JP7061022B2 - ウェーハの加工方法 - Google Patents

Description

本発明は、ウェーハの加工方法、特にプラズマダイシングに関する。

シリコン基板等からなる半導体ウェーハは、個々のデバイスチップに分割するため、切削ブレードやレーザー光線を用いた加工方法が適用されることが知られている。これらの加工方法は、分割予定ライン（ストリート）を１本ずつ加工してウェーハをデバイスチップに分割する。近年の電子機器の小型化からデバイスチップの軽薄短小化、コスト削減が進み、サイズが従来のように１０ｍｍを超えるようなデバイスチップから２ｍｍ以下のようなサイズの小さなデバイスチップが数多く生産されている。サイズの小さなデバイスチップを製造する場合、１枚のウェーハに対する分割予定ラインの数が激増し、１ラインずつの加工では加工時間も長くなってしまう。

そこで、ウェーハの分割予定ライン全てを一括で加工するプラズマダイシングという手法が開発されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に示されたプラズマダイシングは、マスクによって遮蔽された領域以外をプラズマエッチングによって除去し、ウェーハ単位で加工を実施するため、分割予定ラインの本数が多くなっても加工時間が劇的に長くなることがないという効果がある。

しかしながら、特許文献１に示されたプラズマダイシングは、エッチングによって除去する領域のみを正確に露出させるために、それぞれのウェーハの分割予定ラインにあった精密なマスクを準備する必要がある（例えば、特許文献２及び特許文献３参照）。

特開２００６－１１４８２５号公報 特開２０１３－０５５１２０号公報 特開２０１４－１９９８３３号公報

しかしながら、特に、特許文献２及び特許文献３に示されたマスクは、製造コスト及び製造工数の抑制、マスクを位置合わせする技術の確立など、切削加工等に比べてコストが高く難易度の高い課題が残されていた。

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、コストを抑制しながらもプラズマエッチングを行うことができるウェーハの加工方法を提供することである。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウェーハの加工方法は、基板の表面に機能層が積層され複数のデバイスが形成されたウェーハを、該複数のデバイスを区画する分割予定ラインに沿って分割するウェーハの加工方法であって、該ウェーハの表面の該機能層側に保護部材を配設する保護部材配設ステップと、該ウェーハの裏面に切削ブレードを切り込ませ、該機能層に至らない深さの切削溝を該分割予定ラインに沿って該基板に形成する切削ステップと、チャックテーブルで該保護部材側を保持した該ウェーハの裏面側にプラズマ化したガスを供給し、該切削溝の底に残存する基板をエッチングして除去し、該分割予定ラインに沿った分割溝で該基板を分割するプラズマエッチングステップと、該プラズマエッチングステップを実施した後に、ウェーハの裏面側からレーザー光線の集光点を該分割溝の底に位置づけて照射し、該機能層を切断する機能層切断ステップと、該機能層切断ステップの後に該ウェーハに水を供給して洗浄し、該レーザー光線の照射で発生し該分割溝の側壁に付着したデブリを除去する洗浄ステップと、を備え、該プラズマエッチングステップでは、Ｃ_４Ｆ_８を用いる保護膜の形成と、ＳＦ_６を用いるプラズマエッチングとを繰り返し、該機能層切断ステップの前に該分割溝の側面にフッ素系の保護膜が被覆されることを特徴とする。

前記ウェーハの加工方法において、該プラズマエッチングステップの後に、ウェーハの裏面を研削してウェーハを仕上がり厚さにする仕上げ研削ステップを備えても良い。

前記ウェーハの加工方法において、該プラズマエッチングステップの前に、ウェーハの裏面を予め研削する予備研削ステップと、を備えても良い。

前記ウェーハの加工方法において、該プラズマエッチングステップの後に、ウェーハの裏面にダイアタッチフィルムを貼着するダイアタッチフィルム貼着ステップと、該切削溝に沿って該ダイアタッチフィルムにレーザー光線を照射してダイアタッチフィルムを分割するダイアタッチフィルム分割ステップと、を備えても良い。

本願発明のウェーハの加工方法は、コストを抑制しながらもプラズマエッチングを行うことができるという効果を奏する。

図１は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の加工対象のウェーハの一例を示す斜視図である。 図２は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。 図３は、図２に示されたウェーハの加工方法の切削ステップを一部断面で示す側面図である。 図４は、図２に示されたウェーハの加工方法の切削ステップ後のウェーハの要部の断面図である。 図５は、図２に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップで用いられるエッチング装置の構成を示す断面図である。 図６は、図２に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップにおける最初のエッチングステップの開始時点のウェーハの要部の断面図である。 図７は、図２に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップにおける最初のエッチングステップ後のウェーハの要部の断面図である。 図８は、図２に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップにおける最初の被膜堆積ステップ後のウェーハの要部の断面図である。 図９は、図２に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップにおける２回目のエッチングステップ後のウェーハの要部の断面図である。 図１０は、図２に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップ後のウェーハの要部の断面図である。 図１１は、図２に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップ後のウェーハの別の要部の断面図である。 図１２は、図２に示されたウェーハの加工方法の機能層切断ステップを示す断面図である。 図１３は、図２に示されたウェーハの加工方法の機能層切断ステップ後のウェーハの要部の断面図である。 図１４は、図２に示されたウェーハの加工方法の洗浄ステップで用いられる洗浄装置の構成を示す断面図である。 図１５は、図２に示されたウェーハの加工方法の洗浄ステップ後のウェーハの要部の断面図である。 図１６は、図２に示されたウェーハの加工方法の仕上げ研削ステップを示す側断面図である。 図１７は、図２に示されたウェーハの加工方法のダイアタッチフィルム貼着ステップ後のウェーハの断面図である。 図１８は、図２に示されたウェーハの加工方法のダイアタッチフィルム分割ステップを示す断面図である。 図１９は、図２に示されたウェーハの加工方法のダイアタッチフィルム分割ステップ後のウェーハの要部の断面図である。 図２０は、実施形態２に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。 図２１は、図２０に示されたウェーハの加工方法の予備研削ステップを示す側断面図である。 図２２は、図２０に示されたウェーハの加工方法の予備研削ステップ後のウェーハの要部の断面図である。 図２３は、実施形態３に係るウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップ後のウェーハの要部の断面図である。 図２４は、実施形態４に係るウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップで用いられるエッチング装置の構成を示す断面図である。

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の加工対象のウェーハの一例を示す斜視図である。図２は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。

実施形態１に係るウェーハの加工方法は、図１に示すウェーハ１の加工方法である。実施形態１では、ウェーハ１は、シリコン、サファイア、又はガリウムヒ素などを基板２とする円板状の半導体ウェーハや光デバイスウェーハである。ウェーハ１は、図１に示すように、基板２の表面３に機能層４が積層されて、デバイス５が形成されている。機能層４は、ＳｉＯＦ、ＢＳＧ（ＳｉＯＢ）等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜からなる低誘電率絶縁体被膜（Ｌｏｗ－ｋ膜）により構成されている。機能層４は、基板２の表面３に積層されている。

デバイス５は、表面３の交差する複数の分割予定ライン６で区画された各領域にそれぞれ形成されている。即ち、分割予定ライン６は、複数のデバイス５を区画するものである。デバイス５を構成する回路は、機能層４により支持されている。なお、実施形態１において、デバイス５は、切削加工によりウェーハ１から分割されるデバイスよりも小型であり、例えば、１ｍｍ×１ｍｍ程度の大きさである。また、ウェーハ１は、分割予定ライン６の少なくとも一部において、基板２の表面３側に図示しない金属膜とＴＥＧ（Test Element Group）とのうち少なくとも一方が形成されている。ＴＥＧは、デバイス５に発生する設計上や製造上の問題を見つけ出すための評価用の素子である。

実施形態１に係るウェーハの加工方法は、ウェーハ１を分割予定ライン６に沿って個々のデバイス５に分割するとともに、デバイス５を仕上がり厚さ１００まで薄化する方法である。ウェーハの加工方法は、図２に示すように、保護部材配設ステップＳＴ１と、切削ステップＳＴ２と、プラズマエッチングステップＳＴ３と、機能層切断ステップＳＴ４と、洗浄ステップＳＴ５と、仕上げ研削ステップＳＴ６と、ダイアタッチフィルム貼着ステップＳＴ７と、ダイアタッチフィルム分割ステップＳＴ８とを備える。

（保護部材配設ステップ）
保護部材配設ステップＳＴ１は、ウェーハ１の基板２の表面３の機能層４側に保護部材である粘着テープ２００を配設するステップである。実施形態１において、保護部材配設ステップＳＴ１は、図１に示すように、ウェーハ１よりも大径な粘着テープ２００を機能層４側に貼着し、粘着テープ２００の外周縁に環状フレーム２０１を貼着する。実施形態１では、保護部材として粘着テープ２００を用いるが、本発明では、保護部材は、粘着テープ２００に限定されない。ウェーハの加工方法は、ウェーハ１の機能層４側に粘着テープ２００を貼着すると、切削ステップＳＴ２に進む。

（切削ステップ）
図３は、図２に示されたウェーハの加工方法の切削ステップを一部断面で示す側面図である。図４は、図２に示されたウェーハの加工方法の切削ステップ後のウェーハの要部の断面図である。

切削ステップＳＴ２は、ウェーハ１の基板２の裏面７に図３に示す切削装置１０の切削ブレード１２を切り込ませ、機能層４に至らない深さの切削溝３００を分割予定ライン６に沿って基板２に形成するステップである。実施形態１において、切削ステップＳＴ２では、図３に示すように、切削ユニット１１を２つ備えた、即ち、２スピンドルのダイサ、いわゆるフェイシングデュアルタイプの切削装置１０のチャックテーブル１３の保持面１４に粘着テープ２００を介してウェーハ１の機能層４側を吸引保持する。切削ステップＳＴ２では、切削装置１０の図示しない赤外線カメラがウェーハ１の裏面７を撮像して、ウェーハ１と各切削ユニット１１の切削ブレード１２との位置合わせを行なうアライメントを遂行する。

切削ステップＳＴ２では、ウェーハ１と各切削ユニット１１の切削ブレード１２とを分割予定ライン６に沿って相対的に移動させながら切削ブレード１２を裏面７に切り込ませて、ウェーハ１の裏面７側に切削溝３００を形成する。実施形態１で用いる切削装置１０の一対の切削ユニット１１のうちの一方の切削ユニット１１（以下、符号１１－１で記す）の切削ブレード１２（以下、符号１２－１で記す）の厚さは、他方の切削ユニット１１（以下、符号１１－２で記す）の切削ブレード１２（以下、符号１２－２で記す）の厚さよりも厚い。実施形態１の切削ステップＳＴ２では、一方の切削ユニット１１の切削ブレード１２を裏面７に仕上げ厚さ１００分切り込ませて、第１切削溝３０１をウェーハ１の裏面７に形成する。なお、実施形態１では、切削ステップＳＴ２において、一方の切削ユニット１１の切削ブレード１２を裏面７に仕上げ厚さ１００分切り込ませるが、本発明は、一方の切削ユニット１１の切削ブレード１２を裏面７に仕上がり厚さ１００よりも浅い深さ切り込ませても良く、要するに、一方の切削ユニット１１の切削ブレード１２を裏面７に仕上がり厚さ１００以下の深さ切り込ますのが望ましい。

切削ステップＳＴ２では、第１切削溝３０１を形成した後、他方の切削ユニット１１の切削ブレード１２を第１切削溝３０１の溝底３０３に切り込ませて、第１切削溝３０１より細い第２切削溝３０２を第１切削溝３０１の溝底３０３に形成する。切削ステップＳＴ２では、第１切削溝３０１と第２切削溝３０２とを形成して、ウェーハ１の裏面７にウェーハ１の仕上がり厚さ１００を超えるとともに機能層４に至らない深さの切削溝３００を形成して、プラズマエッチングステップＳＴ３でのプラズマ化したエッチングガスからなるプラズマの切削溝３００への侵入を促進させる。なお、実施形態１において、切削溝３００は、第１切削溝３０１と第２切削溝３０２とで構成される。ウェーハの加工方法は、図４に示すように、ウェーハ１の全ての分割予定ライン６の裏面７側に第１切削溝３０１及び第２切削溝３０２を形成すると、プラズマエッチングステップＳＴ３に進む。なお、実施形態１では、切削ステップＳＴ２において、厚さが比較的厚い切削ブレード１２－１と、厚さが比較的薄い切削ブレード１２－２とを使用して、段差のある切削溝３００を形成しているが、本発明は、１枚の切削ブレードを使用して段差のないシングルカットの切削溝を形成してもよい。

（プラズマエッチングステップ）
図５は、図２に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップで用いられるエッチング装置の構成を示す断面図である。図６は、図２に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップにおける最初のエッチングステップの開始時点のウェーハの要部の断面図である。図７は、図２に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップにおける最初のエッチングステップ後のウェーハの要部の断面図である。図８は、図２に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップにおける最初の被膜堆積ステップ後のウェーハの要部の断面図である。図９は、図２に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップにおける２回目のエッチングステップ後のウェーハの要部の断面図である。図１０は、図２に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップ後のウェーハの要部の断面図である。図１１は、図２に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップ後のウェーハの別の要部の断面図である。図１１は、図１０よりも広範囲を示している。

プラズマエッチングステップＳＴ３は、図５に示すエッチング装置２０のチャックテーブル２１で粘着テープ２００側を保持したウェーハ１を裏面７側にプラズマ化したエッチングガスを供給し、切削溝３００の底３０４（図４に示す）に残存する基板２をエッチングして除去し、分割予定ライン６に沿った分割溝３１０で基板２を分割するステップである。プラズマエッチングステップＳＴ３では、Ｃ_４Ｆ_８を用いる保護膜の形成と、ＳＦ_６を用いるプラズマエッチングとを繰り返し、機能層切断ステップＳＴ４の前に分割溝３１０の側面３１１（図１０及び図１１に示す）にフッ素系の保護膜３１２（図１０及び図１１に示す）が被覆される。

プラズマエッチングステップＳＴ３では、エッチング装置２０の制御ユニット２２が、ゲート作動ユニット２３を作動してゲート２４を図５中の下方に移動させ、ハウジング２５の開口２６を開ける。次に、図示しない搬出入手段によって切削ステップＳＴ２が実施されたウェーハ１を開口２６を通してハウジング２５内の密閉空間２７に搬送し、下部電極２８を構成する被加工物保持部２９のチャックテーブル２１（静電チャック、ＥＳＣ：Electrostatic chuck）上に粘着テープ２００を介してウェーハ１の機能層４側を載置する。このとき、制御ユニット２２は、昇降駆動ユニット３０を作動して上部電極３１を上昇させておく。制御ユニット２２は、被加工物保持部２９内に設けられた電極３２，３３に電力を印加してチャックテーブル２１上にウェーハ１を吸着保持する。

制御ユニット２２は、ゲート作動ユニット２３を作動してゲート２４を上方に移動させ、ハウジング２５の開口２６を閉じる。制御ユニット２２は、昇降駆動ユニット３０を作動して上部電極３１を下降させ、上部電極３１を構成するガス噴出部３４の下面と下部電極２８を構成するチャックテーブル２１に保持されたウェーハ１との間の距離をプラズマエッチング処理に適した所定の電極間距離に位置付ける。

制御ユニット２２は、ガス排出ユニット３５を作動してハウジング２５内の密閉空間２７を真空排気して、密閉空間２７の圧力を所定の圧力に維持するとともに、冷媒供給ユニット３６を作動させて下部電極２８内に設けられた冷媒導入通路３７、冷却通路３８及び冷媒排出通路３９に冷媒であるヘリウムガスを循環させて、下部電極２８の異常昇温を抑制する。

次に、制御ユニット２２は、ウェーハ１に対してプラズマ化したＳＦ_６ガス３２１（図６、図７及び図９に示す）を供給してウェーハ１の裏面７全体をプラズマエッチングするとともに切削溝３００を基板２の表面３に向かって進行させるエッチングステップと、エッチングステップに次いでプラズマ化したＣ_４Ｆ_８ガス３２２（図８に示す）をウェーハ１に供給してウェーハ１の裏面７、切削溝３０１，３０２の内面及び第２切削溝３０２の底３０４に被膜としてのフッ素系の保護膜３０７，３０８（図８に示す）を堆積させる被膜堆積ステップとを交互に繰り返す。なお、被膜堆積ステップ後のエッチングステップは、第２切削溝３０２の底３０４の被膜を除去して第２切削溝３０２の底３０４をプラズマエッチングする。このように、プラズマエッチングステップＳＴ３は、所謂ボッシュ法でウェーハ１をプラズマエッチングする。

なお、エッチングステップでは、制御ユニット２２は、ＳＦ_６ガス供給ユニット４０を作動しプラズマエッチングガスであるＳＦ_６ガス３２１を上部電極３１の複数の噴出口４１から下部電極２８のチャックテーブル２１上に保持されたウェーハ１に向けて噴出する。そして、制御ユニット２２は、プラズマ発生用のＳＦ_６ガス３２１を供給した状態で、高周波電源４２から上部電極３１にプラズマを作り維持する高周波電力を印加し、高周波電源４２から下部電極２８にイオンを引き込むための高周波電力を印加する。これにより、下部電極２８と上部電極３１との間の空間にＳＦ_６ガス３２１からなる等方性を有するプラズマ化したエッチングガスが発生し、このプラズマ化したエッチングガスがウェーハ１に引き込まれて、ウェーハ１の裏面７、切削溝３０１，３０２の内面及び第２切削溝３０２の底３０４をエッチングして、切削溝３００を基板２の表面３に向かって進行させる。

最初のエッチングステップでは、具体的には、まず、裏面７、及び、図６に示すように、ウェーハ１における第２切削溝３０２の側面３０５及び底３０４に対して、プラズマ化したＳＦ_６ガス３２１を供給する。これにより、裏面７、及び、図７に示すように、第２切削溝３０２の側面３０５及び底３０４がプラズマエッチングされる。

また、被膜堆積ステップでは、制御ユニット２２は、Ｃ_４Ｆ_８ガス供給ユニット４３を作動しプラズマエッチングガスであるＣ_４Ｆ_８ガス３２２を上部電極３１の複数の噴出口４１から下部電極２８のチャックテーブル２１上に保持されたウェーハ１に向けて噴出する。そして、制御ユニット２２は、プラズマ発生用のＣ_４Ｆ_８ガス３２２を供給した状態で、高周波電源４２から上部電極３１にプラズマを作り維持する高周波電力を印加し、高周波電源４２から下部電極２８にイオンを引き込むための高周波電力を印加する。これにより、下部電極２８と上部電極３１との間の空間にＣ_４Ｆ_８ガス３２２からなるプラズマが発生し、このプラズマがウェーハ１に引き込まれて、ウェーハ１に被膜を堆積させる。

最初のエッチングステップの後に行われる最初の被膜堆積ステップでは、具体的には、まず、図８に示すように、直前のエッチングステップでプラズマエッチングした裏面７、及び、第２切削溝３０２の側面３０５及び底３０４に対して、プラズマ化したＣ_４Ｆ_８ガス３２２を供給すると、裏面７に皮膜としてのフッ素系の保護膜が堆積され、第２切削溝３０２の側面３０５に皮膜としてのフッ素系の保護膜３０７が堆積され、第２切削溝３０２の底３０４に皮膜としてのフッ素系の保護膜３０８が堆積される。

さらに、最初の被膜堆積ステップの後に行われる２回目のエッチングステップでは、図９に示すように、直前の被膜堆積ステップでフッ素系の保護膜３０８が堆積した第２切削溝３０２の底３０４に対して、印加する電圧や電極間の距離を調整してプラズマ化したＳＦ_６ガス３２１を供給する。なお、最初のエッチングステップで、ウェーハ１の層方向には十分にプラズマエッチングが進行しているため、直前の被膜堆積ステップでフッ素系の保護膜３０７が堆積した第２切削溝３０２の側面３０５に対してはプラズマ化したＳＦ_６ガス３２１がほとんど供給されない。このため、このエッチングステップでは、図９に示すように、第２切削溝３０２の側面３０５は、堆積したフッ素系の保護膜３０７により被覆されたまま、第２切削溝３０２の底３０４は、堆積したフッ素系の保護膜３０８がプラズマ化したＳＦ_６ガス３２１によってプラズマエッチングされて除去され、さらにプラズマエッチングされる。切削溝３００は、基板２の表面３に向かって進行する。

プラズマエッチングステップＳＴ３では、制御ユニット２２は、切削溝３００の深さ即ちウェーハ１の厚さに応じて、エッチングステップと被膜堆積ステップとを繰り返す回数が予め設定されている。プラズマエッチングステップＳＴ３において、エッチングステップと被膜堆積ステップとを予め設定された回数繰り返されたウェーハ１は、図１０及び図１１に示すように、エッチングステップにおいて切削溝３００の底３０４に残存する基板２がエッチングされ除去され、第２切削溝３０２が機能層４に到達して、切削溝３００が基板２を分割する分割溝３１０となる。そして、第２切削溝３０２の側面３０５を含む切削溝３００の側面が分割溝３１０の側面３１１となり、切削溝３００の側面３０５に堆積したフッ素系の保護膜３０７がフッ素系の保護膜３１２となり、第２切削溝３０２の底３０４が分割溝３１０の底３１３となり、ウェーハ１は、分割溝３１０の側面３１１にフッ素系の保護膜３１２が被覆された状態となる。

ウェーハ１は、基板２が分割溝３１０により分割され、分割溝３１０内に機能層４が露出して、分割溝３１０の溝底に機能層４が残っている。ウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３を終了すると、機能層切断ステップＳＴ４に進む。

（機能層切断ステップ）
図１２は、図２に示されたウェーハの加工方法の機能層切断ステップを示す断面図である。図１３は、図２に示されたウェーハの加工方法の機能層切断ステップ後のウェーハの要部の断面図である。

機能層切断ステップＳＴ４は、プラズマエッチングステップＳＴ３を実施した後、図１２に示すレーザー加工装置５０がウェーハ１の裏面７側から機能層４に対して吸収性を有する波長のレーザー光線５１の集光点５２をエッチングした分割溝３１０の底３１３に位置づけて、レーザー光線５１を照射し、分割溝３１０の底３１３で露出した機能層４を切断するステップである。

機能層切断ステップＳＴ４では、レーザー加工装置５０が、チャックテーブルに粘着テープ２００を介してウェーハ１の機能層４側を保持し、図１２に示すように、レーザー光線照射ユニット５３とチャックテーブルとを分割予定ライン６に沿って相対的に移動させながらレーザー光線照射ユニット５３から機能層４に対して吸収性を有する波長（例えば、３５５ｎｍ）のレーザー光線５１を、レーザー光線５１の集光点５２を分割溝３１０の底３１３に位置づけて機能層４に照射する。機能層切断ステップＳＴ４では、各分割予定ライン６において、基板２を分割した分割溝３１０の底３１３に残った機能層４にアブレーション加工を施して、機能層４を切断して、ウェーハ１を個々のデバイス５に分割する。なお、機能層切断ステップＳＴ４では、図示しない分割予定ライン６に形成された金属膜やＴＥＧも分割する。機能層切断ステップＳＴ４では、機能層４にアブレーション加工を施す際にデブリ３１４が発生し、図１３に示すように、発生したデブリ３１４が分割溝３１０の側面３１１に被覆されたフッ素系の保護膜３１２に付着する。なお、機能層切断ステップＳＴ４では、ウェーハ１の機能層４側が粘着テープ２００で保護されているため、発生したデブリ３１４が機能層４に付着しない。ウェーハの加工方法は、図１３に示すように、全ての分割予定ライン６において分割溝３１０の底３１３で露出した機能層４を分割すると、洗浄ステップＳＴ５に進む。

（洗浄ステップ）
図１４は、図２に示されたウェーハの加工方法の洗浄ステップで用いられる洗浄装置の構成を示す断面図である。図１５は、図２に示されたウェーハの加工方法の洗浄ステップ後のウェーハの要部の断面図である。

洗浄ステップＳＴ５は、機能層切断ステップＳＴ４の後にウェーハ１に洗浄用の水５９（図１４に示す）を供給して洗浄し、レーザー光線５１の照射で発生し分割溝３１０の側壁、すなわち側面３１１にフッ素系の保護膜３１２を介して付着したデブリ３１４を除去するステップである。

洗浄ステップＳＴ５では、図１４に示すように、洗浄装置５５が、チャックテーブル５６の保持面５７に粘着テープ２００を介してウェーハ１の機能層４側を吸引保持する。洗浄ステップＳＴ５では、洗浄装置５５が、図１４に示すように、チャックテーブル５６を軸心周りに回転しながら、洗浄水供給ユニット５８をウェーハ１の面方向に沿って相対的に移動させるとともに、洗浄水供給ユニット５８で洗浄用の水５９を供給することによって、図１５に示すように、フッ素系の保護膜３１２によって除去されやすい状態となっているデブリ３１４を水５９で洗い流して、分割溝３１０の側壁から除去する。ウェーハの加工方法は、デブリ３１４を分割溝３１０の側壁から除去すると仕上げ研削ステップＳＴ６に進む。

（仕上げ研削ステップ）
図１６は、図２に示されたウェーハの加工方法の仕上げ研削ステップを示す側断面図である。仕上げ研削ステップＳＴ６は、プラズマエッチングステップＳＴ３、機能層切断ステップＳＴ４及び洗浄ステップＳＴ５の後に、ウェーハ１の裏面７を研削してウェーハ１を仕上がり厚さ１００にするステップである。

仕上げ研削ステップＳＴ６では、研削装置６０が、チャックテーブル６１の保持面６２に粘着テープ２００を介してウェーハ１の機能層４側を吸引保持する。仕上げ研削ステップＳＴ６では、図１６に示すように、スピンドル６３により仕上げ研削用の研削ホイール６４を回転しかつチャックテーブル６１を軸心回りに回転しながら研削水を供給するとともに、仕上げ研削用砥石６５をチャックテーブル６１に所定の送り速度で近づけることによって、仕上げ研削用砥石６５でウェーハ１即ちデバイス５の裏面７を仕上げ研削する。仕上げ研削ステップＳＴ６では、仕上がり厚さ１００になるまでウェーハ１即ちデバイス５を研削する。仕上げ研削ステップＳＴ６では、仕上がり厚さ１００になるまでウェーハ１即ちデバイス５を研削すると、第１切削溝３０１が除去されて、第１切削溝３０１と第２切削溝３０２との間の段差が除去される。なお、仕上げ研削ステップＳＴ６では、粗研削用砥石でウェーハ１の裏面７を粗研削してから、仕上げ研削用砥石６５でウェーハ１の裏面７を仕上げ研削してもよい。ウェーハの加工方法は、仕上がり厚さ１００までウェーハ１即ちデバイス５を薄化するとダイアタッチフィルム貼着ステップＳＴ７に進む。

（ダイアタッチフィルム貼着ステップ）
図１７は、図２に示されたウェーハの加工方法のダイアタッチフィルム貼着ステップ後のウェーハの断面図である。ダイアタッチフィルム貼着ステップＳＴ７は、プラズマエッチングステップＳＴ３、機能層切断ステップＳＴ４、洗浄ステップＳＴ５及び仕上げ研削ステップＳＴ６の後に、ウェーハ１の裏面７にダイアタッチフィルム２０２を貼着するステップである。

ダイアタッチフィルム貼着ステップＳＴ７では、仕上げ研削ステップＳＴ６において仕上げ研削されたウェーハ１即ちデバイス５の裏面７にデバイス５を接着するためのダイアタッチフィルム２０２を貼着する。ダイアタッチフィルム貼着ステップＳＴ７では、図１７に示すように、外周縁に環状フレーム２０４が貼着されたダイシングテープ２０３に積層されたダイアタッチフィルム２０２をウェーハ１の裏面７に貼着するとともに、機能層４から粘着テープ２００を剥がす。ウェーハの加工方法は、粘着テープ２００を機能層４から剥がすと、ダイアタッチフィルム分割ステップＳＴ８に進む。

（ダイアタッチフィルム分割ステップ）
図１８は、図２に示されたウェーハの加工方法のダイアタッチフィルム分割ステップを示す断面図である。図１９は、図２に示されたウェーハの加工方法のダイアタッチフィルム分割ステップ後のウェーハの要部の断面図である。ダイアタッチフィルム分割ステップＳＴ８は、切削溝３００に沿ってダイアタッチフィルム２０２に図１８に示すレーザー加工装置７０がレーザー光線７１を照射してダイアタッチフィルム２０２を分割するステップである。

ダイアタッチフィルム分割ステップＳＴ８では、レーザー加工装置７０が、チャックテーブルにダイシングテープ２０３を介してウェーハ１の裏面７側を保持し、図１８に示すように、レーザー光線照射ユニット７２とチャックテーブルとを分割予定ライン６に沿って相対的に移動させながらレーザー光線照射ユニット７２からダイアタッチフィルム２０２に対して吸収性を有する波長（例えば、３５５ｎｍ）のレーザー光線７１を切削溝３００内で露出したダイアタッチフィルム２０２に照射する。ダイアタッチフィルム分割ステップＳＴ８では、各分割予定ライン６において、切削溝３００内で露出したダイアタッチフィルム２０２にアブレーション加工を施して、切削溝３００内で露出したダイアタッチフィルム２０２を分割する。ウェーハの加工方法は、図１９に示すように、全ての分割予定ライン６において切削溝３００内で露出したダイアタッチフィルム２０２を分割すると、終了する。なお、その後、デバイス５は、ダイアタッチフィルム２０２毎、図示しないピックアップによりダイシングテープ２０３からピックアップされる。

実施形態１に係るウェーハの加工方法は、切削ステップＳＴ２において裏面７から分割予定ライン６に沿って切削溝３００を形成した後、プラズマエッチングステップＳＴ３において裏面７側からプラズマエッチングすることで、切削溝３００を基板２の表面３に向かって進行させて、ウェーハ１を分割するため、マスクを不要としたプラズマダイシングを実現することができる。このために、ウェーハの加工方法は、切削加工により分割するデバイスよりも小型であるためにプラズマエッチングで分割するのに好適なデバイス５を備えるウェーハ１の加工方法において、高価なマスクが不要となる。その結果、ウェーハの加工方法は、コストを抑制しながらもウェーハ１にプラズマエッチングを行ってウェーハ１を個々のデバイス５に分割することができる。

また、ウェーハの加工方法は、切削ステップＳＴ２及び仕上げ研削ステップＳＴ６前の保護部材配設ステップＳＴ１において、機能層４側に粘着テープ２００が貼着されている。このために、切削ステップＳＴ２及び仕上げ研削ステップＳＴ６時に生じるコンタミがデバイス５に付着することを抑制することができる。

また、ウェーハの加工方法は、機能層切断ステップＳＴ４において、切削溝３００の溝底に残った機能層４にレーザー光線５１を照射して分割するので、Ｌｏｗ－ｋ膜等の機能層４が積層されたウェーハ１を個々のデバイス５に分割することができる。また、ウェーハの加工方法は、機能層切断ステップＳＴ４前の保護部材配設ステップＳＴ１において、機能層４側に粘着テープ２００が貼着され、機能層切断ステップＳＴ４において、裏面７側からレーザー光線５１を切削溝３００の溝底の機能層４に照射するので、アブレーション加工時に生じるデブリがデバイス５に付着することを抑制することができる。

また、ウェーハの加工方法は、切削ステップＳＴ２において、第１切削溝３０１を形成した後に第１切削溝３０１の溝底３０３に第１切削溝３０１よりも細い第２切削溝３０２を形成すると共に、プラズマエッチングステップＳＴ３においてボッシュ法でウェーハ１をプラズマエッチングする。このために、ウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３のエッチングステップにおいて、ＳＦ_６ガスからなるプラズマを第２切削溝３０２の溝底を通してウェーハ１に引き込むことができる。その結果、ウェーハの加工方法は、効率的にウェーハ１の基板２を分割することができる。

また、ウェーハの加工方法は、切削ステップＳＴ２において、ウェーハ１の仕上がり厚さ１００より深い切削溝３００を形成することで、裏面７側に仕上がり厚さ１００以上の段差を設け、プラズマエッチングステップＳＴ３後に残されるウェーハ１の厚さが仕上がり厚さになりつつ、所望の深さの切削溝３００を形成できる。

また、ウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３において、基板２を分割予定ライン６に沿って分割するために、個々に分割されたデバイス５の側面がプラズマエッチングによって除去された面である。このために、ウェーハの加工方法は、切削加工による欠けが個々に分割されたデバイス５の側面に残らず、抗折強度が高いデバイス５を製造できる、という効果も奏する。

また、ウェーハの加工方法は、仕上げ研削ステップＳＴ６において、ウェーハ１の裏面７を研削して、第１切削溝３０１と第２切削溝３０２との間の段差を除去するので、所定寸法のデバイス５を得ることができる。

また、ウェーハの加工方法は、ダイアタッチフィルム貼着ステップＳＴ７と、ダイアタッチフィルム分割ステップＳＴ８とを備えるので、基板などに固定可能なデバイス５を得ることができる。

また、ウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３で、Ｃ_４Ｆ_８を用いる保護膜３０７，３０８の形成と、ＳＦ_６を用いるプラズマエッチングとを繰り返し、機能層切断ステップＳＴ４の前に分割溝３１０の側面３１１にフッ素系の保護膜３１２が被覆された状態としてから、機能層切断ステップＳＴ４の後にウェーハ１に洗浄用の水５９を供給して洗浄し、レーザー光線５１の照射で発生し分割溝３１０の側壁、すなわち側面３１１にフッ素系の保護膜３１２を介して付着したデブリ３１４を除去する洗浄ステップＳＴ５を実行するので、フッ素系の保護膜３１２によって除去しやすい状態となったデブリ３１４を好適に除去することができる。

〔実施形態２〕
本発明の実施形態２に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図２０は、実施形態２に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。図２１は、図２０に示されたウェーハの加工方法の予備研削ステップを示す側断面図である。図２２は、図２０に示されたウェーハの加工方法の予備研削ステップ後のウェーハの要部の断面図である。なお、図２０、図２１及び図２２は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

実施形態２に係るウェーハの加工方法は、図２０に示すように、予備研削ステップＳＴ１０を備えること以外、実施形態１と同じである。予備研削ステップＳＴ１０は、プラズマエッチングステップＳＴ３の前に、ウェーハ１の裏面７を予め研削するステップである。実施形態２において、ウェーハの加工方法は、予備研削ステップＳＴ１０を保護部材配設ステップＳＴ１の後でかつ切削ステップＳＴ２の前に実施するが、本発明では、プラズマエッチングステップＳＴ３の前であれば、保護部材配設ステップＳＴ１の前又は切削ステップＳＴ２の後に実施しても良い。

予備研削ステップＳＴ１０では、研削装置８０が、チャックテーブル８１の保持面８２に粘着テープ２００を介してウェーハ１の機能層４側を吸引保持する。予備研削ステップＳＴ１０では、図２１に示すように、スピンドル８３により粗研削用の研削ホイール８４を回転しかつチャックテーブル８１を軸心回りに回転しながら研削水を供給するとともに、粗研削用砥石８５をチャックテーブル８１に所定の送り速度で近づけることによって、粗研削用砥石８５でウェーハ１の裏面７を粗研削する。なお、粗研削用砥石８５は、仕上げ研削用砥石６５よりも大きな砥粒を有する研削砥石である。

予備研削ステップＳＴ１０では、図２２に示すように、仕上がり厚さ１００とプラズマエッチングステップＳＴ３において除去される厚さ１０１とを合わせた厚さ以上になるまでウェーハ１を研削する。実施形態２において、ウェーハの加工方法は、仕上がり厚さ１００とプラズマエッチングステップＳＴ３において除去される厚さ１０１とを合わせた厚さ以上になるまでウェーハ１を研削するとプラズマエッチングステップＳＴ３に進む。なお、本発明は、予備研削ステップＳＴ１０では、仕上がり厚さ１００とプラズマエッチングステップＳＴ３において除去される厚さ１０１とを合わせた厚さと略等しくなる厚さにウェーハ１を薄化するのが望ましい。また、予備研削ステップＳＴ１０では、粗研削した後に、仕上げ研削ステップＳＴ６と同様の方法で、仕上げ研削用砥石６５でウェーハ１の裏面７を仕上げ研削してもよい。

実施形態２に係るウェーハの加工方法は、切削ステップＳＴ２において裏面７から分割予定ライン６に沿って切削溝３００を形成した後、プラズマエッチングステップＳＴ３において裏面７側からプラズマエッチングするので、マスクを不要としたプラズマダイシングを実現することができる。その結果、ウェーハの加工方法は、実施形態１と同様に、コストを抑制しながらもウェーハ１にプラズマエッチングを行ってウェーハ１を個々のデバイス５に分割することができる。

また、実施形態２に係るウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３の前に予備研削ステップＳＴ１０を実施してウェーハ１を薄化するので、プラズマエッチングステップＳＴ３時のウェーハ１の基板２の除去量を抑制することができる。その結果、実施形態２に係るウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３において生じる所謂アウトガスの量を抑制することができる。

また、実施形態２に係るウェーハの加工方法は、切削ステップＳＴ２の前に予備研削ステップＳＴ１０を実施してウェーハ１の裏面７を研削するので、予備研削ステップＳＴ１０の前においてウェーハ１の裏面７が梨地面（細かい凹凸を有する面）であっても、切削ステップＳＴ２の前に裏面７を平坦化することができる。その結果、実施形態２に係るウェーハの加工方法は、切削ステップＳＴ２において、赤外線カメラが撮像した画像に基づいてアライメントを遂行した際の切削ブレード１２－１，１２－２と分割予定ライン６との位置ずれを抑制することができる。

〔実施形態３〕
本発明の実施形態３に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図２３は、実施形態３に係るウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップ後のウェーハの要部の断面図である。なお、図２３は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

実施形態３に係るウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３において、ボッシュ法の代わりに、異方性エッチングによりウェーハ１をエッチングすること以外、実施形態１と同じである。実施形態３に係るウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３では、図２３に点線で示すエッチング前のウェーハ１の裏面７及び切削溝３００の形状を維持した状態で、図２３に実線で示すように、基板２全体を裏面７側からエッチングして、基板２を分割予定ライン６に沿って分割する。

実施形態３に係るウェーハの加工方法は、切削ステップＳＴ２において裏面７から分割予定ライン６に沿って切削溝３００を形成した後、プラズマエッチングステップＳＴ３において裏面７側からプラズマエッチングするので、マスクを不要としたプラズマダイシングを実現することができる。その結果、ウェーハの加工方法は、実施形態１と同様に、コストを抑制しながらもウェーハ１にプラズマエッチングを行ってウェーハ１を個々のデバイス５に分割することができる。

また、実施形態３に係るウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３において、異方性エッチングによりウェーハ１の基板２を裏面７側からエッチングするので、ボッシュ法でエッチングする場合よりもウェーハ１の基板２を薄化することができる。その結果、ウェーハ１の加工方法は、仕上げ研削ステップＳＴ６における基板２の研削量を抑制することができる。

なお、実施形態３に係るウェーハの加工方法は、実施形態２と同様に、予備研削ステップＳＴ１０を実施しても良い。

〔実施形態４〕
本発明の実施形態４に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図２４は、実施形態４に係るウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップで用いられるエッチング装置の構成を示す断面図である。なお、図２４は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

実施形態４に係るウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３で用いられる図２４に示すエッチング装置２０－４の構成が、エッチング装置２０と異なること以外、実施形態１と同じである。

エッチング装置２０－４は、電極２８，３１に高周波電力を印加して密閉空間２７内でエッチングガスなどをプラズマするものではなく、プラズマ化したエッチングガスなどをハウジング２５内の密閉空間２７に導入するリモートプラズマ方式のプラズマエッチング装置である。エッチング装置２０－４は、図２４に示すように、図示しない不活性ガス供給ユニットから不活性ガスが供給される配管４５がハウジング２５の外壁を貫通して接続している。なお、不活性ガス供給ユニットが供給する不活性ガスは、アルゴンガス（Ａｒ）、ヘリウムガス（Ｈｅ）等の希ガスや、希ガスに窒素ガス（Ｎ_２）、又は水素ガス（Ｈ_２）等を混合した混合ガス等で構成することができる。

また、エッチング装置２０－４は、図２４に示すように、ガス供給ユニット４０，４３からのエッチングガスが供給される供給管４６がハウジング２５の上壁に貫通して接続し、供給管４６内を流れるガスに高周波電力を加えるための電極４７が供給管４６に設けられている。供給管４６は、ガス供給ユニット４０，４３から供給されるガスをハウジング２５内の密閉空間２７に導入する。電極４７は、高周波電源４２から高周波電力が印加されて、供給管４６内を流れるガスをプラズマ化する。また、エッチング装置２０－４は、供給管４６から密閉空間２７に供給されるプラズマ化されたガスを分散させる分散部材４８を備える。

実施形態４に係るウェーハの加工方法は、実施形態１と同様に、プラズマエッチングステップＳＴ３において、エッチング装置２０－４の制御ユニット２２が、ウェーハ１をハウジング２５内の密閉空間２７に収容した後、チャックテーブル２１上に吸着保持する。実施形態４に係るウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップＳＴ３では、制御ユニット２２が、ガス排出ユニット３５を作動して密閉空間２７を真空排気するとともに、不活性ガス供給ユニットを作動して密閉空間２７内に不活性ガスを供給し、密閉空間２７の圧力を所定の圧力に維持するとともに、冷媒供給ユニット３６を作動させてヘリウムガスを循環させて、下部電極２８の異常昇温を抑制する。

実施形態４に係るウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３において、実施形態１と同様に、ボッシュ法でウェーハ１をプラズマエッチングする。なお、プラズマエッチングステップＳＴ３のエッチングステップでは、制御ユニット２２は、ＳＦ_６ガス供給ユニット４０を作動するとともに高周波電源４２から電極４７にプラズマを作り維持する高周波電力を印加して、ＳＦ_６ガスをプラズマ化して、供給管４６から下部電極２８のチャックテーブル２１上に保持されたウェーハ１に向けて噴出する。そして、制御ユニット２２は、高周波電源４２から下部電極２８にイオンを引き込むための高周波電力を印加して、ウェーハ１の裏面７、切削溝３０１，３０２の内面及び第２切削溝３０２の溝底をエッチングする。

また、プラズマエッチングステップＳＴ３の被膜堆積ステップでは、制御ユニット２２は、Ｃ_４Ｆ_８ガス供給ユニット４３を作動しＣ_４Ｆ_８ガスを高周波電源４２から電極４７に印加する高周波電力でプラズマ化して、供給管４６から下部電極２８のチャックテーブル２１上に保持されたウェーハ１に向けて噴出する。そして、制御ユニット２２は、高周波電源４２から下部電極２８にイオンを引き込むための高周波電力を印加して、ウェーハ１に被膜を堆積させる。

実施形態４に係るウェーハの加工方法は、切削ステップＳＴ２において裏面７から分割予定ライン６に沿って切削溝３００を形成した後、プラズマエッチングステップＳＴ３において裏面７側からプラズマエッチングするので、マスクを不要としたプラズマダイシングを実現することができる。その結果、ウェーハの加工方法は、実施形態１と同様に、コストを抑制しながらもウェーハ１にプラズマエッチングを行ってウェーハ１を個々のデバイス５に分割することができる。

また、実施形態４に係るウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３において、リモートプラズマ方式のエッチング装置２０－４を用いるので、エッチング装置２０－１ではプラズマ化したガスに混入するイオンが供給管４６の内面に衝突してハウジング２５内の密閉空間２７に到達することを抑制できるので、より幅の狭い切削溝３００であっても基板２をデバイス５毎に分割することができる。

なお、実施形態４に係るウェーハの加工方法は、実施形態２と同様に、予備研削ステップＳＴ１０を実施しても良い。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、本発明では、分割予定ライン６に形成される機能層４、金属膜及びＴＥＧを切削ステップＳＴ２の前に、表面からレーザー光線を照射して、アブレーションで除去しても良い。また、本発明では、プラズマエッチングステップＳＴ３において、プラズマエッチングガスに樹脂で構成される機能層４をエッチングするために酸素ガスを混入しても良い。この場合、機能層切断ステップＳＴ４を実施することなく、切削溝３００の溝底に残った機能層４を除去することができる。若しくは、本発明は、酸素ガスによって機能層４を部分的に除去し、径方向に拡張する外力を加える事で（具体的には、粘着テープ２００を拡張する事で）部分的に除去された部分を破断起点に機能層を引きちぎって分割しても良い。また、本発明は、ウェーハ１の裏面７に予め酸化被膜が形成されている場合、プラズマエッチングステップＳＴ３において、この酸化被膜をマスクとしてプラズマエッチングを行っても良い。

１ ウェーハ
２ 基板
３ 表面
４ 機能層
５ デバイス
６ 分割予定ライン
７ 裏面
１２，１２－１，１２－２ 切削ブレード
２１ チャックテーブル
１００ 仕上がり厚さ
２００ 粘着テープ（保護部材）
３００ 切削溝
３０１ 第１切削溝
３０２ 第２切削溝
３０３ 溝底
２０２ ダイアタッチフィルム
ＳＴ１ 保護部材配設ステップ
ＳＴ２ 切削ステップ
ＳＴ３ プラズマエッチングステップ
ＳＴ４ 機能層切断ステップ
ＳＴ５ 洗浄ステップ
ＳＴ６ 仕上げ研削ステップ
ＳＴ７ ダイアタッチフィルム貼着ステップ
ＳＴ８ ダイアタッチフィルム分割ステップ
ＳＴ１０ 予備研削ステップ

Claims (4)

1. 基板の表面に機能層が積層され複数のデバイスが形成されたウェーハを、該複数のデバイスを区画する分割予定ラインに沿って分割するウェーハの加工方法であって、
   該ウェーハの表面の該機能層側に保護部材を配設する保護部材配設ステップと、
   該ウェーハの裏面に切削ブレードを切り込ませ、該機能層に至らない深さの切削溝を該分割予定ラインに沿って該基板に形成する切削ステップと、
   チャックテーブルで該保護部材側を保持した該ウェーハの裏面側にプラズマ化したガスを供給し、該切削溝の底に残存する基板をエッチングして除去し、該分割予定ラインに沿った分割溝で該基板を分割するプラズマエッチングステップと、
   該プラズマエッチングステップを実施した後に、ウェーハの裏面側からレーザー光線の集光点を該分割溝の底に位置づけて照射し、該機能層を切断する機能層切断ステップと、
   該機能層切断ステップの後に該ウェーハに水を供給して洗浄し、該レーザー光線の照射で発生し該分割溝の側壁に付着したデブリを除去する洗浄ステップと、を備え、
   該プラズマエッチングステップでは、Ｃ_４Ｆ_８を用いる保護膜の形成と、ＳＦ_６を用いるプラズマエッチングとを繰り返し、該機能層切断ステップの前に該分割溝の側面にフッ素系の保護膜が被覆されることを特徴とするウェーハの加工方法。
2. 該プラズマエッチングステップの後に、ウェーハの裏面を研削してウェーハを仕上がり厚さにする仕上げ研削ステップを備える請求項１に記載のウェーハの加工方法。
3. 該プラズマエッチングステップの前に、ウェーハの裏面を予め研削する予備研削ステップと、を備える請求項１又は請求項２に記載のウェーハの加工方法。
4. 該プラズマエッチングステップの後に、ウェーハの裏面にダイアタッチフィルムを貼着するダイアタッチフィルム貼着ステップと、
   該切削溝に沿って該ダイアタッチフィルムにレーザー光線を照射してダイアタッチフィルムを分割するダイアタッチフィルム分割ステップと、を備える請求項１乃至請求項３のうちいずれか一項に記載のウェーハの加工方法。

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