JP7132414B2 - 表示装置 - Google Patents
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Description
(TFT:Thin Film Transistorともいう)は、主にアモルファス
シリコン、又は多結晶シリコンなどの半導体材料を用いて作製される。アモルファスシリ
コンを用いたTFTは、電界効果移動度が低いもののガラス基板の大面積化に対応するこ
とができ、一方、多結晶シリコンを用いたTFTは、電界効果移動度が高いもののレーザ
アニールなどの結晶化工程が必要であり、ガラス基板の大面積化には必ずしも適応しない
といった特性を有している。
バイスや光デバイスに応用する技術が注目されている。例えば、半導体材料として酸化亜
鉛、In-Ga-Zn-O系酸化物半導体を用いてTFTを作製し、画像表示装置のスイ
ッチング素子などに用いる技術が特許文献1及び特許文献2で開示されている。
Tよりも高い電界効果移動度が得られている。酸化物半導体膜は、スパッタリング法など
によって300℃以下の温度で膜形成が可能であり、酸化物半導体膜を用いたTFTは、
多結晶シリコンを用いたTFTよりも製造工程が簡単である。
は、液晶ディスプレイ、エレクトロルミネセンスディスプレイ(ELディスプレイともい
う)、又は電子ペーパなどの表示装置への応用が期待されている。
FTや駆動回路を構成するTFTに適用することができる。表示装置の駆動回路は、例え
ばシフトレジスタ回路、バッファ回路、などにより構成され、さらに、シフトレジスタ回
路及びバッファ回路は、論理回路により構成される。よって、論理回路を構成するTFT
に酸化物半導体を用いたTFTを適用することにより、駆動回路の駆動速度を向上させる
ことができる。
荷が蓄積してしまうといった問題がある。例えばトランジスタの場合、このような電荷の
蓄積があると、寄生チャネルが発生し、リーク電流が流れてしまう。また、ボトムゲート
型トランジスタの場合には、半導体層におけるバックチャネル部(半導体層における上部
に設けられたソース電極及びドレイン電極の間の領域)の表面又は内部に電荷が蓄積し、
寄生チャネルが発生する場合もある。さらに、酸化物半導体は、半導体として比較的広い
バンドギャップを有し、トランジスタのチャネル形成層に用いた場合、オフ抵抗が高い。
そのため、酸化物半導体をチャネル形成層に用いたトランジスタは、不要な電荷が蓄積し
やすく、蓄積された電荷により寄生チャネルが発生し、リーク電流が生じやすい。よって
、駆動回路及び画素部において、所望の動作を行うためには、寄生チャネルの発生の原因
となる不要な電荷の蓄積が少ない方が好ましい。
む画素部を有し、信号線及び信号線に電気的に接続された素子、電極、又は配線に不要な
電荷が蓄積されている場合に選択的にオン状態にすることにより、蓄積された不要な電荷
を外部に放出させるスイッチング素子を有するものである。これにより、不要な電荷の蓄
積を低減させ、リーク電流の低減を図る。
ンスメント型トランジスタである第2のトランジスタを有する論理回路を含む駆動回路と
、信号線と、信号線を介して駆動回路から画像データとなる信号が入力されることにより
、表示状態が制御される画素を含む画素部と、デプレッション型トランジスタであり、ゲ
ート、ソース、及びドレインを有し、ソース及びドレインの一方には、基準となる電圧が
与えられ、ソース及びドレインの他方が信号線に電気的に接続され、ゲートには、ゲート
信号が入力される第3のトランジスタと、を有し、第1のトランジスタ乃至第3のトラン
ジスタは、チャネル形成領域を有する酸化物半導体層を含む表示装置である。
、ゲート電極の上に設けられたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層の上に設けられた酸化物半
導体層の一部の上にそれぞれ設けられ、ソース電極又はドレイン電極としての機能を有す
る第1の導電層及び第2の導電層と、を含み、酸化物半導体層、第1の導電層及び第2の
導電層の上に設けられた酸化物絶縁層をさらに有してもよい。
トランジスタにおける酸化物半導体層の膜厚よりも大きく、第3のトランジスタにおける
酸化物半導体層の膜厚は、第2のトランジスタにおける酸化物半導体層の膜厚よりも大き
くてもよい。
層を有してもよい。
る。よって、不要な電荷の蓄積を低減することができる。
下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳
細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に
示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではないとする。
本実施の形態では、本発明の一態様である表示装置について説明する。
おける表示装置の構成の一例を示す図である。
装置は、信号線103を有する。
路を用いて構成される。組み合わせ論理回路としては、例えばインバータなどがあり、イ
ンバータは、例えばデプレッション型トランジスタ及びエンハンスメント型トランジスタ
を用いて構成される。
値電圧が負の値であり、Pチャネル型トランジスタの場合において閾値電圧が正の値であ
るトランジスタのことをいい、エンハンスメント型トランジスタとは、Nチャネル型トラ
ンジスタの場合において閾値電圧が正の値であり、Pチャネル型トランジスタの場合にお
いて閾値電圧が負の値であるトランジスタのことをいう。
ドレインを有する。
少なくとも一つのトランジスタのゲート電極と、別の電極や別の配線とを電気的に接続さ
せるための配線のことをいい、例えば表示装置における走査線もゲート配線に含まれる。
ース領域とは、半導体層のうち、抵抗率が一定値以下の領域のことをいう。ソース電極と
は、ソース領域に接続される部分の導電層のことをいう。ソース配線とは、少なくとも一
つのトランジスタのソース電極と、別の電極や別の配線とを電気的に接続させるための配
線のことをいい、例えば表示装置における信号線がソース電極に電気的に接続される場合
にはソース配線に信号線も含まれる。
いう。ドレイン領域とは、半導体層のうち、抵抗率が一定値以下の領域のことをいう。ド
レイン電極とは、ドレイン領域に接続される部分の導電層のことをいう。ドレイン配線と
は、少なくとも一つのトランジスタのドレイン電極と、別の電極や別の配線とを電気的に
接続させるための配線のことをいい、例えば表示装置における信号線がドレイン電極に電
気的に接続される場合にはドレイン配線に信号線も含まれる。
とドレインは、トランジスタの構造や動作条件などによって互いに入れ替わるため、いず
れがソース又はドレインであるかを限定することが困難である。そこで、本書類(明細書
、特許請求の範囲又は図面など)においては、ソース及びドレインのいずれかから任意に
選択した一方をソース及びドレインの一方と表記し、他方の端子をソース及びドレインの
他方と表記する。
かし、電圧と電位の値は、いずれもボルト(V)で表されることがあるため、区別が困難
である。そこで、本願の書類(明細書及び特許請求の範囲)では、特に指定する場合を除
き、一点の電位及び基準となる電位(基準電位ともいう)との電位差を該一点の電圧とし
て用いる場合がある。
続され、ゲート電圧に応じてオン状態(ONともいう)又はオフ状態(OFFともいう)
になる。ゲート電圧は、例えば図1に示すように別途走査線107を設け、トランジスタ
112のゲートが走査線107に電気的に接続された構成にし、走査線107を介してト
ランジスタ112のゲートにゲート信号が入力されることにより制御される。走査線10
7を、例えば走査線駆動回路に電気的に接続させることにより、走査線107に印加され
る電圧を制御することができる。また、トランジスタ112のソース及びドレインの他方
は、接地されるか、所定の値の電圧(基準電圧またはVrefともいう)が与えられる。
基準電圧は、例えば図1に示すように、別途基準電圧線108を設け、トランジスタ11
2のソース及びドレインの他方が基準電圧線108に電気的に接続された構成にすること
により、トランジスタ112のソース及びドレインの他方に与えられる。トランジスタ1
12は、オン状態又はオフ状態になることにより、非選択期間において、信号線103又
は信号線103に電気的に接続された他の素子、電極、若しくは配線などに電荷が蓄積さ
れていた場合、信号線103を介して蓄積された電荷を外部に放出させるためのスイッチ
ング素子としての機能を有する。
域を複数有するマルチゲート構造のトランジスタとすることができる。また、トランジス
タ112と同じ構造のトランジスタを複数並列接続で電気的に接続させた構造にすること
もできる。
04が配置された構造であってもよい。行方向に複数の画素104が配置される場合には
、行方向の画素の数と同じ数の走査線を有し、列方向に複数の画素104が配置される場
合には、列方向の画素の数と同じ数の信号線を有する。また、信号線が列方向に複数ある
場合には、信号線毎にトランジスタ112が設けられ、各トランジスタ112のソース及
びドレインの一方が、対応する信号線に電気的に接続された構成とすることができる。
れることにより、表示状態が制御される。画素104は、例えばトランジスタなどのスイ
ッチング素子と、スイッチング素子がオン状態又はオフ状態になることにより状態が制御
される液晶素子又は発光素子などの表示素子と、を有する構成とすることができる。画像
データが入力されるタイミングは、例えば図1に示すように別途走査線105を設けるこ
とにより、走査線105を介して入力される信号に応じて設定される。
スタ及びトランジスタ112として用いられるデプレッション型トランジスタを、同じ構
造にすることができ、例えばチャネル形成領域を有する酸化物半導体層を含む構造にする
ことができる。また、図1に示す表示装置では、駆動回路111に用いられるデプレッシ
ョン型トランジスタ及びトランジスタ112として用いられるデプレッション型トランジ
スタを同じ導電型のトランジスタにすることもできる。ただし、これに限定されず、例え
ばトランジスタ112を駆動回路111に用いられるトランジスタと異なる構造にするこ
ともできる。
ばボトムゲート型トランジスタを用いることができる。
ャネル幅より広くしてもよい。トランジスタ112のチャネル幅を十分広くすることによ
り、不要な電荷の蓄積によるトランジスタ112のスイッチング動作への影響を低減させ
ることができる。
ランジスタ112をNチャネル型トランジスタとし、走査線105及び走査線107を介
して入力される走査信号を、第1の電圧状態及び第2の電圧状態を有する2値のデジタル
信号とする。また、走査線105を介して入力される走査信号は、第1の電圧状態で電圧
V1(単にV1ともいう)となり、第2の電圧状態で電圧V2(単にV2ともいう)とな
るとする。また、走査線107を介して入力される走査信号は、第1の電圧状態で電圧V
2となり、第2の電圧状態で電圧V3(単にV3ともいう)となるとする。また、電圧V
1は、電圧V2よりも大きい電圧であり、電圧V3は、電圧V2よりも小さい電圧である
とし、電圧V2は接地電位とする。また、基準電圧線108には接地電位(Vgndとも
いう)が与えられるとする。
もいう)及び画素104が選択された期間(選択期間ともいう)に分けられる。また、行
列方向に画素104が複数配置された構成であるときは、全ての画素104が選択されて
いない期間を非選択期間とし、いずれかの画素104が選択された期間を選択期間とする
。
(V107ともいう)の値が電圧V2になる。
、信号線103と基準電圧線108が導通状態となり、信号線103又は信号線103に
電気的に接続された素子、電極、若しくは配線に電荷が蓄積している場合には、蓄積され
た電荷が信号線103及びトランジスタ112を介して基準電圧線108に放出される。
値が電圧V3になる。
から画素104に画像データとなる信号が入力される。画像データとなる信号が入力され
た画素104は、入力された画像データに応じた表示状態になる。
期間では、各信号線103に電気的に接続された各トランジスタ112がオン状態になり
、各信号線103と基準電圧線108とを導通状態になることにより、各信号線103又
は各信号線103に電気的に接続された素子、電極、若しくは配線に電荷が蓄積されてい
る場合には、各信号線103及び各トランジスタ112を介して基準電圧線108を介し
て電荷が放出され、選択期間では、各トランジスタ112がオフ状態になり、走査線10
5毎に順次画素104に画像データが入力され、画像データが入力された画素は、表示状
態になる。
できる。例えばあるフレームでの選択期間と次のフレームでの選択期間の間に非選択期間
を設け、トランジスタ112をオン状態にすることもできる。
は配線に電荷が蓄積した場合に、蓄積された電荷を信号線を介して基準電圧線に選択的に
放出させることができる。また、ボトムゲート型のトランジスタを用いて表示装置を構成
する場合には、バックチャネル部に電荷が蓄積した場合であっても、蓄積された電荷を信
号線を介して基準電圧線に放出させることもできる。これにより寄生チャネルの発生を抑
制し、リーク電流を低減することもできる。
ジスタにすることにより、電圧を印加せずにオン状態にすることができる。よって、表示
装置の非動作時において、不要に蓄積された電荷を放出させることができるため、表示動
作への影響を抑制することができる。
本実施の形態では、本発明の一態様である表示装置における駆動回路部の構造例について
説明する。
の形態における駆動回路部の構造の一例を示す図であり、図2(A)は上面図であり、図
2(B)は図2(A)の線分Z1-Z2及び線分Z3-Z4における断面図である。
タ251、トランジスタ252、及びトランジスタ253を有する。
理回路に用いられる素子の一例であり、等価回路で表すと図3に示す構成となる。
方に高電源電圧(Vddともいう)が与えられる。また、ゲートと、ソース及びドレイン
の他方とが電気的に接続(ダイオード接続ともいう)されている。
的に接続(ダイオード接続ともいう)されている構成であるが、これに限定されない。例
えば、ゲートがトランジスタ251のソース及びドレインの一方に電気的に接続された構
成とすることもでき、また、ゲートを介して別の信号が入力される構成とすることもでき
る。
が入力され、ソース及びドレインの一方がトランジスタ251のソース及びドレインの他
方に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方に低電源電圧(Vssともいう)が与
えられる。低電源電圧は、例えば接地電位又は所定の電圧である。
源電圧より相対的に値の低い電位である。それぞれの値は、回路の仕様などにより適宜設
定されるため特に限定されない。例えば、Vddの値がVssの値より大きい場合であっ
ても、必ずしも|Vdd|の値が|Vss|より大きいことであるとは限らない。また、
Vddの値がVssより大きい場合であっても、必ずしもVgndの値は、Vssの値以
上であるとも限らない。
のゲートに入力されたとき、論理回路は、ロウ状態のデジタル信号を出力信号(OUTと
もいう)として出力し、ロウ状態のデジタル信号がトランジスタ251のゲートに入力さ
れたとき、論理回路はハイ状態のデジタル信号を出力信号として出力する。
ある。
上に設けられたゲート電極211aと、ゲート電極211aの上に設けられたゲート絶縁
層202と、ゲート絶縁層202を挟んでゲート電極211aの上に設けられた酸化物半
導体層223aと、酸化物半導体層223aの一部の上にそれぞれ設けられた導電層21
5a及び導電層215bと、を有する。
211bの上に設けられたゲート絶縁層202と、ゲート絶縁層202を挟んでゲート電
極211bの上に設けられた酸化物半導体層223bと、酸化物半導体層223bの一部
の上にそれぞれ設けられた導電層215b及び導電層215cと、を有する。
211cの上に設けられたゲート絶縁層202と、ゲート絶縁層202を挟んでゲート電
極211cの上に設けられた酸化物半導体層223cと、酸化物半導体層223cの一部
