JP4673185B2 - 機器及びリソグラフィ機器 - Google Patents
機器及びリソグラフィ機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4673185B2 JP4673185B2 JP2005306586A JP2005306586A JP4673185B2 JP 4673185 B2 JP4673185 B2 JP 4673185B2 JP 2005306586 A JP2005306586 A JP 2005306586A JP 2005306586 A JP2005306586 A JP 2005306586A JP 4673185 B2 JP4673185 B2 JP 4673185B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- support
- substrate
- heat transfer
- protrusion
- chuck
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000001459 lithography Methods 0.000 title description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 230
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 137
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 48
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 46
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 31
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 6
- 230000006837 decompression Effects 0.000 claims 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 210000002445 nipple Anatomy 0.000 description 7
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000006112 glass ceramic composition Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
3 第1熱伝達突起
4 熱交換表面、熱伝達表面
5 第1スペース、中間スペース
6 熱交換ギャップ
11 チャック
12 支持突起
13 第2熱伝達突起
14 熱交換表面、熱伝達表面
15 第2スペース
16 熱交換ギャップ
111 チャック
112 支持突起
113 第2熱伝達突起
115 第2スペース
116 熱交換ギャップ
AD 調節装置
B 放射ビーム
BD ビーム送達システム
C 目標部分
CO コンデンサ
D0 支持突起の直径
D1 支持突起の直径
D2 熱伝達突起の外形
D3 第2支持突起の直径
D4 第2熱伝達突起の直径
HH 支持突起の中心軸間距離
H0 支持突起の高さ
H1 第1高さ、支持突起の高さ
H2 第2高さ
H3 支持突起の高さ
H4 熱伝達突起の高さ
IF 位置センサ
IL 照明システム、照明器
IN 統合器
MA パターン化装置、マスク
MT 支持構造、マスク・テーブル
M1 マスク位置合わせマーク
M2 マスク位置合わせマーク
PM 第1位置決め装置
PS 投影システム、投影レンズ・システム
PW 第2位置決め装置
P1 基板位置合わせマーク
P2 基板位置合わせマーク
R1 熱交換ギャップの厚さ
R2 熱交換ギャップの厚さ
R2’ 熱交換ギャップの厚さ
SO 放射源
VL 真空ライン
VP ポンプ
W 基板
WT 基板テーブル、ウエハ・テーブル、支持テーブル
X1 第1熱伝達突起の外郭の間隔
Claims (26)
- 基板を支持する支持テーブルおよび該支持テーブルを支持するチャックを備える機器であって、
前記支持テーブルは、
前記基板を支持する複数の第一の支持突起であって、前記基板が前記基板と前記支持テーブルとの間の第1スペースの減圧を利用して前記第一の支持突起によって支持されるように、前記基板に向かって延在する複数の第一の支持突起と、
前記第一の支持突起によって前記基板が支持されるときに、前記基板には接触せずに前記基板に向かって延在する複数の第一の熱伝達突起であって、そのそれぞれが前記基板に対向してほぼ平行に延在する第一の熱交換表面を含む複数の第一の熱伝達突起と、
複数の第二の支持突起であって、前記支持テーブルが前記支持テーブルと前記チャックとの間の第2スペースの減圧を利用して前記チャックによって支持されるように、前記第一の支持突起に対して前記支持テーブルの反対側に延在する第二の支持突起と、
前記チャックによって前記支持テーブルが支持されるときに、前記チャックには接触せずに前記チャックに向かって延在する複数の第二の熱伝達突起であって、そのそれぞれが前記チャックに対向してほぼ平行に延在する第二の熱交換表面を含む複数の第二の熱伝達突起と、を含み、
ガス伝導により前記基板と熱を交換するための、ガスを含む第一の熱交換ギャップが、前記第一の熱伝達突起の前記第一の熱交換表面と前記基板の間で延在し、
ガス伝導により前記チャックと熱を交換するための、ガスを含む第二の熱交換ギャップが、前記第二の熱伝達突起の前記第二の熱交換表面と前記チャックの間で延在し、
前記第一の熱交換ギャップ及び第二の熱交換ギャップの厚さは、約1〜5μmの範囲である、機器。 - 前記第一の熱交換表面は、ほぼ円形又はリング形状の表面である、請求項1に記載の機器。
- すべての前記第一の熱交換表面からなる全熱交換表面積は、使用中に前記基板に対向する前記基板テーブルの部分の全表面積の少なくとも約50%以上である、請求項1に記載の機器。
- 前記第一の支持突起は、前記基板に直交する方向に測定した高さH1を有し、前記第一の熱伝達突起は、前記第1高さH1よりも低い高さH2を有する、請求項1に記載の機器。
- いくつかの前記第一の熱伝達突起は、いくつかの前記第一の支持突起の一体化した部分である、請求項1に記載の機器。
- 少なくともいくつかの前記第一の熱伝達突起は、前記第一の支持突起に関して別々の部分である、請求項1に記載の機器。
- 前記第一の熱伝達突起は、回転対称な部分である、請求項1に記載の機器。
- 前記支持テーブル並びに前記第一の支持及び熱伝達突起は、前記基板とともに前記第1スペースを取り囲むように配置され、前記機器はさらに、前記第1スペースから、且つ/又は前記第1スペースに、1種又は複数種のガスをポンプ輸送する少なくとも1つのポンプを備え、前記第一の熱交換ギャップは、前記第1スペースの一部である、請求項1に記載の機器。
- 断面で見ると、前記第二の熱伝達突起は、使用中に前記基板に向かって延在する前記第一の熱伝達突起に関して整列している、請求項1に記載の機器。
