかを示し、
R 3 は炭素数1~4のアルキル基、炭素数1~4のアルキル基で置換もしくは無置換のベンジル基またはα-ナフチルメチル基のいずれかを示し、
R 4 は炭素数1~4のアルキル基を示す。
XはSbF 6 、PF 6 、AsF 6 、BF 4 、CF 3 SO 3 、(CF 3 SO 2 ) 2 N、B(C 6 F 5 ) 4 のいずれかを示す。)
2. 1.に記載のネガ型感光性樹脂組成物であって、
前記熱酸発生剤が、上記一般式(1)におけるXがBF 4 またはB(C 6 F 5 ) 4 を示すスルホニウム塩ボレート塩を含む、ネガ型感光性樹脂組成物。
3. 1.または2.に記載のネガ型感光性樹脂組成物であって、
前記熱酸発生剤の含有量は、前記エポキシ樹脂100質量%に対して、0.1質量%以上3質量%以下である、ネガ型感光性樹脂組成物。
4. 1.~3.のいずれか一つに記載のネガ型感光性樹脂組成物であって、
前記フェノキシ樹脂の重量平均分子量が、10000以上100000以下である、ネガ型感光性樹脂組成物。
5. 1.~4.のいずれか一つに記載のネガ型感光性樹脂組成物であって、
下記の手順で測定された170℃における硬化率が97%以上である、ネガ型感光性樹脂組成物。
(手順)
(1)当該ネガ型感光性樹脂組成物を、直径8インチのシリコンウエハー上に、スピンコートによって乾燥後膜厚が8μmになるように塗布し、大気中で、100℃で3分乾燥して感光性樹脂膜を形成する。
(2)上記(1)で得られた感光性樹脂膜に対して、i線ステッパーを用いて、600mJ/cm 2 で全面露光する。続いて、ホットプレートを用いて、大気中で、70℃、5分、露光後加熱する。
(3)上記(2)で得られた感光性樹脂膜に対して、窒素雰囲気下、170℃で180分加熱処理して硬化膜Aを得る。また、上記(2)で得られた感光性樹脂膜に対して、窒素雰囲気下、230℃で180分加熱処理して硬化膜Bを得る。
(4)上記(1)で得られた感光性樹脂膜のIRスペクトルを、フーリエ変換赤外分光分析測定(FT-IR)を用いて測定し、エポキシ基に由来する910cm -1 付近のピーク高さをP O とし、上記(3)で得られた硬化膜AのIRスペクトルにおいて、エポキシ基に由来する910cm -1 付近のピーク高さをP A とし、硬化膜BのIRスペクトルにおいて、エポキシ基に由来する910cm -1 付近のピーク高さをP B としたとき、170℃における硬化率(%)を、式:[1-((P A -P B )/(P O -P B ))]×100に基づいて算出する。
6. 1.~5.のいずれか一つに記載のネガ型感光性樹脂組成物であって、
当該ネガ型感光性樹脂組成物を、窒素雰囲気下、170℃で180分加熱処理して得られた硬化膜の、150℃から250℃の範囲において算出した平面方向の平均線膨張係数(α2)が、200ppm/℃以下である、ネガ型感光性樹脂組成物。
7. 1.~6.のいずれか一つに記載のネガ型感光性樹脂組成物であって、
界面活性剤を含む、ネガ型感光性樹脂組成物。
8. 1.~7.のいずれか一つに記載のネガ型感光性樹脂組成物であって、
密着助剤を含む、ネガ型感光性樹脂組成物。
9. 1.~8.のいずれか一つに記載のネガ型感光性樹脂組成物であって、
溶剤を含む、ネガ型感光性樹脂組成物。
10. 1.~9.のいずれか一つに記載のネガ型感光性樹脂組成物であって、
当該ネガ型感光性樹脂組成物の25℃における粘度が、10cP以上6000cP以下である、ネガ型感光性樹脂組成物。
11. 1.~10.のいずれか一つに記載のネガ型感光性樹脂組成物であって、
当該ネガ型感光性樹脂組成物の硬化膜を、再配線層の絶縁層を構成するために用いる、ネガ型感光性樹脂組成物。
12. 半導体チップと、
半導体チップの表面上に設けられた再配線層と、を備えており、
前記再配線層中の絶縁層が、1.~11.のいずれか一つに記載のネガ型感光性樹脂組成物の硬化物で構成される、半導体装置。
表1に従い配合された各成分の原料をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)に溶解させて混合溶液を得た。その後、混合溶液を0.2μmのポリプロピレンフィルターで濾過し、25℃で、粘度が約100cPのワニス状の感光性樹脂組成物を得た。感光性樹脂組成物の粘度は、コーンプレート型粘度計(TV-25、東機産業製)を用いて回転速度100rpmと設定して測定した。
(エポキシ樹脂)
・エポキシ樹脂1:エポキシ樹脂1:以下構造で表される多官能エポキシ樹脂(日本化薬社製 EPPN201、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、25℃で固形、n=約5)
・フェノキシ樹脂1:ビスフェノールA型フェノキシ樹脂(jER1256 三菱化学株式会社製、Mw:約50,000))
・光酸発生剤1:トリアリールスルホニウムボレート塩(サンアプロ社製、CPI-310B)
・界面活性剤1:含フッ素基・親油性基含有オリゴマー(R-41、DIC社製)
・シランカップリング剤1:下記化学式で表される3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(KBM-403、信越化学社製)
・溶剤1:プロピルグリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)
(1)得られたネガ型感光性樹脂組成物を、直径8インチのシリコンウエハー上に、スピンコートによって乾燥後膜厚が8μmになるように塗布し、大気中で、100℃で3分乾燥して感光性樹脂膜を形成した。
(2)上記(1)で得られた感光性樹脂膜に対して、i線ステッパーを用いて、600mJ/cm2で全面露光する。続いて、ホットプレートを用いて、大気中で、70℃、5分、露光後加熱した。
(3)上記(2)で得られた感光性樹脂膜に対して、窒素雰囲気下、170℃で180分加熱処理して硬化膜Aを得た。また、上記(2)で得られた感光性樹脂膜に対して、窒素雰囲気下、230℃で180分加熱処理して硬化膜Bを得た。
(4)上記(1)で得られた感光性樹脂膜のIRスペクトルを、フーリエ変換赤外分光分析測定(FT-IR)を用いて測定し、エポキシ基に由来する910cm-1付近のピーク高さをPOとし、上記(3)で得られた硬化膜AのIRスペクトルにおいて、エポキシ基に由来する910cm-1付近のピーク高さをPAとし、硬化膜BのIRスペクトルにおいて、エポキシ基に由来する910cm-1付近のピーク高さをPBとしたとき、170℃における硬化率(%)を、式:[1-((PA-PB)/(PO-PB))]×100に基づいて算出した。結果を表1に示す。
得られたネガ型感光性樹脂組成物を、窒素雰囲気下、170℃で180分加熱処理してサンプル硬化膜を得た。得られたサンプル硬化膜について、TMA(Thermal Mechanical Analyzer)試験装置(セイコーインスツル株式会社製、製品番号:EXSTAR6000 TMA/SS6100)を用いて、昇温速度5℃/分、荷重30N、引張モード、測定範囲温度:150℃から250℃の条件で、熱機械分析(TMA)を2サイクル測定した。得られた結果から、150℃~250℃の範囲における平面方向(XY方向)の線膨張係数(α2)の平均値を算出した。なお、線膨脹係数(ppm/℃)は、2サイクル目の値を採用した。結果を表1に示す。
(1)得られたネガ型感光性樹脂組成物を、直径8インチのシリコンウエハー上に、スピンコートによって乾燥後膜厚が8μmになるように塗布し、大気中で、100℃で3分乾燥して感光性樹脂膜を形成した。
(2)上記(1)で得られた感光性樹脂膜に対して、i線ステッパーを用いて、20mJ/cm2~1240mJ/cm2でステップ露光する。続いて、ホットプレートを用いて、大気中で、70℃、5分、露光後加熱した。続いて、スプレー現像機を用いて、PGMEAで、大気中で、20秒現像し、パターニングを行った。
(3)上記(2)で得られた感光性樹脂膜に対して、窒素雰囲気下、170℃で180分加熱処理して硬化膜を得た。
(4)上記(1)で得られた感光性樹脂膜のパターニングの内、7μmマスク個所に該当する四角ビアの断面をSEM観察し、7μmのCD(Critical Dimension)である露光量(mJ/cm2)をEopとした。
(1)得られたネガ型感光性樹脂組成物を、窒素雰囲気下、170℃で180分加熱処理してサンプル硬化膜Aを得た。また、窒素雰囲気下、230℃で180分加熱処理してサンプル硬化膜Bを得た。得られたサンプル硬化膜A、Bのそれぞれについて、窒素雰囲気下、260℃で5分の加熱処理を10回行った。
(2)上記(1)で得られたサンプル硬化膜A、Bのそれぞれについて、TMA(Thermal Mechanical Analyzer)試験装置(セイコーインスツル株式会社製、製品番号:EXSTAR6000 TMA/SS6100)を用いて、昇温速度5℃/分、荷重30N、引張モード、測定範囲温度:150℃から250℃の条件で、熱機械分析(TMA)を2サイクル測定した。得られた結果から、150℃~250℃の範囲における平面方向(XY方向)の線膨張係数(α2)の平均値を算出し、リフロー後のサンプル硬化膜Bの線膨張係数(α2)に対して、リフロー後のサンプル硬化膜Aの線膨張係数(α2)の比が10%未満である場合を○、10%以上50%未満である場合を△とした。
1A 半導体装置
1B 半導体装置
2 貫通電極基板
3 半導体パッケージ
5 感光性樹脂ワニス
21 絶縁層
23 半導体チップ
24 下層配線層
24A 下層配線層
24B 下層配線層
25 上層配線層
26 半田バンプ
27 チップ埋込構造体
31 パッケージ基板
32 半導体チップ
33 ボンディングワイヤー
34 封止層
35 半田バンプ
202 基板
221 貫通配線
222 貫通配線
231 ランド
240 有機絶縁層
241 有機絶縁層
242 有機絶縁層
243 配線層
245 バンプ密着層
251 有機絶縁層
252 有機絶縁層
253 配線層
254 貫通配線
412 マスク
423 開口部
424 開口部
2510 感光性樹脂層
2520 感光性樹脂層
S1 チップ配置工程
S2 上層配線層形成工程
S20 第1樹脂膜配置工程
S21 第1露光工程
S22 第1現像工程
S23 第1硬化工程
S24 配線層形成工程
S25 第2樹脂膜配置工程
S26 第2露光工程
S27 第2現像工程
S28 第2硬化工程
S29 貫通配線形成工程
S3 基板剥離工程
S4 下層配線層形成工程
S5 半田バンプ形成工程
S6 積層工程
W 直径
Claims (11)
- 膜形成用のネガ型感光性樹脂組成物であって、
エポキシ樹脂と、
フェノキシ樹脂と、
光酸発生剤と、
下記一般式(1)で表される芳香族スルホニウム塩を含む熱酸発生剤と、を含み、
前記熱酸発生剤が、上記一般式(1)におけるXがBF 4 またはB(C 6 F 5 ) 4 を示すスルホニウム塩ボレート塩を含む、
ネガ型感光性樹脂組成物。
R1は水素原子、メトキシカルボニル基、アセチル基、ベンゾイル基のいずれか示し、
R2は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1~4のアルキル基のいずれかを示し、
R3は炭素数1~4のアルキル基、炭素数1~4のアルキル基で置換もしくは無置換のベンジル基またはα-ナフチルメチル基のいずれかを示し、
R4は炭素数1~4のアルキル基を示す。
XはSbF6、PF6、AsF6、BF4、CF3SO3、(CF3SO2)2N、B(C6F5)4のいずれかを示す。) - 請求項1に記載のネガ型感光性樹脂組成物であって、
前記熱酸発生剤の含有量は、前記エポキシ樹脂100質量%に対して、0.1質量%以上3質量%以下である、ネガ型感光性樹脂組成物。 - 請求項1または2に記載のネガ型感光性樹脂組成物であって、
前記フェノキシ樹脂の重量平均分子量が、10000以上100000以下である、ネガ型感光性樹脂組成物。 - 請求項1~3のいずれか一項に記載のネガ型感光性樹脂組成物であって、
下記の手順で測定された170℃における硬化率が97%以上である、ネガ型感光性樹脂組成物。
(手順)
(1)当該ネガ型感光性樹脂組成物を、直径8インチのシリコンウエハー上に、スピンコートによって乾燥後膜厚が8μmになるように塗布し、大気中で、100℃で3分乾燥して感光性樹脂膜を形成する。
(2)上記(1)で得られた感光性樹脂膜に対して、i線ステッパーを用いて、600mJ/cm2で全面露光する。続いて、ホットプレートを用いて、大気中で、70℃、5分、露光後加熱する。
(3)上記(2)で得られた感光性樹脂膜に対して、窒素雰囲気下、170℃で180分加熱処理して硬化膜Aを得る。また、上記(2)で得られた感光性樹脂膜に対して、窒素雰囲気下、230℃で180分加熱処理して硬化膜Bを得る。
(4)上記(1)で得られた感光性樹脂膜のIRスペクトルを、フーリエ変換赤外分光分析測定(FT-IR)を用いて測定し、エポキシ基に由来する910cm-1付近のピーク高さをPOとし、上記(3)で得られた硬化膜AのIRスペクトルにおいて、エポキシ基に由来する910cm-1付近のピーク高さをPAとし、硬化膜BのIRスペクトルにおいて、エポキシ基に由来する910cm-1付近のピーク高さをPBとしたとき、170℃における硬化率(%)を、式:[1-((PA-PB)/(PO-PB))]×100に基づいて算出する。 - 請求項1~4のいずれか一項に記載のネガ型感光性樹脂組成物であって、
当該ネガ型感光性樹脂組成物を、窒素雰囲気下、170℃で180分加熱処理して得られた硬化膜の、150℃から250℃の範囲において算出した平面方向の平均線膨張係数(α2)が、200ppm/℃以下である、ネガ型感光性樹脂組成物。 - 請求項1~5のいずれか一項に記載のネガ型感光性樹脂組成物であって、
界面活性剤を含む、ネガ型感光性樹脂組成物。 - 請求項1~6のいずれか一項に記載のネガ型感光性樹脂組成物であって、
密着助剤を含む、ネガ型感光性樹脂組成物。 - 請求項1~7のいずれか一項に記載のネガ型感光性樹脂組成物であって、
溶剤を含む、ネガ型感光性樹脂組成物。 - 請求項1~8のいずれか一項に記載のネガ型感光性樹脂組成物であって、
当該ネガ型感光性樹脂組成物の25℃における粘度が、10cP以上6000cP以下である、ネガ型感光性樹脂組成物。 - 請求項1~9のいずれか一項に記載のネガ型感光性樹脂組成物であって、
当該ネガ型感光性樹脂組成物の硬化膜を、再配線層の絶縁層を構成するために用いる、ネガ型感光性樹脂組成物。 - 半導体チップと、
半導体チップの表面上に設けられた再配線層と、を備えており、
前記再配線層中の絶縁層が、請求項1~10のいずれか一項に記載のネガ型感光性樹脂組成物の硬化物で構成される、半導体装置。
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