の上にそれぞれ設けられた導電層215b及び導電層215dと、を有する。
能を有する。
れているだけでなく、酸化物半導体層223a乃至酸化物半導体層223cに接して酸化
物絶縁層207が形成されている。上記酸化物半導体層をチャネル形成層に用いたトラン
ジスタは、長期間の使用や高負荷に伴うVthシフトが起こりにくいため、信頼性が高い
。
縁層207の下方に設けるゲート絶縁層202又は下地となる絶縁層と接する構成とする
ことが好ましく、基板の側面近傍からの水分や、水素イオンや、OH-などの不純物が侵
入することをブロックする。特に、酸化物絶縁層207の下方に設けるゲート絶縁層20
2又は下地となる絶縁層を窒化珪素層とすると有効である。即ち、酸化物半導体層の下面
、上面、及び側面を囲むように窒化珪素層を設けると、表示装置の信頼性が向上する。
絶縁層216を有し、さらに酸化物絶縁層207及び平坦化絶縁層216を挟んで酸化物
半導体層223aの上に導電層217aを有し、酸化物絶縁層207及び平坦化絶縁層2
16を挟んで酸化物半導体層223bの上に導電層217bを有し、酸化物絶縁層207
及び平坦化絶縁層216を挟んで酸化物半導体層223cの上に導電層217cを有する
。導電層217a乃至導電層217cは、それぞれ第2のゲート電極としての機能を有す
る。第2のゲート電圧を導電層217a乃至導電層217cに印加することにより、トラ
ンジスタ251乃至トランジスタ253の閾値電圧を制御することができる。
場合には、酸化物絶縁層207の上(窒化物絶縁層を有する場合には窒化物絶縁層の上)
に導電層217a乃至導電層217cを有する構造とすることもできる。
れに電圧を印加すると、トランジスタの閾値電圧は負の方向へシフトし、ソース電極の電
圧より低くなるように導電層217a乃至導電層217cのそれぞれに電圧を印加すると
、トランジスタの閾値電圧は正の方向へシフトする。
電圧より充分低くすると、閾値電圧を正の方向にシフトできる。これにより、第2のゲー
ト電極を用いて、デプレッション型トランジスタを選択的にエンハンスメント型トランジ
スタに変えることができる。
の電圧より充分高くすると、閾値電圧を負の方向にシフトできる。従って、第2のゲート
電極を用いて、エンハンスメント型トランジスタを選択的にデプレッション型トランジス
タに変えることができる。
の電圧より充分低くすると、閾値電圧をさらに正の方向にシフトできる。従って、第2の
ゲート電極に充分低い電圧を印加することで、ハイ状態の入力信号に関わらずオフ状態を
維持する特性に変えることができる。
に印加する電圧により制御できる。これにより、例えば第2のゲート電極にそれぞれ第2
のゲート電圧を印加し、トランジスタ251をデプレッション型トランジスタにし、トラ
ンジスタ252をエンハンスメント型トランジスタにすることにより酸化物半導体を用い
たトランジスタで論理回路を提供することができ、また、トランジスタ253をデプレッ
ション型トランジスタにすることにより、信号線又は信号線に電気的に接続された素子、
電極、若しくは配線に不要な電荷が蓄積された場合に、蓄積された電荷を放出させるため
のデプレッション型トランジスタを提供することができる。また、酸化物半導体を用いた
トランジスタを用いた表示装置であっても、リーク電流を低減することができる。また、
ボトムゲート型のトランジスタを用いて表示装置を構成する場合には、バックチャネル部
に電荷が蓄積した場合であっても、蓄積された電荷を、信号線を介して基準電圧線に放出
させることもできる。これにより、寄生チャネルの発生を抑制し、リーク電流を低減する
こともできる。
れの上に導電層217a乃至導電層217cを設ける例について説明したが、これに限定
されない。例えば、エンハンスメント型トランジスタとして機能させるトランジスタの上
のみ又はデプレッション型トランジスタとして機能させるトランジスタの上のみに第2の
ゲート電極としての機能を有する導電層を設けることもできる。
と、他のトランジスタのソース電極又はドレイン電極とを直接接続させた構造とすること
もできる。例えば、ゲート絶縁層202に開口部を設けてトランジスタ251のゲート電
極211aと、トランジスタ252の導電層215bとを接する構造とすることにより、
良好なコンタクトを得ることができ、接触抵抗を低減することができる。よって開口の数
の低減、開口の数の低減による占有面積の縮小を図ることができる。
体層223a上に一対のバッファ層として機能する酸化物導電層214a及び酸化物導電
層214bが設けられ、酸化物導電層214a及び酸化物導電層214bに接するように
一対の電極である導電層215a及び導電層215bが設けられた構造とし、トランジス
タ252を酸化物半導体層223b上に一対のバッファ層として機能する酸化物導電層2
14c及び酸化物導電層214dが設けられ、酸化物導電層214c及び酸化物導電層2
14dに接するように一対の電極である導電層215b及び導電層215cが設けられた
構造とし、トランジスタ253を酸化物半導体層223c上に一対のバッファ層として機
能する酸化物導電層214e及び酸化物導電層214fが設けられ、酸化物導電層214
e及び酸化物導電層214fに接するように一対の電極である導電層215b及び導電層
215dが設けられた構造とすることもできる。
物導電層214dは、酸化物半導体層223a並びに酸化物半導体層223bより高い導
電率を有しており、トランジスタ251並びにトランジスタ252のソース領域及びドレ
イン領域として機能する。
膜としては、例えば可視光に対して透光性を有する導電材料、例えばIn-Sn-Zn-
O系、In-Al-Zn-O系、Sn-Ga-Zn-O系、Al-Ga-Zn-O系、S
n-Al-Zn-O系、In-Zn-O系、Sn-Zn-O系、Al-Zn-O系、In
-Sn-O系、In-O系、Sn-O系、Zn-O系の金属酸化物を適用することができ
、膜厚は1nm以上300nm以下の範囲内で適宜選択する。また、スパッタリング法を
用いる場合、SiO2を2重量%以上10重量%以下含むターゲットを用いて成膜を行い
、透光性を有する導電膜に結晶化を阻害するSiOx(x>0)を含ませ、後の工程で行
う脱水化又は脱水素化のための加熱処理の際に結晶化してしまうのを抑制することが好ま
しい。
、チャネル形成領域として機能する酸化物半導体層223a乃至酸化物半導体層223c
と、ソース領域及びドレイン領域として機能する酸化物導電層214a乃至酸化物導電層
214fを異なる成膜条件によって、作り分けることができる。
より形成した酸化物導電層214a乃至酸化物導電層214fは、N型の導電型を有し、
活性化エネルギー(ΔE)が0.01eV以上0.1eV以下である。
-Ga-Zn-O系膜であり、少なくともアモルファス成分を含んでいるものとする。ま
た、酸化物導電層214a乃至酸化物導電層214fの中に結晶粒(ナノクリスタルとも
いう)を含む場合がある。酸化物導電層214a乃至酸化物導電層214f中の結晶粒は
、直径1nm~10nm、代表的には2nm~4nm程度である。
ネル形成層として機能する酸化物半導体層223a乃至酸化物半導体層223cとソース
電極並びにドレイン電極として機能する導電層215a乃至導電層215dの間に酸化物
導電層214a乃至酸化物導電層214fを設けることにより、良好な電気的な接合が得
られ、トランジスタ251乃至トランジスタ253は安定な動作を行うことができる。ま
た高いドレイン電圧でも高い移動度を保持することもできる。
図6は、図2に示す駆動回路部の作製方法の一例を示す断面図である。
ラフィ工程によりゲート電極211a、ゲート電極211b、及びゲート電極211cを
形成する(図5(A)参照)。なお、形成されたゲート電極の端部はテーパ形状であるこ
とが好ましい。
性を有していることが必要となる。基板201としては、例えばガラス基板などを用いる
ことができる。
のものを用いるとよい。また、ガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス、ア
ルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスなどのガラス材料が用いられている
。なお、ホウ酸と比較して酸化バリウム(BaO)を多く含ませることで、より実用的な
耐熱ガラスが得られる。このため、B2O3よりBaOを多く含むガラス基板を用いるこ
とが好ましい。
イア基板などの絶縁体でなる基板を用いてもよい。他にも、結晶化ガラス基板などを用い
ることができる。
の間に設けてもよい。下地膜は、基板201からの不純物元素の拡散を防止する機能があ
り、窒化珪素膜、酸化珪素膜、窒化酸化珪素膜、又は酸化窒化珪素膜から選ばれた一又は
複数の膜による積層構造により形成することができる。
えばモリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジ
ム、スカンジウム等の金属材料又はこれらを主成分とする合金材料を用いることができ、
ゲート電極211a乃至ゲート電極211cを形成するための導電膜は、これらの材料の
いずれか一つ又は複数を含む膜の単層膜又は積層膜により形成することができる。
えばチタン膜、該チタン膜上に設けられたアルミニウム膜、及び該アルミニウム膜上に設
けられたチタン膜の三層の積層膜、又はモリブデン膜、該モリブデン膜上に設けられたア
ルミニウム膜、及び該アルミニウム膜上に設けられたモリブデン膜の三層の積層膜を用い
ることが好ましい。勿論、金属導電膜として単層膜、2層の積層膜、又は4層以上の積層
膜を用いてもよい。また、導電膜として、チタン膜、アルミニウム膜及びチタン膜の積層
導電膜を用いた場合は、塩素ガスを用いたドライエッチング法でエッチングすることがで
きる。
。
、窒化珪素層、酸化窒化珪素層又は窒化酸化珪素層を単層で又は積層して形成することが
できる。例えば、酸化窒化珪素層を形成する場合、成膜ガスとして、SiH4、酸素及び
窒素を用いてプラズマCVD法により酸化窒化珪素層を形成すればよい。ゲート絶縁層2
02の膜厚は、100nm以上500nm以下とし、積層の場合は、例えば、膜厚50n
m以上200nm以下の第1のゲート絶縁層と、第1のゲート絶縁層上に膜厚5nm以上
300nm以下の第2のゲート絶縁層の積層とする。また、ゲート絶縁層202として、
リン又はボロンがドープされたシリコンターゲット材を用いて成膜された酸化シリコン膜
を用いることにより不純物(水分や、水素イオンや、OH-など)の侵入を抑制すること
ができる。
ト絶縁層202を形成する。
する。酸化物半導体膜の形成後に脱水化又は脱水素化のための加熱処理を行っても酸化物
半導体膜を非晶質な状態とするため、膜厚を50nm以下と薄くすることが好ましい。酸
化物半導体膜の膜厚を薄くすることで酸化物半導体膜の形成後に加熱処理した場合に、結
晶化してしまうのを抑制することができる。
プラズマを発生させる逆スパッタを行い、ゲート絶縁層202の表面に付着している成膜
時に発生する粉状物質を除去することが好ましい。逆スパッタとは、ターゲット側に電圧
を印加せずに、アルゴン雰囲気下で基板近傍にRF電源を用いて電圧を印加して基板にプ
ラズマを形成して表面を改質する方法である。なお、アルゴン雰囲気に代えて窒素、ヘリ
ウム、酸素などを用いてもよい。
Al-Zn-O系、Sn-Ga-Zn-O系、Al-Ga-Zn-O系、Sn-Al-Z
n-O系、In-Zn-O系、Sn-Zn-O系、Al-Zn-O系、In-Sn-O系
、In-O系、Sn-O系、Zn-O系の酸化物半導体膜を用いる。本実施の形態では、
In-Ga-Zn-O系酸化物半導体ターゲットを用いてスパッタリング法により成膜す
る。また、酸化物半導体膜は、希ガス(代表的にはアルゴン)雰囲気下、酸素雰囲気下、
又は希ガス(代表的にはアルゴン)及び酸素混合雰囲気下においてスパッタリング法によ
り形成することができる。また、スパッタリング法を用いる場合、SiO2を2重量%以
上10重量%以下含むターゲットを用いて成膜を行い、酸化物半導体膜に結晶化を阻害す
るSiOx(x>0)を含ませてもよい。これにより、後の工程で行う脱水化又は脱水素
化のための加熱処理の際に、後に形成される酸化物半導体層が結晶化してしまうのを抑制
することができる。
、及びGaを含有する酸化物半導体膜である。
O3:Ga2O3:ZnO=1:1:1[mol数比]を用いて、基板とターゲットの間
との距離を100mm、圧力0.6Pa、直流(DC)電源0.5kW、酸素(酸素流量
比率100%)雰囲気下で酸化物半導体膜を成膜する。なお、パルス直流(DC)電源を
用いると、成膜時に発生する粉状物質が軽減でき、膜厚分布も均一となるために好ましい
。本実施の形態では、酸化物半導体膜として、In-Ga-Zn-O系酸化物半導体ター
ゲットを用いてスパッタリング法によりIn-Ga-Zn-O系膜を成膜する。
びスパッタ用電源に直流電源を用いるDCスパッタリング法があり、さらにパルスとして
バイアスを与えるパルスDCスパッタリング法もある。RFスパッタリング法は、主に絶
縁膜を成膜する場合に用いられ、DCスパッタリング法は、主に金属導電膜を成膜する場
合に用いられる。
装置は、同一チャンバーで異なる材料膜を積層成膜することも、同一チャンバーで複数種
類の材料を同時に放電させて成膜することもできる。
タ装置や、グロー放電を使わずマイクロ波を用いて発生させたプラズマを用いるECRス
パッタリング法を用いるスパッタ装置がある。
ス成分とを化学反応させてそれらの化合物薄膜を形成するリアクティブスパッタリング法
や、成膜中に基板にも電圧をかけるバイアススパッタリング法もある。
体層223a、酸化物半導体層223b、及び酸化物半導体層223cを形成する(図5
(B)参照)。なお、第2のフォトリソグラフィ工程の後、酸化物半導体層223a乃至
酸化物半導体層223cを不活性ガス雰囲気(窒素、又はヘリウム、ネオン、アルゴン等
)下において加熱処理(400℃以上であって750℃未満)を行い、層内に含まれる水
素及び水などの不純物を除去してもよい。
熱処理の温度は、400℃以上であって750℃未満、好ましくは425℃以上750℃
未満とする。なお、425℃以上であれば熱処理時間は1時間以下でよいが、425℃以
下750℃未満であれば加熱処理時間は、1時間よりも長時間行うこととする。ここでは
、加熱処理装置の一つである電気炉に基板を導入し、酸化物半導体層に対して窒素雰囲気
下において加熱処理を行った後、大気に触れることなく、酸化物半導体層への水や水素の
再混入を防ぐ。本実施の形態では、酸化物半導体層の脱水化又は脱水素化を行う加熱温度
Tから、再び水が入らないような十分な温度まで、具体的には加熱温度Tよりも100℃
以上下がるまで同じ炉を用い窒素雰囲気下で徐冷する。また、窒素雰囲気に限定されず、
ヘリウム、ネオン、アルゴン等下において脱水化又は脱水素化を行う。
輻射によって、被処理物を加熱する装置を備えていてもよい。例えば、GRTA(Gas
Rapid Thermal Anneal)装置、LRTA(Lamp Rapid
Thermal Anneal)装置等のRTA(Rapid Thermal An
neal)装置を用いることができる。LRTA装置は、ハロゲンランプ、メタルハライ
ドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧
水銀ランプなどのランプから発する光(電磁波)の輻射により、被処理物を加熱する装置
である。GRTA装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置である。気体には、ア
ルゴンなどの希ガス、又は窒素のような、加熱処理によって被処理物とほとんど反応しな
い不活性気体が用いられる。
の脱水化、脱水素化が図られ、その後の水(H2O)の再含浸を防ぐことができる。
水、水素などが含まれないことが好ましい。また、第1の加熱処理において、加熱処理装
置に導入する窒素、又はヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスの純度を、6N(99.
