JP7174928B2 - 撮像装置およびカメラシステム、ならびに、撮像装置の駆動方法 - Google Patents

Description

本開示は、撮像装置およびカメラシステムに関する。本開示は、撮像装置の駆動方法にも関する。

撮像装置の分野において、フォトダイオードに代えて、読出し回路が形成された半導体基板の上方に光電変換層を配置した構成が知られている。このような構成は、積層型とも呼ばれる。例えば、下記の特許文献１は、読出し回路が形成された基板の上方に、画素電極および透明な対向電極に挟まれた有機光電変換層を有する撮像素子を開示している。動作時、対向電極には、所定の電圧が印加される。

下記の特許文献２は、光電変換層としての量子ドット層を有する撮像システムを開示している。また、特許文献２は、量子ドット層を挟む透明電極と画素電極との間に印加する電位差の変更によって量子ドット層のゲインを調節することを開示している。

特開２０１１－２２８６４８号公報 米国特許第９０５４２４６号明細書

撮像装置の分野においては、ダイナミックレンジ拡大の要求がある。

本開示の限定的ではないある例示的な実施形態によれば、例えば、以下が提供される。

第１電極、第２電極、および、前記第１電極と前記第２電極との間に位置する光電変換層を含む光電変換部と、前記第１電極および前記第２電極の一方に電圧を供給する電圧供給回路と、前記第２電極に電気的に接続され、前記第２電極の電位に応じた信号を出力する出力回路と、前記出力回路からの前記信号のレベルを検出する検出回路とを備え、前記光電変換部は、前記第１電極と前記第２電極との間に印加されるバイアス電圧が第１電圧範囲にあるときの、前記バイアス電圧に対する前記光電変換部の光電変換効率の変化率が、前記バイアス電圧が前記第１電圧範囲よりも高い第２電圧範囲にあるときの、前記バイアス電圧に対する前記光電変換部の光電変換効率の変化率よりも大きい光電変換特性を有し、前記電圧供給回路は、前記検出回路によって検出された前記レベルが第１の閾値よりも低い場合に、前記第１電極と前記第２電極との間の電位差が第１の電位差となるように前記第１電極および前記第２電極の前記一方に電圧を供給し、前記検出回路によって検出された前記レベルが前記第１の閾値以上の第２の閾値以上である場合に、前記第１電極と前記第２電極との間の電位差が前記第１の電位差よりも大きい第２の電位差となるように前記第１電極および前記第２電極の前記一方に電圧を供給する、撮像装置。

包括的または具体的な態様は、素子、デバイス、システム、集積回路、方法またはコンピュータプログラムで実現されてもよい。また、包括的または具体的な態様は、素子、デバイス、装置、システム、集積回路、方法およびコンピュータプログラムの任意の組み合わせによって実現されてもよい。

開示された実施形態の追加的な効果および利点は、明細書および図面から明らかになる。効果および／または利点は、明細書および図面に開示の様々な実施形態または特徴によって個々に提供され、これらの１つ以上を得るために全てを必要とはしない。

本開示のある実施形態によれば、ダイナミックレンジをより拡大し得る。

本開示の第１の実施形態による撮像装置の例示的な構成を概略的に示す図である。 図１に示す撮像装置１００Ａの例示的な回路構成を示す図である。 画素Ｐｘの例示的なデバイス構造を模式的に示す断面図である。 電子を信号電荷として利用する場合の画素Ｐｘの動作を説明するための模式的な断面図である。 光電変換層１３の光電変換特性の典型例を示す図である。 第１電圧範囲および第２電圧範囲の具体的な範囲を決定する方法の一例を説明するための図である。 第１電圧範囲および第２電圧範囲の具体的な範囲を決定する方法の他の一例を説明するための図である。 第１電圧範囲および第２電圧範囲の具体的な範囲を決定する方法のさらに他の一例を説明するための図である。 撮像装置１００Ａの第１の例示的な動作を示す概略的なフローチャートである。 対向電極１１に第１電圧Ｖ１として６Ｖの電圧が印加されているときの画素Ｐｘの動作を説明するための模式的な断面図である。 対向電極１１に第１電圧Ｖ１として６Ｖの電圧が印加されているときの画素Ｐｘの動作を説明するための模式的な断面図であり、不純物領域１１１に正孔が蓄積された状態を模式的に示す。 電圧供給回路１５０から電圧線１５２に第２電圧Ｖ２を印加することにより、電位差ΔＶを拡大させた状態を模式的に示す図である。 対向電極１１に第１電圧Ｖ１が印加されているとき、および、対向電極１１に第２電圧Ｖ２が印加されているときの、光電変換部１０に入射する光量の変化に対する、出力回路２０からの信号のレベルの変化の典型例を模式的に示す図である。 図４に示す光電変換特性の典型例を再度示す図である。 互いに隣接する２つの画素電極１２の間に第３電極１５を配置した構成を示す模式的な断面図である。 対向電極１１側から見たときの、画素電極１２と第３電極１５との配置関係の一例を示す模式的な平面図である。 第３電極１５に所定の電圧を印加することによる、実効的な光電変換効率低下の機構を説明するための模式的な断面図である。 信号電荷の蓄積に伴うノードＦＤの電位の変化と、電源電圧との間の関係を説明するための模式的な図である。 信号電荷の蓄積に伴うノードＦＤの電位の変化と、電源電圧との間の関係を説明するための模式的な図である。 画素Ｐｘに含まれる出力回路の変形例を示す図である。 図１９に示す出力回路２０Ａの動作を説明するためのポテンシャル図である。 画素Ｐｘに含まれる出力回路の第２の変形例を示す図である。 画素Ｐｘに含まれる出力回路の第３の変形例を示す図である。 画素Ｐｘに含まれる出力回路の第４の変形例を示す図である。 図２３に示す減衰器２２５の具体例を示す図である。 第１の実施形態の変形例による撮像装置の例示的な回路構成を示す図である。 第１の実施形態の他の変形例による撮像装置の例示的な回路構成を示す図である。 本開示の第２の実施形態によるカメラシステムの例示的な構成を概略的に示す図である。 本開示の第２の実施形態によるカメラシステムの他の例示的な構成を概略的に示す図である。 本開示の第２の実施形態によるカメラシステムのさらに他の例示的な構成を概略的に示す図である。 光量検出装置の変形例を示す図である。 本開示の第２の実施形態によるカメラシステムのさらに他の例示的な構成を概略的に示す図である。 第１電圧Ｖ１と第２電圧Ｖ２との間の切り替えのタイミングと、電圧の切り替えに伴う、検出回路１３０Ａによって取得される信号のレベルの変化との間の関係を説明するための図である。 第１電圧Ｖ１と第２電圧Ｖ２との間の切り替えのタイミングの他の例を示す図である。 第１電圧Ｖ１と第２電圧Ｖ２との間の切り替えのタイミングのさらに他の例を示す図である。 電位差ΔＶの制御によるグローバルシャッタを適用したときの、第１電圧Ｖ１と第２電圧Ｖ２との間の切り替えのタイミングと、電圧の切り替えに伴う、検出回路１３０Ａによって取得される信号のレベルの変化との間の関係を説明するための図である。 第１電圧Ｖ１と第２電圧Ｖ２との間の切り替えのタイミングと、撮像装置１００Ａからの出力との間の関係の一例を説明するための図である。 信号の読み出しのための行走査の期間の途中に第１電圧Ｖ１と第２電圧Ｖ２との間の切り替えを実行した場合におけるマスク処理の適用例を示す図である。 本開示の実施形態による撮像装置およびカメラシステムに適用可能な、自動露光設定における処理シーケンスの一例を説明するための図である。 撮像領域Ｒｍに含まれる一部または全部の画素Ｐｘの光電変換部１０を含む領域を露光量の検出領域Ｒｄとして利用する例を説明するための模式的な平面図である。 電圧供給回路から出力される電圧を検出された露光量に応じて変更させる処理の一例を示す図である。 電圧供給回路から出力される電圧を検出された露光量に応じて変更させる処理の他の一例を示す図である。 電圧供給回路から出力される電圧を検出された露光量に応じて変更させる処理のさらに他の一例を示す図である。 露光量の増加に対する、検出回路１３０Ａの出力の変化の例を模式的に示す図である。 リニアリティ補償処理の概要を模式的に示すブロック図である。 補正テーブルの一例を示す図である。 撮像装置ごと、または、カメラシステムごとのリニアリティのずれの相違を説明するための図である。 撮像装置ごと、または、カメラシステムごとの相違をキャンセルするリニアリティ補償処理の概要を模式的に示すブロック図である。 サンプル１の撮像装置のメモリ１６２に格納される補正テーブルの一例を示す図である。 サンプル２の撮像装置のメモリ１６２に格納される補正テーブルの一例を示す図である。 メモリ１６２に格納される補正テーブルの他の一例を示す図である。 図５０の補正テーブルに記述された出力値のプロットを示す図である。 補間処理を含むリニアリティ補償処理の概要を模式的に示す図である。

本開示の一態様の概要は以下のとおりである。

［項目１］
第１電極、第２電極、および、第１電極と第２電極との間に位置する光電変換層を含む光電変換部と、
第１電極および第２電極の一方に電圧を供給する電圧供給回路と、
第２電極に電気的に接続され、第２電極の電位に応じた信号を出力する出力回路と、
出力回路からの信号のレベルを検出する検出回路と
を備え、
光電変換部は、第１電極と第２電極との間に印加されるバイアス電圧が第１電圧範囲にあるときの、バイアス電圧に対する光電変換部の光電変換効率の変化率が、バイアス電圧が第１電圧範囲よりも高い第２電圧範囲にあるときの、バイアス電圧に対する光電変換部の光電変換効率の変化率よりも大きい光電変換特性を有し、
電圧供給回路は、
検出回路によって検出されたレベルが第１の閾値よりも低い場合に、第１電極と第２電極との間の電位差が第１の電位差となるように第１電極および第２電極の一方に電圧を供給し、
検出回路によって検出されたレベルが第１の閾値以上の第２の閾値以上である場合に、第１電極と第２電極との間の電位差が第１の電位差よりも大きい第２の電位差となるように第１電極および第２電極の一方に電圧を供給する、撮像装置。

［項目２］
電圧供給回路は、
検出回路によって検出されたレベルが第１の閾値よりも低い場合に、第１電極および第２電極の一方に第１電圧を印加し、
検出回路によって検出されたレベルが第２の閾値以上である場合に、第１電極および第２電極の一方に第１電圧よりも高い第２電圧を印加する、項目１に記載の撮像装置。

［項目３］
出力回路は、
第２電極に電気的に接続されたゲートを有し、ドレインおよびソースの一方に第３電圧を受ける第１トランジスタと、
第２電極に電気的に接続されたゲートを有し、ドレインおよびソースの一方に第３電圧よりも高い第４電圧を受ける第２トランジスタと
を含む、項目２に記載の撮像装置。

［項目４］
出力回路は、
容量素子と、
第２電極と容量素子との間に接続されたスイッチング素子と
を含み、
検出回路によって検出されたレベルが第２の閾値以上である場合、スイッチング素子は、光電変換部における光電変換によって変化した第２電極の電位に応じた信号の読み出し時にオンとされる、項目２に記載の撮像装置。

［項目５］
出力回路は、第２電極に一方の電極が接続された容量素子を含み、
検出回路によって検出されたレベルが第２の閾値以上である場合、容量素子の他方の電極の電位は、光電変換部における光電変換によって変化した第２電極の電位に応じた信号の読み出し時に一時的に低下させられる、項目２に記載の撮像装置。

［項目６］
出力回路は、
第２電極に電気的に接続されたゲートを有する第１トランジスタと、
第２電極と第１トランジスタのゲートとの間に接続された減衰器と
を含み、
検出回路によって検出されたレベルが第２の閾値以上である場合、減衰器は、第１検出トランジスタのゲートに印加される電圧を減衰させる、項目２に記載の撮像装置。

［項目７］
第１電極および第２電極の一方に第１電圧が印加されている状態および第１電極および第２電極の一方に第２電圧が印加されている状態の両方において、第１電極の電位は、第２電極の電位よりも高い、項目２から６のいずれか一項に記載の撮像装置。

［項目８］
バイアス電圧に対する光電変換部の光電変換効率のグラフにおいて、光電変換効率が０から立ち上がる点における第１接線と、バイアス電圧が動作時の最大値である点における第２接線との交点に対応するバイアス電圧の値をＶｔとしたとき、第１電圧範囲は、Ｖｔ未満の電圧範囲である、項目２から７のいずれか一項に記載の撮像装置。

［項目９］
バイアス電圧に対する光電変換部の光電変換効率のグラフにおいて、光電変換効率の値が０．０６となる点における第１接線と、バイアス電圧が動作時の最大値である点における第２接線との交点に対応するバイアス電圧の値をＶｔとしたとき、第１電圧範囲は、Ｖｔ未満の電圧範囲である、項目２から７のいずれか一項に記載の撮像装置。

［項目１０］
第２電圧範囲は、バイアス電圧の１Ｖの変化に対する光電変換効率の変化が１０％未満の電圧範囲である、項目２から７のいずれか一項に記載の撮像装置。

［項目１１］
第２電圧範囲は、光電変換効率が０．７以上の電圧範囲である、項目２から７のいずれか一項に記載の撮像装置。

［項目１２］
第１電圧が供給されているときの光電変換部の光電変換効率である第１効率は、第２電圧が供給されているときの光電変換部の光電変換効率である第２効率よりも低い、項目８から１１のいずれか一項に記載の撮像装置。

［項目１３］
第１電圧および第２電圧は、第２電圧範囲内の電圧である、項目１２に記載の撮像装置。

［項目１４］
第１効率に対する第２効率の比は、１より大きく１．２５以下である、項目１３に記載の撮像装置。

［項目１５］
第１電極、第２電極、および、第１電極と第２電極との間に位置する光電変換層を含む光電変換部と、
第１電極および第２電極の一方に電圧を供給する電圧供給回路と、
第２電極に電気的に接続され、第２電極の電位に応じた信号を出力する出力回路と
を有する撮像装置と、
光電変換部に入射する光量を検出する光量検出装置と
を備え、
光電変換部は、第１電極と第２電極との間に印加されるバイアス電圧が第１電圧範囲にあるときの、バイアス電圧に対する光電変換部の光電変換効率の変化率が、バイアス電圧が第１電圧範囲よりも高い第２電圧範囲にあるときの、バイアス電圧に対する光電変換部の光電変換効率の変化率よりも大きい光電変換特性を有し、
電圧供給回路は、
光量検出装置によって検出された光量が第１の光量よりも小さい場合に、第１電極と第２電極との間の電位差が第１の電位差となるように第１電極および第２電極の一方に電圧を供給し、
光量検出装置によって検出された光量が第１の光量以上の第２の光量以上である場合に、第１電極と第２電極との間の電位差が第１の電位差よりも大きい第２の電位差となるように第１電極および第２電極の一方に電圧を供給する、カメラシステム。

［項目１６］
第１電極、第２電極、および、第１電極と第２電極との間に位置する光電変換層を含む光電変換部を有する撮像装置の駆動方法であって、
光電変換部に入射した光量が第１の光量よりも小さい場合に、第１電極と第２電極との間の電位差が第１の電位差となるように第１電極および第２電極の一方に電圧を印加し、光電変換部に入射した光量が第１の光量以上の第２の光量以上である場合に、第１電極と第２電極との間の電位差が第１の電位差よりも大きい第２の電位差となるように第１電極および第２電極の一方に電圧を印加する、撮像装置の駆動方法。

［項目１７］
第１電極、第２電極、および、第１電極と第２電極との間に位置する光電変換層を含む光電変換部と、
第１電極および第２電極の一方に電気的に接続された電圧供給回路と、
第２電極に電気的に接続され、第２電極の電位に応じた信号を出力する出力回路と、
出力回路からの信号のレベルを検出する検出回路と
を備え、
第１電極と第２電極との間に印加されるバイアス電圧が第１電圧範囲にあるときの、バイアス電圧に対する光電変換部の光電変換効率の変化率は、バイアス電圧が第１電圧範囲よりも高い第２電圧範囲にあるときよりも大きく、
電圧供給回路は、検出回路によって検出されたレベルが所定の閾値よりも低い場合に、第１電極と第２電極との間の電位差が第１の電位差となるように第１電極および第２電極の一方に電圧を印加し、検出回路によって検出されたレベルが閾値以上である場合に、第１電極と第２電極との間の電位差が第１の電位差よりも大きい第２の電位差となるように第１電極および第２電極の一方に電圧を印加する、撮像装置。

項目１７の構成によれば、照度の高い状況においては、第１電極と第２電極との間に印加されるバイアス電圧が拡大されるので、バイアス電圧に対する光電変換効率の変化率が相対的に小さい電圧領域で光電変換部を駆動させることができる。その結果、より広い範囲でリニアリティを確保することが可能になり、電気的な制御によってダイナミックレンジを拡大することができる。また、照度の低い状況においては、第１電極と第２電極との間に印加されるバイアス電圧を相対的に小さくできるので、電力消費抑制の効果が期待できる。

［項目１８］
電圧供給回路は、検出回路によって検出されたレベルが閾値よりも低い場合に、第１電極および第２電極の一方に第１電圧を印加し、検出回路によって検出されたレベルが閾値以上である場合に、第１電極および第２電極の一方に第１電圧よりも高い第２電圧を印加する、項目１７に記載の撮像装置。

項目１８の構成によれば、照度の高い状況において、互いに異なる電圧のうち、相対的に高い第２電圧が電圧供給回路から光電変換部に選択的に印加される。そのため、消費電力を低減することが可能になる。

［項目１９］
出力回路は、
第２電極に電気的に接続されたゲートを有し、ドレインおよびソースの一方に第３電圧を受ける第１信号検出トランジスタと、
第２電極に電気的に接続されたゲートを有し、ドレインおよびソースの一方に第３電圧よりも高い第４電圧を受ける第２信号検出トランジスタと
を含む、項目１８に記載の撮像装置。

項目１９の構成によれば、信号の読み出し時にリセットトランジスタを介して第２電極に容量素子が接続されるので、例えばソースフォロワへの入力のレベルを電源電圧未満のレベルに一時的に低下させることができる。そのため、例えば第２電極の電位が電源電圧を上回るような場合であっても、電源電圧に昇圧を施すことなくソースフォロワによる信号の読み出しが可能になる。

［項目２０］
出力回路は、
容量素子と、
第２電極と容量素子との間に接続されたスイッチング素子と
を含み、
検出回路によって検出されたレベルが閾値以上である場合、スイッチング素子は、光電変換部における光電変換によって変化した第２電極の電位に応じた信号の読み出し時にオンとされる、項目１８に記載の撮像装置。

項目２０の構成によれば、第２電極の電位に応じて、ソースフォロワ電源の大きさが互いに異なる２つのソースフォロワのいずれを介して信号の読み出しを行うかを切り替えることができる。そのため、例えば第２電極の電位が電源電圧を上回るような場合でも信号の読み出しが可能になる。

［項目２１］
出力回路は、第２電極に一方の電極が接続された容量素子を含み、
検出回路によって検出されたレベルが閾値以上である場合、容量素子の他方の電極の電位は、光電変換部における光電変換によって変化した第２電極の電位に応じた信号の読み出し時に一時的に低下させられる、項目１８に記載の撮像装置。

