JP4815274B2 - Substrate processing apparatus, substrate processing method, and recording medium - Google Patents
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Description
本発明は、処理液を用いて被処理基板に所定の処理を行う複数の処理ユニットを備えた基板処理装置に係り、とりわけ、適切な処理液を用いて被処理基板を処理することができる基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus including a plurality of processing units for performing predetermined processing on a substrate to be processed using a processing liquid, and more particularly, a substrate capable of processing a substrate to be processed using an appropriate processing liquid. The present invention relates to a processing apparatus.
また、本発明は、処理液を用いて被処理基板に所定の処理を行う複数の処理ユニットを備えた基板処理装置により被処理基板を処理する基板処理方法に係り、各処理ユニット内において適切な処理液を用いて被処理基板を処理することができる基板処理方法に関する。 The present invention also relates to a substrate processing method for processing a substrate to be processed by a substrate processing apparatus including a plurality of processing units for performing predetermined processing on the substrate to be processed using a processing liquid. The present invention relates to a substrate processing method capable of processing a substrate to be processed using a processing liquid.
さらに、本発明は、処理液を用いて被処理基板に所定の処理を行う複数の処理ユニットを備えた基板処理装置により被処理基板を処理する基板処理方法であって、各処理ユニット内において適切な処理液を用いて被処理基板を処理することができる基板処理方法を、実行するためのプログラムを記憶したプログラム記録媒体に関する。 Furthermore, the present invention is a substrate processing method for processing a substrate to be processed by a substrate processing apparatus including a plurality of processing units for performing predetermined processing on the substrate to be processed using a processing liquid, and is suitable for each processing unit. The present invention relates to a program recording medium storing a program for executing a substrate processing method capable of processing a substrate to be processed using a different processing liquid.
従来、処理液を用いて被処理基板に所定の処理を行う処理ユニットを複数備えた基板処理装置が知られている（例えば、特許文献１）。このような基板処理装置の各処理ユニット内において、洗浄やエッチング等の処理を被処理基板に施す場合、処理液として、純水（ＤＩＷ）だけでなく、例えば、アンモニアや過酸化水素等の一以上の薬液種を含んだ溶液（薬液）を用いることが多くある。そして、基板処理装置は、複数の処理ユニットに対して共通の処理液源を備え、この処理液源から処理液が各処理ユニットへと供給されるようになっている。
すなわち、従来の基板処理装置において、各処理ユニットへ同一時に供給される処理液間で、当該処理液中に含まれる薬液種の濃度は同一となる。言い換えると、従来の基板処理装置よれば、薬液種の濃度が異なる処理液を同一時に異なる処理ユニット内へ供給することができない。 That is, in the conventional substrate processing apparatus, the concentration of the chemical liquid species contained in the processing liquid is the same between the processing liquids supplied to the processing units at the same time. In other words, according to the conventional substrate processing apparatus, it is not possible to supply processing liquids having different concentrations of chemical liquid types into different processing units at the same time.
これに対し、本件発明者は、以下のような不具合を知見した。 On the other hand, the present inventors have found the following problems.
処理ユニット内で被処理基板に対して処理を行う場合、被処理基板状の形状や処理方法（例えば、スピン処理）等に起因して、被処理基板の板面の各位置において処理の程度（例えば、酸化膜除去の程度）が均一とならないことがあることがあり得る。また、基板処理装置に持ち込まれる前の処理に起因して、基板処理装置に持ち込まれる被処理基板の板面の各位置における状態（例えば、各位置における酸化膜の厚さ）が異なっていることもあり得る。このような場合、当該被処理基板の処理中に、当該被処理基板を処理する処理ユニットへ供給される処理液の濃度を変化させることができれば、被処理基板の処理を、当該被処理基板の板面において均一に、かつ、短時間で行うことができる点において、好ましい。 When processing a substrate to be processed in the processing unit, due to the shape of the substrate to be processed and the processing method (for example, spin processing), the degree of processing at each position on the plate surface of the substrate to be processed ( For example, the degree of oxide film removal) may not be uniform. Further, due to the process before being brought into the substrate processing apparatus, the state (for example, the thickness of the oxide film at each position) at each position of the plate surface of the substrate to be processed brought into the substrate processing apparatus is different. There is also a possibility. In such a case, if the concentration of the processing liquid supplied to the processing unit that processes the substrate to be processed can be changed during the processing of the substrate to be processed, the processing of the substrate to be processed is performed. It is preferable in that it can be performed uniformly on the plate surface in a short time.
さらに、基板処理装置に持ち込まれる被処理基板間において、板面の状態が異なる場合（例えば、被処理基板毎に酸化膜の厚さが異なる場合）や、最終的に求められる仕様が異なる場合等もある。このような場合、一つの処理ユニットへ供給される処理液の濃度を、他の処理ユニットへ供給される処理液の濃度から独立して調整することができれば、被処理基板の処理後の状態が被処理基板間において均一となるよう、各被処理基板を処理することができる点において好ましく、また、異なる処理内容で被処理基板を同時に処理することができる点においても好ましい。 Furthermore, when the state of the plate surface is different between the substrates to be processed brought into the substrate processing apparatus (for example, when the thickness of the oxide film is different for each substrate to be processed), when the finally required specifications are different, etc. There is also. In such a case, if the concentration of the processing liquid supplied to one processing unit can be adjusted independently from the concentration of the processing liquid supplied to the other processing unit, the state after processing of the substrate to be processed It is preferable in that each substrate to be processed can be processed so as to be uniform among the substrates to be processed, and also preferable in that the substrate to be processed can be processed simultaneously with different processing contents.
すなわち、本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、処理液を用いて被処理基板に所定の処理を行う複数の処理ユニットを備えた基板処理装置であって、各処理ユニットへ、当該処理ユニットにおける被処理基板の処理に適切な濃度で一つの薬液種が含まれた処理液を供給することができる基板処理装置を提供することを目的とする。 That is, the present invention has been made in consideration of such points, and is a substrate processing apparatus including a plurality of processing units that perform predetermined processing on a substrate to be processed using a processing liquid, and each processing unit An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of supplying a processing liquid containing one chemical liquid species at a concentration suitable for processing a substrate to be processed in the processing unit.
また、本発明は、処理液を用いて被処理基板に所定の処理を行う複数の処理ユニットを備えた基板処理装置により被処理基板を処理する基板処理方法であって、各処理ユニット内において、当該処理ユニットにおける被処理基板の処理に適切な濃度で一つの薬液種が含まれた処理液を用いて被処理基板を処理する基板処理方法を提供することを目的とする。 Further, the present invention is a substrate processing method for processing a substrate to be processed by a substrate processing apparatus including a plurality of processing units for performing predetermined processing on a substrate to be processed using a processing liquid, and in each processing unit, It is an object of the present invention to provide a substrate processing method for processing a substrate to be processed using a processing liquid containing one chemical liquid species at a concentration suitable for processing the substrate to be processed in the processing unit.
さらに、本発明は、処理液を用いて被処理基板に所定の処理を行う複数の処理ユニットを備えた基板処理装置により被処理基板を処理する基板処理方法であって、各処理ユニット内において、当該処理ユニットでの被処理基板の処理に適切な濃度で一つの薬液種が含まれた処理液を用いて被処理基板を処理する基板処理方法を、実行するためのプログラムを記憶したプログラム記録媒体に関する。 Furthermore, the present invention is a substrate processing method for processing a substrate to be processed by a substrate processing apparatus including a plurality of processing units for performing predetermined processing on a substrate to be processed using a processing liquid, and in each processing unit, Program recording medium storing a program for executing a substrate processing method for processing a substrate to be processed using a processing liquid containing one chemical liquid species at a concentration suitable for processing the substrate to be processed in the processing unit About.
本発明による基板処理装置は、少なくとも一つの薬液種を含む処理液を送り込まれる主管と、前記処理液を用いて被処理基板に所定の処理を行う複数の処理ユニットと、前記処理ユニット毎に設けられた分岐管であって、前記主管とそれぞれ接続され、前記処理ユニットへ前記処理液を供給する複数の分岐管と、前記処理液に含まれる一つの薬液種を少なくとも含む液体を貯留する液体貯留部と、前記分岐管毎に設けられた供給制御機構であって、一つの分岐管と前記液体貯留部とにそれぞれ接続され、前記各分岐管内の前記処理液に注入されるようになる前記液体の前記液体貯留部から前記分岐管内への供給を制御する供給制御機構と、を備えたことを特徴とする。 A substrate processing apparatus according to the present invention is provided with a main pipe into which a processing liquid containing at least one chemical liquid type is fed, a plurality of processing units for performing a predetermined process on a substrate to be processed using the processing liquid, and each processing unit. A plurality of branch pipes connected to the main pipe and supplying the processing liquid to the processing unit, and a liquid storage for storing a liquid containing at least one chemical liquid type contained in the processing liquid. And a supply control mechanism provided for each branch pipe, wherein the liquid is connected to one branch pipe and the liquid storage section and is injected into the processing liquid in each branch pipe And a supply control mechanism for controlling supply from the liquid reservoir to the branch pipe.
本発明による基板処理装置によれば、各処理ユニットへ、当該処理ユニット内における被処理基板の処理に応じた適切な濃度の処理液を供給することができる。このため、基板処理装置へ持ち込まれる被処理基板に対して適切な処理を効率的に行うことができる。 According to the substrate processing apparatus of the present invention, it is possible to supply each processing unit with a processing solution having an appropriate concentration according to the processing of the substrate to be processed in the processing unit. For this reason, it is possible to efficiently perform appropriate processing on the substrate to be processed brought into the substrate processing apparatus.
本発明による基板処理装置において、前記各供給制御機構は、他の供給制御機構から独立して、当該各供給制御機構に接続された分岐管内への供給を制御するようにしてもよい。 In the substrate processing apparatus according to the present invention, each of the supply control mechanisms may control supply into a branch pipe connected to each of the supply control mechanisms independently of other supply control mechanisms.
また、本発明による基板処理装置において、前記各供給制御機構は、当該供給制御機構に接続された分岐管へ主管から処理液が供給されている間に、当該供給制御機構に接続された前記分岐管への前記液体の供給を開始し、または当該供給制御機構に接続された分岐管への前記液体の供給を停止し、または当該供給制御機構に接続された前記分岐管への前記液体の単位時間あたりの供給量を変化させるようになされていてもよい。このような本発明による基板処理装置において、前記各処理ユニットは、前記分岐管に連通し、前記処理液を前記被処理基板に向けて吐出するノズルと、前記ノズルを支持するアームであって、前記被処理基板に対して前記ノズルを移動させるアームと、を有し、各供給制御機構は、前記被処理基板に対する前記ノズルの相対位置に応じて、当該供給制御機構に接続された分岐管への液体の供給を変化させるようになされていてもよい。また、この場合、前記アームは、前記被処理基板の中心上方から外方へ向けて当該被処理基板の板面と平行に前記ノズルを移動させ、前記対応する前記処理ユニットに供給される処理液中における前記一つの薬液種の濃度は、前記ノズルが前記被処理基板の中心上方から外方へ向けて移動するのにつれて、上昇するようになされていてもよい。 Further, in the substrate processing apparatus according to the present invention, each of the supply control mechanisms includes the branch connected to the supply control mechanism while the processing liquid is supplied from the main pipe to the branch pipe connected to the supply control mechanism. Unit of the liquid to the branch pipe that starts supply of the liquid to the pipe or stops supply of the liquid to the branch pipe connected to the supply control mechanism, or to the branch pipe connected to the supply control mechanism The supply amount per hour may be changed. In such a substrate processing apparatus according to the present invention, each processing unit includes a nozzle that communicates with the branch pipe and discharges the processing liquid toward the substrate to be processed, and an arm that supports the nozzle, An arm for moving the nozzle relative to the substrate to be processed, and each supply control mechanism is connected to a branch pipe connected to the supply control mechanism according to the relative position of the nozzle with respect to the substrate to be processed. The liquid supply may be changed. Further, in this case, the arm moves the nozzle parallel to the plate surface of the substrate to be processed from above the center of the substrate to be processed outward, and is supplied to the corresponding processing unit. The concentration of the one chemical liquid species therein may be increased as the nozzle moves outward from above the center of the substrate to be processed.
さらに、本発明による基板処理装置において、前記処理ユニット毎に複数の分岐管が設けられ、前記複数の分岐管の各々から前記処理ユニット内に供給される処理液は、処理ユニット内において被処理基板の互いに異なる部分に向けて吐出され、前記分岐管毎に、前記液体貯留部にそれぞれ接続された別個の供給制御機構が設けられていてもよい。 Furthermore, in the substrate processing apparatus according to the present invention, a plurality of branch pipes are provided for each of the processing units, and the processing liquid supplied from each of the plurality of branch pipes to the processing unit is processed in the processing unit. A separate supply control mechanism may be provided for each branch pipe and connected to the liquid storage part.
さらに、本発明による基板処理装置において、前記液体貯留部は複数設けられ、前記複数の液体貯留部には互いに異なる液体がぞれぞれ貯留され、前記分岐管毎に、異なる液体貯留部にそれぞれ接続された複数の供給制御機構が設けられていてもよい。 Furthermore, in the substrate processing apparatus according to the present invention, a plurality of the liquid storage portions are provided, and different liquids are stored in the plurality of liquid storage portions, respectively, and each of the branch pipes has a different liquid storage portion. A plurality of connected supply control mechanisms may be provided.