9999%)以上、好ましくは7N(99.99999%)以上、(即ち不純物濃度を1
ppm以下、好ましくは0.1ppm以下)とすることが好ましい。
晶化し、微結晶層又は多結晶層となる場合もある。例えば、結晶化率が90%以上、又は
80%以上の微結晶の酸化物半導体層となる場合もある。また、第1の加熱処理の条件、
又は酸化物半導体層の材料によっては、結晶成分を含まない非晶質の酸化物半導体層とな
る場合もある。
1の加熱処理後の酸化物半導体層は、成膜直後の酸化物半導体層よりもキャリア濃度が高
まり、好ましくは1×1018/cm3以上のキャリア濃度を有する酸化物半導体層とな
る。
材料によっては、結晶化し、微結晶層又は多結晶層となる場合もある。例えば、ゲート電
極211a乃至ゲート電極211cとして、酸化インジウム酸化スズ合金層を用いる場合
は450℃1時間の第1の熱処理で結晶化し、ゲート電極211a乃至ゲート電極211
cとして、酸化珪素を含む酸化インジウム酸化スズ合金層を用いる場合は結晶化しない。
半導体膜に行うこともできる。その場合には、第1の加熱処理後に、加熱装置から基板を
取り出し、フォトリソグラフィ工程を行う。
上にトランジスタのソース電極及びドレイン電極を形成するための導電膜を形成する。
述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金等を用いる。導電膜は
、上述した元素を含む単層に限定されず、二層以上の積層を用いることができる。本実施
の形態では、チタン膜(膜厚100nm)とアルミニウム膜(膜厚200nm)とチタン
膜(膜厚100nm)の3層構造の導電膜を形成する。また、Ti膜に変えて窒化チタン
膜を用いてもよい。
に持たせることが好ましい。例えばヒロック防止元素が添加されたアルミニウム合金や、
耐熱性導電膜と積層した導電膜を用いることが好ましい。なお、導電膜の成膜方法は、ス
パッタリング法や真空蒸着法(電子ビーム蒸着法など)や、アーク放電イオンプレーティ
ング法や、スプレー法を用いる。また、銀、金、銅などの導電性ナノペーストを用いてス
クリーン印刷法、インクジェット法などを用いて吐出し焼成して形成してもよい。
を形成するための導電膜の上に、レジストマスク233a、レジストマスク233b、レ
ジストマスク233c、及びレジストマスク233dを形成し、レジストマスク233a
乃至レジストマスク233dを用いて上記導電膜の一部をエッチングして導電層215a
、導電層215b、導電層215c、及び導電層215dを形成する(図5(C)参照。
)。
を選択的に除去する。例えば、In-Ga-Zn-O系酸化物半導体層上に接する金属導
電膜のみを選択的に除去するためにアルカリ性のエッチャントとしてアンモニア過水(組
成の重量比として、過酸化水素:アンモニア:水=5:2:2)などを用いると、金属導
電膜を選択的に除去し、酸化物半導体からなる酸化物半導体層を残存させることができる
。
層の露出領域がエッチングされる場合がある。その場合、ソース電極層とドレイン電極層
に挟まれる領域(導電層215aと導電層215bに挟まれる領域)の酸化物半導体層は
、ゲート電極211a上でソース電極層が重なる領域の酸化物半導体層、又はドレイン電
極層が重なる領域の酸化物半導体層に比べ、膜厚が薄くなる。また、ソース電極層とドレ
イン電極層に挟まれる領域(導電層215bと導電層215cに挟まれる領域)の酸化物
半導体層は、ゲート電極211b上でソース電極層が重なる領域の酸化物半導体層、又は
ドレイン電極層が重なる領域の酸化物半導体層に比べ、膜厚が薄くなる。また、ソース電
極層とドレイン電極層に挟まれる領域(導電層215bと導電層215dに挟まれる領域
)の酸化物半導体層は、ゲート電極211c上でソース電極層が重なる領域の酸化物半導
体層、又はドレイン電極層が重なる領域の酸化物半導体層に比べ、膜厚が薄くなる。
化物半導体層223c上に酸化物絶縁層207を形成する。この段階で、酸化物半導体層
223a乃至酸化物半導体層223cの一部は、酸化物絶縁層207と接する。なお、ゲ
ート絶縁層を挟んでゲート電極と重なる酸化物半導体層の領域がチャネル形成領域となる
。
物絶縁層に水、水素等の不純物を混入させない方法を適宜用いて形成することができる。
本実施の形態では、スパッタリング法を用いて酸化物絶縁層として酸化珪素膜を成膜する
。成膜時の基板温度は、室温以上300℃以下とすればよく、本実施の形態では100℃
とする。酸化珪素膜のスパッタリング法による成膜は、希ガス(代表的にはアルゴン)雰
囲気下、酸素雰囲気下、又は希ガス(代表的にはアルゴン)及び酸素混合雰囲気下におい
て行うことができる。また、ターゲットとして酸化珪素ターゲット又は珪素ターゲットを
用いることができる。例えば、珪素ターゲットを用いて、酸素、及び希ガス雰囲気下でス
パッタリング法により酸化珪素膜を形成することができる。酸化物半導体層223a乃至
酸化物半導体層223dに接して形成する酸化物絶縁層は、水分や、水素イオンや、OH
-などの不純物を含まず、これらが外部から侵入することをブロックする無機絶縁膜を用
い、代表的には酸化珪素膜、窒化酸化珪素膜、酸化アルミニウム膜、又は酸化窒化アルミ
ニウムなどを用いる。なお、スパッタリング法で形成した酸化物絶縁層は特に緻密であり
、接する層へ不純物が拡散する現象を抑制する保護膜として単層であっても利用すること
ができる。また、リン(P)や硼素(B)をドープしたターゲットを用い、酸化物絶縁層
にリン(P)や硼素(B)を添加することもできる。
.01Ωcm)を用い、基板とターゲットの間との距離(T-S間距離)を89mm、圧
力0.4Pa、直流(DC)電源6kW、酸素(酸素流量比率100%)雰囲気下でパル
スDCスパッタリング法により成膜する。膜厚は300nmとする。
設けられ、チャネル保護層としての機能も有する。
0℃以下)を不活性ガス雰囲気下、又は窒素ガス雰囲気下で行ってもよい。例えば、窒素
雰囲気下で250℃、1時間の第2の加熱処理を行う。第2の加熱処理を行うと、酸化物
半導体層223a乃至酸化物半導体層223cの一部が酸化物絶縁層207と接した状態
で加熱され、また、酸化物半導体層223a乃至酸化物半導体層223cの他の一部が導
電層215a乃至導電層215dと接した状態で加熱される。
酸化物絶縁層207と接した状態で第2の加熱処理が施されると、酸化物絶縁層207が
接した領域が酸素過剰な状態となる。その結果、酸化物半導体層223a乃至酸化物半導
体層223cの酸化物絶縁層207が接する領域から、酸化物半導体層223a乃至酸化
物半導体層223cの深さ方向に向けて、I型化(高抵抗化)する(図6(A)参照)。
限定されず、第3のフォトリソグラフィ工程よりも後の工程であれば特に限定されない。
しては、ポリイミド、アクリル、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン、ポリアミド、
エポキシ等の、耐熱性を有する有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に
、低誘電率材料(low-k材料)、シロキサン系樹脂、PSG(リンガラス)、BPS
G(リンボロンガラス)等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁
膜を複数積層させることで、平坦化絶縁層を形成してもよい。
Si結合を含む樹脂に相当する。シロキサン系樹脂は置換基としては有機基(例えばアル
キル基やアリール基)やフルオロ基を用いてもよい。また、有機基はフルオロ基を有して
いてもよい。
、SOG法、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法(インクジェット法、
スクリーン印刷、オフセット印刷等)、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコー
ター、ナイフコーター等を用いることができる。
導電膜の材料としては、酸化インジウム(In2O3)や酸化インジウム酸化スズ合金(
In2O3―SnO2、ITOと略記する)などをスパッタリング法や真空蒸着法などを
用いて形成する。透光性を有する導電膜の他の材料として、窒素を含ませたAl-Zn-
O系膜、即ちAl-Zn-O-N系膜や、窒素を含ませたZn-O系膜や、窒素を含ませ
たSn-Zn-O系膜を用いてもよい。なお、Al-Zn-O-N系膜の亜鉛の組成比(
原子%)は、47原子%以下とし、Al-Zn-O-N系膜中のアルミニウムの組成比(
原子%)より大きく、Al-Zn-O-N系膜中のアルミニウムの組成比(原子%)は、
Al-Zn-O-N系膜中の窒素の組成比(原子%)より大きい。このような材料のエッ
チング処理は塩酸系の溶液により行う。しかし、特にITOのエッチングは残渣が発生し
やすいので、エッチング加工性を改善するために酸化インジウム酸化亜鉛合金(In2O
3―ZnO)を用いてもよい。
(EPMA:Electron Probe X-ray MicroAnalyzer
)を用いた分析により評価するものとする。
り不要な部分を除去して導電層217a乃至導電層217cを形成する(図6(B)参照
。)。
構成する論理回路におけるデプレッション型トランジスタ及びエンハンスメント型トラン
ジスタと、信号線又は信号線に電気的に接続された素子、電極、若しくは配線に不要な電
荷が蓄積された場合に、蓄積された電荷を放出するためのスイッチング素子であるデプレ
ッション型トランジスタを作製することができる。
クジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォト
マスクを使用しないため、製造コストを低減できる。
本実施の形態では、実施の形態1に示す駆動回路部の他の構造例について説明する。
施の形態における駆動回路部の構造の一例を示す図であり、図7(A)は上面図であり、
図7(B)は図7(A)の線分Z1-Z2及び線分Z3-Z4における断面図である。
路部と同様に、基板201の上に設けられたトランジスタ251、トランジスタ252、
及びトランジスタ253を有する。
理回路に用いられる素子の一例であり、等価回路で表すと図3に示す構成となるため、こ
こでは説明を省略する。また、トランジスタ253は、図1に示すトランジスタ112に
相当する。さらに各トランジスタの構造について説明する。
211aの上に設けられたゲート絶縁層202と、ゲート絶縁層202を挟んでゲート電
極211aの上に設けられた酸化物半導体層243aと、酸化物半導体層243aの上に
設けられた酸化物半導体層263aと、酸化物半導体層263aの一部の上にそれぞれ設
けられた導電層215a及び導電層215bと、を有する。
211bの上に設けられたゲート絶縁層202と、ゲート絶縁層202を挟んでゲート電
極211bの上に設けられた酸化物半導体層263bと、酸化物半導体層263bの一部
の上にそれぞれ設けられた導電層215b及び導電層215cと、を有する。
211cの上に設けられたゲート絶縁層202と、ゲート絶縁層202を挟んでゲート電
極211cの上に設けられた酸化物半導体層243bと、酸化物半導体層243bの上に
設けられた酸化物半導体層263cと、酸化物半導体層263cの一部の上にそれぞれ設
けられた導電層215b及び導電層215dと、を有する。
能を有する。
至酸化物半導体層263cは、脱水化又は脱水素化処理が施されているだけでなく、酸化
物半導体層263a乃至酸化物半導体層263cに接して酸化物絶縁層207が形成され
ている。該酸化物半導体層をチャネル形成層に用いたトランジスタは、長期間の使用や高
負荷に伴うVthシフトが起こりにくいため、信頼性が高い。
絶縁層207の下方に設けるゲート絶縁層202又は下地となる絶縁層と接する構成とす
ることが好ましく、基板の側面近傍からの水分や、水素イオンや、OH-などの不純物が
侵入することをブロックする。特に、酸化物絶縁層207と接するゲート絶縁層202又
は下地となる絶縁層を窒化珪素層とすると有効である。即ち、酸化物半導体層の下面、上
面、及び側面を囲むように窒化珪素層を設けると、表示装置の信頼性が向上する。
に平坦化絶縁層を設けることもできる。
は窒化絶縁層の上、上記平坦化絶縁層を設ける場合には平坦化絶縁層の上)に酸化物絶縁
層207を挟んで酸化物半導体層243a及び酸化物半導体層263aの上に第1の導電
層を有し、酸化物絶縁層207を挟んで酸化物半導体層263bの上に第2の導電層を有
し、酸化物絶縁層207を挟んで酸化物半導体層243b及び酸化物半導体層263cの
上に第3の導電層を有する構造とすることもできる。第1の導電層乃至第3の導電層は、
それぞれ第2のゲート電極としての機能を有する。それぞれ同じ又は異なる値の第2のゲ
ート電圧を第1の導電層乃至第3の導電層に印加することにより、トランジスタ251乃
至トランジスタ253の閾値電圧を制御することができる。
半導体層263aの積層)の厚さは、トランジスタ252が有する酸化物半導体層(酸化
物半導体層263b)の厚さより大きい。また、トランジスタ253が有する酸化物半導
体層(酸化物半導体層243b及び酸化物半導体層263cの積層)の厚さは、トランジ
スタ252が有する酸化物半導体層(酸化物半導体層263b)の厚さより大きい。膜厚
が大きいほど、酸化物半導体層を完全に空乏化させてトランジスタをオフ状態にするのに
必要なゲート電極の負の電圧の絶対値が大きくなる。その結果、チャネル形成層に厚い酸
化物半導体層を用いたトランジスタはデプレッション型の挙動を示す。
半導体層の膜厚を調整することにより、同一基板上にデプレッション型トランジスタ及び
エンハンスメント型トランジスタを含む駆動回路と、信号線又は信号線に電気的に接続さ
れた素子、電極若しくは配線に不要な電荷が蓄積された場合に、蓄積された電荷を放出さ
せるためのデプレッション型トランジスタと、を有する構造とすることができる。これに
より電荷の蓄積を低減することができる。また、ボトムゲート型のトランジスタを用いて
表示装置を構成する場合には、バックチャネル部に電荷が蓄積した場合であっても、蓄積
された電荷を信号線を介して基準電圧線に放出させることもできる。これにより寄生チャ
ネルの発生を抑制し、リーク電流を低減することもできる。
体層263a上に、一対のバッファ層として機能する酸化物導電層214a及び酸化物導
電層214bが設けられ、酸化物導電層214a及び酸化物導電層214bに接するよう
に一対の電極である導電層215a及び導電層215bが設けられた構造とし、トランジ
スタ252を酸化物半導体層263b上に一対のバッファ層として機能する酸化物導電層
214c及び酸化物導電層214dが設けられ、酸化物導電層214c及び酸化物導電層
214dに接するように一対の電極である導電層215b及び導電層215cが設けられ
た構造とし、トランジスタ253を酸化物半導体層263c上に一対のバッファ層として
機能する酸化物導電層214e及び酸化物導電層214fが設けられ、酸化物導電層21
4e及び酸化物導電層214fに接するように一対の電極である導電層215b及び導電
層215dが設けられた構造とすることもできる。
及び243b、並びに酸化物半導体層263a乃至酸化物半導体層263cのそれぞれよ
り高い導電率を有しており、トランジスタ251、トランジスタ252、及びトランジス
タ253のソース領域及びドレイン領域として機能する。
膜としては、例えば可視光に対して透光性を有する導電材料、例えばIn-Sn-O系、
In-Sn-Zn-O系、In-Al-Zn-O系、Sn-Ga-Zn-O系、Al-G
a-Zn-O系、Sn-Al-Zn-O系、In-Zn-O系、Sn-Zn-O系、Al
-Zn-O系、In-O系、Sn-O系、Zn-O系の金属酸化物を適用することができ
、該酸化物導電膜の膜厚を1nm以上300nm以下の範囲内とする。また、スパッタリ
ング法を用いる場合、SiO2を2重量%以上10重量%以下含む金属酸化物ターゲット
を用いて成膜を行い、透光性を有する導電膜に結晶化を阻害するSiOx(x>0)を含
ませ、後の工程で行う脱水化又は脱水素化のための加熱処理の際に結晶化してしまうのを
抑制することが好ましい。
、チャネル形成層として機能する酸化物半導体層243a及び酸化物半導体層243b、
並びに酸化物半導体層263a乃至酸化物半導体層263cと、ソース領域及びドレイン
領域として機能する酸化物導電層214a乃至酸化物導電層214fを異なる成膜条件に
よって、作り分けることができる。
形成した酸化物導電層214a乃至酸化物導電層214fは、N型の導電型であり、活性
化エネルギー(ΔE)が0.01eV以上0.1eV以下である。
-Ga-Zn-O系膜であり、少なくともアモルファス成分を含んでいるものとする。ま
た、酸化物導電層214a乃至酸化物導電層214fの中に結晶粒(ナノクリスタル)を
含む場合がある。このとき、酸化物導電層214a乃至酸化物導電層214f中の結晶粒
(ナノクリスタル)は直径1nm~10nm、代表的には2nm~4nm程度である。
ネル形成層として機能する酸化物半導体層243a及び酸化物半導体層243b、並びに
酸化物半導体層263a乃至酸化物半導体層263cとソース電極並びにドレイン電極と
して機能する導電層215a乃至導電層215dの間に酸化物導電層214a乃至酸化物
導電層214fを設けることにより、良好な電気的接合が得られ、トランジスタ251乃
至トランジスタ253は、安定な動作を行うことができる。また、高いドレイン電圧でも
高い移動度を保持することもできる。
、図7に示す駆動回路部の作製方法の一例を示す断面図である。
形成した後、第1のフォトリソグラフィ工程により導電膜の一部の上にレジストマスクを
形成し、該レジストマスクを用いて導電膜をエッチングすることにより、ゲート電極21
1a乃至ゲート電極211cを形成する。
ト絶縁層202を形成し、ゲート絶縁層202上に厚さが異なる酸化物半導体層を形成す
る。本実施の形態では、ゲート絶縁層202を挟んでゲート電極211aの上に厚い酸化
物半導体層を形成し、ゲート絶縁層202を挟んでゲート電極211bの上に薄い酸化物
半導体層を形成し、ゲート絶縁層202を挟んでゲート電極211cの上に厚い酸化物半
導体層を形成する。なお、本実施の形態では、ゲート絶縁層202を挟んでゲート電極2
11a及びゲート電極211cの上に厚い酸化物半導体層を形成する方法の一例として、
島状の酸化物半導体層上に酸化物半導体膜を重ねて成膜する方法について説明する。
O系膜、In-Sn-Zn-O系、In-Al-Zn-O系、Sn-Ga-Zn-O系、
Al-Ga-Zn-O系、Sn-Al-Zn-O系、In-Zn-O系、Sn-Zn-O
系、Al-Zn-O系、In-O系、Sn-O系、Zn-O系の酸化物半導体膜を用いる
。また、第1の酸化物半導体膜は、希ガス(代表的にはアルゴン)雰囲気下、酸素雰囲気
下、又は希ガス(代表的にはアルゴン)及び酸素混合雰囲気下においてスパッタリング法
により形成することができる。また、スパッタリング法を用いる場合、SiO2を2重量
%以上10重量%以下含むターゲットを用いて成膜を行い、酸化物半導体膜に結晶化を阻
害するSiOx(x>0)を含ませ、後の工程で行う脱水化又は脱水素化のための加熱処
理の際に、後に形成される酸化物半導体層が結晶化してしまうのを抑制することが好まし
い。
びGaを含有する酸化物半導体である。酸化物半導体層をI型(真性)とするため、脱水
化または脱水素化は有効である。
O3:Ga2O3:ZnO=1:1:1[mol数比])を用いて、基板とターゲットの
間との距離を100mm、圧力0.6Pa、直流(DC)電源0.5kW、酸素(酸素流
量比率100%)雰囲気下で酸化物半導体膜を成膜する。なお、パルス直流(DC)電源
を用いると、成膜時に発生する粉状物質が軽減でき、膜厚分布も均一となるために好まし
い。本実施の形態では、第1の酸化物半導体膜として、In-Ga-Zn-O系酸化物半
