JP7140822B2 - 配線回路、その製造方法 - Google Patents
配線回路、その製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7140822B2 JP7140822B2 JP2020504942A JP2020504942A JP7140822B2 JP 7140822 B2 JP7140822 B2 JP 7140822B2 JP 2020504942 A JP2020504942 A JP 2020504942A JP 2020504942 A JP2020504942 A JP 2020504942A JP 7140822 B2 JP7140822 B2 JP 7140822B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- graphite
- film
- wiring
- wiring circuit
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 212
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 195
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 195
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 131
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 81
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 65
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 44
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 44
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 44
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 43
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 38
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 26
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 24
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 24
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical group [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 8
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 4
- 230000037230 mobility Effects 0.000 description 40
- 230000008569 process Effects 0.000 description 26
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 17
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 16
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 13
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 11
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000005087 graphitization Methods 0.000 description 6
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 4
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N Acetic anhydride Chemical compound CC(=O)OC(C)=O WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 3
- -1 polyquinoxaline Polymers 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-f][2]benzofuran-1,3,5,7-tetrone Chemical group C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC2=C1C(=O)OC2=O ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N isoquinoline Chemical compound C1=NC=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229910021392 nanocarbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 1,4-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C=C1 CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004693 Polybenzimidazole Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N benzyl