JP7141880B2

JP7141880B2 - 光受信サブアセンブリ及び光モジュール

Info

Publication number: JP7141880B2
Application number: JP2018140222A
Authority: JP
Inventors: 正人宍倉
Original assignee: 日本ルメンタム株式会社
Priority date: 2018-07-26
Filing date: 2018-07-26
Publication date: 2022-09-26
Anticipated expiration: 2038-07-26
Also published as: JP2020017657A

Description

本発明は、光受信サブアセンブリ及び光モジュールに関する。

近年、クラウドサービスの進展やデータセンタの大規模化に伴い、これらのデータ通信を支える通信用の光モジュールの大容量化、小型化及び低コスト化が強く望まれている。特に、伝送速度が１００Ｇｂｉｔ／ｓを超えて、２００Ｇｂｉｔ／ｓひいては４００Ｇｂｉｔ／ｓにもなると、ＰＡＭ４（Pulse Amplitude Modulation 4）といった多値変調方式が採用され、その変復調にはＤＳＰ（Digital Signal Processor）といったサイズの大きな集積回路チップが必要となる。光モジュールの大型化を避けるには、光モジュールに内蔵される光受信サブアセンブリの小型化が必要となる。

特開２０１３－１４０２９２号公報特開２００５－２９４４２９号公報特開２０１６－２２５６３１号公報

特許文献１には、光受信サブアセンブリの内部で、増幅機能を有する集積回路チップの上方に配置した配線基板を介して、受光素子やパッケージの端子部との電気接続を行うことが開示されている。配線基板は、集積回路チップよりも幅が広い。そのため、配線基板の端部にあるパッドがパッケージの側壁に接近し、ワイヤボンディングが難しくなる。特許文献２及び特許文献３には、集積回路チップの上に受光素子を実装することが開示されているが、狭いスペースでの配線の効率的配置については言及されていない。

本発明は、配線の効率的配置を目的とする。

（１）本発明に係る光受信サブアセンブリは、光学的インターフェースと、第１方向に相互に並ぶ複数の受光素子と、前記複数の受光素子に、前記第１方向に交差する第２方向に隣り合って電気的に接続する集積回路チップと、前記集積回路チップに電気的に接続する電気的インターフェースと、前記集積回路チップの上面よりも小さい大きさで前記上面の内側に固定された配線基板と、前記配線基板にボンディングされる複数のワイヤと、を有し、前記複数のワイヤは、前記電気的インターフェースにボンディングされる複数の第１ワイヤと、前記集積回路チップに電気的に接続する複数の第２ワイヤと、を含むことを特徴とする。本発明によれば、配線基板によって、配線の効率的配置が可能になる。

（２）（１）に記載された光受信サブアセンブリであって、前記第１方向に前記集積回路チップの両側の少なくとも一方に隣り合う電子部品と、前記電子部品の電極及び前記集積回路チップに両端がそれぞれボンディングされる第３ワイヤと、をさらに有し、前記複数の第２ワイヤは、前記電子部品の前記電極にボンディングされ、前記第３ワイヤ及び前記電極を介して、前記集積回路チップに電気的に接続するワイヤを含むことを特徴としてもよい。

（３）（１）又は（２）に記載された光受信サブアセンブリであって、前記複数の第２ワイヤは、前記集積回路チップにボンディングされるワイヤを含むことを特徴としてもよい。

（４）（１）から（３）のいずれか１項に記載された光受信サブアセンブリであって、前記配線基板は、前記複数のワイヤがそれぞれボンディングされる複数のパッドを有し、前記複数のパッドは、前記複数の第１ワイヤがそれぞれボンディングされる複数の第１パッドと、前記複数の第２ワイヤがそれぞれボンディングされる複数の第２パッドと、を含むことを特徴としてもよい。

（５）（４）に記載された光受信サブアセンブリであって、前記配線基板は、前記複数の第１パッドのそれぞれと前記複数の第２パッドの対応する少なくとも１つを接続する配線を有することを特徴としてもよい。

（６）（４）又は（５）に記載された光受信サブアセンブリであって、前記複数の第１パッドは、前記電気的インターフェースに近い前記配線基板の端部に、前記第１方向に沿って少なくとも一列に並んでいることを特徴としてもよい。

（７）（４）から（６）のいずれか１項に記載された光受信サブアセンブリであって、前記複数の第２パッドは、前記第１方向に前記配線基板の両端部の少なくとも一方に配列されていることを特徴としてもよい。

（８）（４）から（７）のいずれか１項に記載された光受信サブアセンブリであって、前記複数のパッドは、前記第２方向に前記複数の受光素子に近い側では、少なくとも前記第１方向に前記配線基板の中央を避けて配列されていることを特徴としてもよい。

（９）（４）から（８）のいずれか１項に記載された光受信サブアセンブリであって、前記集積回路チップは、複数の電極を有し、前記複数の電極は、前記複数の受光素子からの電気信号をそれぞれ入力するための複数の第１電極と、前記電気信号を増幅してそれぞれ出力するための複数の第２電極と、を含み、前記複数の第１電極は、前記複数の受光素子に近い側で、前記集積回路チップの端部に前記第１方向に一列に並び、前記複数の第２電極は、前記電気的インターフェースに近い側で、前記集積回路チップの端部に前記第１方向に一列に並ぶことを特徴としてもよい。

（１０）（９）に記載された光受信サブアセンブリであって、前記複数の電極は、直流信号の入出力のための複数の第３電極を含み、前記複数の第３電極は、前記第１方向に前記集積回路チップの両端部に配列されていることを特徴としてもよい。

（１１）（９）又は（１０）に記載された光受信サブアセンブリであって、前記複数のパッドは、前記複数の電極よりも高い位置にあることを特徴としてもよい。

（１２）（１）から（１１）のいずれか１項に記載された光受信サブアセンブリであって、前記複数の受光素子及び前記集積回路チップを電気的に接続する複数のワイヤと、前記電気的インターフェース及び前記集積回路チップを電気的に接続する複数のワイヤと、をさらに含むことを特徴としてもよい。

（１３）本発明に係る光モジュールは、（１）から（１２）のいずれか１項に記載された光受信サブアセンブリと、入力された電気信号から変換された光信号を出力する光送信サブアセンブリと、を有することを特徴とする。

実施形態に係る光モジュールの分解斜視図である。実施形態に係る光受信サブアセンブリの内部構造を示す横断面図である。実施形態に係る光受信サブアセンブリの内部構造を示す縦断面面図である。実施形態に係る光受信サブアセンブリの内部構造を示す平面図である。本実施形態に係る光受信サブアセンブリの製造方法を説明するための図である。

以下に、図面に基づき、本発明の実施形態を具体的かつ詳細に説明する。なお、実施形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。なお、以下に示す図は、あくまで、実施形態の実施例を説明するものであって、図の大きさと本実施例記載の縮尺は必ずしも一致するものではない。

図１は、実施形態に係る光モジュールの分解斜視図である。光モジュール１００は、電気信号を光信号に変換するための光送信サブアセンブリ１０４（TOSA: Transmitter Optical Sub-Assembly）と、光信号を電気信号に変換するための光受信サブアセンブリ１０２（ROSA: Receiver Optical Sub-Assembly）と、を有する。送信側では図示しないホスト側基板から入力された電気信号を、光送信サブアセンブリ１０４で光信号に変換して出力する。受信側では入力された光信号を、光受信サブアセンブリ１０２で電気信号に変換してホスト側基板へ出力する。

図２は、実施形態に係る光受信サブアセンブリの内部構造を示す横断面図である。図３は、実施形態に係る光受信サブアセンブリの内部構造を示す縦断面図である。図４は、実施形態に係る光受信サブアセンブリの内部構造を示す平面図である。

光受信サブアセンブリは、パッケージ１０を有する。パッケージ１０には蓋１２が溶接されている。光受信サブアセンブリは、電気的インターフェース１４（例えばフィードスルー）を有する。電気的インターフェース１４は、パッケージ１０の内側では高さの異なる段を有し、図４に示すように、高い面に複数の第１配線１６を有し、低い面に複数の第２配線１８を有する。第１配線１６と第２配線１８は、パッケージ１０の外側では基板（例えばセラミックス）の反対面にそれぞれ延びて反対方向を向く。複数の第１配線１６に第１フレキシブル基板２０が接続され、複数の第２配線１８に第２フレキシブル基板２２が接続される。

パッケージ１０には、レンズ２４、ホルダ２６、レセプタクル２８が固定され、これらが光信号を入力するための光学的インターフェース３０を構成する。光学的インターフェース３０から入力された光信号は、波長合分波器３２で分波されてマイクロレンズアレイ３４で集光され、ミラー３６で進行方向が変えられる。波長合分波器３２は、スペーサ３８を介してパッケージ１０の内側に固定されている。マイクロレンズアレイ３４は、ベース４０に固定されている。また、ミラー３６も支柱４２を介してベース４０に固定されている。ベース４０はパッケージ１０に固定されている。ミラー３６で反射した光信号は、受光素子４４に入射する。

光受信サブアセンブリは、複数の受光素子４４（例えばフォトダイオード）を有する。複数の受光素子４４は、第１方向Ｄ１に相互に並ぶ。受光素子４４は、受光部４６（吸収層）が形成された面とは反対側から光信号が入射する裏面入射型受光素子である。複数の受光素子４４は、１つのチップ部品（ＰＤアレイ等）にモノリシック集積されている。

複数の受光素子４４は、サブマウント４８に搭載されている。サブマウント４８は、ベース４０に固定されて電気的接続が図られている。サブマウント４８は、複数の受光素子４４（チップ）を一体的に支持する。サブマウント４８は、複数の受光素子４４のそれぞれ対応する複数のパッド５０を備えている。複数のパッド５０は、第１方向Ｄ１に一列に並ぶ。複数のパッド５０は、受光素子４４と電気的に接続する。

光受信サブアセンブリは、集積回路チップ５２を有する。集積回路チップ５２は、複数の受光素子４４に、第１方向Ｄ１に交差する第２方向Ｄ２に隣り合う。集積回路チップ５２は、ベース４０に固定され、固定によって電気的接続が図られている。集積回路チップ５２は、例えば、プリアンプ、リミッティングアンプ、オートゲインコントローラ又はトランスインピーダンスアンプなどの増幅器である。増幅器には、複数の増幅素子（例えばオペアンプ）がモノリシック集積されている。

集積回路チップ５２は、複数の第１電極Ｅ１を含む。複数の第１電極Ｅ１は、複数の受光素子４４に近い側で、集積回路チップ５２の端部に第１方向Ｄ１に一列に並ぶ。複数の第１電極Ｅ１は、複数の受光素子４４からの電気信号（交流信号又はパルス信号）をそれぞれ入力するためのものである。

集積回路チップ５２は、複数の第２電極Ｅ２を含む。複数の第２電極Ｅ２は、電気的インターフェース１４に近い側で、集積回路チップ５２の端部に第１方向Ｄ１に一列に並ぶ。複数の第２電極Ｅ２は、増幅された電気信号をそれぞれ出力するためのものである。

集積回路チップ５２は、複数の第３電極Ｅ３を含む。複数の第３電極Ｅ３は、第１方向Ｄ１に集積回路チップ５２の両端部に配列されている。複数の第３電極Ｅ３は、直流信号（電源又は集積回路チップ５２の制御信号など）の入出力のためのものである。受光素子４４の光電流又はそれが増幅された信号も一定であれば直流信号に含まれる。

光受信サブアセンブリは、配線基板５４を有する。配線基板５４は、集積回路チップ５２の上面よりも小さい。配線基板５４は、集積回路チップ５２の上面の内側（例えば中央）に、いずれの電極にも接触しないように固定されている。配線基板５４及び集積回路チップ５２は、電気的に絶縁されている。本実施形態によれば、配線基板５４によって、配線の効率的配置が可能になっている。

配線基板５４は、複数の第１パッドＰ１を含む。複数の第１パッドＰ１は、電気的インターフェース１４に近い配線基板５４の端部に、第１方向Ｄ１に沿って少なくとも一列に並んでいる。配線基板５４は、複数の第２パッドＰ２を含む。複数の第２パッドＰ２は、第１方向Ｄ１に配線基板５４の両端部の少なくとも一方に配列されている。

配線基板５４は、複数の第１パッドＰ１のそれぞれと複数の第２パッドＰ２の対応する少なくとも１つを接続する配線５６を有する。第１パッドＰ１及び第２パッドＰ２は、集積回路チップ５２の電極よりも高い位置にある。配線基板５４は、第２方向Ｄ２に複数の受光素子４４に近い側では、少なくとも第１方向Ｄ１に配線基板５４の中央にはパッドが無い。配線基板５４は、単層基板であってもよいし、多層基板であってもよい。

光受信サブアセンブリは、第１方向Ｄ１に集積回路チップ５２の両側の少なくとも一方に隣り合う電子部品５８（例えば平板キャパシタ）を有する。電子部品５８は、ベース４０に固定され、固定によって電気的接続が図られている。

複数の受光素子４４及び集積回路チップ５２は、複数のワイヤで電気的に接続されている。電気的インターフェース１４（複数の第２配線１８）は、複数のワイヤで、集積回路チップ５２に電気的に接続する。光受信サブアセンブリは、複数の第１ワイヤＷ１、複数の第２ワイヤＷ２及び複数の第３ワイヤＷ３を有する。

第１ワイヤＷ１は、電気的インターフェース１４（第１配線１６）及び第１パッドＰ１を電気的に接続するように両者にボンディングされる。１つの第１配線１６と１つの第１パッドＰ１を、２つ以上の第１ワイヤＷ１が接続してもよい。

第２ワイヤＷ２は、第２パッドＰ２にボンディングされる。少なくとも１つの第２ワイヤＷ２は、第２パッドＰ２と集積回路チップ５２（第３電極Ｅ３）を電気的に接続するように両者にボンディングされる。他の少なくとも１つの第２ワイヤＷ２は、第２パッドＰ２と電子部品５８（電極）を電気的に接続するように両者にボンディングされる。電子部品５８の電極は、第３ワイヤＷ３を介して、集積回路チップ５２（第３電極Ｅ３）に電気的に接続する。つまり、第２ワイヤＷ２は、配線基板５４（第２パッドＰ２）と集積回路チップ５２（第３電極Ｅ３）を直接的に、あるいは、第３ワイヤＷ３及び電子部品５８（電極）を介して間接的に接続している。

集積回路チップ５２には、外部にある電源（図示せず）から電力が供給される。例えば、電気的インターフェース１４（第１配線１６）から、第１ワイヤＷ１、配線基板５４、第２ワイヤＷ２、電子部品５８（平板キャパシタ）の電極及び第３ワイヤＷ３を通り、集積回路チップ５２の第３電極Ｅ３へ電力が供給される。受光素子４４には、集積回路チップ５２から、バイアスを印加するための電圧が供給される。なお、受光素子４４と集積回路チップ５２が別個の電源に接続されてもよい。

電源や集積回路チップ５２の制御信号（直流信号）は、電気的インターフェース１４（第１配線１６）を介して、配線基板５４の第１パッドＰ１に入力され、第２パッドＰ２から集積回路チップ５２の第３電極Ｅ３に供給される。

受光素子４４に入力した光信号は、電気信号に変換され、サブマウント４８のパッド５０に接続されたワイヤを介して、第１電極Ｅ１（集積回路チップ５２）に入力される。集積回路チップ５２では、電気信号を増幅して、第２電極Ｅ２から出力し、ワイヤを介して、電気的インターフェース１４（第２配線１８）から外部に出力される。つまり、電気信号（高周波交流信号）は、配線基板５４を通らないようになっている。

なお、受光素子４４から出力される光電流は、直流であれば、パッド５０から集積回路チップ５２の第１電極Ｅ１に入力され、第３電極Ｅ３から、配線基板５４の第２パッドＰ２を経て、第１パッドＰ１へ流れるようになっていてもよい。

配線基板５４には、交流信号（データ信号としての電気信号）を伝達するための配線が無い。ただし、受光素子４４の光電流が直流であるとき（一定の光を受光したとき）に、その光電流又はこれを増幅した信号を伝達する配線が含まれてもよい。その場合、複数の第１パッドＰ１に、プロ―ブを立てることにより、受光素子４４の光電流をモニタすることができる。これにより、ワイヤボンディングなしで、マイクロレンズアレイ３４や波長合分波器３２の調芯位置決め作業をすることができる。

図５は、本実施形態に係る光受信サブアセンブリの製造方法を説明するための図である。製造方法は、ベース４０上に種々の部品を搭載するプロセスを含む。ベース４０上に集積回路チップ５２を導電性接着剤にて固定する。ベース４０上には、集積回路チップ５２の隣に、受光素子４４が実装されたサブマウント４８や電子部品５８（図４）を導電性接着剤にて固定する。次に、集積回路チップ５２上に、配線基板５４を非導電性接着剤にて固定する。その後、受光素子４４、集積回路チップ５２及び配線基板５４の電気的接続のためのワイヤボンディングを行う。次に、図４に示すように、ベース４０に設けられた支柱４２上にミラー３６を位置調整しながら紫外線硬化樹脂にて接着固定する。

こうして、ベース４０上に部品が実装された実装体を、図４に示すように、パッケージ１０内に導電性接着剤にて固定する。スペーサ３８もパッケージ１０内に固定する。その後、集積回路チップ５２及び配線基板５４と電気的インターフェース１４とを接続するためのワイヤボンディングを行う。

次に、受光素子４４からの光電流を、電気的インターフェース１４を介してモニタしながら、マイクロレンズアレイ３４及び波長合分波器３２をそれぞれ紫外線硬化樹脂にて接着固定する。その後、蓋１２を溶接し、次に、光学的インターフェース３０（レンズ２４、ホルダ２６、レセプタクル２８）を調芯しながら溶接固定する。最後に、第１フレキシブル基板２０及び第２フレキシブル基板２２を電気的インターフェース１４（第１配線１６及び第２配線１８）に半田にて固定する。

なお、第１パッドＰ１にワイヤボンディングを行う前に、第１パッドＰ１にプローブを接触させて、受光素子４４の光電流をモニタしながら、マイクロレンズアレイ３４や波長合分波器３２の調芯位置決め作業をしてもよい。

本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。

１０パッケージ、１２蓋、１４電気的インターフェース、１６第１配線、１８第２配線、２０第１フレキシブル基板、２２第２フレキシブル基板、２４レンズ、２６ホルダ、２８レセプタクル、３０光学的インターフェース、３２波長合分波器、３４マイクロレンズアレイ、３６ミラー、３８スペーサ、４０ベース、４２支柱、４４受光素子、４６受光部、４８サブマウント、５０パッド、５２集積回路チップ、５４配線基板、５６配線、５８電子部品、１００光モジュール、１０２光受信サブアセンブリ、１０４光送信サブアセンブリ、Ｄ１第１方向、Ｄ２第２方向、Ｅ１第１電極、Ｅ２第２電極、Ｅ３第３電極、Ｐ１第１パッド、Ｐ２第２パッド、Ｗ１第１ワイヤ、Ｗ２第２ワイヤ、Ｗ３第３ワイヤ。

Claims

光学的インターフェースと、
第１方向に相互に並ぶ複数の受光素子と、
前記複数の受光素子に、前記第１方向に交差する第２方向に隣り合って電気的に接続する集積回路チップと、
前記集積回路チップに電気的に接続する電気的インターフェースと、
前記集積回路チップの上面よりも小さい大きさで前記上面の内側に固定され、前記第１方向に沿った第１ラインに沿って並ぶ複数の第１パッドを含み、前記第２方向に沿った第２ラインに沿って並ぶ複数の第２パッドを含み、前記複数の第１パッドおよび前記複数の第２パッドの間に延びる複数の配線を含む配線基板と、
前記配線基板にボンディングされる複数のワイヤと、
を有し、
前記複数のワイヤは、前記電気的インターフェースにボンディングされる複数の第１ワイヤと、前記集積回路チップに電気的に接続する複数の第２ワイヤと、を含むことを特徴とする光受信サブアセンブリ。
請求項１に記載された光受信サブアセンブリであって、
前記第１方向に前記集積回路チップの両側の少なくとも一方に隣り合う電子部品と、
前記電子部品の電極及び前記集積回路チップに両端がそれぞれボンディングされる第３ワイヤと、
をさらに有し、
前記複数の第２ワイヤは、前記電子部品の前記電極にボンディングされ、前記第３ワイヤ及び前記電極を介して、前記集積回路チップに電気的に接続するワイヤを含むことを特徴とする光受信サブアセンブリ。
請求項１又は２に記載された光受信サブアセンブリであって、
前記複数の第２ワイヤは、前記集積回路チップにボンディングされるワイヤを含むことを特徴とする光受信サブアセンブリ。
請求項１から３のいずれか１項に記載された光受信サブアセンブリであって、
前記配線基板は、前記複数のワイヤがそれぞれボンディングされる複数のパッドを有し、
前記複数のパッドは、前記複数の第１ワイヤがそれぞれボンディングされる前記複数の第１パッドと、前記複数の第２ワイヤがそれぞれボンディングされる前記複数の第２パッドと、を含むことを特徴とする光受信サブアセンブリ。
請求項４に記載された光受信サブアセンブリであって、
前記配線基板の前記複数の配線のそれぞれは、前記複数の第１パッドのそれぞれと前記複数の第２パッドの対応する少なくとも１つを接続することを特徴とする光受信サブアセンブリ。
請求項４又は５に記載された光受信サブアセンブリであって、
前記複数の第１パッドが沿って配列される前記第１ラインは、前記電気的インターフェースに近い前記配線基板の端部に位置することを特徴とする光受信サブアセンブリ。
請求項４から６のいずれか１項に記載された光受信サブアセンブリであって、
前記複数の第２パッドが沿って配列される前記第２ラインは、前記配線基板の端部に位置することを特徴とする光受信サブアセンブリ。
請求項４から７のいずれか１項に記載された光受信サブアセンブリであって、
前記複数のパッドは、前記第２方向に前記複数の受光素子に近い側では、少なくとも前記第１方向に前記配線基板の中央を避けて配列されていることを特徴とする光受信サブアセンブリ。
請求項４から８のいずれか１項に記載された光受信サブアセンブリであって、
前記集積回路チップは、複数の電極を有し、
前記複数の電極は、前記複数の受光素子からの電気信号をそれぞれ入力するための複数の第１電極と、前記電気信号を増幅してそれぞれ出力するための複数の第２電極と、を含み、
前記複数の第１電極は、前記複数の受光素子に近い側で、前記集積回路チップの端部に前記第１方向に一列に並び、
前記複数の第２電極は、前記電気的インターフェースに近い側で、前記集積回路チップの端部に前記第１方向に一列に並ぶことを特徴とする光受信サブアセンブリ。
請求項９に記載された光受信サブアセンブリであって、
前記複数の電極は、直流信号の入出力のための複数の第３電極を含み、
前記複数の第３電極は、前記第１方向に前記集積回路チップの両端部に配列されていることを特徴とする光受信サブアセンブリ。
請求項９又は１０に記載された光受信サブアセンブリであって、
前記複数のパッドは、前記複数の電極よりも高い位置にあることを特徴とする光受信サブアセンブリ。
請求項１から１１のいずれか１項に記載された光受信サブアセンブリであって、
前記複数の受光素子及び前記集積回路チップを電気的に接続する複数のワイヤと、
前記電気的インターフェース及び前記集積回路チップを電気的に接続する複数のワイヤと、
をさらに含むことを特徴とする光受信サブアセンブリ。
請求項１から１２のいずれか１項に記載された光受信サブアセンブリと、
入力された電気信号から変換された光信号を出力する光送信サブアセンブリと、
を有することを特徴とする光モジュール。
請求項１に記載された光受信サブアセンブリであって、
前記配線基板の上面は、第１辺と、第２辺と、前記第１辺と前記第２辺を結ぶ第３辺と、を含み、
前記複数の第１パッドが沿う前記第１ラインは、前記第３辺に近接しており、
前記第２ラインは、前記複数の第２パッドのいくつかが配列されて前記第１辺に近接している第２ラインと、前記複数の第２パッドの他のいくつかが配置されて前記第２辺に近接している他の第２ラインと、を含むことを特徴とする光受信サブアセンブリ。
請求項１４に記載された光受信サブアセンブリであって、
前記複数の配線のそれぞれは、前記第１方向に沿って延びる部分と、前記第２方向に沿って延びる他の部分と、を含むことを特徴とする光受信サブアセンブリ。
請求項１に記載された光受信サブアセンブリであって、
前記電気的インターフェースの配線と前記集積回路チップの電極との間に延びる複数のワイヤをさらに有することを特徴とする光受信サブアセンブリ。
請求項１に記載された光受信サブアセンブリであって、
前記複数の第２ワイヤは、前記集積回路チップに接合されて前記複数の第２パッドと前記集積回路チップの電極との間に延びる一群の第２ワイヤを含むことを特徴とする光受信サブアセンブリ。
請求項２に記載された光受信サブアセンブリであって、
前記第３ワイヤは、前記集積回路チップと前記電子部品の前記電極との間に延びることを特徴とする光受信サブアセンブリ。