- すべての前記第二の熱交換表面からなる全熱交換表面積は、使用中に前記チャックに対向する前記基板テーブルの部分の全表面積の少なくとも約50%以上である、請求項1に記載の機器。
- 前記第二の熱交換表面は、ほぼ円形又はリング形状の表面である、請求項1に記載の機器。
- 前記第二の支持突起は、前記基板テーブルに直交する方向に測定した高さH3を有し、該高さH3は、前記第二の熱伝達突起の高さH4よりもわずかに大きい、請求項1に記載の機器。
- 少なくともいくつかの前記第二の熱伝達突起は、いくつかの前記第二の支持突起の一体化した部分である、請求項1に記載の機器。
- 前記第二の熱伝達突起は、前記第二の支持突起に関して別々の部分である、請求項1に記載の機器。
- 前記チャックは真空チャックである、請求項1に記載の機器。
- 前記チャックは静電チャックである、請求項1に記載の機器。
- 基板を支持する支持テーブルを備える機器であって、
前記支持テーブルは、
複数の第一の支持突起及び複数の第一の熱伝達突起を有する支持面であって、前記第一の支持突起は、前記基板が前記基板と前記支持テーブルとの間の第1スペースの減圧を利用して前記第一の支持突起によって支持されるように、前記基板に向かって延在し、前記第一の熱伝達突起は、前記第一の支持突起によって前記基板が支持されるときに、前記基板には接触せずに前記基板に向かって延在し、前記第一の熱伝達突起は、そのそれぞれが前記基板に対向してほぼ平行に延在する第一の熱交換表面を含み、前記第一の支持突起の高さH1は、前記第一の熱伝達突起の高さH2よりもわずかに大きい、該支持面と、
複数の第二の支持突起及び複数の第二の熱伝達突起を有する、前記支持面と反対側を向いた裏面であって、前記第二の支持突起は、前記支持テーブルが前記支持テーブルと前記チャックとの間の第2スペースの減圧を利用して前記チャックによって支持されるように、前記第一の支持突起とは反対側に延在し、前記第二の熱伝達突起は、前記チャックによって前記支持テーブルが支持されるときに、前記チャックには接触せずに前記チャックに向かって延在し、前記第二の熱伝達突起は、そのそれぞれが前記チャックに対向してほぼ平行に延在する第二の熱交換表面を含む複数の第二の熱伝達突起と、を含み、前記第二の支持突起の高さH3は、前記第二の熱伝達突起の高さH4よりもわずかに大きい、該裏面とを含み、
前記高さH1と前記高さH2との差は、約1〜5μmの範囲であって、ガス伝導により前記基板と熱を交換するための、ガスを含む第一の熱交換ギャップを提供し、当該第一の熱交換ギャップは、前記第一の熱伝達突起の前記第一の熱交換表面と前記基板の間で延在し、
前記高さH3と前記高さH4との差は、約1〜5μmの範囲であって、ガス伝導により前記チャックと熱を交換するための、ガスを含む第二の熱交換ギャップを提供し、当該第二の熱交換ギャップは、前記第二の熱伝達突起の前記第二の熱交換表面と前記チャックの間で延在する、機器。 - 前記第一の支持突起の高さは、約0.1mmよりも大きい、請求項17に記載の機器。
- 前記第一の支持突起及び前記第一の熱伝達突起は、前記支持テーブルの前記支持面全体にわたってほぼ均一に分布する、請求項17に記載の機器。
- 前記第一の支持突起及び前記第一の熱伝達突起は、ほぼ円筒形である、請求項17に記載の機器。
- 前記第一の熱伝達突起は、前記第一の支持突起に隣接して、又は前記第一の支持突起の近くに、又は前記第一の支持突起の間に、或いはこれらの組合せで配置される、請求項17に記載の機器。
- すべての該第一の熱交換表面からなる全熱交換表面積は、使用中に前記基板に対向する前記基板テーブルの部分の全表面積の少なくとも約50%以上である、請求項17に記載の機器。
- すべての該第二の熱交換表面からなる全熱交換表面積は、使用中に前記チャックに対向する前記基板テーブルの部分の全表面積の少なくとも約50%以上である、請求項17記載の機器。
- 前記支持テーブルの前記支持面から延在する前記第一の支持及び熱伝達突起及び前記支持テーブルの前記裏面から延在する前記第二の支持及び熱伝達突起は相互に整列される、請求項17に記載の機器。
- リソグラフィ機器であって、
放射ビームを調整する照明システムと、
前記放射ビームをパターン化するように構成されたパターン化装置を支持する支持部と、
請求項1から17のいずれかに記載の機器の前記支持テーブルと、
前記基板の目標部分に前記パターン化された放射ビームを投影する投影システムとを備える、リソグラフィ機器。 - リソグラフィ機器であって、
放射ビームを調整する照明システムと、
前記放射ビームをパターン化するように構成されたパターン化装置を支持する支持部と、
請求項18から24のいずれかに記載の機器の前記支持テーブルと、
前記基板の目標部分に前記パターン化された放射ビームを投影する投影システムとを備える、リソグラフィ機器。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/970,658 US7532310B2 (en) | 2004-10-22 | 2004-10-22 | Apparatus, method for supporting and/or thermally conditioning a substrate, a support table, and a chuck |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008328259A Division JP5008648B2 (ja) | 2004-10-22 | 2008-12-24 | 支持テーブル、機器、基板を熱的に調整する方法、基板支持テーブルを熱的に調整する方法、及びデバイスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006128677A JP2006128677A (ja) | 2006-05-18 |
JP4673185B2 true JP4673185B2 (ja) | 2011-04-20 |
Family
ID=35788756
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005306586A Active JP4673185B2 (ja) | 2004-10-22 | 2005-10-21 | 機器及びリソグラフィ機器 |
JP2008328259A Active JP5008648B2 (ja) | 2004-10-22 | 2008-12-24 | 支持テーブル、機器、基板を熱的に調整する方法、基板支持テーブルを熱的に調整する方法、及びデバイスの製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008328259A Active JP5008648B2 (ja) | 2004-10-22 | 2008-12-24 | 支持テーブル、機器、基板を熱的に調整する方法、基板支持テーブルを熱的に調整する方法、及びデバイスの製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7532310B2 (ja) |
EP (1) | EP1650604B1 (ja) |
JP (2) | JP4673185B2 (ja) |
KR (1) | KR100705497B1 (ja) |
