JP7159456B2 - Substrate processing method and substrate processing apparatus - Google Patents

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Description

本開示は、基板処理方法及び基板処理装置に関する。 The present disclosure relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus.

従来から、半導体デバイスを製造する際の処理のーつとして、半導体ウエハ（以下ウエハという）等の基板の表面に形成された金属膜をエッチング液によりエッチングするウェットエッチング処理技術が知られている。また近年、ウエハの表面にルテニウム（Ｒｕ）又はルテニウム合金を使用することが検討されており、ルテニウム又はルテニウム合金をエッチングおよび洗浄することが求められている（例えば特許文献１を参照）。 2. Description of the Related Art Conventionally, as one of processes for manufacturing semiconductor devices, a wet etching process technique for etching a metal film formed on a surface of a substrate such as a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) with an etchant has been known. In recent years, the use of ruthenium (Ru) or a ruthenium alloy for the surface of a wafer has been studied, and etching and cleaning of ruthenium or a ruthenium alloy are required (see Patent Document 1, for example).

国際公開第２０１６／０６８１８３号WO2016/068183

本開示は、ルテニウム又はルテニウム合金を良好にエッチングすることが可能な、基板処理方法及び基板処理装置を提供する。 The present disclosure provides a substrate processing method and substrate processing apparatus capable of satisfactorily etching ruthenium or a ruthenium alloy.

一実施形態による基板処理方法は、ルテニウム膜又はルテニウム合金膜が形成された基板を準備することと、前記基板の属性を判定することと、前記基板の属性に応じて処理レシピを選択することと、選択された前記処理レシピに基づいて前記基板を処理液で処理することと、を備えている。 A substrate processing method according to one embodiment comprises preparing a substrate on which a ruthenium film or a ruthenium alloy film is formed, determining attributes of the substrate, and selecting a processing recipe according to the attributes of the substrate. and treating the substrate with a treatment liquid based on the selected treatment recipe.

本開示によれば、ルテニウム又はルテニウム合金を良好にエッチングすることができる。 According to the present disclosure, ruthenium or ruthenium alloy can be etched well.

図１は、一実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate processing system according to one embodiment. 図２は、図１に示す処理ユニット（基板処理装置）の概略構成を示す側断面図である。FIG. 2 is a side sectional view showing a schematic configuration of the processing unit (substrate processing apparatus) shown in FIG. 図３は、一実施形態に係る基板処理方法を示すフロー図である。FIG. 3 is a flow diagram showing a substrate processing method according to one embodiment. 図４は、第１レシピが選択された場合の基板処理工程を示すフロー図である。FIG. 4 is a flowchart showing substrate processing steps when the first recipe is selected. 図５は、第２レシピが選択された場合の基板処理工程を示すフロー図である。FIG. 5 is a flowchart showing substrate processing steps when the second recipe is selected.

［基板処理システム］
図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。[Substrate processing system]
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing system according to this embodiment. Hereinafter, in order to clarify the positional relationship, the X-axis, Y-axis and Z-axis are defined to be orthogonal to each other, and the positive direction of the Z-axis is defined as the vertically upward direction.

図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。 As shown in FIG. 1, the substrate processing system 1 includes a loading/unloading station 2 and a processing station 3 . The loading/unloading station 2 and the processing station 3 are provided adjacently.

搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚のウエハＷを水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。 The loading/unloading station 2 includes a carrier placement section 11 and a transport section 12 . A plurality of carriers C accommodating a plurality of wafers W in a horizontal state are mounted on the carrier mounting portion 11 .

搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウエハＷを保持する基板保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、基板保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウエハＷの搬送を行う。 The transfer section 12 is provided adjacent to the carrier mounting section 11 and includes a substrate transfer device 13 and a transfer section 14 therein. The substrate transfer device 13 includes a substrate holding mechanism that holds the wafer W. As shown in FIG. Further, the substrate transfer device 13 can move in the horizontal direction and the vertical direction and can rotate around the vertical axis, and transfers the wafer W between the carrier C and the delivery section 14 using the substrate holding mechanism. conduct.

処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。 The processing station 3 is provided adjacent to the transport section 12 . The processing station 3 comprises a transport section 15 and a plurality of processing units 16 . A plurality of processing units 16 are arranged side by side on both sides of the transport section 15 .

搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウエハＷを保持する基板保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、基板保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウエハＷの搬送を行う。 The transport unit 15 includes a substrate transport device 17 inside. The substrate transfer device 17 includes a substrate holding mechanism that holds the wafer W. As shown in FIG. In addition, the substrate transfer device 17 can move in the horizontal direction and the vertical direction and can rotate around the vertical axis, and transfers the wafer W between the delivery section 14 and the processing unit 16 using the substrate holding mechanism. I do.

処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウエハＷに対して所定の基板処理を行う。 The processing unit 16 performs predetermined substrate processing on the wafer W transferred by the substrate transfer device 17 .

また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。 The substrate processing system 1 also includes a control device 4 . Control device 4 is, for example, a computer, and includes control unit 18 and storage unit 19 . The storage unit 19 stores programs for controlling various processes executed in the substrate processing system 1 . The control unit 18 controls the operation of the substrate processing system 1 by reading and executing programs stored in the storage unit 19 .

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。 The program may be recorded in a computer-readable storage medium and installed in the storage unit 19 of the control device 4 from the storage medium. Examples of computer-readable storage media include hard disks (HD), flexible disks (FD), compact disks (CD), magnet optical disks (MO), and memory cards.

上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウエハＷを取り出し、取り出したウエハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウエハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。 In the substrate processing system 1 configured as described above, first, the substrate transfer device 13 of the loading/unloading station 2 takes out the wafer W from the carrier C placed on the carrier platform 11, and receives the taken out wafer W. It is placed on the transfer section 14 . The wafer W placed on the transfer section 14 is taken out from the transfer section 14 by the substrate transfer device 17 of the processing station 3 and carried into the processing unit 16 .

処理ユニット１６へ搬入されたウエハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウエハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。 The wafer W loaded into the processing unit 16 is processed by the processing unit 16 , then unloaded from the processing unit 16 by the substrate transfer device 17 and placed on the delivery section 14 . Then, the processed wafer W placed on the transfer section 14 is returned to the carrier C on the carrier placement section 11 by the substrate transfer device 13 .

［処理ユニット］
次に、処理ユニット（基板処理装置）１６の概略構成について図２を参照して説明する。図２は、処理ユニット１６の概略構成を示す図である。[Processing unit]
Next, a schematic configuration of the processing unit (substrate processing apparatus) 16 will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration of the processing unit 16. As shown in FIG.

処理ユニット１６は、表面にルテニウム膜又はルテニウム合金膜が形成されたウエハ（基板）Ｗに対してエッチング処理を行うことにより、ルテニウム膜又はルテニウム合金膜を選択的に除去するものである。本実施形態において、処理ユニット１６が行う基板処理は、少なくともエッチング処理を含むが、エッチング処理以外の基板処理が含まれていてもよい。 The processing unit 16 selectively removes the ruthenium film or the ruthenium alloy film by etching the wafer (substrate) W having the ruthenium film or the ruthenium alloy film formed on the surface thereof. In this embodiment, the substrate processing performed by the processing unit 16 includes at least etching processing, but may include substrate processing other than etching processing.

処理ユニット１６は、チャンバ２１と、チャンバ２１内に配置され、ウエハＷを保持する基板保持部２２と、基板保持部２２に保持されたウエハＷに対して処理液を供給する処理液供給部３０とを備えている。また、処理ユニット１６は、上述した制御装置４の制御部１８によって制御される。 The processing unit 16 includes a chamber 21, a substrate holding section 22 that is arranged in the chamber 21 and holds a wafer W, and a processing liquid supply section 30 that supplies a processing liquid to the wafer W held by the substrate holding section 22. and Further, the processing unit 16 is controlled by the control section 18 of the control device 4 described above.

基板保持部２２は、チャンバ２１内において鉛直方向に延在する回転軸２３と、回転軸２３の上端部に取り付けられたターンテーブル２４とを有する。ターンテーブル２４の上面外周部には、ウエハＷの外縁部を支持するチャック２５が設けられている。回転軸２３は、駆動部２６によって回転駆動される。 The substrate holder 22 has a rotating shaft 23 extending vertically in the chamber 21 and a turntable 24 attached to the upper end of the rotating shaft 23 . A chuck 25 for supporting the outer edge of the wafer W is provided on the outer periphery of the upper surface of the turntable 24 . The rotating shaft 23 is rotationally driven by the driving portion 26 .

ウエハＷは、チャック２５に支持され、ターンテーブル２４の上面からわずかに離間した状態で、ターンテーブル２４に水平保持される。本実施形態において、基板保持部２２によるウエハＷの保持方式は、可動のチャック２５によってウエハＷの外縁部を把持するいわゆるメカニカルチャックタイプのものである。しかしながらこれに限らず、ウエハＷの保持方式は、ウエハＷの裏面を真空吸着するいわゆるバキュームチャックタイプのものであってもよい。 The wafer W is supported by the chuck 25 and held horizontally on the turntable 24 while being slightly separated from the upper surface of the turntable 24 . In this embodiment, the method of holding the wafer W by the substrate holding unit 22 is a so-called mechanical chuck type in which the outer edge of the wafer W is held by the movable chuck 25 . However, the method for holding the wafer W is not limited to this, and may be a so-called vacuum chuck type in which the back surface of the wafer W is vacuum-sucked.

回転軸２３の基端部は、駆動部２６により回転可能に支持され、回転軸２３の先端部は、ターンテーブル２４を水平に支持する。回転軸２３が回転すると、回転軸２３の上端部に取り付けられたターンテーブル２４が回転し、これにより、チャック２５に支持された状態でターンテーブル２４に保持されたウエハＷが回転する。 A base end portion of the rotating shaft 23 is rotatably supported by the driving portion 26 , and a distal end portion of the rotating shaft 23 horizontally supports the turntable 24 . When the rotating shaft 23 rotates, the turntable 24 attached to the upper end of the rotating shaft 23 rotates, thereby rotating the wafer W held on the turntable 24 while being supported by the chuck 25 .

処理液供給部３０は、ウエハＷに対して各種処理液を供給するものである。処理液供給部３０は、移動体３１と、第１エッチング液供給部４１と、第２エッチング液供給部４２と、第１薬液供給部４３と、第２薬液供給部４４と、第１リンス液供給部４５と、第２リンス液供給部４６とを有している。移動体３１には、基板保持部２２に保持されたウエハＷに対して、各種処理液を吐出するノズル４１ａ～４６ａが取り付けられている。 The processing liquid supply unit 30 supplies various processing liquids to the wafer W. As shown in FIG. The processing liquid supply section 30 includes a moving body 31, a first etching liquid supply section 41, a second etching liquid supply section 42, a first chemical liquid supply section 43, a second chemical liquid supply section 44, and a first rinse liquid. It has a supply section 45 and a second rinse liquid supply section 46 . Nozzles 41a to 46a for ejecting various processing liquids onto the wafer W held by the substrate holding part 22 are attached to the moving body 31. As shown in FIG.

移動体３１は、ノズル移動機構３２に連結されている。ノズル移動機構３２は、移動体３１を駆動する。ノズル移動機構３２は、アーム３３と、アーム３３を旋回及び昇降させる旋回昇降機構３４とを有する。ノズル移動機構３２は、移動体３１を、基板保持部２２に保持されたウエハＷの中心の上方の位置とウエハＷの周縁の上方の位置との間で移動させることができ、さらには、平面視で後述するカップ３７の外側にある待機位置まで移動させることができる。 The moving body 31 is connected to the nozzle moving mechanism 32 . The nozzle moving mechanism 32 drives the moving body 31 . The nozzle moving mechanism 32 has an arm 33 and a turning lifting mechanism 34 for turning and lifting the arm 33 . The nozzle moving mechanism 32 can move the moving body 31 between a position above the center of the wafer W held by the substrate holding part 22 and a position above the periphery of the wafer W. It can be visually moved to a standby position outside the cup 37, which will be described later.

次に、第１エッチング液供給部４１、第２エッチング液供給部４２、第１薬液供給部４３、第２薬液供給部４４、第１リンス液供給部４５、及び第２リンス液供給部４６について説明する。 Next, the first etching liquid supply section 41, the second etching liquid supply section 42, the first chemical liquid supply section 43, the second chemical liquid supply section 44, the first rinse liquid supply section 45, and the second rinse liquid supply section 46 explain.

第１エッチング液供給部４１は、基板保持部２２に保持されたウエハＷに対して、第１エッチング液Ｌ１を供給するものである。第１エッチング液供給部４１は、基板保持部２２に保持されたウエハＷに対して第１エッチング液Ｌ１を吐出するノズル４１ａと、ノズル４１ａに第１エッチング液Ｌ１を供給する第１エッチング液供給源４１ｂとを備える。第１エッチング液供給源４１ｂが有するタンクには、第１エッチング液Ｌ１が貯留されており、ノズル４１ａには、第１エッチング液供給源４１ｂから、バルブ４１ｃ等の流量調整器が介設された供給管路４１ｄを通じて、第１エッチング液Ｌ１が供給される。 The first etchant supply unit 41 supplies the first etchant L1 to the wafer W held by the substrate holding unit 22 . The first etchant supply unit 41 includes a nozzle 41a for discharging a first etchant L1 onto the wafer W held by the substrate holding unit 22, and a first etchant supply unit for supplying the first etchant L1 to the nozzle 41a. source 41b. The first etching liquid L1 is stored in the tank of the first etching liquid supply source 41b, and the nozzle 41a is provided with a flow rate regulator such as a valve 41c from the first etching liquid supply source 41b. The first etching liquid L1 is supplied through the supply pipe line 41d.

第２エッチング液供給部４２は、基板保持部２２に保持されたウエハＷに対して、第２エッチング液Ｌ２を供給するものである。第２エッチング液供給部４２は、基板保持部２２に保持されたウエハＷに対して第２エッチング液Ｌ２を吐出するノズル４２ａと、ノズル４２ａに第２エッチング液Ｌ２を供給する第２エッチング液供給源４２ｂとを備える。第２エッチング液供給源４２ｂが有するタンクには、第２エッチング液Ｌ２が貯留されており、ノズル４２ａには、第２エッチング液供給源４２ｂから、バルブ４２ｃ等の流量調整器が介設された供給管路４２ｄを通じて、第２エッチング液Ｌ２が供給される。 The second etching liquid supply section 42 supplies the second etching liquid L2 to the wafer W held by the substrate holding section 22 . The second etchant supply unit 42 includes a nozzle 42a that discharges the second etchant L2 onto the wafer W held by the substrate holder 22, and a second etchant supply that supplies the second etchant L2 to the nozzle 42a. source 42b. The tank of the second etching liquid supply source 42b stores the second etching liquid L2, and the nozzle 42a is provided with a flow rate regulator such as a valve 42c from the second etching liquid supply source 42b. The second etchant L2 is supplied through the supply pipeline 42d.

第１薬液供給部４３は、基板保持部２２に保持されたウエハＷに対して、第１薬液Ｌ３を供給するものである。第１薬液供給部４３は、基板保持部２２に保持されたウエハＷに対して第１薬液Ｌ３を吐出するノズル４３ａと、ノズル４３ａに第１薬液Ｌ３を供給する第１薬液供給源４３ｂとを備える。第１薬液供給源４３ｂが有するタンクには、第１薬液Ｌ３が貯留されており、ノズル４３ａには、第１薬液供給源４３ｂから、バルブ４３ｃ等の流量調整器が介設された供給管路４３ｄを通じて、第１薬液Ｌ３が供給される。 The first chemical liquid supply section 43 supplies the first chemical liquid L3 to the wafer W held by the substrate holding section 22 . The first chemical liquid supply unit 43 includes a nozzle 43a that discharges the first chemical liquid L3 onto the wafer W held by the substrate holder 22, and a first chemical liquid supply source 43b that supplies the first chemical liquid L3 to the nozzle 43a. Prepare. The tank of the first chemical liquid supply source 43b stores the first chemical liquid L3, and the nozzle 43a is supplied from the first chemical liquid supply source 43b to the nozzle 43a. The first chemical liquid L3 is supplied through 43d.

第２薬液供給部４４は、基板保持部２２に保持されたウエハＷに対して、第２薬液Ｌ４を供給するものである。第２薬液供給部４４は、基板保持部２２に保持されたウエハＷに対して第２薬液Ｌ４を吐出するノズル４４ａと、ノズル４４ａに第２薬液Ｌ４を供給する第２薬液供給源４４ｂとを備える。第２薬液供給源４４ｂが有するタンクには、第２薬液Ｌ４が貯留されており、ノズル４４ａには、第２薬液供給源４４ｂから、バルブ４４ｃ等の流量調整器が介設された供給管路４４ｄを通じて、第２薬液Ｌ４が供給される。 The second chemical liquid supply section 44 supplies the second chemical liquid L4 to the wafer W held by the substrate holding section 22 . The second chemical liquid supply unit 44 includes a nozzle 44a that discharges the second chemical liquid L4 onto the wafer W held by the substrate holder 22, and a second chemical liquid supply source 44b that supplies the second chemical liquid L4 to the nozzle 44a. Prepare. The second chemical liquid L4 is stored in the tank of the second chemical liquid supply source 44b, and the nozzle 44a is supplied from the second chemical liquid supply source 44b to the nozzle 44a. The second chemical liquid L4 is supplied through 44d.

第１リンス液供給部４５は、基板保持部２２に保持されたウエハＷに対して、第１リンス液Ｌ５を供給するものである。第１リンス液供給部４５は、基板保持部２２に保持されたウエハＷに対して第１リンス液Ｌ５を吐出するノズル４５ａと、ノズル４５ａに第１リンス液Ｌ５を供給する第１リンス液供給源４５ｂとを備える。第１リンス液供給源４５ｂが有するタンクには、第１リンス液Ｌ５が貯留されており、ノズル４５ａには、第１リンス液供給源４５ｂから、バルブ４５ｃ等の流量調整器が介設された供給管路４５ｄを通じて、第１リンス液Ｌ５が供給される。 The first rinse liquid supply part 45 supplies the first rinse liquid L<b>5 to the wafer W held by the substrate holding part 22 . The first rinse liquid supply unit 45 includes a nozzle 45a that discharges a first rinse liquid L5 onto the wafer W held by the substrate holder 22, and a first rinse liquid supply unit that supplies the first rinse liquid L5 to the nozzle 45a. source 45b. The first rinse liquid L5 is stored in the tank of the first rinse liquid supply source 45b, and the nozzle 45a is provided with a flow rate regulator such as a valve 45c from the first rinse liquid supply source 45b. A first rinse liquid L5 is supplied through the supply pipe line 45d.

第２リンス液供給部４６は、基板保持部２２に保持されたウエハＷに対して、第２リンス液Ｌ６を供給するものである。第２リンス液供給部４６は、基板保持部２２に保持されたウエハＷに対して第２リンス液Ｌ６を吐出するノズル４６ａと、ノズル４６ａに第２リンス液Ｌ６を供給する第２リンス液供給源４６ｂとを備える。第２リンス液供給源４６ｂが有するタンクには、第２リンス液Ｌ６が貯留されており、ノズル４６ａには、第２リンス液供給源４６ｂから、バルブ４６ｃ等の流量調整器が介設された供給管路４６ｄを通じて、第２リンス液Ｌ６が供給される。 The second rinse liquid supply part 46 supplies the second rinse liquid L<b>6 to the wafer W held by the substrate holding part 22 . The second rinse liquid supply unit 46 includes a nozzle 46a that discharges the second rinse liquid L6 onto the wafer W held by the substrate holder 22, and a second rinse liquid supply that supplies the second rinse liquid L6 to the nozzle 46a. source 46b. The second rinse liquid L6 is stored in the tank of the second rinse liquid supply source 46b, and the nozzle 46a is provided with a flow rate regulator such as a valve 46c from the second rinse liquid supply source 46b. The second rinse liquid L6 is supplied through the supply pipe line 46d.

第１エッチング液Ｌ１及び第２エッチング液Ｌ２は、それぞれウエハＷ上に形成されたルテニウム膜又はルテニウム合金膜をエッチング可能なルテニウムエッチング処理液である。第１エッチング液Ｌ１及び第２エッチング液Ｌ２としては、互いに異なる組成からなるエッチング処理液が用いられる。本実施形態において、第１エッチング液Ｌ１としては、例えば次亜塩素酸ナトリウム及び硝酸セリウムアンモニウムのうちいずれか一方を含む溶液が用いられる。また、第２エッチング液Ｌ２としては、例えばオルト過ヨウ素酸水溶液、又はオルト過ヨウ素酸水溶液とアンモニア水との混合液が用いられる。 The first etching liquid L1 and the second etching liquid L2 are ruthenium etching liquids capable of etching the ruthenium film or the ruthenium alloy film formed on the wafer W, respectively. Etching liquids having different compositions are used as the first etching liquid L1 and the second etching liquid L2. In this embodiment, as the first etching liquid L1, for example, a solution containing either one of sodium hypochlorite and ceric ammonium nitrate is used. As the second etching liquid L2, for example, an orthoperiodic acid aqueous solution or a mixture of an orthoperiodic acid aqueous solution and ammonia water is used.

第１薬液Ｌ３及び第２薬液Ｌ４は、それぞれウエハＷ上に形成された不要な金属成分等を洗浄除去する洗浄処理液である。第１薬液Ｌ３及び第２薬液Ｌ４としては、互いに異なる組成からなる洗浄処理液が用いられる。本実施形態において、第１薬液Ｌ３としては、例えばＳＰＭ（硫酸過水）が用いられる。また、第２薬液Ｌ４としては、例えばＳＣ－１（アンモニア水と過酸化水素水との混合溶液）が用いられる。 The first chemical liquid L3 and the second chemical liquid L4 are cleaning liquids for cleaning and removing unnecessary metal components and the like formed on the wafer W, respectively. Cleaning liquids having different compositions are used as the first chemical liquid L3 and the second chemical liquid L4. In this embodiment, for example, SPM (sulfuric acid peroxide mixture) is used as the first chemical liquid L3. SC-1 (mixed solution of ammonia water and hydrogen peroxide water), for example, is used as the second chemical liquid L4.

第１リンス液Ｌ５及び第２リンス液Ｌ６は、それぞれウエハＷ上の処理液等をリンスするリンス処理液である。本実施形態において、第１リンス液Ｌ５としては、例えば常温の純水（ＤＩＷ）が用いられる。また、第２リンス液Ｌ６としては、例えば高温（例えば６０℃～８０℃）の純水（Ｈｏｔ－ＤＩＷ）が用いられる。 The first rinsing liquid L5 and the second rinsing liquid L6 are rinsing liquids for rinsing the processing liquid and the like on the wafer W, respectively. In the present embodiment, room temperature pure water (DIW) is used as the first rinse liquid L5, for example. As the second rinse liquid L6, for example, high-temperature (eg, 60° C. to 80° C.) pure water (Hot-DIW) is used.

基板保持部２２の周囲には、カップ３７が配置されている。カップ３７は、ウエハＷから飛散した各種処理液（例えば、第１エッチング液Ｌ１、第２エッチング液Ｌ２、第１薬液Ｌ３、第２薬液Ｌ４、第１リンス液Ｌ５、及び第２リンス液Ｌ６等）を受け止めてチャンバ２１の外方に排出する。カップ３７は、カップ３７を上下方向に駆動させる昇降機構３８に連結されている。 A cup 37 is arranged around the substrate holding portion 22 . The cup 37 holds various processing liquids (eg, the first etching liquid L1, the second etching liquid L2, the first chemical liquid L3, the second chemical liquid L4, the first rinse liquid L5, the second rinse liquid L6, etc.) scattered from the wafer W. ) are received and discharged to the outside of the chamber 21 . The cup 37 is connected to an elevating mechanism 38 that drives the cup 37 vertically.

カップ３７には、カップ３７から排出された処理液（この場合は第２エッチング液Ｌ２）に含まれるルテニウムを回収する回収ユニット６０が接続されている。回収ユニット６０は、回収タンク６１と、ポンプ６２と、切替弁６３と、循環ライン６４と、フィルタ６５と、戻りライン６６とを有している。回収タンク６１は、カップ３７から排出された第２エッチング液Ｌ２を一時的に貯留する。回収タンク６１には、ルテニウムを捕捉するルテニウム捕捉剤が投入されている。ポンプ６２は、回収タンク６１からの第２エッチング液Ｌ２を切替弁６３側に送液する。切替弁６３は、例えば電磁弁を含み、制御部１８によって制御されることにより、ポンプ６２から送られた第２エッチング液Ｌ２を、循環ライン６４と戻りライン６６との間で流路を切り換えて送り出す。循環ライン６４は、回収タンク６１の周囲で第２エッチング液Ｌ２を循環させる。フィルタ６５は、循環ライン６４の途中に設けられており、第２エッチング液Ｌ２に含まれるルテニウム捕捉剤に捕捉されたルテニウムを回収する。戻りライン６６は、切替弁６３に接続され、ルテニウムが回収された後の第２エッチング液Ｌ２を第２エッチング液供給源４２ｂのタンクに戻す流路である。なお、後述するように、回収ユニット６０は、特定の種類の処理液（例えば第２エッチング液Ｌ２）に含まれるルテニウムを回収することが可能である。一方、回収ユニット６０は、特定の種類の処理液（例えば第１エッチング液Ｌ１）に含まれるルテニウムを回収することは困難である。 A recovery unit 60 is connected to the cup 37 to recover ruthenium contained in the processing liquid (in this case, the second etching liquid L2) discharged from the cup 37 . The recovery unit 60 has a recovery tank 61 , a pump 62 , a switching valve 63 , a circulation line 64 , a filter 65 and a return line 66 . The recovery tank 61 temporarily stores the second etchant L2 discharged from the cup 37 . The recovery tank 61 is filled with a ruthenium scavenger that captures ruthenium. The pump 62 feeds the second etchant L2 from the collection tank 61 to the switching valve 63 side. The switching valve 63 includes, for example, an electromagnetic valve, and is controlled by the control unit 18 to switch the flow path of the second etching liquid L2 sent from the pump 62 between the circulation line 64 and the return line 66. send out. The circulation line 64 circulates the second etchant L2 around the recovery tank 61 . The filter 65 is provided in the middle of the circulation line 64 and recovers the ruthenium captured by the ruthenium capturing agent contained in the second etching liquid L2. The return line 66 is a flow path that is connected to the switching valve 63 and returns the second etchant L2 from which ruthenium has been recovered to the tank of the second etchant supply source 42b. As will be described later, the recovery unit 60 can recover ruthenium contained in a specific type of processing liquid (for example, the second etching liquid L2). On the other hand, it is difficult for the recovery unit 60 to recover ruthenium contained in a specific type of processing liquid (eg, first etching liquid L1).

制御部１８は、属性判定部５１と、レシピ選択部５２と、回収可否判定部５３とを有している。 The control unit 18 has an attribute determination unit 51 , a recipe selection unit 52 , and a collection availability determination unit 53 .

本実施形態において、属性判定部５１は、処理対象となるウエハＷの属性を判定する。ウエハＷの属性としては、例えばウエハＷに形成されたルテニウム膜又はルテニウム合金膜に関する情報が含まれても良い。具体的には、当該ウエハＷのルテニウム膜又はルテニウム合金膜の成分（例えばＲｕ、ＲｕＷ（Ｎ）等）と、当該ウエハＷのルテニウム膜又はルテニウム合金膜の成膜方法（例えばＣＶＤ、ＰＶＤ等）とが含まれても良い。属性判定部５１は、ウエハＷの属性を、例えばウエハＷに付与されたウエハＩＤ、ウエハＷのエッチングに用いられたプロセス条件（処理レシピ）、ウエハＷが所属する処理ロット、ウエハＷが処理されたエッチング装置の装置番号等に基づいて判断しても良い。 In this embodiment, the attribute determining unit 51 determines the attribute of the wafer W to be processed. The attributes of the wafer W may include information on the ruthenium film or ruthenium alloy film formed on the wafer W, for example. Specifically, the components of the ruthenium film or ruthenium alloy film of the wafer W (e.g., Ru, RuW(N), etc.) and the method of forming the ruthenium film or ruthenium alloy film of the wafer W (e.g., CVD, PVD, etc.) and may be included. The attribute determining unit 51 determines the attributes of the wafer W, for example, a wafer ID assigned to the wafer W, a process condition (processing recipe) used for etching the wafer W, a processing lot to which the wafer W belongs, and a processing lot in which the wafer W is processed. The determination may be made based on the device number of the etching device or the like.

レシピ選択部５２は、属性判定部５１によって判定されたウエハＷの属性に応じて処理レシピを選択する。処理レシピは、制御装置４の記憶部１９（図１参照）に予め記憶されている。処理対象となるウエハＷは、レシピ選択部５２によって選択された処理レシピ及び制御プログラムに基づいて処理（エッチング処理）される。処理レシピとは、各処理工程において、ウエハＷに対して施される処理の条件を詳細に定義したデータである。処理レシピにおいて定義され処理条件は、ウエハ回転数、処理時間、処理順序、処理液や気体の種類及び供給量、ノズル位置等多岐にわたる。 Recipe selection unit 52 selects a processing recipe according to the attribute of wafer W determined by attribute determination unit 51 . The processing recipe is pre-stored in the storage unit 19 (see FIG. 1) of the control device 4 . The wafer W to be processed is processed (etched) based on the processing recipe and control program selected by the recipe selection unit 52 . The processing recipe is data that defines in detail the processing conditions for the wafer W in each processing step. The processing conditions defined in the processing recipe vary widely, such as wafer rotation speed, processing time, processing order, types and supply amounts of processing liquids and gases, and nozzle positions.

回収可否判定部５３は、レシピ選択部５２によって選択された処理レシピに基づいて、回収ユニット６０が処理液に含まれるルテニウムを回収可能か否か判断する。具体的には、回収可否判定部５３は、レシピ選択部５２によって選択された処理レシピに基づき、処理プロセスで用いられる処理液の種類を判別する。また、回収可否判定部５３は、判別した処理液の種類が回収ユニット６０での回収に適するかを判断する。例えば、カップ３７から排出される処理液がオルト過ヨウ素酸水溶液、又はオルト過ヨウ素酸水溶液とアンモニア水との混合液を含む第２エッチング液Ｌ２である場合、回収可否判定部５３は、回収ユニット６０が処理液に含まれるルテニウムを回収可能と判断する。この場合、回収ユニット６０は、カップ３７から排出された処理液に含まれるルテニウムを回収する。一方、例えば、カップ３７から排出される処理液が次亜塩素酸ナトリウム及び硝酸セリウムアンモニウムのうちいずれか一方を含む第１エッチング液Ｌ１である場合、回収可否判定部５３は、回収ユニット６０が処理液に含まれるルテニウムを回収不可能と判断する。この場合、カップ３７から排出された処理液は回収ユニット６０を経由せず、回収ユニット６０は処理液に含まれるルテニウムを回収しない。 The recoverability determination unit 53 determines whether or not the recovery unit 60 can recover ruthenium contained in the processing liquid based on the processing recipe selected by the recipe selection unit 52 . Specifically, the recoverability determination unit 53 determines the type of processing liquid used in the processing process based on the processing recipe selected by the recipe selection unit 52 . In addition, the recoverability determination unit 53 determines whether the determined type of treatment liquid is suitable for recovery in the recovery unit 60 . For example, when the processing liquid discharged from the cup 37 is the orthoperiodic acid aqueous solution or the second etching liquid L2 containing the mixed liquid of the orthoperiodic acid aqueous solution and the ammonia water, the recoverability determination unit 53 includes the recovery unit 60 determines that the ruthenium contained in the treatment liquid can be recovered. In this case, the recovery unit 60 recovers ruthenium contained in the treatment liquid discharged from the cup 37 . On the other hand, for example, when the processing liquid discharged from the cup 37 is the first etching liquid L1 containing either one of sodium hypochlorite and cerium ammonium nitrate, the recovery determination unit 53 determines that the recovery unit 60 is processing. Ruthenium contained in the liquid is determined to be unrecoverable. In this case, the processing liquid discharged from the cup 37 does not pass through the recovery unit 60, and the recovery unit 60 does not recover ruthenium contained in the processing liquid.

［基板処理方法］
次に、本実施形態による基板処理方法について、図３乃至図５を参照して説明する。[Substrate processing method]
Next, a substrate processing method according to this embodiment will be described with reference to FIGS. 3 to 5. FIG.

［ウエハ準備］
はじめに、ルテニウム膜又はルテニウム合金膜が形成されたウエハＷを準備する（図３のステップＳ１）。このウエハＷには、予めルテニウム膜又はルテニウム合金膜が成膜されている。ルテニウム膜又はルテニウム合金膜の成膜法は、例えば物理蒸着法（ＰＶＤ：Physical Vapor Deposition）又は化学蒸着法（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）等であっても良い。[Wafer preparation]
First, a wafer W having a ruthenium film or a ruthenium alloy film formed thereon is prepared (step S1 in FIG. 3). A ruthenium film or a ruthenium alloy film is formed on the wafer W in advance. The method of forming the ruthenium film or the ruthenium alloy film may be, for example, physical vapor deposition (PVD) or chemical vapor deposition (CVD).

［ウエハ属性判定］
次に、属性判定部５１は、処理対象となるウエハＷの属性を判定する（図３のステップＳ２）。上述したように、ウエハＷの属性としては、ルテニウム膜又はルテニウム合金膜の成分（例えばＲｕ、ＲｕＷ（Ｎ）等）と、ルテニウム膜又はルテニウム合金膜の成膜方法（例えばＣＶＤ、ＰＶＤ等）が含まれても良い。ウエハＷの属性は、例えばウエハＷに付与されたＩＤ（ウエハＩＤ）、ウエハＷのエッチングに用いられたプロセス条件（処理レシピ）、ウエハＷが所属する処理ロット、ウエハＷが処理されたエッチング装置の装置番号等に基づいて判断される。本実施形態において、属性判定部５１は、ルテニウム膜又はルテニウム合金膜の成分とその成膜方法とに基づいて属性を判定する。一例として、属性判定部５１は、ウエハＷの膜の属性が（ｉ）ＰＶＤによって製膜されたＲｕ膜、（ii）ＣＶＤによって製膜されたＲｕ膜、及び、（iii）ＰＶＤによって製膜されたＲｕＷ（Ｎ）膜のうち、いずれかであるかを判定する。[Wafer attribute determination]
Next, the attribute determining unit 51 determines the attribute of the wafer W to be processed (step S2 in FIG. 3). As described above, the attributes of the wafer W include the components of the ruthenium film or ruthenium alloy film (eg, Ru, RuW(N), etc.) and the method of forming the ruthenium film or ruthenium alloy film (eg, CVD, PVD, etc.). may be included. The attributes of the wafer W are, for example, an ID given to the wafer W (wafer ID), process conditions (processing recipe) used for etching the wafer W, a processing lot to which the wafer W belongs, and an etching apparatus in which the wafer W was processed. is determined based on the device number of In this embodiment, the attribute determining unit 51 determines the attribute based on the composition of the ruthenium film or ruthenium alloy film and the method of forming the film. As an example, the attribute determination unit 51 determines that the attributes of the film on the wafer W are (i) a Ru film formed by PVD, (ii) a Ru film formed by CVD, and (iii) a film formed by PVD. It is determined whether it is one of the RuW(N) films.

［処理レシピ選択］
次に、レシピ選択部５２は、属性判定部５１によって判定されたウエハＷの属性に応じて処理レシピを選択する（図３のステップＳ３）。この場合、レシピ選択部５２は、ルテニウム膜又はルテニウム合金膜の属性に応じて、予め記憶されている複数の処理レシピから当該属性をもつウエハＷのエッチング処理に最も適した処理レシピを選択する。一例として、レシピ選択部５２は、ウエハＷの膜の属性が（ｉ）ＰＶＤによって製膜されたＲｕ膜である場合、後述するプロセスＡを実行する第１処理レシピを選択する。また、レシピ選択部５２は、ウエハＷの膜の属性が（ii）ＣＶＤによって製膜されたＲｕ膜、又は（iii）ＰＶＤによって製膜されたＲｕＷ（Ｎ）膜である場合、後述するプロセスＢを実行する第２処理レシピを選択する。[Processing recipe selection]
Next, the recipe selection unit 52 selects a processing recipe according to the attribute of the wafer W determined by the attribute determination unit 51 (step S3 in FIG. 3). In this case, the recipe selection unit 52 selects the most suitable process recipe for the etching process of the wafer W having the attribute from a plurality of process recipes stored in advance according to the attribute of the ruthenium film or the ruthenium alloy film. As an example, if the attribute of the film of the wafer W is (i) a Ru film formed by PVD, the recipe selection unit 52 selects a first processing recipe for executing a process A described later. In addition, when the attribute of the film of the wafer W is (ii) a Ru film formed by CVD or (iii) a RuW(N) film formed by PVD, the recipe selection unit 52 selects a process B (to be described later). Select a second process recipe to run.

［ウエハ処理］
続いて、処理ユニット１６の処理液供給部３０は、選択された処理レシピに基づいてウエハＷを処理液で処理する（図３のステップＳ４）。以下、レシピ選択部５２が、プロセスＡを実行する第１処理レシピを選択した場合と、プロセスＢを実行する第２処理レシピを選択した場合とのそれぞれについて、ウエハ処理の各工程について説明する。[Wafer processing]
Subsequently, the processing liquid supply section 30 of the processing unit 16 processes the wafer W with the processing liquid based on the selected processing recipe (step S4 in FIG. 3). Each step of wafer processing will be described below when the recipe selection unit 52 selects the first processing recipe for executing the process A and the second processing recipe for executing the process B, respectively.

＜プロセスＡ＞
まず、レシピ選択部５２がプロセスＡを実行する第１処理レシピを選択した場合について、図４を参照して説明する。上述したように、プロセスＡは、ウエハＷの膜の属性が例えば（ｉ）ＰＶＤによって製膜されたＲｕ膜である場合に選択される。<Process A>
First, the case where the recipe selection unit 52 selects the first processing recipe for executing the process A will be described with reference to FIG. As described above, process A is selected when the film attributes of the wafer W are, for example, (i) a Ru film deposited by PVD.

［ウエハ搬入工程］
まず、ウエハＷは、基板搬送装置１７により処理ユニット１６（図２参照）内に搬入され、基板保持部２２により保持される（図４のステップＳ１１）。この間、制御装置４は、昇降機構３８を制御して、カップ３７を所定位置まで降下させる。続いて、制御装置４は、基板搬送装置１７を制御して、基板保持部２２にウエハＷを載置する。ウエハＷは、その外縁部がチャック２５により支持された状態で、ターンテーブル２４上に水平保持される。次に、制御装置４は、駆動部２６を動作させることによりウエハＷが回転を開始する。ウエハＷは、後述の乾燥処理が終了するまで、ずっと回転し続ける。[Wafer loading process]
First, the wafer W is loaded into the processing unit 16 (see FIG. 2) by the substrate transfer device 17 and held by the substrate holding part 22 (step S11 in FIG. 4). During this time, the control device 4 controls the lifting mechanism 38 to lower the cup 37 to a predetermined position. Subsequently, the controller 4 controls the substrate transfer device 17 to mount the wafer W on the substrate holder 22 . The wafer W is held horizontally on the turntable 24 with its outer edge supported by the chuck 25 . Next, the control device 4 causes the wafer W to start rotating by operating the drive unit 26 . The wafer W continues to rotate until the drying process, which will be described later, is completed.

［エッチング処理工程］
次に、基板保持部２２に保持されたウエハＷをエッチング処理する（図４のステップＳ１２）。本実施形態において、プロセスＡが選択された場合、エッチング液として第１エッチング液Ｌ１（次亜塩素酸ナトリウム及び硝酸セリウムアンモニウムのうちいずれか一方を含む溶液）が用いられる。このとき、制御装置４は、第１エッチング液供給部４１を制御して、ノズル４１ａをウエハＷの上方に位置させ、ノズル４１ａからウエハＷに対して第１エッチング液Ｌ１を供給する。ウエハＷに供給された第１エッチング液Ｌ１は、ウエハＷの回転に伴う遠心力によってウエハＷの表面に広がる。このようにウエハＷの表面に第１エッチング液Ｌ１を供給することにより、ウエハＷに形成されたＲｕ膜が選択的に除去される。すなわち、第１エッチング液Ｌ１により、Ｒｕ膜が全体にわたって除去される一方、第１エッチング液Ｌ１と反応しにくい周辺膜は、除去されることなく残存する。[Etching process]
Next, the wafer W held by the substrate holding part 22 is etched (step S12 in FIG. 4). In this embodiment, when the process A is selected, the first etching liquid L1 (solution containing either one of sodium hypochlorite and ceric ammonium nitrate) is used as the etching liquid. At this time, the control device 4 controls the first etchant supply unit 41 to position the nozzle 41a above the wafer W, and supplies the first etchant L1 to the wafer W from the nozzle 41a. The first etchant L1 supplied to the wafer W spreads over the surface of the wafer W due to the centrifugal force accompanying the rotation of the wafer W. As shown in FIG. By supplying the first etchant L1 to the surface of the wafer W in this manner, the Ru film formed on the wafer W is selectively removed. That is, the Ru film is entirely removed by the first etchant L1, while the peripheral film, which hardly reacts with the first etchant L1, remains without being removed.

［第１リンス処理工程］
続いて、基板保持部２２に保持されたウエハＷをリンス処理する（図４のステップＳ１３）。この際、制御装置４は、第１リンス液供給部４５を制御して、ノズル４５ａをウエハＷの上方に位置させる。続いて、ノズル４５ａからウエハＷに対して例えば常温の純水（ＤＩＷ）である第１リンス液Ｌ５を供給する。ウエハＷに供給された第１リンス液Ｌ５は、ウエハＷの回転に伴う遠心力によってウエハＷの表面に広がる。これにより、ウエハＷ上に残存する第１エッチング液Ｌ１およびエッチング処理時の反応生成物等が洗い流される。ウエハＷから飛散した第１リンス液Ｌ５は、カップ３７を介して排出される。[First rinse treatment step]
Subsequently, the wafer W held by the substrate holding part 22 is rinsed (step S13 in FIG. 4). At this time, the control device 4 controls the first rinse liquid supply unit 45 to position the nozzle 45a above the wafer W. As shown in FIG. Subsequently, the first rinse liquid L5, which is deionized water (DIW) at room temperature, for example, is supplied to the wafer W from the nozzle 45a. The first rinse liquid L5 supplied to the wafer W spreads over the surface of the wafer W due to the centrifugal force that accompanies the rotation of the wafer W. As shown in FIG. As a result, the first etchant L1 remaining on the wafer W and the reaction products and the like during the etching process are washed away. The first rinse liquid L5 scattered from wafer W is discharged through cup 37 .

［第１洗浄処理工程］
次に、基板保持部２２に保持されたウエハＷを洗浄処理する（図４のステップＳ１４）。この間、制御装置４は、第１薬液供給部４３を制御して、ノズル４３ａをウエハＷの上方に位置させ、ノズル４３ａからウエハＷに対して例えばＳＰＭ（硫酸過水）である第１薬液Ｌ３を供給する。ウエハＷに供給された第１薬液Ｌ３は、ウエハＷの回転に伴う遠心力によってウエハＷの表面に広がる。これにより、ウエハＷに付着した第１エッチング液Ｌ１に含まれる不要な金属成分（セリウム、ナトリウム等）がウエハＷから除去される。ウエハＷから飛散した第１薬液Ｌ３は、カップ３７を介して排出される。[First cleaning treatment step]
Next, the wafer W held by the substrate holding part 22 is cleaned (step S14 in FIG. 4). During this time, the control device 4 controls the first chemical supply unit 43 to position the nozzle 43a above the wafer W, and supplies the wafer W with the first chemical L3 such as SPM (sulfuric acid hydrogen peroxide mixture) from the nozzle 43a. supply. The first chemical liquid L3 supplied to the wafer W spreads over the surface of the wafer W due to the centrifugal force that accompanies the rotation of the wafer W. As shown in FIG. As a result, unnecessary metal components (cerium, sodium, etc.) contained in the first etching liquid L1 adhering to the wafer W are removed from the wafer W. As shown in FIG. The first chemical liquid L3 scattered from the wafer W is discharged through the cup 37. As shown in FIG.

［高温リンス処理工程］
続いて、基板保持部２２に保持されたウエハＷをリンス処理する（図４のステップＳ１５）。この際、制御装置４は、第２リンス液供給部４６を制御して、ノズル４６ａをウエハＷの上方に位置させる。続いて、ノズル４６ａからウエハＷに対して例えば高温の純水（Ｈｏｔ－ＤＩＷ）である第２リンス液Ｌ６を供給する。ウエハＷに供給された第２リンス液Ｌ６は、ウエハＷの回転に伴う遠心力によってウエハＷの表面に広がる。これにより、ウエハＷ上に残存する第１薬液Ｌ３が洗い流される。ウエハＷから飛散した第２リンス液Ｌ６は、カップ３７を介して排出される。[High temperature rinse treatment process]
Subsequently, the wafer W held by the substrate holding part 22 is rinsed (step S15 in FIG. 4). At this time, the control device 4 controls the second rinse liquid supply section 46 to position the nozzle 46a above the wafer W. As shown in FIG. Subsequently, the second rinse liquid L6, which is, for example, high-temperature pure water (Hot-DIW), is supplied to the wafer W from the nozzle 46a. The second rinse liquid L6 supplied to the wafer W spreads over the surface of the wafer W due to the centrifugal force that accompanies the rotation of the wafer W. As shown in FIG. As a result, the first chemical liquid L3 remaining on the wafer W is washed away. The second rinse liquid L6 scattered from the wafer W is discharged through the cup 37. As shown in FIG.

［第２洗浄処理工程］
次いで、基板保持部２２に保持されたウエハＷが洗浄処理される（図４のステップＳ１６）。この際、制御装置４は、第２薬液供給部４４を制御して、ノズル４４ａをウエハＷの上方に位置させ、ノズル４４ａからウエハＷに対して例えばＳＣ－１（アンモニア水と過酸化水素水との混合溶液）である第２薬液Ｌ４を供給する。ウエハＷに供給された第２薬液Ｌ４は、ウエハＷの回転に伴う遠心力によってウエハＷの表面に広がる。これにより、ウエハＷに付着した反応副生成物等が、ウエハＷから除去される。ウエハＷから飛散した第２薬液Ｌ４は、カップ３７を介して排出される。なお、第２洗浄処理工程は、必ずしも設けられていなくても良い。[Second cleaning treatment step]
Next, the wafer W held by the substrate holding part 22 is cleaned (step S16 in FIG. 4). At this time, the control device 4 controls the second chemical supply unit 44 to position the nozzle 44a above the wafer W, and for example SC-1 (aqueous ammonia and aqueous hydrogen peroxide) is applied to the wafer W from the nozzle 44a. and the second chemical liquid L4 is supplied. The second chemical liquid L4 supplied to the wafer W spreads over the surface of the wafer W due to the centrifugal force that accompanies the rotation of the wafer W. As shown in FIG. As a result, reaction by-products and the like adhering to the wafer W are removed from the wafer W. FIG. The second chemical liquid L4 scattered from the wafer W is discharged through the cup 37. As shown in FIG. In addition, the second cleaning treatment process may not necessarily be provided.

［第２リンス処理工程］
続いて、基板保持部２２に保持されたウエハＷをリンス処理する（図４のステップＳ１７）。この際、制御装置４は、第１リンス液供給部４５を制御して、ノズル４５ａをウエハＷの上方に位置させる。続いて、ノズル４５ａからウエハＷに対して例えば常温の純水（ＤＩＷ）である第１リンス液Ｌ５を供給する。ウエハＷに供給された第１リンス液Ｌ５は、ウエハＷの回転に伴う遠心力によってウエハＷの表面に広がる。これにより、ウエハＷ上に残存する第２薬液Ｌ４等が洗い流される。ウエハＷから飛散した第１リンス液Ｌ５は、カップ３７を介して排出される。[Second rinse treatment step]
Subsequently, the wafer W held by the substrate holding part 22 is rinsed (step S17 in FIG. 4). At this time, the control device 4 controls the first rinse liquid supply unit 45 to position the nozzle 45a above the wafer W. As shown in FIG. Subsequently, the first rinse liquid L5, which is deionized water (DIW) at room temperature, for example, is supplied to the wafer W from the nozzle 45a. The first rinse liquid L5 supplied to the wafer W spreads over the surface of the wafer W due to the centrifugal force that accompanies the rotation of the wafer W. As shown in FIG. As a result, the second chemical liquid L4 and the like remaining on the wafer W are washed away. The first rinse liquid L5 scattered from wafer W is discharged through cup 37 .

［乾燥処理工程］
その後、基板保持部２２に保持されたウエハＷを乾燥処理する（図４のステップＳ１８）。この際、制御装置４は、駆動部２６を動作させることにより、ウエハＷの回転数を増加させ、ウエハＷの振り切り乾燥処理を行う。これにより、ウエハＷ上に残存する第１リンス液Ｌ５が洗い流される。ウエハＷから飛散した第１リンス液Ｌ５は、カップ３７を介して排出される。なお、ウエハＷは、例えばＩＰＡ等の乾燥用液体を用いて乾燥処理されても良い。[Drying process]
After that, the wafer W held by the substrate holding part 22 is dried (step S18 in FIG. 4). At this time, the control device 4 increases the number of rotations of the wafer W by operating the drive unit 26 to perform the shake-off drying process of the wafer W. As shown in FIG. As a result, the first rinse liquid L5 remaining on the wafer W is washed away. The first rinse liquid L5 scattered from wafer W is discharged through cup 37 . The wafer W may be dried using a drying liquid such as IPA.

この乾燥処理が終了したら、ウエハＷの回転を停止する。これによりウエハＷに対する一連の処理が終了したことになる。その後、ウエハＷが基板搬送装置１７により処理ユニット１６から搬出される。 After completing this drying process, the rotation of the wafer W is stopped. Thus, a series of processes for the wafer W is completed. After that, the wafer W is unloaded from the processing unit 16 by the substrate transport device 17 .

＜プロセスＢ＞
次に、レシピ選択部５２がプロセスＢを実行する第２処理レシピを選択した場合について、図５を参照して説明する。上述したように、第２処理レシピは、ウエハＷの膜の属性が例えば（ii）ＣＶＤによって製膜されたＲｕ膜、又は（iii）ＰＶＤによって製膜されたＲｕＷ（Ｎ）膜である場合に選択される。<Process B>
Next, a case where the recipe selection unit 52 selects the second processing recipe for executing the process B will be described with reference to FIG. As described above, the second processing recipe is used when the film attribute of the wafer W is, for example, (ii) a Ru film formed by CVD or (iii) a RuW(N) film formed by PVD. selected.

［ウエハ搬入工程］
まず、プロセスＡの場合と同様に、ウエハＷは、基板搬送装置１７により処理ユニット１６（図２参照）内に搬入され、基板保持部２２により保持される（図５のステップＳ２１）。次に、制御装置４は、駆動部２６を動作させることによりウエハＷが回転を開始する。ウエハＷは、後述の乾燥処理が終了するまで、ずっと回転し続ける。[Wafer loading process]
First, similarly to the process A, the wafer W is carried into the processing unit 16 (see FIG. 2) by the substrate transfer device 17 and held by the substrate holder 22 (step S21 in FIG. 5). Next, the control device 4 causes the wafer W to start rotating by operating the drive unit 26 . The wafer W continues to rotate until the drying process, which will be described later, is completed.

［エッチング処理工程］
次に、基板保持部２２に保持されたウエハＷをエッチング処理する（図５のステップＳ２２）。本実施形態において、プロセスＢが選択された場合、エッチング液として第２エッチング液Ｌ２（オルト過ヨウ素酸水溶液、又はオルト過ヨウ素酸水溶液とアンモニア水との混合液）が用いられる。このとき、制御装置４は、第２エッチング液供給部４２を制御して、ノズル４２ａをウエハＷの上方に位置させ、ノズル４２ａからウエハＷに対して第２エッチング液Ｌ２を供給する。ウエハＷに供給された第２エッチング液Ｌ２は、ウエハＷの回転に伴う遠心力によってウエハＷの表面に広がる。このようにウエハＷの表面に第２エッチング液Ｌ２を供給することにより、ウエハＷに形成されたＲｕ膜又はＲｕＷ（Ｎ）膜が選択的に除去される。すなわち、第２エッチング液Ｌ２により、Ｒｕ膜又はＲｕＷ（Ｎ）膜が全体にわたって除去される一方、第２エッチング液Ｌ２と反応しにくい周辺膜は、除去されることなく残存する。[Etching process]
Next, the wafer W held by the substrate holding part 22 is etched (step S22 in FIG. 5). In this embodiment, when the process B is selected, the second etching liquid L2 (an orthoperiodic acid aqueous solution or a mixture of an orthoperiodic acid aqueous solution and an aqueous ammonia) is used as the etching liquid. At this time, the control device 4 controls the second etchant supply unit 42 to position the nozzle 42a above the wafer W, and supplies the second etchant L2 to the wafer W from the nozzle 42a. The second etchant L2 supplied to the wafer W spreads over the surface of the wafer W due to the centrifugal force that accompanies the rotation of the wafer W. As shown in FIG. By supplying the second etchant L2 to the surface of the wafer W in this manner, the Ru film or RuW(N) film formed on the wafer W is selectively removed. That is, while the Ru film or RuW(N) film is entirely removed by the second etchant L2, the peripheral film, which does not easily react with the second etchant L2, remains without being removed.

［ルテニウム回収工程］
このようにウエハＷをエッチング処理する間、回収ユニット６０は、カップ３７から排出された第２エッチング液Ｌ２に含まれるルテニウムを回収しても良い（図５のステップＳ２７）。この場合、回収可否判定部５３は、レシピ選択部５２によって選択された処理レシピに基づいて、回収ユニット６０が処理液に含まれるルテニウムを回収可能か否か判断する。具体的には、回収可否判定部５３は、プロセスＢを実行する処理レシピで用いられるエッチング処理液が第２エッチング液Ｌ２（オルト過ヨウ素酸水溶液、又はオルト過ヨウ素酸水溶液とアンモニア水との混合液）であると判断する。また、回収可否判定部５３は、第２エッチング液Ｌ２を回収ユニット６０で回収可能と判断する。この場合、制御装置４は、回収ユニット６０を制御して、カップ３７から排出された処理液に含まれるルテニウムを回収する。[Ruthenium recovery process]
While etching the wafer W in this manner, the recovery unit 60 may recover ruthenium contained in the second etching liquid L2 discharged from the cup 37 (step S27 in FIG. 5). In this case, the recoverability determination unit 53 determines whether or not the recovery unit 60 can recover ruthenium contained in the processing liquid based on the processing recipe selected by the recipe selection unit 52 . Specifically, the recoverability determining unit 53 determines that the etching liquid used in the processing recipe for executing the process B is the second etching liquid L2 (orthoperiodic acid aqueous solution or mixture of orthoperiodic acid aqueous solution and ammonia water). liquid). Further, the recoverability determination unit 53 determines that the second etching liquid L2 can be recovered by the recovery unit 60 . In this case, the control device 4 controls the recovery unit 60 to recover ruthenium contained in the treatment liquid discharged from the cup 37 .

この間、回収ユニット６０は、回収タンク６１にカップ３７から排出された第２エッチング液Ｌ２を一時的に貯留する。回収タンク６１には、ルテニウムを捕捉するルテニウム捕捉剤が投入されている。また切替弁６３は、循環ライン６４側に切り換えられている。続いて、ポンプ６２を駆動することにより、回収タンク６１からの第２エッチング液Ｌ２は循環ライン６４を循環し、再度回収タンク６１に戻される。この間、第２エッチング液Ｌ２は、循環ライン６４の途中に設けられたフィルタ６５を通過し、フィルタ６５は、第２エッチング液Ｌ２に含まれるルテニウム捕捉剤に捕捉されたルテニウムを回収する。ルテニウムの回収が完了した後、切替弁６３は、戻りライン６６側に切り換えられる。続いて、ポンプ６２を駆動することにより、ルテニウムが除去された第２エッチング液Ｌ２は、戻りライン６６を経由して、第２エッチング液供給源４２ｂのタンクに再び戻される。 During this time, the recovery unit 60 temporarily stores the second etchant L2 discharged from the cup 37 in the recovery tank 61 . The recovery tank 61 is filled with a ruthenium scavenger that captures ruthenium. Also, the switching valve 63 is switched to the circulation line 64 side. Subsequently, by driving the pump 62, the second etchant L2 from the recovery tank 61 circulates through the circulation line 64 and is returned to the recovery tank 61 again. During this time, the second etching liquid L2 passes through the filter 65 provided in the middle of the circulation line 64, and the filter 65 collects the ruthenium captured by the ruthenium capturing agent contained in the second etching liquid L2. After the recovery of ruthenium is completed, the switching valve 63 is switched to the return line 66 side. Subsequently, by driving the pump 62, the second etchant L2 from which the ruthenium has been removed is returned to the tank of the second etchant supply source 42b via the return line 66 again.

［第１リンス処理工程］
続いて、基板保持部２２に保持されたウエハＷをリンス処理する（図５のステップＳ２３）。この際、制御装置４は、第１リンス液供給部４５を制御して、ノズル４５ａをウエハＷの上方に位置させる。続いて、ノズル４５ａからウエハＷに対して例えば常温の純水（ＤＩＷ）である第１リンス液Ｌ５を供給する。ウエハＷに供給された第１リンス液Ｌ５は、ウエハＷの回転に伴う遠心力によってウエハＷの表面に広がる。これにより、ウエハＷ上に残存する第２エッチング液Ｌ２およびエッチング処理時の反応生成物等が洗い流される。ウエハＷから飛散した第１リンス液Ｌ５は、カップ３７を介して排出される。[First rinse treatment step]
Subsequently, the wafer W held by the substrate holding part 22 is rinsed (step S23 in FIG. 5). At this time, the control device 4 controls the first rinse liquid supply unit 45 to position the nozzle 45a above the wafer W. As shown in FIG. Subsequently, the first rinse liquid L5, which is deionized water (DIW) at room temperature, for example, is supplied to the wafer W from the nozzle 45a. The first rinse liquid L5 supplied to the wafer W spreads over the surface of the wafer W due to the centrifugal force that accompanies the rotation of the wafer W. As shown in FIG. As a result, the second etchant L2 remaining on the wafer W and the reaction products and the like during the etching process are washed away. The first rinse liquid L5 scattered from wafer W is discharged through cup 37 .

［洗浄処理工程］
次いで、基板保持部２２に保持されたウエハＷが洗浄処理される（図５のステップＳ２４）。この際、制御装置４は、第２薬液供給部４４を制御して、ノズル４４ａをウエハＷの上方に位置させ、ノズル４４ａからウエハＷに対して例えばＳＣ－１（アンモニア水と過酸化水素水との混合溶液）である第２薬液Ｌ４を供給する。ウエハＷに供給された第２薬液Ｌ４は、ウエハＷの回転に伴う遠心力によってウエハＷの表面に広がる。これにより、ウエハＷに付着した反応副生成物等が、ウエハＷから除去される。ウエハＷから飛散した第２薬液Ｌ４は、カップ３７を介して排出される。なお、第２洗浄処理工程は必ずしも設けられていなくても良い。[Washing process]
Next, the wafer W held by the substrate holding part 22 is cleaned (step S24 in FIG. 5). At this time, the control device 4 controls the second chemical supply unit 44 to position the nozzle 44a above the wafer W, and for example SC-1 (aqueous ammonia and aqueous hydrogen peroxide) is applied to the wafer W from the nozzle 44a. and the second chemical liquid L4 is supplied. The second chemical liquid L4 supplied to the wafer W spreads over the surface of the wafer W due to the centrifugal force that accompanies the rotation of the wafer W. As shown in FIG. As a result, reaction by-products and the like adhering to the wafer W are removed from the wafer W. FIG. The second chemical liquid L4 scattered from the wafer W is discharged through the cup 37. As shown in FIG. Note that the second cleaning treatment process may not necessarily be provided.

［第２リンス処理工程］
続いて、基板保持部２２に保持されたウエハＷをリンス処理する（図５のステップＳ２５）。この際、制御装置４は、第１リンス液供給部４５を制御して、ノズル４５ａをウエハＷの上方に位置させる。続いて、ノズル４５ａからウエハＷに対して例えば常温の純水（Ｈｏｔ－ＤＩＷ）である第１リンス液Ｌ５を供給する。ウエハＷに供給された第１リンス液Ｌ５は、ウエハＷの回転に伴う遠心力によってウエハＷの表面に広がる。これにより、ウエハＷ上に残存する第２薬液Ｌ４等が洗い流される。ウエハＷから飛散した第１リンス液Ｌ５は、カップ３７を介して排出される。なお、第２洗浄処理工程が設けられていない場合、第２リンス処理工程は設けられていなくても良い。[Second rinse treatment step]
Subsequently, the wafer W held by the substrate holding part 22 is rinsed (step S25 in FIG. 5). At this time, the control device 4 controls the first rinse liquid supply unit 45 to position the nozzle 45a above the wafer W. As shown in FIG. Subsequently, the wafer W is supplied with a first rinse liquid L5, which is, for example, room temperature deionized water (Hot-DIW) from the nozzle 45a. The first rinse liquid L5 supplied to the wafer W spreads over the surface of the wafer W due to the centrifugal force that accompanies the rotation of the wafer W. As shown in FIG. As a result, the second chemical liquid L4 and the like remaining on the wafer W are washed away. The first rinse liquid L5 scattered from wafer W is discharged through cup 37 . In addition, when the second cleaning treatment process is not provided, the second rinse treatment process may not be provided.

［乾燥処理工程］
その後、基板保持部２２に保持されたウエハＷを乾燥処理する（図５のステップＳ２６）。この際、制御装置４は、駆動部２６を動作させることにより、ウエハＷの回転数を増加させ、ウエハＷの振り切り乾燥処理を行う。これにより、ウエハＷ上に残存する第１リンス液Ｌ５が洗い流される。ウエハＷから飛散した第１リンス液Ｌ５は、カップ３７を介して排出される。なお、ウエハＷは、例えばＩＰＡ等の乾燥用液体を用いて乾燥処理されても良い。[Drying process]
After that, the wafer W held by the substrate holding part 22 is dried (step S26 in FIG. 5). At this time, the control device 4 increases the number of rotations of the wafer W by operating the drive unit 26 to perform the shake-off drying process of the wafer W. As shown in FIG. As a result, the first rinse liquid L5 remaining on the wafer W is washed away. The first rinse liquid L5 scattered from wafer W is discharged through cup 37 . The wafer W may be dried using a drying liquid such as IPA.

この乾燥処理が終了したら、ウエハＷの回転を停止する。これによりウエハＷに対する一連の処理が終了したことになる。その後、ウエハＷが基板搬送装置１７により処理ユニット１６から搬出される。 After completing this drying process, the rotation of the wafer W is stopped. Thus, a series of processes for the wafer W is completed. After that, the wafer W is unloaded from the processing unit 16 by the substrate transport device 17 .

以上に説明したように、本実施形態によれば、属性判定部５１が、ルテニウム膜又はルテニウム合金膜が形成されたウエハＷの属性を判定し、レシピ選択部５２がウエハＷの属性に応じて処理レシピを選択される。そして、処理液供給部３０は、選択された処理レシピに基づいてウエハＷを処理液で処理する。これにより、エッチングしにくいルテニウム膜又はルテニウム合金膜を良好にエッチングすることができる。 As described above, according to this embodiment, the attribute determining unit 51 determines the attribute of the wafer W on which the ruthenium film or ruthenium alloy film is formed, and the recipe selecting unit 52 determines the attribute of the wafer W according to the attribute of the wafer W. A processing recipe is selected. Then, the processing liquid supply unit 30 processes the wafer W with the processing liquid based on the selected processing recipe. This makes it possible to satisfactorily etch the ruthenium film or ruthenium alloy film, which is difficult to etch.

すなわち、一般にルテニウムは極めて安定した金属であり、難溶性材料であるため、エッチングされにくいことが知られている。これに対して本発明者らは、上記課題について鋭意検討したところ、ルテニウムやルテニウム合金は属性に応じてエッチング液による溶解状況が異なることを発見した。具体的には、ルテニウムやルテニウム合金の膜は、膜の成分のほか、膜の成膜方法によってもエッチング時の溶解状況が異なることが判明した。例えば、同じＲｕ膜であっても、成膜方法が例えばＣＶＤであるか、ＰＶＤであるかによって、適切なエッチングプロセスが異なることが判明した。したがって、ルテニウム膜又はルテニウム合金膜が形成されたウエハＷをエッチングする際には、ウエハＷの属性に応じて、エッチングの処理プロセスやエッチング液を適宜使い分けることにより、適切なエッチングを行うことが可能となる。本実施形態においては、ルテニウム膜又はルテニウム合金膜が形成されたウエハＷの属性（例えばルテニウム膜又はルテニウム合金膜の成分や成膜方法）に応じて処理レシピを選択し、選択された処理レシピに基づいてウエハＷを処理液で処理する。これにより、エッチングしにくいルテニウム膜又はルテニウム合金膜を良好にエッチングすることができる。 That is, it is known that ruthenium is generally an extremely stable metal and is difficult to etch since it is a poorly soluble material. On the other hand, the inventors of the present invention conducted a thorough study on the above problem, and discovered that ruthenium and ruthenium alloys are dissolved by an etching solution differently depending on their attributes. Specifically, it was found that ruthenium and ruthenium alloy films differ in dissolution during etching depending on not only the composition of the film but also the method of forming the film. For example, even for the same Ru film, it has been found that the appropriate etching process differs depending on whether the film formation method is CVD or PVD. Therefore, when etching the wafer W on which the ruthenium film or the ruthenium alloy film is formed, appropriate etching can be performed by properly using the etching treatment process and the etchant according to the attributes of the wafer W. becomes. In this embodiment, the processing recipe is selected according to the attributes of the wafer W on which the ruthenium film or ruthenium alloy film is formed (for example, the composition of the ruthenium film or ruthenium alloy film and the method of forming the film), and the selected processing recipe is used. Based on this, the wafer W is processed with the processing liquid. This makes it possible to satisfactorily etch the ruthenium film or ruthenium alloy film, which is difficult to etch.

また、本実施形態によれば、回収可否判定部５３は、選択された処理レシピに基づいて、回収ユニット６０が処理液に含まれるルテニウムを回収可能か否か判断する。これにより、処理液中のルテニウムを回収ユニット６０が回収可能な場合には、回収ユニット６０が処理液に含まれるルテニウムを回収し、処理液を再利用することができる。一方、処理液中のルテニウムを回収ユニット６０が回収不可能な場合には、回収ユニット６０を用いることなく、排出された処理液を再利用しないで廃棄することができる。 Further, according to the present embodiment, the recoverability determination unit 53 determines whether or not the recovery unit 60 can recover ruthenium contained in the treatment liquid based on the selected treatment recipe. As a result, when the recovery unit 60 can recover the ruthenium contained in the treatment liquid, the recovery unit 60 can recover the ruthenium contained in the treatment liquid and reuse the treatment liquid. On the other hand, when the recovery unit 60 cannot recover the ruthenium contained in the processing liquid, the discharged processing liquid can be discarded without being reused without using the recovery unit 60 .

上記実施形態において、属性判定部５１が判定するウエハＷの属性としては、ルテニウム膜又はルテニウム合金膜の成分と、ルテニウム膜又はルテニウム合金膜の成膜方法とを挙げたが、これに限られるものではない。ウエハＷの属性としては、ウエハＷに含まれるルテニウム以外の周辺金属の成分等、上記以外の属性を用いても良い。 In the above embodiment, the attributes of the wafer W determined by the attribute determination unit 51 include the composition of the ruthenium film or the ruthenium alloy film and the method of forming the ruthenium film or the ruthenium alloy film, but are limited to these. is not. As the attribute of the wafer W, an attribute other than the above, such as a component of a peripheral metal other than ruthenium contained in the wafer W, may be used.

また上記実施形態において、レシピ選択部５２によって選択される処理レシピとして、プロセスＡを実行する第１処理レシピと、プロセスＢを実行する第２処理レシピとを例示したが、これに限られるものではない。レシピ選択部５２は、３つ以上の複数の処理レシピから適切な処理レシピを選択しても良い。 In the above embodiment, the first processing recipe for executing the process A and the second processing recipe for executing the process B were exemplified as the processing recipes selected by the recipe selection unit 52, but the present invention is not limited to this. do not have. The recipe selection unit 52 may select an appropriate processing recipe from three or more processing recipes.

また、上記実施形態において、互いに異なるエッチング液（第１エッチング液Ｌ１、第２エッチング液Ｌ２）を用いてエッチング処理を行う複数の処理レシピ（第１処理レシピ、第２処理レシピ）からいずれかの処理レシピが選択される場合を例にとって説明した。しかしながらこれに限らず、レシピ選択部５２は、同一のエッチング液を用いた互いに異なるエッチング処理を行う複数の処理レシピから、いずれかの処理レシピを選択しても良い。 Further, in the above embodiment, any one of a plurality of processing recipes (first processing recipe, second processing recipe) for performing etching processing using mutually different etchants (first etchant L1, second etchant L2). The case where the processing recipe is selected has been described as an example. However, the recipe selection unit 52 is not limited to this, and the recipe selection unit 52 may select one of a plurality of process recipes that perform different etching processes using the same etchant.

また上記実施形態において、エッチング液として、第１エッチング液Ｌ１と、第２エッチング液Ｌ２とを用いる場合を例にとって説明した。ここで、第１エッチング液Ｌ１は、次亜塩素酸ナトリウム及び硝酸セリウムアンモニウムのうちいずれか一方を含む溶液であり、第２エッチング液Ｌ２は、オルト過ヨウ素酸水溶液、又はオルト過ヨウ素酸水溶液とアンモニア水との混合液である。しかしながらこれに限らず、ルテニウム膜又はルテニウム合金膜をエッチングするエッチング液としては、過ヨウ素酸等の酸化剤を含有するエッチング液、又は、硝酸セリウム塩及び硝酸等からなるエッチング液を用いても良い。 Further, in the above embodiment, the case where the first etching liquid L1 and the second etching liquid L2 are used as the etching liquid has been described as an example. Here, the first etching liquid L1 is a solution containing either sodium hypochlorite or ceric ammonium nitrate, and the second etching liquid L2 is an orthoperiodic acid aqueous solution or an orthoperiodic acid aqueous solution. It is a mixed solution with ammonia water. However, the etching solution for etching the ruthenium film or the ruthenium alloy film is not limited to this, and may be an etching solution containing an oxidizing agent such as periodic acid, or an etching solution containing cerium nitrate and nitric acid. .

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。 It should be considered that the embodiments disclosed this time are illustrative in all respects and not restrictive. The embodiments described above may be omitted, substituted, or modified in various ways without departing from the scope and spirit of the appended claims.

Claims (6)

ルテニウム膜又はルテニウム合金膜が形成された基板を準備することと、
前記基板の属性を判定することと、
前記基板の属性に応じて処理レシピを選択することと、
選択された前記処理レシピに基づいて前記基板を処理液で処理することと、を備え、
前記基板の属性は、前記ルテニウム膜又はルテニウム合金膜の成分と、前記ルテニウム膜又はルテニウム合金膜の成膜方法とを含み、
前記処理レシピを選択することは、前記基板の属性に応じて、互いに異なるエッチング液を用いてエッチング処理を行う複数の処理レシピからいずれかの処理レシピを選択することを含む基板処理方法。 preparing a substrate on which a ruthenium film or a ruthenium alloy film is formed;
determining an attribute of the substrate;
selecting a processing recipe according to attributes of the substrate;
treating the substrate with a treatment liquid based on the selected treatment recipe ;
The attributes of the substrate include components of the ruthenium film or ruthenium alloy film and a method of forming the ruthenium film or ruthenium alloy film,
The substrate processing method, wherein selecting the processing recipe includes selecting one of a plurality of processing recipes for performing an etching process using different etchants according to an attribute of the substrate. 選択された前記処理レシピに基づいて、処理液に含まれるルテニウムを回収可能か否か判断することを更に備えた請求項１に記載の基板処理方法。 2. The substrate processing method according to claim 1, further comprising determining whether or not ruthenium contained in the processing liquid can be recovered based on the selected processing recipe. 前記基板の属性に応じて、次亜塩素酸ナトリウム及び硝酸セリウムアンモニウムを含む溶液である第１エッチング液を用いてエッチング処理を行う第１処理レシピと、オルト過ヨウ素酸水溶液、又はオルト過ヨウ素酸水溶液とアンモニア水との混合液である第２エッチング液を用いてエッチング処理を行う第２処理レシピとのいずれかが選択される請求項１又は２に記載の基板処理方法。 A first processing recipe for performing an etching process using a first etchant that is a solution containing sodium hypochlorite and cerium ammonium nitrate, an orthoperiodic acid aqueous solution, or orthoperiodic acid, depending on the attributes of the substrate. 3. The substrate processing method according to claim 1 , wherein one of the second processing recipes for performing etching processing using a second etchant, which is a mixture of an aqueous solution and ammonia water, is selected. ルテニウム膜又はルテニウム合金膜が形成された基板の属性を判定する属性判定部と、
前記属性判定部によって判定された前記基板の属性に応じて処理レシピを選択するレシピ選択部と、
前記レシピ選択部によって選択された前記処理レシピに基づいて、前記基板に対して処理液を供給することにより、前記基板を処理する処理液供給部と、を備え、
前記基板の属性は、前記ルテニウム膜又はルテニウム合金膜の成分と、前記ルテニウム膜又はルテニウム合金膜の成膜方法とを含み、
前記レシピ選択部は、前記基板の属性に応じて、互いに異なるエッチング液を用いてエッチング処理を行う複数の処理レシピからいずれかの処理レシピを選択する基板処理装置。 an attribute determining unit that determines the attribute of the substrate on which the ruthenium film or ruthenium alloy film is formed;
a recipe selection unit that selects a processing recipe according to the attribute of the substrate determined by the attribute determination unit;
a processing liquid supply unit for processing the substrate by supplying the processing liquid to the substrate based on the processing recipe selected by the recipe selection unit ;
The attributes of the substrate include components of the ruthenium film or ruthenium alloy film and a method of forming the ruthenium film or ruthenium alloy film,
The substrate processing apparatus , wherein the recipe selection unit selects one of a plurality of processing recipes for performing an etching process using different etchants according to the attributes of the substrate. 処理液に含まれるルテニウムを回収する回収ユニットと、
選択された前記処理レシピに基づいて、前記回収ユニットが処理液に含まれるルテニウムを回収可能か否か判断する回収可否判定部と、を更に備えた請求項４に記載の基板処理装置。 a recovery unit for recovering ruthenium contained in the treatment liquid;
5. The substrate processing apparatus according to claim 4 , further comprising a recoverability determination unit that determines whether or not the recovery unit can recover ruthenium contained in the processing liquid based on the selected processing recipe. 前記レシピ選択部は、前記基板の属性に応じて、次亜塩素酸ナトリウム及び硝酸セリウムアンモニウムを含む溶液である第１エッチング液を用いてエッチング処理を行う第１処理レシピと、オルト過ヨウ素酸水溶液、又はオルト過ヨウ素酸水溶液とアンモニア水との混合液である第２エッチング液を用いてエッチング処理を行う第２処理レシピとのいずれかを選択する、請求項４又は５に記載の基板処理装置。
The recipe selection unit selects, according to the attributes of the substrate, a first treatment recipe for performing an etching treatment using a first etchant, which is a solution containing sodium hypochlorite and cerium ammonium nitrate, and an orthoperiodic acid aqueous solution. 6. The substrate processing apparatus according to claim 4 or 5 , wherein the second processing recipe for performing etching processing using a second etching liquid which is a mixed liquid of an orthoperiodic acid aqueous solution and ammonia water is selected. .
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