JP7153566B2 - 研磨用組成物 - Google Patents

研磨用組成物 Download PDF

Info

Publication number
JP7153566B2
JP7153566B2 JP2018561856A JP2018561856A JP7153566B2 JP 7153566 B2 JP7153566 B2 JP 7153566B2 JP 2018561856 A JP2018561856 A JP 2018561856A JP 2018561856 A JP2018561856 A JP 2018561856A JP 7153566 B2 JP7153566 B2 JP 7153566B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
polishing composition
polishing
hydrogen atom
additive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018561856A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2018131341A1 (ja
Inventor
哲 鎗田
幸信 吉▲崎▼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujimi Inc
Original Assignee
Fujimi Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujimi Inc filed Critical Fujimi Inc
Publication of JPWO2018131341A1 publication Critical patent/JPWO2018131341A1/ja
Priority to JP2022068295A priority Critical patent/JP7331191B2/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7153566B2 publication Critical patent/JP7153566B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • B24B37/044—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
    • H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
    • H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
    • H01L21/31055—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step the removal being a chemical etching step, e.g. dry etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/32115—Planarisation
    • H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Description

本発明は、研磨用組成物に関する。
近年、ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）の高集積化、高性能化に伴って新たな微細加工技術が開発されている。化学機械研磨（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ；ＣＭＰ）法もその一つであり、ＬＳＩ製造工程、特に多層配線形成工程における層間絶縁膜の平坦化、金属プラグ形成、埋め込み配線（ダマシン配線）形成において頻繁に利用される技術である。
当該ＣＭＰは、半導体製造における各工程に適用されてきており、その一態様として、例えばトランジスタ作製におけるゲート形成工程への適用が挙げられる。トランジスタ作製の際には、金属、シリコン、酸化ケイ素、多結晶シリコン、シリコン窒化膜といった材料を研磨することがあり、生産性を向上させるべく、各材料を高速で研磨する要求が存在する。かような要求に応えるため、例えば、特開２０１３－０４１９９２号公報には、多結晶シリコンの研磨速度を向上させようとする技術が存在する。
本発明者らは、ＣＭＰの半導体製造における各工程への適用を検討する中で、多結晶シリコンのみならず、シリコン窒化膜を高速で研磨することが製造上好ましい場合があることを知見した。他方、酸化ケイ素膜については、研磨速度を極力低くさせる方が製造上好ましい場合があることを知見した。しかし、多結晶シリコンのみならず、シリコン窒化膜を高速で研磨し、かつ、酸化ケイ素膜の研磨速度を抑えることができる研磨用組成物は未だ存在しない。
そこで、本発明は、多結晶シリコンのみならず、シリコン窒化膜を高速で研磨し、かつ、酸化ケイ素膜の研磨速度を抑えることができる研磨用組成物を提供することを目的とする。
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究を積み重ねた。その結果、研磨対象物を研磨するために用いられる、砥粒と、分散媒と、添加剤とを含む、研磨用組成物であって、前記砥粒が、表面修飾されており、前記添加剤が、下記式１：
Figure 0007153566000001