CN (1) | CN1804725B (ja) |
SG (1) | SG122003A1 (ja) |
TW (1) | TWI319518B (ja) |
Families Citing this family (53)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI251127B (en) * | 2002-11-12 | 2006-03-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR100585476B1 (ko) | 2002-11-12 | 2006-06-07 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 |
US7304715B2 (en) | 2004-08-13 | 2007-12-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7532310B2 (en) * | 2004-10-22 | 2009-05-12 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus, method for supporting and/or thermally conditioning a substrate, a support table, and a chuck |
US20060090855A1 (en) * | 2004-10-29 | 2006-05-04 | Tokyo Electron Limited | Substrate mounting table, substrate processing apparatus and substrate temperature control method |
US7327439B2 (en) * | 2004-11-16 | 2008-02-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG124351A1 (en) | 2005-01-14 | 2006-08-30 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7652746B2 (en) * | 2005-06-21 | 2010-01-26 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7751027B2 (en) | 2005-06-21 | 2010-07-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7649611B2 (en) * | 2005-12-30 | 2010-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR100803834B1 (ko) * | 2006-08-21 | 2008-02-14 | 프라임 뷰 인터내셔널 코오포레이션 리미티드 | 포토레지스트 회전 도포기의 척 |
JP2008198800A (ja) * | 2007-02-13 | 2008-08-28 | Bridgestone Corp | 熱処理用治具 |
US8760621B2 (en) * | 2007-03-12 | 2014-06-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
KR100992591B1 (ko) * | 2008-09-12 | 2010-11-08 | 주식회사 쎄믹스 | 웨이퍼 프로버의 척 플레이트 냉각 장치 |
NL2003470A (en) * | 2008-10-07 | 2010-04-08 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL2003528A (en) * | 2008-10-23 | 2010-04-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL2005207A (en) * | 2009-09-28 | 2011-03-29 | Asml Netherlands Bv | Heat pipe, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
JP5269128B2 (ja) | 2010-03-12 | 2013-08-21 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置および方法 |
EP2381310B1 (en) | 2010-04-22 | 2015-05-06 | ASML Netherlands BV | Fluid handling structure and lithographic apparatus |
NL2007768A (en) | 2010-12-14 | 2012-06-18 | Asml Netherlands Bv | Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder. |
NL2007834A (en) * | 2010-12-23 | 2012-06-27 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and removable member. |
JP2012151418A (ja) * | 2011-01-21 | 2012-08-09 | Topcon Corp | 吸着ステージ |
WO2012110144A1 (en) * | 2011-02-18 | 2012-08-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL2008751A (en) | 2011-06-06 | 2012-12-10 | Asml Netherlands Bv | Temperature sensing probe, burl plate, lithographic apparatus and method. |
CN102914951B (zh) * | 2011-08-04 | 2014-11-12 | 上海微电子装备有限公司 | 用于光刻设备的预对准装置 |
JP5778093B2 (ja) * | 2011-08-10 | 2015-09-16 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 基板テーブルアセンブリ、液浸リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
NL2009189A (en) * | 2011-08-17 | 2013-02-19 | Asml Netherlands Bv | Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL2009858A (en) | 2011-12-27 | 2013-07-01 | Asml Netherlands Bv | Substrate holder, lithographic apparatus, and device manufacturing method. |
CN109298602B (zh) | 2012-02-03 | 2021-10-15 | Asml荷兰有限公司 | 衬底保持器和光刻装置 |
JP6240165B2 (ja) | 2012-05-17 | 2017-11-29 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 熱調整ユニット、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法 |
US9513568B2 (en) | 2012-07-06 | 2016-12-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
KR102032744B1 (ko) * | 2012-09-05 | 2019-11-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판 고정장치 및 이의 제조방법 |
JP2014086701A (ja) * | 2012-10-26 | 2014-05-12 | Canon Inc | 保持装置、リソグラフィ装置及び物品の製造方法 |
JP2014090038A (ja) * | 2012-10-30 | 2014-05-15 | Kyocera Corp | 吸着部材 |
US9835957B2 (en) | 2013-09-27 | 2017-12-05 | Asml Netherlands B.V. | Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP6219178B2 (ja) * | 2014-01-20 | 2017-10-25 | 株式会社ディスコ | プラズマエッチング装置 |
WO2016052291A1 (ja) | 2014-09-30 | 2016-04-07 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
US10527092B2 (en) * | 2014-10-23 | 2020-01-07 | Asml Netherlands B.V. | Support table for a lithographic apparatus, method of loading a substrate, lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN106340485A (zh) * | 2015-07-10 | 2017-01-18 | 上海微电子装备有限公司 | 晶圆键合夹紧装置及对准机和键合机、翘曲基片吸附方法 |
US11031278B2 (en) * | 2016-03-30 | 2021-06-08 | Kyocera Corporation | Suction member |
CN105629681B (zh) * | 2016-04-07 | 2018-12-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种承载基台、曝光装置及曝光方法 |
JP6510461B2 (ja) * | 2016-05-25 | 2019-05-08 | 日本特殊陶業株式会社 | 基板保持装置 |
TWI757314B (zh) * | 2016-07-28 | 2022-03-11 | 荷蘭商Asml荷蘭公司 | 基板夾持裝置、用於製造此裝置之方法及用於處理或將樣本成像之儀器及方法 |
US9805906B1 (en) * | 2016-09-20 | 2017-10-31 | Applied Materials Israel, Ltd. | Mirror support module, a kit and a scanning electron microscope |
US9817208B1 (en) * | 2016-09-20 | 2017-11-14 | Applied Materials Israel Ltd. | Integrated chuck |
US20180096867A1 (en) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | Momentive Performance Materials Inc. | Heating apparatus with controlled thermal contact |
KR102603528B1 (ko) * | 2016-12-29 | 2023-11-17 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 및 이를 포함한 기판 처리 시스템 |
KR102529412B1 (ko) * | 2017-03-31 | 2023-05-04 | 램 리써치 코포레이션 | 플렉서블 웨이퍼 온도 제어부를 갖는 정전 척 (electrostatic chuck) |
US11043401B2 (en) * | 2017-04-19 | 2021-06-22 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Ceramic member |
KR102456532B1 (ko) * | 2017-11-20 | 2022-10-18 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 기판 홀더, 기판 지지체, 및 기판을 클램핑 시스템에 클램핑시키는 방법 |
US11574888B2 (en) * | 2017-12-15 | 2023-02-07 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Component joining apparatus, component joining method and mounted structure |
US10663871B2 (en) * | 2018-07-30 | 2020-05-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Reticle stage and method for using the same |
KR102607809B1 (ko) * | 2021-06-25 | 2023-11-29 | 세메스 주식회사 | 지지 유닛, 이를 포함하는 베이크 장치 및 기판 처리 장치 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03102850A (ja) * | 1989-09-18 | 1991-04-30 | Fujitsu Ltd | ウェハホルダ |
JPH07142555A (ja) * | 1993-06-29 | 1995-06-02 | Hitachi Ltd | ウエハチャック |
JPH0851143A (ja) * | 1992-07-20 | 1996-02-20 | Nikon Corp | 基板保持装置 |
JPH1092738A (ja) * | 1996-09-18 | 1998-04-10 | Canon Inc | 基板保持装置およびこれを用いた露光装置 |
JP2001093808A (ja) * | 1999-09-21 | 2001-04-06 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置 |
JP2003332411A (ja) * | 2002-05-17 | 2003-11-21 | Nikon Corp | 基板保持装置及び露光装置 |
JP2004022888A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Anelva Corp | 静電吸着装置 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100238629B1 (ko) * | 1992-12-17 | 2000-01-15 | 히가시 데쓰로 | 정전척을 가지는 재치대 및 이것을 이용한 플라즈마 처리장치 |
JP3311812B2 (ja) * | 1993-04-09 | 2002-08-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 静電チャック |
US5738165A (en) * | 1993-05-07 | 1998-04-14 | Nikon Corporation | Substrate holding apparatus |
JPH09172055A (ja) * | 1995-12-19 | 1997-06-30 | Fujitsu Ltd | 静電チャック及びウエハの吸着方法 |
US5730803A (en) * | 1996-02-23 | 1998-03-24 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for transferring heat from a hot electrostatic chuck to an underlying cold body |
US6033478A (en) * | 1996-11-05 | 2000-03-07 | Applied Materials, Inc. | Wafer support with improved temperature control |
JPH10284360A (ja) * | 1997-04-02 | 1998-10-23 | Hitachi Ltd | 基板温度制御装置及び方法 |
EP0947884B1 (en) | 1998-03-31 | 2004-03-10 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus with substrate holder |
US6257564B1 (en) | 1998-05-15 | 2001-07-10 | Applied Materials, Inc | Vacuum chuck having vacuum-nipples wafer support |
US6490146B2 (en) * | 1999-05-07 | 2002-12-03 | Applied Materials Inc. | Electrostatic chuck bonded to base with a bond layer and method |
US6320736B1 (en) * | 1999-05-17 | 2001-11-20 | Applied Materials, Inc. | Chuck having pressurized zones of heat transfer gas |
US6273958B2 (en) * | 1999-06-09 | 2001-08-14 | Applied Materials, Inc. | Substrate support for plasma processing |
US6377437B1 (en) * | 1999-12-22 | 2002-04-23 | Lam Research Corporation | High temperature electrostatic chuck |
US6664549B2 (en) * | 2000-01-28 | 2003-12-16 | Hitachi Tokyo Electronics Co., Ltd. | Wafer chuck, exposure system, and method of manufacturing semiconductor device |
JP2001332609A (ja) * | 2000-03-13 | 2001-11-30 | Nikon Corp | 基板保持装置及び露光装置 |
JP3859937B2 (ja) * | 2000-06-02 | 2006-12-20 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック |
JP4312394B2 (ja) * | 2001-01-29 | 2009-08-12 | 日本碍子株式会社 | 静電チャックおよび基板処理装置 |
WO2002065532A1 (fr) * | 2001-02-15 | 2002-08-22 | Tokyo Electron Limited | Procede de traitement de piece et dispositif de traitement |
JP4288694B2 (ja) * | 2001-12-20 | 2009-07-01 | 株式会社ニコン | 基板保持装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4307130B2 (ja) * | 2003-04-08 | 2009-08-05 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
US7532310B2 (en) * | 2004-10-22 | 2009-05-12 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus, method for supporting and/or thermally conditioning a substrate, a support table, and a chuck |
-
2004
- 2004-10-22 US US10/970,658 patent/US7532310B2/en active Active
-
2005
- 2005-10-11 TW TW094135419A patent/TWI319518B/zh active
- 2005-10-14 EP EP05077376A patent/EP1650604B1/en active Active
- 2005-10-19 SG SG200506798A patent/SG122003A1/en unknown
- 2005-10-21 JP JP2005306586A patent/JP4673185B2/ja active Active
- 2005-10-21 KR KR1020050099822A patent/KR100705497B1/ko active IP Right Grant
- 2005-10-21 CN CN2005101138626A patent/CN1804725B/zh active Active
-
2008
- 2008-12-24 JP JP2008328259A patent/JP5008648B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03102850A (ja) * | 1989-09-18 | 1991-04-30 | Fujitsu Ltd | ウェハホルダ |
JPH0851143A (ja) * | 1992-07-20 | 1996-02-20 | Nikon Corp | 基板保持装置 |
JPH07142555A (ja) * | 1993-06-29 | 1995-06-02 | Hitachi Ltd | ウエハチャック |
JPH1092738A (ja) * | 1996-09-18 | 1998-04-10 | Canon Inc | 基板保持装置およびこれを用いた露光装置 |
JP2001093808A (ja) * | 1999-09-21 | 2001-04-06 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置 |
JP2003332411A (ja) * | 2002-05-17 | 2003-11-21 | Nikon Corp | 基板保持装置及び露光装置 |
JP2004022888A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Anelva Corp | 静電吸着装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SG122003A1 (en) | 2006-05-26 |
TW200627079A (en) | 2006-08-01 |
US20060102849A1 (en) | 2006-05-18 |
KR20060049138A (ko) | 2006-05-18 |
EP1650604B1 (en) | 2011-11-30 |
KR100705497B1 (ko) | 2007-04-09 |
EP1650604A3 (en) | 2006-05-03 |
EP1650604A2 (en) | 2006-04-26 |
US7532310B2 (en) | 2009-05-12 |
CN1804725B (zh) | 2011-08-17 |
CN1804725A (zh) | 2006-07-19 |
JP5008648B2 (ja) | 2012-08-22 |
JP2006128677A (ja) | 2006-05-18 |
TWI319518B (en) | 2010-01-11 |
JP2009076940A (ja) | 2009-04-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4673185B2 (ja) | 機器及びリソグラフィ機器 | |
KR100909455B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
JP4335197B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP4473811B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP5399461B2 (ja) | リソグラフィ装置 | |
JP2007318131A (ja) | リソグラフィ装置および熱ひずみを小さくする方法 | |
JP5600138B2 (ja) | 位置決めデバイス、位置決め方法及びデバイス製造方法 | |
KR20050063730A (ko) | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 | |
JP4700076B2 (ja) | リソグラフィ装置および方法 | |
JP2007251137A (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP4756101B2 (ja) | 物品支持体、リソグラフィ装置、及び液浸リソグラフィ装置 | |
JP4418782B2 (ja) | リソグラフィ装置、デバイス製造方法、較正方法およびコンピュータ・プログラム製品 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20060904 |
|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20070622 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080918 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080924 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090518 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090818 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100108 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100510 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20100616 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100827 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101129 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101224 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110120 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4673185 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140128 Year of fee payment: 3 |
|
S802 | Written request for registration of partial abandonment of right |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R311802 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140128 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |