JP7145518B2 - プロセスチャンバガイド、プロセスチャンバ、及び、基板キャリアをプロセスポジションへガイドする方法 - Google Patents
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- プロセスチャンバガイド(1、1a、1b、1c)内を変位可能な板状の基板キャリアを立設状態でガイド方向へ直線的にガイドするために形成された前記プロセスチャンバガイド(1、1a、1b、1c)であって、
前記基板キャリアをプロセスポジションへ変位させることにより、当該プロセスチャンバガイド(1、1a、1b、1c)と基板キャリア(2、2a)とによって少なくとも範囲的に限界付けられたプロセスチャンバ(P)が形成され得るように構成されたプロセスチャンバガイド(1、1a、1b、1c)において、
前記ガイド方向と平行をなして延びる少なくとも一つの封止面(4、4a)が設けられ、前記封止面は、プロセスポジションにおいて、前記プロセスチャンバガイド(1、1a、1b、1c)内に基板キャリア(2、2a)が配置された際に、前記封止面(4、4a)が前記基板キャリア(2、2a)から1mm未満だけ離間し、これにより、前記基板キャリア(2、2a)との間に、前記プロセスチャンバ(P)の内外間の流体の流れに対する抵抗を形成するように、形成されて配置され、
前記封止面(4、4a)のうちの少なくとも一つは、前記基板キャリアの厚み方向の表面に対向していることを特徴とするプロセスチャンバガイド(1、1a、1b、1c)。 - 前記封止面(4、4a)は、ガイド方向に対して垂直にかつ前記プロセスチャンバガイド(1、1a、1b、1c)内に配置された基板キャリアの表面に対して平行に、少なくとも2mmの幅を有することを特徴とする、請求項1に記載のプロセスチャンバガイド(1、1a、1b、1c)。
- 前記プロセスチャンバガイド(1、1a、1b、1c)は、前記封止面(4、4a)として、第一の封止面(4)及び第二の封止面(4a)を有し、
前記第一及び第二の封止面(4、4a)は、前記ガイド方向と平行をなして延びて、プロセスポジションにおいて、前記プロセスチャンバガイド(1、1a、1b、1c)内に基板キャリア(2、2a)が配置された際に、前記基板キャリア(2、2a)が双方の封止面(4、4a)の間に配置されるように、かつ、双方の封止面(4、4a)が、前記ガイド方向に対して垂直方向に、前記基板キャリアの幅を0.4mm未満だけ上回る間隔を有するように、形成されて配置されていることを特徴とする、請求項1又は2に記載のプロセスチャンバガイド(1、1a、1b、1c)。 - 前記プロセスチャンバガイド(1、1a、1b、1c)は、前記基板キャリア(2、2a)用のローラベアリングを有することを特徴とする、請求項1から3のいずれか一項に記載のプロセスチャンバガイド(1、1a、1b、1c)。
- 前記プロセスチャンバガイド(1、1a、1b、1c)は、前記基板キャリアを収容するための溝を有することを特徴とする、請求項1から4のいずれか一項に記載のプロセスチャンバガイド(1、1a、1b、1c)。
- 前記ローラベアリングは、前記溝の底面に配置されていることを特徴とする、請求項4に従属する請求項5に記載のプロセスチャンバガイド(1、1a、1b、1c)。
- 前記溝は方形であることを特徴とする、請求項5又は6に記載のプロセスチャンバガイド(1、1a、1b、1c)。
- 前記溝の一方の側面は、少なくとも一部区域が前記封止面(4、4a)として形成されていることを特徴とする、請求項7に記載のプロセスチャンバガイド(1、1a、1b、1c)。
- 前記溝の双方の側面は、少なくとも一部区域が前記封止面(4、4a)として形成されていることを特徴とする、請求項8に記載のプロセスチャンバガイド(1、1a、1b、1c)。
- 請求項1から9のいずれか一項に記載の少なくとも一つのプロセスチャンバガイド(1、1a、1b、1c)と少なくとも一つの基板キャリア(2、2a)とを有してなる、シリコン被膜層を蒸着するためのプロセスチャンバ(P)であって、
前記プロセスチャンバガイド(1、1a、1b、1c)内において前記基板キャリアがプロセスポジションへ変位されることによって、少なくとも範囲的に限界付けられた当該プロセスチャンバ(P)が形成され、
その際、プロセスチャンバガイド(1、1a、1b、1c)と基板キャリア(2、2a)とは連携して、基板キャリア(2、2a)が前記プロセスチャンバガイド(1、1a、1b、1c)内に配置された際に、プロセスポジションにおいて、前記封止面(4、4a)が前記基板キャリア(2、2a)から1mm未満だけ離間しているように構成されたプロセスチャンバ(P)。 - 前記プロセスチャンバ(P)は、互いに反対側に位置する二つの端部に、前記プロセスチャンバガイド(1、1a、1b、1c)と結合された端部限界手段を有することを特徴とする、請求項10に記載のプロセスチャンバ(P)。
- 前記基板キャリア(2、2a)は、前記プロセスチャンバガイド(1、1a、1b、1c)に備えられたローラベアリングのローラ用のガイドを有し、又は、前記基板キャリア(2、2a)は、前記プロセスチャンバガイド(1、1a、1b、1c)に対向する前記基板キャリア側に配置されたローラベアリングを有することを特徴とする、請求項10又は11に記載のプロセスチャンバ(P)。
- 前記基板キャリア(2)は封止リブ(6)を有し、該封止リブは、ガイド方向に延びて、プロセスポジションにおいて、当該封止リブ(6)が0.5mm未満だけ前記プロセスチャンバガイド(1、1a、1b、1c)から離間し、これにより、前記基板キャリア(2)との間に、前記プロセスチャンバ(P)の内外間の流体の流れに対する抵抗を形成するように、配置されていることを特徴とする、請求項10から12のいずれか一項に記載のプロセスチャンバ(P)。
- 前記プロセスチャンバ(P)は、前記プロセスチャンバガイド(1、1a、1b、1c)として、下側プロセスチャンバガイド(1、1a、1b、1c)及び上側プロセスチャンバガイド(1、1a、1b、1c)を有し、
前記下側及び上側プロセスチャンバガイド(1、1a、1b、1c)は、プロセスポジションにおいて前記基板キャリア(2、2a)が下側及び上側プロセスチャンバガイド(1、1a、1b、1c)の間に配置されるようにして、配置されていることを特徴とする、請求項10から13のいずれか一項に記載のプロセスチャンバ(P)。 - 前記プロセスチャンバ(P)は、前記基板キャリア(2、2a)として、第一の基板キャリア(2、2a)及び第二の基板キャリア(2、2a)を有すると共に、
各々が前記下側及び上側プロセスチャンバガイド(1、1a、1b、1c)からなる第一のプロセスチャンバガイドペア及び第二のプロセスチャンバガイドペアを有し、
これらのプロセスチャンバガイドは、プロセスポジションにおいて、前記第一の基板キャリア(2、2a)が前記第一のプロセスチャンバガイドペアの下側及び上側プロセスチャンバガイド(1、1a、1b、1c)の間に配置され、前記第二の基板キャリア(2、2a)が前記第二のプロセスチャンバガイドペアの下側及び上側プロセスチャンバガイド(1、1a、1b、1c)の間に配置され、前記プロセスチャンバ(P)が前記基板キャリア(2、2a)、プロセスチャンバガイド及び端部限界手段によって形成されるように、形成されて配置されていることを特徴とする、請求項11に直接的又は間接的に従属する請求項14に記載のプロセスチャンバ(P)。 - 前記下側プロセスチャンバガイドは、それぞれ、基板キャリア(2、2a)用のローラベアリングを有し、及び/又は、
基板キャリア(2、2a)は、それぞれ、前記下側プロセスチャンバガイドに対向する側にローラベアリングを有することを特徴とする、請求項15に記載のプロセスチャンバ(P)。 - 前記上側プロセスチャンバガイドは、それぞれ、ローラベアリングを有し、及び/又は、
前記基板キャリア(2、2a)は、それぞれ、前記上側プロセスチャンバガイドに対向する側にローラベアリングを有することを特徴とする、請求項15又は16に記載のプロセスチャンバ(P)。 - いずれの基板キャリア(2)も、それぞれ、前記封止リブ(6)を有し、前記封止リブは、プロセスポジションにおいて、前記封止リブが前記基板キャリア(2)の互いに対向する側に位置するように、配置されていることを特徴とする、請求項13に直接的又は間接的に従属する請求項14から17のいずれか一項に記載のプロセスチャンバ(P)。
- 前記プロセスチャンバガイド(1、1a、1b、1c)は、パージガス用の少なくとも一つの入口を有し(7a、7b)、該入口は、プロセスポジションにおいて、パージガスが、プロセスチャンバガイド(1、1a、1b、1c)と基板キャリア(2)との間を導通可能であるように、配置されていることを特徴とする、請求項14から18のいずれか一項に記載のプロセスチャンバ(P)。
- 前記入口は、プロセスポジションにおいて、パージガスが、プロセスチャンバガイド(1、1a、1b、1c)とプロセスチャンバガイドに対向する前記基板キャリア(2)の端面との間を導通可能であるように、配置されていることを特徴とする、請求項19に記載のプロセスチャンバ(P)。
- 請求項10から20のいずれか一項に記載のプロセスチャンバ(P)を有する、基板にシリコン被膜層を化学析出するための装置。
- 基板キャリア(2、2a)が請求項1から9のいずれか一項に記載のプロセスチャンバガイド(1、1a、1b、1c)内をローラベアリングによってガイドされることを特徴とする、基板キャリアをプロセスポジションへガイドする方法。
- 前記基板キャリアと前記プロセスチャンバガイドとの間にパージガスが供給されることを特徴とする、請求項22に記載の方法。
- 前記プロセスチャンバガイドに対向する前記基板キャリアの端面と前記プロセスチャンバガイドとの間にパージガスが供給されることを特徴とする、請求項23に記載の方法。
- 前記パージガスは、析出プロセスの間に供給されることを特徴とする、請求項23又は24に記載の方法。
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