上記式１中、Ｘ１が、ＯまたはＮＲ４であり、Ｘ２が、単結合またはＮＲ５であり、Ｒ１～Ｒ５が、それぞれ独立して、水素原子；水酸基；ニトロ基；ニトロソ基；カルボキシル基、アミノ基もしくは水酸基で置換されてもよい炭素数１～４のアルキル基；またはＣＯＮＨ２；である、ただし、Ｒ２と、Ｒ５とは環を形成してもよく；Ｘ２が単結合のとき、Ｒ３は水素原子ではなく、または、Ｒ１～Ｒ３がメチル基ではなく；Ｘ２がＮＲ５のときであって、Ｒ１～Ｒ３およびＲ５のうち３つが水素原子である場合、他の１つは水素原子またはメチル基ではない；で示され、ｐＨが、５．０以下である、研磨用組成物によって、上記課題が解決されることを見出した。
以下、本発明を説明する。なお、本発明は、以下の実施の形態のみには限定されない。また、特記しない限り、操作および物性等の測定は室温（２０～２５℃）／相対湿度４０～５０％ＲＨの条件で測定する。
（研磨用組成物）
本発明は、研磨対象物を研磨するために用いられる、砥粒と、分散媒と、添加剤とを含む、研磨用組成物であって、前記砥粒が、表面修飾されており、前記添加剤が、下記式１：
Figure 0007153566000002
上記式１中、Ｘ１が、ＯまたはＮＲ４であり、Ｘ２が、単結合またはＮＲ５であり、Ｒ１～Ｒ５が、それぞれ独立して、水素原子；水酸基；ニトロ基；ニトロソ基；カルボキシル基、アミノ基もしくは水酸基で置換されてもよい炭素数１～４のアルキル基；またはＣＯＮＨ２；である、ただし、Ｒ２と、Ｒ５とは環を形成してもよく；Ｘ２が単結合のとき、Ｒ３は水素原子ではなく、または、Ｒ１～Ｒ３がメチル基ではなく；Ｘ２がＮＲ５のときであって、Ｒ１～Ｒ３およびＲ５のうち３つが水素原子である場合、他の１つは水素原子またはメチル基ではない；で示され、ｐＨが、５．０以下である、研磨用組成物である。かかる構成によって、多結晶シリコンのみならず、シリコン窒化膜を高速で研磨し、かつ、酸化ケイ素膜の研磨速度を抑えることができる。ゆえに、本発明によれば、多結晶シリコンのみならず、シリコン窒化膜を高速で研磨し、かつ、酸化ケイ素膜の研磨速度を抑えることができる研磨用組成物を提供することができる。
酸性領域では、多結晶シリコンの研磨速度は低下することが通常であるところ、本発明の驚くべき点は、特定の構造を有する添加剤を添加することで、シリコン窒化膜のみならず、多結晶シリコンを高速で研磨することができるところにある。
（砥粒）
本発明において、砥粒は、表面修飾されている（本明細書において、「表面修飾砥粒」とも称する）。本発明の好ましい形態によれば、表面修飾砥粒は、砥粒の表面に有機酸が固定されていることによりなる。本発明において、砥粒として、表面修飾砥粒を用いないと、本発明の所期の効果を奏することはできない。
砥粒の種類としては、例えば、シリカ、アルミナ、ジルコニア、チタニア等の金属酸化物が挙げられる。該砥粒は、単独でもよいしまたは２種以上組み合わせても用いることができる。砥粒の種類としては、好ましくはシリカである。
有機酸を表面に固定したシリカは、有機酸を表面に化学的に結合させたシリカであると好ましい。前記シリカにはフュームドシリカやコロイダルシリカ等が含まれるが、特にコロイダルシリカが好ましい。前記有機酸は、特に制限されないが、スルホン酸、カルボン酸、リン酸などが挙げられ、好ましくはスルホン酸またはカルボン酸である。なお、有機酸を表面に固定したシリカは、シリカの表面に上記有機酸由来の酸性基（例えば、スルホ基、カルボキシル基、リン酸基など）が（場合によってはリンカー構造を介して）共有結合により固定されていることになる。ここで、リンカー構造とは、シリカの表面と、有機酸との間に介在する任意の構造を意味する。よって、有機酸を表面に固定したシリカは、シリカの表面に有機酸由来の酸性基が直接共有結合により固定されていてもよいし、リンカー構造を介して共有結合により固定されていてもよい。
これらの有機酸をシリカ表面へ導入する方法は特に制限されず、メルカプト基やアルキル基などの状態でシリカ表面に導入し、その後、スルホン酸やカルボン酸に酸化するといった方法の他に、上記有機酸基に保護基が結合した状態でシリカ表面に導入し、その後、保護基を脱離させるといった方法がある。また、シリカ表面に有機酸を導入する際に使用される化合物は、有機酸基となりうる官能基を少なくとも１つ有し、さらにシリカ表面のヒドロキシル基との結合に用いられる官能基、疎水性・親水性を制御するために導入する官能基、立体的嵩高さを制御するために導入される官能基等を含むことが好ましい。
有機酸を表面に固定したシリカの具体的な合成方法として、有機酸の一種であるスルホン酸をシリカの表面に固定するのであれば、例えば、“Ｓｕｌｆｏｎｉｃ ａｃｉｄ－ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌｉｚｅｄ ｓｉｌｉｃａ ｔｈｒｏｕｇｈ ｑｕａｎｔｉｔａｔｉｖｅ ｏｘｉｄａｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｉｏｌ ｇｒｏｕｐｓ”， Ｃｈｅｍ． Ｃｏｍｍｕｎ． ２４６－２４７ （２００３）に記載の方法で行うことができる。
具体的には、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のチオール基を有するシランカップリング剤をシリカにカップリングさせた後に過酸化水素でチオール基を酸化することにより、スルホン酸が表面に固定化されたシリカを得ることができる。本発明の実施例のスルホン酸固定コロイダルシリカも同様にして製造している。