導体ターゲットを用いてスパッタリング法によりIn-Ga-Zn-O系膜を成膜する。
の膜厚が好ましくは50nm以上100nm以下となるように成膜する。なお、適用する
酸化物半導体材料により適切な厚さは異なり、材料に応じて適宜厚さを選択すればよい。
入してプラズマを発生させる逆スパッタを行い、ゲート絶縁層202の表面に付着してい
る成膜時に発生する粉状物質を除去することが好ましい。逆スパッタとは、ターゲット側
に電圧を印加せずに、アルゴン雰囲気下で基板近傍にRF電源を用いて電圧を印加して基
板にプラズマを形成して表面を改質する方法である。なお、アルゴン雰囲気に代えて窒素
、ヘリウム、酸素などを用いてもよい。
マスクを形成し、該レジストマスクを用いて第1の酸化物半導体膜をエッチングすること
により、第1の酸化物半導体膜を島状に加工し、酸化物半導体層243a及び酸化物半導
体層243bを形成する(図9(A)参照。)。なお、第2のフォトリソグラフィ工程の
後、酸化物半導体層243a及び酸化物半導体層243bを不活性ガス雰囲気(窒素、又
はヘリウム、ネオン、アルゴン等)下において加熱処理(400℃以上であって750℃
未満)を行い、層内に含まれる水素及び水などの不純物を除去した後、第2の酸化物半導
体膜を成膜することが好ましい。
膜としては、第1の酸化物半導体膜と同じ材料を用いることができる。本実施の形態では
、In-Ga-Zn-O系膜を成膜する。第2の酸化物半導体膜は好ましくは5nm以上
30nm以下とする。なお、適用する酸化物半導体材料により適切な厚さは異なり、材料
に応じて適宜厚さを選択すればよい。
積層され、厚い酸化物半導体層が形成される。一方、ゲート電極211b上において、第
2の酸化物半導体膜は、ゲート絶縁層202に接して成膜されるため、膜厚が薄い酸化物
半導体層が形成される。また、ゲート電極211c上において、第2の酸化物半導体膜は
、酸化物半導体層243b上に積層され、厚い酸化物半導体層が形成される。
マスクを形成し、該レジストマスクを用いて第2の酸化物半導体膜をエッチングすること
により、第2の酸化物半導体膜を島状に加工する。ゲート電極211aの上には、酸化物
半導体層243aと酸化物半導体層263aが積層された膜厚の大きい島状の酸化物半導
体層が形成され、ゲート電極211cの上には、酸化物半導体層243bと酸化物半導体
層263cが積層された膜厚の大きい島状の酸化物半導体層が形成される。また、ゲート
電極211b上には、酸化物半導体層263cが形成される(図9(B)参照)。
は脱水素化を行う第1の加熱処理の温度は、400℃以上であって750℃未満、好まし
くは425℃以上750℃未満とする。なお、425℃以上750℃未満であれば熱処理
時間は1時間以下でよいが、425℃以下であれば加熱処理時間は、1時間よりも長時間
行うこととする。ここでは、加熱処理装置の一つである電気炉に上部に酸化物半導体層が
形成された基板を導入し、酸化物半導体層に対して窒素雰囲気下において加熱処理を行っ
た後、大気に触れることなく、酸化物半導体層への水や水素の再混入を防ぐ。本実施の形
態では、酸化物半導体層の脱水化又は脱水素化を行う加熱温度Tから、再び水が入らない
ような十分な温度まで、具体的には加熱温度Tよりも100℃以上下がるまで同じ炉を用
い窒素雰囲気下で徐冷する。また、窒素雰囲気に限定されず、ヘリウム、ネオン、アルゴ
ン等の希ガス雰囲気下において脱水化又は脱水素化を行う。
hermal Anneal)装置、LRTA(Lamp Rapid Thermal
Anneal)装置等のRTA(Rapid Thermal Anneal)装置を
用いることができる。LRTA装置は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノ
ンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプなどの
ランプから発する光(電磁波)の輻射により、被処理物を加熱する装置である。GRTA
装置は、上記のランプから発する光による熱輻射、及びランプから発する光で気体を加熱
し、加熱された気体からの熱伝導によって、被処理物を加熱する装置である。気体には、
アルゴンなどの希ガス、又は窒素のような、加熱処理によって被処理物と反応しない不活
性気体が用いられる。また、LRTA装置、GRTA装置に、ランプだけでなく、抵抗発
熱体などの発熱体からの熱伝導又は熱輻射によって、被処理物を加熱する装置を備えても
よい。
、水、水素などが含まれないことが好ましい。又は、加熱処理装置に導入する窒素、又は
ヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスの純度を、6N(99.9999%)以上、好ま
しくは7N(99.99999%)以上、(即ち不純物濃度を1ppm以下、好ましくは
0.1ppm以下)とすることが好ましい。
結晶化し、微結晶層又は多結晶層となる場合もある。例えば、結晶化率が90%以上、又
は80%以上の微結晶の酸化物半導体層となる場合もある。また、第1の加熱処理の条件
、又は酸化物半導体層の材料によっては、結晶成分を含まない非晶質の酸化物半導体層と
なる場合もある。
1の加熱処理後の酸化物半導体層は、成膜直後の酸化物半導体層よりもキャリア濃度が高
まり、好ましくは1×1018/cm3以上のキャリア濃度を有する酸化物半導体層とな
る。
熱処理の条件、又はその材料によっては、結晶化し、微結晶層又は多結晶層となる場合も
ある。例えば、ゲート電極211a、ゲート電極211b、及びゲート電極211cとし
て、酸化インジウム酸化スズ合金層を用いる場合は450℃1時間の第1の熱処理で結晶
化し、ゲート電極211a、ゲート電極211b、及びゲート電極211cとして、酸化
珪素を含む酸化インジウム酸化スズ合金膜を用いる場合は結晶化しない。
半導体膜に行うこともできる。その場合には、第1の加熱処理後に、加熱装置から基板を
取り出し、フォトリソグラフィ工程を行う。
a乃至酸化物半導体層263cの上にトランジスタのソース電極及びドレイン電極を形成
するための導電膜を形成し、第3のフォトリソグラフィ工程により導電膜の一部の上にレ
ジストマスクを形成し、導電膜をエッチングして導電層215a乃至導電層215dを形
成し、レジストマスクを除去し、ゲート絶縁層202、酸化物半導体層263a乃至酸化
物半導体層263c上に酸化物絶縁層207を形成する。この段階で、酸化物半導体層2
63a乃至酸化物半導体層263cの一部は、酸化物絶縁層207と接する。
0℃以下、例えば250℃以上350℃以下)を不活性ガス雰囲気下、又は窒素ガス雰囲
気下で行ってもよい。例えば、窒素雰囲気下で250℃、1時間の第2の加熱処理を行う
。第2の加熱処理を行うと、酸化物半導体層263a乃至酸化物半導体層263cの一部
が酸化物絶縁層207と接した状態で加熱され、また、酸化物半導体層263a乃至酸化
物半導体層263cの他の一部が導電層215a乃至導電層215dと接した状態で加熱
される。
酸化物絶縁層207と接した状態で第2の加熱処理が施されると、酸化物絶縁層207が
接した領域が酸素過剰な状態となる。その結果、図6(A)と同様に酸化物半導体層26
3a乃至酸化物半導体層263cの酸化物絶縁層207が接する領域から、酸化物半導体
層263a乃至酸化物半導体層263cの深さ方向に向けて、I型化(高抵抗化)する。
物半導体層及び酸化物半導体層243bと酸化物半導体層263cが積層された膜厚が大
きい酸化物半導体層においても、酸化物絶縁層207と接する界面からゲート絶縁層20
2に向けて、I型化(高抵抗化)された領域が形成される。しかし、酸化物半導体層24
3aと酸化物半導体層263aの積層及び酸化物半導体層243bと酸化物半導体層26
3cの積層は膜厚が大きいため、ゲート絶縁層202と接する界面付近までI型化(高抵
抗化)が進まず、チャネル形成領域に低抵抗化されたままの領域を残した酸化物半導体層
となる。
れた領域が異なる酸化物半導体層をチャネル形成層に有する。その結果、それぞれのトラ
ンジスタは異なる動作特性を有することになる。
抗化されたままの酸化物半導体層が形成されているため、閾値電圧が負の値を示し、デプ
レッション型の挙動を示す。また、トランジスタ252は、薄い酸化物半導体層を有して
おり、チャネル形成層にI型化(高抵抗化)された酸化物半導体層が形成されているため
、閾値電圧が正の値を示し、エンハンスメント型の挙動を示す。また、トランジスタ25
3は厚い酸化物半導体層を有しており、チャネル形成層の一部に低抵抗化されたままの酸
化物半導体層が形成されているため、閾値電圧が負の値を示し、デプレッション型の挙動
を示す。
aと酸化物半導体層263aの積層又は酸化物半導体層243bと酸化物半導体層263
cの積層が接する領域に第2の加熱処理を行うと、該金属導電膜側に酸素が移動しやすく
なり、該酸化物半導体層はN型化する。また、酸化物半導体層が30nm以上の厚さを有
する場合は、該金属導電膜との界面近傍がN型化するが、その下側はI型若しくはN-型
化した状態となる。
構成する論理回路におけるデプレッション型トランジスタ及びエンハンスメント型トラン
ジスタと、信号線又は信号線に電気的に接続された素子、電極、若しくは配線に不要な電
荷が蓄積された場合に、蓄積された電荷を放出させるためのデプレッション型トランジス
タを提供することができる。また、酸化物半導体を用いたトランジスタを用いた表示装置
であっても、リーク電流を低減することができる。
ト法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを
使用しないため、製造コストを低減できる。
本実施の形態では、本発明の一態様である表示装置における駆動回路に適用可能な順序論
理回路について説明する。
本実施の形態における論理回路の回路構成を示す回路図である。
122と、インバータ6123と、トランジスタ613と、を有する。
ース及びドレインの一方に第1の信号が入力される。ソース及びドレインの一方に入力さ
れる信号を入力信号ともいい、入力信号の電圧をVinともいう。
気的に接続される。
。
出力端子から第2の信号が出力される。インバータ6123が出力する信号を出力信号と
もいい、出力信号の電圧をVoutともいう。
ることができる。
ース及びドレインの一方がトランジスタ611のソース及びドレインの他方に電気的に接
続され、ソース及びドレインの他方がインバータ6122の出力端子に電気的に接続され
る。
。このとき、ハイ状態又はハイ状態と同等の電圧をVHともいい、ロウ状態又はロウ状態
と同等の電圧をVLともいう。
所定の期間において、第1のクロック信号がハイ状態のときには、第2のクロック信号は
ロウ状態であり、第1のクロック信号がロウ状態のときには、第2クロックの信号はハイ
状態である。
、トランジスタ613のゲートに第2のクロック信号が入力される場合について説明する
が、これに限定されず、トランジスタ611のゲートに第2のクロック信号が入力され、
トランジスタ613のゲートに第1のクロック信号が入力される構成とすることもできる
。
示す論理回路の動作を示すタイミングチャート図である。
以下に説明する。
のクロック信号がロウ状態になることにより、トランジスタ611がオン状態になり、ト
ランジスタ613がオフ状態になる。さらに入力信号は、ハイ状態になり、入力信号の電
圧は、VHになる。
もいう)=VHになる。さらに、ノード614の電圧がインバータ6121の入力端子に
与えられるため、インバータ6121からVLの信号が出力され、ノード615の電圧(
V615ともいう)=VLになる。さらに、ノード615の電圧がインバータ6122の
入力端子に与えられるため、インバータ6122からVHの信号が出力されるが、トラン
ジスタ613がオフ状態のため、ノード614にはインバータ6122の出力信号の電圧
は与えられない。また、ノード615の電位はインバータ6123の入力端子にも与えら
れるため、インバータ6123からVHの信号が出力される。以上が第1の期間における
動作である。
のクロック信号がハイ状態になることにより、トランジスタ611がオフ状態になり、ト
ランジスタ613がオン状態になる。さらに、入力信号がロウ状態になる。
614=VHのまま維持される。さらに、ノード614の電位がインバータ6121の入
力端子に与えられるため、インバータ6121からVLの信号が出力され、V615=V
Lに維持される。さらに、ノード615の電位がインバータ6122の入力端子に与えら
れ、インバータ6122からVHの信号が出力され、さらにトランジスタ613がオン状
態のため、ノード614にインバータ6122の信号の電位が与えられる。また、ノード
615の電位がインバータ6123の入力端子にも与えられるため、インバータ6123
からVHの信号が出力される。以上が第2の期間における動作である。
クロック信号がロウ状態になることにより、トランジスタ611がオン状態になり、トラ
ンジスタ613がオフ状態になる。さらにVin=VLのままである。
ード614の電位がインバータ6121の入力端子に与えられるため、インバータ612
1からVHの信号が出力され、V615=VHになる。さらに、ノード615の電位がイ
ンバータ6122の入力端子に与えられるため、インバータ6122からVLの信号が出
力されるが、トランジスタ613がオフ状態のため、ノード614にはインバータ612
2の出力信号の電圧は与えられない。また、ノード615の電圧はインバータ6123の
入力端子にも与えられるため、インバータ6123からVLの信号が出力される。以上が
第3の期間における動作である。
のクロック信号がハイ状態になることにより、トランジスタ611がオフ状態になり、ト
ランジスタ613がオン状態になる。さらにVin=VLのままである。
。さらに、V614=VLであるため、インバータ6121からVHの信号が出力され、
V615=VHに維持される。さらに、V615=VHであるため、インバータ6122
からVLの信号が出力され、さらにトランジスタ613がオン状態のため、ノード614
にインバータ6122の信号の電圧が与えられる。また、ノード615の電圧はインバー
タ6123の入力端子にも与えられるため、インバータ6123からVLの信号が出力さ
れる。以上が第4の期間における動作である。
成することができる。
本実施の形態では、本発明の一態様のシフトレジスタについて説明する。
が互いに直列接続で電気的に接続された構成である。具体的な構成について図12を用い
て説明する。図12は本実施の形態におけるシフトレジスタの構成を示す回路図である。
013と、NAND回路3140と、NAND回路3141と、NAND回路3142と
、NAND回路3143と、を有する。なお、図12において3つ(3段ともいう)の順
序論理回路を示すが、これに限定されず、2段以上であればよい。
トランジスタ611及びトランジスタ613により構成される論理回路を含む構成とする
。
122Aと、インバータ3123Aと、トランジスタ3131と、を有する。論理回路3
011では、トランジスタ3111のゲートに第1のクロック信号が入力され、トランジ
スタ3131のゲートに第2のクロック信号が入力される。
122Bと、インバータ3123Bと、トランジスタ3132と、を有する。また、論理
回路3012では、トランジスタ3112のゲートに第2のクロック信号が入力され、ト
ランジスタ3132のゲートに第1のクロック信号が入力される。
122Cと、インバータ3123Cと、トランジスタ3133と、を有する。また、論理
回路3013では、トランジスタ3113のゲートに第1のクロック信号が入力され、ト
ランジスタ3133のゲートに第2のクロック信号が入力される。
るトランジスタ3112のソース及びドレインの一方に電気的に接続され、論理回路30
12は、インバータ3123Bの出力端子が論理回路3013におけるトランジスタ31
13のソース及びドレインの一方に電気的に接続される。
ND回路3140の第1の入力端子に電気的に接続され、インバータ3123Aの出力端
子がNAND回路3140の第2の入力端子、及びNAND回路3141の第1の入力端
子に電気的に接続される。また、論理回路3012は、トランジスタ3112のソース及
びドレインの一方がNAND回路3140の第2の入力端子及びNAND回路3141の
第1の入力端子に電気的に接続され、インバータ3123Bの出力端子がNAND回路3
141の第2の入力端子、及びNAND回路3142の第1の入力端子に電気的に接続さ
れる。また、論理回路3013は、トランジスタ3113のソース及びドレインの一方が
NAND回路3141の第2の入力端子及びNAND回路3142の第1の入力端子に電
気的に接続され、インバータ3123Cの出力端子がNAND回路3142の第2の入力
端子、及びNAND回路3143の第1の入力端子に電気的に接続される。なお、論理回
路3011におけるトランジスタ3111のソース及びドレインの一方並びにNAND回
路3140の第1の入力端子の接続箇所をノード316ともいう。
スタと同一導電型のトランジスタを用いて構成することができる。同一導電型のトランジ
スタを用いて構成することにより、論理回路と同一工程で形成することができ、作製が容
易になる。同一導電型のトランジスタを用いたNAND回路の回路構成について図13を
用いて説明する。図13は本実施の形態におけるNAND回路の回路構成を回路図である
。
スタ323と、を有する。
方が電源線325に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方に高電源電圧が与えら
れ、ゲートとソース及びドレインの他方とが電気的に接続される。
一方がトランジスタ321のソース及びドレインの他方に電気的に接続される。
の一方がトランジスタ322のソース及びドレインの他方に電気的に接続され、ソース及
びドレインの他方が電源線324に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方に低電
源電圧が与えられる。
力され、第2の入力信号がトランジスタ322のゲートに入力され、トランジスタ321
とトランジスタ322とのノード326の電圧(V326ともいう)が出力信号として出
力される。
2の入力信号の電圧(Vin2)の少なくとも一つ又は全部がロウ電圧であるか、第1の
入力信号の電圧及び第2の入力信号の電圧がハイ電圧であるかによって2種類に分けるこ
とができる。それぞれの場合について説明する。なお、本実施の形態では、一例としてロ
ウ状態のときが0のデータであり、ハイ状態のときが1のデータであるとして説明するが
、これに限定されずロウ状態のときが1のデータとし、ハイ状態のときが0のデータとす
ることもできる。
in1=VL且つVin2=VLの場合、トランジスタ322及びトランジスタ323の
一方又は両方がオフ状態になり、トランジスタ322及びトランジスタ323の抵抗値(
R322+R323ともいう)がトランジスタ321の抵抗値(R321ともいう)より
高くなる、すなわちR322+R323>R321となるため、V326=VHとなり、
出力信号の電圧(Voutともいう)=VHとなる。
322がオン状態になり、R322+R323<R321となるため、V326=VLと
なり、Vout=VLとなる。以上が図13に示すNAND回路の動作である。
の論理回路と同一工程で作製することができる。また、図13の構成に限定されず、同じ
機能を有するのであれば他の回路構成であっても適用することができる。
4は、図12に示すシフトレジスタの動作を示すタイミングチャート図である。
られる。第1の期間において論理回路3011の入力信号の電圧VinがVHになり、第
2の期間から第3の期間にかけて論理回路3011と論理回路3012とのノード317
1の電圧(V3171ともいう)がVHからVLに変化する。さらに、第3の期間及び第