N-[2-hydroxy-4-(3-oxomorpholin-4-yl)phenyl]carbamate Chemical compound OC1=C(NC(=O)OCC2=CC=CC=C2)C=CC(=C1)N1CCOCC1=O FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKDNYTOXBCRNPV-UHFFFAOYSA-N bpda Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 WKDNYTOXBCRNPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- ZHDTXTDHBRADLM-UHFFFAOYSA-N hydron;2,3,4,5-tetrahydropyridin-6-amine;chloride Chemical compound Cl.NC1=NCCCC1 ZHDTXTDHBRADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002480 polybenzimidazole Polymers 0.000 description 1
- 229920005597 polymer membrane Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
- H01L23/53204—Conductive materials
- H01L23/53276—Conductive materials containing carbon, e.g. fullerenes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/20—Graphite
- C01B32/21—After-treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
- H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76885—By forming conductive members before deposition of protective insulating material, e.g. pillars, studs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/528—Geometry or layout of the interconnection structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02527—Carbon, e.g. diamond-like carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Geometry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geology (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
[1]グラファイトの配線を含む配線回路であり、配線の厚さが3nm以上300nm未満であり、グラファイトの膜面方向の電気伝導度が18000S/cm以上であり、グラファイトの膜面方向のキャリア移動度が9500cm2/Vsec以上である配線回路。
[2]配線の断面積が0.5μm2以下である[1]に記載の配線回路。
[3]配線の線幅が1μm以下である[1]あるいは[2]に記載の配線回路。
[4](1)グラファイト膜と基板を接合する接合工程、(2)グラファイト膜をプラズマエッチングによってグラファイト薄膜とするプラズマエッチング工程、(3)グラファイト薄膜をエッチングして配線回路を形成する配線回路形成工程を含む配線回路の製造方法であり、工程が(1)、(2)、(3)の順である配線回路の製造方法。
[5]基板がシリコン基板である[4]に記載の配線回路の製造方法。
[6]基板が表面に酸化膜が形成されたシリコン基板である[4]に記載の配線回路の製造方法。
[7]プラズマエッチングが、酸素プラズマエッチングあるいは空気プラズマエッチングである[4]~[6]のいずれかに記載の配線回路の製造方法。
[8]さらに、(4)グラファイト薄膜上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程、(5)レジスト膜回路形成工程、(6)レジスト膜除去工程を含み、工程が(1)、(2)、(4)、(5)、(3)、(6)の順である[4]~[7]のいずれかに記載の配線回路の製造方法。
[9]さらに、(7)グラファイト膜清浄化工程を含み、工程が(7)、(1)、(2)、(4)、(5)、(3)、(6)の順である[8]に記載の配線回路の製造方法。
[10]さらに、(8)基板面に金属層を形成する金属層形成工程を含み、工程が(8)、(1)、(2)、(4)、(5)、(3)、(6)の順である[8]あるいは[9]に記載の配線回路の製造方法。
[11]金属層が、ニッケル、リン、ニッケル合金、リン合金、金および銀ロウからなる群より選ばれる[10]に記載の配線回路の製造方法。
グラファイトの配線とはグラファイトからなる配線であり、すなわち、グラファイトのみからなる配線、及びグラファイトを含む配線の両方を意味する。グラファイトの配線が、具備すべき第一の条件は膜面方向の電気伝導度である。本発明に用いられるグラファイトの膜面方向(グラファイトBasal面方向、以下a-b面)の電気伝導度は、18000S/cm以上であり、19000S/cm以上がより好ましく、20000S/cm以上がより好ましく、21000S/cm以上が最も好ましい。
すなわち、グラファイトの配線としては、以下の3条件満たす必要がある。
(1)配線の厚さが3nm以上300nm未満である。
(2)グラファイトの膜面方向の電気伝導度が18000S/cm以上である。
(3)グラファイトの膜面方向のキャリア移動度が9500cm2/Vsec以上である。