カルボン酸をシリカの表面に固定するのであれば、例えば、“Ｎｏｖｅｌ Ｓｉｌａｎｅ Ｃｏｕｐｌｉｎｇ Ａｇｅｎｔｓ Ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ ａ Ｐｈｏｔｏ ｌａｂｉｌｅ ２－Ｎｉｔｒｏｂｅｎｚｙｌ Ｅｓｔｅｒ ｆｏｒ Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ ｏｆ ａ Ｃａｒｂｏｘｙ Ｇｒｏｕｐ ｏｎ ｔｈｅ Ｓｕｒｆａｃｅ ｏｆ Ｓｉｌｉｃａ Ｇｅｌ”， Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｌｅｔｔｅｒｓ， ３， ２２８－２２９ （２０００）に記載の方法で行うことができる。具体的には、光反応性２－ニトロベンジルエステルを含むシランカップリング剤をシリカにカップリングさせた後に光照射することにより、カルボン酸が表面に固定化されたシリカを得ることができる。本発明の好ましい実施形態によれば、表面修飾砥粒が、スルホン酸固定シリカである。かかる実施形態によって、多結晶シリコンのみならず、シリコン窒化膜を高速で研磨し、かつ、酸化ケイ素膜の研磨速度を抑えることができる。
本発明の研磨用組成物中、表面修飾砥粒の平均一次粒子径の下限は、５ｎｍ以上であることが好ましく、７ｎｍ以上であることがより好ましく、１０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。このような粒子径であれば、有効な研磨速度が得られる。また、本発明の研磨用組成物中、表面修飾砥粒の平均一次粒子径の上限は、６０ｎｍ以下が好ましく、４０ｎｍ以下がより好ましく、さらには２５ｎｍ以下が好ましい。このような粒子径であれば、エロージョンやリセスなどの値が良く制御可能である。なお、表面修飾砥粒の平均一次粒子径は、例えば、ＢＥＴ法で測定される表面修飾砥粒の比表面積に基づいて算出される。本発明の実施例でもそのように測定している。
本発明の研磨用組成物中、表面修飾砥粒の平均二次粒子径の下限は、１５ｎｍ以上であることが好ましく、１８ｎｍ以上であることがより好ましく、２６ｎｍ以上であることがさらに好ましい。このような粒子径であれば、有効な研磨速度が得られる。また、表面修飾砥粒の平均二次粒子径の上限は、９０ｎｍ以下であることが好ましく、７０ｎｍ以下であることがより好ましく、５０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。このような範囲であれば、このような粒子径であれば、欠陥の数値が良く制御可能である。なお、ここでいう二次粒子とは、表面修飾砥粒が研磨用組成物中で会合して形成する粒子をいい、この二次粒子の平均二次粒子径は、例えばレーザー回折散乱法に代表される動的光散乱法により測定することができる。本発明の実施例でもそのように測定している。
本発明の研磨用組成物中の表面修飾砥粒における、レーザー回折散乱法により求められる粒度分布において、微粒子側から積算粒子質量が全粒子質量の９０％に達するときの粒子の直径Ｄ９０と、全粒子質量の１０％に達するときの粒子の直径Ｄ１０との比（本明細書中、単に「Ｄ９０／Ｄ１０」とも称する）の下限は、１．３以上であることが好ましく、１．４以上であることがより好ましく、１．５以上であることがさらに好ましい。このような値であれば、有効な研磨速度が得られる。また、Ｄ９０／Ｄ１０の上限は特に制限はないが、５．０以下であることが好ましく、４．０以下であることがより好ましく、３．０以下であることがさらに好ましい。このような値であれば、ラフネス（研磨対象物の表面粗さ）が改善される。
本発明の研磨用組成物中、表面修飾砥粒の含有量の下限は、０．０１質量％以上であることが好ましく、０．０５質量％以上であることがより好ましく、０．１質量％以上であることがさらに好ましく、１．０質量％以上であることがよりさらに好ましい。このような値であれば、有効な研磨速度が得られる。また、本発明の研磨用組成物中、表面修飾砥粒の含有量の上限は、２０質量％以下であることが好ましく、１０質量％以下であることがより好ましく、５質量％以下であることがさらに好ましい。このような値であれば、経済的なメリットが得られる。
（分散媒）
本発明の研磨用組成物は、研磨用組成物を構成する各成分の分散のために分散媒が用いられる。分散媒としては、有機溶媒、水が考えられるが、その中でも水を含むことが好ましい。
研磨対象物の汚染や他の成分の作用を阻害するという観点から、不純物をできる限り含有しない水が好ましい。具体的には、イオン交換樹脂にて不純物イオンを除去した後フィルタを通して異物を除去した純水や超純水、または蒸留水が好ましい。
（添加剤）
本発明では、研磨用組成物に、下記式１：
Figure 0007153566000003
上記式１中、Ｘ１が、ＯまたはＮＲ４であり、Ｘ２が、単結合またはＮＲ５であり、Ｒ１～Ｒ５が、それぞれ独立して、水素原子；水酸基；ニトロ基；ニトロソ基；カルボキシル基、アミノ基もしくは水酸基で置換されてもよい炭素数１～４のアルキル基；またはＣＯＮＨ２；である、ただし、Ｒ２と、Ｒ５とは環を形成してもよく；Ｘ２が単結合のとき、Ｒ３は水素原子ではなく、または、Ｒ１～Ｒ３がメチル基ではなく；Ｘ２がＮＲ５のときであって、Ｒ１～Ｒ３およびＲ５のうち３つが水素原子である場合、他の１つは水素原子またはメチル基ではない；で示される添加剤を含有させる。かかる構成を有することによって、多結晶シリコンのみならず、シリコン窒化膜を高速で研磨し、かつ、酸化ケイ素膜の研磨速度を抑えることができる。
研磨用組成物に、上記特定の構造を有する添加剤を添加することによって、本発明の所期の効果を奏するメカニズムは明らかではないが下記のとおりと推測される。無論、本発明の技術的範囲がかかるメカニズムによって制限されない。
すなわち、前記添加剤は、多結晶シリコン膜に適度な力で吸着し、さらにその吸着部分が、多結晶シリコン膜のＳｉ－Ｓｉ原子間結合を脆弱化する作用を有している。その吸着および多結晶シリコン膜との化学反応のため研磨速度の向上に寄与している。上記のような脆弱化はシリコン窒化膜、酸化ケイ素膜ではあまり見られないが、ｐＨを５．０以下にすることで、シリコン窒化膜の研磨速度を高くし、その相乗効果で多結晶シリコンのみならず、シリコン窒化膜を高速で研磨することが出来る。本発明のｐＨ範囲では前記添加剤のない状態では、多結晶シリコン膜が疎水性、シリコン窒化膜が親水性、酸化ケイ素膜が親水性であるが、前記添加剤を加えることで多結晶シリコン膜を親水化できる。一般的に親水膜と疎水膜は研磨の際の研磨パッドに係る負荷が異なり、その境界で欠陥が生じやすい。前記添加剤はその欠陥を防ぐ役割も持っている。
なお、本発明の添加剤は塩の形態でもよく、好適な塩の例としては、リン酸塩、アルキル塩酸塩（アルキルの炭素数が１～４）、塩酸塩、硫酸塩、酢酸塩であり、好ましくは、リン酸塩、アルキル塩酸塩（アルキルの炭素数が１～４）であり、さらに好ましくはリン酸塩、メチル塩酸塩である。その理由は、リン酸塩のリン、塩酸塩の塩素、硫酸塩の硫黄などによる電子供与と、前記添加剤における酸素二重結合部分等の多結晶シリコン膜への作用とが協働し、化学反応を促進するためと考えられる。
上記式１中、Ｒ１～Ｒ５としての炭素数１～４のアルキル基は、直鎖状であっても、分岐状であってもよい。好適な例は、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基等である。炭素数が５以上となると、本発明の所期の効果を奏しない。その理由はアルキル基の立体障害が大きくなり、研磨対象物と有効に反応しないため、研磨速度が高くならないためである。また、アルキル部分が大きいと、溶解性が悪く、砥粒としてコロイダルシリカを用いた場合、コロイダルシリカの安定性も悪い。
ＮＲ４におけるＲ４は、水素原子；水酸基；ニトロ基；ニトロソ基；カルボキシル基、アミノ基もしくは水酸基で置換されてもよい炭素数１～４のアルキル基；またはＣＯＮＨ２であるが、好ましくは、水素原子、または、カルボキシル基、アミノ基もしくは水酸基で置換されてもよい炭素数１～４のアルキル基であり、より好ましくは水素原子または非置換の炭素数１～４のアルキル基である。
ＮＲ５におけるＲ５は、水素原子；水酸基；ニトロ基；ニトロソ基；カルボキシル基、アミノ基もしくは水酸基で置換されてもよい炭素数１～４のアルキル基；またはＣＯＮＨ２であるが、好ましくは、水素原子、カルボキシル基で置換されてもよい炭素数１～４のアルキル基またはＣＯＮＨ２である。Ｒ２と、Ｒ５とは環を形成してもよく、好ましくは５～７員環を形成する。なお、「環を形成してもよい」とは、Ｒ２とＲ５とが結合して、少なくとも窒素原子を含む環構造（ヘテロ環構造）を形成してもよいことを意味する。
本発明の好ましい実施形態は、Ｘ１が、Ｏであり、Ｘ２が、ＮＲ５であり、Ｒ１～Ｒ３およびＲ５の２つ以上が、カルボキシル基、アミノ基または水酸基で置換されてもよい炭素数１～４のアルキル基である。また、Ｒ１～Ｒ３およびＲ５の１～３つ、好ましくはＲ１～Ｒ３およびＲ５の２～３つが、カルボキシル基、アミノ基または水酸基で置換されてもよい炭素数１～４のアルキル基である場合、他は水素原子であることが好ましい。さらに、本発明の好ましい実施形態は、Ｘ１が、Ｏであり、Ｘ２が、ＮＲ５であり、Ｒ１～Ｒ３およびＲ５のすべてが、カルボキシル基、アミノ基または水酸基で置換されてもよい炭素数１～４のアルキル基である。
また、本発明の好ましい実施形態は、Ｘ１が、ＮＨであり、Ｘ２が、ＮＲ５であり、Ｒ１～Ｒ３およびＲ５が、それぞれ独立して、水素原子；カルボキシル基、アミノ基もしくは水酸基で置換されてもよい炭素数１～４のアルキル基；または－ＣＯＮＨ２である。さらに、本発明の好ましい実施形態は、Ｘ１が、ＮＨであり、Ｘ２が、ＮＲ５であり、Ｒ１～Ｒ３およびＲ５が、それぞれ独立して、水素原子；またはカルボキシル基、アミノ基もしくは水酸基で置換されてもよい炭素数１～４のアルキル基である。
また、本発明の好ましい実施形態は、Ｘ２が、単結合であり、Ｒ１～Ｒ３が、それぞれ独立して、水素原子、または、カルボキシル基、アミノ基もしくは水酸基で置換されてもよい炭素数１～４のアルキル基である。さらに、本発明の好ましい形態は、Ｘ２が、単結合であり、Ｒ１～Ｒ３が、それぞれ独立して、水素原子、または、炭素数１～４のアルキル基である。
また、本発明の好ましい実施形態は、Ｘ１が、ＯまたはＮＨであり、Ｘ２が、単結合またはＮＲ５であり、Ｒ１～Ｒ３およびＲ５が、それぞれ独立して、水素原子、または、カルボキシル基で置換されてもよい炭素数１～４のアルキル基である。
また、本発明の好ましい実施形態は、Ｘ１が、Ｏであり、Ｒ２と、Ｒ５とが環を形成し、Ｒ１およびＲ３が、それぞれ独立して、水素原子、または、カルボキシル基、アミノ基もしくは水酸基で置換されてもよい炭素数１～４のアルキル基である。
また、本発明の好ましい添加剤は、テトラメチル尿素、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン、１，３－ジメチル－３，４，５，６－テトラヒドロ－２（１Ｈ）－ピリミジノン、１，３－ジメチル尿素、１，１，３，３－テトラエチル尿素、グアニル尿素リン酸塩、ジメチルイソブチルアミド、１，１－ジエチル尿素、Ｎ－エチルアセトアミド、クレアチン水和物、Ｎ－アセチルエチレンジアミンまたは２－アセトアミドエタノールであり、より好ましい添加剤は、テトラメチル尿素、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン、ジメチルイソブチルアミドまたはクレアチン水和物である。
本発明の研磨用組成物中、添加剤の濃度の下限は、１ｇ／Ｌ以上であることが好ましく、３ｇ／Ｌ以上であることがより好ましく、４ｇ／Ｌ以上であることがさらに好ましく、５ｇ／Ｌ以上であることがよりさらに好ましい。このような値であれば、本発明の所期の効果を効率よく奏することができる。また、本発明の研磨用組成物中、添加剤の濃度の上限は、２０ｇ／Ｌ以下であることが好ましく、１０ｇ／Ｌ以下であることがより好ましく、８ｇ／Ｌ以下であることがさらに好ましく、７ｇ／Ｌ以下であることがよりさらに好ましい。このような値であれば、本発明の所期の効果を効率よく奏することができる。
