JP7146555B2 - ウェーハの加工方法 - Google Patents
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Description
本発明の実施形態1に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図1は、実施形態1に係るウェーハの加工方法の加工対象のウェーハの一例を示す斜視図である。図2は、実施形態1に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。
保護部材配設ステップST1は、ウェーハ1の基板2の表面3の機能層4側に保護部材である粘着テープ200を配設するステップである。実施形態1において、保護部材配設ステップST1は、図1に示すように、ウェーハ1よりも大径な粘着テープ200を機能層4側に貼着し、粘着テープ200の外周縁に環状フレーム201を貼着する。実施形態1では、保護部材として粘着テープ200を用いるが、本発明では、保護部材は、粘着テープ200に限定されない。ウェーハの加工方法は、ウェーハ1の機能層4側に粘着テープ200を貼着すると、切削ステップST2に進む。
図3は、図2に示されたウェーハの加工方法の切削ステップを一部断面で示す側面図である。図4は、図2に示されたウェーハの加工方法の切削ステップ後のウェーハの要部の断面図である。
図5は、図2に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップで用いられるエッチング装置の構成を示す断面図である。図6は、図2に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップ後のウェーハの要部の断面図である。
図7は、図2に示されたウェーハの加工方法の機能層変質ステップを示す断面図である。機能層変質ステップST4は、プラズマエッチングステップST3を実施した後、ウェーハ1の裏面7側から図7に示すレーザー加工装置50が機能層4に対して吸収性を有する波長のレーザー光線51を分割溝310に沿って照射し、分割溝310の底で露出した機能層4を加熱して変質させるステップである。
YVO4(ネオジウム:イットリウム・四酸化バナジューム)パルスレーザー
波長:355nm
平均出力:1W
繰り返し周波数:100kHz
集光点51-1のスポット径:10μm
加工送り速度:500mm/sec
図8は、図2に示されたウェーハの加工方法の機能層破断ステップにおいて、ウェーハを破断装置に保持した状態を示す断面図である。図9は、図2に示されたウェーハの加工方法の機能層破断ステップにおいて、機能層をデバイス毎に破断した状態を示す断面図である。機能層破断ステップST5は、機能層変質ステップST4の後に、粘着テープ200を引き延ばして拡張し、変質領域4-1を破断起点にして機能層4を分割予定ライン6に沿って破断するステップである。
図10は、図2に示されたウェーハの加工方法の仕上げ研削ステップを示す側断面図である。仕上げ研削ステップST6は、プラズマエッチングステップST3、機能層変質ステップST4及び機能層破断ステップST5の後に、ウェーハ1の裏面7を研削してウェーハ1を仕上がり厚さ100にするステップである。
図11は、図2に示されたウェーハの加工方法のダイアタッチフィルム貼着ステップを示す断面図である。ダイアタッチフィルム貼着ステップST7は、プラズマエッチングステップST3、機能層変質ステップST4、機能層破断ステップST5及び仕上げ研削ステップST6の後に、ウェーハ1の裏面7にダイアタッチフィルム202を貼着するステップである。
図12は、図2に示されたウェーハの加工方法のダイアタッチフィルム分割ステップを示す断面図である。図13は、図2に示されたウェーハの加工方法のダイアタッチフィルム分割ステップ後のウェーハの要部の断面図である。ダイアタッチフィルム分割ステップST8は、分割溝310に沿ってダイアタッチフィルム202に図12に示すレーザー加工装置70がレーザー光線71を照射してダイアタッチフィルム202を分割するステップである。
本発明の実施形態2に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図14は、実施形態2に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。図15は、図14に示されたウェーハの加工方法の予備研削ステップを示す側断面図である。図16は、図14に示されたウェーハの加工方法の予備研削ステップ後のウェーハの要部の断面図である。なお、図14、図15及び図16は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
本発明の実施形態3に係るウェーハの加工方法を説明する。実施形態3に係るウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップST3において、電極に高周波電力を印加して密閉空間内でエッチングガスなどをプラズマするものではなく、プラズマ状態にしたエッチングガスなどをプラズマエッチングチャンバー内の密閉空間に導入するリモートプラズマ方式のプラズマエッチング装置を用いる。
2 基板
3 表面
4 機能層
4-1 変質領域(変質した領域)
5 デバイス
6 分割予定ライン
7 裏面
12 切削ブレード
51 レーザー光線
51-1 集光点
100 仕上がり厚さ
200 粘着テープ(保護部材)
300 切削溝
301 底
310 分割溝
311 内側面(側面)
ST1 保護部材配設ステップ
ST2 切削ステップ
ST3 プラズマエッチングステップ
ST4 機能層変質ステップ
ST5 機能層破断ステップ
ST6 仕上げ研削ステップ
ST10 予備研削ステップ
Claims (3)
- 基板の表面に機能層が積層され複数のデバイスが形成されたウェーハを、該複数のデバイスを区画する分割予定ラインに沿って分割するウェーハの加工方法であって、
該ウェーハの表面の該機能層側に保護部材を配設する保護部材配設ステップと、
該ウェーハの裏面に切削ブレードを切り込ませ、該機能層に至らない深さの切削溝を該分割予定ラインに沿って該基板に形成する切削ステップと、
該ウェーハの裏面側にプラズマ状態のガスを供給し、該切削溝の底に残存する基板をエッチングして除去し、該分割予定ラインに沿った分割溝で該基板を分割するプラズマエッチングステップと、
ウェーハの裏面側からレーザー光線を該分割溝に沿って照射し、該分割溝の底で露出した該機能層を加熱して変質させる機能層変質ステップと、
該機能層変質ステップの後に、該保護部材を引き延ばして拡張し、変質した領域を破断起点にして該機能層を該分割予定ラインに沿って破断する機能層破断ステップと、を備え、
該機能層変質ステップは、該レーザー光線の集光点を該機能層より上方に設定し、該分割溝の側面で反射して伝搬されたレーザー光線が該機能層に照射されるウェーハの加工方法。 - 該プラズマエッチングステップの後に、ウェーハの裏面を研削してウェーハを仕上がり厚さにする仕上げ研削ステップを備える請求項1に記載のウェーハの加工方法。
- 該プラズマエッチングステップの前に、ウェーハの裏面を予め研削する予備研削ステップと、を備える請求項1または請求項2に記載のウェーハの加工方法。
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