一般的なグラファイト作製法で、3nm以上300nm未満の厚さと、上述の様な電気・電子物性を持つグラファイト膜を作製する事は難しい。特殊な高分子膜を熱処理してグラファイト化する方法(以下高分子焼成法)によって大面積グラファイトが得られるが、膜厚が300nm以下になると焼成中にシワが多発し、さらにその取り扱いが難しいために高品質グラファイト膜の作製は極めて難しくなる。
グラファイト膜から、グラファイトの配線を含む配線回路を作製する。そのプロセスの一例を図1に示し、以下に説明する。
(b)少なくともグラファイト膜の表面、好ましくはグラファイト膜(1)の表面、およびシリコン基板(2)の表面の両方の表面(3)を清浄化する(工程(7)とも呼ぶ)。
(c)グラファイト膜(1)とシリコン基板(2)を、(4)の部分で接合する(工程(1))。
(d)グラファイト膜(1)をプラズマエッチングによってグラファイト薄膜(5)とする(工程(2))。
(e)グラファイト薄膜(5)上に、レジスト膜(6)を形成する(工程(4))。
(f)露光によって、レジスト膜の回路パターン(7)を作製する(工程(5))。
(g)レジスト膜除去によって露出したグラファイト薄膜(8)の部分を、エッチング除去する(工程(3))。
(h)残されたレジスト膜を除去して(工程(6))グラファイトの配線を含む配線回路を完成させる。
以下それぞれのプロセスについて記載する。
前記の方法に従って、厚さが500nm以上9.6μm未満の範囲、膜面方向の電気伝導度が18000S/cm以上、膜面方向のキャリア移動度が9500cm2/Vsec以上であるグラファイト膜を作製する。
プロセス2(工程(7))においてはグラファイト膜の清浄化(例えば、水又は有機溶剤による洗浄、イオンビーム又はプラズマによる表面清浄)を行い、好ましくはグラファイト膜と基板表面の両方を清浄化(好ましくは洗浄)を行い、プロセス3(工程(1))において接合する。プロセス3を行う理由は、プロセス4(工程(2))において行なわれるプラズマエッチングは、グラファイト薄膜を基板上に貼り付けた状態で実施する事が好ましいからである。より具体的な理由は、グラファイト薄膜表面を水平に保持する事で均一な薄層化を推進できる、また基板に貼り付けた状態で薄層化、回路形成を行なうことで、以降のプロセスにおけるデバイス作製を容易に進める事が出来るからである。
次にグラファイト膜をプラズマエッチング処理して薄層化する。プラズマは正の電荷を持つ粒子と負の電荷を持つ電子は電離状態で同程度分布し、電気的中性を保っている状態の事であり、プラズマによる薄層化によってグラファイトの物性が変化(劣化)しない事が重要である。幾つかのエッチング手法を検討した結果、プラズマエッチング法は、グラファイト膜の物性をほとんど変化させず好ましい速度で均一な薄層化を進行させる事が可能な優れた方法である事を見出した。中でも酸素プラズマ、空気プラズマ、水素プラズマによるエッチングは、エッチング速度、均一薄層化の点で最も優れた方法であり、酸素プラズマ、又は空気プラズマがより好ましい。
シリコン基板上に接合され、最適な厚さに薄層化されたグラファイト薄膜の上面にフォトレジスト膜を形成する(工程(4))。レジスト膜は後工程であるグラファイト薄膜のエッチング(工程(3))の際に配線部分のグラファイト薄膜を保護する役目を果たす。レジスト膜としては、希望の配線幅の回路を作製出来る物であれば特に制限はないが、微細な回路パターン形成に用いられるマイクロフォトレジストは本発明の目的にとって好ましい。この様なマイクロフォトレジストを用いる事で1μm以下の線幅の配線パターンを形成する事ができる。
次にグラファイト薄膜の露出部分をエッチングによって除去する(工程(3))。エッチングの手法には特に制限はなく半導体リソグラフィープロセスで用いられる既知の手法を好ましく使用する事ができる。中でも、グラファイト薄膜のエッチングにはプラズマエッチング、特に酸素プラズマ、水素プラズマによるエッチングが好ましく用いられる。不用なグラファイト部分を除去した後にフォトレジスト層を除去(工程(6))して、グラファイトの配線を含む配線回路を完成させる。フォトレジスト層の除去手法には特に制限はなく、半導体リソグラフィープロセスで用いられる既知の手法を好ましく使用する事ができる。
上記の手法でシリコン上に形成されたグラファイトの配線を含む配線回路を、必要に応じて積層する。積層方法には特に制限はなく、通常のシリコン基板の積層方法を用いる事が出来る。複数枚のシリコン基板を直接接合する事は好ましい。
グラファイト薄膜の電気伝導度の測定はファン・デル・ポー法によって行った。測定は正方形(20mm×20mm)に切断した試料を用い、それぞれの4つの角(稜)に銀ペースト電極を取り付けて行った。用いた機器測定は、(株)東洋テクニカ製、比抵抗/DC&ACホール測定システム、Resi Test 8300である。
原料高分子膜を以下の方法で作製した。ピロメリット酸無水物と4,4’-ジアミノジフェニルエーテルをモル比で1/1の割合で合成したポリアミド酸の18質量%のDMF溶液100gに無水酢酸20gとイソキノリン10gからなる硬化剤を混合、攪拌し、遠心分離による脱泡の後、アルミ箔上に流延塗布し、さらスピンコーターを用いてアルミ箔上に1μm~10μmの範囲の均一な厚さのポリアミド酸フィルムを作製した。アミド酸溶液の濃度、回転数を変えることで厚さの調整を行なった。ポリアミド酸膜を120℃で150秒間、300℃、400℃、500℃で各30秒間加熱した後アルミ箔を除去し、厚さの異なる4種類のポリイミドフィルムを作製した。
実施例で用いたACプラズマエッチング装置(マグネトロン方式・交流電場方式)の概略図を図2に示した。装置は真空デバイス社製(PIB-20)である。この装置では放電電圧が0V~700Vから、放電電流が0mA~50mAから選択できる。最大の仕事率(照射電力)は35Wである。また、プラズマの種類は空気プラズマ、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ、水素プラズマのいずれかから選択できる。動作圧は0~100Paから選択できる。
試料1を用いてシリコン基板と銀ロウを用いた接合を行った。グラファイト膜およびシリコン基板を有機溶剤により洗浄の後、厚さ1μmの銀ロウ(チタンを含む銀ロウ)、830℃で、10分間加熱、加圧プレス(約1kgf/cm2)処理によってグラファイト膜と接合した。剥離実験を行ったが、剥離はすべてグラファイト層間で起こり、シリコン基板界面との剥離は観察されなかった。この事から接合は極めて強固に行われていると結論した。次に、照射電力を35Wとし、88分間、酸素プラズマ照射し、さらに照射電力を28Wとして12分間酸素プラズマ中でエッチングした。その結果、得られたグラファイト薄膜の厚さは280nmとなった。電気伝導度の値は23300S/cm、キャリア移動度の値は11600cm2/Vsecであった。この事からプラズマエッチングによって電気伝導度の値やキャリア移動度の値がほとんど変化しない事が分かった。
試料2を用いた以外は実施例1と同様にシリコン基板との接合を行った。この事から十分な接合が行われていると結論した。次に、照射電力を35Wとし、35分間、酸素プラズマ照射し、さらに照射電力を28Wとして40分間酸素プラズマ中でエッチングした。得られたグラファイト薄膜の厚さは120nmとなった。電気伝導度の値は24000S/cmであり、キャリア移動度の値は12000cm2/Vsecであった。この事からプラズマエッチングによって電気伝導度の値やキャリア移動度の値がほとんど変化しない事が分かった。
試料3とシリコン基板とのニッケル金属による接合を行った。シリコン基板上にニッケル金属層(厚さ10nm程度と推定)を形成し、800℃で加熱、加圧プレス(約1t)処理によってグラファイト膜と接合した。剥離実験を行ったが、剥離はすべてグラファイト層間で起こり、シリコン基板界面との剥離は観察されなかった。この事から十分な接合が行われていると結論した。次に、照射電力を35Wとし、24分間、酸素プラズマ照射し、さらに照射電力を28Wとして40分間酸素プラズマ中でエッチングした。得られたグラファイト薄膜の厚さは80nmとなった。電気伝導度の値は21200S/cmであり、キャリア移動度の値は11800cm2/Vsであった。この事からプラズマエッチングによって電気伝導度の値やキャリア移動度の値がほとんど変化しない事が分かった。
試料4を用いてシリコン基板との直接接合を試みた。最初にグラファイト膜の表面とシリコン基板表面をACプラズマ装置(真空デバイス社製(PIB-20)マグネトロン、交流電場)を用いて表面清浄化を行なった。実験条件は、放電電圧/電流の値は電圧AC0~700V/電流AC0~50mA(最大35W)である。酸素ガスを用いて5秒間プラズマに暴露し表面清浄化を行なった。次にシリコン基板とグラファイトを積層し、常温加圧(荷重:10kgf/cm2)した。加圧処理後、グラファイト面に接着テープを貼り付け剥離実験を行った。剥離実験の結果剥離はグラファイト層間で発生した。この結果からグラファイト膜とシリコン基板が接合されていると結論した。次に、照射電力を35Wとし、15分間、酸素プラズマ照射し、さらに照射電力を28Wとして65分間酸素プラズマ中でエッチングした。得られたグラファイト薄膜の厚さは42nmであった。電気伝導度の値は20600S/cmであり、キャリア移動度の値は10060cm2/Vsec範囲であった。この事からプラズマエッチングによって電気伝導度の値やキャリア移動度の値がほとんど変化しない事が分かった。
試料5を用いた以外は実施例4と同様な接合実験を行なった。次に、照射電力を35Wとし、9分間、酸素プラズマ照射し、さらに照射電力を28Wとして40分間酸素プラズマ中でエッチングした。得られたグラファイト薄膜の厚さは26nmであった。電気伝導度の値は19000S/cmであり、キャリア移動度の値は9200cm2/Vsec範囲であった。この事からプラズマエッチングによって電気伝導度の値やキャリア移動度の値がほとんど変化しない事が分かった。
試料6を用いてシリコン基板との直接接合を行った。最初にグラファイト膜の表面とシリコン基板表面をACプラズマ装置(真空デバイス社製(PIB-20)マグネトロン、交流電場)を用いて表面清浄化を行なった。実験条件は、放電電圧/電流の値は電圧AC0~700V/電流AC0~50mA(最大35W)である。酸素ガスを用いて5秒間プラズマに暴露し表面清浄化を行なった。次にシリコン基板とグラファイトを積層し、常温加圧(荷重:10kgf/cm2)した。加圧処理後、グラファイト面に接着テープを貼り付け剥離実験を行った。剥離実験の結果剥離はグラファイト層間で発生した。この結果からグラファイト膜とシリコン基板が直接接合されていると結論した。次に、照射電力を35Wとし、12分間、酸素プラズマ照射し、さらに照射電力を28Wとして20分間、酸素プラズマ中でエッチングした。得られたグラファイト薄膜の厚さは14nmであった。電気伝導度の値は21800S/cmであり、キャリア移動度の値は10100cm2/Vsecであった。この事からプラズマエッチングによって電気伝導度の値やキャリア移動度の値がほとんど変化しない事が分かった。
実施例6と同様に試料6を用いてシリコン基板との直接接合を行い、次に、照射電力を35Wとし、12分間、酸素プラズマ照射し、さらに照射電力を28Wとして300分間、空気プラズマ中でエッチングした。得られたグラファイト薄膜の厚さは8nmであった。電気伝導度の値は21000S/cmであり、キャリア移動度の値は9800cm2/Vsecの範囲であった。この事からプラズマエッチングによって電気伝導度の値やキャリア移動度の値がほとんど変化しない事が分かった。
実施例6と同様に試料6を用いてシリコン基板との直接接合を行い、次に、照射電力を35Wとし、12分間、酸素プラズマ照射し、さらに照射電力を28Wとして350分間、空気プラズマ中でエッチングした。得られたグラファイト膜の厚さは3.1nmであった。電気伝導度の値は20100S/cmであり、キャリア移動度の値は9500cm2/Vsecであった。この事からプラズマエッチングによって電気伝導度の値やキャリア移動度の値がほとんど変化しない事が分かった。