本発明による第１の基板処理方法は、少なくとも一つの薬液種を含む処理液を処理液源から供給される複数の処理ユニットを備えた基板処理装置の一つの処理ユニット内に被処理基板を配置する工程と、前記一つの処理ユニット内に配置された被処理基板に対し、当該一つの処理ユニットに供給される処理液を用いて、所定の処理を行う工程と、を備え、前記被処理基板に所定の処理を行う工程の少なくとも一期間において、前記一つの処理ユニットに供給される前記処理液中における当該処理液に含まれた一つの薬液種の濃度は、他の処理ユニットに供給される処理液中における前記一つの薬液種の濃度とは異なる値となっていることを特徴とする。 In a first substrate processing method according to the present invention, a substrate to be processed is arranged in one processing unit of a substrate processing apparatus including a plurality of processing units to which a processing liquid containing at least one chemical liquid type is supplied from a processing liquid source. And a process of performing a predetermined process on a substrate to be processed disposed in the one processing unit using a processing liquid supplied to the one processing unit. In at least one period of the predetermined processing step, the concentration of one chemical liquid species contained in the processing liquid in the processing liquid supplied to the one processing unit is supplied to another processing unit. The concentration is different from the concentration of the one chemical liquid type in the treatment liquid.
本発明による第１の基板処理方法によれば、各処理ユニットへ供給される処理液中における一つの薬液種の濃度を、当該処理ユニット内における被処理基板の処理に応じて、他の処理ユニットへ供給される処理液中における前記一つの薬液種の濃度とは異なる適切な濃度に設定することが可能となる。したがって、基板処理装置へ持ち込まれる被処理基板に対して適切な処理を効率的に行うことができる。 According to the first substrate processing method of the present invention, the concentration of one chemical liquid type in the processing liquid supplied to each processing unit is set according to the processing of the substrate to be processed in the processing unit. It is possible to set an appropriate concentration different from the concentration of the one chemical liquid species in the treatment liquid supplied to the liquid. Therefore, it is possible to efficiently perform an appropriate process on the substrate to be processed brought into the substrate processing apparatus.
本発明による第１の基板処理方法の前記被処理基板に所定の処理を行う工程において、前記一つの処理ユニットに供給される前記処理液中における前記一つの薬液種の濃度を変化させるようにしてもよい。 In the step of performing a predetermined process on the substrate to be processed in the first substrate processing method according to the present invention, the concentration of the one chemical liquid type in the processing liquid supplied to the one processing unit is changed. Also good.
本発明による第２の基板処理方法は、少なくとも一つの薬液種を含む処理液を処理液源から供給される複数の処理ユニットを備えた基板処理装置の一つの処理ユニット内に被処理基板を配置する工程と、前記一つの処理ユニット内に配置された被処理基板に対し、当該一つの処理ユニットに供給される処理液を用いて、所定の処理を行う工程と、を備え、
前記被処理基板に所定の処理を行う工程において、前記一つの処理ユニットに供給される前記処理液中における当該処理液に含まれた一つの薬液種の濃度を変化させることを特徴とする。
In a second substrate processing method according to the present invention, a substrate to be processed is arranged in one processing unit of a substrate processing apparatus including a plurality of processing units to which a processing liquid containing at least one chemical liquid type is supplied from a processing liquid source. And performing a predetermined process on a substrate to be processed disposed in the one processing unit using a processing liquid supplied to the one processing unit,
In the step of performing a predetermined process on the substrate to be processed, the concentration of one chemical liquid contained in the processing liquid in the processing liquid supplied to the one processing unit is changed.
本発明による第２の基板処理方法によれば、一つの処理ユニット内において被処理基板を処理している間、当該処理ユニットへ供給される処理液中における一つの薬液種の濃度を、被処理基板の処理の段階等に応じた適切な濃度に設定することが可能となる。したがって、被処理基板を、その板面においてむらなく均一に、かつ、効率的に短時間で処理することができる。 According to the second substrate processing method of the present invention, while processing a substrate to be processed in one processing unit, the concentration of one chemical liquid species in the processing liquid supplied to the processing unit is determined. It is possible to set an appropriate concentration according to the processing stage of the substrate. Therefore, the substrate to be processed can be processed uniformly and efficiently on the plate surface in a short time.
本発明による第１または第２の基板処理方法の前記被処理基板に所定の処理を行う工程において、前記処理液が前記被処理基板に向けて吐出されるとともに前記被処理基板上における前記処理液の供給位置は変化し、前記処理液中における前記一つの薬液種の濃度は、前記被処理基板上における前記処理液の供給位置に応じて変化するようにしてもよい。このような基板処理方法において、前記被処理基板上における前記処理液の供給位置は、前記被処理基板の中心から外方に向けて移動し、前記処理液中における前記一つの薬液種の濃度は、前記処理液の供給位置が前記被処理基板の中心から外方に向けて移動するのにつれて、上昇するようにしてもよい。 In the step of performing a predetermined process on the substrate to be processed in the first or second substrate processing method according to the present invention, the processing liquid is discharged toward the substrate to be processed and the processing liquid on the substrate to be processed The supply position may be changed, and the concentration of the one chemical liquid species in the processing liquid may be changed according to the supply position of the processing liquid on the substrate to be processed. In such a substrate processing method, the supply position of the processing liquid on the substrate to be processed moves outward from the center of the substrate to be processed, and the concentration of the one chemical liquid species in the processing liquid is The supply position of the processing liquid may rise as it moves outward from the center of the substrate to be processed.
本発明による第１または第２の基板処理方法の前記被処理基板に所定の処理を行う工程において、前記一つの処理ユニット内において前記処理液が前記被処理基板の複数の部分に同時に供給され、前記被処理基板に所定の処理を行う工程中における少なくとも一期間において、前記被処理基板の複数の部分のうちの一つの部分に供給される前記処理液中における前記一つの薬液種の濃度は、前記被処理基板の複数の部分のうちの他の部分に供給される処理液中における前記一つの薬液種の濃度とは異なる値となっているようにしてもよい。 In the step of performing a predetermined process on the substrate to be processed in the first or second substrate processing method according to the present invention, the processing liquid is simultaneously supplied to a plurality of portions of the substrate to be processed in the one processing unit, In at least one period during the step of performing a predetermined process on the substrate to be processed, the concentration of the one chemical liquid species in the processing liquid supplied to one portion of the plurality of portions of the substrate to be processed is: You may make it become a value different from the density | concentration of said one chemical | medical solution type in the process liquid supplied to the other part of the several part of the said to-be-processed substrate.
本発明による第１または第２の基板処理方法において、前記処理ユニット毎に設けられ、各処理ユニットと前記処理液源とを連結する複数の分岐管であって、前記一つの薬液種の濃度が所定の濃度である処理液を前記処理液源から送り込まれる複数の分岐管のうち、前記一つの処理ユニットに接続された分岐管中に、前記一つの薬液種の濃度が前記所定の濃度とは異なる濃度である液体を供給することによって、前記分岐管から前記一つの処理ユニットに供給される処理液中における前記一つの薬液種の濃度を前記所定の値から異なる値に変化させるようにしてもよい。 In the first or second substrate processing method according to the present invention, a plurality of branch pipes are provided for each processing unit and connect each processing unit and the processing liquid source, and the concentration of the one chemical liquid type is Among the plurality of branch pipes to which the processing liquid having a predetermined concentration is sent from the processing liquid source, the concentration of the one chemical liquid type is the predetermined concentration in the branch pipe connected to the one processing unit. By supplying liquids having different concentrations, the concentration of the one chemical liquid type in the processing liquid supplied from the branch pipe to the one processing unit may be changed from the predetermined value to a different value. Good.
本発明による第１のプログラムは、基板処理装置を制御するコンピュータによって実行されるプログラムであって、前記コンピュータによって実行されることにより、少なくとも一つの薬液種を含む処理液を処理液源から供給される複数の処理ユニットを備えた基板処理装置の一つの処理ユニット内に被処理基板を配置する工程と、前記一つの処理ユニット内に配置された被処理基板に対し、当該一つの処理ユニットに供給される処理液を用いて、所定の処理を行う工程と、を備え、前記被処理基板に所定の処理を行う工程の少なくとも一期間において、前記一つの処理ユニットに供給される前記処理液中における当該処理液に含まれた一つの薬液種の濃度は、他の処理ユニットに供給される処理液中における前記一つの薬液種の濃度とは異なる値となっている、被処理基板の処理方法を基板処理装置に実施させることを特徴とする。 A first program according to the present invention is a program executed by a computer that controls a substrate processing apparatus, and is executed by the computer to supply a processing liquid containing at least one chemical liquid type from a processing liquid source. A step of arranging a substrate to be processed in one processing unit of a substrate processing apparatus having a plurality of processing units, and supplying the substrate to be processed arranged in the one processing unit to the one processing unit Performing a predetermined process using the processed liquid, and in the process liquid supplied to the one processing unit in at least one period of the process of performing the predetermined process on the substrate to be processed The concentration of one chemical liquid type contained in the processing liquid is different from the concentration of the one chemical liquid type in the processing liquid supplied to another processing unit. That has a value, characterized in that to implement a method of processing a substrate to be processed in the substrate processing apparatus.
本発明による第２のプログラムは、基板処理装置を制御するコンピュータによって実行されるプログラムであって、前記コンピュータによって実行されることにより、少なくとも一つの薬液種を含む処理液を処理液源から供給される複数の処理ユニットを備えた基板処理装置の一つの処理ユニット内に被処理基板を配置する工程と、前記一つの処理ユニット内に配置された被処理基板に対し、当該一つの処理ユニットに供給される処理液を用いて、所定の処理を行う工程と、を備え、前記被処理基板に所定の処理を行う工程において、前記一つの処理ユニットに供給される前記処理液中における当該処理液に含まれた一つの薬液種の濃度を変化させる、被処理基板の処理方法を基板処理装置に実施させることを特徴とする。 A second program according to the present invention is a program executed by a computer that controls a substrate processing apparatus, and is executed by the computer to supply a processing liquid containing at least one chemical liquid type from a processing liquid source. A step of arranging a substrate to be processed in one processing unit of a substrate processing apparatus having a plurality of processing units, and supplying the substrate to be processed arranged in the one processing unit to the one processing unit And performing a predetermined process using the processed liquid, and in the process of performing the predetermined process on the substrate to be processed, the processing liquid in the processing liquid supplied to the one processing unit. A substrate processing apparatus is made to perform a processing method of a substrate to be processed, in which the concentration of one chemical liquid contained is changed.
本発明による第１の記録媒体は、基板処理装置を制御するコンピュータによって実行されるプログラムが記録されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体であって、前記プログラムが前記コンピュータによって実行されることにより、少なくとも一つの薬液種を含む処理液を処理液源から供給される複数の処理ユニットを備えた基板処理装置の一つの処理ユニット内に被処理基板を配置する工程と、前記一つの処理ユニット内に配置された被処理基板に対し、当該一つの処理ユニットに供給される処理液を用いて、所定の処理を行う工程と、を備え、前記被処理基板に所定の処理を行う工程の少なくとも一期間において、前記一つの処理ユニットに供給される前記処理液中における当該処理液に含まれた一つの薬液種の濃度は、他の処理ユニットに供給される処理液中における前記一つの薬液種の濃度とは異なる値となっている、被処理基板の処理方法を基板処理ユニットに実施させることを特徴とする。 A first recording medium according to the present invention is a computer-readable recording medium on which a program executed by a computer that controls a substrate processing apparatus is recorded, and at least one of the programs is executed by the computer. Placing a substrate to be processed in one processing unit of a substrate processing apparatus having a plurality of processing units supplied with processing liquid containing one chemical liquid type from a processing liquid source; and disposed in the one processing unit. Performing a predetermined process on the substrate to be processed using a processing liquid supplied to the one processing unit, and at least one period of performing the predetermined process on the substrate to be processed. The concentration of one chemical liquid species contained in the treatment liquid in the treatment liquid supplied to the one treatment unit is different from that of another treatment unit. Wherein one of the chemical species concentration in the treatment liquid to be supplied to the bets has different values and, characterized in that for implementing a method of processing a substrate to be processed to the substrate processing unit.
本発明による第２の記録媒体は、基板処理装置を制御するコンピュータによって実行されるプログラムが記録されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体であって、前記プログラムが前記コンピュータによって実行されることにより、少なくとも一つの薬液種を含む処理液を処理液源から供給される複数の処理ユニットを備えた基板処理装置の一つの処理ユニット内に被処理基板を配置する工程と、前記一つの処理ユニット内に配置された被処理基板に対し、当該一つの処理ユニットに供給される処理液を用いて、所定の処理を行う工程と、を備え、前記被処理基板に所定の処理を行う工程において、前記一つの処理ユニットに供給される前記処理液中における当該処理液に含まれた一つの薬液種の濃度を変化させる、被処理基板の処理方法を基板処理ユニットに実施させることを特徴とする。 A second recording medium according to the present invention is a computer-readable recording medium on which a program executed by a computer that controls the substrate processing apparatus is recorded, and at least one of the programs is executed by the computer. Placing a substrate to be processed in one processing unit of a substrate processing apparatus having a plurality of processing units supplied with processing liquid containing one chemical liquid type from a processing liquid source; and disposed in the one processing unit. Performing a predetermined process on the substrate to be processed using a processing liquid supplied to the one processing unit, and performing the predetermined process on the substrate to be processed. A method for processing a substrate to be processed, wherein the concentration of one chemical type contained in the processing liquid in the processing liquid supplied to a unit is changed. Characterized thereby carried into the substrate processing unit.
本発明による基板処理装置によれば、各処理ユニットへ、当該処理ユニット内における被処理基板の処理に適切な濃度で一つの薬液種を少なくとも含んだ処理液を供給することが可能となる。したがって、基板処理装置へ持ち込まれる被処理基板に対して適切な処理を効率的に行うことが可能となる。 According to the substrate processing apparatus of the present invention, it is possible to supply each processing unit with a processing liquid containing at least one chemical liquid species at a concentration suitable for processing the target substrate in the processing unit. Therefore, it is possible to efficiently perform appropriate processing on the substrate to be processed brought into the substrate processing apparatus.
本発明による基板処理方法によれば、各処理ユニットへ、当該処理ユニット内における被処理基板の処理に適切な濃度で一つの薬液種を少なくとも含んだ処理液を供給することが可能となる。したがって、被処理基板に対して適切な処理を効率的に行うことが可能となる。 According to the substrate processing method of the present invention, it is possible to supply each processing unit with a processing liquid containing at least one chemical liquid species at a concentration suitable for processing the substrate to be processed in the processing unit. Therefore, it is possible to efficiently perform appropriate processing on the substrate to be processed.
以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
なお、以下の実施の形態において、本発明による基板処理装置を、略円板状の輪郭を有する半導体ウエハ（被処理基板の一例）を一枚ずつ洗浄する洗浄ユニットを、処理ユニットとして、複数含んだウエハ洗浄システムとして用いる例を示している。しかしながら、当然に、本発明による基板処理装置は、このようなウエハ洗浄システムとしての適用に限定されるものではない。同様に、以下の実施の形態において、本発明による基板処理方法を、略円板状の輪郭を有する半導体ウエハ（被処理基板の一例）を一枚ずつ洗浄する方法とした例を示している。しかしながら、当然に、本発明による基板処理方法は、ウエハを一枚ずつ洗浄する方法としての適用に限定されるものでない。 In the following embodiments, the substrate processing apparatus according to the present invention includes a plurality of cleaning units, each as a processing unit, for cleaning semiconductor wafers (an example of a substrate to be processed) each having a substantially disk-shaped outline. An example of use as a wafer cleaning system is shown. However, as a matter of course, the substrate processing apparatus according to the present invention is not limited to application as such a wafer cleaning system. Similarly, in the following embodiments, an example is shown in which the substrate processing method according to the present invention is a method of cleaning semiconductor wafers (an example of a substrate to be processed) having a substantially disk-shaped outline one by one. However, as a matter of course, the substrate processing method according to the present invention is not limited to application as a method of cleaning wafers one by one.
図１乃至図５は本発明による基板処理装置、基板処理方法、および記録媒体の一実施の形態を示す図である。 1 to 5 are diagrams showing an embodiment of a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a recording medium according to the present invention.
このうち、図１は基板処理装置の概略構成を示す図であり、図２は基板処理装置の処理液供給系統の概略構成を示す図であり、図３は基板処理装置の基板処理ユニットの一部を示す上面図である。一方、図４および図５は、基板処理方法を説明するための図である。 1 is a diagram showing a schematic configuration of the substrate processing apparatus, FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration of a processing liquid supply system of the substrate processing apparatus, and FIG. 3 is a diagram of a substrate processing unit of the substrate processing apparatus. It is a top view which shows a part. On the other hand, FIG. 4 and FIG. 5 are diagrams for explaining the substrate processing method.
まず、図１を用い、本実施の形態における基板処理装置（ウエハ洗浄システム）の全体構成を概略的に説明する。 First, the overall configuration of the substrate processing apparatus (wafer cleaning system) in the present embodiment will be schematically described with reference to FIG.
図１に示すように、基板処理装置１０は、処理前および処理後のウエハＷが載置される載置部１０ａと、ウエハＷを洗浄する洗浄部１０ｃと、載置部１０ａおよび洗浄部１０ｃの間におけるウエハＷの受け渡しを担う搬送部１０ｂと、を含んでいる。
As shown in FIG. 1, the
基板処理装置１０は、載置部１０ａにおいて、載置台１２を有している。載置台１２には、被処理ウエハＷを収容したキャリアＣが取り外し自在に取り付けられるようになっている。本実施の形態においては、各キャリアＣ内には、複数例えば２５枚の被処理ウエハＷが、所定間隔を空け、表面（半導体デバイスを形成される面）が上面となるようにして、略水平姿勢で保持されるようになっている。
The
搬送部１０ｂには、ウエハＷの受け渡しを担うウエハ搬送装置１４が設けられている。ウエハ搬送装置１４は、Ｘ方向およびＹ方向に移動可能であり、キャリアＣと、洗浄部１０ｃの受け渡し口となる受け渡しユニット１６と、へアクセスすることができるようになっている。
The
洗浄部１０ｃには、上述の受け渡しユニット１６と、本実施の形態における基板処理ユニット２０と、受け渡しユニット１６および基板処理ユニット２０の間におけるウエハＷの受け渡しを担う主ウエハ搬送装置１８が設けられている。本実施の形態においては、洗浄部１０ｃに、合計８つの第１乃至第８基板処理ユニット（ウエハ洗浄ユニット）２０ａ〜２０ｈが、Ｘ方向およびＹ方向に離間した４箇所にそれぞれ上下２段に重ねて配置されている。また、本実施の形態においては、主ウエハ搬送装置１８は、Ｘ方向およびＹ方向に移動可能、Ｘ−Ｙ平面内（θ方向）で回転可能、かつＺ方向へ移動可能となっている。これにより、主ウエハ搬送装置１８は、各基板処理ユニット２０ａ〜２０ｈおよび受け渡しユニット１６へアクセスすることができるようになっている。
The
以上の各装置等は、コンピュータを含む制御装置５（図１）に接続されている。各装置等は、例えば、記録媒体６に記録されたプログラムに従った制御装置５からの制御信号に基づき、動作するようになっている。
Each of the above devices is connected to a control device 5 (FIG. 1) including a computer. Each device or the like operates based on a control signal from the
このようなウエハ洗浄システム１０においては、まず、ウエハ搬送装置１４がキャリアＣ内の被処理ウエハＷを受け渡しユニット１６へ搬送する。受け渡しユニット１６内の被処理ウエハＷは、主ウエハ搬送装置１８により、いずれか非稼働中の基板処理ユニット２０内へと搬送され、当該基板処理ユニット２０内で洗浄される。洗浄済のウエハＷは、主ウエハ搬送装置１８およびウエハ搬送装置１４により、受け渡しユニット１６を介してキャリアＣ内に搬送される。このようにして、基板処理装置１０における、一枚のウエハＷに対する一連の処理が終了する。
In such a
次に、本実施の形態における基板処理装置１０の処理液の供給系統および基板処理ユニット２０、並びに、処理液の供給系統を用いた基板処理ユニット２０内での処理について詳述する。
Next, the processing liquid supply system and
図２に示すように、各基板処理ユニット２０に処理液を供給するための処理液の供給系統として、基板処理装置１０は、処理液を貯留する処理液貯留部３０と、処理液貯留部３０に接続された主管４０と、主管４０に取り付けられ主管４０内に前記処理液を送り込む吐出装置４１と、基板処理ユニット２０毎に設けられ、一つの基板処理ユニット２０と主管４０とを連結し、基板処理ユニット２０へ処理液を供給する複数の分岐管５１，７１と、を備えている。本実施の形態においては、基板処理ユニット２０毎に第１分岐管５１および第２分岐管７１が設けられており、一つの基板処理ユニット２０は、当該二つの分岐管５１，７１を介して主管４０に連結されている。
As illustrated in FIG. 2, as a processing liquid supply system for supplying a processing liquid to each
また、図２に示すように、本実施の形態において、基板処理装置１０は、一つの薬液種を少なくとも含む液体を含む液体を貯留する液体貯留部９０，９５と、分岐管５１，７１毎に設けられた供給制御機構６０，６５，８０，８５と、をさらに備えている。図示するように、本実施の形態においては、液体貯留部として、第１の液体貯留部９０および第２の液体貯留部９５が設けられている。また、一つの分岐管５１，７１と一つの液体貯留部９０，９５とをそれぞれ連結する連結管６１，６６，８１，８６が設けられており、各連結管６１，６６，８１，８６に対して一つずつ供給制御機構６０，６５，８０，８５が取り付けられている。したがって、各分岐管５０，７０は、液体貯留部９０，９５の数と同数（二つ）の連結管６１，６６，８１，８６、および、液体貯留部９０，９５の数と同数（二つ）の供給制御機構６０，６５，８０，８５に接続している。
As shown in FIG. 2, in the present embodiment, the
この結果、本実施の形態において、一つの基板処理ユニット２０に対し、二つの分岐管５０，７０が設けられ、また、二つの分岐管５０，７０と二つの液体貯留部９０，９５とをそれぞれ連結する合計四つの連結管６１，６６，８１，８６が設けられ、さらに、各連結管６１，６６，８１，８６に一つずつ取り付けられた合計四つの供給制御機構６０，６５，８０，８５が設けられている。
As a result, in the present embodiment, two branch pipes 50 and 70 are provided for one
以下、基板処理装置１０の各構成要素の構成について詳述していく。
Hereinafter, the configuration of each component of the
まず、処理液貯留部３０と処理液貯留部３０の周辺設備とを含む処理液源８の構成について詳述する。
First, the configuration of the
図２に示すように、本実施の形態において、処理液源８は、処理液貯留部３０と、処理液貯留部３０に弁３３を介して接続され処理液貯留部３０に純水（ＤＩＷ）を供給する純水源３２と、処理液貯留部３０に弁３５を介して接続され処理液貯留部３０に第１の薬液種（薬液成分、薬液要素）を供給する第１薬液種源３４と、処理液貯留部３０に弁３７を介して接続され処理液貯留部３０に第１の薬液種とは異なる種類である第２の薬液種を供給する第２薬液種源３６と、を有している。処理液貯留部３０は、例えば処理液を貯留するタンク等の公知の貯留設備等から構成され得る。
As shown in FIG. 2, in the present embodiment, the processing
ここで、薬液種とは、ウエハＷの処理に利用される化学反応を引き起こす要因となり得る成分である。本実施の形態において、第１薬液種源３４は、第１薬液種としてのアンモニアを所定の濃度で含んだアンモニア水を供給し、第２薬液種源３６は、第２薬液種としての過酸化水素を所定の濃度で含んだ過酸化水素水を供給するようになっている。
Here, the chemical type is a component that can cause a chemical reaction used for processing the wafer W. In the present embodiment, the first chemical
第１薬液種源３４および第２薬液種源３６は、例えば、窒素ガスを用いた圧送により薬液種を処理液貯留部３０へ供給するように構成され得る。一方、各バルブ３３，３５，３７は、例えば、エアオペバルブや電動バルブ等の公知の弁から構成され、これにより、純水源３２、第１薬液種源３４または第２薬液種源３６から処理液貯留部３０に送り込まれる流体の流量を調整することができるようになっている。
The first chemical
このような処理液貯留部３０と処理液貯留部３０の周辺設備とを含む処理液源８の構成により、処理液貯留部３０には、第１薬液種および第２薬液種がそれぞれ所定の濃度で純水に含まれてなる薬液としての処理液が蓄えられるようになる。とりわけ、本実施の形態においては、上述したように、第１薬液種としてアンモニアが処理液貯留部３０に供給され、第２薬液種として過酸化水素が処理液貯留部３０に供給されることから、処理液貯留部３０にアンモニア過水ＳＣ１（ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ）が貯留されるようになる。
With the configuration of the
ところで、本実施の形態において、処理液源８は、制御装置５に接続され、制御装置５によって制御されるようになっている。具体的な例として、制御装置５が、処理液貯留部３０内の処理液の貯留量や、処理液貯留部３０内の処理液における第１薬液種または第２薬液種の濃度等に基づき、各弁３３，３５，３７の開閉および開度を設定するようにしてもよい。
By the way, in the present embodiment, the processing
次に、主管４０および主管４０に設けられた設備について説明する。
Next, the
図２に示すように、主管４０の両端部は処理液貯留部３０に接続されている。したがって、上述した吐出装置４１によって処理液貯留部３０から主管４０に送り込まれる処理液の一部または全部が、再度、処理液貯留部３０に流入し得るようになっている。すなわち、吐出装置４１によって吐出される処理液は、主管４０と処理液貯留部３０とによって構成される循環路内を循環することができるようになっている。なお、吐出装置４１は、例えばポンプ等の公知の設備や機器等から構成され得る。
As shown in FIG. 2, both ends of the
また、図２に示すように、主管４０には、フィルタ４２および弁４３が設けられている。フィルタ４２によって、主管４０内を流れる処理液中に混入したパーティクル等が除去される。一方、弁４３は、例えば、エアオペバルブや電動バルブ等の公知の弁から構成され得り、主管４０内を流れる処理液の単位時間あたりの流量を調整することができるようになっている。
Further, as shown in FIG. 2, the
このような主管４０および主管４０の周辺設備の構成によれば、各基板処理ユニット２０ａ〜２０ｈにおける処理液の消費の有無に関わらず、吐出装置４１を連続運転させながら、主管４０内における圧力および流速を一定に保つようにすることが可能となる。
According to the configuration of the
ところで、吐出装置４１および弁４３は、制御装置５に接続され、制御装置５によって制御されるようになっている。具体的な例として、制御装置５が、主管４０内の圧力や主管４０内を流れる処理液の単位時間あたりの流量等に基づき、弁４３の開閉および開度を設定するようにしてもよい。あるいは、制御装置５が、主管４０内の圧力や主管４０内を流れる処理液の単位時間あたりの流量等に基づき、吐出装置４１の出力を調整するようにしてもよい。
By the way, the
なお、上述した処理液源８、主管４０および主管４０の周辺設備の構成は、単なる例示に過ぎす、種々の公知な構成に置き換えることができる。それぞれに液体を送り出すための吐出装置を別途設けるようにしてもよい。
Note that the configuration of the
次に、液体貯留部９０，９５および液体貯留部９０，９５の周辺設備について説明する。
Next, the peripheral equipment of the
本実施の形態においては、上述したように、二つの液体貯留部、すなわち、第１液体貯留部９０および第２液体貯留部９５が設けられている。第１液体貯留部９０および第２液体貯留部９５には、処理液貯留部３０に貯留された処理液に含まれる薬液種を少なくとも含む液体が貯留されている。ただし、第１液体貯留部９０には、第２液体貯留部に貯留された液体とは異なる液体が貯留されている。例えば、第１液体貯留部９０に貯留された液体と、第２液体貯留部９５に貯留された液体に含まれる薬液種との間で、各薬液種中に含まれている薬液種の種類が異なるようにしてもよい。また、第１液体貯留部９０に貯留された液体と、第２液体貯留部９５に貯留された液体に含まれる薬液種との間で、各液体に含まれる薬液種は同じであるが、各液体中における少なくとも一つの薬液種の濃度が異なるようにしてもよい。
In the present embodiment, as described above, two liquid reservoirs, that is, the first
一例として、本実施の形態においては、第１液体貯留部９０は、純水と、第１薬液種としてのアンモニアと、からなるアンモニア水を第１の液体として貯留している。一方、第２液体貯留部９５は、純水と、第２薬液種としての過酸化水素と、からなる過酸化水素水を第２の液体として貯留している。第１液体貯留部９０に貯留された第１液体には、第２薬液種としての過酸化水素は含まれていない。同様に、第２液体貯留部９５に貯留された第２液体には、第１薬液種としてのアンモニアは含まれていない。
As an example, in the present embodiment, the first
ところで、本実施の形態において、第１液体貯留部９０に貯留された第１液体中における第１薬液種の濃度は、処理液貯留部３０に貯留されるとともに主管４０に送り込まれる処理液中におけるアンモニアの濃度とは異なり、これよりも高くなっている。また、第２液体貯留部９５に貯留された第２液体中における第２薬液種の濃度は、処理液貯留部３０に貯留されるとともに主管４０に送り込まれる処理液中における過酸化水素の濃度とは異なり、これよりも高くなっている。
By the way, in this Embodiment, the density | concentration of the 1st chemical | medical solution kind in the 1st liquid stored in the 1st
このような第１液体貯留部９０および第２液体貯留部９５は、例えば処理液を貯留するタンク等の公知の貯留設備等から構成され得る。
Such a 1st
図２に示すように、本実施の形態において、第１液体貯留部９０には、第１の共通連結管９１の両端が接続されている。また、第１の共通連結管９１には、第１液体貯留部９０内に貯留された処理液を共通連結管９１に送り込む吐出装置９２が、取り付けられている。したがって、第１共通連結管９１と第１液体貯留部９０とによって第１液体が循環する循環路が形成されている。さらに、第１共通連結管９１には、圧力制御バルブ９３が取り付けられている。
As shown in FIG. 2, in the present embodiment, both ends of the first common connecting
一方、第２液体貯留部９５には、第２の共通連結管９６の両端が接続されている。また、第２の共通連結管９６には、第２液体貯留部９５内に貯留された処理液を共通連結管９６に送り込む吐出装置９７が、取り付けられている。したがって、第２共通連結管９６と第２液体貯留部９５とによって第２液体が循環する循環路が形成されている。さらに、第２共通連結管９６には、圧力制御バルブ９８が取り付けられている。
On the other hand, both ends of the second common connecting
ここで、吐出装置９２および吐出装置９７は、例えばポンプ等の公知の設備や機器等から構成され得る。
Here, the
本実施の形態において、各吐出装置９２，９７および圧力制御バルブ９３，９８は、圧力制御装置５に接続され、制御装置５によって制御されるようになっている。このような各液体貯留部９０，９５および各液体貯留部９０，９５の周辺設備の構成によれば、第１共通連結管９１内に第１液体を所定の圧力で充填することができ、第２共通連結管９６内に第２液体を所定の圧力で充填することができる。
In the present embodiment, the
なお、上述した各液体貯留部９０，９５および各液体貯留部９０，９５の周辺設備の構成は、単なる例示に過ぎす、種々の公知な構成に置き換えることができる。
The configurations of the
次に、基板処理ユニット２０、分岐管５０，７０、連結管６１，６６，８１，８６、および、供給制御機構６０，６５，８０，８５について詳述する。
Next, the
なお、上述したように、第１乃至第８の基板処理ユニット２０ａ〜２０ｈに対して、複数の分岐管５０，７０、複数の連結管６１，６６，８１，８６、および、複数の液体供給機構６０，６５，８０，８５が設けられている。そして、本実施の形態においては、各基板処理ユニット２０ａ〜２０ｈの構成は実質的に同一であり、各基板処理ユニット２０ａ〜２０ｈを一単位とした分岐管５０，７０、連結管６１，６６，８１，８６、および、供給制御機構６０，６５，８０，８５の構成は、基板処理ユニット２０ａ〜２０ｈ間において実質的に同一となっている。したがって、以下においては、一つの基板処理ユニット２０の構成、および、当該一つの基板処理ユニット２０に対応する分岐管５０，７０の構成、連結管６１，６６，８１，８６の構成、および、供給制御機構６０，６５，８０，８５の構成のみを説明し、すべての基板処理ユニット、分岐管、連結管、および、供給制御機構の構成について説明したこととする。
As described above, a plurality of branch pipes 50, 70, a plurality of connection pipes 61, 66, 81, 86, and a plurality of liquid supply mechanisms are provided for the first to eighth
なお、分岐管、連結管および供給制御機構に関する説明、並びに、添付図面中において、符号の末尾のローマ字は対応する基板処理ユニットを表している。また、図２においては、第１および第２の基板処理ユニット２０ａ，２０ｂ、並びに、これらの基板処理ユニット２０ａ，２０ｂにそれぞれ対応する分岐管５０ａ，７０ａ，５０ｂ，７０ｂ、連結管６１ａ，６６ａ，８１ａ，８６ａ，６１ｂ，６６ｂ，８１ｂ，８６ｂ、および、供給制御機構６０ａ，６５ａ，８０ａ，８５ａ，６０ｂ，６５ｂ，８０ｂ，８５ｂのみが図示され、第３乃至第８基板処理ユニット２０ｃ〜２０ｄ、並びに、これらの基板処理ユニットに対応する分岐管、連結管、および、供給制御機構については、図示を省略している。
In the description of the branch pipe, the connecting pipe, the supply control mechanism, and the accompanying drawings, the Roman letters at the end of the reference numerals represent the corresponding substrate processing units. In FIG. 2, the first and second
このうち、まず、基板処理ユニット２０について説明する。
First, the
図２および図３に示すように、基板処理ユニット２０は、ウエハＷの処理空間を形成するカップ２１と、カップ２１内においてウエハＷを保持する保持機構２５と、保持機構２５に保持されたウエハＷの上方に配置されるノズル２２と、前記ノズル２２を支持するアーム２３と、を有している。カップ２１は、開閉可能であるとともに、実質的に密閉され得る処理空間を形成し得るように構成されている。
As shown in FIGS. 2 and 3, the
図３に示すように、保持機構２５は、ウエハＷの周縁部端面に当接し得る三つの保持部材２６を有している。ウエハＷは、この三つの保持部材２６によって三箇所から当接されることにより、保持機構２５に対して固定されるようになる。なお、図２に示すように、保持機構２５は、ウエハＷの板面が水平方向と略平行となるようにして、ウエハＷを保持する。また、保持機構２５は、図示しない回転駆動機構に連結され、保持したウエハＷとともに回転駆動されるようになっている。なお、この際、ウエハＷは、ウエハＷの板面に略直交するとともにウエハの略中心を通過する回転軸を中心として回転させられる。さらに、保持機構２５には、保持したウエハＷの裏面（表面の反対の面）に一端が対面する図示しない孔が形成されている。この孔の他端は、後述するように一つの分岐管７０に接続されている。
As shown in FIG. 3, the holding
ノズル２２は、後述するように一つの分岐管５０に連通しており、ウエハＷの表面に向けて処理液を吐出するようになっている。図２および図３に示すように、アーム２３は、シャフト２４に揺動可能に連結されている。アーム２３が揺動する際の揺動軸は、ウエハＷの板面に略直交する方向に沿っている。
As will be described later, the
このような構成においては、アーム２３が揺動すると、アーム２３に支持されたノズル２２はウエハＷに対して移動するようになる。本実施の形態においては、図３に示すように、アーム２３は、ノズル２２がウエハＷの略中心の上方に配置される中心部上方位置から、ノズル２２がウエハＷの周縁部の上方に配置される周縁部上方位置を通過して、ノズル２２がウエハＷの周縁部よりも外方の上方に配置された待機位置までの間を揺動可能となっている。また、アーム２３が中心部上方位置と待機位置との間を揺動する間、ノズル２２はウエハＷの板面に平行に移動する。なお、ここでいう平行とは、厳密に平行であることを必要とせず、当然に各機構の精度等をも考慮し、後述するウエハＷの処理時に、ノズル２２が厳密に平行に移動する場合と同等の効果を期待することができる範囲のずれを含む概念である。
In such a configuration, when the
次に、分岐管５０，７０について説明する。 Next, the branch pipes 50 and 70 will be described.
図２に示すように、本実施の形態においては、一つの基板処理ユニット２０に対し、表面側分岐管５０と、裏面用分岐管７０と、が設けられている。各分岐管５０，７０は、一つの基板処理ユニット２０と主管４０とを別個に連結している。
As shown in FIG. 2, in the present embodiment, a front side branch pipe 50 and a back side branch pipe 70 are provided for one
図２に示すように、表面側分岐管５０は、上述した基板処理ユニット２０のアーム２３に接続され、アーム２３を介してノズル２２に連通している。表面側分岐管５０には、表面側分岐管５０を開閉する弁５１と、表面側分岐管５０内を流れる処理液の流量を測定する流量計５２と、が設けられている。弁５１は、例えば、エアオペバルブや電動バルブ等の公知の弁から構成され得り、同様に、流量計５２は、公知なフローメータ等から構成され得る。このような構成によれば、弁５１の開閉および開度を制御することにより、所定の供給量でノズル２２から処理液を吐出することができる。また、本実施の形態において、弁５１および流量計５２は制御装置５に接続され、制御装置５が流量計５２による計測結果に基づいて弁５１の開閉および開度を制御するようになっている。
As shown in FIG. 2, the front side branch pipe 50 is connected to the
一方、図２に示すように、裏面側分岐管７０は、上述した基板処理ユニット２０の保持機構の図示しない孔に接続されている。裏面側分岐管７０には、裏面側分岐管７０を開閉する弁７１と、裏面側分岐管７０内を流れる処理液の流量を測定する流量計７２と、が設けられている。弁７１は、例えば、エアオペバルブや電動バルブ等の公知の弁から構成され得り、同様に、流量計７２は、公知なフローメータ等から構成され得る。このような構成によれば、弁７１の開閉および開度を調節することにより、所定の供給量で保持機構２５に保持されるウエハＷの裏面に向けて処理液を吐出することができる。また、本実施の形態において、弁７１および流量計７２は制御装置５に接続され、制御装置５が流量計７２による計測結果に基づいて弁７１の開閉および開度を制御するようになっている。
On the other hand, as shown in FIG. 2, the back surface side branch pipe 70 is connected to a hole (not shown) of the holding mechanism of the
なお、保持機構２５と保持機構２５に保持されたウエハＷとの隙間は微小である。したがって、裏面側分岐管７０を通過して保持機構２５の孔から吐出される処理液は、保持機構２５と保持機構２５に保持されたウエハＷとの隙間に広がり、ウエハＷの裏面の全域に接触するようになっている。
Note that the gap between the holding
次に、連結管６１，６６，８１，８６および供給制御機構６０，６５，８０，８５について詳述する。 Next, the connecting pipes 61, 66, 81, 86 and the supply control mechanisms 60, 65, 80, 85 will be described in detail.
図２に示すように、本実施の形態においては、各分岐管５０，７０に対し、当該分岐管５０，７０と二つの液体貯留部９０，９５とを接続する連結管６１，６６，８１，８６が設けられている。具体的には、表面側分岐管５０と第１共通連結管９１とを連結する表面側第１連結管６１と、表面側分岐管５０と第２共通連結管９６とを連結する表面側第２連結管６６と、裏面側分岐管７０と第１共通連結管９１とを連結する裏面側第１連結管８１と、裏面側分岐管７０と第２共通連結管９６とを連結する裏面側第２連結管８６と、が設けられている。また、表面側第１連結管６１に表面側第１供給制御機構６０が取り付けられ、表面側第２連結管６６に表面側第２供給制御機構６５が取り付けられ、裏面側第１連結管８１に裏面側第２供給制御機構８０が取り付けられ、裏面側第２連結管８６に裏面側第２供給制御機構８５が取り付けられている。
As shown in FIG. 2, in the present embodiment, for each branch pipe 50, 70, connecting pipes 61, 66, 81, connecting the branch pipes 50, 70 and the two
ここで、表面側第１供給制御機構６０は、本実施の形態において、当該表面側第１供給制御機構６０が取り付けられた表面側第１連結管６１を経由した、第１共通連結管９１（第１液体貯留部９０）から表面側分岐管５０への第１液体の供給の有無および単位時間あたりの供給量を制御する機構である。具体的には、表面側第１供給制御機構６０は、例えば、エアオペバルブや電動バルブ等の公知の流量調整弁から構成され得る。また、表面側第１供給制御機構６０が、公知の流量調整弁と、当該弁の開度を決定するために表面側第１連結管６１を通過する第１液体の流量を測定する公知の流量計と、を有するようにしてもよい。 Here, the surface side first supply control mechanism 60 is connected to the first common connection pipe 91 (through the surface side first connection pipe 61 to which the surface side first supply control mechanism 60 is attached in the present embodiment. This is a mechanism for controlling whether or not the first liquid is supplied from the first liquid storage section 90) to the surface side branch pipe 50 and the supply amount per unit time. Specifically, the front surface side first supply control mechanism 60 can be constituted by a known flow rate adjusting valve such as an air operated valve or an electric valve. Moreover, the surface side 1st supply control mechanism 60 measures the flow volume of the 1st liquid which passes the surface side 1st connection pipe 61 in order to determine the opening degree of a well-known flow rate adjustment valve, and the said valve | bulb. You may make it have a total.
同様に、他の供給制御機構６５，８０，８５は、当該供給制御機構が取り付けられた連結管を経由した、共通連結管（液体貯留部）から分岐管への液体の供給の有無および単位時間あたりの供給量を制御する機構である。具体的には、供給制御機構６５，８０，８５は、例えば、エアオペバルブや電動バルブ等の公知の流量調整弁から構成され得る。また、供給制御機構６５，８０，８５が、公知の流量調整弁と、当該弁の開度を決定するために連結管を通過する液体の流量を測定する公知の流量計と、を有するようにしてもよい。 Similarly, the other supply control mechanisms 65, 80, 85 are configured to supply liquids from the common connection pipe (liquid storage unit) to the branch pipe and unit time via the connection pipe to which the supply control mechanism is attached. This mechanism controls the amount of supply per unit. Specifically, the supply control mechanisms 65, 80, 85 can be configured from known flow rate adjustment valves such as air operated valves and electric valves, for example. Further, the supply control mechanism 65, 80, 85 has a known flow rate adjusting valve and a known flow meter for measuring the flow rate of the liquid passing through the connecting pipe in order to determine the opening degree of the valve. May be.
このような供給制御機構６０，６５，８０，８５は制御装置５に接続され、供給制御機構６０，６５，８０，８５の動作は制御装置５によって制御されるようになっている。
Such supply control mechanisms 60, 65, 80, 85 are connected to the
上述したように、第１液体中における第１薬液種の濃度が主管４０から表面側分岐管５０に送り込まれてくる処理液中における第１薬液種の濃度よりも高くなっている。したがって、このような表面側第１供給制御機構６０によって単位時間あたりの供給量が制御されながら第１液体が表面側分岐管５０に注入された場合、表面側分岐管５０から基板処理ユニット２０へ供給されるとともにノズル２２から吐出される処理液中における第１薬液種の濃度は上昇することになる。同様に、表面側第２供給制御機構６５によって単位時間あたりの供給量が制御されながら第２液体が表面側分岐管５０に注入された場合、表面側分岐管５０から基板処理ユニット２０へ供給されるとともにノズル２２から吐出される処理液中における第２薬液種の濃度が上昇することになる。また同様に、裏面側供給制御機構８０，８５によって単位時間あたりの供給量が制御されながら第１液体および第２液体が裏面側分岐管７０に注入された場合、裏面側分岐管７０から基板処理ユニット２０へ供給されるとともに保持機構２５から吐出される処理液中における第１薬液種および第２薬液種の濃度が上昇することになる。
As described above, the concentration of the first chemical liquid type in the first liquid is higher than the concentration of the first chemical liquid type in the processing liquid sent from the
次に、以上のような構成からなる基板処理装置１０の各基板処理ユニット２０内におけるウエハＷの処理方法の一例について説明する。
Next, an example of a method for processing the wafer W in each
まず、上述したように、主ウエハ搬送装置１８により一つの基板処理ユニット２０内へ、被処理ウエハＷが持ち込まれる（図１参照）。基板処理ユニット２０に持ち込まれたウエハＷは保持機構２５によって、その板面が略水平方向に沿うようにして保持される。その後、ウエハＷは、カップ２１内で密閉された状態で、図示しない回転駆動機構によって、保持機構２５とともに回転させられる。
First, as described above, the wafer W to be processed is brought into one
なお、このとき、制御装置５からの信号により、吐出装置４１が稼働状態にあるとともに弁４３の開度が調整され、処理液が所定の圧力を保ちながら主管４０内を循環している。また、制御装置５からの信号により、吐出装置９２が稼働して第１共通連結管９１内に第１液体を送り込み、第１共通連結管９１内の圧力が所定の値に保たれている。さらに、制御装置５からの信号により、吐出装置９７が稼働して第２共通連結管９６内に第２液体を送り込み、第２共通連結管９６内の圧力が所定の値に保たれている。
At this time, the
次に、基板処理ユニット２０内でウエハＷの洗浄処理が始まる。まず、図４に示すように、それまで待機位置にあったアーム２３が、周縁部上方位置を経由して中心部上方位置まで揺動する。
Next, the wafer W cleaning process starts in the
時間ｔ２において、アーム２３が中心部上方位置に到達すると、予め設定された単位時間当たりの供給量で、処理液が表面側分岐管５０内を流れて基板処理ユニット２０へ供給されるよう、制御装置５からの信号によって弁５１が開かれる。これにより、ノズル２２から処理液が吐出され、ウエハＷの中心部に処理液が供給されるようになる。
When the
上述したように、本実施の形態において、主管４０から送り込まれてくる処理液は、第１薬液種としてのアンモニアおよび第２薬液種としての過酸化水素を純水に溶解してなる薬液ＳＣ１である。このため、処理液が直接供給されているウエハＷの表面の中心部においては、薬液ＳＣ１によってウエハＷの表面が化学的に洗浄されるようになる。なお、ウエハＷの表面上に供給された処理液は、ウエハＷの回転にともなって、洗浄によって除去されたパーティクル等とともにウエハＷの板面上を中心部から外方へ移動し、カップ２１内に回収される。
As described above, in the present embodiment, the processing liquid sent from the
図４に示されているように、アーム２３が時間ｔ２から時間ｔ３まで中心部上方位置に停止している。したがって、新たな処理液に曝され続けるウエハＷの中心部においては、処理液による活発な化学反応が引き起こされ、さらには、この化学反応にともなったウエハＷの中心部における温度上昇により化学反応のさらなる活性化が引き起こされる。この結果、ウエハＷの表面の中心部は、非常に高いレベルで洗浄処理を行われるようになる。
As shown in FIG. 4, the
同様に、時間ｔ２において、アーム２３が中心部上方位置に到達すると、予め設定された単位時間当たりの供給量で、処理液が裏面側分岐管７０内を流れて基板処理ユニット２０へ供給されるよう、制御装置５からの信号によって弁７１が開かれる。これにより、処理液が、保持機構２５の図示しない孔から、ウエハＷの裏面と保持機構との間に供給される。
Similarly, when the
上述したように、ウエハＷの裏面と保持機構との間の隙間は微小であることから、この隙間に供給された処理液は、ウエハＷの裏面の全域に広がる。また、ウエハＷの回転にともなって、連続供給される処理液は、ウエハＷの裏面と保持機構との間から外方に飛散し、カップ２１内に回収されるようになる。このようにしても、薬液ＳＣ１としての処理液により、ウエハＷの裏面が洗浄処理される。
As described above, since the gap between the back surface of the wafer W and the holding mechanism is very small, the processing liquid supplied to the gap spreads over the entire back surface of the wafer W. Further, as the wafer W rotates, the continuously supplied processing liquid scatters outward from between the back surface of the wafer W and the holding mechanism and is collected in the
ところで、時間ｔ２から時間ｔ３までの間、図４に示すように、表面側分岐管５０に第１液体および第２液体は供給されていない。したがって、表面側分岐管５０から基板処理ユニット２０内に供給される処理液中における第１薬液種の濃度ｃ１は、処理液貯留部３０内に貯留されるとともに主管４０内に送り込まれる処理液中における第１薬液種の濃度と同一である。また、表面側分岐管５０から基板処理ユニット２０内に供給される処理液中における第２薬液種の濃度は、処理液貯留部３０内に貯留されるとともに主管４０内に送り込まれる処理液中における第２薬液種の濃度と同一である。同様に、時間ｔ２から時間ｔ３までの間、裏面側分岐管７０に第１液体および第２液体は供給されていない。したがって、裏面側分岐管７０から基板処理ユニット２０内に供給される処理液中における第１薬液種の濃度ｃ１は、処理液貯留部３０内に貯留されるとともに主管４０内に送り込まれる処理液中における第１薬液種の濃度と同一である。また、裏面側分岐管７０から基板処理ユニット２０内に供給される処理液中における第２薬液種の濃度は、処理液貯留部３０内に貯留されるとともに主管４０内に送り込まれる処理液中における第２薬液種の濃度と同一である。
By the way, from the time t2 to the time t3, as shown in FIG. 4, the 1st liquid and the 2nd liquid are not supplied to the surface side branch pipe 50. As shown in FIG. Therefore, the concentration c1 of the first chemical liquid species in the processing liquid supplied from the front-side branch pipe 50 into the
その後、時間ｔ３を過ぎると、アーム２３が中心部上方位置から待機位置に向けて揺動する。この結果、ノズル２２は、ウエハＷの表面の中心部領域の上方から外方へと移動する。図４に示すように、アーム２３は、中心部上方位置から時間ｔ３に揺動を開始し、周縁部上方位置を経由して、時間ｔ５に待機位置に到達する。このうち、時間ｔ３から時間ｔ４までの間については、表面側分岐管５０を経由して、処理液がノズル２２からウエハＷの表面上に供給される。同様に、時間ｔ３から時間ｔ４までの間については、裏面側分岐管７０を経由して、処理液が、保持機構２２からウエハＷの裏面と保持機構２２との間に供給される。なお、表面側分岐管５０を経由した処理液の単位時間あたりの供給量および裏面側分岐管７０を経由した処理液の単位時間あたりの供給量は、それぞれ時間ｔ２から時間ｔ３までの供給量と同一になっている。
Thereafter, when the time t3 is passed, the
ところで、図４に示すように、時間ｔ３から時間ｔ４までの間、表面側第１供給制御機構６０は、制御装置５からの信号に基づき、予め設定された単位時間あたりの供給量で、第１共通連結管９１内の第１液体を表面側分岐管５０内に流入させる。図４に示す例においては、表面側分岐管５０内への第１液体の単位時間あたりの供給量は、アーム２３の揺動にともなったウエハＷ上における処理液の供給位置に応じて変化する。具体的には、ウエハＷ上における処理液の供給位置がウエハＷの中心から外方に向けて移動するのにともなって、表面側分岐管５０内への第１液体の単位時間あたりの供給量は上昇していく。
By the way, as shown in FIG. 4, during the period from time t3 to time t4, the surface-side first supply control mechanism 60 uses the preset supply amount per unit time based on the signal from the
上述したように、第１液体中における第１薬液種の濃度は、主管４０から表面側分岐管５０へ送り込まれる処理液中における第１薬液種の濃度と異なる。さらに詳しくは、第１液体中における第１薬液種の濃度は、主管４０から表面側分岐管５０へ送り込まれる処理液中における第１薬液種の濃度よりも高くなっている。したがって、表面側分岐管５０内において処理液中に第１薬液種が注入されることにより、表面側分岐管５０から基板処理ユニット２０内へ供給される処理液中における第１薬液種の濃度は上昇する。本例においては、図４に示すように、上述した第１薬液の単位時間あたりの供給量が０（ｌ／ｍｉｎ）からｖ１（ｌ／ｍｉｎ）まで変化するのに連動し、ウエハＷ上における処理液の供給位置がウエハＷの中心から外方に向けて移動するのにつれて、ウエハＷの表面上に供給される処理液中における第１薬液種の濃度がｃ１からｃ２まで上昇していく。
As described above, the concentration of the first chemical liquid type in the first liquid is different from the concentration of the first chemical liquid type in the processing liquid sent from the
本例においては、表面側第２供給制御機構６５も表面側第１供給制御機構６０と同様に動作する。すなわち、時間ｔ３から時間ｔ４までの間、表面側第２供給制御機構６５は、制御装置５からの信号に基づき、予め設定された単位時間あたりの供給量で、第２共通連結管９６内の第２液体を表面側分岐管５０内に流入させる。表面側分岐管５０内への第２液体の単位時間あたりの供給量は、アーム２３の揺動にともなったウエハＷ上における処理液の供給位置に応じて変化する。具体的には、ウエハＷ上における処理液の供給位置がウエハＷの中心から外方に向けて移動するのにともなって、表面側分岐管５０内への第２液体の単位時間あたりの供給量は上昇していく。
In this example, the front side second supply control mechanism 65 operates in the same manner as the front side first supply control mechanism 60. That is, during the period from time t3 to time t4, the surface-side second supply control mechanism 65 has a supply amount per unit time set in advance in the second
上述したように、第２液体中における第２薬液種の濃度は、主管４０から表面側分岐管５０へ送り込まれる処理液中における第２薬液種の濃度よりも高くなっている。したがって、表面側分岐管５０内において処理液中に第２薬液種が注入されることにより、表面側分岐管５０から基板処理ユニット２０内へ供給される処理液中における第２薬液種の濃度は上昇する。具体的には、第２薬液の単位時間あたりの供給量の変化に連動し、ウエハＷ上における処理液の供給位置がウエハＷの中心から外方に向けて移動するのにつれて、ウエハＷの表面上に供給される処理液中における第２薬液種の濃度は上昇していく。
As described above, the concentration of the second chemical liquid species in the second liquid is higher than the concentration of the second chemical liquid species in the processing liquid sent from the
上述したように、ウエハＷの表面の中心部においては、非常に高いレベルで洗浄処理が行われる。一方、回転中のウエハＷ上に処理液を供給して処理を行うスピン法においては、ウエハＷの表面における中心部から周縁部に向けて処理の程度が低くなる傾向がある。これは、例えば、ウエハＷの表面における半径方向位置が中心部から外方に向けてずれるにしたがって、円周長さが増えること、すなわち、処理対象となる表面積が増えることに起因する。また、そもそも、ウエハＷの表面上における酸化膜の厚さが中心部から周縁部に向けて厚くなっていく被処理ウエハも存在する。このようなウエハＷを処理する場合、ウエハＷの処理に用いられる処理液中の薬液種の濃度は、ウエハＷの表面上における処理液の供給位置が中心部から周縁部に向かうにつれて、上昇していくことが好ましい。 As described above, the cleaning process is performed at a very high level at the center of the surface of the wafer W. On the other hand, in a spin method in which processing is performed by supplying a processing liquid onto a rotating wafer W, the degree of processing tends to decrease from the central portion to the peripheral portion on the surface of the wafer W. This is because, for example, as the radial position on the surface of the wafer W shifts outward from the center, the circumferential length increases, that is, the surface area to be processed increases. In the first place, there is a wafer to be processed in which the thickness of the oxide film on the surface of the wafer W increases from the central portion toward the peripheral portion. When processing such a wafer W, the concentration of the chemical liquid in the processing liquid used for processing the wafer W increases as the processing liquid supply position on the surface of the wafer W moves from the central portion toward the peripheral portion. It is preferable to continue.
そして、上述した実施の形態においては、ウエハＷ上における処理液の供給位置がウエハＷの中心から外方に向けて移動するのにつれて、ウエハＷの表面上に供給される処理液中における第１薬液種および第２薬液種の濃度が上昇していく。すなわち、例えば、アームの揺動速度を徐々に遅くしていく等、処理時間を長くして、ウエハＷの表面の周縁部側における処理の程度を上昇させるのではなく、処理液中に含まれた薬液種の濃度を変化させることにより、ウエハＷの表面の周縁部側における処理の程度を上昇させている。したがって、ウエハＷの表面の全面においてむらなく均一に、かつ、短時間で効率的にウエハＷを処理することができる。 In the above-described embodiment, as the processing liquid supply position on the wafer W moves outward from the center of the wafer W, the first in the processing liquid supplied on the surface of the wafer W. The concentrations of the chemical liquid type and the second chemical liquid type increase. That is, for example, the processing time is increased by gradually decreasing the swinging speed of the arm and the degree of processing on the peripheral edge side of the surface of the wafer W is not increased, but is included in the processing liquid. By changing the concentration of the chemical type, the degree of processing on the peripheral side of the surface of the wafer W is increased. Therefore, the wafer W can be processed uniformly and uniformly over the entire surface of the wafer W in a short time.
なお、図４に示すように、本実施の形態においては、時間ｔ３から時間ｔ４までの間、裏面側分岐管７０に第１液体および第２液体は供給されていない。したがって、裏面側分岐管７０から基板処理ユニット２０内に供給される処理液中における第１薬液種の濃度は、処理液貯留部３０内に貯留されるとともに主管４０内に送り込まれる処理液中における第１薬液種の濃度と同一である。また、裏面側分岐管７０から基板処理ユニット２０内に供給される処理液中における第２薬液種の濃度は、処理液貯留部３０内に貯留されるとともに主管４０内に送り込まれる処理液中における第２薬液種の濃度と同一である。
As shown in FIG. 4, in the present embodiment, the first liquid and the second liquid are not supplied to the back surface side branch pipe 70 from time t3 to time t4. Therefore, the concentration of the first chemical liquid species in the processing liquid supplied from the back side branch pipe 70 into the
すなわち、時間ｔ３から時間ｔ４までの間、裏面側分岐管７０には第１液体および第２液体が供給されていないのに対し、同一時に、表面側分岐管５０には第１液体および第２液体が供給されている。この結果、同一の基板処理ユニット２０内において、裏面側分岐管７０から供給される処理液中における第１薬液種および第２薬液種の濃度が、同一時に、表面側分岐管５０から供給される処理液中における第１薬液種および第２薬液種の濃度とは異なるようになる。
That is, during the period from time t3 to time t4, the first liquid and the second liquid are not supplied to the back side branch pipe 70, whereas the first liquid and the second liquid are supplied to the front side branch pipe 50 at the same time. Liquid is being supplied. As a result, in the same
時間ｔ４が過ぎると、制御装置５からの信号により、弁５１および弁７１が閉まり、表面側分岐管５０および裏面側分岐管７０からの基板処理ユニット２０への処理液の供給が停止する。また、図４に示すように、時間ｔ４が過ぎると、表面側第１供給制御機構６０および表面側第２供給制御機構６５は、制御装置５からの信号に基づき、表面側分岐管５０への第１薬液および第２薬液の供給を停止する。
After the time t4, the valve 51 and the valve 71 are closed by a signal from the
その後、ウエハＷには、純水を供給して薬液を濯ぎ落とす濯ぎ処理（リンス処理）や、乾燥処理が施される。これらの一連の処理がなされた後、ウエハＷは、主ウエハ搬送装置１８により基板処理ユニットから持ち出される。なお、本実施の形態においては、図２に示すように、濯ぎ処理を行うため、分岐管、例えば表面側分岐管６０，６５は純水源に接続されている。
Thereafter, the wafer W is subjected to a rinsing process (rinsing process) in which pure water is supplied to rinse off the chemical solution and a drying process. After these series of processes, the wafer W is taken out of the substrate processing unit by the main
以上の処理が、一つの基板処理ユニット２０内で一つのウエハＷに対してなされる洗浄処理である。図１を参照しながら説明したように、本実施の形態において、基板処理装置１０は八つの基板処理ユニット２０ａ〜２０ｈを含んでおり、一台の主ウエハ搬送装置１８が各基板処理ユニット２０内に被処理ウエハを順次持ち込むようになっている。したがって、基板処理ユニット２０ａ〜２０ｈ毎に、異なるタイミングで被処理ウエハＷが持ち込まれ、持ち込まれたウエハＷに対して処理が行われ始める。
The above process is a cleaning process performed on one wafer W in one
上述したように、本実施の形態において、一つの基板処理ユニット２０の分岐管５０，７０は、他の基板処理ユニット２０の分岐管５０，７０とは別個の連結管６１，６６，８１，８６および供給設備機構６０，６５，８０，８５を介して液体貯留部９０，９５に接続されている。したがって、一つの基板処理ユニット２０の分岐管５０，７０毎に設けられた供給設備機構６０，６５，８０，８５を用いることによって、当該一つの基板処理ユニット２０の分岐管５０，７０に供給される第１液体および第２液体の供給量を、他の基板処理ユニット２０の分岐管５０，７０に供給される第１液体および第２液体の供給量とは別個に調整することができる。
As described above, in the present embodiment, the branch pipes 50 and 70 of one
図５には、一例として、第２基板処理ユニット２０ｂ内におけるウエハＷの処理方法を、第１基板処理ユニット２０ａ内における処理方法とともに示している。図５に示す例において、第２基板処理ユニット２０ｂ内におけるウエハＷの処理方法は実線で表され、第１基板処理ユニット２０ａ内における処理方法は点線で表されている。ここで、第１基板処理ユニット２０ａ内における処理方法は、図４を参照して既に説明した処理方法と同一としている。以下に、図５に示す例における第２基板処理ユニット２０ｂ内でのウエハＷの処理方法について、第１基板処理ユニット２０ａ内での処理と比較しながら、説明する。
FIG. 5 shows, as an example, a processing method for the wafer W in the second
図５に示す例において、第２基板処理ユニット２０ｂにおいては、第１基板処理ユニット２０ａよりも遅れて、時間ｔ１ｂにアーム２３が待機位置から中央部上方位置に向けて揺動し始める。時間ｔ２ｂにおいて、第２基板処理ユニット２０ｂのアーム２３が中心部上方位置に到達すると、処理液が、予め設定された単位時間当たりの供給量で、表面側分岐管５０ｂ内介してウエハＷの中心部に供給されるようになる。図５に示されているように、アーム２３は、時間ｔ２ｂから時間ｔ３ｂまで、中心部上方位置に停止している。したがって、時間ｔ２ｂから時間ｔ３ｂまでの間、第２基板処理ユニット２０ｂ内に収容されたウエハＷの表面の中心部は、非常に高いレベルで洗浄処理を行われるようになる。
In the example shown in FIG. 5, in the second
同様に、時間ｔ２において、アーム２３が中心部上方位置に到達すると、予め設定された単位時間当たりの供給量で、処理液が裏面側分岐管７０ｂを介して、ウエハＷの裏面と保持機構２５との間に供給されるようになる。これにより、時間ｔ２ｂから時間ｔ３ｂまでの間、第２基板処理ユニット２０ｂ内に収容されたウエハＷの裏面は、処理液により洗浄される。
Similarly, when the
なお、本例においては、図５に示すように、表面側分岐管５０ｂおよび裏面側分岐管７０ｂを介して第２基板処理ユニット２０ｂ内に供給される処理液の単位時間当たりの供給量は、表面側分岐管５０ａおよび裏面側分岐管７０ａを介して第１基板処理ユニット２０ａ内に供給される処理液の単位時間当たりの供給量と同一となっている。
In this example, as shown in FIG. 5, the supply amount per unit time of the processing liquid supplied into the second
ところで、図５に示すように、時間ｔ２ｂから時間ｔ３ｂまでの間、第２基板処理ユニット２０ｂの表面側第１供給制御機構６０ｂは、予め設定された単位時間あたりの供給量ｖｂ１で、第１共通連結管９１内の第１液体を表面側分岐管５０ｂ内に流入させる。このように、表面側分岐管５０ｂ内において処理液中に第１薬液種が注入されることにより、表面側分岐管５０ｂから第２基板処理ユニット２０ｂ内へ供給される処理液中における第１薬液種の濃度ｃｂ１は、処理液貯留部３０内に貯留されるとともに主管４０内に送り込まれる処理液中における第１薬液種の濃度（濃度ｃ１に相当）よりも高くなる。
By the way, as shown in FIG. 5, during the period from time t2b to time t3b, the surface-side first
本例においては、表面側第２供給制御機構６５ｂも、表面側第１供給制御機構６０ｂと同様に動作する。すなわち、時間ｔ２ｂから時間ｔ３ｂまでの間、第２基板処理ユニット２０ｂの表面側第２供給制御機構６５ｂは、予め設定された単位時間あたりの供給量で、第２共通連結管９６内の第２液体を表面側分岐管５０ｂ内に流入させる。このように、表面側分岐管５０ｂ内において処理液中に第２薬液種が注入されることにより、表面側分岐管５０ｂから第２基板処理ユニット２０ｂ内へ供給される処理液中における第２薬液種の濃度は、処理液貯留部３０内に貯留されるとともに主管４０内に送り込まれる処理液中における第２薬液種の濃度よりも高くなる。
In this example, the front side second
一方、図５に示すように、時間ｔ２ｂから時間ｔ３ｂまでの間、第２基板処理ユニット２０ｂの裏面側第１供給制御機構８０ｂは、予め設定された単位時間あたりの供給量ｖｂ３で、第１共通連結管９１内の第１液体を裏面側分岐管７０ｂ内に流入させる。このように、裏面側分岐管７０ｂ内において処理液中に第１薬液種が注入されることにより、裏面側分岐管７０ｂから第２基板処理ユニット２０ｂ内へ供給される処理液中における第１薬液種の濃度ｃｂ３は、処理液貯留部３０内に貯留されるとともに主管４０内に送り込まれる処理液中における第１薬液種の濃度（濃度ｃ１に相当）よりも高くなる。
On the other hand, as shown in FIG. 5, during the period from time t2b to time t3b, the back side first
本例においては、裏面側第２供給制御機構８５ｂも、裏面側第１供給制御機構８０ｂと同様に動作する。すなわち、時間ｔ２ｂから時間ｔ３ｂまでの間、第２基板処理ユニット２０ｂの裏面側第２供給制御機構８５ｂは、予め設定された単位時間あたりの供給量で、第２共通連結管９６内の第２液体を裏面側分岐管７０ｂ内に流入させる。このように、裏面側分岐管７０ｂ内において処理液中に第２薬液種が注入されることにより、裏面側分岐管７０ｂから第２基板処理ユニット２０ｂ内へ供給される処理液中における第２薬液種の濃度は、処理液貯留部３０内に貯留されるとともに主管４０内に送り込まれる処理液中における第２薬液種の濃度よりも高くなる。
In this example, the back side second
したがって、第２基板処理ユニット２０ｂ内に収容された被処理ウエハＷほ表面および裏面は、第１基板処理ユニット２０ａに供給される処理液よりも第１薬液種および第２薬液種が高濃度で溶解した処理液によって、高いレベルの処理、例えば、より高いレベルでの洗浄処理を施される。
Accordingly, the front surface and the back surface of the wafer W to be processed accommodated in the second
なお、図５に示すように、時間ｔ２ｂから時間ｔ３ｂの間、第１基板処理ユニット内では、上述した時間ｔ３から時間ｔ４までの処理が行われている。したがって、この期間、第１基板処理ユニット２０ａの裏面側分岐管７０ａには第１薬液および第２薬液が供給されていない。したがって、時間ｔ２ｂから時間ｔ３ｂの間、第２基板処理ユニット２０ｂに表面側分岐管５０ｂおよび裏面側分岐管７０ｂから供給される処理液中における第１薬液種および第２薬液種の濃度は、第１基板処理ユニット２０ａに裏面側分岐管７０ａから供給される処理液中における第１薬液種および第２薬液種の濃度とは異なる値となっている。
As shown in FIG. 5, the processing from the time t3 to the time t4 is performed in the first substrate processing unit from the time t2b to the time t3b. Therefore, during this period, the first chemical liquid and the second chemical liquid are not supplied to the back surface side branch pipe 70a of the first
一方、時間ｔ２ｂから時間ｔ３ｂの間、第１基板処理ユニット２０ａの表面側分岐管５０ａには第１薬液および第２薬液が供給されている。第１基板処理ユニット２０ａの表面側分岐管５０ａへの第１薬液および第２薬液の供給量は、時間の経過とともに増大していくよう変化している。そして、一時期を除き、第１基板処理ユニット２０ａの表面側分岐管５０ａへの第１薬液および第２薬液の供給量は、第２基板処理ユニット２０ｂの表面側分岐管５０ｂおよび裏面側分岐管７０ｂへの第１薬液および第２薬液の供給量とは異なる値となっている。このため、第２基板処理ユニット２０ｂの表面側分岐管５０ｂおよび裏面側分岐管７０ｂへの第１薬液および第２薬液の供給量が、第１基板処理ユニット２０ａの裏面側分岐管７０ａへの第１薬液および第２薬液の供給量と同一となる場合を除き、時間ｔ２ｂから時間ｔ３ｂの間、第２基板処理ユニット２０ｂに表面側分岐管５０ｂおよび裏面側分岐管７０ｂから供給される処理液中における第１薬液種および第２薬液種の濃度は、第１基板処理ユニット２０ａに表面側分岐管５０ａから供給される処理液中における第１薬液種および第２薬液種の濃度とは異なる値となっている。
On the other hand, during the period from time t2b to time t3b, the first chemical liquid and the second chemical liquid are supplied to the surface side branch pipe 50a of the first
その後、時間ｔ３ｂを過ぎると、第２基板処理ユニット２０ｂアーム２３が中心部上方位置から待機位置に向けて揺動する。図５に示すように、アーム２３は、中心部上方位置から時間ｔ３ｂに揺動を開始し、周縁部上方位置を経由して、時間ｔ５ｂに待機位置に到達する。このうち、時間ｔ３ｂから時間ｔ４ｂまでの間については、処理液が、第２基板処理ユニット２０ｂへ表面側分岐管５０ｂおよび裏面側分岐管７０ｂを介して供給される。なお、表面側分岐管５０ｂを経由した処理液の単位時間あたりの供給量および裏面側分岐管７０ｂを経由した処理液の単位時間あたりの供給量は、それぞれ時間ｔ２ｂから時間ｔ３ｂまでの供給量と同一になっている。
Thereafter, when the time t3b is passed, the second
ところで、図５に示すように、時間ｔ３ｂから時間ｔ４ｂまでの間、第２基板処理ユニット２０ｂの表面側第１供給制御機構６０ｂは、第１基板処理ユニット２０ａの表面側第１供給制御機構６０ａと同様に、アーム２３の揺動にともなったウエハＷ上における処理液の供給位置に応じて、表面側分岐管５０ｂへの第１液体の単位時間当たりの供給量を変化させる。具体的には、時間ｔ３ｂから時間ｔ４ｂまでの間、ウエハＷ上における処理液の供給位置がウエハＷの中心部から周縁部へ変化するにつれ、第１液体の単位時間当たりの供給量は、ｖｂ１（ｌ／ｍｉｎ）からｖｂ２（ｌ／ｍｉｎ）まで次第に上昇していく。これにともなって、ウエハＷの表面上に供給される処理液中における第１薬液種の濃度がｃｂ１からｃｂ２まで次第に上昇していく。
By the way, as shown in FIG. 5, from the time t3b to the time t4b, the surface side first
本例においては、表面側第２供給制御機構６５ｂも、表面側第１供給制御機構６０ｂと同様に動作する。すなわち、時間ｔ３ｂから時間ｔ４ｂまでの間、表面側第２供給制御機構６５ｂは、アーム２３の揺動にともなったウエハＷ上における処理液の供給位置に応じて、表面側分岐管５０ｂへの第２液体の単位時間当たりの供給量を変化させる。具体的には、時間ｔ３ｂから時間ｔ４ｂまでの間、ウエハＷ上における処理液の供給位置がウエハＷの中心部から周縁部へ変化するにつれ、第２液体の単位時間当たりの供給量は次第に上昇していく。これにともなって、ウエハＷの表面上に供給される処理液中における第１薬液種の濃度も次第に上昇していく。
In this example, the front side second
このように、図５に示す例においては、第２基板処理ユニット２０ｂ内に収容されたウエハＷ上における処理液の供給位置がウエハＷの中心から外方に向けて移動するのにつれて、ウエハＷの表面上に供給される処理液中における第１薬液種および第２薬液種の濃度が上昇していく。したがって、ウエハＷの表面の周縁部側において、ウエハＷの表面中心部と同程度の高いレベルの処理を、短時間で効率的に行うことができる。
As described above, in the example shown in FIG. 5, as the processing liquid supply position on the wafer W accommodated in the second
一方、時間ｔ３ｂから時間ｔ４ｂまでの間、第２基板処理ユニット２０ｂの裏面側分岐管７０ｂには、時間ｔ２ｂから時間ｔ３ｂまでの期間における単位時間あたりの供給量ｖｂ３と同一量で、第１液体が供給されている。したがって、時間ｔ３ｂから時間ｔ４ｂまでの間、裏面側分岐管７０ｂから基板処理ユニット２０内に供給される処理液中における第１薬液種の濃度ｃｂ３は、処理液貯留部３０内に貯留されるとともに主管４０内に送り込まれる処理液中における第１薬液種の濃度（濃度ｃ１に相当）よりも高い一定の値となっている。同様に、時間ｔ３ｂから時間ｔ４ｂまでの間、第２基板処理ユニット２０ｂの裏面側分岐管７０ｂには、時間ｔ２ｂから時間ｔ３ｂまでの期間における単位時間あたりの供給量と同一量で、第２液体が供給されている。したがって、時間ｔ３ｂから時間ｔ４ｂまでの間、裏面側分岐管７０ｂから基板処理ユニット２０内に供給される処理液中における第２薬液種の濃度は、処理液貯留部３０内に貯留されるとともに主管４０内に送り込まれる処理液中における第１薬液種の濃度よりも高い一定の値となっている。
On the other hand, during the period from time t3b to time t4b, the first liquid is supplied to the back
また、時間ｔ３ｂから時間ｔ４ｂまでの間、第２基板処理ユニット２０ｂの裏面側分岐管７０ｂに供給される第１液体および第２液体の単位時間あたりの供給量は、同一時に、第２基板処理ユニット２０ｂの表面側分岐管５０ｂに供給される第１液体および第２液体の単位時間あたりの供給量とは異なっている。この結果、第２基板処理ユニット２０ｂ内の裏面側分岐管７０ｂから供給される処理液中における第１薬液種および第２薬液種の濃度が、同一時に、第２基板処理ユニット２０ｂ内に表面側分岐管５０ｂから供給される処理液中における第１薬液種および第２薬液種の濃度とは異なる値となる。
Further, during the period from the time t3b to the time t4b, the supply amounts per unit time of the first liquid and the second liquid supplied to the back
図５に示すように、時間ｔ４ｂが過ぎると、弁５１ｂおよび弁７１ｂが閉まり、表面側分岐管５０ｂおよび裏面側分岐管７０ｂからの第２基板処理ユニット２０ｂへの処理液の供給が停止する。また、図５に示すように、時間ｔ４ｂが過ぎると、各供給制御機構６０ｂ，６５ｂ，８０ｂ，８５ｂは、対応する分岐管５０ｂ，７０ｂへの第１薬液および第２薬液の供給を停止する。
As shown in FIG. 5, when the time t4b passes, the
以上のようにして、第２基板処理ユニット２０ｂを用いた被処理ウエハＷの処理が、第１基板処理ユニット２０ａを用いた被処理ウエハＷの処理、および、その他の基板処理ユニット２０ｃ〜２０ｈを用いた被処理ウエハＷの処理と、並行して行われる。
As described above, the processing of the processing target wafer W using the second
なお、第３乃至第８の基板処理ユニット２０ｃ〜２０ｈにおける基板処理方法は、上述した第１基板処理ユニット２０ａにおける基板処理方法または第２基板処理ユニット２０ｂにおける基板処理方法と同様にすることができる。
The substrate processing method in the third to eighth
以上のように本実施の形態によれば、複数の基板処理ユニット２０ａ〜２０ｈのうちの一つの基板処理ユニット２０内へ一つの薬液種が所定の濃度で含まれた処理液を供給すると同時に、他の基板処理ユニット内へ前記所定の濃度とは異なる濃度で一つの薬液種が含まれた処理液を供給する。したがって、各基板処理ユニット２０へ供給される処理液中における一つの薬液種の濃度を、当該基板処理ユニット内における被処理ウエハＷの処理に応じて、他の基板処理ユニットへ供給される処理液中における前記一つの薬液種の濃度とは異なる適切な濃度に設定することが可能となる。このため、基板処理装置１０へ持ち込まれる被処理ウエハＷの状態に応じた適切な処理を効率的に行うことができる。また、基板処理装置１０に持ち込まれる被処理ウエハＷ間において、例えば被処理ウエハＷ毎に酸化膜の厚みが異なる等、板面の状態が異なる場合であっても、各被処理ウエハＷが同様な状態となるように各被処理ウエハＷを処理することができる。さらに、最終的に求められている処理の程度や最終的に求められている仕様等が異なる複数の被処理ウエハＷを、同一の基板処理装置１０の異なる処理ユニット２０内で同一時に処理することもできる。
As described above, according to the present embodiment, simultaneously with supplying a processing liquid containing one chemical liquid species at a predetermined concentration into one
また、本実施の形態によれば、複数の基板処理ユニット２０ａ〜２０ｈのうちの一つの基板処理ユニット２０内へ供給される処理液に含まれる一つの薬液種の濃度を、他の基板処理ユニット内へ供給される処理液に含まれる当該一つの薬液種の濃度とは独立して、変更することができる。したがって、一つの基板処理ユニット２０内において被処理ウエハＷを処理している間、当該基板処理ユニット２０へ供給される処理液中における一つの薬液種の濃度を、被処理ウエハＷの処理の段階や被処理ウエハＷの状態等に応じた適切な濃度に設定することが可能となる。このため、基板処理装置１０に持ち込まれる被処理ウエハＷの板面の各位置における状態が異なっているような場合であっても、被処理ウエハＷの板面の全領域に対してむらなく均一に、かつ、短時間で効率的に被処理ウエハＷを処理することができる。
Moreover, according to this Embodiment, the density | concentration of one chemical | medical solution kind contained in the process liquid supplied in one
なお、上述した実施の形態に関し、本発明の要旨の範囲内で種々の変更が可能である。以下、変形例の一例について説明する。 Various modifications can be made to the above-described embodiment within the scope of the present invention. Hereinafter, an example of a modification will be described.
上述した実施の形態において、図４および図５を用いて具体的にウエハＷの処理方法を説明したが、上述した基板処理方法は単なる例示に過ぎず、例えば、各供給制御機構６０，６５，８０，８５による第１液体および第２液体の供給方法を種々変更することができる。 In the above-described embodiment, the wafer W processing method has been specifically described with reference to FIGS. 4 and 5. However, the above-described substrate processing method is merely an example, and for example, the supply control mechanisms 60, 65, The supply method of the first liquid and the second liquid according to 80 and 85 can be variously changed.
具体的な例として、上述した実施の形態においては、一つの基板処理ユニット２０に対応する表面側第１供給制御機構６０および表面側第２供給制御機構６５が同じタイミングで動作（液体の供給）を行う例を示したが、これに限られない。表面側第１供給制御機構６０および表面側第２供給制御機構６５が独立して異なる動作を行い、対応する表面側分岐管５０から基板処理ユニット２０へ供給される処理液中における第１薬液種の濃度および第２薬液種の濃度を互いに異なる態様で調整するようにしてもよい。同様に、裏面側第１供給制御機構８０および裏面側第２供給制御機構８５が独立して異なる動作を行い、対応する裏面側分岐管７０から基板処理ユニット２０へ供給される処理液中における第１薬液種の濃度および第２薬液種の濃度を互いに異なる態様で調整するようにしてもよい。
As a specific example, in the above-described embodiment, the surface-side first supply control mechanism 60 and the surface-side second supply control mechanism 65 corresponding to one
また、上述した実施の形態において、第１液体貯留部９０に貯留された第１液体中における第１薬液種の濃度が、処理液貯留部３０に貯留されるとともに主管４０に送り込まれる処理液中における第１薬液種の濃度とは異なり、第２液体貯留部９５に貯留された第２液体中における第２薬液種の濃度が、処理液貯留部３０に貯留されるとともに主管４０に送り込まれる処理液中における第２薬液種の濃度とは異なる例を示したが、これに限られない。
In the above-described embodiment, the concentration of the first chemical liquid type in the first liquid stored in the first
例えば、第１液体貯留部９０に貯留された第１液体中における第１薬液種の濃度は、処理液貯留部３０に貯留されるとともに主管４０に送り込まれる処理液中における第１薬液種の濃度と同一であってもよい。この場合、第１液体が分岐管５０，７０に供給されると、分岐管５０，７０内の処理液中における第１薬液種の濃度を変化させることはできないが、分岐管５０，７０内の処理液中における第２薬液種の濃度を変化させることができる。また、この際、分岐管５０，７０内の処理液中における第１薬液種と第２薬液種との比率を変化させることができる。
For example, the concentration of the first chemical liquid type in the first liquid stored in the first
同様に、第２液体貯留部９５に貯留された第２液体中における第２薬液種の濃度は、処理液貯留部３０に貯留されるとともに主管４０に送り込まれる処理液中における第２薬液種の濃度と同一であってもよい。この場合、第２液体が分岐管５０，７０に供給されると、分岐管５０，７０内の処理液中における第２薬液種の濃度を変化させることはできないが、分岐管５０，７０内の処理液中における第１薬液種の濃度を変化させることができる。また、この際、分岐管５０，７０内の処理液中における第１薬液種と第２薬液種との比率を変化させることができる。
Similarly, the concentration of the second chemical liquid type in the second liquid stored in the second
さらに、上述した実施の形態においては、図５に示すように、第１基板処理ユニット２０ａに対応する各供給制御機構６０，６５，８０，８５の動作と、第１基板処理ユニット２０ａに対応する各供給制御機構６０，６５，８０，８５の動作と、が異なるようになっている例を示したが、これに限られない。各供給制御機構６０，６５，８０，８５のうちのいずれか一つ以上の供給制御機構が、異なる基板処理ユニット２０内において同様に動作し、ウエハＷが異なる基板処理ユニット２０内で同様の処理を施されるようにしてもよい。また、第３乃至第８の基板処理ユニット２０ｃ〜２０ｈにそれぞれ対応する各供給制御機構６０，６５，８０，８５の動作を、異なる基板処理ユニットに対応する各供給制御機構の動作と同一にしてもよいし、異なるようにしてもよい。
Further, in the above-described embodiment, as shown in FIG. 5, the operations of the supply control mechanisms 60, 65, 80, 85 corresponding to the first
また、上述した実施の形態において、基板処理ユニット２０毎に二つの分岐管５０，７０が設けられ、二つの分岐管５０，７０から基板処理ユニット２０内に供給される処理液は、基板処理ユニット２０内において被処理ウエハＷの異なる部分に向けて吐出される例を示したが、これに限られない。基板処理ユニット２０毎に一つ分岐管が設けられるようにしてもよい。また、すべての分岐管に対し、それぞれ連結管および供給制御機構を設ける必要はない。例えば、図４に示す基板処理方法を採用する場合には、裏面側分岐管７０へ接続された連結管８１，８６および当該連結管８１，８６に取り付けられた供給制御機構８０，８５を省くことができる。
In the above-described embodiment, two branch pipes 50 and 70 are provided for each
さらに、上述した実施の形態において、二つの液体貯留部９０，９５が設けられている例を示したが、これに限られない。例えば、一つの液体貯留部のみが設けられていてもよい。この場合、一つの液体貯留部に貯留された液体が、一つの薬液種を含むようにしてもよいし、二つ以上の薬液種を含むようにしてもよい。一つの液体貯留部に貯留された液体が複数種類の薬液種を含む場合、液体中における各薬液種の濃度が、処理液貯留部３０に貯留され主管４０に送り込まれる処理液中における対応する各薬液種の濃度と、それぞれ異なるようにしておくことが好ましい。これにより、当該液体の分岐管５０，７０への液体の供給量を調整することにより、基板処理ユニット２０内へ供給される処理液中における複数の薬液種の濃度をそれぞれ変化させることができる。
Furthermore, in the above-described embodiment, the example in which the two
さらに、上述した実施の形態において、処理液がアンモニア過水ＳＣ１（ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ）からなる例を示したが、これに限れず、例えばフッ化水素水（ＨＦ／Ｈ２Ｏ）等のような種々の薬液を処理液として用いることができる。 Furthermore, in the above-described embodiment, an example in which the treatment liquid is ammonia overwater SC1 (NH 4 OH / H 2 O 2 / H 2 O) has been shown. Various chemical solutions such as / H 2 O) can be used as the processing solution.
以上のように、上述した実施の形態に関するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。 As described above, some modified examples related to the above-described embodiment have been described. Naturally, a plurality of modified examples can be applied in appropriate combination.
ところで、上述のように、基板処理装置１０はコンピュータを含む制御装置５を備えている。この制御装置５により、基板処理装置１０の各構成要素が動作させられ、被処理ウエハＷへの各処理が実行されるようになっている。そして、基板処理装置１０を用いたウエハＷの洗浄を実施するために、制御装置５のコンピュータによって実行されるプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体６も、本件の対象である。ここで、記録媒体６とは、フロッピーディスク（フレキシブルディスク）やハードディスクドライブ等の単体として認識することができるものの他、各種信号を伝搬させるネットワークも含む。
Incidentally, as described above, the
なお、以上の説明においては、本発明による基板処理方法および基板処理装置１０を、ウエハＷを一つずつ洗浄処理する枚葉式の洗浄処理方法および枚葉式の洗浄処理装置に適用した例を示しているが、そもそもこれに限られず、ＬＣＤ基板やＣＤ基板を一枚ずつまたは複数枚まとめて洗浄処理する洗浄処理方法および洗浄処理装置に適用してもよく、さらには洗浄処理以外の種々の処理を行うための処理方法および処理装置に適用することもできる。
In the above description, the substrate processing method and the
１０ 基板処理装置
２０ 処理ユニット（基板処理ユニット）
２０ａ 処理ユニット（第１基板処理ユニット）
２０ｂ 処理ユニット（第２基板処理ユニット）
２２ ノズル
２３ アーム
３０ 処理液貯留部
４０ 主管
５０，５０ａ，５０ｂ 分岐管（表面側分岐管）
６０，６０ａ，６０ｂ 供給制御機構（表面側第１供給制御機構）
６５，６５ａ，６５ｂ 供給制御機構（表面側第２供給制御機構）
７０，７０ａ，７０ｂ 分岐管（裏面側分岐管）
８０，８０ａ，８０ｂ 供給制御機構（裏面側第１供給制御機構）
８５，８５ａ，８５ｂ 供給制御機構（裏面側第２供給制御機構）
９０，９５ 液体貯留部
10
20a Processing unit (first substrate processing unit)
20b Processing unit (second substrate processing unit)
22
60, 60a, 60b Supply control mechanism (first surface side supply control mechanism)
65, 65a, 65b Supply control mechanism (surface side second supply control mechanism)
70, 70a, 70b Branch pipe (back side branch pipe)
80, 80a, 80b Supply control mechanism (back side first supply control mechanism)
85, 85a, 85b Supply control mechanism (back side second supply control mechanism)
90,95 Liquid reservoir
Claims (13)
前記処理液を用いて被処理基板に所定の処理を行う複数の処理ユニットと、
前記処理ユニット毎に設けられた分岐管であって、前記主管とそれぞれ接続され、前記処理ユニットへ前記処理液を供給する複数の分岐管と、
前記処理液に含まれる一つの薬液種を少なくとも含む液体を貯留する液体貯留部と、
前記分岐管毎に設けられた供給制御機構であって、一つの分岐管と前記液体貯留部とにそれぞれ接続され、前記各分岐管内の前記処理液に注入されるようになる前記液体の前記液体貯留部から前記分岐管内への供給を制御する供給制御機構と、を備え、
前記供給制御機構は、対応する一つの処理ユニット内で被処理基板を処理している間に、当該一つの処理ユニットに接続された分岐管への前記液体貯留部からの液体の供給を制御することによって、当該処理ユニットへ供給される処理液中の前記一つの薬液種の濃度を変化させる、ようになされていることを特徴とする基板処理装置。 A main pipe into which a processing liquid containing at least one chemical liquid type is fed;
A plurality of processing units for performing predetermined processing on the substrate to be processed using the processing liquid;
A branch pipe provided for each processing unit, each connected to the main pipe, and a plurality of branch pipes for supplying the processing liquid to the processing unit;
A liquid storage section for storing a liquid containing at least one chemical liquid species contained in the processing liquid;
A supply control mechanism provided for each of the branch pipes, wherein the liquid is connected to one branch pipe and the liquid storage unit and is injected into the processing liquid in each branch pipe. A supply control mechanism for controlling the supply from the storage unit into the branch pipe ,
The supply control mechanism controls the supply of the liquid from the liquid storage section to the branch pipe connected to the one processing unit while processing the substrate to be processed in the corresponding one processing unit. Thus, the substrate processing apparatus is configured to change the concentration of the one chemical liquid species in the processing liquid supplied to the processing unit.
各供給制御機構は、前記被処理基板に対する前記ノズルの相対位置に応じて、当該供給制御機構に接続された分岐管への液体の供給を変化させるようになされていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板処理装置。 Each processing unit includes a nozzle that communicates with the branch pipe and discharges the processing liquid toward the substrate to be processed, and an arm that supports the nozzle, and moves the nozzle relative to the substrate to be processed. An arm to be
The supply control mechanism is configured to change the supply of the liquid to the branch pipe connected to the supply control mechanism in accordance with the relative position of the nozzle with respect to the substrate to be processed. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3.
前記対応する前記処理ユニットに供給される処理液中における前記一つの薬液種の濃度は、前記ノズルが前記被処理基板の中心上方から外方へ向けて移動するのにつれて、上昇するようになされていることを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。 The arm moves the nozzle in parallel with the plate surface of the substrate to be processed from above the center of the substrate to be processed outward.
The concentration of the one chemical liquid species in the processing liquid supplied to the corresponding processing unit is increased as the nozzle moves outward from above the center of the substrate to be processed. The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein:
前記分岐管毎に、前記液体貯留部にそれぞれ接続された別個の供給制御機構が設けられていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の基板処理装置。 A plurality of branch pipes are provided for each of the processing units, and the processing liquid supplied into the processing unit from each of the plurality of branch pipes is discharged toward different portions of the substrate to be processed in the processing unit,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein a separate supply control mechanism connected to the liquid storage unit is provided for each branch pipe.
前記分岐管毎に、異なる液体貯留部にそれぞれ接続された複数の供給制御機構が設けられていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の基板処理装置。 A plurality of the liquid storage portions are provided, and different liquids are stored in the plurality of liquid storage portions, respectively.
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein a plurality of supply control mechanisms respectively connected to different liquid storage units are provided for each of the branch pipes.
前記処理液を用いて被処理基板に所定の処理を行う複数の処理ユニットと、
前記処理ユニット毎に設けられた分岐管であって、前記主管とそれぞれ接続され、前記処理ユニットへ前記処理液を供給する複数の分岐管と、
前記処理液に含まれる一つの薬液種を少なくとも含む液体を貯留する液体貯留部と、
前記分岐管毎に設けられた供給制御機構であって、一つの分岐管と前記液体貯留部とにそれぞれ接続され、前記各分岐管内の前記処理液に注入されるようになる前記液体の前記液体貯留部から前記分岐管内への供給を制御する供給制御機構と、を備えた基板処理装置を用いて被処理基板を処理する方法であって、
一つの処理ユニット内に被処理基板を配置する工程と、
前記一つの処理ユニット内に配置された被処理基板に対し、当該一つの処理ユニットに供給される処理液を用いて、所定の処理を行う工程と、を備え、
前記被処理基板に所定の処理を行う工程において、前記一つの処理ユニットに接続された分岐管への前記液体貯留部からの液体の供給を前記供給制御機構によって制御することによって、当該一つの処理ユニットに供給される前記処理液中の一つの薬液種の濃度を変化させることを特徴とする基板処理方法。 A main pipe to which a processing liquid containing at least one chemical liquid type is fed from a processing liquid source ;
A plurality of processing units for performing predetermined processing on the substrate to be processed using the processing liquid;
A branch pipe provided for each processing unit, each connected to the main pipe, and a plurality of branch pipes for supplying the processing liquid to the processing unit;
A liquid storage section for storing a liquid containing at least one chemical liquid species contained in the processing liquid;
A supply control mechanism provided for each of the branch pipes, wherein the liquid is connected to one branch pipe and the liquid storage unit and is injected into the processing liquid in each branch pipe. A supply control mechanism for controlling supply from the storage unit into the branch pipe, and a substrate processing apparatus using the substrate processing apparatus,
Arranging the substrate to be processed in one processing unit;
Performing a predetermined process on a substrate to be processed disposed in the one processing unit using a processing liquid supplied to the one processing unit, and
In the step of performing a predetermined process on the substrate to be processed, the supply control mechanism controls the supply of the liquid from the liquid storage unit to the branch pipe connected to the one processing unit, thereby the one process. The substrate processing method characterized by changing the density | concentration of one chemical | medical solution type in the said processing liquid supplied to a unit .
前記プログラムが前記コンピュータによって実行されることにより、請求項８乃至１２のいずれか一項に記載に記載された被処理基板の処理方法を基板処理ユニットに実施させることを特徴とする記録媒体。 A computer-readable recording medium on which a program executed by a computer for controlling a substrate processing apparatus is recorded,
13. A recording medium that causes a substrate processing unit to execute the processing method for a substrate to be processed according to claim 8 when the program is executed by the computer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006159939A JP4815274B2 (en) | 2006-06-08 | 2006-06-08 | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006159939A JP4815274B2 (en) | 2006-06-08 | 2006-06-08 | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and recording medium |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007329328A JP2007329328A (en) | 2007-12-20 |
| JP4815274B2 true JP4815274B2 (en) | 2011-11-16 |
Family
ID=38929592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006159939A Expired - Fee Related JP4815274B2 (en) | 2006-06-08 | 2006-06-08 | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and recording medium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4815274B2 (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5490659B2 (en) * | 2009-12-09 | 2014-05-14 | 東京エレクトロン株式会社 | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND RECORDING MEDIUM RECORDING PROGRAM FOR EXECUTING THE SUBSTRATE PROCESSING METHOD |
| JP2011176118A (en) * | 2010-02-24 | 2011-09-08 | Tokyo Electron Ltd | Liquid treatment apparatus, liquid treatment method, program, and program recording medium |
| KR101705375B1 (en) * | 2010-02-24 | 2017-02-09 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Liquid processing apparatus, liquid processing method and storage medium |
| JP2011187891A (en) * | 2010-03-11 | 2011-09-22 | Tokyo Electron Ltd | Liquid processing apparatus, liquid processing method, program, and program recording medium |
| JP5726784B2 (en) | 2012-02-24 | 2015-06-03 | 東京エレクトロン株式会社 | Processing liquid exchange method and substrate processing apparatus |
| JP2020155721A (en) * | 2019-03-22 | 2020-09-24 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | Substrate treatment method |
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| JPH10270414A (en) * | 1997-03-25 | 1998-10-09 | Tera Tec:Kk | Etching method and apparatus |
| JP3841945B2 (en) * | 1997-10-29 | 2006-11-08 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Substrate processing equipment |
| JP4081728B2 (en) * | 1997-12-04 | 2008-04-30 | 栗田工業株式会社 | Ozone-containing ultrapure water supply device |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101115 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140902 Year of fee payment: 3 |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |