JP4149625B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板（以下、単に「基板」という。）に対して、所定の浸漬処理を行う基板処理技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、基板の浸漬処理を行う基板処理装置として、多槽浸漬式とワンバス式の２つのタイプの装置が用いられている。
【０００３】
多槽浸漬式装置は、複数の処理槽ごとに特定の処理液を貯留しており、これらの処理槽ごとに異なる基板浸漬処理を行う。つまり、この多槽浸漬式装置では、１つの処理槽については、特定の基板処理のみを行う単機能的な使用となっている。
【０００４】
一方、ワンバス式装置は、処理槽に複数種類の処理液を順次に貯留していくことにより、基板に対して複数種類の浸漬処理を連続して行うことができる。つまり、このワンバス式装置では、１つの処理槽について複数の基板処理を行う多機能的な使用となっている。このような処理槽の多機能的な使用により処理槽の有効活用が可能であるため、単機能的な使用よりも装置の占有面積を小さくできる利点がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上記の理由によってワンバス式装置は有利であるが、ワンバス式装置を構成する従来の多機能処理槽には複数の基板処理を連続して行うことを前提とした独自の制御方式が固定的に付随しており、それによって多機能処理槽の利用の態様に制限を受けるという問題がある。
【０００６】
その問題を説明するための例として、多機能処理槽にあらかじめ貯留させた処理液に基板を後から浸漬させる処理（ディップ処理）を行なう場合を考える。この場合には、図７のタイムチャートに示すように、基板処理の準備過程において槽内に薬液と温水とを供給しておき、本処理過程までに必要な薬液濃度を持つ処理液をあらかじめ準備しておくことが望まれる。
【０００７】
このような準備が完了した処理液にそのまま基板を浸漬させることができればよいのであるが、多機能処理槽では複数の処理を連続して行うことを前提としているために、それぞれの処理液を使用した本処理過程の前後において強制的に純水を供給してアップフロー（ＵＦ）を行い、槽内の残留物を排除するように制御されている。
【０００８】
したがって、図７に示すように、多機能処理槽では、準備過程が完了した後、本処理過程の開始前に純水が強制的に槽に供給されてしまうことになり、準備過程で既に調整しておいた処理液の薬液濃度や温度を維持することができなくなる。
【０００９】
このように、多機能処理槽の多機能性を確保するためにあらかじめ付随させておいた固有の制御方式が状況によってはむしろ障害となり、多機能処理槽の多様な利用を妨げている。
【００１０】
この発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、多機能処理槽を備える基板処理装置の利用範囲を拡大することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、請求項１の発明は、基板に対して所定の処理を行う基板処理装置であって、(a)複数種類の処理液を順次に貯留し、各処理液に前記基板を浸漬させることが可能な多機能処理槽と、(b)前記多機能処理槽における複数の処理を基板に対して順次に実行させる多処理制御手段と、(c)前記多機能処理槽において、前記複数の処理のうちから選択された特定の処理液を用いる処理のみを前記基板に対して実行させる単処理制御手段と、(d)前記多処理制御手段と単処理制御手段とを切り替えて選択的に能動化する切替手段と、を備えるとともに、前記多処理制御手段は、ひとつの処理液による基板処理が完了した後、次の処理液の基板処理までの間に純水を前記多機能処理槽にオーバーフローさせて待機処理を行うように設定されており、前記単処理制御手段は、前記多機能処理槽において前記特定の処理液を使用する処理の前に、当該特定の処理液による処理に必要な特定の状態を生成し、前記多機能処理槽における前記待機処理を不能化して前記基板の浸漬処理まで前記特定の状態を維持する状態維持制御手段を有するとともに、前記状態維持制御手段は、多機能処理槽内の前記特定の処理液に関する温度および／または濃度を能動的に制御する能動的制御により、前記特定の状態を維持し、前記切替手段は、前記基板の処理条件が記述されたレシピにおいて、前記多処理制御手段による処理が指定されている場合には、前記多処理制御手段を選択して能動化する一方、前記単処理制御手段による処理が指定されている場合には、前記単処理制御手段を選択して能動化する。
【００１４】
また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る基板処理装置において、前記特定の状態は、薬液と純水とを所定の割合で混合した状態である。
【００１５】
また、請求項３の発明は、請求項１または請求項２の発明に係る基板処理装置において、前記単処理制御手段は、前記多機能処理槽において前記特定の処理液を使用した処理が完了した時点の状態を、前記基板が前記多機能処理槽から実質的に搬出されるまで維持する手段、を有する。
【００１６】
また、請求項４の発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかの発明に係る基板処理装置において、前記切替手段は、基板の処理条件に応じて、前記多処理制御手段と前記単処理制御手段との切替えを行うことが可能である。
【００１７】
また、請求項５の発明は、基板に対して所定の処理を行う基板処理装置であって、(a)所定の処理液に前記基板を浸漬させる単機能処理槽と、(b)前記単機能処理槽とともに前記装置内に併設され、複数種類の処理液を順次に貯留して、各処理液に前記基板を浸漬させることが可能な多機能処理槽と、(c)前記多機能処理槽における複数の処理を基板に対して順次に実行させる多処理制御手段と、(d)前記多機能処理槽において、前記複数の処理のうちから選択された特定の処理液を用いる処理のみを前記基板に対して実行させる単処理制御手段と、(e)前記多処理制御手段と単処理制御手段とを切り替えて選択的に能動化する切替手段と、(f)前記多機能処理槽と、前記単機能処理槽とを含む処理槽列に沿って基板を順次に搬送する搬送手段と、を備えるとともに、前記多処理制御手段は、ひとつの処理液による基板処理が完了した後、次の処理液の基板処理までの間に純水を前記多機能処理槽にオーバーフローさせて待機処理を行うように設定されており、前記単処理制御手段は、前記多機能処理槽において前記特定の処理液を使用する処理の前に、当該特定の処理液による処理に必要な特定の状態を生成し、前記多機能処理槽における前記待機処理を不能化して前記基板の浸漬処理まで前記特定の状態を維持する状態維持制御手段を有するとともに、前記状態維持制御手段は、多機能処理槽内の前記特定の処理液に関する温度および／または濃度を能動的に制御する能動的制御により、前記特定の状態を維持し、前記切替手段は、前記基板の処理条件が記述されたレシピにおいて、前記多処理制御手段による処理が指定されている場合には、前記多処理制御手段を選択して能動化する一方、前記単処理制御手段による処理が指定されている場合には、前記単処理制御手段を選択して能動化する。
【００１８】
また、請求項６の発明は、基板に対して所定の処理を行う基板処理方法であって、(a)複数種類の処理液を順次に貯留し、各処理液に前記基板を浸漬させることが可能な多機能処理槽を備える基板処理装置を構築する工程と、(b)被処理基板の処理条件に応じて、1)前記多機能処理槽の複数の処理を順次に実行する多処理モードと、2)前記多機能処理槽において、前記複数の処理のうちの特定の処理液を使用する処理のみを実行する単処理モードと、を選択的に能動化する工程と、を備えるとともに、前記多処理モードでは、ひとつの処理液による基板処理が完了した後、次の処理液の基板処理までの間に純水を前記多機能処理槽にオーバーフローさせて待機処理を行うように設定されており、前記単処理モードは、前記多機能処理槽において前記特定の処理液を使用する処理の前に、当該特定の処理液による処理に必要な特定の状態を生成し、前記多機能処理槽における前記待機処理を不能化して前記基板の浸漬処理まで前記特定の状態を維持する状態維持制御工程を有するとともに、前記状態維持制御工程では、多機能処理槽内の前記特定の処理液に関する温度および／または濃度を能動的に制御する能動的制御により、前記特定の状態を維持し、前記工程 (b) では、前記基板の処理条件が記述されたレシピにおいて、前記多処理モードによる処理が指定されている場合には、前記多処理モードを選択して能動化する一方、前記単処理モードによる処理が指定されている場合には、前記単処モードを選択して能動化する。
【００２０】
また、請求項７の発明は、請求項６の発明に係る基板処理方法において、前記単処理モードは、前記多機能処理槽において前記特定の処理液を使用した処理が完了した状態を、前記基板が前記多機能処理槽から実質的に搬出されるまで維持する工程、を有する。
【００２１】
【発明の実施の形態】
＜基板処理装置の概要＞
図１は、本発明の実施形態に係る基板処理装置１００の概略構成を示す平面図である。
【００２２】
基板処理装置１００は、複数（例えば２５枚）の基板（半導体ウェハ）を単位として、各種の処理液を用いた表面処理を行う処理部２と、基板を乾燥させる乾燥部５と、基板を搬送する搬送部６と、チャック洗浄部７を備えている。
【００２３】
処理部２は、２つの多機能処理部３（３ａ、３ｂ）と２つの単機能処理部４（４ａ、４ｂ）とが交互に配置された構成となっている。
【００２４】
多機能処理部３は、基板を収容し浸漬させて処理する１つの多機能処理槽３１、および昇降動作により処理槽３１に基板の投入と引上げとを行うリフタ３２を有している。そして、処理槽３１内で各種の薬液や純水（以下、併せて「処理液」という。）による一連の薬液処理や水洗処理を、基板を収容したままで連続して行うことが可能である。この多機能処理部３は、通常のワンバス式装置における多機能処理部とは異なり、このような多処理のモードだけでなく、特定の処理だけを行う単処理モードで利用することも可能になっているが、その詳細については、後で詳述する。
【００２５】
単機能処理部４は、多機能処理部３と同様に、基板を浸漬させて処理する１つの単機能処理槽４１、および昇降動作により処理槽４１に基板の投入と引上げとを行うリフタ４２を有している。この単機能処理部４は、多機能処理部３と異なって特定種類の基板処理のみを行う。
【００２６】
乾燥部５は、基板を回転させながら乾燥を行うスピンドライヤを備えており、処理部２において処理された基板の乾燥を行う。
【００２７】
搬送部６は、複数枚の基板を縦姿勢で一括して把持するチャックを有する搬送ロボット６１を備えている。
【００２８】
搬送ロボット６１は、多機能処理部３と単機能処理部４とを含む処理槽列に沿って水平移動が可能であるとともに昇降移動が可能であり、処理前、処理中及び処理後の基板を一箇所から別の箇所に搬送したり移載したりする搬送手段として機能する。そして、基板処理装置１００のローダＬＤにカセット単位で搬入された基板は、カセット移載ロボットＣＲ１により移載部１において搬送ロボット６１に受け渡され、搬送ロボット６１は処理部２の各処理槽に基板を順次に搬送し、それらにおいて基板が薬液処理および水洗処理を受ける。そして、水洗処理が完了した基板は搬送ロボット６１によって乾燥部５に搬送されて回転乾燥処理を受けた後に、搬送ロボット６１によって移載部８に与えられ、カセット移載ロボットＣＲ２によりアンローダＵＬの空のカセットに収容される。
【００２９】
チャック洗浄部７は、オーバーフローリンス槽７１を有している。このリンス槽７１に搬送ロボット６１のチャックを浸漬させることによって、処理部２で処理液に浸ったチャックを、次の基板把持動作の前に水洗することにより、チャックに付着した処理液や汚染物質が基板に再付着することを防止する。
【００３０】
＜多機能処理部３の要部構成＞
図２は、多機能処理部３の要部構成を示す図である。
【００３１】
多機能処理部３は、上述した処理槽３１およびリフタ３２の他に、処理槽３１を収容するチャンバ３０と、処理槽３１に処理液を供給する液供給部３３と、処理槽３１の処理液を排出する液排出部３４と、これらの各部を統括制御する制御部３５とを備えている。
【００３２】
液供給部３３は、処理槽３１に処理液の供給を行う液供給口３１１と、液供給口３１１に接続する液供給管３１２とを有している。液供給管３１２には、開閉制御弁３１３が介挿されている。また、液供給管３１２は、薬液であるフッ酸、アンモニア水、塩酸および過酸化水素水の各供給管に接続され、ミキシングバルブ３１４が介挿された薬液供給管３１５、および純水の供給源に接続され開閉制御弁３１６が介挿された純水供給管３１７がそれぞれ連通している。
【００３３】
純水供給管３１７には、開閉制御弁の上流側の位置で分岐し開閉制御弁の下流側で合流するバイパス管３１７ａが設けられており、バイパス管３１７ａの途中にヒータ３１８が設けられている。また、バイパス管３１７ａは、ヒータ３１８の前後に開閉制御弁３１７ｂが介挿されている。さらに、バイパス管３１７ａには、温度検出器３１９が付設されており、その温度検出器３１９により、バイパス管３１７ａを通過する温水（温純水）の温度が検出されて、その検出信号が制御部３５へ送られ、制御部３５により、バイパス管３１７ａを通過し液供給管３１２を通って処理槽３１の液供給口３１１へ供給される温水の温度が調整されるようになっている。
【００３４】
液排出部３４は、処理槽３１から溢れ出た処理液を回収する溢出部３４１と、溢出部３４１の底部に接続する排出管３４２とを有している。そして、処理槽３１の上部の溢流部３４１から溢れ出た処理液が、溢出部３４１の底部へ流下して排液管３４２を通って排出されるようになっている。
【００３５】
制御部３５は、ＣＰＵおよびメモリ（図示せず）を備え、各種の制御プロセスを実行する制御手段、特に、後述する多機能処理手段、単機能処理手段、およびそれらを切り替えて選択的に能動化する切替手段としての機能を果たすことができる。
【００３６】
多処理制御手段３５１は、処理槽３１に複数の処理液を順次に貯留して、各処理液による基板浸漬の処理工程を順次に実行させる多処理制御を行う。ここでは、処理工程数ｎ（ｎ≧２）に対応した異なる種類（組合せ）の処理液Ｌ1〜Ｌnにより、基板の浸漬処理を行う。例えば、これらの処理液Ｌ１〜Ｌｎは、過酸化水素水、フッ酸と純水との混合液、フッ酸とフッ化アンモン溶液と純水との混合液、アンモニア水と過酸化水素水と純水との混合液など、多機能処理部３で利用可能な薬液および／または純水ないしは温水を使用した複数種類の処理液であり、基板のレシピにおいて指定される。そして、このような多機能処理モードではこれらの複数の薬液処理の間および前後には、純水のオーバーフローによる槽内の残留液の排出および槽内洗浄が行われるようになっている。
【００３７】
単処理制御手段３５２は、処理槽３１内で特定種類の処理液による基板の浸漬処理を実行させる単処理制御を行う。
【００３８】
また、切替手段３５３は、後述するレシピに基づき、多処理制御手段３５１と単処理制御手段３５２とを切替えて選択的に能動化する。
【００３９】
＜多機能処理部３の動作＞
図３は、多機能処理手段３の基本動作を説明するフローチャートである。以下では、一方の多機能処理部３ａについてのルーチンについて説明するが、他方の多機能処理部３ｂについての処理も同様である。なお、この基本動作における各部の制御は制御部３５により行われる。
【００４０】
ステップＳ１では、今回の処理を行なおうとするロットについての基板の一連の処理条件が記述されているレシピ（処理手順）を、当該ロットについてあらかじめ入力されているデータファイルから読込む。このデータファイルには、個々の処理部３，４などで行うべき処理の内容や、それらの一連の処理や搬送についてのタイムスケジュールなどが記述されている。また、そのレシピには、多機能処理部３ａ、３ｂのそれぞれにつき、それらを多処理モードで使用するか、あるいは単処理モードで使用するかについて指定するモード指定フラグがあらかじめ記述されている。
【００４１】
ステップＳ２では、多機能処理部３ａについてのモード指定フラグを参照することによって、ステップＳ１で読込んだレシピの設定のうち多機能処理部３ａの使用態様が多処理制御であるかどうかを判定する。多処理制御である場合には、ステップＳ３に進み、多処理制御でない場合には、ステップＳ４に進む。
【００４２】
図４は、多処理制御に係る動作を説明するフローチャートである。
【００４３】
ステップＳ１１では、ステップＳ１で読み込んだレシピに基づき、処理工程数ｎを入力する。
【００４４】
ステップＳ１２では、多機能処理部３ａのリフタ３２を降下させて基板Ｗを処理槽３１に投入する。また、後記の処理段階を示す番号「ｉ」を１に初期化する。
【００４５】
ステップＳ１３では、液供給部３３からｉ番目の処理液Ｌｉ（最初の工程ではＬ1）を処理槽３１に供給する。
【００４６】
ステップＳ１４では、純水供給管３１７から処理槽３１に純水を供給するアップフローを行う。このアップフローは、ステップＳ１３における処理液供給に付随する待機動作となる。これにより、処理槽３１内の処理液Ｌｉが純水に置換され、次の処理工程への影響を排除することができる。
【００４７】
ステップＳ１５では、１つの処理工程がステップＳ１４のアップフローで終了するため、処理工程ｉに１を加算する。
【００４８】
ステップＳ１６では、ステップＳ１５で加算された処理工程ｉが、ステップＳ１１で入力された処理工程数ｎより大きいかどうかを判定する。ｉがｎより大きい場合には、ステップＳ１７に進み、ｉがｎ以下の場合には、ステップＳ１３に戻り、処理液Ｌ2、Ｌ3、・・・についての基板処理を順次に行う。
【００４９】
ステップＳ１７では、多機能処理部３のリフタ３２を上昇させて基板Ｗを処理槽３１から払い出す。
【００５０】
なお、ステップＳ１３にて最後の処理工程でｎ番目の処理液Ｌｎを処理槽３１に供給した後は、ステップＳ１４にて純水のアップフローを行うので、基板処理の最後は、つまりステップＳ１７の基板の払出の前には、基板は純水に浸漬した状態にある。
【００５１】
図５は、単処理制御に係る動作を説明するフローチャートである。また、図６は、単処理制御に係る各部の動作を説明するタイムチャートである。以下では、これらの図を参照して、単処理制御の動作を説明する。
【００５２】
ステップＳ２１では、処理すべき基板のレシピを参照することによって、この槽での基板処理に使用される処理液を特定し、液供給部３３からその処理液を処理槽３１に供給する（準備過程）。つまり、図６に示すように、準備過程の開始とともに、上述の各種薬液のうちの特定の薬液および、ヒータ３１８により加熱された温水の供給を開始する。
【００５３】
ステップＳ２２では、準備過程が完了しているかどうかを判定する。すなわち、浸漬処理（本処理）で必要な処理液の濃度、温度条件を満たす第１状態が生成されたかどうかを判定する。準備過程が完了した時点でステップＳ２３に進み、多機能処理部３のリフタ３２を降下させて基板Ｗの処理槽３１への投入を開始する。
【００５４】
これと並行して、ステップＳ２４では、準備過程の完了時における槽内の状態（第１状態）が維持されるような制御を行う。図６に示した例では、準備過程が完了した時点で、槽内には所定の濃度と温度とに調整された処理液が貯留している。したがって、このステップＳ２４では、純水のアップフローによって槽内の処理液濃度や温度を変化させないように、そのような純水のアップフローを禁止することが、このステップＳ２４における実質的内容である。
【００５５】
したがって、この例での維持工程に相当するステップＳ２４は、槽内の処理液の特性因子に変化を生じさせるような外乱を避けるという受動的対応であるが、ヒータと温度センサとを備え付けているような場合には、槽内の処理液の温度を直接的または間接的に検出し、その検出値に基づくフィードバック制御によって、槽内の処理液の温度を維持するような能動的制御を行ってもよい。また、経時劣化しやすい処理液の場合は、準備過程が完了した時点から基板が投入されるまでの時間を計時し、それが長時間に及ぶときには、その時間に応じて薬液を追加して濃度維持を行うなどの制御を採用することもできる。
【００５６】
ステップＳ２５では、基板Ｗの処理槽３１への投入が完了しているかどうかを判定し、完了した時点でステップＳ２６に進んで、処理槽３１内の処理液への基板の浸漬処理が行われる（本処理）。また、この本処理の開始にあたってはステップＳ２４の状態維持工程（待機工程）を終了させる。したがって、ステップＳ２４の状態維持工程は、準備過程の完了時点から本処理過程の開始時点まで持続する。
【００５７】
ステップＳ２７では、基板の本処理が完了していると判定された時点で、ステップＳ２８に進み、多機能処理部３のリフタ３２を上昇させて基板Ｗの処理槽３１からの払出しを開始する。
【００５８】
また、これと並行して、ステップＳ２９では、本処理が完了した時点の槽内の状態を維持する。つまり、本処理が完了した時点の処理液に関する第２状態を維持する制御を行う。
【００５９】
図６に示した事例では、本処理が完了した時点で、槽内には所定の濃度と温度に維持された処理液が貯留している。したがって、このステップＳ２９では、純水のアップフローによって槽内の処理液濃度や温度を変化させないように、そのような純水のアップフローを禁止することが、このステップＳ２９における実質的内容である。
【００６０】
したがって、この例での維持工程に相当するステップＳ２９は、槽内の処理液の特性因子に変化を生じさせるような外乱を避けるという受動的対応であるが、ヒータと温度センサとを備え付けているような場合には、前記したように、槽内の処理液の温度を維持するような能動的制御を行なってもよい。
【００６１】
ステップＳ３０では、基板Ｗの処理槽３１からの払出しが完了しているかどうか、すなわち基板が実質的に搬出されているかを判定する。払出しが完了している場合には、ステップＳ３１に進み、槽内に温水を供給することによって処理液を排出するとともに、その温水による槽内洗浄を行う（事後措置過程）。この事後措置過程では常温の純水によるアップフローを行ってもよいが、温水を使用することによって槽壁の温度の低下が防止され、次の基板の浸漬のための処理液を槽に供給した際に処理液の温度変化が少なくなる。
【００６２】
本処理過程の完了後、基板が実質的にこの槽から搬出されて事後措置過程が開始されるまでの期間（以下「基板搬出期間」）に、純水によるアップフローは行わない。それは、この槽から基板の搬出が完了するまではそれらの基板の一部または全体がこの槽内に存在するため、基板搬出期間に常温の純水によって処理液を置換し始めると液面上の槽空間の温度や化学的雰囲気が変化し、それによって基板表面に悪影響が生じるおそれがあるためである。
【００６３】
すなわち、この実施形態の装置では、基板搬出期間において本処理過程の完了時と実質的に同じ状態（第２状態）を維持するような制御を行う。図示の例では常温の純水のアップフローを禁止するという受動的対応であるが、準備過程から本処理過程までの期間と同様に、槽に取り付けたヒータと温度センサとを利用したフィードバック制御によって、槽内の処理液の温度の低下を積極的に防止するというような能動的制御を行ってもよい。
【００６４】
なお、上記において「実質的に槽から搬出されるまで」とは、基板が槽内の環境の影響を受けない程度にまで槽の液面から遠くに離れるまで、の意味である。
【００６５】
ステップＳ３２では、事後措置過程が完了しているかどうかを判定し、完了した時点で、多機能処理部３ａにおける基板処理を終了する。
【００６６】
以上の動作により、準備過程で生成された本処理に必要な処理液の状態を維持できるため、本処理では迅速に浸漬処理を行うことができる。また、本処理の完了時点の処理液の状態を基板がその槽から実質的に搬出されるまで維持するため、その槽に次に搬入される未処理基板の処理において本処理に必要な処理液の状態の生成を迅速に行える。
【００６７】
＜変形例＞
◎上記実施形態では、多機能処理槽に固有の工程として本処理過程の前後の強制的な水洗処理（純水アップフロー処理）を例として取り上げ、単処理モードではそれを不能化するように構成しているが、単処理モードにおいて純水アップフローを使用することを禁止しているわけではない。
【００６８】
例えば、多機能処理槽を水洗槽として使用してもよい。この場合には、純水アップフローを行う処理がその「単処理」の内容をなすものである。多処理モードでは強制的に純水アップフロー工程が組み込まれている一方、単処理モードでは純水アップフローによる水洗処理をレシピとして適宜に指定できる、という点に違いがある。
【００６９】
或いはまた、例えば、ステップＳ２６の本処理にて、この本処理過程の最後つまり、この本処理過程における最後の工程で純水のアップフローを行うようにし、本処理過程終了後の強制的な水洗処理（純水アップフロー処理）を不能化しないようにしてもよい。この場合には、単処理モードではあるが、槽内を純水に置換してから基板の払出を行うので、本処理で使用する処理液が、この処理液中からいきなり基板を引き上げると基板に不具合を生じるような処理液であっても、純水から引き上げることになり、かかる不具合を生じることがない。
【００７０】
◎基板の複数回の浸漬に耐えるような処理液の場合には、単処理モードにおいてその処理液を毎回排出せずに、所定回数だけ基板の浸漬を行った後に新鮮な処理液と交換することもできる。
【００７１】
この場合には、事後措置過程において処理液の排出を行うのは何回かに１回であり、それ以外では処理液は槽内に保持されたままになる。この保持プロセスが適用になるときには、たとえば槽ヒータなどによって処理液温度の維持を行うことが基板搬出期間での維持工程の例となる。
【００７２】
このようなルーチンが可能になるのも、多機能処理槽３を単処理モードで使用できるようにするとともに、特に基板搬出期間において本処理過程の完了時の状態を維持することが可能であるようにしているからである。多処理モードに固定された従来装置の場合には、事後措置過程までの間において純水のオーバーフローが強制的に行われるため、多機能処理槽３において処理液を複数回使用するということができない。
【００７３】
なお、上記実施形態では、事後措置過程の完了後、純水供給を停止しているが、止水状態にするとバクテリアが繁殖して処理液が汚染させることが懸念されるので、事後措置過程の完了後も、本処理過程の前後と同様に純水のアップフローを強制的に行うようにしてもよい。この場合、本処理過程の前後より少ない流量での純水のアップフローでよい。
【００７４】
ただし、単処理モードにおいて、その処理液を毎回排出せずに、所定回数だけ基板の浸漬を行うようにする場合には、前記した事後措置過程後の純水のアップフローも不能化する必要がある。
【００７５】
◎上記実施形態のように、基板処理装置に多機能処理槽３と単機能処理槽４との双方を設けておくことが好ましい。それは、レシピにかかわらずその装置においてすべての基板について行うと想定される処理については単機能処理槽によって定常的に処理を行い、レシピによって処理内容を切り替える可能性がある処理群についてレシピに応じて適宜にモードを切替えつつ多機能処理槽を使用することにより、装置全体のコストを抑えつつ、その汎用性を高めることができるためである。
【００７６】
ただし、装置を構成する処理槽群内に単機能処理槽を設けずに、１又は複数の多機能処理槽だけを設けてモード切替えを行う装置もこの発明の範囲に含まれる。
【００７７】
◎多機能処理槽を複数設ける場合には、それらのうちの全部を多処理モード／単処理モードのモード切替え可能に構成してもよく、一部のみをモード切替え可能に構成してもよい。
【００７８】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１ないし請求項７の発明によれば、多機能処理槽における複数の処理を基板に対して順次に実行させる多処理制御手段と、複数の処理のうちから選択された特定の処理液を用いる処理のみを基板に対して実行させる単処理制御手段との切り替えを行うことができる。その結果、多機能処理槽を多機能的にも単機能的にも使用可能であり、多機能処理槽を備える基板処理装置の利用範囲が拡大される。
【００７９】
また、請求項１ないし請求項７の発明によれば、単処理制御において、多機能処理槽における処理の前に特定の処理液による処理に必要な特定の状態を生成し、基板の浸漬処理まで維持するため、準備過程で生成された特定の状態が、本処理過程に供されるまでの間に乱されることがない。このため、単処理モードにおいて、基板が到着する前に多機能処理槽を本処理用の状態に調整しておくことが可能であり、それによって基板処理のスループットも高くなる。
【００８０】
さらに、請求項１ないし請求項７の発明によれば、純水を多機能処理槽にオーバーフローさせる待機処理を不能化して、特定の状態を維持するため、事前に準備した状態が純水のオーバーフローによって乱されることがない。
【００８１】
また、請求項２の発明によれば、単処理制御では、基板を投入すなわち浸漬した時点から、薬液と純水とを所定の割合で混合した状態つまり所定濃度の処理液に、基板は浸漬するようにして、処理を行うことができ、多処理制御では、基板を投入すなわち浸漬した時点は純水だけで処理液を供給するのに応じて次第に処理液濃度が高まるようにして処理を行うことができ、これら２種の処理を切り換えることができる。
【００８２】
また、請求項３および請求項７の発明によれば、単処理制御において、多機能処理槽における処理が完了した時点の状態を、基板が多機能処理槽から実質的に搬出されるまで維持するため、次の未処理基板に対する処理が迅速に行える。
【００８３】
また、請求項４の発明によれば、切替手段は基板の処理条件に応じて多処理制御手段と単処理制御手段との切替えを行うため、処理すべき基板の処理単位数（たとえばロット）ごとに、多機能処理槽を単処理用と多処理用とで切替え使用することができる。このため、多機能処理槽を備えた基板処理装置を基板の処理単位数ごとにフレキシブルに運用可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る基板処理装置１００の概略構成を示す平面図である。
【図２】多機能処理部３の要部構成を示す図である。
【図３】多機能処理部３の基本動作を説明するフローチャートである。
【図４】多処理制御に係る動作を説明するフローチャートである。
【図５】単処理制御に係る動作を説明するフローチャートである。
【図６】単処理制御に係る各部の動作を説明するタイムチャートである。
【図７】従来例に係る動作を説明するタイムチャートである。
【符号の説明】
３ 多機能処理部
４ 単機能処理部
３１ 多機能処理槽
４１ 単機能処理槽
３２、４２ リフタ
３５ 制御部
６１ 搬送ロボット
１００ 基板処理装置
３５１ 多処理制御手段
３５２ 単処理制御手段
３５３ 切替手段

Claims (7)

1. 基板に対して所定の処理を行う基板処理装置であって、
   (a) 複数種類の処理液を順次に貯留し、各処理液に前記基板を浸漬させることが可能な多機能処理槽と、
   (b) 前記多機能処理槽における複数の処理を基板に対して順次に実行させる多処理制御手段と、
   (c) 前記多機能処理槽において、前記複数の処理のうちから選択された特定の処理液を用いる処理のみを前記基板に対して実行させる単処理制御手段と、
   (d) 前記多処理制御手段と単処理制御手段とを切り替えて選択的に能動化する切替手段と、
   を備えるとともに、
   前記多処理制御手段は、
   ひとつの処理液による基板処理が完了した後、次の処理液の基板処理までの間に純水を前記多機能処理槽にオーバーフローさせて待機処理を行うように設定されており、
   前記単処理制御手段は、
   前記多機能処理槽において前記特定の処理液を使用する処理の前に、当該特定の処理液による処理に必要な特定の状態を生成し、前記多機能処理槽における前記待機処理を不能化して前記基板の浸漬処理まで前記特定の状態を維持する状態維持制御手段、
   を有するとともに、
   前記状態維持制御手段は、多機能処理槽内の前記特定の処理液に関する温度および／または濃度を能動的に制御する能動的制御により、前記特定の状態を維持し、
   前記切替手段は、前記基板の処理条件が記述されたレシピにおいて、前記多処理制御手段による処理が指定されている場合には、前記多処理制御手段を選択して能動化する一方、前記単処理制御手段による処理が指定されている場合には、前記単処理制御手段を選択して能動化することを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   前記特定の状態は、薬液と純水とを所定の割合で混合した状態であることを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、
   前記単処理制御手段は、
   前記多機能処理槽において前記特定の処理液を使用した処理が完了した時点の状態を、前記基板が前記多機能処理槽から実質的に搬出されるまで維持する手段、
   を有することを特徴とする基板処理装置。
4. 請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記切替手段は、基板の処理条件に応じて、前記多処理制御手段と前記単処理制御手段との切替えを行うことが可能であることを特徴とする基板処理装置。
5. 基板に対して所定の処理を行う基板処理装置であって、
   (a) 所定の処理液に前記基板を浸漬させる単機能処理槽と、
   (b) 前記単機能処理槽とともに前記装置内に併設され、複数種類の処理液を順次に貯留して、各処理液に前記基板を浸漬させることが可能な多機能処理槽と、
   (c) 前記多機能処理槽における複数の処理を基板に対して順次に実行させる多処理制御手段と、
   (d) 前記多機能処理槽において、前記複数の処理のうちから選択された特定の処理液を用いる処理のみを前記基板に対して実行させる単処理制御手段と、
   (e) 前記多処理制御手段と単処理制御手段とを切り替えて選択的に能動化する切替手段と、
   (f) 前記多機能処理槽と、前記単機能処理槽とを含む処理槽列に沿って基板を順次に搬送する搬送手段と、
   を備えるとともに、
   前記多処理制御手段は、
   ひとつの処理液による基板処理が完了した後、次の処理液の基板処理までの間に純水を前記多機能処理槽にオーバーフローさせて待機処理を行うように設定されており、
   前記単処理制御手段は、
   前記多機能処理槽において前記特定の処理液を使用する処理の前に、当該特定の処理液による処理に必要な特定の状態を生成し、前記多機能処理槽における前記待機処理を不能化して前記基板の浸漬処理まで前記特定の状態を維持する状態維持制御手段、
   を有するとともに、
   前記状態維持制御手段は、多機能処理槽内の前記特定の処理液に関する温度および／または濃度を能動的に制御する能動的制御により、前記特定の状態を維持し、
   前記切替手段は、前記基板の処理条件が記述されたレシピにおいて、前記多処理制御手段による処理が指定されている場合には、前記多処理制御手段を選択して能動化する一方、前記単処理制御手段による処理が指定されている場合には、前記単処理制御手段を選択して能動化することを特徴とする基板処理装置。
6. 基板に対して所定の処理を行う基板処理方法であって、
   (a) 複数種類の処理液を順次に貯留し、各処理液に前記基板を浸漬させることが可能な多機能処理槽を備える基板処理装置を構築する工程と、
   (b) 被処理基板の処理条件に応じて、
   1) 前記多機能処理槽の複数の処理を順次に実行する多処理モードと、
   2) 前記多機能処理槽において、前記複数の処理のうちの特定の処理液を使用する処理のみを実行する単処理モードと、
   を選択的に能動化する工程と、
   を備えるとともに、
   前記多処理モードでは、
   ひとつの処理液による基板処理が完了した後、次の処理液の基板処理までの間に純水を前記多機能処理槽にオーバーフローさせて待機処理を行うように設定されており、
   前記単処理モードは、
   前記多機能処理槽において前記特定の処理液を使用する処理の前に、当該特定の処理液による処理に必要な特定の状態を生成し、前記多機能処理槽における前記待機処理を不能化して前記基板の浸漬処理まで前記特定の状態を維持する状態維持制御工程、
   を有するとともに、
   前記状態維持制御工程では、多機能処理槽内の前記特定の処理液に関する温度および／または濃度を能動的に制御する能動的制御により、前記特定の状態を維持し、
   前記工程 (b) では、前記基板の処理条件が記述されたレシピにおいて、前記多処理モードによる処理が指定されている場合には、前記多処理モードを選択して能動化する一方、前記単処理モードによる処理が指定されている場合には、前記単処モードを選択して能動化することを特徴とする基板処理方法。
7. 請求項６に記載の基板処理方法において、
   前記単処理モードは、
   前記多機能処理槽において前記特定の処理液を使用した処理が完了した時点の状態を、前記基板が前記多機能処理槽から実質的に搬出されるまで維持する工程、
   を有することを特徴とする基板処理方法。

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