JP7154184B2 - ポジ型感光性樹脂組成物、パターン形成方法、硬化被膜形成方法、層間絶縁膜、表面保護膜、及び電子部品 - Google Patents
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Description
(A-1)ポリイミド構造、ポリベンゾオキサゾール構造、ポリアミドイミド構造、それらの前駆体構造から選ばれる少なくとも1つ以上の構造が含まれるアルカリ可溶性樹脂、
(A-2)アルカリ可溶性基を持たず、分子末端に少なくとも1つ以上の窒素原子を有するヘテロ環骨格を有するポリイミド構造、ポリベンゾオキサゾール構造、ポリアミドイミド構造、それらの前駆体構造から選ばれる少なくとも1つ以上の構造が含まれる樹脂、
(B)光により酸を発生しアルカリ水溶液に対する溶解速度が増大する感光剤であって、キノンジアジド構造を有する化合物、及び
(D)溶剤、
を含むものであることを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物を提供する。
(2)次いで加熱処理後、フォトマスクを介して波長190~500nmの高エネルギー線もしくは電子線で感光材皮膜を露光する工程、
(3)アルカリ水溶液の現像液を用いて現像する工程、
を含むことを特徴とするパターン形成方法を提供する。
(A-1)ポリイミド構造、ポリベンゾオキサゾール構造、ポリアミドイミド構造、それらの前駆体構造から選ばれる少なくとも1つ以上の構造が含まれるアルカリ可溶性樹脂、
(A-2)アルカリ可溶性基を持たず、分子末端に少なくとも1つ以上の窒素原子を有するヘテロ環骨格を有するポリイミド構造、ポリベンゾオキサゾール構造、ポリアミドイミド構造、それらの前駆体構造から選ばれる少なくとも1つ以上の構造が含まれる樹脂、
(B)光により酸を発生しアルカリ水溶液に対する溶解速度が増大する感光剤であって、キノンジアジド構造を有する化合物、及び
(D)溶剤、
を含むものであることを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物である。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物について説明する。
(A-1)ポリイミド構造、ポリベンゾオキサゾール構造、ポリアミドイミド構造、それらの前駆体構造から選ばれる少なくとも1つ以上の構造が含まれるアルカリ可溶性樹脂、
(A-2)アルカリ可溶性基を持たず、分子末端に少なくとも1つ以上の窒素原子を有するヘテロ環骨格を有するポリイミド構造、ポリベンゾオキサゾール構造、ポリアミドイミド構造、それらの前駆体構造から選ばれる少なくとも1つ以上の構造が含まれる樹脂、
(B)光により酸を発生しアルカリ水溶液に対する溶解速度が増大する感光剤であって、キノンジアジド構造を有する化合物、及び
(D)溶剤、
を含むものである。前記ポジ型感光性樹脂組成物は、アルカリ現像可能である。また、前記ポジ型感光性樹脂組成物は、上記(A-1)成分、(A-2)成分、(B)成分、(D)成分以外に、必要に応じて(C)架橋剤、(E)熱によって酸を発生する化合物(熱酸発生剤)などを更に含有することができる。以下、これら成分について詳細に説明する。
本発明のアルカリ可溶性樹脂(A-1)は、ポリイミド構造、ポリベンゾオキサゾール構造、ポリアミドイミド構造、それらの前駆体構造から選ばれる少なくとも1つ以上の構造が含まれるアルカリ可溶性樹脂である。前記樹脂(A-1)は、上記構造が含まれるアルカリ可溶性樹脂であれば特に限定されないが、下記一般式(2)及び/又は(3)で表される構造を含むものであることが好ましい。
X3の構造は1種でも2種以上の組み合わせでもよい。
上述のアルカリ可溶性樹脂の好適な分子量は、好ましくは5,000~100,000、より好ましくは7,000~30,000である。分子量が5,000以上であれば、上記アルカリ可溶性樹脂をベース樹脂に用いた感光性樹脂組成物を基板上に所望な膜厚に成膜することは容易になり、分子量が100,000以下であれば、該感光性樹脂組成物の粘度が著しく高いものとはならず、成膜できなくなる恐れがない。
本発明の(A-2)成分は、アルカリ可溶性基を持たず、分子末端に少なくとも1つ以上の窒素原子を有するヘテロ環骨格を有するポリイミド構造、ポリベンゾオキサゾール構造、ポリアミドイミド構造、それらの前駆体構造から選ばれる少なくとも1つ以上の構造が含まれる樹脂である。前記樹脂はアルカリ可溶性基を持たず、上記特定の構造を含むものであれば特に限定されないが、下記一般式(1)で表される構造を含むことができる。
本発明の(A-2)成分は、樹脂の構造単位中および/またはその主鎖末端にこのようなアルカリ可溶性基を有さない。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物における(B)成分は、光により酸を発生しアルカリ水溶液に対する溶解速度が増大する感光剤であって、キノンジアジド構造を有する化合物である。(B)成分としては、1,2-ナフトキノンジアジドスルホニル基を分子中に有する化合物を挙げることができる。
即ち、現像液にアルカリ水溶液を用いた場合、未露光部は現像液に溶解することがなく、露光部は現像液に可溶であることから、ポジ型のパターンを形成することが可能となる。
次に、ポジ型感光性樹脂組成物における(D)成分は溶剤である。(D)成分の溶剤は、(A-1)成分、(A-2)成分及び(B)成分を溶解するものであれば、限定されない。溶剤としては、例えば、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチル-2-n-アミルケトン等のケトン類;3-メトキシブタノール、3-メチル-3-メトキシブタノール、1-メトキシ-2-プロパノール、1-エトキシ-2-プロパノール等のアルコール類;プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、酢酸tert-ブチル、プロピオン酸tert-ブチル、プロピレングリコール-モノ-tert-ブチルエーテルアセテート、γ-ブチロラクトン等のエステル類等が挙げられ、これらの1種以上を用いることができる。特に、乳酸エチル、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、γ-ブチロラクトン又はそれらの混合溶剤が好ましい。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、必須成分である上記(A-1)、(A-2)、(B)、(D)成分に加え、更に、(C)ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド-アルコールにより変性されたアミノ縮合物、1分子中に平均して2個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物、多価フェノールの水酸基の水素原子をグリシジル基に置換した化合物、多価フェノールの水酸基の水素原子を下記式(C-1)で示される置換基に置換した化合物、及び下記式(C-2)で示されるグリシジル基を有した窒素原子を2つ以上含有した化合物から選ばれる1種又は2種以上の架橋剤を含むことが好ましい。
上記R10としては、例えば、メチロール基、メトキシメチル基、エトキシメチル基等のアルコキシメチル基及び水素原子等が挙げられる。
上記ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド-アルコールにより変性された尿素縮合物の具体例としては、例えば、メトキシメチル化尿素縮合物、エトキシメチル化尿素縮合物、プロポキシメチル化尿素縮合物等が挙げられる。
なお、これら変性メラミン縮合物及び変性尿素縮合物の1種又は2種以上を混合して使用することもできる。
これら多価フェノールの水酸基をグリシドキシ基に置換した化合物(多価フェノールの水酸基の水素原子をグリシジル基に置換した化合物)の1種又は2種を、架橋剤として使用することができる。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、さらに、(E)熱によって酸を発生する化合物を含むものとすることができる。(E)成分の熱によって酸を発生する化合物は、上記のパターン形成後施される温度100~300℃において加熱、後硬化する工程において、熱的に(A-1)成分と架橋反応を促す目的で加えることができる。
また、本発明のポジ型感光性樹脂組成物において、(A-1)成分、(A-2)成分、(B)成分、(C)成分、(D)成分、及び(E)成分以外の成分をさらに含有してもよい。その他の成分としては、例えば、密着助剤、(G)界面活性剤等を挙げることができ、(G)界面活性剤としては、下記に例示した化合物等を好適に用いることができる。
本発明は、以下の工程を含むことを特徴とするパターン形成方法を提供する。
(1)上記ポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、感光材皮膜を形成する工程、
(2)次いで加熱処理後、フォトマスクを介して波長190~500nmの高エネルギー線もしくは電子線で感光材皮膜を露光する工程、
(3)アルカリ水溶液の現像液を用いて現像する工程。
以下、本発明のポジ型感光性樹脂組成物を用いたパターン形成方法に関して、説明を行う。
また、上記パターン形成方法により得られたパターン形成された被膜をオーブンやホットプレートを用いて、温度100~300℃、好ましくは150~300℃、さらに好ましくは180~250℃において加熱、後硬化することで硬化被膜を形成することができる。後硬化温度が100~300℃であれば、感光性樹脂組成物の皮膜の架橋密度を上げ、残存する揮発成分を除去でき、基板に対する密着力、耐熱性や強度、さらに電気特性の観点から好ましい。そして、後硬化時間は10分間~10時間とすることができる。
このようにして得られた硬化被膜は、基板との密着性、耐熱性、電気特性、機械的強度及びアルカリ性剥離液等に対する薬品耐性に優れ、それを保護用被膜とした半導体素子の信頼性にも優れ、特に温度サイクル試験の際のクラック発生を防止でき、電気・電子部品、半導体素子等の保護用被膜(層間絶縁膜あるいは表面保護膜)として好適に用いられる。
このような電子部品は、耐熱性、薬品耐性、絶縁性を有する保護用被膜(層間絶縁膜又は表面保護膜)を有することから、信頼性に優れたものとなる。
BPS ビス(3―アミノ-4-ヒドロキシフェニル)スルホン
ODA 4,4’-ジアミノジフェニルエーテル
APB 1,3-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン
TFMB 2,2’-ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン
s-ODPA 3,3’,4,4’-オキシジフタル酸二無水物
s-BPDA 3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
6FDA 4,4’-(ヘキサフルオロイソプロピリデン)ジフタル酸無水物
ChDA 1,2,4,5-シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物
DC-1 セバシン酸ジクロライド
DC-2 ドデカンニ酸ジクロライド
PAP 4-アミノフェノール
4APY 4-アミノピリジン
5AIN 5-アミノインドール
5AQU 5-アミノキノリン
4APM 4-アミノピリミジン
BGA ベンゾグアナミン
Rf-1 4,4,5,5,5-ペンタフルオロペンタノール
Rf-2 1H,1H,2H,2H-ノナフルオロ-1-ヘキサノール
Rf-3 1-トリフルオロメチル-2,2,2-トリフルオロエチル-2’-ヒドロキシエチルエーテル
Rf-4 3,3,3-トリフルオロプロピル-2’-ヒドロキシエチルエーテル
Rf-5 ヒドロキシエチルトリフルオロアセテート
Rf-6 3-ヒドロキシ-2,2-ジメチルプロピルトリフルオロアセテート
Rf-7 4,4,5,5,6,6,7,7,7-ノナフルオロ-1,2-ヘプタンジオール
撹拌機、温度計を具備した1Lのフラスコ内に2,2―ビス(3―アミノ―4―ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン(6FAP)30g(81.9mmol)、4-アミノフェノール(PAP)0.9g(8.6mmol)、N-メチル-2-ピロリドン125gを加え、室温で撹拌し溶解した。次に室温下、3,3’,4,4’-オキシジフタル酸二無水物(s-ODPA)26.7g(86.2mmol)、をN-メチル-2-ピロリドン270gに溶解した溶液を滴下し、滴下終了後室温下3時間撹拌した。その後、この反応液にキシレン40gを加え、170℃で生成する水を系外へ除きながら3時間加熱還流を行った。室温まで冷却後、この反応液を超純水2Lの撹拌下に滴下し、析出物をろ別し、適宜水洗後、40℃で48時間減圧乾燥することにより、ポリイミド樹脂(A1-1)を得た。この重合体の分子量をGPCにより測定すると、ポリスチレン換算で重量平均分子量35,000であった。
ジアミン化合物、モノアミン化合物、テトラカルボン酸二無水物として下記表1中に示す重量の化合物を用い、合成例1と同様の処方でポリイミド樹脂(A1-2)~(A1-8)、(B-1)を得た。それぞれの重合体の分子量をGPCにより測定し、ポリスチレン換算で重量平均分子量を下記表1に示す。
撹拌機、温度計を具備した3Lのフラスコ内に3,3’,4,4’-オキシジフタル酸二無水物(s-ODPA)100g(322mmol)、トリエチルアミン65.2g(644mmol)、N,N-ジメチル-4-アミノピリジン39.3g(322mmol)、γ-ブチロラクトン400gを加え、室温で撹拌しているところに4,4,5,5,5-ペンタフルオロペンタノール(Rf-1)114.7g(644mmol)を滴下後、室温下で24時間撹拌した。その後、氷冷下10%塩酸水溶液370gを滴下し反応を停止させた。反応液に、4-メチル-2-ペンタノン800gを加え有機層を分取した後、超純水600gで6回洗浄した。得られた有機層の溶媒を留去し、テトラカルボン酸ジエステル化合物を193g得た。得られたテトラカルボン酸ジエステル化合物にN-メチル-2-ピロリドン772gを加え、室温で撹拌し溶解した。次に氷冷下、塩化チオニル75.8g(637mmol)を反応溶液温度が10℃以下を保つように滴下し、滴下終了後氷冷下で2時間撹拌し、テトラカルボン酸ジエステルジクロライド(X-1)のN-メチル-2-ピロリドン溶液を得た。
合成例9において、3,3’,4,4’-オキシジフタル酸二無水物(s-ODPA)を3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(s-BPDA)94.8g(322mmol)に代え、それ以外は同様の処方でテトラカルボン酸ジエステルジクロライド(X-2)のN-メチル-2-ピロリドン溶液を得た。
合成例9において、4,4,5,5,5-ペンタフルオロペンタノール(Rf-1)を1H,1H,2H,2H-ノナフルオロ-1-ヘキサノール(Rf-2)170.1g(644mmol)に代え、それ以外は同様の処方でテトラカルボン酸ジエステルジクロライド(X-3)のN-メチル-2-ピロリドン溶液を得た。
合成例9において、4,4,5,5,5-ペンタフルオロペンタノール(Rf-1)を1-トリフルオロメチル-2,2,2-トリフルオロエチル-2’-ヒドロキシエチルエーテル(Rf-3)136.6g(644mmol)に代え、それ以外は同様の処方でテトラカルボン酸ジエステルジクロライド(X-4)のN-メチル-2-ピロリドン溶液を得た。
合成例9において、4,4,5,5,5-ペンタフルオロペンタノール(Rf-1)を3,3,3-トリフルオロプロピル-2’-ヒドロキシエチルエーテル(Rf-4)112.2g(644mmol)に代え、それ以外は同様の処方でテトラカルボン酸ジエステルジクロライド(X-5)のN-メチル-2-ピロリドン溶液を得た。
合成例9において、4,4,5,5,5-ペンタフルオロペンタノール(Rf-1)を2-ヒドロキシエチルトリフルオロアセテート(Rf-5)101.8g(644mmol)に代え、それ以外は同様の処方でテトラカルボン酸ジエステルジクロライド(X-6)のN-メチル-2-ピロリドン溶液を得た。
合成例9において、4,4,5,5,5-ペンタフルオロペンタノール(Rf-1)を3-ヒドロキシ-2,2-ジメチルプロピルトリフルオロアセテート(Rf-6)101.8g(644mmol)に代え、それ以外は同様の処方でテトラカルボン酸ジエステルジクロライド(X-7)のN-メチル-2-ピロリドン溶液を得た。
合成例9において、4,4,5,5,5-ペンタフルオロペンタノール(Rf-1)を4,4,5,5,6,6,7,7,7-ノナフルオロ-1,2-ヘプタンジオール(Rf-7)189.4g(644mmol)に代え、それ以外は同様の処方でテトラカルボン酸ジエステルジクロライド(X-8)のN-メチル-2-ピロリドン溶液を得た。
撹拌機、温度計を具備した500mlのフラスコ内に2,2―ビス(3―アミノ―4―ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン(6FAP)28.5g(77.9mmol)、4-アミノフェノール(PAP)0.4g(4.1mmol)、N-メチル-2-ピロリドン125gを加え、室温で撹拌し溶解した。次に室温下、3,3’,4,4’-オキシジフタル酸二無水物(s-ODPA)15.3g(49.2mmol)、をN-メチル-2-ピロリドン155gに溶解した溶液を滴下し、滴下終了後室温下3時間撹拌した。その後、この反応液にキシレン40gを加え、170℃で生成する水を系外へ除きながら3時間加熱還流を行った。室温まで冷却後、ピリジン1.4g(18.0mmol)を加え、別途調製したテトラカルボン酸ジエステルジクロライドのN-メチル-2-ピロリドン溶液(X-1)14.7g(テトラカルボン酸ジエステルジクロライドとして4.1mmol)、セバシン酸ジクロライド(DC-1)6.9g(28.7mmol)の混合液を5℃以下に保つように滴下した。滴下終了後、室温まで戻し、この反応液を超純水2Lの撹拌下に滴下し、析出物をろ別し、適宜水洗後、40℃で48時間減圧乾燥することにより、ポリアミドイミド樹脂(A1-9)を得た。この重合体の分子量をGPCにより測定すると、ポリスチレン換算で重量平均分子量35,000であった。
ジアミン化合物、モノアミン化合物、テトラカルボン酸二無水物、テトラカルボン酸ジエステルジクロライドとして下記表2中に示す重量の化合物を用い、合成例17と同様の処方でポリアミドイミド樹脂(A1-10)~(A1-21)を得た。それぞれの重合体の分子量をGPCにより測定し、ポリスチレン換算で重量平均分子量を下記表2に示す。
撹拌機、温度計を具備した1Lのフラスコ内に2,2’-ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン(TFMB)30g(93.7mmol)、4-アミノピリジン(4APY)5.9g(62.5mmol)、N-メチル-2-ピロリドン144gを加え、室温で撹拌し溶解した。次に室温下、3,3’,4,4’-オキシジフタル酸二無水物(s-ODPA)38.8g(125.0mmol)、をN-メチル-2-ピロリドン390gに溶解した溶液を滴下し、滴下終了後室温下3時間撹拌した。その後、この反応液にキシレン40gを加え、170℃で生成する水を系外へ除きながら3時間加熱還流を行った。室温まで冷却後、この反応液を超純水2Lの撹拌下に滴下し、析出物をろ別し、適宜水洗後、40℃で48時間減圧乾燥することにより、ポリイミド樹脂(A2-1)を得た。この重合体の分子量をGPCにより測定すると、ポリスチレン換算で重量平均分子量6,500であった。
ジアミン化合物、モノアミン化合物、テトラカルボン酸二無水物として下記表3中に示す重量の化合物を用い、合成例30と同様の処方でポリイミド樹脂(A2-2)~(A2-8)を得た。それぞれの重合体の分子量をGPCにより測定し、ポリスチレン換算で重量平均分子量を下記表3に示す。
上記合成例1~合成例8、比較合成例1で合成したポリイミド樹脂(A1-1)~(A1-8)、(B-1)及び合成例17~合成例29で合成したポリアミドイミド樹脂(A1-9)~(A1-21)、並びに、合成例31~合成例37で合成した含窒素ヘテロ環含有ポリイミド樹脂(A2-2)~(A2-8)をベース樹脂として使用して、表4に記載した組成と配合量で、樹脂換算30質量%の樹脂組成物を調製した。その後、撹拌、混合、溶解した後、テフロン(登録商標)製0.5μmフィルターで精密濾過を行って感光性樹脂組成物を得た。表中溶剤のPGMEAはプロピレングルコールモノメチルエーテルアセテート、GBLはγ―ブチロラクトンを示す。
エポキシ樹脂:ADEKA(株)社製 EP4000L
上記の感光性樹脂組成物1~34、比較感光性樹脂組成物1~3をシリコン基板上へ5mLディスペンスした後に基板を回転することによって、即ち、スピンコート法によって、パターン形成後に施す後硬化の加熱後に膜厚が10μmとなるように塗布した。即ち、後硬化工程後、膜厚が減少することを予め検討し、後硬化後の仕上がり膜厚が10μmとなるように塗布時の回転数を調整した。
次に、ホットプレート上100℃、2分間のプリベークを施した。そして次に、ニコン社製i線ステッパーNSR-2205i11を用いてi線露光、パターン形成を行った。パターン形成においては、ポジ型パターン用のマスクを使用した。該マスクは、縦横1:1配列の20μmのホールが形成できるパターンを有し、50μm~20μmまでは10μm刻み、20μm~10μmまでは5μm刻み、10μm~1μmまでは1μm刻みでホールパターンが形成できるものである。
良好:ホールが矩形又は順テーパー形状(ホール上部の寸法が底部の寸法より大きい形状)が観察されたもの
不良:逆テーパー形状(ホール上部の寸法が底部の寸法より小さい形状)、オーバーハング形状(ホール上部が張り出した形状)、著しい膜減りが観察されたもの、又はホール底部に残渣が観察されたもの
上記の感光性樹脂組成物1~34、比較感光性樹脂組成物1~3をアルミ基板上へ硬化後の仕上がり膜厚が10μmとなるようにスピンコートした。次に、ホットプレート上100℃、3分間のプリベークを施し、感光性樹脂膜を得た。
Claims (14)
- ポジ型感光性樹脂組成物であって、
(A-1)ポリイミド構造、ポリベンゾオキサゾール構造、ポリアミドイミド構造、それらの前駆体構造から選ばれる少なくとも1つ以上の構造が含まれるアルカリ可溶性樹脂、
(A-2)アルカリ可溶性基を持たず、分子末端に少なくとも1つ以上の窒素原子を有するヘテロ環骨格を有するポリイミド構造、ポリベンゾオキサゾール構造、ポリアミドイミド構造、それらの前駆体構造から選ばれる少なくとも1つ以上の構造が含まれる樹脂、
(B)光により酸を発生しアルカリ水溶液に対する溶解速度が増大する感光剤であって、キノンジアジド構造を有する化合物、及び
(D)溶剤、
を含むものであることを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。 - 前記ポジ型感光性樹脂組成物が、前記(A-1)100質量部に対し、前記(A-2)を5質量部以上50質量部以下含有するものであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 前記(A-1)が、更に、下記一般式(6)及び/又は(8)で示される構造単位を含むものであることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 前記ポジ型感光性樹脂組成物が、更に、(C)ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド-アルコールにより変性されたアミノ縮合物、1分子中に平均して2個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物、多価フェノールの水酸基の水素原子をグリシジル基に置換した化合物、多価フェノールの水酸基の水素原子を下記式(C-1)で示される置換基に置換した化合物、及び下記式(C-2)で示されるグリシジル基を有した窒素原子を2つ以上含有した化合物から選ばれる1種又は2種以上の架橋剤を含むものであることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか一項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 前記ポジ型感光性樹脂組成物が、更に、(E)熱によって酸を発生する化合物を含むものであることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか一項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- (1)請求項1から請求項9のいずれか一項に記載のポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、感光材皮膜を形成する工程、
(2)次いで加熱処理後、フォトマスクを介して波長190~500nmの高エネルギー線もしくは電子線で感光材皮膜を露光する工程、
(3)アルカリ水溶液の現像液を用いて現像する工程、
を含むことを特徴とするパターン形成方法。 - 請求項10に記載のパターン形成方法により得られたパターン形成された被膜を、温度100~300℃において加熱、後硬化する工程を含むことを特徴とする硬化被膜形成方法。
- 請求項1から請求項9のいずれか一項に記載のポジ型感光性樹脂組成物が硬化してなる硬化被膜からなるものであることを特徴とする層間絶縁膜。
- 請求項1から請求項9のいずれか一項に記載のポジ型感光性樹脂組成物が硬化してなる硬化被膜からなるものであることを特徴とする表面保護膜。
- 請求項12に記載の層間絶縁膜又は請求項13に記載の表面保護膜を有するものであることを特徴とする電子部品。
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