（ｐＨ調整剤）
本発明において、研磨用組成物のｐＨは、５．０以下である。ｐＨが５．０超であると、本発明の所期の効果を奏することができない。本発明において、研磨用組成物のｐＨは、５．０以下であればよいが、好ましくは４．６以下、より好ましくは４．３以下である。本発明の所期の効果を効率よく奏することができる。また、下限は特に制限はないが、好ましくは２．０以上であり、より好ましくは３．０以上であり、さらに好ましくは３．５以上である。その理由は、２．０以上であることによって研磨対象物（特には、ポリシリコン）の研磨速度が高くなるからである。
酸性の領域に調整するためのｐＨ調整剤の具体例としては、無機化合物および有機化合物のいずれであってもよいが、例えば、硫酸、硝酸、ホウ酸、炭酸、次亜リン酸、亜リン酸およびリン酸等の無機酸；クエン酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、安息香酸、サリチル酸、グリセリン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、マレイン酸、フタル酸、リンゴ酸、酒石酸、および乳酸などのカルボン酸、ならびにメタンスルホン酸、エタンスルホン酸およびイセチオン酸等の有機硫酸等の有機酸等が挙げられる。また、上記の酸で２価以上の酸（たとえば、硫酸、炭酸、リン酸、シュウ酸など）の場合、プロトン（Ｈ＋）が１つ以上放出できるようであれば、塩の状態でもよい。具体的には、例えば、炭酸水素アンモニウム、リン酸水素アンモニウム（カウンター陽イオンの種類は基本的に何でもよいが、弱塩基の陽イオン（アンモニウム、トリエタノールアミンなど）が好ましい）。なお、下がりすぎたｐＨを調整するため、塩基性の領域に調整するためのｐＨ調整剤を添加してもよい。
（研磨対象物）
シリコン窒化膜としては、ＳｉＮ（窒化ケイ素）、ＳｉＣＮ（炭窒化ケイ素）などが挙げられる。多結晶シリコンとしては、ポリシリコンが代表的である。酸化ケイ素膜としては、ＴＥＯＳ、メチル基を含有する酸化ケイ素、フッ素化酸化ケイ素（ＳｉＯＦ）などが挙げられる。
（研磨用組成物の製造方法）
本発明の研磨用組成物の製造方法は、前記砥粒と、前記分散媒と、前記添加剤とを混合することを有し、（研磨用組成物の）ｐＨが、５．０以下である、研磨用組成物を製造することができる方法であれば制限されない。例えば、前記砥粒と、前記添加剤と、必要に応じて他の成分とを、前記分散媒中で攪拌混合することにより得ることができる。
前記砥粒、前記分散媒、および前記添加剤の具体的な説明は、上記の説明が妥当する。また、他の成分としては、ｐＨ調整剤、酸化剤、還元剤、界面活性剤、水溶性高分子、防カビ剤等の成分が挙げられる。上記各成分の添加順、添加方法は特に制限されない。上記各成分を、一括してもしくは別々に、段階的にもしくは連続して加えてもよい。また、混合方法も特に制限されず、公知の方法を用いることができる。各成分を混合する際の温度は特に制限されないが、１０～４０℃が好ましく、溶解速度を上げるために加熱してもよい。また、混合時間も特に制限されず、例えば、５～６０分が好ましく、１０～３０分がより好ましい。加えて、上記研磨用組成物の製造方法は、ｐＨが５以下となるように、研磨用組成物のｐＨを測定し、調整することをさらに含んでいてもよい。
（研磨方法）
本発明においては、前記研磨用組成物を用いて、または前記製造方法によって研磨用組成物を得、当該研磨用組成物を用いて、研磨対象物を研磨する、研磨方法も提供される。
研磨装置としては、研磨対象物を有する基板等を保持するホルダーと回転数を変更可能なモータ等とが取り付けてあり、研磨パッド（研磨布）を貼り付け可能な研磨定盤を有する一般的な研磨装置を使用することができる。
前記研磨パッドとしては、一般的な不織布、ポリウレタン、および多孔質フッ素樹脂等を特に制限なく使用することができる。研磨パッドには、研磨用組成物が溜まるような溝加工が施されていることが好ましい。
研磨条件にも特に制限はなく、例えば、研磨定盤の回転速度は、１０～５００ｒｐｍが好ましく、キャリア回転速度は、１０～５００ｒｐｍが好ましく、研磨対象物を有する基板にかける圧力（研磨圧力）は、０．１～１０ｐｓｉが好ましい。研磨パッドに研磨用組成物を供給する方法も特に制限されず、例えば、ポンプ等で連続的に供給する方法が採用される。この供給量に制限はないが、研磨パッドの表面が常に本発明の研磨用組成物で覆われていることが好ましい。
（多結晶シリコンおよびシリコン窒化膜の研磨速度を向上し、かつ、酸化ケイ素膜の研磨速度を抑制する方法）
本発明においては、前記研磨用組成物を使って研磨することを有する、多結晶シリコンおよびシリコン窒化膜の研磨速度を向上し、かつ、酸化ケイ素膜の研磨速度を抑制する方法も提供される。前記研磨用組成物の具体的な説明は、上記の説明が妥当する。
（研磨速度）
本発明において、ポリシリコンの研磨速度（Å／ｍｉｎ）、ＳｉＮ（窒化ケイ素膜）の研磨速度（Å／ｍｉｎ）およびＴＥＯＳ（酸化ケイ素膜）の研磨速度（Å／ｍｉｎ）が、それぞれ、５００（Å／ｍｉｎ）以上、３００（Å／ｍｉｎ）以上、１００（Å／ｍｉｎ）以下であると好ましい。より好ましくは、それぞれ、９８０（Å／ｍｉｎ）以上、３７０（Å／ｍｉｎ）以上、３５（Å／ｍｉｎ）以下である。なお、上記各研磨速度は、実施例に記載の方法により測定された値である。
（選択比）
ＳｉＮ（窒化ケイ素膜）の研磨速度（Å／ｍｉｎ）からＴＥＯＳ（酸化ケイ素膜）の研磨速度（Å／ｍｉｎ）を除した値と、ポリシリコンの研磨速度（Å／ｍｉｎ）からＴＥＯＳ（酸化ケイ素膜）の研磨速度（Å／ｍｉｎ）を除した値と、ポリシリコンの研磨速度（Å／ｍｉｎ）からＳｉＮ（窒化ケイ素膜）の研磨速度（Å／ｍｉｎ）を除した値とを算出して、選択比とすると、本発明において、選択比（ＳｉＮ／ＴＥＯＳ）、選択比（Ｐｏｌｙ－Ｓｉ／ＴＥＯＳ）、選択比（Ｐｏｌｙ－Ｓｉ／ＳｉＮ）は、それぞれ、５．０以上、３．０以上、４．０以下が好ましく、１０以上、２５以上、２．１０以下であることがより好ましい。なお、上記選択比は、実施例に記載の方法により測定された各研磨速度に基づき決定される値である。
本発明を、以下の実施例および比較例を用いてさらに詳細に説明する。ただし、本発明の技術的範囲が以下の実施例のみに制限されるわけではない。また、下記実施例において、特記しない限り、操作は室温（２５℃）／相対湿度４０～５０％ＲＨの条件下で行われた。
＜研磨用組成物の製造＞
（実施例１）
研磨用組成物を、砥粒（スルホン酸固定コロイダルシリカ；平均一次粒子径：約１４ｎｍ、平均二次粒子径：約３２ｎｍ、Ｄ９０／Ｄ１０：約２．０と；ｐＨ調整剤として硫酸と；添加剤としてテトラメチル尿素と；を、砥粒濃度が３．０質量％となるように、テトラメチル尿素の濃度が６．００ｇ／Ｌとなるように、また、ｐＨが４．０となるように、分散媒（純水）中で混合することにより調製した（混合温度：約２５℃、混合時間：約１０分）。なお、実施例７、１６、１７の砥粒の平均二次粒子径は約６７ｎｍである。
なお、砥粒の平均一次粒子径は、マイクロメリテックス社製の“Ｆｌｏｗ ＳｏｒｂＩＩ ２３００”を用いて測定されたＢＥＴ法による砥粒の比表面積と、砥粒の密度とから算出した。
また、研磨用組成物（液温：２５℃）のｐＨは、ｐＨメータ（株式会社 堀場製作所製 型番：ＬＡＱＵＡ）により確認した。
また、研磨用組成物（液温：２５℃）の電気伝導度（［ｍＳ／ｃｍ］）は、株式会社堀場製作所製の電気伝導率計を用いて測定した。
（実施例２～１７、比較例１～１６）
砥粒の平均一次粒子径と、砥粒濃度と、添加剤の種類と、添加剤の濃度と、ｐＨ調整剤と、ｐＨとを、表１に示すように変更した以外は、実施例１と同様にして研磨用組成物を作製した。
＜研磨性能評価＞
研磨対象物として、
・２００ｍｍウェハ（Ｐｏｌｙ－Ｓｉ（ポリシリコン））、
・２００ｍｍウェハ（ＳｉＮ（窒化ケイ素膜））、
・２００ｍｍウェハ（ＴＥＯＳ（酸化ケイ素膜））、
を準備し、上記で得られた研磨用組成物を用いて、各ウェハを以下の研磨条件で研磨し、研磨速度を測定した。また選択比を算出した。
（研磨条件）
研磨機：２００ｍｍウェハ用ＣＭＰ片面研磨機
研磨パッド：ポリウレタン製パッド（ＩＣ１０１０：ロームアンドハース社製）
圧力：３ｐｓｉ（約２０．７ｋＰａ）
プラテン（定盤）回転数：９０ｒｐｍ
ヘッド（キャリア）回転数：８７ｒｐｍ
研磨用組成物の流量：１３０ｍｌ／ｍｉｎ
研磨時間：１分間。
（研磨速度）
研磨速度（研磨レート）は、以下の式により計算した。
Figure 0007153566000004
膜厚は、光干渉式膜厚測定装置（ケーエルエー・テンコール（ＫＬＡ）株式会社製 型番：ＡＳＥＴ）によって求めて、その差を研磨時間で除することにより評価した。結果を表１に示す。
Figure 0007153566000005
Figure 0007153566000006
Figure 0007153566000007
＜考察＞
上記結果のとおり、本発明の研磨用組成物によれば、本発明は、多結晶シリコンのみならず、シリコン窒化膜を高速で研磨し、かつ、酸化ケイ素膜の研磨速度を抑えることができていることが分かる。なお、上記のように、より好ましくは、ポリシリコンの研磨速度（Å／ｍｉｎ）、ＳｉＮ（窒化ケイ素膜）の研磨速度（Å／ｍｉｎ）およびＴＥＯＳ（酸化ケイ素膜）の研磨速度（Å／ｍｉｎ）が、それぞれ９８０（Å／ｍｉｎ）以上、３７０（Å／ｍｉｎ）以上、３５（Å／ｍｉｎ）以下であり、選択比（ＳｉＮ／ＴＥＯＳ）、選択比（Ｐｏｌｙ－Ｓｉ／ＴＥＯＳ）、選択比（Ｐｏｌｙ－Ｓｉ／ＳｉＮ）が、それぞれ、１０以上、２５以上、２．１０以下であるが、テトラメチル尿素（実施例１、１４～１６）、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン（実施例２）、ジメチルイソブチルアミド（実施例８）またはクレアチン水和物（実施例１１）は、これらの好ましい特性をバランスよく満たしており、特に好適であることが示唆される。
これに対し、比較例の研磨用組成物は、多結晶シリコンおよびシリコン窒化膜の少なくとも一方を高速で研磨することができず、さらに、組成によっては、酸化ケイ素膜の研磨速度も抑制することもできていない。より具体的には、比較例１～１１の添加剤は、本発明の特定の構造を有していないため、本発明の所期の効果を達成することができていない。また、添加剤を添加しなかった比較例１２は、多結晶シリコンおよびシリコン窒化膜の研磨速度がいずれも低速である。比較例１３、１４は、本発明の特定の構造を有する添加剤を添加しているが、ｐＨが５．０超であるため、本発明の所期の効果を達成することができていない。比較例１５、１６も、本発明の特定の構造を有する添加剤を添加しているが、砥粒の表面修飾がなされていないため、本発明の所期の効果を達成することができていない。
上記のとおり、本発明者らは、ＣＭＰの半導体製造における各工程への適用を検討する中で、多結晶シリコンのみならず、シリコン窒化膜を高速で研磨することが製造上好ましい場合があることを知見し、酸化ケイ素膜については、研磨速度を極力低くさせる方が製造上好ましい場合があることを知見したが、本発明においては、当該未知の課題を解決できた点で、画期的なものと言える。
また、一般的に要求が多くなるほど、すべてを満たす手段の提供は困難となるが、本発明は、（１）多結晶シリコンのみならず、（２）シリコン窒化膜を高速で研磨し、かつ、（３）酸化ケイ素膜の研磨速度を抑えるとの多くの要求に応えることができる点で画期的なものと言える。
本出願は、２０１７年１月１１日に出願された日本国特許出願第２０１７－００２６９５号に基づいており、その開示内容は、参照され、全体として組み入れられている。