項目２１の構成によれば、第２電極の電位が電源電圧を上回るような場合であっても、信号の読み出し時に選択的に第２電極の電位を低下させることができる。そのため、例えば第２電極の電位が電源電圧を上回るような場合であっても、電源電圧に昇圧を施すことなくソースフォロワによる信号の読み出しが可能になる。

［項目２２］
出力回路は、
第２電極に電気的に接続されたゲートを有する第１信号検出トランジスタと、
第２電極と第１信号検出トランジスタのゲートとの間に接続された減衰器と
を含み、
検出回路によって検出されたレベルが閾値以上である場合、減衰器は、第１信号検出トランジスタのゲートに印加される電圧を所定の割合で減衰させる、項目１８に記載の撮像装置。

項目２２の構成によれば、第２電極の電位が電源電圧を上回るような場合であっても、例えばソースフォロワへの入力のレベルを所定の割合で減衰させることができる。そのため、例えば第２電極の電位が電源電圧を上回るような場合であっても、電源電圧に昇圧を施すことなくソースフォロワによる信号の読み出しが可能になる。

［項目２３］
第１電極および第２電極の一方に第１電圧が印加されている状態および第１電極および第２電極の一方に第２電圧が印加されている状態の両方において、第１電極の電位は、第２電極の電位よりも高い、項目１８から２２のいずれか一項に記載の撮像装置。

項目２３の構成によれば、光電変換によって生じる電荷のうち正の電荷を第２電極によって収集でき、正孔を信号電荷として電荷蓄積領域に蓄積することができる。また、信号電荷の蓄積の継続によって電荷蓄積領域の電位が徐々に上昇するので、光電変換層にかかる実効的なバイアス電圧を第２電圧の値よりも小さくし得る。

［項目２４］
バイアス電圧に対する光電変換部の光電変換効率のグラフにおいて、光電変換効率が０から立ち上がる点における第１接線と、バイアス電圧が動作時の最大値である点における第２接線との交点に対応するバイアス電圧の値をＶｔとしたとき、第１電圧範囲は、Ｖｔ未満の電圧範囲である、項目１８から２３のいずれか一項に記載の撮像装置。

［項目２５］
バイアス電圧に対する光電変換部の光電変換効率のグラフにおいて、光電変換効率の値が０．０６となる点における第１接線と、バイアス電圧が動作時の最大値である点における第２接線との交点に対応するバイアス電圧の値をＶｔとしたとき、第１電圧範囲は、Ｖｔ未満の電圧範囲である、項目１８から２３のいずれか一項に記載の撮像装置。

［項目２６］
第２電圧範囲は、バイアス電圧の１Ｖの変化に対する光電変換効率の変化が１０％未満の電圧範囲である、項目１８から２３のいずれか一項に記載の撮像装置。

［項目２７］
第２電圧範囲は、光電変換効率が０．７以上の電圧範囲である、項目１８から２３のいずれか一項に記載の撮像装置。

項目２７の構成によれば、第１電極と第２電極との間に印加されるバイアス電圧の大きさと、ＩＳＯの数値との間の対応を付けやすい。

［項目２８］
第１電圧が供給されているときの光電変換部の光電変換効率である第１効率は、第２電圧が供給されているときの光電変換部の光電変換効率である第２効率よりも低い、項目２４から２７のいずれか一項に記載の撮像装置。

［項目２９］
第１電圧および第２電圧は、第２電圧範囲内の電圧である、項目２８に記載の撮像装置。

項目２９の構成によれば、高耐圧の素子が要求されないので信頼性を確保しやすいという利点が得られ、第１電圧の供給時には省電力および高速な駆動を期待できる。

［項目３０］
第１効率に対する第２効率の比は、１以上１．２５以下である、項目２９に記載の撮像装置。

［項目３１］
第２電極に電気的に接続された電荷蓄積部であって、第２電極によって収集された電荷を一時的に蓄積する電荷蓄積部をさらに備え、
電荷蓄積部の電位は、電荷蓄積部への電荷の蓄積に伴って高くなる、項目１７から３０のいずれか一項に記載の撮像装置。

項目３１の構成によれば、高耐圧の素子および素子分離領域が要求されないので、信頼性を確保しやすい。

［項目３２］
それぞれが光電変換部および出力回路を有する複数の画素を含み、
複数の画素は、第１画素および第１画素に隣接して配置された第２画素を含み、
第１画素の第２電極と第２画素の第２電極との間に位置し、かつ、第１画素の第２電極および第２画素の第２電極から電気的に絶縁された第３電極をさらに備える、項目１７から３１のいずれか一項に記載の撮像装置。

項目３２の構成によれば、第３電極の電位の調整により、２つの画素の境界付近で生じた電荷を第３電極によって優先的に収集することが可能である。その結果、実効的な光電変換効率を低下させ、照度の高い方向に関するダイナミックレンジをさらに拡大させることが可能になる。

［項目３３］
第１電極、第２電極、および、第１電極と第２電極との間に位置する光電変換層を含む光電変換部を有する撮像装置と、
第１電極および第２電極の一方に電気的に接続された電圧供給回路と
を備え、
撮像装置は、
第２電極に電気的に接続され、第２電極の電位に応じた信号を出力する出力回路と、
出力回路からの信号のレベルを検出する検出回路と
をさらに有し、
第１電極と第２電極との間に印加されるバイアス電圧が第１電圧範囲にあるときの、バイアス電圧に対する光電変換部の光電変換効率の変化率は、バイアス電圧が第１電圧範囲よりも高い第２電圧範囲にあるときよりも大きく、
電圧供給回路は、検出回路によって検出されたレベルが所定の閾値よりも低い場合に、第１電極と第２電極との間の電位差が第１の電位差となるように第１電極および第２電極の一方に電圧を印加し、検出回路によって検出されたレベルが閾値以上である場合に、第１電極と第２電極との間の電位差が第１の電位差よりも大きい第２の電位差となるように第１電極および第２電極の一方に電圧を印加する、カメラシステム。

項目３３の構成によれば、項目１７と同様の効果が得られる。

［項目３４］
電圧供給回路は、検出回路によって検出されたレベルが閾値よりも低い場合に、第１電極および第２電極の一方に第１電圧を印加し、検出回路によって検出されたレベルが閾値以上である場合に、第１電極および第２電極の一方に第１電圧よりも高い第２電圧を印加する、項目３３に記載のカメラシステム。

項目３４の構成によれば、項目１８と同様の効果が得られる。

［項目３５］
出力回路は、
容量素子と、
第２電極と容量素子との間に接続されたスイッチング素子と
を含み、
検出回路によって検出されたレベルが閾値以上である場合、スイッチング素子は、光電変換部における光電変換によって変化した第２電極の電位に応じた信号の読み出し時にオンとされる、項目３４に記載のカメラシステム。

項目３５の構成によれば、項目２０と同様の効果が得られる。

［項目３６］
出力回路は、第２電極に一方の電極が接続された容量素子を含み、
検出回路によって検出されたレベルが閾値以上である場合、容量素子の他方の電極の電位は、光電変換部における光電変換によって変化した第２電極の電位に応じた信号の読み出し時に一時的に低下させられる、項目３４に記載のカメラシステム。

項目３６の構成によれば、項目２１と同様の効果が得られる。

［項目３７］
出力回路は、
第２電極に電気的に接続されたゲートを有する第１信号検出トランジスタと、
第２電極と第１信号検出トランジスタのゲートとの間に接続された減衰器と
を含み、
検出回路によって検出されたレベルが閾値以上である場合、減衰器は、第１信号検出トランジスタのゲートに印加される電圧を所定の割合で減衰させる、項目３４に記載のカメラシステム。

項目３７の構成によれば、項目２２と同様の効果が得られる。

［項目３８］
第１電極、第２電極、および、第１電極と第２電極との間に位置する光電変換層を含む光電変換部を有する撮像装置と、
光電変換部に入射する光量を検出する光量検出装置と
を備え、
撮像装置は、
第２電極に電気的に接続され、第２電極の電位に応じた信号を出力する出力回路と、
第１電極および第２電極の一方に電気的に接続された電圧供給回路と
をさらに有し、
第１電極と第２電極との間に印加されるバイアス電圧が第１電圧範囲にあるときの、バイアス電圧に対する光電変換部の光電変換効率の変化率は、バイアス電圧が第１電圧範囲よりも高い第２電圧範囲にあるときよりも大きく、
電圧供給回路は、光量検出装置によって検出された光量が所定の光量よりも小さい場合に、第１電極と第２電極との間の電位差が第１の電位差となるように第１電極および第２電極の一方に電圧を印加し、光量検出装置によって検出された光量が所定の光量以上である場合に、第１電極と第２電極との間の電位差が第１の電位差よりも大きい第２の電位差となるように第１電極および第２電極の一方に電圧を印加する、カメラシステム。

項目３８の構成によれば、項目１７と同様の効果が得られる。

［項目３９］
第１電極、第２電極、および、第１電極と第２電極との間に位置する光電変換層を含む光電変換部を有する撮像装置と、
第１電極および第２電極の一方に電気的に接続された電圧供給回路と、
光電変換部に入射する光量を検出する光量検出装置と
を備え、
第１電極と第２電極との間に印加されるバイアス電圧が第１電圧範囲にあるときの、バイアス電圧に対する光電変換部の光電変換効率の変化率は、バイアス電圧が第１電圧範囲よりも高い第２電圧範囲にあるときよりも大きく、
撮像装置は、第２電極に電気的に接続され、第２電極の電位に応じた信号を出力する出力回路をさらに有し、
電圧供給回路は、光量検出装置によって検出された光量が所定の光量よりも小さい場合に、第１電極と第２電極との間の電位差が第１の電位差となるように第１電極および第２電極の一方に電圧を印加し、光量検出装置によって検出された光量が所定の光量以上である場合に、第１電極と第２電極との間の電位差が第１の電位差よりも大きい第２の電位差となるように第１電極および第２電極の一方に電圧を印加する、カメラシステム。

項目３９の構成によれば、項目１７と同様の効果が得られる。

［項目４０］
光量検出装置は、出力回路からの信号のレベルを検出する光量検出回路を含む、項目３８または３９に記載のカメラシステム。

項目４０の構成によれば、画素から出力される信号のレベルの検出を通して、光電変換部に入射する光量に関する情報を得ることができる。

［項目４１］
電圧供給回路は、光量検出装置によって検出された光量が所定の光量よりも小さい場合に、第１電極および第２電極の一方に第１電圧を印加し、光量検出装置によって検出された光量が所定の光量以上である場合に第１電極および第２電極の一方に第１電圧よりも高い第２電圧を印加する、項目３８から４０のいずれか一項に記載のカメラシステム。

項目４１の構成によれば、項目１８と同様の効果が得られる。

［項目４２］
出力回路は、
第２電極に電気的に接続されたゲートを有し、ドレインおよびソースの一方に第３電圧を受ける第１信号検出トランジスタと、
第２電極に電気的に接続されたゲートを有し、ドレインおよびソースの一方に第３電圧よりも高い第４電圧を受ける第２信号検出トランジスタと
を含む、項目３４または４１に記載のカメラシステム。

項目４２の構成によれば、項目１９と同様の効果が得られる。

［項目４３］
出力回路は、
容量素子と、
第２電極と容量素子との間に接続されたスイッチング素子と
を含み、
光量検出装置によって検出された光量が所定の光量以上である場合、スイッチング素子は、光電変換部における光電変換によって変化した第２電極の電位に応じた信号の読み出し時にオンとされる、項目４１に記載のカメラシステム。

項目４３の構成によれば、項目２０と同様の効果が得られる。

［項目４４］
出力回路は、第２電極に一方の電極が接続された容量素子を含み、
光量検出装置によって検出された光量が所定の光量以上である場合、容量素子の他方の電極の電位は、光電変換部における光電変換によって変化した第２電極の電位に応じた信号の読み出し時に一時的に低下させられる、項目４１に記載のカメラシステム。

項目４４の構成によれば、項目２１と同様の効果が得られる。

［項目４５］
出力回路は、
第２電極に電気的に接続されたゲートを有する第１信号検出トランジスタと、
第２電極と第１信号検出トランジスタのゲートとの間に接続された減衰器と
を含み、
光量検出装置によって検出された光量が所定の光量以上である場合、減衰器は、第１信号検出トランジスタのゲートに印加される電圧を所定の割合で減衰させる、項目４１に記載のカメラシステム。

項目４５の構成によれば、項目２２と同様の効果が得られる。

［項目４６］
第１電極および第２電極の一方に第１電圧が印加されている状態および第１電極および第２電極の一方に第２電圧が印加されている状態の両方において、第１電極の電位は、第２電極の電位よりも高い、項目３４、３５、３６、３７、４１、４２、４３、４４または４５に記載のカメラシステム。

項目４６の構成によれば、項目２３と同様の効果が得られる。

［項目４７］
バイアス電圧に対する光電変換部の光電変換効率のグラフにおいて、光電変換効率が０から立ち上がる点における第１接線と、バイアス電圧が動作時の最大値である点における第２接線との交点に対応するバイアス電圧の値をＶｔとしたとき、第１電圧範囲は、Ｖｔ未満の電圧範囲である、項目３４、３５、３６、３７、４１、４２、４３、４４、４５または４６に記載のカメラシステム。

［項目４８］
バイアス電圧に対する光電変換部の光電変換効率のグラフにおいて、光電変換効率の値が０．０６となる点における第１接線と、バイアス電圧が動作時の最大値である点における第２接線との交点に対応するバイアス電圧の値をＶｔとしたとき、第１電圧範囲は、Ｖｔ未満の電圧範囲である、項目３４、３５、３６、３７、４１、４２、４３、４４、４５または４６に記載のカメラシステム。

［項目４９］
第２電圧範囲は、バイアス電圧の１Ｖの変化に対する光電変換効率の変化が１０％未満の電圧範囲である、項目３４、３５、３６、３７、４１、４２、４３、４４、４５または４６に記載のカメラシステム。

［項目５０］
第２電圧範囲は、光電変換効率が０．７以上の電圧範囲である、項目３４、３５、３６、３７、４１、４２、４３、４４、４５または４６に記載のカメラシステム。

項目５０の構成によれば、項目２７と同様の効果が得られる。

［項目５１］
第１電圧が供給されているときの光電変換部の光電変換効率である第１効率は、第２電圧が供給されているときの光電変換部の光電変換効率である第２効率よりも低い、項目４７から５０のいずれか一項に記載のカメラシステム。

［項目５２］
第１電圧および第２電圧は、第２電圧範囲内の電圧である、項目５１に記載のカメラシステム。

項目５２の構成によれば、項目２９と同様の効果が得られる。

［項目５３］
第１効率に対する第２効率の比は、１以上１．２５以下である、項目５２に記載のカメラシステム。

［項目５４］
第２電極に電気的に接続された電荷蓄積部であって、第２電極によって収集された電荷を一時的に蓄積する電荷蓄積部をさらに備え、
電荷蓄積部の電位は、電荷蓄積部への電荷の蓄積に伴って高くなる、項目３３から５３のいずれか一項に記載のカメラシステム。

項目５４の構成によれば、項目３１と同様の効果が得られる。

［項目５５］
撮像装置は、それぞれが光電変換部および出力回路を有する複数の画素を含み、
複数の画素は、第１画素および第１画素に隣接して配置された第２画素を含み、
撮像装置は、第１画素の第２電極と第２画素の第２電極との間に位置し、かつ、第１画素の第２電極および第２画素の第２電極から電気的に絶縁された第３電極をさらに備える、項目３３から５４のいずれか一項に記載のカメラシステム。

項目５５の構成によれば、項目３２と同様の効果が得られる。

［項目５６］
第１電極、第２電極、および、第１電極と第２電極との間に位置する光電変換層を含む光電変換部を有する撮像装置の駆動方法であって、
光電変換部に入射した光量が所定の光量よりも小さい場合に、第１電極と第２電極との間の電位差が第１の電位差となるように第１電極および第２電極の一方に電圧を印加し、光電変換部に入射した光量が所定の光量以上である場合に、第１電極と第２電極との間の電位差が第１の電位差よりも大きい第２の電位差となるように第１電極および第２電極の一方に電圧を印加する、撮像装置の駆動方法。

項目５６の構成によれば、電気的な制御によって、照度の高い方向に関するダイナミックレンジを拡大し得る。

［項目５７］
光電変換部に入射した光量が所定の光量よりも小さい場合に、第１電極および第２電極の一方に第１電圧を印加し、光電変換部に入射した光量が所定の光量以上である場合に、第１電極および第２電極の一方に第１電圧よりも高い第２電圧を印加する、項目５６に記載の撮像装置の駆動方法。

項目５７の構成によれば、項目１８と同様の効果が得られる。

以下、図面を参照しながら、本開示の実施形態を詳細に説明する。なお、以下で説明する実施形態は、いずれも包括的または具体的な例を示す。以下の実施形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態、ステップ、ステップの順序などは、一例であり、本開示を限定する主旨ではない。本明細書において説明される種々の態様は、矛盾が生じない限り互いに組み合わせることが可能である。また、以下の実施形態における構成要素のうち、最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。以下の説明において、実質的に同じ機能を有する構成要素は共通の参照符号で示し、説明を省略することがある。また、図面が過度に複雑になることを避けるために、一部の要素の図示を省略することがある。

（第１の実施形態）
図１は、本開示の第１の実施形態による撮像装置の構成を概略的に示す。図１に示す撮像装置１００Ａは、それぞれが、半導体基板１１０に支持された光電変換部をその一部に含む複数の画素Ｐｘを有する。図１には表れていないが、半導体基板１１０は、各画素Ｐｘに対応して形成された複数の出力回路を有する。

複数の画素Ｐｘは、半導体基板１１０に例えば二次元に配列されることにより、撮像領域を形成する。画素Ｐｘの数および配置は、図１に示す例に限定されず、任意である。例えば、複数の画素Ｐｘを一次元に配列することにより、撮像装置１００Ａをラインセンサとして用い得る。

図面を参照して後に詳しく説明するように、各画素Ｐｘの光電変換部は、画素電極と、透光性の対向電極と、これらの電極の間に挟まれた光電変換層とを有する。典型的には、各画素Ｐｘに対応して複数の画素電極が撮像領域に配置されることに対して、対向電極は、複数の画素Ｐｘの間で連続した単一の電極層の形で設けられる。つまり、典型的には、対向電極の電位は、複数の画素Ｐｘの間で共通である。光電変換層についても同様に、連続した単一の光電変換構造が複数の画素Ｐｘの間で共有され得る。換言すれば、各画素Ｐｘの光電変換部は、複数の画素Ｐｘの間で連続した単一の透光性電極の一部および連続した単一の光電変換構造の一部を含む。

図１に例示する構成において、撮像装置１００Ａは、行信号線Ｒ_ｉを介して各画素Ｐｘに接続された行走査回路１２０と、出力信号線Ｓ_ｊを介して各画素Ｐｘに接続された検出回路１３０Ａとを含む。ここで、図１中の参照符号に付された下付きのｍおよびｎは、独立して、１以上の整数を表す。行信号線Ｒ_ｉは、複数の画素Ｐｘの行ごとに設けられ、同一行に属する１以上の画素Ｐｘに電気的に接続されている。図１では、簡単のために、行走査回路１２０に接続される信号線として行信号線Ｒ_ｉを代表的に示しているが、複数の画素Ｐｘの行ごとに２本以上の信号線が設けられることもあり得る。出力信号線Ｓ_ｊは、複数の画素Ｐｘの列ごとに設けられ、同一列に属する１以上の画素Ｐｘの出力回路に電気的に接続される。図示するように、出力信号線Ｓ_ｊの各々は、検出回路１３０Ａに接続されている。

