JP7205472B2 - 極端紫外線又は電子線リソグラフィー用金属含有膜形成組成物及びパターン形成方法 - Google Patents
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Description
当該膜形成組成物は、[A]化合物と[B]溶媒とを含有する。当該膜形成組成物は、本発明の効果を損なわない範囲において、任意成分を含有していてもよい。以下、各成分について説明する。
[A]化合物は、金属-酸素共有結合を有する化合物である。[A]化合物は、塩などのイオン性化合物ではないことが好ましい。[A]化合物は、金属-酸素共有結合を有するので、露光により[A]化合物の構造が変化する及び/又は金属原子に結合する基が変わることにより、現像液への溶解性を変化させることができ、これによりパターンを形成することができる。
第4族の金属元素(a)としては、例えばチタン、ジルコニウム、ハフニウム等が、
第5族の金属元素(a)としては、例えばバナジウム、ニオブ、タンタル等が、
第6族の金属元素(a)としては、例えばクロム、モリブデン、タングステン等が、
第7族の金属元素(a)としては、マンガン、レニウム等が、
第8族の金属元素(a)としては、鉄、ルテニウム、オスミウム等が、
第9族の金属元素(a)としては、コバルト、ロジウム、イリジウム等が、
第10族の金属元素(a)としては、ニッケル、パラジウム、白金等が、
第11族の金属元素(a)としては、銅、銀、金等が、
第12族の金属元素(a)としては、亜鉛、カドミウム、水銀等が、
第13族の金属元素(a)としては、アルミニウム、ガリウム、インジウム等が、
第14族の金属元素(a)としては、ゲルマニウム、スズ、鉛等が、
第15族の金属元素(a)としては、アンチモン、ビスマス等が挙げられる。
[A]化合物としては、市販の金属化合物を用いることもできるが、例えば加水分解性基を有する金属含有化合物(以下、「[b]金属含有化合物」ともいう)を用い、加水分解縮合反応を行う方法等により合成することができる。すなわち、[A]化合物は、[b]金属含有化合物に由来するものとすることができる。ここで「加水分解縮合反応」とは、[b]金属含有化合物が有する加水分解性基が加水分解して-OHに変換され、得られた2個の-OHが脱水縮合して-O-が形成される反応をいう。
[b]金属含有化合物は、加水分解性基を有する金属化合物(以下、「金属化合物(I)」ともいう)、金属化合物(I)の加水分解物、金属化合物(I)の加水分解縮合物又はこれらの組み合わせである。金属化合物(I)は、1種単独で又は2種以上組み合わせて使用できる。
チタンを含む化合物として、ジイソプロポキシビス(2,4-ペンタンジオナート)チタン(IV)、テトラn-ブトキシチタン(IV)、テトラn-プロポキシチタン(IV)、トリn-ブトキシモノステアレートチタン(IV)、チタン(IV)ブトキシドオリゴマー、アミノプロピルトリメトキシチタン(IV)、トリエトキシモノ(2,4-ペンタンジオナート)チタン(IV)、トリn-プロポキシモノ(2,4-ペンタンジオナート)チタン(IV)、トリイソプロポキシモノ(2,4-ペンタンジオナート)チタン、ジn-ブトキシビス(2,4-ペンタンジオナート)チタン(IV)等が、
ジルコニウムを含む化合物として、ジブトキシビス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム(IV)、ジn-ブトキシビス(2,4-ペンタンジオナート)ジルコニウム(IV)、テトラn-ブトキシジルコニウム(IV)、テトラn-プロポキシジルコニウム(IV)、テトライソプロポキシジルコニウム(IV)、アミノプロピルトリエトキシジルコニウム(IV)、2-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシジルコニウム(IV)、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシジルコニウム(IV)、3-イソシアノプロピルトリメトキシジルコニウム(IV)、トリエトキシモノ(2,4-ペンタンジオナート)ジルコニウム(IV)、トリn-プロポキシモノ(2,4-ペンタンジオナート)ジルコニウム(IV)、トリイソプロポキシモノ(2,4-ペンタンジオナート)ジルコニウム(IV)、トリ(3-メタクリロキシプロピル)メトキシジルコニウム(IV)、トリ(3-アクリロキシプロピル)メトキシジルコニウム(IV)等が、
ハフニウムを含む化合物として、ジイソプロポキシビス(2,4-ペンタンジオナート)ハフニウム(IV)、テトラブトキシハフニウム(IV)、テトライソプロポキシハフニウム(IV)、テトラエトキシハフニウム(IV)、ジクロロビス(シクロペンタジエニル)ハフニウム(IV)等が、
タンタルを含む化合物として、テトラブトキシタンタル(IV)、ペンタブトキシタンタル(V)、ペンタエトキシタンタル(V)等が、
タングステンを含む化合物として、テトラブトキシタングステン(IV)、ペンタブトキシタングステン(V)、ペンタメトキシタングステン(V)、ヘキサブトキシタングステン(VI)、ヘキサエトキシタングステン(VI)、ジクロロビス(シクロペンタジエニル)タングステン(IV)等が、
鉄を含む化合物として、塩化鉄(III)等が、
ルテニウムを含む化合物として、ジアセタト[(S)-(-)-2,2’-ビス(ジフェニルホスフィノ)-1,1’-ビナフチル]ルテニウム(II)等が、
コバルトを含む化合物として、ジクロロ[エチレンビス(ジフェニルホスフィン)]コバルト(II)等が、
亜鉛を含む化合物として、ジイソプロポキシ亜鉛(II)、酢酸亜鉛(II)等が、
アルミニウムを含む化合物として、ジイソプロポキシエチルアセトアセテートアルミニウム(III)、酢酸アルミニウム(III)等が、
インジウムを含む化合物として、酢酸インジウム(III)、トリイソプロポキシインジウム(III)等が、
スズを含む化合物として、テトラエチルジアセトキシスタノキサン、テトラブトキシスズ(IV)、テトライソプロポキシスズ(IV)、t-ブチルトリス(ジエチルアミド)スズ(IV)等が、
ゲルマニウムを含む化合物として、テトライソプロポキシゲルマニウム(IV)等が挙げられる。
[B]溶媒は、[A]化合物及び必要に応じて含有される任意成分を溶解又は分散する。[B]溶媒は、(B1)溶媒成分及び(B2)溶媒成分を含む。また、[B]溶媒は、アルコール系溶媒を含み、上記[B]溶媒中の上記アルコール系溶媒の含有率が30質量%以上である。[B]溶媒は、本発明の効果を損なわない範囲で、(B1)溶媒成分及び(B2)溶媒成分以外のその他の溶媒成分を含んでいてもよい。上記各溶媒成分は、それぞれ単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
以下、各溶媒成分について詳述する。
(B1)溶媒成分は、標準沸点が160℃未満である溶媒である。
モノアルコール類として、メタノール(沸点:65℃)、エタノール(沸点:78℃)、n-プロパノール(沸点:97℃)、iso-プロパノール(沸点:82℃)、n-ブタノール(沸点:117℃)、iso-ブタノール(沸点:108℃)、sec-ブタノール(沸点:99℃)、tert-ブタノール(沸点:82℃)、n-ペンタノール(沸点:138℃)、iso-ペンタノール(沸点:132℃)、2-メチルブタノール(沸点:136℃)、sec-ペンタノール(沸点:118℃)、tert-ペンタノール(沸点:102℃)、2-メチルペンタノール(沸点:148℃)、2-エチルブタノール(沸点:146℃)、3-メトキシブタノール(沸点:157℃)、n-ヘキサノール(沸点:157℃)等が、
アルキレングリコールモノアルキルエーテル類として、エチレングリコールモノメチルエーテル(沸点:125℃)、エチレングリコールモノエチルエーテル(沸点:135℃)、プロピレングリコールモノメチルエーテル(沸点:121℃)、プロピレングリコールモノエチルエーテル(沸点:133℃)、プロピレングリコールモノプロピルエーテル(沸点:149.8℃)等が挙げられる。
上記カルボン酸エステル類としては、例えば
プロピオン酸エステル類として、プロピオン酸iso-アミル(沸点:156℃)等が、
乳酸エステル類として、乳酸エチル(沸点:151℃)等が挙げられる。
アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類として、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート(沸点:145℃)、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(沸点:146℃)等が挙げられる。
(B2)溶媒成分は、標準沸点が160℃以上400℃未満である溶媒である。
カルボン酸エステル類として、例えば酢酸2-エチルブチル(沸点:160℃)、酢酸2-エチルヘキシル(沸点:199℃)、酢酸ベンジル(沸点:212℃)、酢酸シクロヘキシル(沸点:172℃)、酢酸メチルシクロヘキシル(沸点:201℃)、酢酸n-ノニル(沸点:208℃)、1,6-ジアセトキシヘキサン(沸点:260℃)等の酢酸エステル、アセト酢酸メチル(沸点:169℃)、アセト酢酸エチル(沸点:181℃)等のアセト酢酸エステル、プロピオン酸iso-アミル(沸点:156℃)等のプロピオン酸エステル、シュウ酸ジエチル(沸点:185℃)、シュウ酸ジn-ブチル(沸点:239℃)等のシュウ酸エステル、乳酸n-ブチル(沸点:185℃)等の乳酸エステル、マロン酸ジエチル(沸点:199℃)等のマロン酸エステル、フタル酸ジメチル(沸点:283℃)等のフタル酸エステル、β-プロピオラクトン(沸点:162℃)、γ-ブチロラクトン(沸点:204℃)、γ-バレロラクトン(沸点:207℃)、γ-ウンデカラクトン(沸点:286℃)等のラクトンなどが挙げられる。
モノアルコール類として、n-オクタノール(沸点:194℃)、sec-オクタノール(沸点:174℃)、n-ノニルアルコール(沸点:215℃)、n-デカノール(沸点:228℃)、フェノール(沸点:182℃)、シクロヘキサノール(沸点:161℃)、ベンジルアルコール(沸点:205℃)等が、
多価アルコール類として、例えばエチレングリコール(沸点:197℃)、1,2-プロピレングリコール(沸点:188℃)、1,3-ブチレングリコール(沸点:208℃)、2,4-ペンタンジオール(沸点:201℃)、2-メチル-2,4-ペンタンジオール(沸点:196℃)、2,5-ヘキサンジオール(沸点:216℃)、トリエチレングリコール(沸点:165℃)、ジプロピレングリコール(沸点:230℃)等が、
多価アルコール部分エーテル類として、エチレングリコールモノブチルエーテル(沸点:171℃)、エチレングリコールモノフェニルエーテル(沸点:244℃)、ジエチレングリコールモノメチルエーテル(沸点:194℃)、ジエチレングリコールモノエチルエーテル(沸点:202℃)、トリエチレングリコールモノメチルエーテル(沸点:249℃)、ジエチレングリコールモノイソプロピルエーテル(沸点:207℃)、ジエチレングリコールモノブチルエーテル(沸点:231℃)、トリエチレングリコールモノブチルエーテル(沸点:271℃)、エチレングリコールモノイソブチルエーテル(沸点:161℃)、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル(沸点:220℃)、エチレングリコールモノヘキシルエーテル(沸点:208℃)、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル(沸点:259℃)、エチレングリコールモノ2-エチルヘキシルエーテル(沸点:229℃)、ジエチレングリコールモノ2-エチルヘキシルエーテル(沸点:272℃)、エチレングリコールモノアリルエーテル(沸点:159℃)、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル(沸点:283℃)、エチレングリコールモノベンジルエーテル(沸点:256℃)、ジエチレングリコールモノベンジルエーテル(沸点:302℃)、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル(沸点:187℃)、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル(沸点:242℃)、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル(沸点:212℃)、プロピレングリコールモノブチルエーテル(沸点:170℃)、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル(沸点:231℃)、プロピレングリコールモノフェニルエーテル(沸点:243℃)等が挙げられる。
ジアルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類として、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(標準沸点:213℃)、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート(沸点:217℃)、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート(標準沸点:247℃)等が、
アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類として、ブチレングリコールモノメチルエーテルアセテート(沸点:172℃)、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート(沸点:188℃)等が、
ジアルキレングリコールジアルキルエーテル類として、ジエチレングリコールジメチルエーテル(沸点:162℃)、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル(沸点:176℃)、ジエチレングリコールジエチルエーテル(沸点:189℃)、ジエチレングリコールジブチルエーテル(沸点:255℃)、ジプロピレングリコールジメチルエーテル(沸点:171℃)等が、
トリアルキレングリコールジアルキルエーテル類として、トリエチレングリコールジメチルエーテル(沸点:216℃)等が、
テトラアルキレングリコールジアルキルエーテル類として、テトラエチレングリコールジメチルエーテル(沸点:275℃)等が、
その他、1,8-シネオール(沸点:176℃)、ジイソペンチルエーテル(沸点:171℃)、エチルベンジルエーテル(沸点:189℃)、ジフェニルエーテル(沸点:259℃)、ジベンジルエーテル(沸点:297℃)、ヘキシルエーテル(沸点:226℃)等が挙げられる。
当該膜形成組成物は、任意成分として、例えば塩基性化合物(塩基発生剤を含む)、ラジカル発生剤、酸発生剤、界面活性剤を含有してもよい。当該膜形成組成物は、任意成分をそれぞれ1種又は2種以上含有していてもよい。当該膜形成組成物が任意成分を含有する場合、任意成分の含有量の上限としては、[A]化合物100質量部に対して、例えば2質量部である。
当該膜形成組成物は、例えば[A]化合物、[B]溶媒及び必要に応じて任意成分を所定の割合で混合し、好ましくは、得られた混合物を孔径0.2μm以下程度のメンブランフィルターでろ過することにより調製することができる。
当該パターン形成方法は、基板の少なくとも一方の面側に、当該極端紫外線又は電子線リソグラフィー用金属含有膜形成組成物を塗工する工程(以下、「金属含有膜形成組成物塗工工程」ともいう)と、上記金属含有膜形成組成物塗工工程により形成された金属含有膜の上記基板とは反対の面側にレジスト膜形成用組成物を塗工する工程(以下、「レジスト膜形成用組成物塗工工程」ともいう)と、上記レジスト膜形成用組成物塗工工程により形成されたレジスト膜を極端紫外線又は電子線により露光する工程(以下、「露光工程」ともいう)と、上記露光されたレジスト膜を現像する工程(以下、「現像工程」ともいう)とを備える。さらに、上記現像されたレジスト膜をマスクとし、上記金属含有膜をエッチングする工程(以下、「エッチング工程」ともいう)を備えてもよい。
また、当該パターン形成方法において、上記エッチングされた金属含有膜をマスクとして、基板をエッチングする工程(以下、「基板エッチング工程」ともいう)をさらに備えていてもよい。
本工程では、基板の少なくとも一方の面側に有機下層膜を形成する。
本工程では、当該膜形成組成物を塗工する。本工程により、基板上に直接又は有機下層膜等の他の層を介して当該膜形成組成物の塗膜が形成される。当該膜形成組成物の塗工方法は特に限定されないが、例えば回転塗工法等の公知の方法が挙げられる。
本工程では、上記金属含有膜形成組成物塗工工程により形成された金属含有膜の上記基板とは反対の面側にレジスト膜形成用組成物を塗工する。本工程により、金属含有膜の上記基板とは反対の面側にレジスト膜が形成される。
本工程では、上記レジスト膜形成用組成物塗工工程により形成されたレジスト膜を極端紫外線又は電子線により露光する。この露光は、例えばレジスト膜の一定の領域を選択的に照射して行う。
本工程では、上記露光されたレジスト膜を現像する。本工程により、金属含有膜の上記基板とは反対の面側にレジストパターンが形成される。上記現像方法としては、アルカリ現像液を用いたアルカリ現像法でも有機溶媒現像液を用いた有機溶媒現像法でもよい。本工程では、各種現像液で現像を行った後、好ましくは洗浄及び乾燥させることによって、露光工程において露光した形状に対応した所定のレジストパターンが形成される。
本工程では、上記現像工程により形成されたレジストパターンをマスクとして、上記金属含有膜をエッチングする。より具体的には、上記現像工程により形成されたレジストパターンをマスクとした1又は複数回のエッチングによって、金属含有膜がパターニングされる。
本工程では、上記エッチングされた金属含有膜をマスクとして、基板をエッチングする。より具体的には、上記エッチング工程で得られた金属含有膜に形成されたパターンをマスクとした1又は複数回のエッチングを行って、パターニングされた基板を得る。
[A]化合物の溶液0.5gを250℃で30分間焼成することで、この溶液0.5g中の固形分の質量を測定し、[A]化合物の溶液の固形分濃度(質量%)を算出した。
GPCカラム(東ソー(株)の「AWM-H」2本、「AW-H」1本及び「AW2500」2本)を使用し、流量:0.3mL/分、溶出溶媒:N,N’-ジメチルアセトアミドにLiBr(30mM)及びクエン酸(30mM)を添加したもの、カラム温度:40℃の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィー(検出器:示差屈折計)により測定した。
膜の平均厚みは、分光エリプソメータ(J.A.WOOLLAM社の「M2000D」)を用いて測定した。
レジスト膜形成用組成物を以下のようにして調製した。
レジスト膜形成用組成物(R-1)は、4-ヒドロキシスチレンに由来する構造単位(1)、スチレンに由来する構造単位(2)及び4-t-ブトキシスチレンに由来する構造単位(3)(各構造単位の含有割合は、(1)/(2)/(3)=65/5/30(モル%))を有する重合体100質量部と、感放射線性酸発生剤としてのトリフェニルスルホニウムサリチレート2.5質量部と、溶媒としての乳酸エチル1,500質量部及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート700質量部とを混合し、得られた溶液を孔径0.2μmのフィルターでろ過することで得た。
レジスト膜形成用組成物(R-2)は、4-ヒドロキシスチレンに由来する構造単位(1)、スチレンに由来する構造単位(2)及び4-t-ブトキシスチレンに由来する構造単位(3)(各構造単位の含有割合は、(1)/(2)/(3)=65/5/30(モル%))を有する重合体100質量部と、感放射線性酸発生剤としてのトリフェニルスルホニウムサリチレート2.5質量部と、後述する金属化合物である(A-1)1質量部と、溶媒としての乳酸エチル1,500質量部及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート700質量部とを混合し、得られた溶液を孔径0.2μmのフィルターでろ過することで得た。
レジスト膜形成用組成物(R-3)は、4-ヒドロキシスチレンに由来する構造単位(1)、スチレンに由来する構造単位(2)及び4-t-ブトキシスチレンに由来する構造単位(3)(各構造単位の含有割合は、(1)/(2)/(3)=65/5/30(モル%))を有する重合体100質量部と、感放射線性酸発生剤としてのトリフェニルスルホニウムサリチレート2.5質量部と、後述する金属化合物である(A-3)1質量部と、溶媒としての乳酸エチル1,500質量部及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート700質量部とを混合し、得られた溶液を孔径0.2μmのフィルターでろ過することで得た。
[A]化合物の合成に用いた金属含有化合物を以下に示す。なお、以下の合成例においては特に断りのない限り、「質量部」は使用した金属含有化合物の合計質量を100質量部とした場合の値を意味する。
M-1:ジイソプロポキシビス(2,4-ペンタンジオナート)チタン(IV)(75質量%濃度の2-プロパノール溶液)
M-2:ジブトキシビス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム(IV)(70質量%濃度のn-ブタノール溶液)
M-3:ジイソプロポキシビス(2,4-ペンタンジオナート)ハフニウム(IV)
M-4:テトラエトキシシラン
M-5:ジイソプロポキシエチルアセトアセテートアルミニウム(III)(75質量%濃度の2-プロパノール溶液)
M-6:メチルトリメトキシシラン
M-7:チタン(IV)ブトキシドオリゴマー10量体([TiO(OBu)2]10)
反応容器内において、化合物(M-1)(100質量部。但し溶媒を除く。)をプロピレングリコールモノエチルエーテル468質量部に溶解させた。上記反応容器内において、室温(25℃~30℃)で撹拌しながら、水53質量部を10分かけて滴下した。次いで、60℃で反応を2時間実施した。反応終了後、反応容器内を30℃以下に冷却した。冷却した反応溶液に、プロピレングリコールモノエチルエーテル654質量部を加えた後、エバポレーターを用いて、水、反応により生成したアルコール及び余剰のプロピレングリコールモノエチルエーテルを除去して、化合物(A-1)のプロピレングリコールモノエチルエーテル溶液を得た。化合物(A-1)のMwは4,200であった。この化合物(A-1)のプロピレングリコールモノエチルエーテル溶液の固形分濃度は、7.6質量%であった。
反応容器内において、化合物(M-2)(100質量部。但し溶媒を除く。)をプロピレングリコールモノエチルエーテル1,325質量部に溶解させた。上記反応容器内において、室温(25℃~30℃)で撹拌しながら水7質量部を10分かけて滴下した。次いで、60℃で反応を2時間実施した。反応終了後、反応容器内を30℃以下に冷却した。冷却した反応溶液に、プロピレングリコールモノエチルエーテル981質量部を加えた後、エバポレーターを用いて、水、反応により生成したアルコール及び余剰のプロピレングリコールモノエチルエーテルを除去して、化合物(A-2)のプロピレングリコールモノエチルエーテル溶液を得た。化合物(A-2)のMwは2,400であった。この化合物(A-2)のプロピレングリコールモノエチルエーテル溶液の固形分濃度は、13.0質量%であった。
反応容器内において、化合物(M-3)及び化合物(M-4)をモル比率が65/35(モル%)となるようプロピレングリコールモノエチルエーテル168質量部に溶解させた。上記反応容器内において、室温(25℃~30℃)で撹拌しながら18.9質量%酢酸水溶液9質量部を10分かけて滴下した。次いで、95℃で反応を5時間実施した。反応終了後、反応容器内を30℃以下に冷却した。冷却した反応溶液に、プロピレングリコールモノエチルエーテル400質量部を加えた後、エバポレーターを用いて、水、反応により生成したアルコール及び余剰のプロピレングリコールモノエチルエーテルを除去して、化合物(A-3)のプロピレングリコールモノエチルエーテル溶液を得た。化合物(A-3)のMwは2,300であった。この化合物(A-3)のプロピレングリコールモノエチルエーテル溶液の固形分濃度は、10.8質量%であった。
反応容器内において、化合物(M-5)及び化合物(M-6)をモル比率が10/90(モル%)となるようプロピレングリコールモノエチルエーテル198質量部に溶解させた。上記反応容器内において、室温(25℃~30℃)で撹拌しながら17.6質量%酢酸水溶液39質量部を10分かけて滴下した。次いで、95℃で反応を5時間実施した。反応終了後、反応容器内を30℃以下に冷却した。冷却した反応溶液に、プロピレングリコールモノエチルエーテル471質量部を加えた後、エバポレーターを用いて、水、反応により生成したアルコール及び余剰のプロピレングリコールモノエチルエーテルを除去して、化合物(A-4)のプロピレングリコールモノエチルエーテル溶液を得た。化合物(A-4)のMwは2,700であった。この化合物(A-4)のプロピレングリコールモノエチルエーテル溶液の固形分濃度は、13.1質量%であった。
反応容器内において、化合物(M-7)(100質量部。但し溶媒を除く。)及び無水マレイン酸49.5質量部をプロピレングリコールモノエチルエーテル149.5質量部に溶解させた。上記反応容器内を窒素置換し、次いで、50℃で反応を3時間実施した。反応終了後、反応容器内を30℃以下に冷却して、化合物(A-5)のプロピレングリコールモノエチルエーテル溶液を得た。化合物(A-5)のMwは3,200であった。この化合物(A-5)のプロピレングリコールモノエチルエーテル溶液の固形分濃度は、27.2質量%であった。
反応容器内において、化合物(M-1)(100質量部。但し溶媒を除く。)をプロピレングリコールモノメチルエーテル468質量部に溶解させた。上記反応容器内において、室温(25℃~30℃)で撹拌しながら水53質量部を10分かけて滴下した。次いで、60℃で反応を2時間実施した。反応終了後、反応容器内を30℃以下に冷却した。冷却した反応溶液に、プロピレングリコールモノメチルエーテル654質量部を加えた後、エバポレーターを用いて、水、反応により生成したアルコール及び余剰のプロピレングリコールモノメチルエーテルを除去して、化合物(A-6)のプロピレングリコールモノメチルエーテル溶液を得た。化合物(A-6)のMwは4,200であった。この化合物(A-6)のプロピレングリコールモノメチルエーテル溶液の固形分濃度は、7.6質量%であった。
膜形成組成物の調製に用いた[B]溶媒について以下に示す。
((B1)溶媒成分)
B-1:プロピレングリコールモノエチルエーテル(標準沸点:132℃)
B-2:プロピレングリコールモノメチルエーテル(標準沸点:121℃)
B-3:乳酸エチル(標準沸点:151℃)
B-4:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(標準沸点:146℃)
B-5:ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(標準沸点:213℃)
B-6:ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート(標準沸点:217℃)
B-7:ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート(標準沸点:247℃)
B-8:ジプロピレングリコールジメチルエーテル(標準沸点:171℃)
B-9:ジプロピレングリコールモノメチルエーテル(標準沸点:187℃)
B-10:ジプロピレングリコールモノブチルエーテル(標準沸点:231℃)
B-11:トリプロピレングリコールモノメチルエーテル(標準沸点:242℃)
B-12:トリプロピレングリコールモノn-ブチルエーテル(標準沸点:275℃)
B-13:γ-ブチロラクトン(標準沸点:204℃)
B-14:ベンジルアルコール(標準沸点:205℃)
B-15:プロピレンカーボネート(標準沸点:242℃)
B-16:テトラエチレングリコールジメチルエーテル(標準沸点:275℃)
B-17:1,6-ジアセトキシヘキサン(標準沸点:260℃)
B-18:ジプロピレングリコール(標準沸点:231℃)
B-19:トリエチレングリコール(標準沸点:287℃)
B-20:グリセリン(標準沸点:290℃)
B-21:プロピレングリコール(標準沸点:188℃)
B-22:テトラエチレングリコール(標準沸点:327℃)
[A]化合物(固形分)としての(A-1)2質量部と、[B]溶媒としての(B-1)30質量部([A]化合物の溶液に含まれる溶媒(B-1)も含む)、(B-4)60質量部及び(B-5)10質量部とを混合し、得られた溶液を孔径0.2μmのフィルターでろ過して、膜形成組成物(J-1)を調製した。
各成分の種類及び含有量を下記表1に示す通りとした以外は、実施例1と同様に操作して、膜形成組成物(J-2)~(J-4)及び(J-6)~(J-29)並びに(j-1)及び(j-2)を調製した。下記表1中の「-」は、該当する成分を使用しなかったことを示す。
[A]化合物(固形分)としての(A-6)2質量部と、[B]溶媒としての(B-2)40質量部([A]化合物の溶液に含まれる溶媒(B-2)も含む)及び(B-5)60質量部とを混合し、得られた溶液を孔径0.2μmのフィルターでろ過して、膜形成組成物(J-5)を調製した。
上記調製した膜形成組成物の下記項目について下記方法により評価した。評価結果を下記表2及び表3に合わせて示す。表2中の「-」は、該当する評価を行わなかったことを示す。
上記調製した膜形成組成物をシリコンウェハ(基板)上に、スピンコーター(東京エレクトロン(株)の「CLEAN TRACK ACT8」)を用い、1,500rpm及び30秒間の条件で、回転塗工法により塗工した後、得られた塗工膜を250℃で60秒間加熱することにより金属含有膜を形成した。
形成された金属含有膜を光学顕微鏡で観察し、塗工ムラが見られない場合は「A」(良好)と、塗工ムラが見られる場合は「B」(不良)と評価した。
8インチシリコンウェハ上に、上記調製した膜形成組成物を、スピンコーター(東京エレクトロン(株)の「CLEAN TRACK ACT8」)を用い、1,500rpm及び30秒間の条件で、回転塗工法により塗工してから、所定の時間経過後に、250℃で60秒間加熱し、23℃で30秒間冷却することにより、金属含有膜を形成した。
上記金属含有膜として、上記所定の時間を30秒とした場合の「金属含有膜(a0)」、上記所定の時間を120秒とした場合の「金属含有膜(a1)」をそれぞれ形成し、金属含有膜(a0)の平均厚みをT0と、金属含有膜(a1)の平均厚みをT1としたとき、膜厚変化率(%)を下記式により求め、塗工膜厚変化抑制性の指標とした。
膜厚変化率(%)=|T1-T0|×100/T0
塗工膜厚変化抑制性は、膜厚変化率が1.7%未満の場合は「A」(良好)と、1.7%以上の場合は「B」(不良)と評価した。
8インチシリコンウェハ上に、反射防止膜形成材料(JSR(株)の「HM8006」)を上記スピンコーターによる回転塗工法により塗工した後、250℃で60秒間加熱を行うことにより平均厚み100nmの反射防止膜を形成した。この反射防止膜上に、上記調製した膜形成組成物を、上記スピンコーターによる回転塗工法により塗工してから、所定の時間経過後に、下記表3に示す加熱温度(℃)及び加熱時間(秒)で加熱してから、23℃で30秒間冷却することにより平均厚み30nmの金属含有膜を形成した。上記金属含有膜として、上記所定の時間を30秒とした場合の「金属含有膜(b0)」、所定の時間を120秒とした場合の「金属含有膜(b1)」をそれぞれ形成した。上記形成した金属含有膜上に、下記表3に示すレジスト膜形成用組成物を塗工し、130℃で60秒間加熱した後、23℃で30秒間冷却することにより平均厚み50nmのレジスト膜を形成した。
最適露光量変化率(%)=|D1-D0|×100/D0
レジスト感度変化抑制性は、最適露光量変化率が1%未満の場合は「A」(良好)と、1%以上の場合は「B」(不良)と評価した。
12インチシリコンウェハ上に、反射防止膜形成材料(JSR(株)の「HM8006」)をスピンコーター(東京エレクトロン(株)の「CLEAN TRACK ACT12」)による回転塗工法により塗工した後、250℃で60秒間加熱を行うことにより平均厚み100nmの反射防止膜を形成した。この反射防止膜上に、上記調製した膜形成組成物を、上記スピンコーターによる回転塗工法により塗工してから、所定の時間経過後に、下記表3に示す加熱温度(℃)及び加熱時間(秒)で加熱してから、23℃で30秒間冷却することにより平均厚み30nmの金属含有膜を形成した。上記金属含有膜として、上記所定の時間を30秒とした場合の「金属含有膜(b0)」、所定の時間を120秒とした場合の「金属含有膜(b1)」をそれぞれ形成した。上記形成した金属含有膜上に、下記表3に示すレジスト膜形成用組成物を塗工し、130℃で60秒間加熱した後、23℃で30秒間冷却することにより平均厚み50nmのレジスト膜を形成した。
最適露光量変化率(%)=|D1-D0|×100/D0
レジスト感度変化抑制性は、最適露光量変化率が1%未満の場合は「A」(良好)と、1%以上の場合は「B」(不良)と評価した。
Claims (10)
- 金属-酸素共有結合を有する化合物と、
溶媒と
を含有し、
上記化合物を構成する金属元素が、周期表第4族の第4周期~第7周期に属し、
上記溶媒が、標準沸点160℃未満である第1溶媒成分と、標準沸点160℃以上400℃未満である第2溶媒成分とを含み、
上記第1溶媒成分が、アルキレングリコールモノアルキルエーテル類、アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、乳酸エステル類又はこれらの組み合わせであり、
上記溶媒中の上記第1溶媒成分の含有率が35質量%以上99質量%以下であり、上記第2溶媒成分の含有率が1質量%以上65質量%以下であり、
上記溶媒がアルコール系溶媒を含み、
上記溶媒中の上記アルコール系溶媒の含有率が30質量%以上であり、
上記アルコール系溶媒がプロピレングリコールモノメチルエーテル又はプロピレングリコールモノエチルエーテルであり、
レジスト下層膜を形成するために用いられる、極端紫外線又は電子線リソグラフィー用金属含有膜形成組成物。 - 上記溶媒中の上記第1溶媒成分の含有率が40質量%以上98質量%以下であり、上記第2溶媒成分の含有率が2質量%以上60質量%以下である請求項1に記載の極端紫外線又は電子線リソグラフィー用金属含有膜形成組成物。
- 上記第2溶媒成分が、エステル類、アルコール類、エーテル類、カーボネート類又はこれらの組み合わせである請求項1又は請求項2に記載の極端紫外線又は電子線リソグラフィー用金属含有膜形成組成物。
- 上記エステル類が、カルボン酸エステル類である請求項3に記載の極端紫外線又は電子線リソグラフィー用金属含有膜形成組成物。
- 上記第2溶媒成分におけるアルコール類が、多価アルコール類、多価アルコール部分エーテル類又はこれらの組み合わせである請求項3又は請求項4に記載の極端紫外線又は電子線リソグラフィー用金属含有膜形成組成物。
- 上記エーテル類が、ジアルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類である請求項3、請求項4又は請求項5に記載の極端紫外線又は電子線リソグラフィー用金属含有膜形成組成物。
- 上記第2溶媒成分の相対蒸発速度の値が、酢酸ブチルの値を100としたとき0.01以上10以下である請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の極端紫外線又は電子線リソグラフィー用金属含有膜形成組成物。
- 上記化合物が、下記式(1)で表される加水分解性基を有する金属含有化合物に由来する請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の極端紫外線又は電子線リソグラフィー用金属含有膜形成組成物。
- 基板の少なくとも一方の面側に、請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の極端紫外線又は電子線リソグラフィー用金属含有膜形成組成物を塗工する工程と、
上記金属含有膜形成組成物塗工工程により形成された金属含有膜の上記基板とは反対の面側にレジスト膜形成用組成物を塗工する工程と、
上記レジスト膜形成用組成物塗工工程により形成されたレジスト膜を極端紫外線又は電子線により露光する工程と、
上記露光されたレジスト膜を現像する工程と
を備えるパターン形成方法。 - 上記金属含有膜形成組成物塗工工程前に、
上記基板の少なくとも一方の面側に有機下層膜を形成する工程
をさらに備える請求項9に記載のパターン形成方法。
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