4の期間においてNAND回路3140の出力信号の電圧はVHになる。
出力信号)がVLからVHに変化し、第5の期間から第6の期間にかけて論理回路301
2と論理回路3013とのノード3172の電圧(V3172ともいう)がVHからVL
に変化する。第6の期間及び第7の期間においてNAND回路3141の出力信号の電圧
がVHになる。
出力信号)がVLからVHに変化し、第8の期間から第9の期間にかけて論理回路301
3と次段の論理回路とのノード3173の電圧(V3173ともいう)がVHからVLに
変化する。第9の期間及び第10の期間においてNAND回路3142の出力信号の電圧
がVHになる。
記のように、ある期間において入力信号がVLからVHに変化し、別のある期間において
出力信号がVHに変化する。さらに別の論理回路の出力信号がVLである期間においてN
AND回路3143の出力信号の電圧がVHになる。
構成することができる。また、酸化物半導体を用いたTFTは従来のアモルファスシリコ
ンを用いたTFTより移動度が高いため、シフトレジスタに酸化物半導体を用いたTFT
を適用することによりシフトレジスタを高速駆動させることができる。
本実施の形態では、本発明の一態様である表示装置の他の構成例について説明する。
置など、様々な表示装置にすることができる。本実施の形態における表示装置の構成につ
いて図15を用いて説明する。図15は本実施の形態における表示装置の構成を示すブロ
ック図である。
路702と、信号線駆動回路703と、を有する。
複数の画素704は、行列方向に複数配置されている。それぞれの画素704は、走査線
を介して走査線駆動回路702に電気的に接続され、信号線を介して信号線駆動回路70
3に電気的に接続される。なお、図15において、走査線及び信号線については便宜のた
め省略するが、例えば走査線は、図1に示す走査線105に相当し、信号線は、図1に示
す信号線103に相当する。また、図1に示す走査線107も画素に電気的に接続された
走査線と同じ走査線駆動回路により制御することもできる。
線を介して選択信号を画素704に出力する。
、信号線を介して走査線駆動回路702により選択された画素704に画素データを信号
として出力する。また、本実施の形態の表示装置は、図1に示すトランジスタ112と同
様に信号線に電気的に接続され、オン状態となることにより、信号線と基準電圧線とを導
通状態にさせるためのトランジスタを有する。
しては、例えば液晶素子やEL素子などの発光素子を適用することができ、スイッチング
素子としては例えばトランジスタなどを適用することができる。
説明する。図16は駆動回路の構成を示すブロック図であり、図16(A)は走査線駆動
回路の構成を示すブロック図であり、図16(B)は信号線駆動回路の構成を示すブロッ
ク図である。
ルシフタ901、バッファ902と、を有する。
K)などの信号が入力され、各順序論理回路において順次選択信号が出力される。また、
シフトレジスタ900に上記実施の形態2に示したシフトレジスタを適用することができ
る。
1のラッチ回路904、第2のラッチ回路905、レベルシフタ906、バッファ907
と、を有する。
理回路において順次選択信号が出力される。
実施の形態に示した論理回路のいずれか一つ又は複数用いて構成することができる。
07は、例えば上記実施の形態に示した論理回路のいずれか一つ又は複数用いて構成する
ことができる。
たラッチ信号を一斉に図15における画素部701に出力させる。これを線順次駆動と呼
ぶ。そのため、線順次駆動ではなく、点順次駆動を行う画素であれば、第2のラッチ回路
905は不要とすることができる。また、第2のラッチ回路905は、例えば上記実施の
形態に示した論理回路のいずれか一つ又は複数用いて構成することができる。
4は、走査線駆動回路702から入力される信号により、信号線を介して信号線駆動回路
703からデータ信号が出力される。これにより選択された走査線に接続された画素70
4は、データの書き込みが行われ表示状態になる。また、走査線の数が複数の場合には、
走査線駆動回路702により順次走査線が選択され、すべての画素704においてデータ
書き込みが行われる。以上が本実施の形態における表示装置の動作である。
導電型のトランジスタにより構成することができる。同一基板上に設けることにより小型
化することができ、同一の導電型のトランジスタで構成することにより工程を簡略化する
ことができる。
本実施の形態では、上記実施の形態6に示した表示装置の一例として液晶表示装置につい
て説明する。
17は、本実施の形態における表示装置の画素の回路構成を示す回路図である。
3と、を有する。
続され、ソース及びドレインの一方が信号線805に電気的に接続される。
ス及びドレインの他方に電気的に接続され、第2端子に接地電位又は一定の値の電圧が与
えられる。液晶素子822は、第1端子の一部又は全部となる第1の電極と、第2端子の
一部又は全部となる第2の電極と、第1の電極と第2の電極の間に電圧が印加されること
により透過率が変化する液晶分子を有する層(液晶層という)により構成される。
ス及びドレインの他方に電気的に接続され、第2端子に接地電位又は一定の値の電圧が与
えられる。容量素子823は、第1端子の一部又は全部となる第1の電極と、第2端子の
一部又は全部となる第2の電極と、誘電体層により構成される。容量素子823は、画素
の保持容量としての機能を有する。なお、容量素子823は必ずしも設ける必要はないが
、容量素子823を設けることにより、トランジスタ821のリーク電流による影響を抑
制することができる。
ード、IPS(In-Plane-Switching)モード、FFS(Fringe
Field Switching)モード、MVA(Multi-domain Ve
rtical Alignment)モード、PVA(Patterned Verti
cal Alignment)モード、ASM(Axially Symmetric
aligned Micro-cell)モード、OCB(Optically Com
pensated Birefringence)モード、FLC(Ferroelec
tric Liquid Crystal)モード、AFLC(AntiFerroel
ectric Liquid Crystal)モードなどを用いることができる。
あり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直
前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善
するために5重量%以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を用いて液晶層に用いる。
ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が10μs~100μ
sと短く、光学的等方性であるため配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。
される信号によりトランジスタ821がオン状態になる。
素子822の第1端子の電圧はデータ信号の電圧となり、液晶素子822は第1端子と第
2端子の間に印加される電圧に応じた透過率に設定される。データ書き込み後、走査線8
04から入力される信号によりトランジスタ821がオフ状態になり、液晶素子822は
表示期間の間設定された透過率を維持し、表示状態となる。上記動作を走査線804毎に
順次行い、すべての画素において上記動作が行われる。以上が画素の動作である。
動画のぼけが生じるという問題がある。液晶表示装置の動画特性を改善するため、全面黒
表示を1フレームおきに行う、所謂、黒挿入と呼ばれる駆動技術がある。
する、所謂、倍速駆動と呼ばれる駆動技術もある。
ダイオード)光源又は複数のEL光源などを用いて面光源を構成し、面光源を構成してい
る各光源を独立して1フレーム期間内で間欠点灯駆動する駆動技術もある。面光源として
、3種類以上のLEDを用いてもよいし、白色発光のLEDを用いてもよい。独立して複
数のLEDを制御できるため、液晶層の光学変調の切り替えタイミングに合わせてLED
の発光タイミングを同期させることもできる。この駆動技術は、LEDを部分的に消灯す
ることができるため、特に一画面を占める黒い表示領域の割合が多い映像表示の場合には
、消費電力の低減効果が図れる。
を従来よりも改善することができる。
る。図18は本実施の形態における表示装置の画素の構造を示す図であり、図18(A)
は上面図であり、図18(B)は断面図である。なお、図18(A)におけるA1-A2
、B1-B2の点線は、図18(B)における断面A1-A2、断面B1-B2に相当す
る。
A2の断面において、基板2000上にゲート電極2001と、ゲート電極2001上に
設けられた絶縁膜2002と、絶縁膜2002上に設けられた酸化物半導体層2003と
、酸化物半導体層2003上に設けられた一対の電極2005a及び電極2005bと、
電極2005a、電極2005b、及び酸化物半導体層2003上に設けられた酸化物絶
縁層2007と、酸化物絶縁層2007に設けられた開口部を介して電極2005bに接
する電極2020と、を有する。
絶縁膜2002と、絶縁膜2002上に設けられた酸化物絶縁層2007と、酸化物絶縁
層2007上に設けられた電極2020と、を有する。
FPCに接続するための電極又は配線となる。
とができるため、ここでは詳細な説明は省略する。
化インジウム酸化スズ合金(In2O3―SnO2、ITOと略記する)などを用いてス
パッタリング法や真空蒸着法などにより形成される。このような材料のエッチング処理は
塩酸系の溶液により行う。しかし、特にITOのエッチングは残渣が発生しやすいので、
エッチング加工性を改善するために酸化インジウム酸化亜鉛合金(In2O3―ZnO)
を用いてもよい。
ぞれ図示している。図19(A1)は図19(A2)中のC1-C2線に沿った断面図に
相当する。図19(A1)において、保護絶縁膜2054上に形成される透明導電膜20
55は、入力端子として機能する接続用の端子電極である。また、図19(A1)におい
て、端子部では、ゲート配線と同じ材料で形成される第1の端子2051と、ソース配線
と同じ材料で形成される接続電極2053とがゲート絶縁層2052を介して重なり透明
導電膜2055を介して導通している。また、接続電極2053は、保護絶縁膜2054
を貫通して設けられたコンタクトホールにより透明導電膜2055と電気的に接続してい
る。
それぞれ図示している。また、図19(B1)は図19(B2)中のC3-C4線に沿っ
た断面図に相当する。図19(B1)において、保護絶縁膜2054上に形成される透明
導電膜2055は、入力端子として機能する接続用の端子電極である。また、図19(B
1)において、端子部では、ゲート配線と同じ材料で形成される電極2056が、ソース
配線と電気的に接続される第2の端子2050の下方にゲート絶縁層2052を介して重
なる。電極2056は、第2の端子2050とは電気的に接続しておらず、電極2056
を第2の端子2050と異なる電位、例えばフローティング、GND、0Vなどに設定す
れば、ノイズ対策のための容量又は静電気対策のための容量を形成することができる。ま
た、第2の端子2050は、保護絶縁膜2054を貫通して設けられたコンタクトホール
により透明導電膜2055と電気的に接続している。
。また、端子部においては、ゲート配線と同電位の第1の端子、ソース配線と同電位の第
2の端子、容量配線と同電位の第3の端子などが複数並べられて配置される。それぞれの
端子の数は、それぞれ任意な数で設ければよいものとし、実施者が適宣決定すればよい。
容量素子を完成させることができる。そして、これらを個々の画素に対応してマトリクス
状に配置して画素部を構成することによりアクティブマトリクス型の表示装置を作製する
ための一方の基板とすることができる。本明細書では便宜上このような基板をアクティブ
マトリクス基板と呼ぶ。
と、対向電極が設けられた対向基板との間に液晶層を設け、アクティブマトリクス基板と
対向基板とを固定する。なお、対向基板に設けられた対向電極と電気的に接続する共通電
極をアクティブマトリクス基板上に設け、共通電極と電気的に接続する第4の端子を端子
部に設ける。この第4の端子は、共通電極を固定電位、例えばGND、0Vなどに設定す
るための端子である。
ャネル形成層に用いており、良好な動特性を有するため、これらの駆動技術を組み合わせ
ることができる。
、低電源電圧、例えばGND、0Vなどに設定するため、端子部に、カソードを低電源電
圧、例えばGND、0Vなどに設定するための第4の端子が設けられる。また、発光表示
装置を作製する場合には、ソース配線、及びゲート配線に加えて電源供給線を設ける。従
って、端子部には、電源供給線と電気的に接続する第5の端子を設ける。
により、製造コストを低減する。そして駆動回路に用いるTFTのゲート電極とソース配
線、或いはドレイン配線を直接接続させることでコンタクトホールの数を少なくし、駆動
回路の占有面積を縮小化できる表示装置を提供することができる。
ることができる。
本実施の形態では、上記実施の形態6に示した表示装置の一例として発光表示装置につい
て説明する。また、本実施の形態では、一例としてエレクトロルミネッセンスを発光素子
として利用した発光表示装置について説明する。
化合物であるかによって区別され、一般的に、前者は有機EL素子、後者は無機EL素子
と呼ばれている。
それぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャリ
ア(電子及び正孔)が再結合することにより、発光する。このようなメカニズムから、こ
のような発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。
類される。分散型無機EL素子は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有
するものであり、発光メカニズムはドナー準位とアクセプター準位を利用するドナー-ア
クセプター再結合型発光である。薄膜型無機EL素子は、発光層を誘電体層で挟み込み、
さらにそれを電極で挟んだ構造であり、発光メカニズムは金属イオンの内殻電子遷移を利
用する局在型発光である。なお、ここでは、発光素子として有機EL素子を用いて説明す
る。
0は、本実施の形態における表示装置の画素の回路構成を示す回路図である。
素の保持容量としての機能を有する容量素子852と、トランジスタ853と、発光素子
854と、を有する。
の一方が信号線856に電気的に接続される。
ジスタ851のソース及びドレインの他方に電気的に接続され、容量素子852の第2端
子に高電源電圧が与えられる。
的に接続され、ソース及びドレインの一方に高電源電圧が与えられる。
ス及びドレインの他方に電気的に接続され、第2端子に低電源電圧が与えられる。
力される走査信号によりトランジスタ851がオン状態になり、所定の値の電圧であるビ
デオ信号(データ信号ともいう)が信号線856からトランジスタ853のゲートに入力
される。
オフ状態になる。トランジスタ853がオン状態のとき、発光素子854の第1端子及び
第2端子の間に印加される電圧は、トランジスタ853のゲート電圧及び高電源電圧に応
じた値となる。このとき、発光素子854の第1端子及び第2端子との間に印加された電
圧に応じて電流が流れ、発光素子854は、第1端子及び第2端子の間に流れる電流の量
に応じた輝度で発光する。また、容量素子852によりトランジスタ853のゲート電圧
は一定時間保持されるため、発光素子854は、一定時間発光状態を維持する。
ンジスタのオンとオフの切り替えによって、発光若しくは非発光の状態となる。よって、
面積階調法又は時間階調法を用いて階調の表示を行うことができる。面積階調法は、1画
素を複数の副画素に分割し、各副画素を図20に示す回路構成にして独立にデータ信号に
基づいて駆動させることによって、階調表示を行う駆動法である。また、時間階調法は、
画素が発光する期間を制御することによって、階調表示を行う駆動法である。
している。具体的に時間階調法で表示を行なう場合、1フレーム期間を複数のサブフレー
ム期間に分割する。そしてビデオ信号に従い、各サブフレーム期間において画素の発光素
子を発光又は非発光の状態にする。複数のサブフレーム期間に分割することによって、1
フレーム期間中に画素が実際に発光する期間のトータルの長さを、ビデオ信号により制御
することができ、階調を表示することができる。
できる駆動回路の一部を画素部のTFTと同一基板上に形成することができる。また、信
号線駆動回路及び走査線駆動回路をNチャネル型TFTのみで作製することも可能である
。
チャネル型の場合を例に挙げて、画素の断面構造について説明する。図21(A)(B)
(C)の表示装置に用いられる駆動用TFTであるTFT7001、7011、7021
は、上記実施の形態に示すエンハンスメント型のTFTと同様に作製でき、酸化物半導体
層を半導体層として含む信頼性の高いTFTである。
して、基板上にTFT及び発光素子を形成し、基板とは逆側の面から発光を取り出す上面
射出や、基板側の面から発光を取り出す下面射出や、基板側及び基板とは反対側の面から
発光を取り出す両面射出構造の発光素子があり、本発明の画素構成はどの射出構造の発光
素子にも適用することができる。
2から発せられる光が陽極7005側に抜ける場合の、画素の断面図を示す。図21(A
)では、発光素子7002の陰極7003と駆動用TFTであるTFT7001が電気的
に接続されており、陰極7003上に発光層7004、陽極7005が順に積層されてい
る。陰極7003の材料としては、仕事関数が小さく、なおかつ光を反射するのであれば
様々の材料を用いることができる。例えば、Ca、Al、MgAg、又はAlLiなどが
望ましい。そして発光層7004は、単数の層で構成されていても、複数の層が積層され
るように構成されていてもどちらでもよい。複数の層で構成されている場合、陰極700
3上に電子注入層、電子輸送層、発光層、ホール輸送層、ホール注入層の順に積層する。
なお、これらの層のうち、発光層以外の層を全て設ける必要はない。陽極7005は、光
を透過する透光性を有する導電性材料を用いて形成し、例えば酸化タングステンを含むイ
ンジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むイン
ジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物(以下、IT
Oと示す。)、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの
透光性を有する導電膜を用いてもよい。
相当する。図21(A)に示した画素の場合、発光素子7002から発せられる光は、矢
印で示すように陽極7005側に射出する。
011がNチャネル型で、発光素子7012から発せられる光が陰極7013側に射出す
る場合の、画素の断面図を示す。図21(B)では、駆動用TFT7011と電気的に接
続された透光性を有する導電膜7017上に、発光素子7012の陰極7013が成膜さ
れており、陰極7013上に発光層7014、陽極7015が順に積層されている。なお
、陽極7015が透光性を有する場合、陽極上を覆うように、光を反射又は遮蔽するため
の遮蔽膜7016が成膜されていてもよい。陰極7013は、図21(A)の場合と同様
に、仕事関数が小さい導電性材料であれば様々な材料を用いることができる。ただしその
膜厚は、光を透過する程度(好ましくは、5nm~30nm程度)とする。例えば20n
mの膜厚を有するアルミニウム膜を、陰極7013として用いることができる。そして発
光層7014は、図21(A)と同様に、単数の層で構成されていても、複数の層が積層
されるように構成されていてもどちらでもよい。陽極7015は光を透過する必要はない
が、図21(A)と同様に、透光性を有する導電性材料を用いて形成することができる。
そして遮蔽膜7016は、例えば光を反射する金属などを用いることができるが、金属膜
に限定されない。例えば黒の顔料を添加した樹脂などを用いることもできる。
に相当する。図21(B)に示した画素の場合、発光素子7012から発せられる光は、
矢印で示すように陰極7013側に射出する。
では、駆動用TFT7021と電気的に接続された透光性を有する導電膜7027上に、
発光素子7022の陰極7023が成膜されており、陰極7023上に発光層7024、
陽極7025が順に積層されている。陰極7023は、図21(A)の場合と同様に、仕
事関数が小さい導電性材料であれば様々な材料を用いることができる。ただしその膜厚は
、光を透過する程度とする。例えば20nmの膜厚を有するAlを、陰極7023として
用いることができる。そして発光層7024は、図21(A)と同様に、単数の層で構成
されていても、複数の層が積層されるように構成されていてもどちらでもよい。陽極70
25は、図21(A)と同様に、光を透過する透光性を有する導電性材料を用いて形成す
ることができる。
22に相当する。図21(C)に示した画素の場合、発光素子7022から発せられる光
は、矢印で示すように陽極7025側と陰極7023側の両方に射出する。
L素子を設けることも可能である。
発光素子が電気的に接続されている例を示したが、駆動用TFTと発光素子との間に電流
制御用TFTが接続されている構成であってもよい。
図22を用いて説明する。図22は、第1の基板上に形成されたTFT及び発光素子を、
第2の基板との間にシール材によって封止した、本実施の形態の表示装置の上面図であり
、図22(B)は、図22(A)のH-Iにおける断面図に相当する。
3b、及び走査線駆動回路4504a、4504bを囲むようにして、シール材4505
が設けられている。また画素部4502、信号線駆動回路4503a、4503b、及び
走査線駆動回路4504a、4504bの上に第2の基板4506が設けられている。よ
って画素部4502、信号線駆動回路4503a、4503b、及び走査線駆動回路45
04a、4504bは、第1の基板4501とシール材4505と第2の基板4506と
によって、充填材4507と共に密封されている。このように外気に曝されないように気
密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム(貼り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂フィル
ムなど)やカバー材でパッケージング(封入)することが好ましい。
4503b、及び走査線駆動回路4504a、4504bは、TFTを複数有しており、
図22(B)では、画素部4502に含まれるTFT4510と、信号線駆動回路450
3aに含まれるTFT4509、TFT4555とを例示している。
高い実施の形態2及び実施の形態3に示すトランジスタのいずれかを適用することができ
る。本実施の形態において、TFT4509、4510、4555はNチャネル型TFT
である。また、TFT4509、4510、4555の上には絶縁層4542が形成され
、絶縁層4542の上には絶縁層4544が形成され、絶縁層4542及び絶縁層454
4を挟んでTFT4509の上に導電層4540を有する。導電層4540は、第2のゲ
ート電極としての機能を有する。さらに、絶縁層4544の上には、絶縁層4545、絶
縁層4543、及び絶縁層4546が形成される。
、第1の電極4517、電界発光層4512、第2の電極4513の積層構造であるが、
本実施の形態に示した構成に限定されない。第1の電極4517は、TFT4510のソ
ース電極又はドレイン電極4548と電気的に接続されている。なお、発光素子4511
から取り出す光の方向などに合わせて、発光素子4511の構成を適宜変えることができ
る。
に感光性の材料を用い、第1の電極4517上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連
続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。
されていてもどちらでもよい。
の電極4513及び隔壁4520上に保護層を形成してもよい。保護層としては、窒化珪
素膜、窒化酸化珪素膜、DLC膜などを形成することができる。
、又は画素部4502に与えられる各種信号及び電圧は、FPC4518a、4518b
から供給されている。
17と同じ導電膜から形成され、端子電極4516は、TFT4509、4510、45
55が有するソース電極及びドレイン電極と同じ導電膜から形成されている。
して電気的に接続されている。
らない。その場合には、ガラス板、プラスチック板、ポリエステルフィルム又はアクリル
フィルムのような透光性を有する材料を用いる。
脂又は熱硬化樹脂を用いることができ、PVC(ポリビニルクロライド)、アクリル、ポ
リイミド、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)又はEVA(エ
チレンビニルアセテート)を用いることができる。本実施の形態は充填材として窒素を用
いる。
位相差板(λ/4板、λ/2板)、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよ
い。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により
反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜によって形成された駆動回
路で実装されていてもよい。また、信号線駆動回路のみ、或いは一部、又は走査線駆動回
路のみ、或いは一部のみを別途形成して実装しても良く、本実施の形態は図22の構成に
限定されない。
本実施の形態では、上記実施の形態6に示す表示装置の一例として電子ペーパについて説
明する。
泳動表示装置(電気泳動ディスプレイともいう)とも呼ばれており、紙と同じ読みやすさ
、他の表示装置に比べ低消費電力、薄くて軽い形状とすることが可能という利点を有して
いる。
子と、マイナスの電荷を有する第2の粒子とを含むマイクロカプセルが溶媒又は溶質に複
数分散されたものであり、マイクロカプセルに電界を印加することによって、マイクロカ
プセル中の粒子を互いに反対方向に移動させて一方側に集合した粒子の色のみを表示する
ものである。なお、第1の粒子又は第2の粒子は染料を含み、電界がない場合において移
動しない。また、第1の粒子の色と第2の粒子の色は異なる(無色を含む)。
いわゆる誘電泳動的効果を利用したディスプレイである。電気泳動ディスプレイは、液晶
表示装置に必要な偏光板及び対向基板が必要ないため、厚さや重さが低減する。
の電子インクは、ガラス、プラスチック、布、紙などの表面に印刷することができる。ま
た、カラーフィルタや色素を有する粒子を用いることによってカラー表示も可能である。
ロカプセルを複数配置すればアクティブマトリクス型の表示装置が完成し、マイクロカプ
セルに電界を印加すれば表示を行うことができる。例えば、上記実施の形態で例示された
エンハンスメント型TFTによって得られるアクティブマトリクス基板を用いることがで
きる。
導体材料、磁性材料、液晶材料、強誘電性材料、エレクトロルミネセント材料、エレクト
ロクロミック材料、磁気泳動材料から選ばれた一種の材料、又はこれらの複合材料を用い
ればよい。
3は、本実施の形態における電子ペーパの構造を示す断面図である。
設けられた絶縁層583、絶縁層584、及び絶縁層585と、絶縁層583乃至絶縁層
585に設けられた開口部を介してTFT581のソース電極又はドレイン電極に接する
電極587と、電極587と、基板596に設けられた電極588との間に黒色領域59
0a及び白色領域590bと、周りに液体で満たされているキャビティ594を含む球形
粒子589と、球形粒子589の周りに設けられた充填剤595と、を有する。
ば上記実施の形態で示すトランジスタと同様に作製できる。
とは、白と黒に塗り分けられた球形粒子を、表示素子に用いる電極である第1の電極及び
第2の電極の間に配置し、第1の電極及び第2の電極に電位差を生じさせて球形粒子の向
きを制御することにより、表示を行う方法である。
帯電した白い微粒子と負に帯電した黒い微粒子とを封入した直径10μm~200μm程
度のマイクロカプセルを用いる。第1の電極と第2の電極との間に設けられるマイクロカ
プセルは、第1の電極と第2の電極によって、電場が与えられると、白い微粒子と、黒い
微粒子が逆の方向に移動し、白又は黒を表示することができる。この原理を応用した表示
素子が電気泳動表示素子である。電気泳動表示素子は、液晶表示素子に比べて反射率が高
いため、補助ライトは不要であり、また消費電力が小さく、薄暗い場所でも表示部を認識
することが可能である。また、表示部に電源が供給されない場合であっても、一度表示し
た像を保持することが可能であるため、電波発信源から表示機能付き半導体装置(単に表
示装置、又は表示装置を具備する半導体装置ともいう)を遠ざけた場合であっても、表示
された像を保存しておくことが可能となる。
パの駆動回路として用いることができる。また表示部のトランジスタも酸化物半導体層を
用いたトランジスタを適用することができるため、例えば同一基板に駆動回路及び表示部
を設けることもできる。
ことが可能である。例えば、電子ペーパを用いて、電子書籍(電子ブック)、ポスター、
電車などの乗り物の車内広告、クレジットカードなどの各種カードにおける表示などに適
用することができる。電子機器の一例を図24に示す。図24は、電子書籍一例を示して
いる。
で構成されている。筐体2701及び筐体2703は、軸部2711により一体とされて
おり、該軸部2711を軸として開閉動作を行うことができる。このような構成により、
紙の書籍のような動作を行うことが可能となる。
組み込まれている。表示部2705及び表示部2707は、一続きの画像を表示する構成
としてもよいし、異なる画像を表示する構成としてもよい。異なる画像を表示する構成と
することで、例えば右側の表示部(図24では表示部2705)に文章画像を表示し、左
側の表示部(図24では表示部2707)に別の画像を表示することができる。
701において、電源2721、操作キー2723、スピーカ2725などを備えている
。操作キー2723により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキー
ボードやポインティングディバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面や
側面に、外部接続用端子(イヤホン端子、USB端子、又はACアダプタ及びUSBケー
ブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など)、記録媒体挿入部などを備える構成とし
てもよい。さらに、電子書籍2700は、電子辞書としての機能を持たせた構成としても
よい。
電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすること
も可能である。
本実施の形態では、上記実施の形態6における表示装置の一形態としてシステムオンパネ
ル型の表示装置について説明する。
システムオンパネル型の表示装置に適用することもできる。以下に具体的な構成について
説明する。
示素子ともいう)、発光素子(発光表示素子ともいう)を用いることができる。発光素子
は、電流又は電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無
機EL(Electro Luminescence)素子、有機EL素子などが含まれ
る。また、電子インクなど、電気的作用によりコントラストが変化する表示媒体も適用す
ることができる。
パネルにコントローラを含むICなどを実装した状態にあるモジュールとを含む。さらに
、該表示装置を作製する過程における、表示素子が完成する前の一形態に相当する素子基
板に関し、該素子基板は、電流を表示素子に供給するための手段を複数の各画素に備える
。素子基板は、具体的には、表示素子の画素電極のみが形成された状態であってもよいし
、画素電極となる導電膜を成膜した後であって、エッチングして画素電極を形成する前の
状態であってもよいし、あらゆる形態があてはまる。
照明装置含む)を指す。また、コネクターが設けられたモジュールも表示装置に含まれる
。例えばFPC(Flexible printed circuit)、TAB(Ta
pe Automated Bonding)テープ、若しくはTCP(Tape Ca
rrier Package)が取り付けられたモジュール、TABテープやTCPの先
にプリント配線板が設けられたモジュール、又は表示素子にCOG(Chip On G
lass)方式によりIC(集積回路)が直接実装されたモジュールも全て表示装置に含
まれる。
について、図25を用いて説明する。
で示したIn-Ga-Zn-O系膜を半導体層として含むTFT4010、4011、4
113及び液晶素子4013を、第2の基板4006との間にシール材4005によって
封止した、本実施の形態における表示装置の上面図であり、図25(B)は、図25(A
1)(A2)のM-Nにおける断面図に相当する。
、走査線駆動回路4004とを囲むようにして、シール材4005が設けられている。ま
た画素部4002と、走査線駆動回路4004の上に第2の基板4006が設けられてい
る。よって、画素部4002と、走査線駆動回路4004とは、第1の基板4001とシ
ール材4005と第2の基板4006とによって、液晶層4008と共に封止されている
。また第1の基板4001上のシール材4005によって囲まれている領域とは異なる領
域に、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜で形成された信号線駆
動回路4003が実装されている。
イヤボンディング法、或いはTAB法などを用いることができる。図25(A1)は、C
OG法により信号線駆動回路4003を実装する例を示す図であり、図25(A2)は、
TAB法により信号線駆動回路4003を実装する例を示す図である。
、TFTを複数有しており、図25(B)では、画素部4002に含まれるTFT401
0と、走査線駆動回路4004に含まれるTFT4011、TFT4113とを例示して
いる。TFT4010、4011、4113上には絶縁層4020、4021、4042
が設けられている。さらに、絶縁層4020、4042を挟んでTFT4011の上に導
電層4040が設けられている。導電層4040は、第2のゲート電極としての機能を有
する。
半導体層として含むTFTを適用することができる。本実施の形態において、TFT40
10、4011、4113は、Nチャネル型TFTである。
れている。そして、液晶素子4013の対向電極4031は、第2の基板4006上に形
成されている。画素電極4030と対向電極4031と液晶層4008とが重なっている
部分が、液晶素子4013に相当する。なお、画素電極4030、対向電極4031は、
それぞれ配向膜として機能する絶縁層4032、4033が設けられ、絶縁層4032、
4033を介して液晶層4008を挟持している。
201に適用可能な材料及び作製方法を適用することができる。
であり、画素電極4030と対向電極4031との間の距離(セルギャップ)を制御する
ために設けられている。なお球状のスペーサを用いてもよい。また、対向電極4031は
、TFT4010と同一基板上に設けられる共通電位線と電気的に接続される。共通接続
部を用いて、一対の基板間に配置される導電性粒子を介して対向電極4031と共通電位
線とを電気的に接続することができる。なお、導電性粒子はシール材4005に含有させ
る。
でも半透過型液晶表示装置でも適用できる。
着色層、表示素子に用いる電極という順に設ける例を示すが、偏光板は基板の内側に設け
てもよい。また、偏光板と着色層の積層構造も本実施の形態に限定されず、偏光板及び着
色層の材料や作製工程条件によって適宜設定すればよい。また、ブラックマトリクスとし
て機能する遮光膜を設けてもよい。
性を向上させるため、TFTを、保護層や平坦化絶縁膜として機能する絶縁層(絶縁層4
020、絶縁層4021、絶縁層4042)で覆う構成となっている。なお、保護層は、
大気中に浮遊する有機物や金属物、水蒸気などの汚染不純物の侵入を防ぐためのものであ
り、保護層としては、緻密な膜が好ましい。保護層は、スパッタリング法を用いて、酸化
珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、酸化アルミニウム膜、窒化アル
ミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、若しくは窒化酸化アルミニウム膜の単層、又は積
層で形成すればよい。本実施の形態では保護層をスパッタリング法で形成する例を示すが
、特に限定されず種々の方法で形成すればよい。また非還元膜を用いることにより保護層
を還元防止層として機能させることもできる。
、スパッタリング法を用いて酸化珪素膜を形成することにより絶縁層4042を形成する
。保護層として酸化珪素膜を用いると、ソース電極及びドレイン電極として用いるアルミ
ニウム膜のヒロック防止に効果がある。
り絶縁層4020を形成する。保護層として窒化珪素膜を用いると、ナトリウムなどの可
動イオンが半導体領域中に侵入して、TFTの電気特性を変化させることを抑制すること
ができる。
ミド、アクリル、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン、ポリアミド、エポキシなどの
、耐熱性を有する有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材
料(low-k材料)、シロキサン系樹脂、PSG(リンガラス)、BPSG(リンボロ
ンガラス)などを用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積
層させることで、絶縁層4021を形成してもよい。
OG法、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法(インクジェット法、スク
リーン印刷、オフセット印刷など)、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコータ
ー、ナイフコーターなどを用いることができる。絶縁層4021を材料液を用いて形成す
る場合、ベークする工程で同時に、半導体層のアニールを行ってもよい。絶縁層4021
の焼成工程と半導体層のアニールを兼ねることで効率よく表示装置を作製することが可能
となる。
物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物
、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物(以下、ITOと示す。)
、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有す
る導電性材料を用いることができる。
)を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性組成物を用いて形成した画
素電極は、シート抵抗が10000Ω/□以下、波長550nmにおける透光率が70%
以上であることが好ましい。また、導電性組成物に含まれる導電性高分子の抵抗率が0.