Claims (11)

  1. 研磨対象物を研磨するために用いられる、砥粒と、分散媒と、添加剤とを含む、研磨用組成物であって、
    前記砥粒が、表面修飾されており、
    前記添加剤が、下記式１：
    Figure 0007153566000008
    上記式１中、
    Ｘ１が、ＯまたはＮＲ４であり、
    Ｘ２が、単結合またはＮＲ５であり、
    Ｒ１～Ｒ５が、それぞれ独立して、水素原子；水酸基；ニトロ基；ニトロソ基；カルボキシル基、アミノ基もしくは水酸基で置換されてもよい炭素数１～４のアルキル基；またはＣＯＮＨ２；である、ただし、
    Ｒ２と、Ｒ５とは環を形成してもよく；
    Ｘ２が単結合のとき、Ｒ３は水素原子ではなく、または、Ｒ１～Ｒ３がメチル基ではなく；
    Ｘ２がＮＲ５のときであって、Ｒ１～Ｒ３およびＲ５のうち３つが水素原子である場合、他の１つは水素原子またはメチル基ではない；
    で示され、
    ｐＨが、５．０以下であり、ただし、前記添加剤が、１，３－ジメチル－３，４，５，６－テトラヒドロ－２（１Ｈ）－ピリミジノン、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン、テトラメチル尿素、１，１，３，３－テトラエチル尿素、１，１－ジメチル尿素、Ｎ，Ｎ－ジエチルアセトアミド、１，１－ジエチル尿素、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、および、クレアチン水和物のいずれでもない、研磨用組成物。
  2. 前記式１中、
    Ｘ１が、Ｏであり、
    Ｘ２が、ＮＲ５であり、
    Ｒ１～Ｒ３およびＲ５の２つ以上が、カルボキシル基、アミノ基または水酸基で置換されてもよい炭素数１～４のアルキル基である、請求項１に記載の研磨用組成物。
  3. 前記式１中、
    Ｘ１が、ＮＨであり、
    Ｘ２が、ＮＲ５であり、
    Ｒ１～Ｒ３およびＲ５が、それぞれ独立して、水素原子；カルボキシル基、アミノ基もしくは水酸基で置換されてもよい炭素数１～４のアルキル基；または－ＣＯＮＨ２である、請求項１に記載の研磨用組成物。
  4. 前記式１中、
    Ｘ２が、単結合であり、
    Ｒ１～Ｒ３が、それぞれ独立して、水素原子、または、カルボキシル基、アミノ基もしくは水酸基で置換されてもよい炭素数１～４のアルキル基である、請求項１に記載の研磨用組成物。
  5. 前記式１中、
    Ｘ１が、ＯまたはＮＨであり、
    Ｘ２が、単結合またはＮＲ５であり、
    Ｒ１～Ｒ３およびＲ５が、それぞれ独立して、水素原子、または、カルボキシル基で置換されてもよい炭素数１～４のアルキル基である、請求項１に記載の研磨用組成物。
  6. 前記式１中、
    Ｘ１が、Ｏであり、
    Ｒ２と、Ｒ５とが環を形成し、
    Ｒ１およびＲ３が、それぞれ独立して、水素原子、または、カルボキシル基、アミノ基もしくは水酸基で置換されてもよい炭素数１～４のアルキル基である、請求項１に記載の研磨用組成物。
  7. 前記添加剤が、１，３－ジメチル尿素、グアニル尿素リン酸塩、ジメチルイソブチルアミド、Ｎ－エチルアセトアミド、Ｎ－アセチルエチレンジアミンまたは２－アセトアミドエタノールである、請求項１に記載の研磨用組成物。
  8. 前記添加剤が、ジメチルイソブチルアミドである、請求項１に記載の研磨用組成物。
  9. 酸化剤を含まない、請求項１～８のいずれかに記載の研磨用組成物。
  10. 研磨対象物を研磨するために用いられる、研磨用組成物の製造方法であって、
    砥粒と、分散媒と、添加剤とを混合することを有し、
    前記砥粒が、表面修飾されており、
    前記添加剤が、下記式１：
    Figure 0007153566000009
    上記式１中、
    Ｘ１が、ＯまたはＮＲ４であり、
    Ｘ２が、単結合またはＮＲ５であり、
    Ｒ１～Ｒ５が、それぞれ独立して、水素原子；水酸基；ニトロ基；ニトロソ基；カルボキシル基、アミノ基もしくは水酸基で置換されてもよい炭素数１～４のアルキル基；またはＣＯＮＨ２；である、ただし、
    Ｒ２と、Ｒ５とは環を形成してもよく；
    Ｘ２が単結合のとき、Ｒ３は水素原子ではなく、または、Ｒ１～Ｒ３がメチル基ではなく；
    Ｘ２がＮＲ５のときであって、Ｒ１～Ｒ３およびＲ５のうち３つが水素原子である場合、他の１つは水素原子またはメチル基ではない；
    で示され、
    ｐＨが、５．０以下であり、前記添加剤が、１，３－ジメチル－３，４，５，６－テトラヒドロ－２（１Ｈ）－ピリミジノン、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン、テトラメチル尿素、１，１，３，３－テトラエチル尿素、１，１－ジメチル尿素、Ｎ，Ｎ－ジエチルアセトアミド、１，１－ジエチル尿素、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、および、クレアチン水和物のいずれでもない、研磨用組成物の製造方法。
  11. 請求項１～９のいずれか１項に記載の研磨用組成物を用いて、または
    請求項１０に記載の製造方法によって研磨用組成物を得、当該研磨用組成物を用いて、研磨対象物を研磨する、研磨方法。
JP2018561856A 2017-01-11 2017-12-07 研磨用組成物 Active JP7153566B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022068295A JP7331191B2 (ja) 2017-01-11 2022-04-18 研磨用組成物

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017002695 2017-01-11
JP2017002695 2017-01-11
PCT/JP2017/044018 WO2018131341A1 (ja) 2017-01-11 2017-12-07 研磨用組成物

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022068295A Division JP7331191B2 (ja) 2017-01-11 2022-04-18 研磨用組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2018131341A1 JPWO2018131341A1 (ja) 2019-11-07
JP7153566B2 true JP7153566B2 (ja) 2022-10-14

Family

ID=62840149

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018561856A Active JP7153566B2 (ja) 2017-01-11 2017-12-07 研磨用組成物
JP2022068295A Active JP7331191B2 (ja) 2017-01-11 2022-04-18 研磨用組成物

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022068295A Active JP7331191B2 (ja) 2017-01-11 2022-04-18 研磨用組成物

Country Status (4)

Country Link
US (2) US10907073B2 (ja)
JP (2) JP7153566B2 (ja)
TW (2) TWI749127B (ja)
WO (1) WO2018131341A1 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6935140B2 (ja) * 2017-12-28 2021-09-15 花王株式会社 研磨液組成物
CN112602169A (zh) * 2018-08-27 2021-04-02 弗萨姆材料美国有限责任公司 在含硅表面上的选择性沉积
TWI743989B (zh) * 2019-11-15 2021-10-21 日商Ｊｓｒ股份有限公司 化學機械研磨用組成物以及化學機械研磨方法
JP7409918B2 (ja) * 2020-03-13 2024-01-09 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法、研磨方法および半導体基板の製造方法
WO2022065022A1 (ja) * 2020-09-24 2022-03-31 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物およびその利用
KR102495776B1 (ko) * 2020-12-10 2023-02-06 (주)제이아이테크 수소-규소 결합의 안정성 개선을 위한 첨가제

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001207170A (ja) 2000-01-25 2001-07-31 Nec Corp 防食剤
WO2008013226A1 (fr) 2006-07-28 2008-01-31 Showa Denko K.K. Composition de polissage
JP2008546214A (ja) 2005-06-06 2008-12-18 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 集積された化学機械研磨組成物および単一プラテン処理のためのプロセス
WO2009096495A1 (ja) 2008-02-01 2009-08-06 Fujimi Incorporated 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法
JP2015193714A (ja) 2014-03-31 2015-11-05 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JP2016069465A (ja) 2014-09-29 2016-05-09 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及びその製造方法並びに研磨方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3339575B2 (ja) * 2000-01-25 2002-10-28 日本電気株式会社 剥離剤組成物および剥離方法
JP4521058B2 (ja) * 2008-03-24 2010-08-11 株式会社Ａｄｅｋａ 表面改質コロイダルシリカおよびこれを含有するｃｍｐ用研磨組成物
JP5614498B2 (ja) * 2011-04-26 2014-10-29 旭硝子株式会社 非酸化物単結晶基板の研磨方法
WO2012165376A1 (ja) * 2011-06-03 2012-12-06 旭硝子株式会社 研磨剤および研磨方法
JP5927806B2 (ja) 2011-08-16 2016-06-01 Jsr株式会社 化学機械研磨用水系分散体およびそれを用いた化学機械研磨方法
WO2013035539A1 (ja) * 2011-09-05 2013-03-14 旭硝子株式会社 研磨剤および研磨方法
DE112012004193T5 (de) * 2011-10-07 2014-07-03 Asahi Glass Co., Ltd. Siliziumcarbid-Einkristallsubstrat und Polierlösung
JP2015113357A (ja) * 2013-12-09 2015-06-22 旭硝子株式会社 研磨用組成物および研磨方法
JP2015115360A (ja) * 2013-12-09 2015-06-22 旭硝子株式会社 研磨用組成物および研磨方法
JP5854160B2 (ja) 2014-03-27 2016-02-09 凸版印刷株式会社 詰替え用包装袋及びその製造方法
CN107533967A (zh) 2015-03-30 2018-01-02 福吉米株式会社 研磨用组合物

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001207170A (ja) 2000-01-25 2001-07-31 Nec Corp 防食剤
JP2008546214A (ja) 2005-06-06 2008-12-18 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 集積された化学機械研磨組成物および単一プラテン処理のためのプロセス
WO2008013226A1 (fr) 2006-07-28 2008-01-31 Showa Denko K.K. Composition de polissage
WO2009096495A1 (ja) 2008-02-01 2009-08-06 Fujimi Incorporated 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法
JP2015193714A (ja) 2014-03-31 2015-11-05 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JP2016069465A (ja) 2014-09-29 2016-05-09 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及びその製造方法並びに研磨方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20210071036A1 (en) 2021-03-11
US20190352536A1 (en) 2019-11-21
JP2022109944A (ja) 2022-07-28
US11447660B2 (en) 2022-09-20
JP7331191B2 (ja) 2023-08-22
US10907073B2 (en) 2021-02-02
TW202204547A (zh) 2022-02-01
TWI826834B (zh) 2023-12-21
TWI749127B (zh) 2021-12-11
JPWO2018131341A1 (ja) 2019-11-07
WO2018131341A1 (ja) 2018-07-19
TW201831642A (zh) 2018-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7331191B2 (ja) 研磨用組成物
KR101243331B1 (ko) 화학 기계적 연마 슬러리 조성물 및 이를 이용하는 반도체 소자의 제조 방법
TWI779169B (zh) 研磨用組合物
JP2000160139A (ja) 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
KR102649656B1 (ko) 연마용 조성물
US10851267B2 (en) Polishing composition
WO2017169808A1 (ja) 研磨用組成物
JP7152168B2 (ja) 研磨用組成物
KR20170007253A (ko) Cmp 연마제 및 그 제조 방법, 그리고 기판의 연마 방법
TW201738338A (zh) 研磨用組合物
US10414019B2 (en) Polishing composition
TW202142667A (zh) 研磨方法及半導體基板之製造方法
WO2014119301A1 (ja) 表面選択性研磨組成物
CN112500798A (zh) 研磨用组合物、研磨用组合物的制造方法、研磨方法及半导体基板的制造方法
JP2016157913A (ja) 研磨用組成物
JP7133401B2 (ja) 研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法、研磨方法および半導体基板の製造方法
TWI734803B (zh) 研磨用組成物之製造方法及研磨方法
KR102533083B1 (ko) 다결정실리콘을 함유하는 웨이퍼의 연마 슬러리 조성물
JP7261630B2 (ja) 研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法、研磨方法、および半導体基板の製造方法
JP6916192B2 (ja) 研磨用組成物、ならびにこれを用いた研磨方法および半導体基板の製造方法
WO2016132951A1 (ja) 研磨用組成物
WO2016136342A1 (ja) 研磨用組成物
TW202342666A (zh) 研磨用組合物、研磨方法及半導體基板的製造方法
WO2016132952A1 (ja) 研磨用組成物

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20201113

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20211221

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20220202

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220418

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220517

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220707

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220920

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20221003

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7153566

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150