JP7167158B2 - 定められたバールトップトポグラフィを有するリソグラフィサポート - Google Patents
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Description
照明システム105は、パルス光ビーム110を生成し、それをフォトリソグラフィ露光装置又はスキャナ115に向ける光源を含む。スキャナ115は、サポート構造117上にパターニングデバイス116、例えば、マスク又はレチクルを含む。パターニングデバイス116は、ビーム110に転写されるパターンを担持して、ウェハ120上にマイクロエレクトロニクスフィーチャをパターニングするパターン化ビーム119を作成する。ウェハ120は、ウェハ120を保持するように構成され、特定のパラメータに従ってウェハ120を正確に位置決めするように構成されたポジショナに接続されたウェハテーブル125上に配置される。
1.ウェハテーブルであって、
ウェハテーブル本体と、
ウェハテーブル本体上に形成された複数のバールであって、各バールはバール本体を含み、
バール本体の上部に形成された層であって、層の上部は複数のナノスケール構造を有する、ウェハテーブル。
2.ウェハテーブル及び複数のバールが一体であり、一緒に形成される、条項1に記載のウェハテーブル。
3.ウェハテーブル及び複数のバールの両方がSi:SiCを含む、条項1に記載のウェハテーブル。
4. 層がセラミック材料を含む、条項1に記載のウェハテーブル。
5. セラミック材料がSiCである、条項4に記載のウェハテーブル。
6. 層が金属材料を含む、条項1に記載のウェハテーブル。
7. 金属材料がアルミニウムを含む、条項6に記載のウェハテーブル。
8. 層が有機ポリマーを含む、条項1に記載のウェハテーブル。
9. ナノスケール構造は、ドーム形状の突起のアレイの形態を有する、条項1に記載のウェハテーブル。
10. アレイが規則付けられている、条項1のウェハテーブル。
11. 複数のバールを含むウェハテーブルであって、各バールは、バール本体と、バール本体の上部に形成されたセラミック材料を含む層とを含み、層の上部は、ナノスケールトポグラフィを有する、ウェハテーブル。
12. ウェハテーブル及び複数のバールが焼結材料を含む、条項11に記載のウェハテーブル。
13. 焼結材料がSi:SiCを含む、条項12に記載のウェハテーブル。
14. セラミック材料が非酸化物セラミックである、条項11のウェハテーブル。
15. 非酸化物セラミックがSiCを含む、条項14に記載のウェハテーブル。
16. 層が、化学蒸着技術を使用してバール本体上に形成される、条項11に記載のウェハテーブル。
17. ナノスケールトポグラフィが、ドーム形状の突起のアレイを含む、条項11に記載のウェハテーブル。
18. 複数のバールを含むウェハテーブルを提供し、
バールの上に層を形成することを含む方法。
19. ウェハテーブルがSi:SiCを含む、条項18に記載の方法。
20. 層がセラミック材料を含む、条項18に記載の方法。
21. セラミック材料がSiCを含む、条項20に記載の方法。
22. 層が金属材料を含む、条項18に記載の方法。
23. 金属材料がアルミニウムを含む、条項22に記載の方法。
24. 層が有機ポリマーを含む、条項18に記載のウェハテーブル。
25. 層を形成することが、化学気相堆積を使用して層を堆積することを含む、条項18に記載の方法。
26. 層を形成することに続き、研磨されたバール上部を形成するためにバールの上に形成された層を研磨し、
研磨されたバール上部に、複数のナノスケール構造を有する犠牲層を形成し、
犠牲層をエッチングし、パターンを研磨されたバールトップに転写する、条項18に記載の方法。
27. 犠牲層がAl2O3を含む、条項18に記載の方法。
28. 犠牲層をエッチングすることが、イオンビーム加工を含む、条項18に記載の方法。
Claims (25)
- ウェハテーブルであって、
ウェハテーブル本体と、
ウェハテーブル本体上に形成された複数のバールであって、各バールはバール本体を含む、複数のバールと、
バール本体の上部に形成された層であって、層の上部に当該層と同じ材料で形成された複数のナノスケール構造を有する層と、を備え、
ナノスケール構造は、ドーム形状の突起のアレイの形態を有する、ウェハテーブル。 - ウェハテーブル及び複数のバールが一体であり、一緒に形成される、請求項1に記載のウェハテーブル。
- ウェハテーブル及び複数のバールの両方がSi:SiCを含む、請求項1に記載のウェハテーブル。
- 層がセラミック材料を含む、請求項1に記載のウェハテーブル。
- セラミック材料がSiCである、請求項4に記載のウェハテーブル。
- 層が金属材料を含む、請求項1に記載のウェハテーブル。
- 金属材料がアルミニウムを含む、請求項6に記載のウェハテーブル。
- 層が有機ポリマーを含む、請求項1に記載のウェハテーブル。
- アレイが規則付けられている、請求項1に記載のウェハテーブル。
- 複数のバールを含むウェハテーブルであって、各バールは、バール本体と、バール本体の上部に形成されたセラミック材料を含む層とを含み、層の上部は、前記セラミック材料で形成されたナノスケールトポグラフィを有し、ナノスケールトポグラフィが、ドーム形状の突起のアレイを含む、ウェハテーブル。
- ウェハテーブル及び複数のバールが焼結材料を含む、請求項10に記載のウェハテーブル。
- 焼結材料がSi:SiCを含む、請求項11に記載のウェハテーブル。
- セラミック材料が非酸化物セラミックである、請求項10のウェハテーブル。
- 非酸化物セラミックがSiCを含む、請求項13に記載のウェハテーブル。
- 層が、化学蒸着技術を使用してバール本体上に形成される、請求項10に記載のウェハテーブル。
- 複数のバールを含むウェハテーブルを提供することと、
バールの上に層を形成することと、を含み、
層を形成することに続き、
研磨されたバール上部を形成するためにバールの上に形成された層を研磨することと、
研磨されたバール上部に、複数のナノスケール構造を有する犠牲層を形成することと、
犠牲層をエッチングして、複数のナノスケール構造を研磨されたバールトップに転写することと、をさらに含み、転写された複数のナノスケール構造が前記層と同じ材料で形成される、方法。 - ウェハテーブルがSi:SiCを含む、請求項16に記載の方法。
- 層がセラミック材料を含む、請求項16に記載の方法。
- セラミック材料がSiCを含む、請求項18に記載の方法。
- 層が金属材料を含む、請求項16に記載の方法。
- 金属材料がアルミニウムを含む、請求項20に記載の方法。
- 層が有機ポリマーを含む、請求項16に記載の方法。
- 層を形成することが、化学気相堆積を使用して層を堆積することを含む、請求項16に記載の方法。
- 犠牲層がAl2O3を含む、請求項16に記載の方法。
- 犠牲層をエッチングすることが、イオンビーム加工を含む、請求項16に記載の方法。
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