JP7128005B2 - 研磨用組成物 - Google Patents
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Description
下記式(1)で表される化合物、及びその塩からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物と、
を含む、研磨用組成物によって達成される。
下記式(1)で表される化合物、及びその塩からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物と、
を含む。
上記構成を有する研磨用組成物によれば、窒化ケイ素を含む研磨対象物を酸化ケイ素またはポリシリコンに対して高い選択性で研磨することができる。
本発明において、研磨対象物は特に制限されず、金属または金属を含む層、酸素原子及びケイ素原子を有する研磨対象物、ケイ素-ケイ素結合を有する研磨対象物、ケイ素-窒素結合を有する研磨対象物などが挙げられる。
本発明の研磨用組成物は、砥粒と、所定の添加剤とを含む。以下、本発明の研磨用組成物の構成を説明する。
本発明の研磨用組成物は、砥粒を必須に含む。研磨用組成物中に含まれる砥粒は、研磨対象物を機械的に研磨する作用を有し、研磨用組成物による研磨対象物の研磨速度を向上させる。
研磨用組成物のpHを所望の値に調整するために、本発明の研磨用組成物は、酸を含むことが好ましい。なお、本明細書において、添加剤としての式(1)で表される化合物またはその塩は、pH調整剤としての酸とは異なるものとして取り扱う。
よい。
5未満となるような量であることが好ましい。このようなpHの研磨用組成物は保管安定性に優れる。また、研磨用組成物の取り扱いが容易である。加えて、研磨対象物の研磨速度を向上できる。
添加剤は、ポリシリコン膜や酸化ケイ素膜の表面に吸着するとともに、立体障害効果によって砥粒の接触を抑制することで、これらの表面研磨速度を抑えるよう作用する。本発明の研磨用組成物は、下記式(1)で表される化合物またはその塩を含む。
本発明の研磨用組成物は、各成分を分散または溶解するために分散媒を含むことが好ましい。ここで、分散媒は、特に制限されないが、水が好ましい。他の成分の作用を阻害することを抑制するという観点から、不純物をできる限り含有しない水がより好ましく、具体的には、イオン交換樹脂にて不純物イオンを除去した後、フィルタを通して異物を除去した純水や超純水、または蒸留水が好ましい。
本発明の一形態に係る研磨用組成物は、分散媒を含み、研磨用組成物のpHが1以上5未満であることが好ましい。このようなpHの研磨用組成物は保管安定性に優れる。また、研磨用組成物の取り扱いが容易である。研磨用組成物のpHが5未満であると、研磨対象物の表面の正の電荷が小さくなり、表面が負に帯電した砥粒(例えば、有機酸を表面に固定したシリカ等)を用いたときに研磨対象物を高速度で研磨することが容易になる。研磨用組成物により研磨対象物を十分な研磨速度で研磨する観点から、研磨用組成物のpHは、さらに好ましくは4以下であり、特に好ましくは3以下である。研磨用組成物のpHの値の下限は、安全性の観点から1以上であることが好ましく、より好ましくは1.5以上である。
本発明の一形態に係る研磨用組成物は、砥粒および添加剤である式(1)で表される化合物またはその塩以外に、必要に応じて式(1)で表される化合物またはその塩以外の錯化剤、防腐剤、防カビ剤、還元剤、界面活性剤、水溶性高分子等の他の成分を含有してもよい。錯化剤、防腐剤、防カビ剤、還元剤、界面活性剤、水溶性高分子としては、特に制限されず、それぞれ研磨用組成物の分野で用いられる公知のものを用いることができる。しかし、一方で、本発明に係る研磨用組成物は、酸化剤を実質的に含まないことが好ましい。研磨用組成物中に酸化剤が含まれていると、当該組成物が研磨対象物としてのケイ素膜などに供給されることにより、該研磨対象物の表面が酸化されて酸化膜が形成され、これが砥粒によりかき取られることにより研磨選択比が低下しうる。ここでいう酸化剤は、ケイ素膜の表面の酸化膜形成を促進しうるものであり、酸化剤の具体例としては、過酸化水素(H2O2)、過酸化水素、過酢酸、過炭酸塩、過酸化尿素、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウム、一過硫酸カリウム、オキソン、ジクロロイソシアヌル酸ナトリウム等が挙げられる。なお、研磨用組成物が酸化剤を実質的に含まないとは、少なくとも意図的には酸化剤を含有させないことをいう。したがって、原料や製法等に由来して微量(たとえば、研磨用組成物中における酸化剤のモル濃度が0.0005モル/L以下、好ましくは0.0001モル以下、より好ましくは0.00001モル/L以下、特に好ましくは0.000001モル/L以下)の酸化剤が不可避的に含まれている研磨用組成物は、ここでいう酸化剤を実質的に含有しない研磨用組成物の概念に包含されうる。
本発明の研磨用組成物の製造方法は、特に制限されず、例えば、砥粒、所定の添加剤、および必要に応じて酸、酸化剤、他の添加剤を混合する、好ましくは分散媒(例えば、水)中で攪拌混合することにより得ることができる。各成分の詳細は上述した通りである。したがって、本発明は、前記砥粒と、前記所定の添加剤とを混合することを含む、本発明の研磨用組成物の製造方法を提供する。
上述のように、本発明の研磨用組成物は、窒化ケイ素を含む層(研磨対象物)の研磨に好適に用いられる。よって、本発明は、窒化ケイ素を含む層を有する研磨対象物を本発明の研磨用組成物で研磨する研磨方法をも提供する。また、本発明は、窒化ケイ素を含む層(研磨対象物)を前記研磨方法で研磨する工程を含む基板の製造方法を提供する。
(研磨用組成物の調製)
純水に、N-オレオイルサルコシンを最終の研磨用組成物に対して0.01質量%、マレイン酸を最終の研磨用組成物に対して0.35質量%、砥粒(スルホン酸固定コロイダルシリカ;平均一次粒子径:14nm、平均二次粒子径:40nm)を最終の研磨用組成物に対して0.25質量%となる量で加えることで、研磨用組成物を調製した。研磨用組成物(液温:25℃)のpHをpHメータ(株式会社堀場製作所製 型番:LAQUA)により確認したところ、1.9であった。
(研磨用組成物の調製)
各成分の種類及び含有量を下記表1~3に示すように変更した以外は実施例1と同様に操作して、各実施例および比較例の研磨用組成物を調製した。
(研磨装置および研磨条件)
実施例1~5および比較例1~5において、各研磨用組成物を使用して、研磨対象物の表面を下記の条件で研磨した。研磨対象物としては、表面に厚さ2500ÅのSiN膜(窒化ケイ素膜)、10000ÅのTEOS膜(酸化ケイ素膜)、または4000Åのポリシリコン膜を形成した直径200mmのシリコンウェハを使用した。
パッド:Supreme RN-H(ダウケミカル社製)
研磨圧力:2psi
研磨定盤の回転速度:93rpm
キャリアの回転速度:87rpm
研磨用組成物の供給量:150mL/min
研磨時間:60sec。
研磨速度(研磨レート)(Å/min)は、下記式(1)により計算した。
Claims (12)
- 前記式(1)におけるR1は、置換もしくは非置換の炭素数6以上22以下の炭化水素
基である、請求項1または2に記載の研磨用組成物。 - 前記式(1)におけるR2は、炭素数1以上3以下のアルキル基である、請求項1~3のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
- 前記砥粒が、シリカである、請求項1~4のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
- 前記砥粒が、有機酸固定シリカである、請求項5に記載の研磨用組成物。
- ポリシリコンまたは酸化ケイ素に対する窒化ケイ素の選択的な研磨に用いられる、請求項1~6のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
- 酸化剤を実質的に含まない、請求項1~7のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
- 前記式(1)で表される化合物またはその塩の含有量が0.0001質量%以上0.1質量%以下である、請求項1~8のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
- 前記砥粒と、前記式(1)で表される化合物、及びその塩からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物と、を混合することを含む、請求項1~9のいずれか1項に記載の研磨用組成物の製造方法。
- 請求項1~9のいずれか1項に記載の研磨用組成物を用いて、窒化ケイ素を含む層を有する研磨対象物を研磨することを含む、研磨方法。
- 窒化ケイ素を含む層を有する研磨対象物を請求項11に記載の研磨方法で研磨することを含む、基板の製造方法。
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