1Ω・cm以下であることが好ましい。
ば、ポリアニリン又はその誘導体、ポリピロール又はその誘導体、ポリチオフェン又はそ
の誘導体、若しくはこれらの2種以上の共重合体などがあげられる。
002に与えられる各種信号及び電位は、FPC4018から供給されている。
0と同じ導電膜から形成され、端子電極4016は、TFT4010、4011のソース
電極及びドレイン電極と同じ導電膜で形成されている。
て電気的に接続されている。
実装している例を示しているが、本実施の形態はこの構成に限定されない。走査線駆動回
路を別途形成して実装してもよいし、信号線駆動回路の一部又は走査線駆動回路の一部の
みを別途形成して実装してもよい。
の形態における表示装置には、上記実施の形態における論理回路を例えば駆動回路に用い
ることができ、表示部のTFTと同一工程により論理回路を作製することもできる。
。
上記実施の形態6乃至実施の形態10に示す表示装置は、さまざまな電子機器(遊技機も
含む)に適用することができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置(テレビ
、又はテレビジョン受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ又
はデジタルビデオカメラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、
携帯電話装置ともいう)、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機な
どの大型ゲーム機などが挙げられる。
筐体9601に表示部9603が組み込まれている。表示部9603により、映像を表示
することが可能である。また、ここでは、スタンド9605により筐体9601を支持し
た構成を示している。
コン操作機9610により行うことができる。リモコン操作機9610が備える操作キー
9609により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部9603に表示され
る映像を操作することができる。また、リモコン操作機9610に、当該リモコン操作機
9610から出力する情報を表示する表示部9607を設ける構成としてもよい。
より一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線又は無線によ
る通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)又は双方向(送
信者と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行うことも可能である。
フレーム9700は、筐体9701に表示部9703が組み込まれている。表示部970
3は、各種画像を表示することが可能であり、例えばデジタルカメラなどで撮影した画像
データを表示させることで、通常の写真立てと同様に機能させることができる。
Bケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など)、記録媒体挿入部などを備える。
これらの構成は、表示部と同一面に組み込まれていてもよいが、側面や裏面に備えるとデ
ザイン性が向上するため好ましい。例えば、デジタルフォトフレームの記録媒体挿入部に
、デジタルカメラで撮影した画像データを記憶したメモリを挿入して画像データを取り込
み、取り込んだ画像データを表示部9703に表示させることができる。
。無線により、所望の画像データを取り込み、表示させる構成とすることもできる。
されており、連結部9893により、開閉可能に連結されている。筐体9881には、表
示部9882が組み込まれ、筐体9891には表示部9883が組み込まれている。また
、図27(A)に示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部9884、記録媒体挿入部9
886、LEDランプ9890、入力手段(操作キー9885、接続端子9887、セン
サ9888(力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温
度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度
、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの)、マイクロフォン9889)など
を備えている。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも表
示装置を備えた構成であればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることがで
きる。図27(A)に示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプログラム又はデ
ータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を
共有する機能を有する。なお、図27(A)に示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限
定されず、様々な機能を有することができる。
9900は、筐体9901に表示部9903が組み込まれている。また、スロットマシン
9900は、その他、スタートレバーやストップスイッチなどの操作手段、コイン投入口
、スピーカなどを備えている。もちろん、スロットマシン9900の構成は上述のものに
限定されず、少なくとも本発明に係る表示装置を備えた構成であればよく、その他付属設
備が適宜設けられた構成とすることができる。
に組み込まれた表示部9002の他、操作ボタン9003、外部接続ポート9004、ス
ピーカ9005、マイク9006などを備えている。
報を入力ことができる。また、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は、表
示部9002を指などで触れることにより行うことができる。
示モードであり、第2は、文字などの情報の入力を主とする入力モードである。第3は表
示モードと入力モードの2つのモードが混合した表示+入力モードである。
主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合
、表示部9002の画面のほとんどにキーボード又は番号ボタンを表示させることが好ま
しい。
を有する検出装置を設けることで、携帯電話機9000の向き(縦か横か)を判断して、
表示部9002の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
ボタン9003の操作により行われる。また、表示部9002に表示される画像の種類に
よって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画の
データであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
部9002のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モード
から表示モードに切り替えるように制御してもよい。
02に掌や指を触れることで、掌紋、指紋などを撮像することで、本人認証を行うことが
できる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライト又は近赤外光を発光するセンシ
ング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
、表示部9412、及び操作ボタン9413を含む表示装置9410と、筐体9401に
操作ボタン9402、外部入力端子9403、マイク9404、スピーカ9405、及び
着信時に発光する発光部9406を含む通信装置9400とを有しており、表示機能を有
する表示装置9410は電話機能を有する通信装置9400と矢印の2方向に脱着可能で
ある。よって、表示装置9410と通信装置9400の短軸同士を取り付けることも、表
示装置9410と通信装置9400の長軸同士を取り付けることもできる。また、表示機
能のみを必要とする場合、通信装置9400より表示装置9410を取り外し、表示装置
9410を単独で用いることもできる。通信装置9400と表示装置9410とは無線通
信又は有線通信により画像又は入力情報を授受することができ、それぞれ充電可能なバッ
テリーを有する。
である。
本実施の形態では、上記実施の形態とは異なる構成のトランジスタを用いた論理回路につ
いて説明する。
造のトランジスタを用いて構成することもできる。他の構造のトランジスタを適用した論
理回路について図29を用いて説明する。図29は本実施の形態における駆動回路部の構
造を示す図であり、図29(A)は上面図であり、図29(B)は図29(A)に示す駆
動回路部の線分Z1-Z2及び線分Z3-Z4における断面図である。なお、図29に示
す論理回路において、図2に示す表示装置と同じ部分については図2に示す論理回路の説
明を適宜援用する。
タ252、及びトランジスタ253を有する。
上に設けられたゲート電極211aと、ゲート電極211aの上に設けられたゲート絶縁
層202と、ゲート絶縁層202の上にそれぞれ設けられた導電層215a及び導電層2
15bと、ゲート絶縁層202を挟んでゲート電極211aの上に設けられ、且つ導電層
215a及び導電層215bの上に設けられた酸化物半導体層223aと、を有する。
211bの上に設けられたゲート絶縁層202と、ゲート絶縁層202の上にそれぞれ設
けられた導電層215b及び導電層215cと、ゲート絶縁層202を挟んでゲート電極
211bの上に設けられ、且つ導電層215b及び導電層215cの上に設けられた酸化
物半導体層223bと、を有する。
211cの上に設けられたゲート絶縁層202と、ゲート絶縁層202の上にそれぞれ設
けられた導電層215b及び導電層215dと、ゲート絶縁層202を挟んでゲート電極
211cの上に設けられ、且つ導電層215b及び導電層215dの上に設けられた酸化
物半導体層223cと、を有する。
能を有する。
れているだけでなく、酸化物半導体層223a乃至酸化物半導体層223cに接して酸化
物絶縁層207が形成されている。脱水化又は脱水素化処理が施された後に酸化物絶縁層
207が形成された酸化物半導体層を、チャネル形成層に用いたトランジスタは、長期間
の使用や高負荷に伴うVthシフトが起こりにくいため、信頼性が高い。
坦化絶縁層216を有し、さらに酸化物絶縁層207及び平坦化絶縁層216を挟んで酸
化物半導体層223aの上に導電層217aを有し、酸化物絶縁層207及び平坦化絶縁
層216を挟んで酸化物半導体層223bの上に導電層217bを有し、酸化物絶縁層2
07及び平坦化絶縁層216を挟んで酸化物半導体層223cの上に導電層217cを有
する。導電層217a乃至導電層217cは、それぞれ第2のゲート電極としての機能を
有する。第2のゲート電圧を導電層217a乃至導電層217cに印加することにより、
トランジスタ251乃至トランジスタ253の閾値電圧を制御することができる。
ンジスタで構成されている。ボトムコンタクト型のトランジスタを適用することにより、
酸化物半導体層とソース電極又はドレイン電極となる導電層との接触面積を増やすことが
でき、ピーリングなどを防止することができる。
電極となる導電層との間に酸化物導電層を有する構造にすることもできる。
本実施の形態では、上記実施の形態とは異なる構成のトランジスタを用いた論理回路につ
いて説明する。
造のトランジスタを用いて構成することもできる。他の構造のトランジスタを適用した論
理回路について図30を用いて説明する。図30は本実施の形態のおける駆動回路部の構
造を示す図であり、図30(A)は上面図であり、図30(B)は図30(A)に示す駆
動回路部の線分Z1-Z2及び線分Z3-Z4における断面図である。なお、図30に示
す論理回路において、図2に示す表示装置と同じ部分については、図2に示す論理回路の
説明を適宜援用する。
タ252、及びトランジスタ253を有する。
上に設けられたゲート電極211aと、ゲート電極211aの上に設けられたゲート絶縁
層202と、ゲート絶縁層202の上にそれぞれ設けられた導電層215a及び導電層2
15bと、ゲート絶縁層202を挟んでゲート電極211aの上に設けられ、且つ導電層
215a及び導電層215bの上に設けられた酸化物半導体層243aと、酸化物半導体
層243aの上に設けられた酸化物半導体層263aと、を有する。
211bの上に設けられたゲート絶縁層202と、ゲート絶縁層202の上にそれぞれ設
けられた導電層215b及び導電層215cと、ゲート絶縁層202を挟んでゲート電極
211bの上に設けられ、且つ導電層215b及び導電層215cの上に設けられた酸化
物半導体層263bと、を有する。
211cの上に設けられたゲート絶縁層202と、ゲート絶縁層202の上にそれぞれ設
けられた導電層215b及び導電層215dと、ゲート絶縁層202を挟んでゲート電極
211cの上に設けられ、且つ導電層215b及び導電層215dの上に設けられた酸化
物半導体層243bと、酸化物半導体層243bの上に設けられた酸化物半導体層263
cと、を有する。
能を有する。
半導体層263aの積層)の厚さは、トランジスタ252が有する酸化物半導体層(酸化
物半導体層263b)の厚さより大きい。また、トランジスタ253が有する酸化物半導
体層(酸化物半導体層243b及び酸化物半導体層263cの積層)の厚さは、トランジ
スタ252が有する酸化物半導体層(酸化物半導体層263b)の厚さより大きい。膜厚
が大きいほど酸化物半導体層を完全に空乏化するのに必要なゲート電極の負の電圧の絶対
値が大きくなる。その結果、チャネル形成層に厚い酸化物半導体層を用いたトランジスタ
はデプレッション型の挙動を示す。
ンジスタで構成されている。ボトムコンタクト型のトランジスタを適用することにより、
酸化物半導体層とソース電極又はドレイン電極となる導電層との接触面積を増やすことが
でき、ピーリングなどを防止することができる。
電極となる導電層との間に酸化物導電層を有する構造にすることもできる。
102 画素部
103 信号線
104 画素
105 走査線
107 走査線
108 基準電圧線
111 駆動回路
112 トランジスタ
201 基板
202 ゲート絶縁層
207 酸化物絶縁層
211a ゲート電極
211b ゲート電極
211c ゲート電極
214a 酸化物導電層
214b 酸化物導電層
214c 酸化物導電層
214d 酸化物導電層
214e 酸化物導電層
214f 酸化物導電層
215a 導電層
215b 導電層
215c 導電層
215d 導電層
216 平坦化絶縁層
217a 導電層
217b 導電層
217c 導電層
223a 酸化物半導体層
223b 酸化物半導体層
223c 酸化物半導体層
223d 酸化物半導体層
233a レジストマスク
233b レジストマスク
233c レジストマスク
233d レジストマスク
243a 酸化物半導体層
243b 酸化物半導体層
251 トランジスタ
252 トランジスタ
253 トランジスタ
263a 酸化物半導体層
263b 酸化物半導体層
263c 酸化物半導体層
316 ノード
321 トランジスタ
322 トランジスタ
323 トランジスタ
324 電源線
325 電源線
326 ノード
580 基板
581 TFT
583 絶縁層
584 絶縁層
585 絶縁層
587 電極
588 電極
589 球形粒子
590a 黒色領域
590b 白色領域
594 キャビティ
595 充填剤
596 基板
611 トランジスタ
613 トランジスタ
614 ノード
615 ノード
701 画素部
702 走査線駆動回路
703 信号線駆動回路
704 画素
804 走査線
805 信号線
821 トランジスタ
822 液晶素子
823 容量素子
851 トランジスタ
852 容量素子
853 トランジスタ
854 発光素子
855 走査線
856 信号線
900 シフトレジスタ
901 レベルシフタ
902 バッファ
903 シフトレジスタ
904 ラッチ回路
905 ラッチ回路
906 レベルシフタ
907 バッファ
2000 基板
2001 ゲート電極
2002 絶縁膜
2003 酸化物半導体層
2005a 電極
2005b 電極
2007 酸化物絶縁層
2008 電極
2020 電極
2022 電極
2023 電極
2024 電極
2028 電極
2029 電極
2050 端子
2051 端子
2052 ゲート絶縁層
2053 接続電極
2054 保護絶縁膜
2055 透明導電膜
2056 電極
2700 電子書籍
2701 筐体
2703 筐体
2705 表示部
2707 表示部
2711 軸部
2721 電源
2723 操作キー
2725 スピーカ
3011 論理回路
3012 論理回路
3013 論理回路
3111 トランジスタ
3112 トランジスタ
3113 トランジスタ
3121A インバータ
3121B インバータ
3121C インバータ
3122A インバータ
3122B インバータ
3122C インバータ
3123A インバータ
3123B インバータ
3123C インバータ
3131 トランジスタ
3132 トランジスタ
3133 トランジスタ
3140 NAND回路
3141 NAND回路
3142 NAND回路
3143 NAND回路
3171 ノード
3172 ノード
3173 ノード
4001 基板
4002 画素部
4003 信号線駆動回路
4004 走査線駆動回路
4005 シール材
4006 基板
4008 液晶層
4010 TFT
4011 TFT
4013 液晶素子
4015 接続端子電極
4016 端子電極
4018 FPC
4019 異方性導電膜
4020 絶縁層
4021 絶縁層
4030 画素電極
4031 対向電極
4032 絶縁層
4035 スペーサ
4040 導電層
4042 絶縁層
4113 TFT
4501 基板
4502 画素部
4503a 信号線駆動回路
4504a 走査線駆動回路
4505 シール材
4506 基板
4507 充填材
4509 TFT
4510 TFT
4511 発光素子
4512 電界発光層
4513 電極
4515 接続端子電極
4516 端子電極
4517 電極
4518a FPC
4519 異方性導電膜
4520 隔壁
4540 導電層
4542 絶縁層
4543 絶縁層
4544 絶縁層
4545 絶縁層
4546 絶縁層
4548 ドレイン電極
4555 TFT
6121 インバータ
6122 インバータ
6123 インバータ
7001 TFT
7002 発光素子
7003 陰極
7004 発光層
7005 陽極
7011 駆動用TFT
7012 発光素子
7013 陰極
7014 発光層
7015 陽極
7016 遮蔽膜
7017 導電膜
7021 駆動用TFT
7022 発光素子
7023 陰極
7024 発光層
7025 陽極
7027 導電膜
9000 携帯電話機
9001 筐体
9002 表示部
9003 操作ボタン
9004 外部接続ポート
9005 スピーカ
9006 マイク
9400 通信装置
9401 筐体
9402 操作ボタン
9403 外部入力端子
9404 マイク
9405 スピーカ
9406 発光部
9410 表示装置
9411 筐体
9412 表示部
9413 操作ボタン
9600 テレビジョン装置
9601 筐体
9603 表示部
9605 スタンド
9607 表示部
9609 操作キー
9610 リモコン操作機
9700 デジタルフォトフレーム
9701 筐体
9703 表示部
9881 筐体
9882 表示部
9883 表示部
9884 スピーカ部
9885 操作キー
9886 記録媒体挿入部
9887 接続端子
9888 センサ
9889 マイクロフォン
9890 LEDランプ
9891 筐体
9893 連結部
9900 スロットマシン
9901 筐体
9903 表示部
Claims (2)
- 画素部、駆動回路、第1のトランジスタ、及び第2のトランジスタを一の基板上に有し、
前記画素部には、第1の配線を介して入力される第1の画像データに従って表示を行う機能を有する第1の画素と、第2の配線を介して入力される第2の画像データに従って表示を行う機能を有する第2の画素とが、少なくとも設けられている表示装置であって、
前記第1のトランジスタは、ソースまたはドレインの一方が前記第1の配線と電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が電位の与えられる第3の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタは、ソースまたはドレインの一方が前記第2の配線と電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が前記第3の配線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのチャネル幅及び前記第2のトランジスタのチャネル幅は、前記駆動回路が有する第3のトランジスタのチャネル幅よりも大きい表示装置。 - 画素部、駆動回路、第1のトランジスタ、及び第2のトランジスタを一の基板上に有し、
前記画素部には、第1の配線を介して入力される第1の画像データに従って表示を行う機能を有する第1の画素と、第2の配線を介して入力される第2の画像データに従って表示を行う機能を有する第2の画素とが、少なくとも設けられている表示装置であって、
前記第1のトランジスタは、ソースまたはドレインの一方が前記第1の配線と電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が電位の与えられる第3の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタは、ソースまたはドレインの一方が前記第2の配線と電気的に接続さ
れ、ソースまたはドレインの他方が前記第3の配線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタ、及び第2のトランジスタは、スイッチング素子としての機能を有し、
前記第1のトランジスタのチャネル幅及び前記第2のトランジスタのチャネル幅は、前記駆動回路が有する第3のトランジスタのチャネル幅よりも大きい表示装置。
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JP (10) | JP5593179B2 (ja) |
KR (2) | KR101740943B1 (ja) |
TW (2) | TWI521291B (ja) |
WO (1) | WO2011036987A1 (ja) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5525224B2 (ja) | 2008-09-30 | 2014-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
TWI421827B (zh) | 2010-03-19 | 2014-01-01 | Au Optronics Corp | 移位暫存器 |
JP5226154B2 (ja) * | 2010-06-01 | 2013-07-03 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタ |
WO2012153697A1 (en) | 2011-05-06 | 2012-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
TWI568181B (zh) | 2011-05-06 | 2017-01-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 邏輯電路及半導體裝置 |
TWI536502B (zh) | 2011-05-13 | 2016-06-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 記憶體電路及電子裝置 |
JP5951351B2 (ja) | 2011-05-20 | 2016-07-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 加算器及び全加算器 |
US8508256B2 (en) | 2011-05-20 | 2013-08-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit |
US9135182B2 (en) | 2012-06-01 | 2015-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Central processing unit and driving method thereof |
US20150277168A1 (en) * | 2012-11-21 | 2015-10-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
JP6274968B2 (ja) * | 2014-05-16 | 2018-02-07 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
JP6615490B2 (ja) | 2014-05-29 | 2019-12-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び電子機器 |
JP6416899B2 (ja) * | 2014-06-03 | 2018-10-31 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
KR102157689B1 (ko) * | 2014-06-27 | 2020-09-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 평판 표시장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판 |
TWI766298B (zh) | 2014-11-21 | 2022-06-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
CN104882108B (zh) * | 2015-06-08 | 2017-03-29 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 基于氧化物半导体薄膜晶体管的goa电路 |
CN114864381A (zh) | 2016-05-20 | 2022-08-05 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置或包括该半导体装置的显示装置 |
KR102676858B1 (ko) * | 2016-12-16 | 2024-06-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계발광 표시장치 |
CN106897692B (zh) * | 2017-02-23 | 2020-03-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 指纹识别组件和显示装置 |
TWI826140B (zh) * | 2022-11-23 | 2023-12-11 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000148093A (ja) | 1998-11-13 | 2000-05-26 | Fujitsu Ltd | 表示装置 |
JP2005202209A (ja) | 2004-01-16 | 2005-07-28 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置、データ側駆動回路及び表示パネルの駆動方法 |
JP2006032735A (ja) | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
CN1933687A (zh) | 2005-09-12 | 2007-03-21 | Lg电子株式会社 | 发光器件及其驱动方法 |
Family Cites Families (140)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JP3163637B2 (ja) * | 1991-03-19 | 2001-05-08 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置の駆動方法 |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0894999A (ja) | 1994-09-22 | 1996-04-12 | Casio Comput Co Ltd | アクティブマトリックス液晶表示装置 |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
JPH11505377A (ja) | 1995-08-03 | 1999-05-18 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 半導体装置 |
JPH0950263A (ja) | 1995-08-08 | 1997-02-18 | Sony Corp | アクティブマトリクス表示装置及びその駆動方法 |
US5612234A (en) * | 1995-10-04 | 1997-03-18 | Lg Electronics Inc. | Method for manufacturing a thin film transistor |
US5835177A (en) | 1995-10-05 | 1998-11-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Array substrate with bus lines takeout/terminal sections having multiple conductive layers |
JP3663261B2 (ja) | 1995-10-05 | 2005-06-22 | 株式会社東芝 | 表示装置用アレイ基板及びその製造方法 |
JP3625598B2 (ja) * | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP3976821B2 (ja) | 1996-09-20 | 2007-09-19 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶パネル用基板の検査方法 |
US5977569A (en) * | 1996-09-24 | 1999-11-02 | Allen-Bradley Company, Llc | Bidirectional lateral insulated gate bipolar transistor having increased voltage blocking capability |
US5973658A (en) | 1996-12-10 | 1999-10-26 | Lg Electronics, Inc. | Liquid crystal display panel having a static electricity prevention circuit and a method of operating the same |
JP3063670B2 (ja) * | 1997-04-25 | 2000-07-12 | 日本電気株式会社 | マトリクス表示装置 |
US7304632B2 (en) * | 1997-05-13 | 2007-12-04 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Liquid-crystal display driving circuit and method |
JP4308162B2 (ja) * | 1997-05-13 | 2009-08-05 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 液晶表示装置の駆動回路及びその駆動方法 |
JPH1130975A (ja) * | 1997-05-13 | 1999-02-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置の駆動回路及びその駆動方法 |
WO1999004385A1 (fr) * | 1997-07-16 | 1999-01-28 | Seiko Epson Corporation | Dispositif a cristaux liquides, procede d'attaque de ce dispositif et ecran de projection et equipement electronique fabriques au moyen de ce dispositif |
JP3687344B2 (ja) * | 1997-07-16 | 2005-08-24 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置及びその駆動方法、並びにそれを用いた投写型表示装置及び電子機器 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) * | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) * | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
FR2787634B1 (fr) * | 1998-12-18 | 2003-09-12 | Thomson Csf | Procede de realisation de transistors cmos et dispositifs associes |
TW527735B (en) * | 1999-06-04 | 2003-04-11 | Semiconductor Energy Lab | Electro-optical device |
TW460731B (en) * | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
DE10006286C1 (de) * | 2000-02-14 | 2001-10-18 | 3M Espe Ag | Lichtwellenkonvertervorrichtung und deren Verwendung im Dentalbereich |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) * | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) * | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP4204204B2 (ja) | 2001-04-13 | 2009-01-07 | 三洋電機株式会社 | アクティブマトリクス型表示装置 |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
EP1443130B1 (en) * | 2001-11-05 | 2011-09-28 | Japan Science and Technology Agency | Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4083486B2 (ja) * | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
CN1445821A (zh) * | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
JP3933591B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) * | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
AU2003240026A1 (en) | 2002-06-15 | 2003-12-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of driving a shift register, a shift register, a liquid crystal display device having the shift register |
US7105868B2 (en) * | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) * | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) * | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
JP2005091646A (ja) * | 2003-09-16 | 2005-04-07 | Seiko Epson Corp | アクティブマトリクス基板、表示装置および電子機器 |
TWI402539B (zh) * | 2003-12-17 | 2013-07-21 | Semiconductor Energy Lab | 顯示裝置和其製造方法 |
US7333078B2 (en) * | 2003-12-29 | 2008-02-19 | Solomon Systech Limited | Driving system and method for electroluminescence displays |
WO2005088726A1 (ja) | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Japan Science And Technology Agency | アモルファス酸化物及び薄膜トランジスタ |
US7282782B2 (en) * | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7145174B2 (en) * | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7211825B2 (en) * | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) * | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) * | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
US7863611B2 (en) * | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
US7791072B2 (en) * | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
US7453065B2 (en) * | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
KR100998527B1 (ko) * | 2004-11-10 | 2010-12-07 | 고쿠리츠다이가쿠호진 토쿄고교 다이가꾸 | 비정질 산화물 및 전계 효과 트랜지스터 |
CN101057338B (zh) * | 2004-11-10 | 2011-03-16 | 佳能株式会社 | 采用无定形氧化物的场效应晶体管 |
CN101057333B (zh) * | 2004-11-10 | 2011-11-16 | 佳能株式会社 | 发光器件 |
US7829444B2 (en) * | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
US7579224B2 (en) * | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI505473B (zh) * | 2005-01-28 | 2015-10-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7608531B2 (en) * | 2005-01-28 | 2009-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device |
US7858451B2 (en) * | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) * | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) * | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) * | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
WO2006105077A2 (en) * | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
US7645478B2 (en) * | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) * | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) * | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7691666B2 (en) * | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7402506B2 (en) * | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) * | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
JP2007004733A (ja) * | 2005-06-27 | 2007-01-11 | Sato Co Ltd | 財布及びバッグ |
KR100711890B1 (ko) * | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP4850457B2 (ja) * | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP4280736B2 (ja) * | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP5116225B2 (ja) * | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP2007073705A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5064747B2 (ja) * | 2005-09-29 | 2012-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法 |
EP1770788A3 (en) | 2005-09-29 | 2011-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
JP5078246B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
JP5037808B2 (ja) * | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
JP5089139B2 (ja) | 2005-11-15 | 2012-12-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR101103374B1 (ko) * | 2005-11-15 | 2012-01-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 |
TWI292281B (en) * | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) * | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) * | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) * | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) * | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
KR20070101595A (ko) * | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
JP5135709B2 (ja) * | 2006-04-28 | 2013-02-06 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
US20070252928A1 (en) * | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP4277874B2 (ja) | 2006-05-23 | 2009-06-10 | エプソンイメージングデバイス株式会社 | 電気光学装置の製造方法 |
KR101186254B1 (ko) * | 2006-05-26 | 2012-09-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광다이오드 표시장치와 그의 구동방법 |
KR100801961B1 (ko) | 2006-05-26 | 2008-02-12 | 한국전자통신연구원 | 듀얼 게이트 유기트랜지스터를 이용한 인버터 |
JP5028033B2 (ja) * | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
KR20080004000A (ko) * | 2006-07-04 | 2008-01-09 | 엘지전자 주식회사 | 발광 소자 |
JP4321557B2 (ja) | 2006-07-06 | 2009-08-26 | エプソンイメージングデバイス株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器 |
JP4609797B2 (ja) * | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4999400B2 (ja) * | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
TWI312580B (en) | 2006-09-04 | 2009-07-21 | Taiwan Tft Lcd Associatio | A thin film transistor, manufacturing method of a active layer thereof and liquid crystal display |
JP4332545B2 (ja) * | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP4274219B2 (ja) * | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
JP5164357B2 (ja) * | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4932415B2 (ja) | 2006-09-29 | 2012-05-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US7622371B2 (en) * | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
JP5090708B2 (ja) | 2006-10-20 | 2012-12-05 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 画像表示装置とその製造方法 |
JP2008124215A (ja) | 2006-11-10 | 2008-05-29 | Kochi Prefecture Sangyo Shinko Center | 薄膜半導体装置及びその製造方法 |
US7772021B2 (en) * | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
JP2008165029A (ja) | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 液晶表示装置 |
KR101303578B1 (ko) * | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) * | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR100851215B1 (ko) * | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
US7795613B2 (en) * | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) * | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) * | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) * | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
WO2008133345A1 (en) * | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Oxynitride semiconductor |
JP5294651B2 (ja) | 2007-05-18 | 2013-09-18 | キヤノン株式会社 | インバータの作製方法及びインバータ |
KR101345376B1 (ko) * | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
US8446355B2 (en) * | 2007-10-15 | 2013-05-21 | Nlt Technologies, Ltd. | Display device, terminal device, display panel, and display device driving method |
JP5215158B2 (ja) * | 2007-12-17 | 2013-06-19 | 富士フイルム株式会社 | 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス |
JP4623179B2 (ja) * | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5451280B2 (ja) * | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
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2010
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000148093A (ja) | 1998-11-13 | 2000-05-26 | Fujitsu Ltd | 表示装置 |
JP2005202209A (ja) | 2004-01-16 | 2005-07-28 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置、データ側駆動回路及び表示パネルの駆動方法 |
JP2006032735A (ja) | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
CN1933687A (zh) | 2005-09-12 | 2007-03-21 | Lg电子株式会社 | 发光器件及其驱动方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2011036987A1 (en) | 2011-03-31 |
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