検出回路１３０Ａは、典型的には、相関二重サンプリングに代表される雑音抑圧信号処理、アナログ－デジタル変換などを行うための回路をその一部に含む。被写体の像を表現する画素信号は、検出回路１３０Ａの出力として撮像装置１００Ａの外部に読み出される。

ここでは、検出回路１３０Ａは、出力信号線Ｓ_ｊを介して画素Ｐｘから読み出された出力信号のレベルを検出する機能も有する。この例では、検出回路１３０Ａに、参照線１３２が接続されている。参照線１３２には、動作時に所定の電圧Ｖｒｅｆが印加される。検出回路１３０Ａは、例えば、各列の画素Ｐｘからの出力信号のレベル、すなわち、各出力信号線Ｓ_ｊの電圧レベルと、参照線１３２の電圧レベルとの比較結果を出力する１以上の比較器１３４を有し得る。電圧レベルの比較は、アナログ電圧の比較の形で実行されてもよいし、デジタル値の比較の形で実行されてもよい。

図１に例示する構成において、撮像装置１００Ａは、さらに、電圧供給回路１５０と、制御回路１６０とをさらに有する。電圧供給回路１５０は、例えば上述の対向電極に接続された電圧線１５２との接続を有することにより、各画素Ｐｘと電気的に接続されている。電圧供給回路１５０は、電圧線１５２を介して、撮像装置１００Ａの動作時に所定の電圧を各画素Ｐｘの光電変換部に供給する。

電圧供給回路１５０は、少なくとも、２以上の異なる電圧を切り替えて電圧線１５２に印加可能に構成される。電圧供給回路１５０から出力される電圧の変更は、段階的であってもよいし、連続的であってもよい。電圧供給回路１５０は、特定の電源回路に限定されず、バッテリーなどの電源から供給された電圧を所定の電圧に変換する回路であってもよいし、所定の電圧を生成する回路であってもよい。電圧供給回路１５０は、上述の行走査回路１２０の一部であってもよい。

制御回路１６０は、撮像装置１００Ａの、例えば外部から与えられる指令データ、クロックなどを受け取って撮像装置１００Ａ全体を制御する。制御回路１６０は、例えば１以上のプロセッサを含むマイクロコントローラによって実現され得る。制御回路１６０は、１以上のメモリを含み得る。図１に例示する構成において、制御回路１６０は、メモリ１６２をその一部に含む。メモリ１６２は、撮像装置１００Ａとは別個のチップまたはパッケージの形で設けられてもよい。

この例では、制御回路１６０に、画像処理回路１６４が電気的に接続されている。画像処理回路１６４は、例えばＤＳＰ（Digital Signal Processor）、ＩＳＰ（Image Signal Processor）、ＦＰＧＡ（field-programmable gate array）などによって実現され得る
。画像処理回路１６４は、制御回路１６０の一部であってもよい。

典型的には、制御回路１６０は、タイミングジェネレータを有し、行走査回路１２０、検出回路１３０Ａ、電圧供給回路１５０などに駆動信号を供給する。図１中、制御回路１６０に向かって延びる矢印および制御回路１６０から延びる矢印は、それぞれ、制御回路１６０への入力信号および制御回路１６０からの出力信号を模式的に表現している。また、この例では、制御回路１６０は、各列の画素Ｐｘからの出力信号のレベルと、参照線１３２の電圧レベルとの比較結果を検出回路１３０Ａから受け取り、電圧レベルの比較結果に応じた駆動信号を電圧供給回路１５０に供給するように構成されている。

電圧供給回路１５０は、制御回路１６０からの駆動信号に基づき、例えば検出回路１３０Ａによって検出された出力信号のレベルが参照線１３２の電圧レベルよりも低い場合には、光電変換部の対向電極と画素電極との間に印加される電位差が第１の電圧差となるような電圧を電圧線１５２に印加する。検出回路１３０Ａによって検出された出力信号のレベルが参照線１３２の電圧レベル以上である場合には、対向電極と画素電極との間に印加される電位差が第１の電圧差よりも大きい第２の電位差となるような電圧を電圧線１５２に印加する。電圧供給回路１５０は、例えば、検出回路１３０Ａによって検出された出力信号のレベルが参照線１３２の電圧レベルよりも低い場合に、電圧線１５２に第１電圧Ｖ１を印加し、検出回路１３０Ａによって検出された出力信号のレベルが参照線１３２の電圧レベル以上である場合に、第１電圧Ｖ１よりも高い第２電圧Ｖ２を印加する。典型的には、光電変換部に対する照度が比較的に高い場合に、検出回路１３０Ａからの出力信号のレベルが参照線１３２の電圧レベル以上となる。つまり、本実施形態では、光電変換部に対する照度に応じて、光電変換部の、例えば対向電極に印加する電圧を変化させることにより、光電変換部の対向電極と画素電極との間に印加される電位差を制御している。

検出回路１３０Ａによって検出された出力信号のレベルが参照線１３２の電圧レベルよりも低い場合に、例えば、第１電圧Ｖ１を電圧線１５２に印加し、光電変換部に対する照度が比較的に高い場合に、相対的に高い第２電圧Ｖ２を電圧線１５２に印加する。このような形態によると、光電変換部に印加する電圧を必要に応じて上昇させるので、標準の撮影モードにおける電力消費を抑えることができる。

後に詳しく説明するように、画素Ｐｘの光電変換部は、対向電極と画素電極との間のバイアス電圧が増大するに従って光電変換効率が増大するような光電変換特性を有し得る。また、光電変換部は、典型的には、画素電極と対向電極との間に印加されるバイアス電圧が第１電圧範囲よりも高い第２電圧範囲にあるとき、バイアス電圧が第１電圧範囲にあるときと比較して、光電変換効率の変化率が小さくなるような光電変換特性を有する。出力信号のレベルが所定のレベル以上である場合に対向電極と画素電極との間のバイアス電圧を増大させる制御により、照度の高い状況において、画素電極と対向電極との間の電位差の変化に対して光電変換効率が直線状の変化を示すような電圧領域において光電変化部を駆動させることができる。これにより、リニアリティを担保しながら、より広い電圧領域を使用することが可能になる。さらに、標準の撮影モードにおいては相対的に小さいバイアス電圧を用いることにより、電力消費を抑えることができる。すなわち、電気的な制御によるダイナミックレンジの拡大と、電力消費抑制の効果が得られる。このように、本開示の実施形態によれば、照度に応じて、電気的な制御により感度が調整されるので、撮影時の環境に応じた感度のもとでの撮影を可能としながら、電力消費抑制の効果が得られる。

上述の制御回路１６０の機能は、汎用の処理回路とソフトウェアとの組み合わせによって実現されてもよいし、このような処理に特化したハードウェアによって実現されてもよい。なお、図１に示す例では、行走査回路１２０、検出回路１３０Ａ、電圧供給回路１５０および制御回路１６０は、複数の画素Ｐｘが配置された半導体基板１１０に一体的に形成されている。例えば、制御回路１６０は、半導体基板１１０に形成された集積回路であり得る。各画素Ｐｘの出力回路が形成される半導体基板１１０にこれらの回路を配置することにより、各画素Ｐｘの出力回路の形成のプロセスと同様のプロセスを適用して、各画素Ｐｘの出力回路とともにこれらの回路を半導体基板１１０に一体的に形成することが可能になる。ただし、これらの回路の全部が、各画素Ｐｘの出力回路とともに半導体基板１１０に一体的に形成されることは、必須ではない。これらの回路の一部または全部が、各画素Ｐｘの出力回路が形成された半導体基板１１０とは異なる基板上に配置されることもあり得る。その場合、撮像装置１００Ａは、複数の画素Ｐｘが形成された半導体基板１１０、行走査回路１２０、検出回路１３０Ａ、電圧供給回路１５０および制御回路１６０が一体とされたパッケージの形で提供され得る。

上述の例では、制御回路１６０は、各画素Ｐｘからの出力信号のレベルを検出回路１３０Ａによって検出し、参照線１３２の電圧レベルを基準とした比較により、光電変換部に入射する光量が所定の光量以上であるかを判定している。換言すれば、制御回路１６０は、参照線１３２の電圧レベルを閾値として利用した判定を実行する。しかしながら、光電変換部に入射する光量が所定の光量以上であるかの判定の方法は、この例に限定されない。

例えば、検出回路１３０Ａは、アナログ－デジタル変換回路を含み、検出された出力信号線Ｓ_ｊの電圧の大きさを表現するデジタル値のデータを制御回路１６０または画像処理回路１６４に出力するように構成されてもよい。この場合、光電変換部に入射する光量が所定の光量以上であるかを判定するための閾値は、例えばメモリ１６２に予め格納され得る。制御回路１６０は、例えば、検出回路１３０Ａから受け取ったデジタル値が、メモリ１６２に保持されている閾値よりも低い場合には、光電変換部に入射する光量が所定の光量よりも低いと判定する。さらに制御回路１６０は、対向電極と画素電極との間の電位差が相対的に小さい第１の電圧差となるような電圧が電圧線１５２に印加されるような制御を実行する。例えば、制御回路１６０は、相対的に低い第１電圧Ｖ１が電圧線１５２に印加されるように電圧供給回路１５０を駆動させる。

（画素Ｐｘの例示的な構成）
図２は、撮像装置１００Ａの例示的な回路構成を示す。図２では、図１に示す撮像領域に含まれる複数の画素Ｐｘから４つを取り出して模式的に示している。

画素Ｐｘの各々は、光電変換部１０と、光電変換部１０に電気的に接続された出力回路２０とを含む。図２に例示する構成において、出力回路２０は、信号検出トランジスタ２２と、アドレストランジスタ２４と、リセットトランジスタ２６とを含む。信号検出トランジスタ２２、アドレストランジスタ２４およびリセットトランジスタ２６は、典型的には、半導体基板１１０に形成された電界効果トランジスタであり、以下では、特に断りがない限り、トランジスタとしてＮチャンネルＭＯＳを用いた例を説明する。

図２に模式的に示すように、光電変換部１０は、第１電極としての対向電極１１、第２電極としての画素電極１２、および、対向電極１１と画素電極１２とに挟まれた光電変換層１３とを含む。対向電極１１は、透光性を有する。なお、本明細書における「透光性」の用語は、光電変換層１３が吸収可能な波長の光の少なくとも一部を透過することを意味し、可視光の波長範囲全体にわたって光を透過することは必須ではない。

図示するように、各画素Ｐｘの対向電極１１は、電圧線１５２との間に電気的な接続を有する。したがって、電圧供給回路１５０は、電圧線１５２を介して複数の画素Ｐｘの対向電極１１に一括して例えば第１電圧Ｖ１または第２電圧Ｖ２を選択的に印加可能である。図２では、複数の画素Ｐｘの対向電極１１ごとに電圧線１５２が接続されているように図示されている。しかしながら、典型的には、各画素Ｐｘの対向電極１１は、複数の画素Ｐｘの間で連続した単一の透光性の電極であり、電圧線１５２が複数本に分岐した配線である必要はない。

他方、画素電極１２は、画素Ｐｘごとに電気的に分離して設けられる。図示するように、各画素Ｐｘの画素電極１２は、対応する出力回路２０の信号検出トランジスタ２２のゲートに接続される。信号検出トランジスタ２２のソースは、アドレストランジスタ２４を介して、対応する出力信号線Ｓ_ｊに接続される。信号検出トランジスタ２２のドレインは、電源線３２に接続される。電源線３２は、動作時に３．３Ｖ程度の電源電圧ＶＤＤが印加されることによりソースフォロワ電源として機能する。

アドレストランジスタ２４のゲートには、行信号線Ｒ_ｉが接続される。行走査回路１２０は、行信号線Ｒ_ｉに印加する電圧レベルの制御により、アドレストランジスタ２４のオンおよびオフを切り替えて、選択した行に属する画素Ｐｘから出力信号線Ｓ_ｊに信号を読み出すことができる。

この例では、出力回路２０は、リセットトランジスタ２６を含んでいる。リセットトランジスタ２６のドレインおよびソースの一方は、ノードＦＤに接続される。ノードＦＤは、光電変換部１０を信号検出トランジスタ２２のゲートに電気的に接続する。リセットトランジスタ２６のドレインおよびソースの他方は、リセット電圧線３６に接続される。リセット電圧線３６には、撮像装置１００Ａの動作時に所定のリセット電圧Ｖ_ＲＳＴが印加される。典型的には、図示するように、リセット信号線４６は、同一行に属する複数の画素Ｐｘのリセットトランジスタ２６のゲートに共通して接続される。

この例では、リセット信号線４６は、行走査回路１２０との接続を有する。行走査回路１２０は、リセット信号線４６に印加する電圧レベルの制御により、複数の画素Ｐｘの行単位でリセットトランジスタ２６をオンする。これにより、リセットトランジスタ２６がオンとされた画素ＰｘのノードＦＤの電位は、Ｖ_ＲＳＴにリセットされ得る。電圧供給回路１５０から各画素Ｐｘの対向電極１１に印加される電圧をＶ１またはＶ２とすれば、リセットの直後における画素電極１２と対向電極１１との間に印加されるバイアス電圧は、（Ｖ１－Ｖ_ＲＳＴ）または（Ｖ２－Ｖ_ＲＳＴ）である。後述するように、本開示の実施形態では、（Ｖ１－Ｖ_ＲＳＴ）＞０および（Ｖ２－Ｖ_ＲＳＴ）＞０となるようにこれらの電圧の具体的な値が選ばれ得る。

図３Ａは、画素Ｐｘの例示的なデバイス構造を示す。半導体基板１１０は、不純物領域１１１～１１５と、素子分離領域１１６とを有する。素子分離領域１１６は、画素Ｐｘごとに設けられた出力回路２０を、画素Ｐｘ間で電気的に分離する。以下では、半導体基板１１０としてＰ型シリコン基板を例示する。不純物領域１１１～１１５は、典型的には、Ｎ型の拡散領域である。半導体基板１１０は、表面に半導体層が設けられた絶縁基板などであってもよい。

信号検出トランジスタ２２は、不純物領域１１１～１１５のうち、不純物領域１１３および１１４と、半導体基板１１０上のゲート絶縁層２２ｇと、ゲート絶縁層２２ｇ上のゲート電極２２ｅとを含む。不純物領域１１３は、信号検出トランジスタ２２のドレイン領域として機能する。不純物領域１１４は、信号検出トランジスタ２２のソース領域として機能する。図示する構成において、アドレストランジスタ２４は、不純物領域１１４を信号検出トランジスタ２２と共有する。アドレストランジスタ２４は、半導体基板１１０上のゲート絶縁層２４ｇと、ゲート絶縁層２４ｇ上のゲート電極２４ｅと、不純物領域１１５とを含む。不純物領域１１５は、アドレストランジスタ２４のソース領域として機能する。

リセットトランジスタ２６は、不純物領域１１１および１１２と、半導体基板１１０上のゲート絶縁層２６ｇと、ゲート絶縁層２６ｇ上のゲート電極２６ｅとを含む。図３Ａでは図示が省略されているが、不純物領域１１２には、例えば上述のリセット電圧線３６が接続される。なお、信号検出トランジスタ２２のドレイン領域としての不純物領域１１３には、上述の電源線３２が接続される。アドレストランジスタ２４のソース領域としての不純物領域１１５には、上述の出力信号線Ｓ_ｊが接続される。図３Ａに模式的に示すように、素子分離領域１１６は、リセットトランジスタ２６と信号検出トランジスタ２２との間にも設けられる。

層間絶縁層５０は、半導体基板１１０に形成された信号検出トランジスタ２２、アドレストランジスタ２４およびリセットトランジスタ２６を覆う。各画素Ｐｘの光電変換部１０は、層間絶縁層５０によって支持される。層間絶縁層５０は、各々が例えば二酸化シリコンから形成された複数の絶縁層を含む。

光電変換部１０の対向電極１１は、被写体からの光が入射する側に位置し、典型的には、ＩＴＯなどの透明な導電性材料から形成される。上述したように、対向電極１１は、典型的には、複数の画素Ｐｘに跨って連続した単一の電極層の形で設けられる。対向電極１１の、光電変換層１３とは反対側の主面上には、カラーフィルタなどの光学フィルタ１４、マイクロレンズ１６などが配置され得る。

対向電極１１と画素電極１２との間に位置する光電変換層１３は、有機材料またはアモルファスシリコンなどの無機材料から形成され、対向電極１１を介した光の入射を受けて励起子を発生させる。光電変換層１３は、有機材料から構成される層と無機材料から構成される層とを含んでいてもよい。対向電極１１と同様に、光電変換層１３は、典型的には、複数の画素Ｐｘに跨って連続した単一の光電変換構造の形で設けられる。

画素電極１２は、光電変換層１３よりも半導体基板１１０の近くに位置し、隣接する他の画素Ｐｘの画素電極１２から空間的に分離されることにより、これらから電気的に分離されている。画素電極１２は、アルミニウム、銅などの金属、金属窒化物、または、不純物がドープされることにより導電性が付与されたポリシリコンなどから形成され得る。

各画素Ｐｘは、導電構造５２を層間絶縁層５０の内部に有する。導電構造５２は、信号検出トランジスタ２２などを含む出力回路２０に、画素電極１２を電気的に接続する。導電構造５２は、銅などの金属から形成されたビア、ポリシリコンから形成されたプラグなどを含み、図３Ａに模式的に示すように、画素電極１２と、半導体基板１１０に形成された不純物領域１１１とを互いに電気的に接続する。この導電構造５２は、信号検出トランジスタ２２のゲート電極２２ｅにも接続されている。すなわち、出力回路２０は、信号検出トランジスタ２２を含むソースフォロワにより、画素電極１２の電位に応じた信号を対応する出力信号線Ｓ_ｊに出力する。

動作時、電圧線１５２を介して電圧供給回路１５０から対向電極１１に所定の電圧が印加されることにより、図３Ａに模式的に示すように、対向電極１１と画素電極１２との間には、電位差ΔＶが印加される。ここでは、電圧供給回路１５０は、画素電極１２を基準として、画素電極１２の電位よりも対向電極１１の電位の方が高くなるような電圧を対向電極１１に印加する。画素電極１２の電位よりも対向電極１１の電位を高くすることにより、光の入射によって光電変換層１３中に生成される正および負の電荷のうち、正の極性を有する電荷、例えば、正孔を信号電荷として画素電極１２によって収集することができる。以下では、特に断りの無い限り、信号電荷として正孔を利用する例を説明する。なお、図３Ａに示す例では、光電変換層１３と画素電極１２との間に電子ブロッキング層１３ｅが配置されており、光電変換層１３から画素電極１２への電子の注入の抑制が図られている。電子ブロッキング層１３ｅが光電変換の機能を有していてもかまわない。

本開示の典型的な実施形態では、電圧供給回路１５０から電圧線１５２に第１電圧Ｖ１が印加されている状態および電圧供給回路１５０から電圧線１５２に第２電圧Ｖ２が印加されている状態のいずれにおいても、対向電極１１の電位が画素電極１２の電位よりも高くなるような第１電圧Ｖ１および第２電圧Ｖ２が用いられる。なお、画素電極１２の電位は、リセットトランジスタ２６を介して供給される上述のリセット電圧Ｖ_ＲＳＴによって決まる。したがって、本開示の典型的な実施形態では、（Ｖ１－Ｖ_ＲＳＴ）＞０および（Ｖ２－Ｖ_ＲＳＴ）＞０である。リセット電圧Ｖ_ＲＳＴとしては、例えば０Ｖまたは０Ｖ付近の正電圧が用いられる。

不純物領域１１１は、層間絶縁層５０中の導電構造５２に接続される。不純物領域１１１によって半導体基板１１０中に形成されるＰＮ接合は、画素電極１２によって収集された正電荷、例えば、正孔を一時的に蓄積する電荷蓄積容量として機能する。本開示の典型的な実施形態においては、信号電荷として正孔が用いられるので、不純物領域１１１への信号電荷の蓄積に伴って、電荷蓄積部としての不純物領域１１１の電位は、上昇する。

画素電極１２よりも対向電極１１の電位が低くなるような電圧を対向電極１１に印加することにより、例えば電子を信号電荷として利用することももちろん可能である。図３Ｂは、電子を信号電荷として利用する場合の画素Ｐｘの動作を説明するための模式的な断面図である。画素電極１２によって負の電荷を収集する場合には、例えば、対向電極１１の電位よりも画素電極１２の電位の方が高くなるような電圧を対向電極１１に印加すればよい。図３Ｂに例示する構成では、光電変換層１３と画素電極１２との間に正孔ブロッキング層１３ｈが配置されることにより、光電変換層１３から画素電極１２への正孔の注入の抑制が図られている。

この場合も、制御回路１６０は、例えば検出回路１３０Ａによって検出された出力信号のレベルが参照線１３２の電圧レベル未満である場合に、対向電極１１と画素電極１２との間に印加される電位差が第１の電圧差となるように、電圧供給回路１５０から所定の電圧を出力させる。また、検出回路１３０Ａによって検出された出力信号のレベルが参照線１３２の電圧レベル以上である場合に、対向電極１１と画素電極１２との間に印加される電位差が第１の電圧差よりも大きい第２の電位差となるような電圧を電圧供給回路１５０から出力させる。なお、信号電荷として電子を蓄積する構成では、不純物領域１１１への信号電荷の蓄積に伴って、電荷蓄積部としての不純物領域１１１の電位は、低下することになる。

（光電変換層の例示的な光電変換特性）
ここで、光電変換層１３の光電変換特性と、電圧供給回路１５０が電圧線１５２に供給する電圧との間の関係を説明する。以下では、特に断りの無い限り、信号電荷として正孔を利用する例を説明する。

図４は、光電変換層１３の光電変換特性の典型例を示す。図４中、横軸は、対向電極１１と画素電極１２との間に印加される電位差ΔＶを表し、縦軸は、光電変換層１３の光電変換効率ηを表す。ここで、光電変換効率ηは、１つの画素Ｐｘについて、光電変換部１０に入射された光子数に対する、画素電極１２によって収集された電荷数の単位秒あたりの比を意味する。なお、電荷数は、電気素量を単位として測った数である。

図４に例示するように、本開示の実施形態において、光電変換層１３における光電変換効率ηは、おおむね、対向電極１１と画素電極１２との間に印加される電位差ΔＶの増加に対して上に凸の曲線状に増加するような変化を示す。図４に示すような光電変換特性を有する光電変換層は、有機光電変換膜の形成に一般な適用される有機光電変換材料およびその組み合わせを用いることにより、実現可能である。

図４に示す例において、光電変換効率ηは、電位差ΔＶが０～３Ｖ程度の比較的低い電圧領域において電位差ΔＶの変化に対して比較的急峻な増大を示し、電位差ΔＶがおよそ３Ｖ以上の比較的高い電圧領域において電位差ΔＶの変化に対して比較的緩やかな増大を示している。本明細書において、対向電極１１と画素電極１２との間に印加される電位差ΔＶの変化に対して光電変換効率ηが比較的急峻な増大を示す電圧範囲を第１電圧範囲と呼び、電位差ΔＶの変化に対して光電変換効率ηが比較的緩やかな増大を示す電圧範囲を第２電圧範囲と呼ぶ。

図４に示すように、第２電圧範囲における、光電変換部１０への入射光量の変化に対する信号のレベルの変化は、第１電圧範囲と比較して相対的に小さく、図４に示す例では、光電変換部１０は、第２電圧範囲において比較的にフラットな光電変換特性を示しているといえる。第２電圧範囲は、例えば、光電変換部１０への入射光量の変化に対する信号のレベルの変化が２５％以内の電圧領域であり得る。「入射光量の変化に対する信号のレベルの変化が２５％以内」とは、ＩＳＯに換算すると、隣接する２つのレベルの差の（１／３）に相当する変化である。

第１電圧範囲は、対向電極１１と画素電極１２との間に印加される電位差ΔＶ、換言すれば、バイアス電圧に対する光電変換部１０の光電変換効率の変化率が、バイアス電圧が第２電圧範囲にあるときよりも大きな値を示す電圧範囲として定義することができる。第１電圧範囲および第２電圧範囲の具体的な範囲は、撮像装置１００Ａの用途、光電変換層１３の材料などによって異なり得るが、例えば以下のように定義可能である。対向電極１１と画素電極１２との間のバイアス電圧に対する光電変換部１０の光電変換効率ηのグラフにおいて、図４中に破線で示すように、光電変換効率ηが０から立ち上がる点における接線Ｔ１を引く。また、バイアス電圧のうち動作時の最大値に相当する点における接線Ｔ２を引く。これらの接線Ｔ１および接線Ｔ２の交点におけるバイアス電圧の値をＶｔとし、Ｖｔ未満の電圧範囲を第１電圧範囲とする。

図４に示す例では、光電変換効率ηが０から立ち上がる電位差ΔＶの値は、０Ｖであり、動作時におけるバイアス電圧の最大値は、ΔＶ＝１２Ｖである。これらの点における接線の交点のＸ座標は、およそ３Ｖであり、したがって、図４に示すように、おおよそ０Ｖ以上３Ｖ未満の電圧領域を第１電圧範囲とし、おおよそ３Ｖ以上１２Ｖ以下の電圧領域を第２電圧範囲とすることができる。

ただし、図５に例示するように、電位差ΔＶの比較的小さい領域において、光電変換効率ηが０から緩やかに立ち上がるような特性曲線が得られた場合、光電変換効率ηが０から立ち上がる点における接線Ｔ１と、バイアス電圧のうち動作時の最大値に相当する点における接線Ｔ２とが交わらないこともあり得る。このような場合には、光電変換効率ηのグラフにおいて、図５中に破線で示すように、光電変換効率ηの値が０．０６となる点Ｒにおける接線Ｔ３を引き、この接線Ｔ３と接線Ｔ２との交点を求める。そして、接線Ｔ３および接線Ｔ２の交点におけるバイアス電圧の値をＶｔとし、Ｖｔ未満の電圧範囲を第１電圧範囲としてもよい。

なお、上述の光電変換効率ηの値０．０６は、バイアス電圧のうち動作時の最大値に相当する点における光電変換効率ηを１としたときの規格化された値である。デジタルカメラの分野では、シャッタスピードを落としての撮影などにおいて、デジタルカメラにＮＤフィルタが組み合わされることがある。光電変換効率ηの値０．０６によって実現される感度は、ＮＤ１６のフィルタを適用した場合におおよそ相当する。したがって、電位差ΔＶに対する光電変換効率ηのグラフにおいてＹ座標が０．０６である点Ｒにおける接線を用いてＶｔを求めることにより、例えばＮＤ２～ＮＤ１６の範囲に相当する感度を電気的な制御によって実現し得る。

あるいは、バイアス電圧の１Ｖの変化に対する、光電変換効率ηの変化が１０％未満であるような電圧範囲が第２電圧範囲であるとしてもよい。この場合、第２電圧範囲は、図６に示すように、グラフ上に第１の点Ｐ（ａ，ｂ）および第２の点Ｑ（ａ＋１，ｃ）をとったとき、光電変換効率ηの増分である（ｃ－ｂ）が（ｃ－ｂ）＜０．１＊ｂの関係を満たすような電圧範囲であるとして定められる。ここで、上述の関係式中の「＊」は、乗算を表す。

そのほか、以下のように第１電圧範囲または第２電圧範囲を定めることもできる。例えば、対向電極１１と画素電極１２との間のバイアス電圧に対する光電変換部１０の光電変換効率ηのグラフにおいて、図７に示すように、光電変換効率ηが０．７以上となるような領域を第２電圧範囲としてもよい。なお、光電変換効率ηが０．７以上となるような領域が第２電圧範囲であると定義すると、ＩＳＯの数値との対応を付けやすいという利点がある。第１電圧範囲および第２電圧範囲の具体的な範囲は、撮像装置１００Ａの用途などに応じて適宜設定されればよい。

上述の第１電圧Ｖ１および第２電圧Ｖ２として、光電変換部１０に第１電圧Ｖ１が供給されているときの光電変換効率ηが、光電変換部１０に第２電圧Ｖ２が供給されているときよりも低くなるような電圧を用いることができる。上述したように、光電変換層１３における光電変換効率ηは、典型的には、対向電極１１と画素電極１２との間に印加される電位差ΔＶの増加に対しておおむね単調に増加する。本開示の典型的な実施形態では、第１電圧Ｖ１および第２電圧Ｖ２として、第２電圧範囲にある電圧を用いる。以下、第１電圧Ｖ１および第２電圧Ｖ２として、第２電圧範囲にある電圧を用いたときの撮像装置１００Ａの動作例を説明する。

（撮像装置１００Ａの動作例）
ここでは、光電変換層１３における光電変換効率ηが、対向電極１１と画素電極１２との間に印加される電位差ΔＶの増加に対して、図４に示すような変化を示すとし、上述の接線Ｔ１および接線Ｔ２の交点におけるバイアス電圧の値Ｖｔが３Ｖであるとする。このとき、例えば、３Ｖ未満の電圧領域を第１電圧範囲とし、３Ｖ以上１２Ｖ以下の電圧領域を第２電圧範囲と定めると、例えば、６Ｖの電圧を第１電圧Ｖ１に用い、１２Ｖの電圧を第２電圧Ｖ２に用い得る。

第１電圧範囲および第２電圧範囲についてこのような定義を採用した場合、対向電極１１への第１電圧Ｖ１の印加時における光電変換効率ηの値に対する、対向電極１１への第２電圧Ｖ２の印加時における光電変換効率ηの比は、典型的には、１よりも大きく１．２５以下である。この例では、対向電極１１への第１電圧Ｖ１の印加時における光電変換効率ηは、およそ０．８７であり、第２電圧Ｖ２の印加時における光電変換効率ηの値は、およそ１．０であるので、これらのηの値についての比の値は、およそ１．１５である。なお、第１電圧Ｖ１に対する第２電圧Ｖ２の比の値（Ｖ２／Ｖ１）である２は、ηに関する上述の比の値１．１５よりも大きい。

図８は、撮像装置１００Ａの第１の例示的な動作を示す概略的なフローチャートである。図８に示す例においては、まず、光電変換部１０に入射した光量が所定の光量以上であるか否かの判定を実行する（ステップＳ１）。例えば、出力回路２０から出力信号線Ｓ_ｊに出力された信号のレベルを検出回路１３０Ａによって検出する。検出されたレベルが、閾値としての参照線１３２の電圧レベル以上である場合に、光電変換部１０に入射した光量が所定の光量以上であると判定することができる。出力回路２０からの信号のレベルの検出は、例えば、ユーザがレリーズボタンを半押ししたときに、一部の画素Ｐｘのアドレストランジスタ２４をオンとして、照度に応じた電圧を出力回路２０から出力させることによって実行されてもよい。あるいは、これから画像を取得しようとするフレームの例えば１つ前のフレームにおいて検出回路１３０Ａによって検出された信号のレベルを利用してもよい。

もちろん、光電変換部１０に入射した光量が所定の光量以上であるか否かの判定の方法は、特定の方法に限定されず、種々の方法を採用し得る。例えば、検出回路１３０Ａによって検出された信号のレベルをアナログ－デジタル変換回路によってデジタル値に変換し、予めメモリ１６２に格納しておいた閾値との比較により、光電変換部１０に入射した光量が所定の光量以上であるか否かを判定してもよい。光電変換部１０に入射した光量が所定の光量以上であるか否かの判定は、例えば制御回路１６０、あるいは、画像処理回路１６４によって実行され得る。制御回路１６０は、半導体基板１１０に形成されたロジック回路を含んでいてもよい。光電変換部１０に入射した光量が所定の光量以上であるか否かの判定は、撮像装置１００Ａ外に配置された例えばＩＳＰによって実行されてもよい。

光電変換部１０に入射した光量が所定の光量未満であると判定された場合、対向電極１１と画素電極１２との間の電位差が第１の電位差となるように光電変換部１０に電圧が印加される（ステップＳ２）。制御回路１６０は、電圧供給回路１５０に駆動信号を供給し、例えば、電圧供給回路１５０から電圧線１５２に第１電圧Ｖ１を印加させる。すなわち、ここでは、照度の低い状況において、画素電極１２と対向電極１１との間のバイアス電圧を相対的に小さくする。

標準の設定において、電圧供給回路１５０から光電変換部１０に供給する電圧として相対的に低い第１電圧Ｖ１を用いるような動作を適用することにより、電力消費抑制の効果が期待できる。第２電圧範囲にある第１電圧Ｖ１が電圧供給回路１５０から供給されている状態を標準モードと呼んでもよい。また、相対的に低い第１電圧Ｖ１を標準設定において用いることは、標準設定において第２電圧Ｖ２を用いる場合と比較して、省電力であるだけでなく、動作の高速化にも有利である。

例えば特許第６２０２５１２号公報は、光電変換層を挟む対向電極と画素電極との間に印加する電位差を０Ｖに近づけることにより、画素の感度を実質的に０として、グローバルシャッタを実現する技術を開示している。このような技術を適用する場合、露光時に対向電極に印加する電圧と、画素の感度を０として電子的にシャッタを閉じた状態とする時に対向電極に印加する電圧との差が大きいと、電圧の切り替えに要する時間が長くなる。これに対し、露光時とシャッタ時との間で対向電極に印加する電圧の差が小さいと、電圧の切り替えに要する時間が短縮され、より高速にシャッタ動作を実行することが可能になる。また、露光の終了、すなわち、対向電極に印加する電圧をほぼ０Ｖに低下させてから信号の読み出しまでに要する期間を短縮できるので、相対的に低い第１電圧Ｖ１を標準設定において用いる駆動は、電気的なグローバルシャッタの適用に特に有利である。参考のために、特許第６２０２５１２号公報の開示内容の全てを本明細書に援用する。

図９および図１０は、対向電極１１に第１電圧Ｖ１として６Ｖの電圧が印加されているときの画素Ｐｘの動作を説明するための模式的な断面図である。動作時、対向電極１１と画素電極１２との間には、電位差ΔＶが印加される。リセット電圧Ｖ_ＲＳＴは、例えば０Ｖ付近の電圧であり、したがって、電圧供給回路１５０が第１電圧Ｖ１を供給している状態において、光電変換層１３は、図９に模式的に示すように、およそ６Ｖの電位差が印加された状態にある。

光電変換層１３に光が入射して光電変換層１３の内部に電荷が生成されると、これらの電荷は、対向電極１１と画素電極１２との間の電場に従って移動する。図９に模式的に示すように、正の電荷は、導電構造５２を介して、電荷蓄積部としての不純物領域１１１に蓄積され、負の電荷は、対向電極１１を介して光電変換層１３から電圧線１５２に排出される。

ここで、図１０に矢印ｈνで模式的に示すように、電圧供給回路１５０から第１電圧Ｖ１が供給されている状態において比較的に高い照度のもとで信号電荷の蓄積が継続したとする。不純物領域１１１への信号電荷の蓄積が継続すると、ここでは信号電荷として正の電荷を用いているので、不純物領域１１１の電位は、徐々に上昇する。そのため、光電変換層１３にかかる実効的なバイアス電圧は、第１電圧Ｖ１の実際の値よりも小さく、例えば５Ｖ程度になり得る。すなわち、高耐圧の素子および素子分離領域が要求されず、信頼性を向上させ得る。なお、画素電極１２の電位が対向電極１１の電位を上回ると画素電極１２による正の電荷の収集が起こらなくなるので、基本的に不純物領域１１１の電位が第１電圧Ｖ１の値を上回ることはない。

再び図８を参照する。ステップＳ１において、光電変換部１０に入射した光量が所定の光量以上であると判定された場合、対向電極１１と画素電極１２との間の電位差が第１の電位差よりも大きい第２の電位差となるように光電変換部１０に電圧が印加される（ステップＳ３）。制御回路１６０は、電圧供給回路１５０に駆動信号を供給し、例えば、第１電圧Ｖ１よりも高い第２電圧Ｖ２を電圧供給回路１５０から電圧線１５２に印加させる。

対向電極１１と画素電極１２との間の電位差ΔＶが拡大すると、光電変換層１３の内部の電場が増大し、図１１に模式的に示すように、画素電極１２によってより多くの正の電荷が収集されるようになる。ここでは、第２電圧Ｖ２として１２Ｖの電圧が用いられている。図４を参照すればわかるように、対向電極１１に第２電圧Ｖ２が印加された状態における光電変換効率は、対向電極１１に第１電圧Ｖ１が印加された状態と比較して高い。すなわち、対向電極１１に第２電圧Ｖ２が印加されているときの画素Ｐｘの感度は、対向電極１１に第１電圧Ｖ１が印加された状態と比較して高い状態にある。

不純物領域１１１への信号電荷の蓄積の継続に伴って不純物領域１１１の電位が徐々に上昇する点は、対向電極１１に第１電圧Ｖ１を印加した場合と同様である。したがって、光電変換層１３にかかる実効的なバイアス電圧は、第２電圧Ｖ２の実際の値よりも小さく、図１１に示すように、例えば１１Ｖ程度になり得る。

図１２は、対向電極１１に第１電圧Ｖ１が印加されているとき、および、対向電極１１に第２電圧Ｖ２が印加されているときの、光電変換部１０に入射する光量の変化に対する、出力回路２０からの信号のレベルの変化の典型例を模式的に示す。図１２中のグラフＧ１は、対向電極１１に第１電圧Ｖ１として６Ｖの電圧が印加されているときの出力信号のレベルの変化を示しており、グラフＧ２は、対向電極１１に第２電圧Ｖ２として１２Ｖの電圧が印加されているときの出力信号のレベルの変化を示す。

図１２の例において、第１電圧Ｖ１として６Ｖの電圧が対向電極１１に印加されている状態、および、第２電圧Ｖ２として１２Ｖの相対的に高い電圧が対向電極１１に印加されている状態のいずれにおいても、出力回路２０からの信号のレベルは、光電変換部１０に入射する光量の変化に対して直線状の変化を示している。すなわち、電圧供給回路１５０から第１電圧Ｖ１および第２電圧Ｖ２のいずれを供給した場合であっても、照度の変化に対する信号出力のリニアリティを確保し得ることがわかる。

