JP7181843B2 - 配線基板、および配線基板の製造方法 - Google Patents

配線基板、および配線基板の製造方法 Download PDF

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本発明は、配線基板に関する。
従来、基材の上に、導電層を形成する材料が異なる複数の導電層を有する配線基板が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
特開2017-216315号公報
上述のような配線基板において、複数の導電層の密着性のさらなる向上が望まれている。
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、複数の導電層の密着性を向上させる技術を提供することを目的とする。
本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。
(1)本発明の一形態によれば、配線基板が提供される。この配線基板は、基材と、第1導電性材料から成る第1導電層であって、前記基材の上に形成された第1導電層と、前記第1導電性材料と異なる第2導電性材料から成るバリア層であって、前記第1導電層の一部の上に形成されたバリア層と、前記第1導電性材料および前記第2導電性材料と異なる第3導電性材料から成る第2導電層であって、前記バリア層の上に形成された第2導電層と、前記第1導電性材料と前記第2導電性材料を含む合金から成る合金層であって、少なくとも前記第1導電層と前記バリア層との間に形成された合金層と、を備え、前記第1導電層は、前記バリア層および前記第2導電層が形成されていない部分の少なくとも一部の上面が外部に露出してなる。
この構成によれば、第1導電層とバリア層との間に、第1導電性材料と第2導電性材料を含む合金層が形成されているため、第1導電層とバリア層との密着性を向上させることができる。また、第1導電層は、バリア層および第2導電層が形成されていない部分の少なくとも一部の上面が外部に露出しているため、第1導電性材料から成るバンプを形成する場合に、第1導電層が露出している部分に形成することにより、バンプの接合強度を確保することができる。
(2)上記形態の配線基板であって、前記第1導電層は、前記合金層が形成されていない第1部分の厚みが、前記合金層が形成されている第2部分の厚みより薄くてもよい。このようにすると、配線基板に素子を実装して装置を構成した場合に、装置の小型化を図ることができる。
(3)上記形態の配線基板であって、前記第1導電層は、前記バリア層および前記第2導電層が形成されていない部分の全ての上面が外部に露出してもよい。このようにすると、バンプの接合強度を確保できる範囲を広くすることができる。
(4)本発明の他の形態によれば、配線基板の製造方法が提供される。この配線基板の製造方法は、第1配線パターンが形成された第1導電性材料から成る第1導電層が基材の上に積層された第1導電層付き基材を準備する、準備工程と、前記第1導電性材料と異なる第2導電性材料から成るバリア層を、前記第1導電層の上に形成すると共に、前記第1導電性材料と前記第2導電性材料を含む合金から成る合金層を、前記第1導電層と前記バリア層との間に形成する、第1層形成工程と、前記第1導電性材料および前記第2導電性材料と異なる第3導電性材料から成る第2導電層を、前記バリア層の上面に形成する、第2層形成工程と、第2配線パターンを形成するための保護膜を前記第2導電層の上に形成し、前記第2導電層、および前記バリア層の一部をエッチングして、前記第2配線パターンを形成する、配線パターン形成工程と、前記合金層と、前記第1導電層の表面と、をエッチングする、エッチング工程と、を備える。この製造方法によれば、容易に、上記の配線基板を製造することができる。
なお、本発明は、種々の態様で実現することが可能であり、例えば、配線基板を含む製品、配線基板を含む製品の製造方法などの形態で実現することができる。
本発明の第1実施形態の配線基板の平面構成を概略的に示す説明図である。 配線基板の断面構成(A-A切断面)を概略的に示す説明図である。 配線基板の製造方法を示す工程図である。
<実施形態>
・配線基板10の構成:
図1は、本発明の第1実施形態の配線基板10の平面構成を概略的に示す説明図である。図示するように、配線基板10は、2枚の第1導電層2と、2枚の第2導電層6と、を備え、各第2導電層6は、第1導電層2の一部の上に形成されている。図1において、第1導電層2のうち第2導電層6が形成されている部分を破線で図示している。以降の説明において、第1導電層2のうち第2導電層6が形成されていない部分、換言すると露出する部分(図1において実線で図示)を「第1部分2P1」と呼び、第1導電層2のうち第2導電層6が形成されている部分(図1において破線で図示)を「第2部分2P2」と呼ぶ。
図2は、配線基板10の断面構成(A-A切断面)を概略的に示す説明図である。図2は、図1におけるA-A切断面を示す。但し、図2は部分的に省略、簡略化された説明図であり、寸法比率が正確なものではない。配線基板10は、基材1と、第1導電層2と、バリア層4と、第2導電層6と、合金層8を備える。第1導電層2は、第1接合層3および第2接合層5を介して基材1の上に形成されている。バリア層4は、合金層8を介して第1導電層2の一部の上に形成されている。第2導電層6は、バリア層4の上に形成されている。
基材1は、絶縁性の平板である。本実施形態では、窒化アルミニウム(AlN)セラミックスにより形成されている。窒化アルミニウムは、高放熱性、高強度であるため、パワー半導体モジュール等発熱量が大きい部品に好適に用いることができる。基材1を形成する材料は、本実施形態に限定されず、例えば、アルミナ(Al23)、アルミナジルコニア(Al23/ZrO2)、窒化珪素(Si34)、炭化珪素(SiC)等のセラミックスを用いてもよいし、ガラス、ガラスエポキシ、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂などの樹脂、紙フェノール、紙エポキシ、ガラスコンポジット、低温同時焼成セラミックス(LTCC)、これらの絶縁部材を表面に形成した金属部材等によって形成してもよい。
本実施形態では、第1導電層2を形成する第1導電性材料は、主成分として金(Au)を含む。第1導電層性材料として、金(Au)、金合金を用いることができる。第1導電層2は、主成分が金であるため、やわらかく、表面は滑らかである。ここで、主成分とは、99%以上含まれる成分である。
バリア層4を形成する第2導電性材料は、主成分としてチタン(Ti)を含む。チタンは高融点であるため、いわゆる、バリアメタルとして機能する。第2導電性材料として、例えば、チタン(Ti)、窒化チタン(TiN)、チタン合金(例えば、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)等を含む)等を用いることができる。
第2導電層6を形成する第3導電性材料は、主成分としてアルミニウム(Al)を含む。第3導電性材料として、アルミニウム(Al)、アルミニウム合金(例えば、Al-Si-Cu、Al-Cu等)を用いることができる。
合金層8は、上記第1導電性材料と第2導電性材料を含む合金から成る合金層である。合金層8は、第1導電層2とバリア層4との間に形成されているため、互いに高融点金属を主成分とする材料で形成される第1導電層2とバリア層4の密着性を向上させることができる。
上述の通り、第1導電層2は、第1接合層3および第2接合層5を介して基材1の上に形成されている。第1接合層3は、バリア層4と同様に、第2導電性材料から形成されている。第2接合層5を形成する第4導電性材料は、主成分として、パラジウム(Pd)を含む。チタンは酸化しやすいため、製造工程において、第1接合層3上にパラジウムを主成分とする第2接合層5を形成している。
図1、2に示すように、本実施形態の配線基板10において、第1導電層2は、バリア層4および第2導電層6が形成されていない部分の全ての上面が外部に露出している。上述の通り、第1導電層2を形成する第1導電性材料の主成分は金(Au)であるため、第1導電層2はやわらかく、表面が滑らかである。そのため、第1導電層2上に金(Au)を主成分とするバンプを形成する場合に、バンプの接合強度を確保することができ、接合性および信頼性の低下を抑制することができる。
図2に示すように、本実施形態の配線基板10において、第1導電層2は、第2導電層6が形成されていない第1部分2P1の厚みT1が、第2導電層6が形成されている第2部分2P2の厚みT2より薄い。本実施形態において、第2導電層6の外周と合金層8の外周は一致しているため、換言すると、第1導電層2は、合金層8が形成されていない第1部分2P1の厚みT1が、合金層8が形成されている第2部分2P2の厚みT2より薄い。そのため、本実施形態の配線基板10に、例えば、発光ダイオード等の素子を実装して装置を構成した場合に、装置の小型化を図ることができる。なお、第1導電層2の厚みは、例えば、蛍光X線膜厚測定により測定することができる。
・配線基板10の製造方法:
図3は、配線基板10の製造方法を示す工程図である。図3において、配線基板10の一部の断面(図1におけるA-A切断面)を、概略的に図示している。
工程P102において、基材1と、第1接合層3と、第2接合層5と、第1導電層2を備える第1導電層付き基材12が準備される。第1導電層2は所定の第1配線パターンが形成されている。工程P102では、予め形成された第1導電層付き基材12を準備してもよいし、基材1上に、第1接合層3と、第2接合層5と、第1導電層2を公知の方法により形成してもよい。例えば、スパッタリング、蒸着等により、第1接合層3および第2接合層5を形成し、めっき等により第1導電層2を形成してもよい。本実施形態における工程P102を「準備工程」とも呼ぶ。
工程P104において、スパッタリングにより、第1導電層付き基材12上にバリア層4が形成されるとともに、第1導電層2とバリア層4との間に合金層8が形成される。スパッタリング等の高エネルギーが付与される方法によりバリア層4を第1導電層付き基材12上に形成することにより、第1導電層2を形成する第1導電性材料と、バリア層4を形成する第2導電性材料を含む合金からなる合金層8が形成される。なお、高熱蒸着等他の高エネルギー付与の方法によりバリア層4を形成すると共に、合金層8を形成してもよい。工程P104を「第1層形成工程」とも呼ぶ。
工程P106において、スパッタリングにより、バリア層4の上に第2導電層6が形成される。蒸着等他の公知の方法により第2導電層6が形成されてもよい。工程P104を「第2層形成工程」とも呼ぶ。
工程P108において、第2導電層6の上に、フォトリソグラフィ、印刷等の公知の方法により、第1配線パターンと異なる第2配線パターンを形成するためのレジスト20(保護膜)が形成される。そして、第2導電層6がエッチングされた後、バリア層4がエッチングされる。これにより、第2配線パターンが形成される。工程P108では、合金層8および第1導電層2はエッチングされにくいため、残留している。工程P108を「配線パターン形成工程」とも呼ぶ。
工程P110において、レジスト20を付けたまま、合金層8と、第1導電層2の表面と、をエッチングする。工程P110を「エッチング工程」とも呼ぶ。
工程P112において、レジスト20が剥離され、配線基板10が完成される。
この製造方法によれば、工程P104において、高エネルギー付与の方法によりバリア層4が形成されることにより、合金層8が形成される。そのため、第1導電層2とバリア層4の密着性を向上させ、第1導電層2とバリア層4の剥がれの発生を低減させることができる。
また、この製造方法によれば、工程P110において合金層8と、第1導電層2の表面がエッチングされるため、第1導電層2を外部に露出させることができる。さらに、第1導電層2の表面がエッチングされるため、第1導電層2の表面に残っている合金層8が除去され、第1導電層2の表面の清浄度を向上させることができる。そのため、この製造方法によって製造された配線基板10を用いると、ボンディングの際の接合強度を向上させることができる。第1導電層2の表面に合金層8がないことは、断面TEM-EDX(エネルギー分散型X線分光法)マッピングにて判定することができる。具体的には、断面TEM-EDXマッピングにて、バリア層4を形成する第2導電性材料の成分が検出限界以下であるときに、「合金層8がない」と判定することができる。
以上説明したように、本実施形態の配線基板10によれば、第1導電層2とバリア層4との間に、第1導電性材料と第2導電性材料を含む合金層8が形成されているため、第1導電層2とバリア層4との密着性を向上させることができ、第1導電層2とバリア層4の剥がれの発生を低減させることができる。
また、第1導電層2のうち、バリア層4および第2導電層6が形成されていない部分の全ての上面が外部に露出しているため、第1導電性材料から成るバンプを形成する場合に、第1導電層2が露出している部分に形成することにより、バンプの接合強度を確保することができる。
また、第1導電層2は、合金層8が形成されていない第1部分2P1の厚みT1が、合金層8が形成されている第2部分2P2の厚みT2より薄いため、配線基板10に素子を実装して装置を構成した場合に、装置の小型化を図ることができる。
本実施形態の製造方法によれば、容易に配線基板10を製造することができる。また、第1導電層2の表面に残っている合金層8を、エッチングにより除去するため、第1導電層2の表面の清浄度を向上させることができる。
<本実施形態の変形例>
本発明は上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。
・第1導電層2を形成する第1導電性材料の主成分、および第2導電層6を形成する第3導電性材料の主成分は、上記実施形態に限定されない。例えば、Al、Au、Pt、Ti、Cu、Pd、Rh、Ni、W、Mo、Cr、Ag等の金属又はこれらの合金の単層又は積層構造で形成することができる。また、ITO(Indium Tin Oxide:酸化インジウムスズ)等の導電性材料を用いてもよい。
・上記実施形態において、配線基板10の第1導電層2は、バリア層4および第2導電層6が形成されていない部分の全ての上面が外部に露出している例を示したが、バリア層4および第2導電層6が形成されていない部分の少なくとも一部の上面が外部に露出していればよい。このようにしても、第1導電層2が露出している部分にバンプを形成することにより、バンプの接合強度を確保することができる。
・上記実施形態の配線基板10において、第1導電層2の第1部分2P1の厚みT1が第2部分2P2の厚みT2より薄くなくてもよい。
・上記実施形態において、第2導電層6の外周と合金層8の外周が一致している例を示したが、一致していなくてもよい。例えば、エッチングにより、第2導電層6の外周が合金層8の外周より、内側になる場合もある。このような場合も、第1導電層2のうち、合金層8が形成されていない第1部分2P1の厚みT1が、合金層8が形成されている第2部分2P2の厚みT2より薄いと、配線基板10に素子を実装して装置を構成する場合に、装置の小型化を図ることができる。
・上記実施形態において、1枚の基材1に対して、第1導電層2および第2導電層6が、それぞれ2枚ずつ形成されている例を示したが、第1導電層2および第2導電層6の数は、上記実施形態に限定されない。例えば、1枚の基材1に対して、第1導電層2および第2導電層6が、それぞれ1枚ずつ形成されてもよいし、3枚以上形成されてもよい。また、第1導電層2および第2導電層6の数が、異なっていてもよい。
・上記実施形態において、第1接合層3は第2導電性材料から形成されている例を示したが、例えば、パラジウム等、他の金属を主成分とする導電性材料から形成されてもよい。
・上記実施形態において、第1導電層2が第1接合層3および第2接合層5を介して基材1の上に形成される例を示したが、第1導電層2が接合層を介さず、直接、基材1上に形成される構成にしてもよい。また、3層以上の接合層を備える構成にしてもよい。
・第2導電層6の上に、さらに、他の導電性材料から成る第3導電層を備える構成にしてもよい。例えば、第2導電層6がパラジウムを主成分とする導電性材料から成り、第2導電層6の上に、アルミニウムを主成分とする導電性材料から成る第3導電層を備える構成にしてもよい。
・配線基板10の製造方法は、上記実施形態の製造方法に限定されない。上記実施形態では、第2導電層6の第2配線パターンをサブトラクティブ法により形成する例を示したが、いわゆるアディティブ法により、第2導電層6の第2配線パターンをバリア層4の上に直接形成してもよい。また、工程P110を備えなくてもよい。但し、工程P110を備えると、第1導電層2の表面の清浄度を向上させることができるため、好ましい。
以上、実施形態、変形例に基づき本態様について説明してきたが、上記した態様の実施の形態は、本態様の理解を容易にするためのものであり、本態様を限定するものではない。本態様は、その趣旨並びに特許請求の範囲を逸脱することなく、変更、改良され得ると共に、本態様にはその等価物が含まれる。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することができる。
1…基材
2…第1導電層
2P1…第1部分
2P2…第2部分
3…第2バリア層
4…第1バリア層
5…第3導電層
6…第2導電層
8…合金層
10…配線基板
12…第1導電層付き基材
20…レジスト

Claims (2)

  1. 配線基板であって、
    基材と、
    第1導電性材料から成る第1導電層であって、前記基材の上に形成された第1導電層と、
    前記第1導電性材料と異なる第2導電性材料から成るバリア層であって、前記第1導電層の一部の上に形成されたバリア層と、
    前記第1導電性材料および前記第2導電性材料と異なる第3導電性材料から成る第2導電層であって、前記バリア層の上に形成された第2導電層と、
    前記第1導電性材料と前記第2導電性材料を含む合金から成る合金層であって、少なくとも前記第1導電層と前記バリア層との間に形成された合金層と、
    を備え、
    前記第1導電層は、
    前記バリア層および前記第2導電層が形成されていない部分の少なくとも一部の上面が外部に露出してなり、前記合金層が形成されていない第1部分の厚みが、前記合金層が形成されている第2部分の厚みより薄いことを特徴とする、
    配線基板。
  2. 配線基板の製造方法であって、
    第1配線パターンが形成された第1導電性材料から成る第1導電層が基材の上に積層された第1導電層付き基材を準備する、準備工程と、
    前記第1導電性材料と異なる第2導電性材料から成るバリア層を、前記第1導電層の上に形成すると共に、前記第1導電性材料と前記第2導電性材料を含む合金から成る合金層を、前記第1導電層と前記バリア層との間に形成する、第1層形成工程と、
    前記第1導電性材料および前記第2導電性材料と異なる第3導電性材料から成る第2導電層を、前記バリア層の上面に形成する、第2層形成工程と、
    第2配線パターンを形成するための保護膜を前記第2導電層の上に形成し、前記第2導電層、および前記バリア層の一部をエッチングして、前記第2配線パターンを形成する、配線パターン形成工程と、
    前記合金層と、前記第1導電層の表面と、をエッチングする、エッチング工程と、
    を備えることを特徴とする、
    配線基板の製造方法。
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