JP7208491B2 - 発光装置の製造方法及び発光装置 - Google Patents
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Description
本発明の第1実施形態に係る発光装置について図1Aから図2Cを参照して説明する。
発光装置100は、光取出面201と、光取出面201の反対側に位置する電極形成面203とを有する半導体積層体23と、電極形成面203に位置する一対の素子電極21,22と、を備える発光素子20と、素子電極21,22の下面を被覆する半田60と、電極形成面203及び半田60の側面を被覆する第1反射部材30と、半田60の下面及び第1反射部材30の下面を被覆する外部接続電極71,72と、を備えている。なお、発光装置100は、第1導光部材40或いは透光性部材50を備えることとしてもよい。
以下、発光装置100の各構成について説明する。
発光素子20は、電圧を印加することで自ら発光する半導体素子である。発光素子20は、発光装置100では、1つ場合について説明するが複数で用いられてもよい。この発光素子20は、窒化物半導体等から構成される既知の半導体素子を使用することができる。
発光素子20は、素子基板24及び素子基板24に積層される半導体積層体23と、半導体積層体23に設けられた一対の素子電極21,22とを備えている。発光素子20は、ここでは、素子基板24の上面を光取出面201とし、光取出面201の反対側に位置する半導体積層体23の下面を電極形成面203としている。
発光素子20としては、例えばLEDチップが挙げられる。発光素子20は、少なくとも半導体積層体23を備え、多くの場合に素子基板24をさらに備える。また、発光素子20は、素子電極21,22を有し、素子電極21,22が、金、銀、銅、錫、白金、ロジウム、チタン、アルミニウム、タングステン、パラジウム、ニッケル又はこれらの合金で構成することができる。半導体材料としては、窒化物半導体を用いることが好ましい。窒化物半導体は、主として一般式InxAlyGa1-x-yN(0≦x、0≦y、x+y≦1)で表される。
半田60は、発光素子20の素子電極21,22の側面及び下面を被覆するように形成されている。半田60は、発光素子20の素子電極21,22と共に外部接続電極71,72に電気的に接続する部材である。半田60の材料としては、錫-ビスマス系、錫-銅系、錫-銀系、金-錫系などの公知の材料を用いることができる。
また、半田60は、電極形成面203から外部接続電極71,72に向かって半田の下面の面積が大きくなるように素子電極21,22の側面及び下面に形成されている。そして、半田60は、素子電極21,22の側面の50%以上、或いは、素子電極21,22の側面の全てを覆うように形成されることが望ましい。素子電極21,22の側面に半田60が形成されていることで、発光装置100と実装基板とを接合する接合部材が、素子電極21,22と第1反射部材30との間から侵入することを抑制できる。これにより、半導体積層体23の劣化を防止することができる。また、上面視において、半田60が素子電極21,21を囲むように形成されることが望ましい。なお、上面視とは、発光素子20の上面に対して実質的に垂直な方向から見た場合を指す。
また、半田60は、ここでは、最終的な装置の構成となったときには除去されている支持体10の金属部材12,13(図5A参照)に素子電極21,22が接続されるときに用いられる。そのため、最終的な発光装置100としての構成では、支持体10が除去されて、半田60が素子電極21,22の側面(側周面)及び下面に形成されている状態となる。
なお、半田60の下面と、後記する第1反射部材30の下面とは同一平面になるように形成されることが好ましい。これらの各下面が同一平面上になることで、後記する外部接続電極71,72が形成し易くなる。
透光性部材50は、発光素子20の光取出面201を被覆し、発光素子20を保護する透光性の部材である。透光性部材50は、上面視において発光素子20の光取出面201よりも大きな面積で形成されている。透光性部材50は、その下面が第1導光部材40を介して発光素子20の光取出面201に接続されていていてもよい。第1導光部材40は発光素子20の光取出面201と、透光性部材50の間のみに位置して発光素子20と透光性部材50を固定してもよいし、発光素子20の光取出面201から発光素子20の素子側面202まで被覆して発光素子20と透光性部材50を固定してもよい。
透光性部材50は、波長変換粒子を含有しない透光層52と、波長変換粒子を含有する波長変換層51とを備えていてもよい。また、波長変換層51は、第1波長変換層51A1及び第2波長変換層51A2を有するようにしてもよい。透光性部材50の構成をこのようにすることで、発光装置100の色調整が容易になる。
また、波長変換層51では、第1波長変換層51A1と、第1波長変換層51A1を被覆する第2波長変換層51A2の構成とする場合、第2波長変換層51A2が、第1波長変換層51A1を直接被覆してもよく、透光性の別の層を介して第1波長変換層51A1を被覆してもよい。第1波長変換層51A1に含有される波長変換粒子の発光ピーク波長は、第2波長変換層51A2に含有される波長変換粒子の発光ピーク波長よりも短いことが好ましい。このようにすることで、発光素子20に励起された第1波長変換層51A1からの光によって、第2波長変換層51A2の波長変換粒子を励起することができる。これにより、第2波長変換層51A2の波長変換粒子からの光を増加させることができる。
第1導光部材40は、発光素子20と透光性部材50を固定し、発光素子20からの光を透光性部材50に導光する部材である。第1導光部材40の母材は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの変性樹脂が挙げられる。第1導光部材40の材料として、エポキシ樹脂を用いることでシリコーン樹脂を用いた場合より発光装置100の硬度を向上させることができるので好ましい。また、シリコーン樹脂及び変性シリコーン樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れているので好ましい。第1導光部材40は、前記した透光性部材50の波長変換層51と同様の波長変換粒子及び/又は拡散粒子を含有していてもよい。
第1反射部材30は、透光性部材50の光の取出面501側に光を反射し発光素子20からの光が、発光装置100を実装する実装基板に吸収されることを抑制する部材である。第1反射部材30は、発光素子20の素子側面202を直接又は第1導光部材40を介して被覆してもよい。また、第1反射部材30は、発光素子20の素子側面202、電極形成面203、半田60の側面及び透光性部材50の側面を被覆するように形成されてもよい。第1反射部材30は、発光素子20の発光ピーク波長における光反射率が、70%以上であることが好ましく、80%以上であることがより好ましく、90%以上であることがよりいっそう好ましい。第1反射部材30の材料としては、例えば、母材中に白色顔料を含有させた部材を用いることができる。
外部接続電極71,72は、発光装置100を外部の電極に接続するためのものである。外部接続電極71,72は、半田60の下面及び第1反射部材30の下面に接するように形成されている。外部接続電極71,72のそれぞれは、互いに間隔を開けて形成されると共に、半田60の下面の面積と同等、或いは、半田60の下面の面積と同等以上で第1反射部材30の下面に亘る大きさの面積になるように形成されている。外部接続電極71,72は、例えば、銀、白金、アルミニウム、ロジウム、金若しくはこれらの合金等を層状に設けることで形成されている。なお、外部接続電極71,72は、発光装置の下面の周端まで形成されていてもよく、外部接続電極71,72が発光装置の下面の周端から離れて形成されていてもよい。外部接続電極71,72が発光装置の下面の周端まで形成されている場合には、発光装置の側面が実装基板の実装面に対向して実装される側面発光型の発光装置でも外部接続電極71,72から電気を供給しやすくなる。また、外部接続電極71,72が発光装置の下面の周端から離れて形成されている場合には、外部接続電極71,72にバリが発生することを抑制できる。なお、外部接続電極71,72は、後記するように第1反射部材30の側面の一部に亘って形成されるようにしてもよい。
発光装置の製造方法は、以下の工程を少なくとも含むように行われている。
(1)電極形成面に形成された一対の素子電極を有する発光素子と、素子電極の下面を被覆する半田と、半田を介して素子電極と接合される金属部材を含み第1下面を有する支持体と、を備える第1中間体を準備する第1中間体準備工程S11を行う。
(2)前記支持体を除去し、前記半田の下面を含む第2下面を有する第2中間体を形成する第2中間体形成工程S12を行う。
(3)前記第2下面に一対の外部接続電極を形成する外部接続電極形成工程S13を行う。
以下、各工程について説明する。なお、第1反射部材から露出する半田の下面を外部接続電極の代わりとする場合には、外部接続電極形成工程S13を行わなくてもよい。外部接続電極形成工程S13を行わない場合には、第2中間体形成工程S12の後に個片化工程を行うようにすることも可能である。
第1中間体準備工程S11は、支持体10に半田60を介して発光素子20を接続した第1中間体101を準備する工程である。ここでは、説明を簡単にするために、図4AのIVB-IVB線おける断面図の構成部分を主に説明する。つまり、第1中間体101では、行列方向に複数の発光素子20が配置されるが、2つの発光素子20が配置される部分を主に説明することとする。ただし、個片化された後では発光装置100として発光素子20は、1つを用いる構成として説明している。
金属部材12,13の面積は、発光素子20の素子電極21,22と同等でもよい。このようにすることで、金属部材12,13に対する発光素子20の位置精度を向上させることができる。
基材11は、樹脂若しくは繊維強化樹脂、セラミックス、ガラスなどの絶縁性部材を用いて構成することができる。樹脂若しくは繊維強化樹脂としては、エポキシ、ガラスエポキシ、ビスマレイミドトリアジン(BT)、ポリイミドなどが挙げられる。セラミックスとしては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化ジルコニウム、酸化チタン、窒化チタン、若しくはこれらの混合物などが挙げられる。また、基材11は、金属部材12,13と同様に公知の金属材料を用いて形成してもよい。基材11と金属部材12,13は、同じ金属材料で形成されてもよく、別の金属材料で形成されていてもよい。基材11と金属部材12,13が同じ金属材料で形成される場合には、基材11と金属部材12,13とは一体的に形成される。
基材11は、上面111から第1下面112までの最大厚みは、一例として、100μm以上500μm以下であることが好ましい。基材の強度は、上面111から第1下面112までの厚みを100μm以上にすることで向上する。
図5D及び図5Eに示すように、第1反射部材30が形成された第1中間体101が準備できると、次に、第1中間体101に第2下面113を形成した第2中間体102を形成する第2中間体形成工程S12を行う。第2中間体形成工程S12では、第1中間体101の第1下面112側から金属部材12,13までを、例えば、研削機械を介して削って第2下面113を形成することで第2中間体102を形成している。なお、第2下面113を形成する場合、半田60の下面が第1反射部材30から露出するよう研削されればよく、図5Eの矢印の範囲で行うことができる。
なお、第2下面113を形成した後には、研削屑が第2中間体102の様々な部分に付着して残存しないように洗浄工程を施してもよい。洗浄工程は、エアを第2中間体102に吹き付けることや、或いは、洗浄用液体に浸漬或いは洗浄用液体(固体二酸化炭素を含む)を吹き付けることで行うことができる。
図5Fに示すように、外部接続電極形成工程S13を行う。外部接続電極形成工程S13は、半田60を被覆する一対の外部接続電極71,72を第2下面113に形成する工程である。一対の外部接続電極71,72とは、正負電極として機能する2つの電極のことである。このため、第2中間体102は、正負一対の電極となるよう互いに離れた一対の外部接続電極71,72を備える。なお、個片化前の一対の外部接続電極71,72は隣り合う一対の外部接続電極71,72と、離れていてもよく、繋がっていてもよい。なお、外部接続電極71,72は、金属層或いは金属板により形成され、電気的な接続ができるものであればよい。
なお、外部接続電極71,72を形成する場合、連続して被覆する金属層を形成してから、一対の外部接続電極71,72となるように金属層の少なくとも一部を除去してもよい。これにより、半田60を介して素子電極21,22と電気的に接続される一対の外部接続電極71,72を形成することができる。金属層の一部を除去する方法としては、レーザ光の照射、エッチング、ブラスト等の公知の方法を用いることができる。
金属層の一部を除去する方法としてレーザ光の照射を用いる場合には、レーザ光の波長は、金属層に対する反射率が低い波長、例えば反射率が90%以下である波長を選択することが好ましい。例えば、金属層の最表面がAuである場合には、赤色領域(たとえば640nm)のレーザよりも、緑色領域(例えば550nm)より短い発光波長のレーザを用いることが好ましい。これにより、アブレーションを効率よく発生させ、量産性を高めることができる。
なお、外部接続電極形成工程S13では、外部接続電極71,72を新たに設けることなく、第2下面113を形成したときに第1反射部材30から露出している半田60の下面をそのまま利用するようにしてもよい。
図5Gに示すように、個片化工程S14は、発光装置100ごとに個片化する工程である。この工程S14では、ブレードダイシング法やレーザダイシング法などによって、第2中間体102において隣接する発光素子20の側面との間に沿って、第1反射部材30を切断することで発光装置100毎に個片化される。このようにすることで、複数の発光装置100を製造することができる。
図6A及び図6Bを参照して第2実施形態に係る発光装置100Aについて説明する。
なお、発光装置100Aは、既に説明した発光装置100を2つ連続している構成と同等である。
発光装置100Aは、第1発光素子20A1及び第2発光素子20A2を備えると共に、第1透光性部材50A1及び第2透光性部材50A2をそれぞれ第1発光素子20A1及び第2発光素子20A2の上面に対向して形成するような構成としている。
発光装置100Aは、既に説明した発光装置の製造方法と基本的には同等である。そして、第1反射部材30を形成する工程では、第1透光性部材50A1及び第2透光性部材50A2の上面を露出させるように形成される。そして、第1反射部材30は、半田60の側面と、電極形成面と、第1導光部材40を介して第1発光素子20A1及び第2発光素子20A2の側面とを、一体的に被覆するように形成されている。
個片化工程を行う場合に、発光素子20(第1発光素子20A1及び第2発光素子20A2)を複数(2つ)含むように個片化することで発光装置100Aを製造することができる。
発光装置100Aでは、素子電極21,22に半田60を介して外部接続電極71A,72A,73Aが接続されているので、下面に向かって末広がりとなる半田60の面積が素子電極21,22の下面よりも広いことで、発光装置の放熱性が向上する。さらに、発光装置100Aでは、複数の発光素子(図面では2つ)を使用することができるので、色再現性を向上させることができる。
次に、第3実施形態に係る発光装置100Bについて図7A及び図7Bを参照して説明する。なお、以下の説明において、第1発光素子20A1及び第2発光素子20A2を、発光素子20として説明する場合もある。
発光装置100Bとして、前記した100Aの構成と異なる点は、第1反射部材30Bと、第2反射部材90と、第1導光部材40Bと、第2導光部材41Bとを備え、1つの透光性部材50Bが第1発光素子20A1及び第2発光素子20A2の上面に対向して形成されていることである。なお、既に説明した構成については同じ符号を付して適宜説明を省略する場合がある。
そして、第2導光部材41Bは、発光素子20の素子基板24の側面の全部又は一部を覆うように、第1導光部材40Bの下方に連続して形成されている。第1導光部材40B及び第2導光部材41Bは、両者が既に説明した第1導光部材40と同じ部材を使うことや、両者が前記した部材の中から異なる材料となるように形成されてもよい。
第2反射部材90は、透光性部材50Bの側面、第1導光部材40Bの側面、第2導光部材41Bの側面、及び、第1反射部材30Bの側面を覆うように枠状に形成されている。第2反射部材90は、発光装置100Bの外側面を形成している。
第1反射部材30B及び第2反射部材90は、既に説明した第1反射部材30と同じ材料で形成できる。また、第1反射部材30Bと第2反射部材90とを既に説明した中の異なる材料で形成することもできる。第1反射部材30Bが母材中に白色顔料を含む場合には、白色顔料が外部接続電極側になる下面側に偏在することが好ましい。このようにすることで発光素子20の光が白色顔料によって遮られにくくなり発光装置100Bの光取出効率が向上する。
発光装置の製造方法は、既に説明した製造方法のフローチャートと同じ工程で製造されるが、各工程の内容が異なる場合がある。特に、第1中間体を準備する第1中間体準備工程は、以下の点で異なる。つまり、第1中間体準備工程では、発光素子基材接続工程S111と、第1反射部材形成工程S112と、第2導光部材形成工程S113と、第1導光部材形成工程S114と、透光性部材形成工程S115と、溝部形成工程S116と、第2反射部材溝部充填工程S117とが行われる。
次に、第1中間体準備工程S11において、第2反射部材溝部充填工程S117が行われる。第2反射部材溝部充填工程S117では、形成した溝部3Bに第2反射部材90が充填される。そして、溝部3B内に第2反射部材90を充填することで、第1中間体101Bが形成される。第1中間体101Bは、その下面が基材11の下面である第1下面112Bを形成している。
次に、図9Hに示すように、外部接続電極形成工程S13において、第2中間体102Bの第2下面113Bに外部接続電極71B,72B,73Bを形成する。外部接続電極71B,72B,73Bは、ここでは、第1発光素子20A1及び第2発光素子20A2のそれぞれに半田60を介して電気的に接続されるようにスパッタ等の手段により形成される。
第2下面113Bは、発光装置の側面及び/又は透光性部材の上面よりも表面粗さが大きいことが好ましい。このようにすることで、第2下面113Bと外部接続電極71B,72B,73Bとの接合強度を向上させることができる。
発光装置100Bでは、素子電極21,22に半田60を介して外部接続電極71B,72B,73Bが接続されているので、下面に向かって末広がりとなる半田60の面積が素子電極21,22の下面よりも広いことで、発光装置の放熱性が向上する。さらに、発光装置100Bでは、複数の発光素子を使用することができるので、色再現性を向上させることができる。
発光装置100Bでは、発光素子20の電極形成面203を覆うように第1反射部材30Bが位置することにより、発光素子20からの光を透光性部材50B側に反射して光取出効率を向上させることができる。
また、図10、図11A~図11Fに示すような製造方法により発光装置100Aと同様な構造の発光装置100Cを製造することとしてもよい。
発光装置の製造方法は、第1中間体準備工程S11と、第1切溝形成工程S118と、第2中間体形成工程S12と、外部接続電極形成工程S13と、個片化工程(第2切溝形成工程)S14と、を含む手順で行われる。なお、第1中間体準備工程S11では、例えば、図11Aに示すように、第1反射部材30を透光性部材50の上面を覆うように供給して硬化させる。そして、図11Bに示すように、透光性部材50の上面が露出するように第1反射部材30を研削して第1反射部材30の上面と透光性部材50の上面とが同一平面になるようにすることで、第1中間体101を準備する。
基材の上面に発光素子20及び/又は透光性部材50の位置決めの基準にする目印がある場合には、この目印を基準に第1切溝3C1を形成してもよい。このようにすることで、発光素子20及び/又は透光性部材50に対する第1切溝3C1の位置精度を向上させることができる。
さらに、図12、図13A~図13Hに示すような製造方法により発光装置100Dを製造することとしてもよい。
発光装置の製造方法は、第1中間体準備工程S11と、第1切溝形成工程S118と、第2中間体形成工程S12と、支持基板接続工程S121と、第2切溝形成工程S122と、外部接続電極形成工程S13と、個片化工程S14とを含む手順で行われる。なお、個片化工程S14では、第3切溝形成工程S141と、支持基板除去工程S142とを行っている。そして、外部接続電極171,172は、第2下面113から第1反射部材30の側面の少なくとも一部に亘るように形成されてもよい。なお、外部接続電極171,172は、既に説明した外部接続電極71,72に対して、側面電極部171a、172aを備えるように形成されるものである。
支持基板接続工程S121は、図13Dに示すように、第1切溝3D1が形成されている第1反射部材30の上面を支持基板11Dに向けて第2中間体102Dを支持する工程である。この支持基板接続工程S121は、例えば、紫外線硬化樹脂等の仮止めようの接着剤G1を介して支持基板11Dに第2中間体102Dが支持される。つまり、第2中間体102Dは、第2下面113を上方に向けた状態で支持基板11Dに接着剤G1を介して仮止めされた状態で支持される。
下面視において個片化後の発光装置が長方形の場合には、側面電極部172aを発光装置の外縁の短辺のみに位置していてもよく、長辺のみに位置していてもよく、短辺及び長辺に位置していてもよい。なお、側面電極部172aと下面電極部172bとは接していてもよく、離れていてもよい。発光装置の側面電極172aと実装基板とが接合部材によって接合されることで、発光装置と実装基板の接合強度を向上させることができる。
図13Gに示すように、第3切溝形成工程S141は、第2切溝3D2内に設けた金属層170の一部を切断するように第2切溝3D2の溝幅よりも小さく、かつ、第1切溝3D1の溝幅よりも大きな溝幅の第3切溝3D3をブレード等の切削工具により形成している。個片化工程S14で第1反射部材30に第3切溝3D3が形成されることで、第2切溝3D2及び第3切溝3D3により形成される第1反射部材30の側面よりも内側に側面電極部172aを形成することができる。
前記した製造方法により形成された発光装置100Dは、第2下面113に形成される下面電極部171b,172bと、第1反射部材30の側面に形成される側面電極部171a,172aとを外部接続電極171,172とすることができる。そのため、発光装置100Dでは、外部接続電極171,172で接続する外部機器の種類の範囲を広げることができる。
すなわち、図14Aに示すように、外部接続電極71C,72Cは、第2下面113の一方と他方に離れて、長手方向の両端、及び、短手方向の両端において第2下面113の端まで連続して形成されることとしてもよい。
さらに、図14Cに示すように、外部接続電極71E,72Eは、短手方向の両端では、第2下面113の端まで連続して形成され、長手方向の両端では、端から離れた状態で形成されていてもよい。
なお、図14A、図14B、図14Cで説明した外部接続電極は、第1反射部材30の側面に既に説明した側面電極部を併せて形成されることとしてもよい。例えば、下面視において発光装置が長方形の場合には、側面電極部を発光装置の外縁の短辺のみに位置していてもよく、長辺のみに位置していてもよく、短辺及び長辺に位置していてもよい。なお、側面電極部と下面電極部とは接していても、離れていてもよい。
すなわち、図15A及び図15Bに示すように、金属部材12A1,13A1が、凸部を備えており、凸部の上面が窪み12a,13aを備えていてもよい。金属部材12A1,13A1の凸部に窪み12a,13aが形成されることで、発光素子20の素子電極21,22と接合するための半田60の塗布量が多かった場合、窪み12a,13aに余計な半田60が入り込むことで調整することができる。
さらに、窪みの形状及び数は、図15Cに示すように、金属部材12B1,13B1において、略円形の複数の窪み12b,13bを形成してもよい。
そして、窪みの形状は、図15Dに示すように、金属部材12C1、13C1の中央に一端から他端まで連続する窪み12c,13cであってもよい。
窪み12a~12c,13a~13cは、余計な半田60を内部に入り込ませて調整することができるものである。上面視における窪みの形状は、特に限定されず、例えば、円形、楕円形、多角形等であってもよい。
また、第3実施形態において、第1反射部材30Bの白色顔料等の反射部材を沈降させることで、第2導光部材と第1反射部材とを形成するようにした場合には、製造方法において、手順を減らすことができ、また、第2導光部材41Bを単独で準備する必要がなくなり、設備の簡略化を図ることができる。
極性判別が可能な構造の例を、図16A~図16Eを参照して説明する。
なお、図16A及び図16Bでは、外部接続電極172にのみ電極非形成領域5が設けられているが、外部接続電極171,172の双方に電極非形成領域5を設けてそれぞれの平面形状を異ならせてもよい。
101,101A,101B 第1中間体
102,102A,102B 第2中間体
10A,10E 支持体
11 基材
12,13 金属部材
20 発光素子
21,22 素子電極
23 半導体積層体
24 素子基板
30,30A,30B 第1反射部材
40 第1導光部材
41 第2導光部材
50,50A,50B 透光性部材
50A1,50A2 透光性部材
90 第2反射部材
70 金属層
71,72 外部接続電極
112 第1下面
113 第2下面
Claims (20)
- 電極形成面に形成された一対の素子電極を有する発光素子と、前記素子電極の下面を被覆する半田と、前記半田を介して前記素子電極と接合される金属部材を含み第1下面を有する支持体と、を備える第1中間体を準備する工程と、
前記支持体を除去し、前記半田の下面を含む第2下面を有する第2中間体を形成する工程と、
を含む発光装置の製造方法。 - 前記一対の素子電極の下面に配置される前記半田の下面をそれぞれ被覆する一対の外部接続電極を前記第2下面に形成する工程と、を含む請求項1に記載の発光装置の製造方法。
- 前記第1中間体が、前記発光素子の電極形成面を被覆する第1反射部材を有する請求項1又は請求項2に記載の発光装置の製造方法。
- 前記外部接続電極は、前記第2下面から前記第1反射部材の側面の少なくとも一部に亘るように形成されている請求項2を引用する請求項3に記載の発光装置の製造方法。
- 前記第1中間体を準備する工程において、
上面視において、前記素子電極と重なる位置に前記金属部材が凸部を備える請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。 - 前記凸部の上面が窪みを備える請求項5に記載の発光装置の製造方法。
- 前記第1中間体を準備する工程において、
前記支持体は、絶縁性の基材と、前記基材上に配置される前記金属部材とを含む請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。 - 前記外部接続電極を前記第2下面に形成する工程において、前記外部接続電極をスパッタにより形成する請求項2に記載の発光装置の製造方法。
- 前記一対の外部接続電極を前記第2下面に形成する工程において、前記一対の素子電極を連続して被覆する金属層を形成した後、前記金属層の一部を除去し前記一対の外部接続電極の一方と他方を形成する請求項8に記載の発光装置の製造方法。
- 光取出面と、前記光取出面の反対側に位置する電極形成面とを有する半導体積層体と、前記電極形成面に位置する一対の素子電極と、を備える発光素子と、
前記素子電極の下面を被覆する半田と、
前記電極形成面及び前記半田の側面を被覆する第1反射部材と、
前記半田の下面及び前記第1反射部材の下面を被覆する外部接続電極と、を備え、
前記第1反射部材が前記発光素子の側面を、導光部材を介して被覆する発光装置。 - 前記外部接続電極は、前記第1反射部材の側面の少なくとも一部まで形成された請求項10に記載の発光装置。
- 光取出面と、前記光取出面の反対側に位置する電極形成面とを有する半導体積層体と、前記電極形成面に位置する一対の素子電極と、を備える発光素子と、
前記素子電極の下面を被覆する半田と、
前記電極形成面及び前記半田の側面を被覆する第1反射部材と、
前記半田の下面及び前記第1反射部材の下面を被覆する外部接続電極と、を備え、
前記外部接続電極は、前記第1反射部材の側面の少なくとも一部まで形成された発光装置。 - 光取出面と、前記光取出面の反対側に位置する電極形成面とを有する半導体積層体と、前記電極形成面に位置する一対の素子電極と、を備える発光素子と、
前記素子電極の下面を被覆する半田と、
前記電極形成面及び前記半田の側面を被覆する第1反射部材と、を備え、
前記第1反射部材が前記発光素子の側面を、導光部材を介して被覆し、
前記半田の下面が外部に露出する発光装置。 - 前記半田の下面と、前記第1反射部材の下面とが同一平面である請求項10又は請求項13に記載の発光装置。
- 前記発光素子の光取出面側に前記発光素子の光取出面よりも大きな下面を有する透光性部材を備える請求項10又は請求項13に記載の発光装置。
- 前記透光性部材の下面と前記発光素子の光取出面との間に位置すると共に、前記発光素子の側面を被覆する導光部材を備える請求項15に記載の発光装置。
- 前記導光部材を介して前記発光素子の側面を被覆する第2反射部材を備える請求項16に記載の発光装置。
- 光取出面と、前記光取出面の反対側に位置する電極形成面とを有する半導体積層体と、前記電極形成面に位置する一対の素子電極と、を備える発光素子と、
前記素子電極の下面を被覆する半田と、
前記電極形成面及び前記半田の側面を被覆する第1反射部材と、
前記半田の下面及び前記第1反射部材の下面を被覆する外部接続電極と、
前記発光素子の光取出面側に前記発光素子の光取出面よりも大きな下面を有する透光性部材と、
前記透光性部材の下面と前記発光素子の光取出面との間に位置すると共に、前記発光素子の側面を被覆する導光部材を備え、
前記導光部材を介して前記発光素子の側面を被覆する第2反射部材を備える発光装置。 - 光取出面と、前記光取出面の反対側に位置する電極形成面とを有する半導体積層体と、前記電極形成面に位置する一対の素子電極と、を備える発光素子と、
前記素子電極の下面を被覆する半田と、
前記電極形成面及び前記半田の側面を被覆する第1反射部材と、
前記発光素子の光取出面側に前記発光素子の光取出面よりも大きな下面を有する透光性部材と、
前記透光性部材の下面と前記発光素子の光取出面との間に位置すると共に、前記発光素子の側面を被覆する導光部材を備え、
前記導光部材を介して前記発光素子の側面を被覆する第2反射部材を備え、
前記半田の下面が外部に露出する発光装置。 - 前記発光素子を複数備える請求項10又は請求項13又は請求項17から請求項19のいずれか一項に記載の発光装置。
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