ただし、図１２に示す例において、対向電極１１に第１電圧Ｖ１が印加されている場合、照度の変化に対する信号出力が直線状の変化を示す範囲は、対向電極１１に第２電圧Ｖ２が印加されている場合と比較して狭い。これは、照度の変化に対する信号出力の変化率が、対向電極１１に第１電圧Ｖ１が印加されているときに、より大きな値をとり得るからである。

図１３は、光電変換層１３の光電変換特性の典型例を示す。図１３中のグラフは、図４に示すグラフと同じである。図１３に示す例では、電位差ΔＶが小さくなるほど、グラフの傾きが大きくなっている。光電変換部１０がこのような光電変換特性を示す場合、例えば電位差ΔＶが６Ｖである点を起点として、信号電荷の蓄積に伴って不純物領域１１１の電位が上昇すると、電位差ΔＶが、グラフがより大きな傾きを示す第１電圧範囲に近づく。その結果、照度の変化に対する信号出力の変化のグラフが直線から外れることがある。すなわち、相対的に低い第１電圧Ｖ１が対向電極１１に印加されている状態において照度がある範囲を超えると、リニアリティが崩れ得る。

これに対し、相対的に高い第２電圧Ｖ２が対向電極１１に印加されている状態では、図１３に示すように、電位差ΔＶの変化に対する光電変換効率ηの変化率は、相対的に小さく、したがって、電位差ΔＶに関してより大きな変化を許容することが可能になる。例えば、同じ大きさのηの変化Δηを与える電位差ΔＶの範囲を３倍程度に拡大し得る。すなわち、相対的に高い第２電圧Ｖ２を対向電極１１に印加した状態では、図１２に示すように、出力信号のレベルが直線的に変化するような光量の範囲が、対向電極１１に第１電圧Ｖ１を印加しているときと比較して３倍程度に拡大され得る。このことを言い換えると、対向電極１１に第２電圧Ｖ２を印加した状態は、対向電極１１に第１電圧Ｖ１を印加しているときと比較して光量にして３倍程度の範囲を許容することが可能になり、より広いダイナミックレンジが求められる明るいシーンの撮影に有利である。

このように、照度が比較的低い環境においては第２電圧範囲にある第１電圧Ｖ１を光電変換部１０に供給し、照度が比較的高い環境においてはより高い第２電圧Ｖ２を光電変換部１０に供給するように制御する。このような制御によれば、照度に変化に応じてダイナミックレンジを動的に変化させることができる。例えば、標準設定では、光電変換部１０に供給する電圧として第２電圧範囲にある第１電圧Ｖ１を用い、照度が比較的高い環境においては、光電変換部１０に供給する電圧として相対的に高い第２電圧Ｖ２を用いることができる。このような制御によれば、照度が比較的高い環境において、バイアス電圧に対する光電変換効率ηの変化率が相対的に小さい電圧領域で光電変換部１０を駆動させることができ、より広い範囲でリニアリティを確保することが可能になる。すなわち、電気的な制御によってダイナミックレンジを自動的に拡大させることが可能になる。また、電圧供給回路１５０から光電変換部１０に供給する電圧として相対的に低い第１電圧Ｖ１を用いるような動作を標準の設定として採用することにより、低消費電力の利点が得られる。

図１４に例示するように、互いに隣接する２つの画素電極１２の間に第３電極１５を配置してもよい。以下に説明するように、第３電極１５の電位を制御することにより、照度の高い方向に関するダイナミックレンジをさらに拡大させることが可能である。

図１４では、複数の画素Ｐｘの例えば行または列に沿って互いに隣接する２つの画素Ｐｘ１およびＰｘ２が示されている。また図１４では、第３電極１５が、画素Ｐｘ１の画素電極１２と画素Ｐｘ２の画素電極１２との間であって、かつこれらの画素電極１２と同層に配置されている。第３電極１５は、画素Ｐｘ１の画素電極１２および画素Ｐｘ２の画素電極１２から空間的に分離されることにより、これらの画素電極１２から電気的に分離されている。第３電極１５は、不図示の電源に接続されることによって撮像装置１００Ａの動作時に所定の電圧を印加可能に構成される。

図１５は、対向電極１１側から見たときの、画素電極１２と第３電極１５との配置関係の一例を示す。この例では、画素Ｐｘ１および画素Ｐｘのそれぞれに、画素電極１２を取り囲む矩形状の第３電極１５が設けられている。なお、第３電極１５を画素Ｐｘごとに分離して配置することは必須ではない。例えば複数の画素Ｐｘの行ごとに、複数の画素Ｐｘに跨る単一の第３電極１５が設けられることもあり得る。また、複数の画素Ｐｘにわたってグリッド状の第３電極１５が配置されることもあり得る。

対向電極１１よりも低い電位が与えられたとき、画素電極１２は、図１５に網掛けで模式的に示すように、光電変換層１３のうちおおよそ画素電極１２の直上に位置する領域Ｒ１にある正の電荷を収集する。同様に、第３電極１５は、対向電極１１よりも低い電位が与えられることにより、光電変換層１３のうちおおよそ第３電極１５の直上に位置する領域Ｒ２にある正の電荷を収集することができる。

したがって、照度が高いときに、第３電極１５に例えばリセット電圧Ｖ_ＲＳＴ以下の電圧を印加して光電変換層１３のうち対向電極１１と第３電極１５との間に位置する部分に上述のΔＶ以上の電位差を印加することにより、図１６に模式的に示すように、画素Ｐｘの境界付近で生じた電荷を第３電極１５によって優先的に収集することが可能になる。その結果、画素電極１２に到達する電荷数が減少することととなり、実効的な光電変換効率を低下させることができる。すなわち、照度の高い方向に関するダイナミックレンジをさらに拡大させることが可能である。また、各画素Ｐｘ上にカラーフィルタを配置した構成においては、混色抑制の効果も得られる。第３電極１５に印加される電圧は、電圧供給回路１５０から供給されてもよい。

既に説明したように、信号電荷として正孔を利用する構成においては、露光に伴い、電荷蓄積部としての不純物領域１１１に蓄積される正孔が増加するので、不純物領域１１１の電位は次第に上昇する。露光に伴って不純物領域１１１の電位が次第に上昇するので、第２電圧Ｖ２の印加時においても、光電変換層１３にかかる実効的なバイアス電圧は、第２電圧Ｖ２の値よりも小さくなる。光電変換部１０に第１電圧Ｖ１が印加される低照度のときと同様に、この場合も、不純物領域１１１の電位は、基本的に第２電圧Ｖ２を上回ることはない。すなわち、対向電極１１と画素電極１２との間の電位差ΔＶを比較的大きな値としながらも、不純物領域１１１に印加される電場の増大を抑えることができる。したがって、不純物領域１１１とその外側の領域との間に形成されるＰＮ接合、信号検出トランジスタ２２のゲート絶縁層２２ｇなどに極端に高い耐圧が要求されず、信頼性を確保しやすい。

（出力回路の例）
図１７および図１８は、信号電荷の蓄積に伴うノードＦＤの電位の変化と、電源電圧との間の関係を模式的に示す。図１７は、リセット時における、リセットトランジスタ２６のドレイン側およびソース側のノードの電位を模式的に示す。図１７に示すように、光電変換部１０のリセット時、リセットトランジスタ２６がオンとされることにより、リセットトランジスタ２６のドレインおよびソースの一方の側であるノードＦＤの電位は、他方の側であるリセット電圧線３６の電位Ｖ_ＲＳＴに一致する。

図１８は、リセットトランジスタ２６のオフ後、信号電荷が蓄積された状態におけるノードＦＤの電位を模式的に示す。図１８に示すように、信号電荷の蓄積後のノードＦＤの電位は、Ｖ_ＲＳＴから、蓄積された信号電荷Ｃｇの量に応じた電圧Ｖ_ＳＩＧ分上昇する。ここで、照度が比較的高い環境において、特に、第２電圧範囲にある比較的高い第２電圧Ｖ２を光電変換部１０に供給している場合、信号電荷Ｃｇとしての正孔の蓄積に伴って、ノードＦＤの電位が電源電圧ＶＤＤを上回ることが起こり得る。

図１９は、画素Ｐｘに含まれる出力回路の変形例を示す。簡単のために、ここでは、複数の画素Ｐｘのうち第ｉ行第ｊ列に位置する画素を取り出して示している。

図１９に例示する構成において、画素Ｐｘは、光電変換部１０に接続された出力回路２０Ａを有する。出力回路２０Ａは、信号検出トランジスタ２２、アドレストランジスタ２４およびリセットトランジスタ２６に加えて、リセットトランジスタ２６のドレインおよびソースのうち光電変換部１０の画素電極１２に接続されていない側に一方の電極が接続された第１容量素子２４１をさらに有する。

図示するように、第１容量素子２４１の電極のうち、リセットトランジスタ２６に接続されていない側の電極には、蓄積制御線２５１が接続されている。蓄積制御線２５１は、不図示の電圧供給回路などに接続されることにより、動作時、第１容量素子２４１に所定の電圧を印加する。なお、この例では、出力回路２０Ａは、リセットトランジスタ２６に並列に接続された第２容量素子２４２をも含む。第１容量素子２４１は、典型的には、第２容量素子２４２よりも大きな容量値を有する。

上述したように、高照度の環境では、信号電荷Ｃｇの蓄積に伴い、ノードＦＤの電位が電源電圧ＶＤＤを上回ることが起こり得る。ノードＦＤの電位が電源電圧ＶＤＤを上回ると、ソースフォロワによる信号の読み出しを実行できない。しかしながら、図１９に例示する出力回路２０Ａによれば、対向電極１１に対して例えば第２電圧範囲にある比較的高い第２電圧Ｖ２が印加されているモードにおいて露光後の信号読み出し時にリセットトランジスタ２６をオンとすることができる。露光後の信号読み出し時にリセットトランジスタ２６をオンとすることにより、第１容量素子２４１がリセットトランジスタ２６を介してノードＦＤに接続される。第１容量素子２４１がリセットトランジスタ２６を介してノードＦＤに接続されることにより、図２０に模式的に示すように、ノードＦＤの電位をＶＤＤ未満のレベルに低下させることができる。したがって、電源電圧ＶＤＤに昇圧を施すことなく、光電変換によって生成された電荷の蓄積によって変化した画素電極１２の電位に応じた信号を読み出すことが可能になる。ここで、図１９、図２０中、リセットトランジスタ２６のドレインおよびソースのうち光電変換部１０に接続されていない側のノードをノードＲＤと呼んでいる。

このように、比較的大きな容量値を有する容量素子をスイッチング素子としてのリセットトランジスタ２６を介してノードＦＤに接続しておき、例えば対向電極１１と画素電極１２との間の電位差を拡大させたモードにおいて、蓄積された信号電荷に応じた信号の読み出し時にリセットトランジスタ２６をオンとする制御を適用してもよい。このような制御によれば、蓄積された信号電荷に応じた信号の読み出し時に選択的にノードＦＤの電位を一時的に低下させることができ、より高い電源電圧を用いることなく高照度の環境においても信号の読み出しを実行し得る。なお、リセットトランジスタ２６をオンすることによるノードＦＤの電位の一時的な低下は、対向電極１１と画素電極１２との間の電位差を拡大させたモードにおいて信号の読み出し時に常に実行されてもよいし、ノードＦＤの電位が電源電圧ＶＤＤを上回った場合に選択的に実行されてもよい。あるいは、まずリセットトランジスタ２６がオフの状態で信号を読み出し、次にリセットトランジスタ２６をオンとして信号を読み出すような制御も適用し得る。この場合、２回の信号読み出しに対応して２つのデータが得られるので、画像の構築に一方のデータを選択的に用いてもよく、２つのデータを合成して用いてもよい。

なお、図１９に示す例では、複数の画素Ｐｘの列ごとに反転増幅器２２４が配置されている。反転増幅器２２４の反転入力端子は、出力信号線Ｓ_ｊに接続され、非反転入力端子には、動作時、所定の参照電圧Ｖｒｅｆが印加される。図示するように、ここでは、反転増幅器２２４の出力端子にリセット電圧線３６が接続されている。

また、出力回路２０Ａは、リセットトランジスタ２６とリセット電圧線３６との間に接続された帯域制御トランジスタ２８をさらに含んでいる。帯域制御トランジスタ２８のゲートには、帯域制御信号線４８が接続される。帯域制御信号線４８は、例えば行走査回路１２０に接続されることにより、その電位が制御される。

このような回路構成によれば、リセットトランジスタ２６をゲイン切替え用のトランジスタとして機能させるだけでなく、リセット信号線４６および帯域制御信号線４８の電位の制御によって、信号検出トランジスタ２２の出力信号の一部または全部を電気的に帰還させるフィードバックループを形成することが可能である。フィードバックループの形成により、リセットトランジスタ２６および帯域制御トランジスタ２８のオフに伴って発生するｋＴＣノイズの影響を低減することが可能である。帰還を利用したこのようなノイズキャンセルの詳細は、特開２０１７－０４６３３３号公報に説明されている。参考のために、特開２０１７－０４６３３３号公報の開示内容の全てを本明細書に援用する。

図２１は、画素Ｐｘに含まれる出力回路の第２の変形例を示す。図１９を参照して説明した構成と比較して、図２１に示す出力回路２０Ｂは、信号検出トランジスタ２２ａおよびアドレストランジスタ２４ａの組をさらに含む。図示するように、信号検出トランジスタ２２ａおよびアドレストランジスタ２４ａの組は、信号検出トランジスタ２２およびアドレストランジスタ２４の組に並列に接続されている。すなわち、信号検出トランジスタ２２ａのゲートは、ノードＦＤに接続され、アドレストランジスタ２４ａのソースは、出力信号線Ｓ_ｊに接続されている。

信号検出トランジスタ２２のゲートおよび信号検出トランジスタ２２ａのゲートは、いずれもノードＦＤに接続されている。これに対し、信号検出トランジスタ２２のドレインおよび信号検出トランジスタ２２ａのドレインは、例えばそれぞれが別個の電圧線に接続されることにより、撮像装置１００Ａの動作時に互いに異なる電圧を印加可能とされている。この例では、撮像装置１００Ａの動作時、信号検出トランジスタ２２のドレインには、第３電圧としてのＶＤＤが印加され、信号検出トランジスタ２２ａのドレインには、ＶＤＤよりも高い第４電圧ＶＤＤ２が印加される。

図示する例において、アドレストランジスタ２４ａのゲートには、行信号線Ｒａ_ｉが接続されている。行信号線Ｒａ_ｉは、例えば行信号線Ｒ_ｉと同様に行走査回路１２０に接続され、したがって、行走査回路１２０は、行信号線Ｒａ_ｉの電位の制御によりアドレストランジスタ２４ａのオンおよびオフを切り替え、ノードＦＤに蓄積された電荷量に対応する電位を信号検出トランジスタ２２ａおよびアドレストランジスタ２４ａを介して出力信号線Ｓ_ｊに読み出すことができる。

図２１に例示する出力回路２０Ｂによれば、より高い第４電圧ＶＤＤ２の印加される信号検出トランジスタ２２ａをソースフォロワとして利用することが可能である。例えば、制御回路１６０は、ノードＦＤの電位が電源電圧ＶＤＤを上回るような場合、信号の読み出し時に、アドレストランジスタ２４をオフとし、アドレストランジスタ２４ａをオンとするように行走査回路１２０を駆動させることができる。

このように、ノードＦＤの電位に応じて、ソースフォロワ電源の大きさが互いに異なる２つのソースフォロワのいずれを介して信号の読み出しを行うかを切り替えてもよい。このような回路構成によっても、ノードＦＤの電位が電源電圧ＶＤＤを上回る場合でも信号の読み出しが可能になる。なお、ドレインに印加する電圧を互いに異ならせることに代えて、信号検出トランジスタ２２および信号検出トランジスタ２２ａとして、閾値電圧が互いに異なるトランジスタを用いてもよい。この場合、ドレインに印加する電圧を共通としながら、複数のソースフォロワを設けた場合と同様の上述の効果が得られる。また、複数のソースフォロワを設けることに代えて、信号検出トランジスタ２２のドレインに印加する電圧をノードＦＤの電位に応じて第３電圧と第４電圧との間で切り替えるようにしてもよい。

図２２は、画素Ｐｘに含まれる出力回路の第３の変形例を示す。図２２に示す出力回路２０Ｃは、一方の電極がノードＦＤに接続された第３容量素子２４３を有する。第３容量素子２４３の他方の電極には、例えば不図示の電圧供給回路が接続され、ノードＦＤに蓄積された電荷量に応じた信号の読み出し時、第３容量素子２４３の他方の電極に例えばパルス電圧Ｃｐが印加される。

パルス電圧Ｃｐの印加により、第３容量素子２４３を介したカップリングによってノードＦＤの電位を一時的に低下させることができる。そのため、ノードＦＤに蓄積された電荷量を保持したまま、信号の読み出し時に選択的にノードＦＤの電位を低下させてノードＦＤの電位をＶＤＤ未満のレベルとすることができる。つまり、ノードＦＤの電位が電源電圧を上回るような場合であっても、電源電圧に昇圧を施すことなく信号検出トランジスタ２２を介した信号の読み出しが可能になる。

図２３は、画素Ｐｘに含まれる出力回路の第４の変形例を示す。図２３に示す出力回路２０Ｄは、光電変換部１０と信号検出トランジスタ２２のゲートとの間に接続された減衰器２２５を有する。

図２４は、図２３に示す減衰器２２５の具体例を示す。図２４に例示する構成において、減衰器２２５は、容量素子２２８と、容量素子２２８に並列に接続されたスイッチング素子としてのゲイン制御トランジスタ２２６とを有する。

動作時、ゲイン制御トランジスタ２２６のゲートには、例えば行走査回路１２０からゲイン制御信号Ｇｃが印加される。例えば、制御回路１６０は、ノードＦＤの電位が電源電圧ＶＤＤを上回るような場合、信号の読み出し時に、ゲイン制御トランジスタ２２６をオフとするように行走査回路１２０を駆動させることができる。ゲイン制御トランジスタ２２６がオフとされることにより、ノードＦＤに容量素子２２８が接続され、ノードＦＤ全体の容量値を増大させることができる。すなわち、減衰器２２５は、信号検出トランジスタ２２のゲートに印加される電圧を所定の割合で減衰させることができ、したがって、電源電圧に昇圧を施すことなく信号検出トランジスタ２２を介した信号の読み出しが可能である。本明細書において、「減衰器」の用語は、スイッチング素子および平滑化のための容量素子の組み合わせによって実現される回路要素に限定されず、レベルシフタ、ゲインアンプなどをも広く含むように解釈される。

（第１電圧範囲の電圧の利用）
上述の図１２には、グラフＧ１およびＧ２とあわせて、対向電極１１に２Ｖの電圧が印加されているときの、光量の変化に対する出力信号のレベルの変化を示すグラフＧ０も破線で示されている。図１２から、第１電圧範囲から選ばれた電圧を対向電極１１に印加しているとき、光量が比較的少ない領域では、光量の変化に対して信号のレベルは直線状の変化を示し、リニアリティを確保できることがわかる。光量がさらに増大すると、光量の増大に対する信号のレベルの増大の程度が鈍り、光量の変化に対する信号のレベルの変化を示すグラフは、曲線状の変化を示すようになる。このことは、第１電圧範囲から選ばれた電圧を対向電極１１に印加している状態においては、光量の増大に応じて信号のレベルが自動的に低下することを意味する。換言すれば、照度の高い方向に関するダイナミックレンジが拡大される。このことを利用して、以下に説明するように、光量の増大に応じて信号のレベルが直線状に変化する場合と比較して、照度の高い方向に関するダイナミックレンジを拡大することも可能である。

グラフＧ０を参照すると、より照度の高い領域では、光量の変化に対する信号のレベルの変化を示すグラフの、直線からのはずれが拡大する。これは、電位差ΔＶが小さいほど、光電変換によって生成される電荷対の減少、再結合による電荷対の消滅の増大などの影響が現れやすくなるためである。

しかしながら、図１２に示すような特性曲線を予め得ておくことにより、検出回路１３０Ａによって検出される信号のレベルに適当な補正を施すことが可能になる。例えば、光量に応じた補正係数を例えばテーブルの形で予めメモリ１６２に格納しておき、補正係数を乗じた形で各画素Ｐｘの画素値を決定してもよい。このような補正により、リニアリティを補償して、照度の高い方向に関するダイナミックレンジをさらに拡大することが可能になる。例えば、光量の増大に応じて信号のレベルが直線状に変化する場合と比較して、照度の高い方向に関するダイナミックレンジを３倍程度に拡大し得る。例えば、照度が比較的高い環境においては第１電圧範囲にある第１電圧Ｖ１を光電変換部１０に供給し、照度が比較的低い環境においては第２電圧範囲にある第２電圧Ｖ２を光電変換部１０に供給するような制御を実行してもよい。

検出された信号のレベルに対する補正は、画像処理回路１６４によって実行され得る。画像処理回路１６４の機能は、上述の制御回路１６０と同様に、汎用の処理回路とソフトウェアとの組み合わせ、および、画像処理に特化したハードウェアのいずれによって実現されてもよい。検出された信号のレベルに対する補正が制御回路１６０によって実行されてもよい。

照度が比較的高い環境においては第１電圧範囲にある第１電圧Ｖ１を光電変換部１０に供給し、照度が比較的低い環境においては第２電圧範囲にある第２電圧Ｖ２を光電変換部１０に供給するような制御によれば、照度に変化に応じて感度を動的に変化させることができる。例えば、標準設定では、光電変換部１０に供給する電圧として第２電圧範囲にある第２電圧Ｖ２を用い、照度が比較的高い環境においては、光電変換部１０に供給する電圧として第１電圧範囲にある第１電圧Ｖ１を用いることにより、感度を自動的に低下させることが可能になる。さらに、照度が比較的高く、第１電圧範囲にある第１電圧Ｖ１が光電変換部１０に供給されている状態において、照度がさらに増大すると、不純物領域１１１への正孔の蓄積に伴い、電位差ΔＶが縮小する。その結果、光電変換効率ηが、より低下する方向に変化するので、照度の高い方向に関するダイナミックレンジをより拡大し得る。

このように、第１電圧Ｖ１として、第１電圧範囲にある電圧を用いることにより、電気的な制御によっていわばＮＤフィルタ機能を実現することが可能になる。したがって、従来、複数のＮＤフィルタから適切な１つを選択して使用することが必要であった撮影シーンにおいても予め複数のＮＤフィルタを用意しておく必要が無くなり、撮影機材の簡易化の効果が得られる。例えば、従来のシリコンイメージセンサでは不可能であった感度の連続的な変更、すなわち、無段階制御も可能となり、シーンに応じた撮影の自由度を広げることができる。

（変形例）
図２５は、第１の実施形態の変形例による撮像装置の例示的な回路構成を示す。図１を参照して説明した撮像装置１００Ａの構成と比較して、図２５に示す撮像装置１００Ｂは、検出回路１３０Ａに代えて検出回路１３０Ｂを有する。検出回路１３０Ｂは、比較器１３４を有しない。

検出回路１３０Ｂは、例えば、アナログ－デジタル変換回路を含み、検出された出力信号線Ｓ_ｊの電圧の大きさを表現するデジタル値のデータを制御回路１６０に出力する。制御回路１６０は、検出回路１３０Ｂからの入力に基づき、各画素Ｐｘの出力回路２０から出力された信号のレベルが所定のレベル以上であるか否かの判定を実行する。判定の基準となる閾値は、例えばメモリ１６２に予め格納され得る。制御回路１６０は、例えば、検出回路１３０Ｂから受け取ったデジタル値が、メモリ１６２に保持されている閾値よりも低い場合には、光電変換部１０に入射する光量が所定の光量よりも小さいと判定し、相対的に低い第１電圧Ｖ１が電圧線１５２に印加されるように電圧供給回路１５０を駆動させる。このような構成によれば、検出回路内に比較器１３４を配置した場合と比較して、半導体基板１１０において検出回路１３０Ｂの占める面積を縮小することが可能である。なお、光電変換部１０に入射する光量が所定の光量以上であるか否かの判定は、画像処理回路１６４によって実行されてもよい。

上述の各例では、光電変換部１０の対向電極１１に印加する電圧を、照度に応じて第１電圧Ｖ１と第２電圧Ｖ２との間で切り替えている。しかしながら、印加電圧の切り替えの対象は、対向電極１１に限定されず、以下に説明するように、画素電極１２に対して印加する電圧を２つの電圧の間で切り替えてもよい。

図２６は、第１の実施形態の他の変形例による撮像装置の例示的な回路構成を示す。図２６に示す撮像装置１００Ｃの回路構成と、図２を参照して説明した撮像装置１００Ａの回路構成との間の主な相違点は、撮像装置１００Ｃでは、第１電圧Ｖ１および第２電圧Ｖ２を供給する電圧供給回路１５０がリセット電圧線３６に接続されている点である。すなわち、この例では、リセット電圧Ｖ_ＲＳＴとして少なくとも２つの互いに異なる電圧がリセット電圧線３６に選択的に供給される。なお、図２６に例示する構成において、電圧線１５２には、第２の電圧供給回路１５４が接続されている。第２の電圧供給回路１５４は、基本的に、露光時、一定の電圧を電圧線１５２に供給する。なお、電圧供給回路１５４は、電圧供給回路１５０とは独立した別個の部品であってもよいし、電圧供給回路１５０および１５４のそれぞれが、単一の電圧供給回路の一部であってもよい。

図２６において不図示の制御回路１６０は、例えば、画像を取得しようとするフレームの開始前に、検出回路１３０Ａによって検出された出力信号のレベルに基づき、光電変換部１０に対する照度が所定の照度以上であるか否かの判定を実行する。光電変換部１０に対する照度が例えば所定の照度未満である場合、制御回路１６０は、例えば、第１電圧Ｖ１および第２電圧Ｖ２のうち相対的に高い第２電圧Ｖ２をリセット電圧Ｖ_ＲＳＴとしてリセット電圧線３６に印加されるように電圧供給回路１５０を駆動する。各画素Ｐｘは、第２電圧Ｖ２に基づき、光電変換部１０のリセット、換言すれば、画素電極１２および電荷蓄積部としての不純物領域１１１の電位のリセットを実行する。

ここでは、電圧供給回路１５０は、第２電圧Ｖ２として例えば６Ｖの電圧をリセット電圧線３６に供給する。したがって、リセットの実行後の各画素Ｐｘの画素電極１２の電位は、６Ｖである。このとき、電圧供給回路１５４は、電圧線１５２を介して各画素Ｐｘの対向電極１１に例えば１２Ｖの電圧を印加する。すなわち、このときの対向電極１１と画素電極１２との間の電位差ΔＶは、６Ｖである。

他方、光電変換部１０に対する照度が所定の照度以上である場合、つまり、高照度の環境では、電圧供給回路１５０から、相対的に低い第１電圧Ｖ１がリセット電圧線３６に供給される。例えば、第１電圧Ｖ１として例えば１Ｖの電圧を用いた場合、リセット電圧線３６に第２電圧Ｖ２が印加されていた状態と比較して、対向電極１１と画素電極１２との間の電位差ΔＶが１１Ｖに拡大する。すなわち、より高い感度のもとでの撮影が可能になる。この例では、第１電圧Ｖ１として第１電圧範囲の電圧を用い、第２電圧Ｖ２として第２電圧範囲の電圧を用いている。第１電圧Ｖ１および第２電圧Ｖ２の両方に第２電圧範囲の電圧を用いてもよい。ただし、第１電圧Ｖ１および第２電圧Ｖ２として第２電圧範囲の電圧を用いることは、必須ではない。

なお、ここでは、光電変換部１０に対する照度が所定の照度未満である場合に第２電圧Ｖ２がリセット電圧線３６に印加され、照度が所定の照度以上である場合に相対的に低い第１電圧Ｖ１がリセット電圧線３６に印加される例を説明したが、照度に対する印加電圧の関係は、この例に限定されない。光電変換部１０に対する照度が所定の照度未満である場合に第１電圧Ｖ１がリセット電圧線３６に印加され、照度が所定の照度以上である場合に相対的に高い第２電圧Ｖ２がリセット電圧線３６に印加されるように電圧供給回路１５０を駆動してもよい。このとき、第１電圧Ｖ１よりも低い電圧が対向電極１１に供給されてもよい。

（第２の実施形態）
図２７は、本開示の第２の実施形態によるカメラシステムの例示的な構成を概略的に示す。図２７に示すカメラシステム２００Ｄは、概略的には、撮像装置１００Ｄと、電圧供給回路１５０Ｄとを含む。

図１に示す撮像装置１００Ａと比較して、図２７に示す撮像装置１００Ｄは、各々が光電変換部１０および出力回路２０を有する複数の画素Ｐｘと、各画素Ｐｘの出力回路２０に電気的に接続された検出回路１３０Ａとを含む点で共通する。図２７に例示する構成において、出力回路２０および検出回路１３０Ａは、ともに半導体基板１１０に形成されている。光電変換部１０、出力回路２０および検出回路１３０Ａは、これらが一体とされたパッケージの形で提供され得る。

図２７に例示する構成において、電圧供給回路１５０Ｄは、例えば光電変換部１０、出力回路２０および検出回路１３０Ａを含むパッケージとは別個の要素として、例えばチップまたはパッケージの形でカメラシステム２００Ｄ内に配置される。例えば、電圧供給回路１５０Ｄは、画素Ｐｘが配置される半導体基板１１０とは異なる基板上に形成され得る。ただし、電圧供給回路１５０Ｄが各画素Ｐｘの対向電極１１および画素電極１２の一方に電気的に接続されている点は、第１の実施形態と同様である。

カメラシステム２００Ｄにおける動作は、第１の実施形態と同様であり得る。例えば、検出回路１３０Ａは、各画素Ｐｘの出力回路２０から出力される信号のレベルを検出する。電圧供給回路１５０Ｄは、制御回路１６０からの駆動信号に基づき、検出回路１３０Ａによって検出された出力信号のレベルが所定の電圧レベルよりも低い場合には、電圧線１５２に第１電圧Ｖ１を印加する。検出回路１３０Ａによって検出された出力信号のレベルが所定の電圧レベル以上である場合には、電圧線１５２に、第１電圧Ｖ１よりも高い第２電圧Ｖ２を印加する。

このように、複数の画素Ｐｘが形成された半導体基板１１０、行走査回路１２０、検出回路１３０Ａ、電圧供給回路１５０Ｄおよび制御回路１６０の全てが、例えばチップまたはパッケージの形で一体とされることは、必須ではない。これらの要素の一部が他のパッケージまたは基板に配置されていてもよく、そのようなカメラシステムの構成によっても、第１の実施形態による撮像装置と同様の機能を発揮させることができる。

図２８は、本開示の第２の実施形態によるカメラシステムの他の例示的な構成を概略的に示す。図２７に示すカメラシステム２００Ｄと、図２８に示すカメラシステム２００Ｅとの間の主な相違点は、カメラシステム２００Ｅが、撮像装置１００Ｄに代えて撮像装置１００Ｅを有する点である。撮像装置１００Ｄと比較して、撮像装置１００Ｅは、検出回路１３０Ａに代えて検出回路１３０Ｂを有し、この例では、検出回路１３０Ｂの出力が画像処理回路１６４に入力されている。

図２８に例示する構成において、画像処理回路１６４は、検出回路１３０Ｂの出力信号を受けて、検出回路１３０Ｂからの出力信号に基づき、所定の閾値との比較を実行する。すなわち、画像処理回路１６４は、検出回路１３０Ｂからの入力と、例えばメモリ１６２に格納された閾値との比較を行うことにより、光電変換部１０に入射する光量が所定の光量以上であるか否かの判定を実行する。判定結果を示すデータは、例えば電圧供給回路１５０Ｄに渡される。

各画素Ｐｘの出力回路２０から出力された信号のレベルが所定のレベルよりも低い、換言すれば、光電変換部１０に入射する光量が所定の光量よりも小さい、と判定された場合、電圧供給回路１５０Ｄは、相対的に低い第１電圧Ｖ１を電圧線１５２に供給する。光電変換部１０に入射する光量が所定の光量以上であると判定された場合には、電圧供給回路１５０Ｄは、第２電圧Ｖ２を電圧線１５２に供給する。

図２８に例示するような構成によれば、電圧供給回路１５０Ｄおよび画像処理回路１６４が、撮像装置１００Ｅとは別個の要素、例えば、別チップまたは別パッケージの形でカメラシステム２００Ｅ内に配置されるので、使用する電圧レベルおよび／または電圧の入力タイミングの設計の自由度が向上し、より柔軟な制御が可能になる。したがって、より高い電圧の使用またはチップサイズの増大を回避し得るという利点が得られる。

図２９は、本開示の第２の実施形態によるカメラシステムのさらに他の例示的な構成を概略的に示す。図２９に示すカメラシステム２００Ｆは、概略的には、撮像装置１００Ｆと、光量検出装置１３０Ｆとを含む。

撮像装置１００Ｆは、各々が光電変換部１０および出力回路２０を有する複数の画素Ｐｘと、各画素Ｐｘの光電変換部１０に電気的に接続された電圧供給回路１５０とを含む点で図１に示す撮像装置１００Ａと共通する。撮像装置１００Ｆは、出力回路２０に電気的に接続された検出回路１３０Ｂをさらに含む。検出回路１３０Ｂは、各画素Ｐｘの出力回路２０から出力される信号のレベルを検出する点で上述の検出回路１３０Ａと共通するものの、ここでは、検出回路１３０Ｂは、検出された信号のレベルと、所定の閾値との比較を実行する機能を有しておらず、主に、雑音抑圧信号処理、アナログ－デジタル変換などの機能を担う。なお、この例では、電圧供給回路１５０は、図１に例示する構成と同様に、対向電極１１との接続を有する電圧線１５２に接続され、第１電圧Ｖ１および第２電圧Ｖ２を選択的に対向電極１１に供給可能に構成されている。

光量検出装置１３０Ｆは、例えば単一のチップまたはパッケージの形で提供される撮像装置１００Ｆとは別個の要素としてカメラシステム２００Ｆ内に配置される。光量検出装置１３０Ｆは、例えばフォトダイオードＰＤをその一部に含み、複数の画素Ｐｘから形成される撮像領域に入射する光量を検出する。光量検出装置１３０Ｆは、例えば、フォトダイオードなどの光電変換要素と、照度センサＩＣとを含む公知の照度センサモジュールであり得る。

図２９に例示する構成において、制御回路１６０は、例えば、光量検出装置１３０Ｆからの出力に基づき、撮像領域に配置された光電変換部１０に入射する光量が所定の光量以上であるか否かを判定する。制御回路１６０は、さらに、第１の実施形態と同様に、光電変換部１０に入射する光量が所定の光量以上であるか否かの判定結果に応じて、電圧供給回路１５０から電圧線１５２に第１電圧Ｖ１を供給させるか、あるいは、第２電圧Ｖ２を供給させるかを決定する。電圧供給回路１５０は、制御回路１６０からの駆動信号に基づき、例えば、光電変換部１０に入射する光量が所定の光量よりも小さい場合には、電圧線１５２に第１電圧Ｖ１を印加する。光電変換部１０に入射する光量が所定の光量以上である場合には、電圧線１５２に、第１電圧Ｖ１よりも高い第２電圧Ｖ２を印加する。

図３０は、光量検出装置の変形例を示す。図２９を参照して説明した例と比較して、図３０に示すカメラシステム２００Ｇは、フォトダイオードＰＤに代えて光量検出回路１３８を含む光量検出装置１３０Ｇを有する。

図３０に例示する構成において、光量検出回路１３８は、参照線１３２の電圧レベルに対する、出力信号線Ｓ_ｊの電圧レベルの比較結果を出力する比較器１３４を含む。すなわち、この例では、光量検出回路１３８は、出力回路２０からの出力信号のレベルを検出し、参照線１３２の電圧レベルとの比較を行う。比較結果は、制御回路１６０に返され、制御回路１６０は、光量検出回路１３８による検出結果に基づき、光電変換部１０に入射する光量が所定の光量以上であるか否かを判定する。

このように、照度センサモジュールなどによる光量の直接的な測定に代えて、画素Ｐｘから出力される信号のレベルの検出を通して、光電変換部１０に入射する光量に関する情報を得てもよい。例えば、撮像領域に配置された複数の画素Ｐｘの一部または全部を照度センサとして機能させてもよい。光量検出装置１３０Ｇによる、画素Ｐｘからの出力信号の取得は、有線の方式でなされてもよいし、無線の方式でなされてもよい。

図３１は、本開示の第２の実施形態によるカメラシステムのさらに他の例示的な構成を概略的に示す。図３１に示すカメラシステム２００Ｈは、概略的には、各々が光電変換部１０および出力回路２０を有する複数の画素Ｐｘを含む撮像装置１００Ｈと、電圧供給回路１５０Ｄと、光量検出装置１３０Ｆとを含む。

この例では、電圧供給回路１５０Ｄおよび光量検出装置１３０Ｆが、撮像装置１００Ｈとは別個の要素として撮像装置１００Ｈの外側に設けられている。制御回路１６０は、図２９を参照して説明した例と同様に、光量検出装置１３０Ｆによって検出された光量に基づき、光電変換部１０に入射する光量が所定の光量以上であるか否かを判定する。制御回路１６０は、判定結果に応じて、第１電圧Ｖ１および第２電圧Ｖ２のいずれかを電圧供給回路１５０Ｄから電圧線１５２に印加させる。

光量検出装置１３０Ｆに代えて、図３０に示す光量検出装置１３０Ｇを適用してもよい。すなわち、各画素Ｐｘの出力回路２０から出力される信号のレベルを得て、出力回路２０からの信号のレベルと、所定の閾値との比較結果に基づき、第１電圧Ｖ１および第２電圧Ｖ２のいずれが電圧供給回路１５０Ｄから出力されるかを決定してもよい。

（電圧切り替えのタイミングと後段における処理）
次に、電圧線１５２に印加する電圧の切り替えのタイミングに応じた補正処理を説明する。以下に説明するように、検出回路１３０Ａ、１３０Ｂによって検出される信号レベルに対して、電圧線１５２に印加する電圧の切り替えのタイミングに応じた補正を適用してもよい。以下では、上述の撮像装置１００Ａを例にとって補正処理の具体例を説明するが、撮像装置１００Ｂ、１００Ｃ、カメラシステム２００Ｄ～２００Ｈに対しても同様の補正処理を適用可能であることは言うまでもない。

図３２は、第１電圧Ｖ１と第２電圧Ｖ２との間の切り替えのタイミングと、電圧の切り替えに伴う、検出回路１３０Ａによって取得される信号のレベルの変化との間の関係を説明するための図である。図３２中、最上段のタイミングチャートは、垂直同期信号ＶＤのパルスの立ち上がりを示し、その下のタイミングチャートは、水平同期信号ＨＤのパルスの立ち上がりを示す。さらにその１つ下のタイミングチャートは、電圧線１５２から対向電極１１に印加される電圧Ｖ_ＩＴＯの変化を示している。

図３２中、２段目に示すタイミングチャートにおいて、あるパルスの立ち上がりから次のパルスの立ち上がりまでの期間が、１つの水平走査期間である１Ｈに対応する。この１Ｈ期間に、複数の画素Ｐｘのうち、ある１つの行に属する画素Ｐｘからの信号の読み出しが実行される。図３２では、水平方向に延びる矩形により、複数の画素Ｐｘの各行における動作を模式的に表現している。図３２中、白色の矩形は、信号電荷の蓄積の期間、すなわち、露光期間を表している。網掛けの矩形は、検出回路１３０Ａによる、出力信号線Ｓ_ｊの電圧レベルの読み出しの期間を表している。簡単のため、ここでは、複数の画素Ｐｘの行数が５行であるとし、第０行から第４行までの動作を模式的に図示している。図３２中、Ｒ０からＲ４が、第０行から第５行にそれぞれ対応する。

図３２中、最下段の両矢印は、フレーム期間を模式的に示している。各フレームの開始のタイミングは、垂直同期信号ＶＤのパルスの立ち上がりのタイミングである。図３２に示す例において、電圧供給回路１５０は、ｊ番目のフレーム期間の途中の時刻ｔｃで、対向電極１１に対して供給する電圧を第２電圧Ｖ２から相対的に低い第１電圧Ｖ１に切り替えている。より詳細には、ｊ番目のフレーム期間のうち、各行の露光期間において、電圧線１５２に印加する電圧を第１電圧Ｖ１に切り替えている。

図３２中、ハッチングの付された矩形は、ｊ番目のフレーム期間に含まれる露光期間のうち、対向電極１１に第１電圧Ｖ１が印加されている期間を模式的に示している。図３２からわかるように、ローリングシャッタの適用時、各行の露光期間中に第１電圧Ｖ１と第２電圧Ｖ２との間の切り替えを実行すると、対向電極１１に第１電圧Ｖ１が印加された状態で信号電荷の蓄積が実行される期間と、対向電極１１に第２電圧Ｖ２が印加された状態で信号電荷の蓄積が実行される期間とが１フレーム期間内に混在し得ることになる。さらに、対向電極１１に第１電圧Ｖ１が印加された状態で信号電荷の蓄積が実行される期間の長さと、対向電極１１に第２電圧Ｖ２が印加された状態で信号電荷の蓄積が実行される期間の長さとの比は、複数の画素Ｐｘの行ごとに異なり得る。

そのため、図３２に示すような動作のもとでは、電圧の切り替えが実行されるフレーム期間以外のフレーム期間には電圧の切り替えの影響が生じないという利点が得られる。しかしその反面、電圧の切り替えが実行されるフレーム期間に取得された画素信号に基づく画像に垂直シェーディングが生じ得る。すなわち、行ごとに明度のバラつきが生じ得る。しかしながら、電圧の切り替えに起因するこのような垂直シェーディングは、以下に説明するような処理によって補正可能である。

画素Ｐｘから出力される信号のレベルは、おおむね、画素Ｐｘにおける感度と、その画素Ｐｘに対する露光期間の長さとの積に比例する。ここで、本開示の典型的な実施形態における光電変換部１０は、図４を参照して説明したように、対向電極１１と画素電極１２との間の電位差ΔＶの変化によって光電変換効率ηが変化するような光電変換特性を有し得る。換言すれば、画素Ｐｘにおける感度は、電圧供給回路１５０から電圧線１５２に供給される電圧に応じて変化する。電位差ΔＶの変化によって各画素Ｐｘの光電変換効率ηがどのように変化するかに関する情報は、実測などによって予め得ておくことができる。したがって、まず、対向電極１１に第１電圧Ｖ１が印加された状態で信号電荷の蓄積が実行される期間の長さＴ１と、その期間における画素Ｐｘの感度Ｓ１との積を算出する。次に、対向電極１１に第２電圧Ｖ２が印加された状態で信号電荷の蓄積が実行される期間の長さＴ２と、その期間における画素Ｐｘの感度Ｓ２との積を算出する。そして、これらの和である（Ｔ１＊Ｓ１＋Ｔ２＊Ｓ２）が各行で均等となるような補正係数を、例えば信号レベルを表現するデジタル値に乗じる。以上により、画像への電圧の切り替えの影響をキャンセルすることが可能である。すなわち、図３２中にハッチングの付された矩形で示す期間が長くなるに従って、より大きなゲインをかければよい。

このような補正の処理は、例えば、上述の画像処理回路１６４または制御回路１６０によって実行され得る。補正係数は、（Ｔ１＊Ｓ１＋Ｔ２＊Ｓ２）の大きさに応じて決定され、予めメモリ１６２などに格納されていてもよい。

図３３は、第１電圧Ｖ１と第２電圧Ｖ２との間の切り替えのタイミングの他の例を示す。図３３中、太い斜線のハッチングが付された矩形は、リセットトランジスタ２６をオンとしてノードＦＤから電荷を排出する、いわゆる電子シャッタのための期間を表現している。図３３は、ｊ番目のフレーム期間の信号電荷蓄積の開始前に行単位で電子シャッタを行った場合の例である。この例では、図３３中に両矢印ｅｘで模式的に示すように、電子シャッタの終了から信号の読み出しの開始までの期間が、ｊ番目のフレーム期間の露光期間に相当する。

図３３に示すように、電子シャッタの走査期間中に第１電圧Ｖ１と第２電圧Ｖ２との間の切り替えを実行した場合も、対向電極１１に第１電圧Ｖ１が印加された状態で信号電荷の蓄積が実行される期間の長さＴ１と、対向電極１１に第２電圧Ｖ２が印加された状態で信号電荷の蓄積が実行される期間の長さＴ２との間の比が複数の画素Ｐｘの行の間で異なり得る。

しかしながら、このような動作を適用した場合も、電位差ΔＶに対する光電変換効率ηの値は、既知であり、かつ、制御回路１６０は、電子シャッタのタイミング、第２電圧Ｖ２から第１電圧Ｖ１に切り替えたタイミングおよび信号の読み出しのタイミングに関する情報を得ることができる。したがって、図３２を参照して説明した例と同様に、（Ｔ１＊Ｓ１＋Ｔ２＊Ｓ２）が各行で均等となるような補正を適用することができ、画像中への垂直シェーディングの発生を回避し得る。

図３４は、第１電圧Ｖ１と第２電圧Ｖ２との間の切り替えのタイミングのさらに他の例を示す。図３４は、図３４中に両矢印ｒｄで模式的に示す、ｊ番目のフレーム期間における信号の読み出しのための行走査の期間の途中に第１電圧Ｖ１と第２電圧Ｖ２との間の切り替えを実行する動作例である。

図３４中、Ｒ４におけるハッチングの付された矩形は、ｊ番目のフレーム期間に含まれる露光期間のうち、対向電極１１に第１電圧Ｖ１が印加されている期間を模式的に示している。また、図３４中、Ｒ０、Ｒ１におけるハッチングの付された矩形は、（ｊ＋１）番目のフレーム期間に含まれる露光期間のうち、対向電極１１に第２電圧Ｖ２が印加されている期間を模式的に示している。図３４を参照すればわかるように、あるフレーム期間における信号の読み出し期間に第１電圧Ｖ１と第２電圧Ｖ２との間の切り替えを実行した場合、電圧の切り替えによる感度変調は、次のフレーム期間の信号電荷の蓄積にも影響を与える。この場合も、（Ｔ１＊Ｓ１＋Ｔ２＊Ｓ２）が各行で均等となるような補正をｊ番目のフレーム期間と、（ｊ＋１）番目のフレーム期間とに適用することにより、画像中への垂直シェーディングの発生を回避し得る。

図３５は、電位差ΔＶの制御によるグローバルシャッタを適用したときの、第１電圧Ｖ１と第２電圧Ｖ２との間の切り替えのタイミングと、電圧の切り替えに伴う、検出回路１３０Ａによって取得される信号のレベルの変化との間の関係を説明するための図である。図３５に示す例では、（ｊ－１）番目のフレーム期間に関する信号の読み出しの終了後から、ｊ番目のフレーム期間に関する信号の読み出しの開始までの期間に、選択的に第２電圧Ｖ２が対向電極１１に印加されている。また、ｊ番目のフレーム期間に関する信号の読み出しの終了後から、（ｊ＋１）番目のフレーム期間に関する信号の読み出しの開始までの期間に、選択的に第１電圧Ｖ１が対向電極１１に印加されている。さらに、（ｊ＋１）番目のフレーム期間に関する信号の読み出しの終了後から、（ｊ＋２）番目のフレーム期間に関する信号の読み出しの開始までの期間に、選択的に第１電圧Ｖ１が対向電極１１に印加されている。その他の期間においては、電位差ΔＶが実質的に０Ｖとなるように、対向電極１１の電位が０Ｖ近傍の正の電位とされる。

図３５は、上述の特許第６２０２５１２号公報に記載されているような、電気的なグローバルシャッタを適用したときの動作例である。図３５中、白色の矩形で表された期間が、信号電荷の実質的な蓄積の期間、すなわち、露光期間に相当する。この例では、（ｊ＋１）番目のフレーム期間中に、第２電圧Ｖ２から第１電圧Ｖ１への切り替えが実行されているといえるが、対向電極１１の電位が０Ｖ近傍の電位とされている期間には実質的に信号電荷の蓄積が生じないので、対向電極１１に印加する電圧の切り替えに起因する垂直シェーディングの発生はない。したがって、上述の補正処理は、不要である。このように、撮像装置の動作モードによっては、補正処理が不要となる。そのため、上述の補正処理があらゆる場合に適用される必要はなく、必要に応じて実行されればよい。第１電圧Ｖ１と第２電圧Ｖ２との間の切り替えに応じた補正処理を実行するか否かを、撮像装置の動作モードまたはユーザの指令などに基づき切り替えられるようにしておいてもよい。

また、十分に高いフレームレートのもとで撮影を実行する場合にも、（Ｔ１＊Ｓ１＋Ｔ２＊Ｓ２）が各行で均等となるような補正を省略し得る。図３６は、第１電圧Ｖ１と第２電圧Ｖ２との間の切り替えのタイミングと、撮像装置１００Ａからの出力との間の関係の一例を説明するための図である。図３６中、電圧Ｖ_ＩＴＯの変化を示すチャートの下側に描かれた矩形は、検出回路１３０Ａによって検出された信号レベルに基づく画像データの有効および無効を模式的に示す。

図３２を参照して説明した例と同様に、図３６に示す例では、ｊ番目のフレーム期間の各行の露光期間中に第１電圧Ｖ１と第２電圧Ｖ２との間の切り替えを実行している。そのため、補正処理を行わない場合には、ｊ番目のフレーム期間に取得された画素信号に基づく画像に、電圧の切り替えに起因する垂直シェーディングが生じ得る。

しかしながら、フレームレートが十分に高い場合には、図３６に模式的に示すように、電圧の切り替えに起因する垂直シェーディングの発生する可能性のあるフレーム期間、つまりこの例ではｊ番目のフレーム期間に取得された画素信号を無効なデータとして破棄したとしても、その影響は小さいといえる。このように、フレームレートが十分に高い場合には、垂直シェーディングの発生する可能性のあるフレーム期間に取得された画素信号を無効なデータとして破棄し、他のフレーム期間に取得された画素信号を有効なデータとして選択的に取得してもよい。本明細書では、垂直シェーディングの発生する可能性のあるフレーム期間に取得された画素信号を無効なデータとして破棄する処理をマスク処理と呼ぶ。このようなマスク処理は、（Ｔ１＊Ｓ１＋Ｔ２＊Ｓ２）が各行で均等となるような補正を実行する回路を実装するための領域の確保が難しい場合にも有効である。

図３７は、信号の読み出しのための行走査の期間の途中に第１電圧Ｖ１と第２電圧Ｖ２との間の切り替えを実行した場合におけるマスク処理の適用例を示す。図３４を参照して説明したように、あるフレーム期間における信号の読み出し期間に第１電圧Ｖ１と第２電圧Ｖ２との間の切り替えを実行した場合、電圧の切り替えによる感度変調は、次のフレーム期間の信号電荷の蓄積にも影響を与える。したがって、ｊ番目の信号の読み出しのための行走査の期間の途中に第１電圧Ｖ１と第２電圧Ｖ２との間の切り替えを実行した場合には、図３７に模式的に示すように、ｊ番目のフレーム期間に取得された画素信号および（ｊ＋１）番目のフレーム期間に取得された画素信号を無効なデータとしてマスク処理の対象としてもよい。

上述のマスク処理は、必要に応じて実行されればよく、マスク処理を実行するか否かを切り替え可能であると有益である。マスク処理は、例えば制御回路１６０に配置されたロジック回路、または、画像処理回路１６４などによって実行され得る。検出回路１３０Ａ中のアナログ－デジタル変換回路などによってデータの選別が実行されてもよい。

（自動露光設定における、検出された露光量の電位差ΔＶへの反映）
上述の電圧供給回路１５０、１５０Ｄ、１５４が対向電極１１または画素電極１２に供給可能な電圧が、第１電圧Ｖ１および第２電圧Ｖ２の二値に制限される必要はない。電圧供給回路１５０、１５０Ｄ、１５４は、三値以上の電圧のいずれかを例えば撮影時の環境に応じて選択的に電圧線１５２に印加可能に構成されていてもよい。例えば、以下に説明するように、電圧供給回路１５０、１５０Ｄまたは１５４が、露光量、換言すれば、光電変換部１０に対する照度に応じて、三値以上の電圧を切り替えて電圧線１５２に印加するように構成されてもよい。

図３８は、本開示の実施形態による撮像装置およびカメラシステムに適用可能な、自動露光設定における処理シーケンスの一例を説明するための図である。図３８に示すグラフは、フレーム期間ごとの露光量の変化の例を示している。

図３８の縦軸に示す露光量は、例えば、以下のようにして算出可能である。図３９に模式的に示すように、複数の画素Ｐｘの光電変換部１０を含む領域を撮像領域Ｒｍとし、撮像領域Ｒｍのうち１以上の画素Ｐｘの光電変換部１０を含む任意の領域を検出領域Ｒｄとする。このとき、図３８の縦軸に示す露光量は、検出領域Ｒｄに位置する画素Ｐｘの出力回路２０からの信号のレベルをフレーム期間ごとに検出することによって算出可能である。例えば、検出領域Ｒｄに位置する画素Ｐｘの出力回路２０からの信号のレベルの平均値を露光量に対応させることができる。検出回路１３０Ａまたは１３０Ｂによって信号レベルを検出することに代えて、光量検出装置１３０Ｆまたは１３０Ｇなどによってフレーム期間ごとの露光量を見積もってもよい。

図４０は、検出された露光量に応じて、電圧供給回路から出力される電圧を変更させる処理の一例を示す。図４０は、フレーム期間ごとの露光量の変化のグラフと、電圧線１５２から対向電極１１に印加される電圧Ｖ_ＩＴＯの変化を示すグラフとをあわせて１つの図に示している。図４０の上段に示すグラフは、図３８に示すグラフと同じである。図４０に示す例では、あるフレーム期間において所定の閾値Ｅｘ１を超える露光量が検出された場合に、電圧供給回路１５０から出力される電圧を、より高い電圧に切り替えている。

図４０に示す例において、例えば３番目のフレーム期間に注目すると、取得された露光量がある値Ｅｘ１を上回っている。そのため、電圧供給回路１５０は、電圧線１５２に供給する電圧を、第１電圧Ｖ１より高い第３電圧Ｖ３に切り替えている。したがって、次の４番目のフレーム期間では、相対的に高い第３電圧Ｖ３が対向電極１１に印加された状態で信号電荷の蓄積が実行される。光電変換部１０が例えば図４に示すような光電変換特性を有する場合には、光電変換部１０に印加される電圧の上昇に伴い、画素Ｐｘの感度が増大する。

なお、この例では、４番目のフレーム期間に取得された露光量がまだ閾値Ｅｘ１を上回っている。したがって、電圧供給回路１５０は、電圧線１５２に供給する電圧をさらに上昇させ、光電変換部１０に第４電圧Ｖ４を印加する。５番目のフレーム期間に取得された露光量がまだ閾値Ｅｘ１を上回る場合には、図４０に示すように、電圧供給回路１５０は、さらに高い第５電圧Ｖ５を電圧線１５２に印加する。この例では６番目のフレーム期間に取得された露光量が閾値Ｅｘ１以下であるので、７番目のフレーム期間では、対向電極１１に印加される電圧は、第５電圧Ｖ５のままである。上述の第２電圧Ｖ２は、第１電圧Ｖ１よりも高い第３電圧Ｖ３～第５電圧Ｖ５のいずれかであり得る。

このように、１つ前のフレーム期間に取得された露光量の多寡が次のフレーム期間における光電変換効率に反映されるように、電圧供給回路１５０から出力される電圧を多段階または連続的に切り替えてもよい。さらに、あるフレーム期間において所定の閾値Ｅｘ２未満の露光量が検出された場合に、電圧供給回路１５０から出力される電圧を、より低い電圧に切り替えているような処理を実行してもよい。

図４１は、電圧供給回路から出力される電圧を検出された露光量に応じて変更させる処理の他の一例を示す。図４０と同様に、図４１においても、フレーム期間ごとの露光量の変化のグラフと、電圧線１５２から対向電極１１に印加される電圧Ｖ_ＩＴＯの変化を示すグラフとがあわせて１つの図に示されている。

図４１に示す例では、あるフレーム期間において所定の閾値Ｅｘ２を下回る露光量が検出された場合に、電圧供給回路１５０から出力される電圧を、より低い電圧に切り替えている。図４１に示す例において、例えば３番目のフレーム期間に取得された露光量は、ある値Ｅｘ２未満である。そのため、電圧供給回路１５０は、電圧線１５２に供給する電圧を、第５電圧Ｖ５から第４電圧Ｖ４に低下させている。４番目のフレーム期間に取得された露光量も閾値Ｅｘ２を下回っているので、電圧供給回路１５０は、電圧線１５２に供給する電圧を、より低い第３電圧Ｖ３に変更する。５番目のフレーム期間に取得された露光量も閾値Ｅｘ２を下回る場合には、電圧供給回路１５０は、さらに低い第１電圧Ｖ１を電圧線１５２に印加する。この例では６番目のフレーム期間に取得された露光量が閾値Ｅｘ２と閾値Ｅｘ１との間にあるので、７番目のフレーム期間では、対向電極１１に第１電圧Ｖ１が印加される。

このように、電圧供給回路１５０から出力される電圧をより低い電圧に切り替えるための判定基準となる別の閾値Ｅｘ２を設けておいてもよい。閾値Ｅｘ２は、閾値Ｅｘ１以下であってもよい。なお、図３８～図４１に示す例では、直前のフレーム期間に取得された露光量と閾値との比較結果に応じて次のフレーム期間に対向電極１１または画素電極１２に印加する電圧を決定しているが、２以上の比較結果に基づいて、対向電極１１または画素電極１２に印加する電圧を決定してもよい。

図４２は、電圧供給回路から出力される電圧を検出された露光量に応じて変更させる処理のさらに他の一例を示す。図４２は、１つ前のフレーム期間に取得された露光量が閾値Ｅｘ１を超えることが２回連続した場合に、電圧供給回路１５０から出力される電圧を、より高い電圧に切り替えている。

例えば３番目のフレーム期間に注目すると、取得された露光量が閾値Ｅｘ１を上回っている。この時点では、電圧供給回路１５０から出力される電圧の切り替えを実行しない。この例では、４番目のフレーム期間に取得された露光量は、閾値Ｅｘ１を上回っていない。そのため、電圧供給回路１５０から出力される電圧は、第１電圧Ｖ１のままとされる。

次に露光量が閾値Ｅｘ１を超えるのは、７番目のフレーム期間である。この時点においても、電圧供給回路１５０から出力される電圧の切り替えを実行しない。この例では、続く８番目～１０番目のフレーム期間に取得された露光量は、いずれも閾値Ｅｘ１を超えている。したがって、８番目のフレーム期間における露光量の取得後、９番目のフレーム期間における露光量の取得後および１０番目のフレーム期間における露光量の取得後に、電圧供給回路１５０から出力される電圧が順次に上昇される。

このように、１つ前のフレーム期間に取得された露光量が閾値を超えるか、または、閾値を下回ることが複数回連続した場合に、電圧供給回路１５０から出力される電圧を、より高い電圧、または、より低い電圧に切り替えてもよい。このような処理によれば、電力消費を抑えながら、例えば、カメラのストロボを焚いたとき、周期的に明滅を繰り返す光源のもとで撮影を行ったときなどに、信号電荷のオーバーフローを生じさせてしまう可能性を低減し得る。

（光電変換部１０に印加する電圧に応じたリニアリティの補正）
図４３は、露光量の増加に対する検出回路１３０Ａの出力の変化の例を模式的に示す。図４３中、実線Ｌ１は、第２電圧範囲にある電圧を対向電極１１に印加している場合に得られる、一定照度のもとでの露光期間の増大、すなわち、露光量の増加に対する検出回路１３０Ａの出力の例示的な変化を示す。破線Ｌ２は、第２電圧範囲内、かつ、より低い電圧を対向電極１１に印加している場合に得られる出力の変化を示している。なお、図４３中、破線Ｌ３は、第１電圧範囲にある電圧を対向電極１１に印加している場合に得られる、露光量の増加に対する検出回路１３０Ａの出力の例示的な変化を示す。

図１２を参照して説明したように、対向電極１１と画素電極１２との間に印加される電位差ΔＶの変化に対する光電変換層１３における光電変換効率ηの変化は、直線状にならないことがある。そのため、対向電極１１または画素電極１２に印加する電圧の大きさによっては、露光期間の増加に対して検出回路１３０Ａの出力が比例的に増加しないことがあり得る。特に、電位差ΔＶが小さいと、このような傾向が現れやすい。図４３に示す例では、対向電極１１または画素電極１２に印加する電圧が比較的に大きい場合に対応する、実線Ｌ１によって示されるグラフは、直線状である。対向電極１１または画素電極１２に印加する電圧が相対的に小さい場合に対応する、破線Ｌ２、Ｌ３によって示されるグラフは、露光量が増加するにつれて直線からの外れが拡大している。

そこで、例えば、検出回路１３０Ａからの出力を補正することにより、露光期間の増加に対する検出回路１３０Ａの出力の直線からのずれを補正してもよい。図４４は、リニアリティ補償処理の概要を模式的に示す。例えば、電圧供給回路１５０から出力可能な電圧値ごとに、検出回路１３０Ａからの出力を適当なデジタル値に変換するためのテーブルを用意してもよい。

この例では、電圧供給回路１５０から出力可能な電圧に対応した３つの補正テーブル１～３がメモリ１６２に保持されている。例えば、制御回路１６０は、検出回路１３０Ａからの例えばアナログ－デジタル変換後の出力を受け取り、電圧供給回路１５０から光電変換部１０に対して印加されている電圧の具体的な値に応じて補正テーブルを適用する。図４４中のセレクタ１６５は、電圧供給回路１５０から光電変換部１０に供給されている電圧の値に応じて、補正テーブル１～３のいずれを適用するか、あるいは、補正テーブルを適用しないかを選択する回路である。補正後の出力は、画像処理回路１６４に渡され、例えばガンマ処理などが施される。

図４５は、補正テーブルの一例を示す。図４５に示す補正テーブルでは、検出回路１３０Ａからの出力であるデジタル値ごとの、リニアリティ補償後のデジタル値が記述されている。例えば検出回路１３０Ａからセンサ出力としてＮが入力されると、制御回路１６０は、Ｘを画像処理回路１６４に出力する。なお、図４３のグラフＬ１のように、電圧供給回路１５０から光電変換部１０に印加する電圧として、リニアリティの補償が不要な電圧が選択されている場合には、検出回路１３０Ａからセンサ出力は、そのまま画像処理回路１６４に渡される。

このようなリニアリティ補償処理の適用により、図４３に示すように、グラフＬ２で示される特性を、図４３中に実線の直線Ａ２で示すように補正し、グラフＬ３で示される特性を、実線の直線Ａ３で示すように補正し得る。リニアリティ補償処理は、画像処理回路１６４によって実行されてもよい。ガンマ補正前の出力に対するテーブルを用意することに代えて、直線からのずれを考慮したγの値を用いてガンマ補正を実行してもよい。あるいは、テーブルによるデジタル値の変換に代えて、検出回路１３０Ａからのセンサ出力に適当な係数を乗じることにより、リニアリティを補償してもよい。

なお、上述したようなリニアリティのずれは、撮像装置ごと、または、カメラシステムごとに異なり得る。図４６は、撮像装置ごと、または、カメラシステムごとのリニアリティのずれの相違を説明するための図である。図４６中、破線Ｍ１は、ある撮像装置に関する、露光量の増加に対する検出回路１３０Ａの出力の例示的な変化を示し、破線Ｍ２は、他のある撮像装置に関する、露光量の増加に対する検出回路１３０Ａの出力の例示的な変化を示す。これらの撮像装置の間で、露光量の増加に対する検出回路１３０Ａの出力が、例えば図４６に直線Ｍ１２で示すように一致していると有益である。

図４７は、撮像装置ごと、または、カメラシステムごとの相違をキャンセルするリニアリティ補償処理の概要を模式的に示す。例えばサンプル１の撮像装置と、サンプル２の撮像装置とがある場合、テスタなどを用いて、サンプル１、２のそれぞれについて図４に示すような光電変換特性に関するデータを予め取得しておく。さらに、取得したデータに基づいてサンプルごとの補正値を算出し、例えばテーブルの形で補正値をメモリ１６２に格納する。図４７は、例えばサンプル１におけるリニアリティ補償処理の概要を示しており、サンプル１の撮像装置のメモリ１６２には、電圧供給回路１５０から出力可能な電圧値ごとに、検出回路１３０Ａからの出力を適当なデジタル値に変換するための補正テーブル１１～１３が書き込まれる。なお、メモリ１６２は、典型的には不揮発性メモリである。

図４８は、サンプル１の撮像装置のメモリ１６２に格納される補正テーブルの一例を示し、図４９は、サンプル２の撮像装置のメモリ１６２に格納される補正テーブルの一例を示す。このような補正テーブルを適用した場合、例えば検出回路１３０Ａからのセンサ出力Ｎに対して、サンプル１の撮像装置の制御回路１６０からはデジタル値Ｘが出力されることに対し、サンプル２の撮像装置の制御回路１６０からはデジタル値Ｙが出力される。このような、撮像装置ごと、または、カメラシステムごとに適応されたリニアリティ補償処理の適用により、図４６の例に示すように、撮像装置ごと、または、カメラシステムごとの個体差による光電変換特性の差異の影響をキャンセルし得る。

上述したように、光電変換特性に関するデータに基づいて算出される補正値は、電圧供給回路１５０から出力可能な電圧値ごとに用意され得る。ただし、予め想定されていた露光時間を超えて露光が実行されたり、電圧供給回路１５０から出力される電圧に、予め想定されていなかった電圧が含まれたりすることもあり得る。

図５０は、メモリ１６２に格納される補正テーブルの他の一例を示し、図５１は、図５０の補正テーブルに記述された出力値のプロットを示す。図５１中、白丸は、電圧供給回路１５０から光電変換部１０に電圧Ｖａが印加されているときに適用される補正値に関するプロットを示し、白い三角は、電圧供給回路１５０から光電変換部１０に電圧Ｖｂが印加されているときに適用される補正値に関するプロットを示す。また、白い矩形は、電圧供給回路１５０から光電変換部１０に電圧Ｖｃが印加されているときに適用される補正値に関するプロットを示す。

例えば図５０の補正テーブルにおいてＰ１３の値が予め得られていなかった場合には、例えば補正値Ｐ１１と補正値Ｐ１２とから、線形補間によってＰ１３の値を算出し得る。また、例えば、予め想定されていなかった電圧を電圧供給回路１５０から電圧線１５２に印加させる場合には、補正テーブルに記述されている離散値から、露光量の増加に対して検出回路１３０Ａの出力の特性を示す直線を算出し得る。図５１に例示するように、直線Ｐｔを表すパラメタを算出しておけば、例えば、ｔ２およびｔ３の間の露光量かつＶｂおよびＶｃの間の電圧が光電変換部１０に印加されているときの補正値を事後的に算出してリニアリティの補償に適用し得る。

図５２は、補間処理を含むリニアリティ補償処理の概要を模式的に示す。図５２に例示するように、制御回路１６０は、このような線形補間を実行する補間処理回路１６６をその一部に含み得る。

本開示の実施形態は、光検出装置、イメージセンサなどに適用可能であり、例えば、本開示の撮像装置またはカメラシステムを、デジタル一眼レフカメラ、デジタルミラーレス一眼カメラなどのデジタルスチルカメラまたはデジタルビデオカメラに用い得る。あるいは、例えば放送用途の業務用カメラ、医療用カメラまたは監視用カメラなどを含む種々のカメラシステムまたはセンサシステムに利用可能である。光電変換層の材料を適切に選択することにより、赤外線を利用した画像の取得も可能である。赤外線を利用した撮像を行う撮像装置は、例えば、セキュリティカメラ、車両に搭載されて使用されるカメラなどに用いることができる。車両搭載用カメラは、例えば、車両が安全に走行するための、制御装置に対する入力として利用され得る。あるいは、車両が安全に走行するための、オペレータの支援に利用され得る。

１０ 光電変換部
１１ 対向電極
１２ 画素電極
１３ 光電変換層
１５ 第３電極
２０、２０Ａ～２０Ｄ 出力回路
２２、２２ａ 信号検出トランジスタ
２４、２４ａ アドレストランジスタ
２６ リセットトランジスタ
２８ 帯域制御トランジスタ
３２ 電源線
３６ リセット電圧線
１００Ａ～１００Ｆ、１００Ｈ 撮像装置
１１０ 半導体基板
１１１～１１５ 不純物領域
１２０ 行走査回路
１３０Ａ、１３０Ｂ 検出回路
１３０Ｆ、１３０Ｇ 光量検出装置
１３２ 参照線
１３４ 比較器
１３８ 光量検出回路
１５０、１５０Ｄ、１５４ 電圧供給回路
１５２ 電圧線
１６０ 制御回路
１６２ メモリ
１６４ 画像処理回路
１６６ 補間処理回路
２００Ｄ～２００Ｈ カメラシステム
２４１～２４３ 容量素子
２２５ 減衰器
Ｐｘ、Ｐｘ１、Ｐｘ２ 画素
Ｓ_ｊ 出力信号線

Claims (16)

1. 第１電極、第２電極、および、前記第１電極と前記第２電極との間に位置する光電変換層を含む光電変換部と、
   前記第１電極および前記第２電極の一方に電圧を供給する電圧供給回路と、
   前記第２電極に電気的に接続され、前記第２電極の電位に応じた信号を出力する出力回路と、
   前記出力回路からの前記信号のレベルを検出する検出回路と
   を備え、
   前記光電変換部は、前記第１電極と前記第２電極との間に印加されるバイアス電圧が第１電圧範囲にあるときの、前記バイアス電圧に対する前記光電変換部の光電変換効率の変化率が、前記バイアス電圧が前記第１電圧範囲よりも高い第２電圧範囲にあるときの、前記バイアス電圧に対する前記光電変換部の光電変換効率の変化率よりも大きい光電変換特性を有し、
   前記電圧供給回路は、 前記検出回路によって検出された前記レベルが第１の閾値よりも低い場合に、前記第１電極と前記第２電極との間の電位差が第１の電位差となるように前記第１電極および前記第２電極の前記一方に電圧を供給し、 前記検出回路によって検出された前記レベルが前記第１の閾値以上の第２の閾値以上である場合に、前記第１電極と前記第２電極との間の電位差が前記第１の電位差よりも大きい第２の電位差となるように前記第１電極および前記第２電極の前記一方に電圧を供給する、撮像装置。
2. 前記電圧供給回路は、
   前記検出回路によって検出された前記レベルが前記第１の閾値よりも低い場合に、前記第１電極および前記第２電極の前記一方に第１電圧を印加し、
   前記検出回路によって検出された前記レベルが前記第２の閾値以上である場合に、前記第１電極および前記第２電極の前記一方に前記第１電圧よりも高い第２電圧を印加する、請求項１に記載の撮像装置。
3. 前記出力回路は、
   前記第２電極に電気的に接続されたゲートを有し、ドレインおよびソースの一方に第３電圧を受ける第１トランジスタと、
   前記第２電極に電気的に接続されたゲートを有し、ドレインおよびソースの一方に前記第３電圧よりも高い第４電圧を受ける第２トランジスタと
   を含む、請求項２に記載の撮像装置。
4. 前記出力回路は、
   容量素子と、
   前記第２電極と前記容量素子との間に接続されたスイッチング素子と
   を含み、
   前記検出回路によって検出された前記レベルが前記第２の閾値以上である場合、前記スイッチング素子は、前記光電変換部における光電変換によって変化した前記第２電極の電位に応じた信号の読み出し時にオンとされる、請求項２に記載の撮像装置。
5. 前記出力回路は、前記第２電極に一方の電極が接続された容量素子を含み、
   前記検出回路によって検出された前記レベルが前記第２の閾値以上である場合、前記容量素子の他方の電極の電位は、前記光電変換部における光電変換によって変化した前記第２電極の電位に応じた信号の読み出し時に一時的に低下させられる、請求項２に記載の撮像装置。
6. 前記出力回路は、
   前記第２電極に電気的に接続されたゲートを有する第１トランジスタと、
   前記第２電極と前記第１トランジスタの前記ゲートとの間に接続された減衰器と
   を含み、
   前記検出回路によって検出された前記レベルが前記第２の閾値以上である場合、前記減衰器は、前記第１トランジスタの前記ゲートに印加される電圧を減衰させる、請求項２に記載の撮像装置。
7. 前記第１電極および前記第２電極の前記一方に前記第１電圧が印加されている状態および前記第１電極および前記第２電極の前記一方に前記第２電圧が印加されている状態の両方において、前記第１電極の電位は、前記第２電極の電位よりも高い、請求項２から６のいずれか一項に記載の撮像装置。
8. 前記バイアス電圧に対する前記光電変換部の光電変換効率のグラフにおいて、前記光電変換効率が０から立ち上がる点における第１接線と、前記バイアス電圧が動作時の最大値である点における第２接線との交点に対応するバイアス電圧の値をＶｔとしたとき、前記第１電圧範囲は、前記Ｖｔ未満の電圧範囲である、請求項２から７のいずれか一項に記載の撮像装置。
9. 前記バイアス電圧に対する前記光電変換部の光電変換効率のグラフにおいて、前記光電変換効率の値が０．０６となる点における第１接線と、前記バイアス電圧が動作時の最大値である点における第２接線との交点に対応するバイアス電圧の値をＶｔとしたとき、前記第１電圧範囲は、前記Ｖｔ未満の電圧範囲である、請求項２から７のいずれか一項に記載の撮像装置。
10. 前記第２電圧範囲は、前記バイアス電圧の１Ｖの変化に対する前記光電変換効率の変化が１０％未満の電圧範囲である、請求項２から７のいずれか一項に記載の撮像装置。
11. 前記第２電圧範囲は、前記光電変換効率が０．７以上の電圧範囲である、請求項２から７のいずれか一項に記載の撮像装置。
12. 前記第１電圧が供給されているときの前記光電変換部の光電変換効率である第１効率は、前記第２電圧が供給されているときの前記光電変換部の光電変換効率である第２効率よりも低い、請求項８から１１のいずれか一項に記載の撮像装置。
13. 前記第１電圧および前記第２電圧は、前記第２電圧範囲内の電圧である、請求項１２に記載の撮像装置。
14. 前記第１効率に対する前記第２効率の比は、１より大きく１．２５以下である、請求項１３に記載の撮像装置。
15. 第１電極、第２電極、および、前記第１電極と前記第２電極との間に位置する光電変換層を含む光電変換部と、
    前記第１電極および前記第２電極の一方に電圧を供給する電圧供給回路と、
    前記第２電極に電気的に接続され、前記第２電極の電位に応じた信号を出力する出力回路と
    を有する撮像装置と、
    前記光電変換部に入射する光量を検出する光量検出装置と
    を備え、
    前記光電変換部は、前記第１電極と前記第２電極との間に印加されるバイアス電圧が第１電圧範囲にあるときの、前記バイアス電圧に対する前記光電変換部の光電変換効率の変化率が、前記バイアス電圧が前記第１電圧範囲よりも高い第２電圧範囲にあるときの、前記バイアス電圧に対する前記光電変換部の光電変換効率の変化率よりも大きい光電変換特性を有し、 前記電圧供給回路は、 前記光量検出装置によって検出された前記光量が第１の光量よりも小さい場合に、前記第１電極と前記第２電極との間の電位差が第１の電位差となるように前記第１電極および前記第２電極の前記一方に電圧を供給し、 前記光量検出装置によって検出された前記光量が前記第１の光量以上の第２の光量以上である場合に、前記第１電極と前記第２電極との間の電位差が前記第１の電位差よりも大きい第２の電位差となるように前記第１電極および前記第２電極の前記一方に電圧を供給する、カメラシステム。
16. 第１電極、第２電極、および、前記第１電極と前記第２電極との間に位置する光電変換層を含む光電変換部を有する撮像装置の駆動方法であって、
    前記光電変換部に入射した光量が第１の光量よりも小さい場合に、前記第１電極と前記第２電極との間の電位差が第１の電位差となるように前記第１電極および前記第２電極の一方に電圧を印加し、前記光電変換部に入射した前記光量が前記第１の光量以上の第２の光量以上である場合に、前記第１電極と前記第２電極との間の電位差が前記第１の電位差よりも大きい第２の電位差となるように前記第１電極および前記第２電極の前記一方に電圧を印加する、撮像装置の駆動方法。

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