実施例1、4で作製されたグラファイト薄膜(膜厚280nm、42nm)を回路形成プロセス5~プロセス8のプロセスに従って配線回路を形成した。作製した回路は幅1μm、長さ10μmである。得られた試料に直流電流を印加して耐電流密度特性を測定した。測定は不活性ガス(アルゴンまたは窒素)中、25℃の環境下で行った。グラファイト回路の厚さが280nm(=0.28μm)である場合(すなわち、配線の断面積は1μm×0.28μm=0.28μm2)、その耐電流密度特性は1.5×107A/cm2であり、同じ形状の銅配線の耐電流密度特性と同等であった。グラファイト薄膜の厚さが42nm(=0.042μm)である場合(すなわち、配線の断面積は1μm×0.042μm=0.042μm2)には、耐電流密度特性は向上し、1.9×107A/cm2となり、この値は同じサイズの銅配線を上回るものであった。この事から厚さ280nm以下のグラファイト配線は銅配線よりも高い耐電流密度特性を有していると結論した。従ってこの様な手法によって得られるグラファイト配線回路は半導体微細回路としてきわめて有用である事が分かる。
2 シリコン基板
3 グラファイト膜およびシリコン基板表面の清浄化部分
4 接合部分
5 プラズマエッチングされたグラファイト薄膜
6 レジスト膜
7 レジスト膜の回路パターン
8 レジスト膜除去によって露出したグラファイト薄膜
9 グラファイトの配線を含む配線回路
10 グラファイト膜
11 基板
12 高周波電源
13 プラズマ(酸素、空気、または水素)
Claims (10)
- グラファイトの配線を含む配線回路であり、
配線の厚さが3nm以上300nm未満であり、
グラファイトの膜面方向の電気伝導度が18000S/cm以上であり、
グラファイトの膜面方向のキャリア移動度が9500cm2/Vsec以上である配線回路。 - 配線の断面積が0.5μm2以下である
請求項1に記載の配線回路。 - 配線の線幅が1μm以下である
請求項1あるいは請求項2に記載の配線回路。 - (1)グラファイト膜と基板を接合する接合工程、
(2)グラファイト膜をプラズマエッチングによってグラファイト薄膜とするプラズマエッチング工程、
(3)グラファイト薄膜をエッチングして配線回路を形成する配線回路形成工程を含む配線回路の製造方法であり、
さらに、
(4)グラファイト薄膜上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程、
(5)レジスト膜回路形成工程、
(6)レジスト膜除去工程を含み、
工程が(1)、(2)、(4)、(5)、(3)、(6)の順である配線回路の製造方法。 - 基板がシリコン基板である
請求項4に記載の配線回路の製造方法。 - 基板が、表面に酸化膜が形成されたシリコン基板である
請求項4に記載の配線回路の製造方法。 - プラズマエッチングが、酸素プラズマエッチングあるいは空気プラズマエッチングである請求項4~請求項6のいずれかに記載の配線回路の製造方法。
- さらに、
(7)グラファイト膜清浄化工程を含み、
工程が(7)、(1)、(2)、(4)、(5)、(3)、(6)の順である
請求項4~請求項7のいずれかに記載の配線回路の製造方法。 - さらに、
(8)基板面に金属層を形成する金属層形成工程を含み、
工程が(8)、(1)、(2)、(4)、(5)、(3)、(6)の順である
請求項4~請求項8のいずれかに記載の配線回路の製造方法。 - 金属層が、ニッケル、リン、ニッケル合金、リン合金、金、および銀ロウからなる群より選ばれる請求項9に記載の配線回路の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018042640 | 2018-03-09 | ||
JP2018042640 | 2018-03-09 | ||
PCT/JP2019/007364 WO2019172023A1 (ja) | 2018-03-09 | 2019-02-26 | 配線回路、その製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019172023A1 JPWO2019172023A1 (ja) | 2021-03-04 |
JP7140822B2 true JP7140822B2 (ja) | 2022-09-21 |
Family
ID=67846665
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020504942A Active JP7140822B2 (ja) | 2018-03-09 | 2019-02-26 | 配線回路、その製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11328953B2 (ja) |
JP (1) | JP7140822B2 (ja) |
WO (1) | WO2019172023A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7140822B2 (ja) * | 2018-03-09 | 2022-09-21 | 株式会社カネカ | 配線回路、その製造方法 |
US20210407883A1 (en) * | 2018-12-28 | 2021-12-30 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Graphite thin film/silicon substrate laminated assembly, process for producing the same, and substrate for enhanced heat discharge type electronic devices |
JP7384368B2 (ja) * | 2020-06-28 | 2023-11-21 | 深▲せん▼清華大学研究院 | グラファイトアイランドスライディングブロックアレイの調製方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011113797A (ja) | 2009-11-26 | 2011-06-09 | Nec Corp | 導電性細線、これを用いたデバイス、および導電性細線の形成方法 |
JP2012060010A (ja) | 2010-09-10 | 2012-03-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2012074682A (ja) | 2010-08-29 | 2012-04-12 | Shibaura Institute Of Technology | 配線パターンの形成方法 |
WO2015045641A1 (ja) | 2013-09-26 | 2015-04-02 | 株式会社カネカ | グラファイトシート、その製造方法、配線用積層板、グラファイト配線材料、および配線板の製造方法 |
JP2016025068A (ja) | 2014-07-24 | 2016-02-08 | 株式会社カネカ | 配線材料、配線材料の製造方法、および配線材料を用いた配線板の製造方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6953985B2 (en) * | 2002-06-12 | 2005-10-11 | Freescale Semiconductor, Inc. | Wafer level MEMS packaging |
US7859359B2 (en) * | 2008-02-25 | 2010-12-28 | Broadcom Corporation | Method and system for a balun embedded in an integrated circuit package |
US8451581B2 (en) * | 2010-01-14 | 2013-05-28 | Qualcomm Incorporated | Passive coupler between package substrate and system board |
JP5839267B2 (ja) * | 2011-09-28 | 2016-01-06 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US9449945B2 (en) * | 2013-03-08 | 2016-09-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Filter and capacitor using redistribution layer and micro bump layer |
US9313851B2 (en) * | 2014-05-19 | 2016-04-12 | Infineon Technologies Ag | Standby power for LED drivers |
US20160301249A1 (en) * | 2015-04-09 | 2016-10-13 | Infineon Technologies Ag | Communicating between galvanically isolated devices using waveguides |
US9691743B2 (en) * | 2015-09-21 | 2017-06-27 | Nxp Usa, Inc. | Localized redistribution layer structure for embedded component package and method |
US9660037B1 (en) * | 2015-12-15 | 2017-05-23 | Infineon Technologies Austria Ag | Semiconductor wafer and method |
DE102016103790B8 (de) * | 2016-03-03 | 2021-06-02 | Infineon Technologies Ag | Herstellung einer Packung unter Verwendung eines platebaren Verkapselungsmaterials |
US10050316B2 (en) * | 2016-05-13 | 2018-08-14 | Infineon Technologies Ag | Communication between battery cells |
JPWO2017213167A1 (ja) * | 2016-06-07 | 2019-03-07 | 株式会社カネカ | グラファイトシート加工物、及びグラファイトシート加工物の製造方法 |
JP7140822B2 (ja) * | 2018-03-09 | 2022-09-21 | 株式会社カネカ | 配線回路、その製造方法 |
DE102019110840A1 (de) * | 2019-04-26 | 2020-10-29 | Infineon Technologies Ag | Rf-vorrichtungen mit konformen antennen und verfahren zu deren herstellung |
DE102019115307A1 (de) * | 2019-06-06 | 2020-12-10 | Infineon Technologies Ag | Halbleitervorrichtungen mit planaren wellenleiter-übertragungsleitungen |
DE102019128779B4 (de) * | 2019-10-24 | 2021-05-12 | Infineon Technologies Ag | Hochfrequenz-Vorrichtung mit Hochfrequenz-Signalführungselement und zugehöriges Herstellungsverfahren |
-
2019
- 2019-02-26 JP JP2020504942A patent/JP7140822B2/ja active Active
- 2019-02-26 WO PCT/JP2019/007364 patent/WO2019172023A1/ja active Application Filing
-
2020
- 2020-09-04 US US17/013,055 patent/US11328953B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011113797A (ja) | 2009-11-26 | 2011-06-09 | Nec Corp | 導電性細線、これを用いたデバイス、および導電性細線の形成方法 |
JP2012074682A (ja) | 2010-08-29 | 2012-04-12 | Shibaura Institute Of Technology | 配線パターンの形成方法 |
JP2012060010A (ja) | 2010-09-10 | 2012-03-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2015045641A1 (ja) | 2013-09-26 | 2015-04-02 | 株式会社カネカ | グラファイトシート、その製造方法、配線用積層板、グラファイト配線材料、および配線板の製造方法 |
JP2016025068A (ja) | 2014-07-24 | 2016-02-08 | 株式会社カネカ | 配線材料、配線材料の製造方法、および配線材料を用いた配線板の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20200402850A1 (en) | 2020-12-24 |
US11328953B2 (en) | 2022-05-10 |
WO2019172023A1 (ja) | 2019-09-12 |
JPWO2019172023A1 (ja) | 2021-03-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7140822B2 (ja) | 配線回路、その製造方法 | |
TWI645981B (zh) | 石墨片材、其製造方法、配線用積層板、石墨配線材料及配線板之製造方法 | |
JP6546526B2 (ja) | キャリア付銅箔及びコアレス支持体用積層板、並びに配線層付コアレス支持体及びプリント配線板の製造方法 | |
US20200180963A1 (en) | 3d graphene | |
Kostogrud et al. | The main sources of graphene damage at transfer from copper to PET/EVA polymer | |
TWI426830B (zh) | 雜訊抑制配線構件及其製造方法 | |
JP2002280684A (ja) | フレキシブル銅張回路基板とその製造方法 | |
TW201124266A (en) | Metalized polyimide film and flexible printed circuit board using the same | |
JPWO2015060419A1 (ja) | グラフェン膜の製造方法 | |
WO2019082795A1 (ja) | 極薄銅箔及びキャリア付極薄銅箔、並びにプリント配線板の製造方法 | |
JP2013212938A (ja) | 黒鉛薄膜およびその製造方法 | |
JP6440295B2 (ja) | コイル | |
TWI460076B (zh) | A substrate manufacturing method and a structure for simplifying the process | |
KR102258442B1 (ko) | 그래핀 시트의 제조 방법 및 그 그래핀 시트 | |
JP2021073157A (ja) | グラファイト薄膜及び、その製造方法 | |
Chen et al. | Tunable Adhesion for All‐Dry Transfer of 2D Materials Enabled by the Freezing of Transfer Medium | |
JP2004082444A (ja) | 金属層付き樹脂体および配線体 | |
JP6353308B2 (ja) | 配線材料、配線材料の製造方法、および配線材料を用いた配線板の製造方法 | |
WO2020066457A1 (ja) | 積層体および積層体の製造方法 | |
Shang et al. | Polyacrylonitrile as an Efficient Transfer Medium for Wafer‐scale Transfer of Graphene | |
JP2018195784A (ja) | セラミックス回路基板の製造方法 | |
WO2022211042A1 (ja) | プリント配線基板用積層体および多層プリント配線基板用接合体 | |
KR101206882B1 (ko) | 이온빔 믹싱층을 포함하는 금속 인쇄 배선 회로기판 및 이의 제조방법 | |
Yan et al. | Towards bubble-free, centimeter-sized bilayer graphene enabled by backside lamination | |
JPH11274685A (ja) | プリント回路基板の加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220628 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220816 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220830 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220908 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7140822 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |