JP7108527B2 - 解析装置及び画像生成方法 - Google Patents

解析装置及び画像生成方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7108527B2
JP7108527B2 JP2018230769A JP2018230769A JP7108527B2 JP 7108527 B2 JP7108527 B2 JP 7108527B2 JP 2018230769 A JP2018230769 A JP 2018230769A JP 2018230769 A JP2018230769 A JP 2018230769A JP 7108527 B2 JP7108527 B2 JP 7108527B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
image
needle trace
needle
inspection
scatter diagram
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018230769A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2020096007A (ja
Inventor
伸 内田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2018230769A priority Critical patent/JP7108527B2/ja
Priority to US17/312,203 priority patent/US11428712B2/en
Priority to KR1020217020768A priority patent/KR20210099089A/ko
Priority to PCT/JP2019/046565 priority patent/WO2020121825A1/ja
Priority to CN201980079096.6A priority patent/CN113169087B/zh
Publication of JP2020096007A publication Critical patent/JP2020096007A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7108527B2 publication Critical patent/JP7108527B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G01R1/06733—Geometry aspects
    • G01R1/0675—Needle-like
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/025—General constructional details concerning dedicated user interfaces, e.g. GUI, or dedicated keyboards
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
    • G01R31/2868—Complete testing stations; systems; procedures; software aspects
    • G01R31/287—Procedures; Software aspects
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004—Industrial image inspection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
    • G01N2021/8887—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges based on image processing techniques
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07342—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being at an angle other than perpendicular to test object, e.g. probe card
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • G01R31/2891—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks related to sensing or controlling of force, position, temperature
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/302—Contactless testing
    • G01R31/308—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30108—Industrial image inspection
    • G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Description

本開示は、解析装置及び画像生成方法に関する。
特許文献１には、電極パッドを含む被検査体の電気的特性を検査する際に当該電極パッド上に形成される針跡を読み取るための針跡読取装置が開示されている。この針跡読取装置は、電極パッドを撮像し、撮像により得られる画像を出力する撮像手段と、撮像手段から受け取った画像を保存する保存手段と、保存手段に保存された画像に基づき、当該画像に含まれる針跡の良否を判定する針跡検査手段とを有する。
特開２００５－４５１９４号公報
本開示にかかる技術は、被検査体に形成された電極に形成される針跡に基づく詳細な解析を簡単に行うことができるようにする。
本開示の一態様は、被検査体の検査の結果を解析するための解析装置であって、前記被検査体は、電気的検査時にプローブが接触することにより針跡が形成される電極をそれぞれ有する被検査デバイスが複数形成され、前記解析装置は、画像を表示する表示部と、前記表示部に表示する画像を生成する画像生成部と、を有し、前記画像生成部は、前記針跡についての検査結果に関する情報に基づいて解析用画像を生成し、前記解析用画像は、前記被検査デバイスそれぞれの、前記電極に対する前記針跡の位置を、重ねて示す針跡散布図画像と、前記被検査体の前記被検査デバイスの形成面を示した画像であって、前記被検査デバイスそれぞれと対応する位置に、当該被検査デバイスについての針跡検査結果が示された被検査体マップ画像と、前記電極の撮像画像と、を有し、前記針跡散布図画像、前記被検査体マップ画像及び前記撮像画像それぞれの表示内容は互いに連動している。
本開示によれば、被検査体に形成された電極に形成される針跡に基づく詳細な解析を簡単に行うことができる。
本実施形態にかかる解析装置を備える監視システムの構成の概略を示す図である。 検査装置の構成の概略を示す上面横断面図である。 検査装置の構成の概略を示す正面縦断面図である。 検査装置の分割領域内の構成を示す正面縦断面図である。 図４の部分拡大図である。 解析装置の構成の概略を示す図である。 ユーザインタフェース画像の一例を示す図である。 図７の部分拡大図であり、針跡散布図画像の一例を示している。 図７の部分拡大図であり、ウェハマップ画像の一例を示している。 画像生成部による画像生成処理の一例を説明するためのフローチャートである。 ユーザインタフェース画像の他の例を示す図である。
半導体製造プロセスでは、所定の回路パターンを持つ多数の電子デバイスが半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）上に形成される。形成された電子デバイスは、電気的特性検査等の検査が行われ、良品と不良品とに選別される。電子デバイスの検査は、例えば、各電子デバイスが分割される前のウェハの状態で、検査装置を用いて行われる。
プローバ等と称される電子デバイスの検査装置には、電気的特性検査時に電子デバイスに接触するプローブを有するプローブカードが設けられている。電気的特性検査では、プローブカードに設けられた各プローブが、電子デバイス上に設けられた電極（例えば電極パッド）に接触するように電極と位置合わせされ、その後、プローブカードと電子デバイスとが近づけられる。そして、各電極にプローブが接触した状態で、各プローブを介して電子デバイスに電気信号が供給され、各プローブを介して電子デバイスから出力された電気信号に基づいて、当該電子デバイスが不良品か否か判断される。
上述のように電気的特性検査時にプローブが電極に接触すると、当該電極に針跡が生じる。電気的特性検査に際し、当該電気的特性検査時にプローブが電極に適切に接触したかを判別すること等を目的として、上述の針跡の状態も検査される。
特許文献１では、電極パッドを撮像し、撮像により得られる画像に基づき、当該画像に含まれる針跡の良否を判定している。
ところで、針跡の良否の判定結果等の針跡検査結果を電極パッド毎に単に取得するだけでは、針跡に関する解析結果として不十分な場合がある。例えば、電気的検査時に、ウェハ上の多数の電子デバイスにプローブカード上のプローブを一括接触させ、電子デバイスの一括検査を行う際、ウェハ面内における針跡状態の判定結果の傾向の情報等が必要となる場合がある。特許文献１のようにして撮像した結果や針跡の状態の良否判定の結果を順次表示すること等により、針跡状態判定結果のウェハ面内での傾向の情報を取得することも可能と思われるが長時間を要し困難である。
そこで、本開示にかかる技術は、被検査体に形成された電極に形成される針跡に基づくより詳細な解析を、簡単に行うことができるようにする。
以下、本実施形態にかかる解析装置及び画像生成方法を、図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
図１は、本実施形態にかかる解析装置を備える監視システム１の構成の概略を示す図である。
図１の監視システム１は、検査装置２を監視するものであり、検査装置２と解析装置３とを有する。監視システム１において、検査装置２と解析装置３とは、ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）やインターネットといったネットワークを介して接続されている。なお、説明の簡略化のため、図の例では、１台の解析装置３に対して、１台の検査装置２が接続されているが、複数の検査装置２が接続されていてもよい。
図２及び図３はそれぞれ、検査装置２の構成の概略を示す上面横断面図及び正面縦断面図である。図４は、図２及び図３の検査装置の分割領域１３ａ内の構成を示す正面縦断面図である。図５は、図４の部分拡大図である。なお、後述の下カメラについては、図５のみに図示している。
検査装置２は、図２及び図３に示すように、筐体１０を有し、該筐体１０には、搬入出領域１１、搬送領域１２、検査領域１３が設けられている。搬入出領域１１は、検査装置２に対して被検査体としてのウェハＷの搬入出が行われる領域である。搬送領域１２は、搬入出領域１１と検査領域１３とを接続する領域である。また、検査領域１３は、ウェハＷに形成された被検査デバイスとしての電子デバイスの電気的特性の検査や、電気的特性の検査時に電子デバイスの電極に形成される針跡についての針跡検査が行われる領域である。
搬入出領域１１には、複数のウェハＷを収容したカセットＣを受け入れるポート２０、プローブカードを収容するローダ２１、検査装置２の各構成要素を制御する制御部２２が設けられている。制御部２２は、例えばＣＰＵやメモリ等を備えたコンピュータにより構成される。
搬送領域１２には、ウェハＷ等を保持した状態で自在に移動可能な搬送装置３０が配置されている。この搬送装置３０は、搬入出領域１１のポート２０内のカセットＣと、検査領域１３との間でウェハＷの搬送を行う。また、搬送装置３０は、検査領域１３内の後述のポゴフレームに固定されたプローブカードのうちメンテナンスを必要とするものを搬入出領域１１のローダ２１へ搬送する。さらに、搬送装置３０は、新規な又はメンテナンス済みのプローブカードをローダ２１から検査領域１３内の上記ポゴフレームへ搬送する。
検査領域１３は、テスタ４０が複数設けられている。具体的には、検査領域１３は、図３に示すように、鉛直方向に３つに分割され、各分割領域１３ａには、水平方向（図のＸ方向）に配列された４つのテスタ４０からなるテスタ列が設けられている。以下では、各テスタ４０が設けられた空間をそれぞれステージということがある。また、各分割領域１３ａには、１つの位置合わせ部５０と、１つの上カメラ６０が設けられている。なお、テスタ４０、位置合わせ部５０、上カメラ６０の数や配置は任意に選択できる。
テスタ４０は、電気的特性検査用の電気信号をウェハＷとの間で送受するものである。
位置合わせ部５０は、ウェハＷが載置され、当該載置されたウェハＷと、テスタ４０の下方に配設されるプローブカードとの位置合わせ（アライメント）を行うものであり、テスタ４０の下方の領域内を移動自在に設けられている。
上カメラ６０は、当該上カメラ６０の下方に位置するウェハＷの上面を撮像する。具体的には、上カメラ６０は、ウェハＷの上面に形成された、電子デバイスの電極としての電極パッド等を撮像する。上カメラ６０での撮像結果は、検査装置２において、例えば、後述するように、針跡検査に用いられる。また、上カメラ６０での撮像結果は、テスタ４０の下方に配設されたプローブカードと位置合わせ部５０に載置されたウェハＷとの位置合わせに用いられる。また、上カメラ６０は、水平に移動可能に構成されており、そのため、例えば、針跡検査や上記位置合わせの際は、当該上カメラ６０が設けられた分割領域１３ａ内の各テスタ４０の前に位置することができる。
上述のように構成される検査装置２では、搬送装置３０が一のテスタ４０へ向けてウェハＷを搬送している間に、他のテスタ４０は他のウェハＷに形成された電子デバイスの電気的特性の検査を行うことができる。
続いて、テスタ４０と位置合わせ部５０に関わる構成について説明する。
テスタ４０は、図４及び図５に示すように、水平に設けられたテスタマザーボード４１を底部に有する。テスタマザーボード４１には、不図示の複数の検査回路基板が立設状態で装着されている。また、テスタマザーボード４１の底面には複数の電極が設けられている。
さらに、テスタ４０の下方には、ポゴフレーム７０とプローブカード８０とがそれぞれ上側からこの順で設けられている。
ポゴフレーム７０は、プローブカード８０を支持すると共に、当該プローブカード８０とテスタ４０（具体的にはテスタマザーボード４１の底面の電極）とを電気的に接続するものであり、テスタ４０とプローブカード８０との間に位置するように配設されている。
ポゴフレーム７０の下面には、プローブカード８０が、所定の位置に位置合わせされた状態で真空吸着により保持される。
また、ポゴフレーム７０の下面には、プローブカード８０の取り付け位置を囲繞するように、鉛直下方に延出するベローズ７１が取り付けられている。ベローズ７１は、後述のチャックトップ上のウェハＷをプローブカード８０のプローブに接触させた状態で、プローブカード８０とウェハＷを含む密閉空間を形成するためのものである。
プローブカード８０は、円板状のカード本体８１を有し、さらに、カード本体８１の下面から下方へ向けて延びる針状の端子であるプローブ８２を複数有する。ウェハＷに形成された複数の同種の電子デバイスの電気的特性検査時には、複数の電子デバイスそれぞれが有する複数の電極パッドに対して、複数のプローブ８２が一括して接触する。各プローブ８２を介して、テスタマザーボード４１とウェハＷ上の各電子デバイスとの間で、検査にかかる電気信号が送受される。
位置合わせ部５０は、ウェハＷが載置されると共に該載置されたウェハＷを吸着等により保持するチャックトップ５１を載置可能に構成されている。
また、位置合わせ部５０は、アライナ５２を有する。アライナ５２は、ウェハＷが載置されたチャックトップ５１を真空吸着等により保持可能に構成されると共に、電気的特性検査に際しチャックトップ５１に載置されたウェハＷとプローブ８２との位置調整を行う位置調整機構である。このアライナ５２は、チャックトップ５１を保持した状態で、上下方向（図のＺ方向）、前後方向（図のＹ方向）及び左右方向（図のＸ方向）に移動可能に構成されている。
アライナ５２を移動させることにより、チャックトップ５１上のウェハＷとプローブカード８０のプローブ８２とを位置合わせし、プローブカード８０とウェハＷを含む密閉空間をベローズ７１等によって形成することができる。その密閉空間をバキューム機構（図示せず）により真空引きし、アライナ５２によるチャックトップ５１の保持を解除し、アライナ５２を下方に移動させると、チャックトップ５１がアライナ５２から分離され、ポゴフレーム７０側に吸着される。この状態で電気的特性検査が行われる。
さらに、位置合わせ部５０には、下カメラ５３が設けられている。下カメラ５３は、プローブカード８０のプローブ８２とウェハＷとを接触させる前に、当該下カメラ５３の上方に位置するプローブ８２を撮像する。この撮像結果は、検査装置２では、例えば、撮像したプローブ８２と位置合わせ部５０に載置されたウェハＷとの位置合わせに用いられる。
上述のテスタ４０と位置合わせ部５０を有する検査装置２では、電気的特性検査後に、上カメラ６０での撮像結果に基づく針跡検査が、例えば制御部２２により行われる。針跡検査では、電極パッド毎に、上カメラ６０による撮像画像に基づいて、針跡の大きさ（具体的には針跡の幅）や、電極パッドに対する針跡の位置（具体的には針跡の重心位置）が取得され、その取得結果に基づいて針跡の状態が判定される。この針跡検査は、ウェハＷに形成された複数の電子デバイスの一部または全部について行われ、以下の説明では一部について行われるものとする。また、針跡検査は、検査対象の電子デバイスの全ての電極パッドそれぞれに対し行われる。なお、各電子デバイスに形成されている複数の電極パッドの形状は、電極パッド間で共通であってもよく、互いに異なってもよい。
検査装置２は、電極パッドそれぞれの針跡状態の判定結果の情報を含む、針跡検査結果に関する情報（以下、「針跡検査結果情報」）をウェハＷ毎に取得し、ネットワークを介して解析装置３に出力する。針跡検査結果情報には、電極パッド毎の針跡状態の判定結果の情報の他、電極パッドに対する針跡の位置情報、上記判定結果が得られた電極パッドの位置情報、上記判定結果が得られた電極パッドの撮像画像、当該撮像画像の識別情報等が含まれる。
図６は、解析装置３の構成の概略を示す図である。
解析装置３は、表示部９１と操作部９２と制御部９３とを有する。
表示部９１は、各種画像を表示するものであって、例えば、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ等から構成されている。
操作部９２は、ユーザから操作入力がなされる部分であり、例えば、キーボードやマウス等から構成される。
制御部９３は、例えばＣＰＵやメモリ等を備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、解析装置３における処理を制御するプログラムが格納されている。また、後述の画像生成処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、当該記憶媒体から制御部９３にインストールされたものであってもよい。
制御部９３は、表示部９１に表示する画像を生成する画像生成部９３ａを有する。
画像生成部９３ａは、検査装置２からの針跡検査結果情報に基づいて、検査装置２での検査結果を解析するための画像（以下、「解析用画像」）を生成する。画像生成部９３ａが有する解析用画像生成機能は、例えばオブジェクト指向プログラミング言語で記述されたプログラムの指示に従ったＣＰＵの処理によって、画像生成部９３ａ（具体的には制御部９３）に実装される。
また、画像生成部９３ａは、解析用画像を、当該解析用画像を含むユーザインタフェース画像（以下、「ＵＩ画像」という。）として生成することができる。
図７は、画像生成部９３ａが生成するＵＩ画像の一例を示す図である。図８及び図９は、図７のＵＩ画像の部分拡大図である。なお、ウェハＷには、５列以上に跨って電子デバイスが形成されるが、図の例は、ウェハＷに形成された電子デバイスのうち５列の電子デバイスに対し針跡検査が行われたときのＵＩ画像である。また、以下の説明では、１つの電子デバイスに１２個の電極パッド（第１～第１２電極パッド）が形成されているものとする。
図７のＵＩ画像Ｕは、針跡散布図画像Ｉ１と、被検査体マップ画像としてのウェハマップ画像Ｉ２と、撮像画像Ｉ３と、文字情報表示領域ＩＲ４とを有する。
針跡散布図画像Ｉ１は、検査対象のウェハＷの電子デバイスそれぞれにおける、特定の電極パッドに対する針跡の位置を重ねて示す画像である。図の例の針跡散布図画像Ｉ１は、１２個の電極パッドのうちの第１電極パッドに対する針跡の位置を灰色の「●」で示している。なお、上記針跡の位置とは、具体的には、針跡の重心位置である。また、針跡散布図画像Ｉ１には、図８に示すように、所定方向（電極パッドの幅方向及び長さ方向）に関する電極パッドの中心からの距離をμｍオーダーで示す目盛線ＩＬ１が示されている。さらに、針跡散布図画像Ｉ１には、針跡の状態が良好と判断され得る領域ＩＲ１が他の領域と識別可能に色付けされて示されている。
さらにまた、針跡散布図画像Ｉ１は、当該針跡散布図画像Ｉ１に示された針跡位置の一部について特別表示を行う。具体的には、針跡散布図画像Ｉ１は、当該針跡散布図画像Ｉ１に示された１つの針跡位置に、十字マーカーＩＭ１を重ねて表示する特別表示を行っている。なお、特別表示は、この方法に限られず、例えば、特別表示する針跡位置と他の針跡位置が色で区別されるような表示を特別表示として行うようにしてもよい。
ウェハマップ画像Ｉ２は、ウェハの電子デバイス形成面を模式的に示した画像であって、電子デバイスそれぞれと対応する部分に、当該電子デバイスの上記特定の電極パッドについての針跡状態判定結果を示す。図９のウェハマップ画像Ｉ２において、色付けされた１つの四角形が、針跡検査が行われた電子デバイスを意味する。また、図９のウェハマップ画像Ｉ２は、１２個の電極パッドのうちの第１電極パッドに対する針跡の状態判定結果を、Ａ＋、Ａ－、Ｂ＋、Ｂ－、Ｃ＋、Ｃ－、ＦＡＩＬの７段階で示し、且つ、上記針跡状態判定結果を色で示している。なお、ウェハマップ画像Ｉ２の外側左下に設けられた対応情報表示領域ＩＲ２には、針跡状態判定結果と色との対応関係が示されている。
また、図の例のウェハマップ画像Ｉ２は、所定方向（例えば、電極パッドの幅方向（Ｘ方向））に関する針跡の大きさについての状態判定結果を示している。ウェハマップ画像Ｉ２の外側上方右側に設けられた切替メニューＩＭ２は、表示対象の状態判定結果の種類を切り替えるためのものである。例えば、この切替メニューＩＭ２をユーザが操作すると、ウェハマップ画像Ｉ２における状態判定結果が、電極パッドの幅方向に関する針跡の大きさについてのものから、電極パッドの長さ方向に関する針跡の大きさについてのものへ切り替えられる。
さらにウェハマップ画像Ｉ２は、当該ウェハマップ画像Ｉ２に示された電子デバイスに対応する部分の一部について特別表示を行う。具体的には、ウェハマップ画像Ｉ２は、当該ウェハマップ画像Ｉ２に示された１つの電子デバイスに対応する部分について、黒太枠線ＩＬ２を重ねて表示する特別表示を行う。なお、特別表示は、この方法に限られず、例えば、特別表示対象の電子デバイスに対応する部分を指す矢印の画像を表示するようにしてもよい。
撮像画像Ｉ３は、電極パッドＩＰ３を撮像することにより取得された画像である。電気的特性検査が適切に行われた場合、撮像画像Ｉ３が示す電極パッドＩＰ３には針跡ＩＮ３が形成される。
文字情報表示領域ＩＲ４は、針跡に関する情報及び電極パッドに関する情報等を文字情報で示す領域である。なお、本例では、文字情報表示領域ＩＲ４には、針跡に関する情報及び電極パッドに関する情報の両方が表示されるが、いずれか一方のみが表示されてもよい。
文字情報表示領域ＩＲ４には、針跡に関する情報として、針跡の面積、幅及び長さの情報や、針跡の幅方向（Ｘ方向）位置の情報や、針跡の長さ方向（Ｙ方向）位置の情報が表示される。また、文字情報表示領域ＩＲ４には、電極パッドに関する情報として、例えば、電極パッドの面積、幅及び長さの情報や、電子デバイス１つ当たりの電極パッドの数の情報が含まれる。この文字情報表示領域ＩＲ４には、さらに、表示対象のウェハＷに対し検査時に用いられた、ステージ（テスタ４０が設けられた空間）やアライナ５２の識別情報を表示してもよいし、撮像画像Ｉ３として示されている画像の識別情報を表示してもよい。
なお、ＵＩ画像Ｕにおいて、ウェハマップ画像Ｉ２の外側下方に設けられたスクロールバーＢは、電子デバイスに形成された第１～第１２電極パッドから、針跡検査結果の表示対象の電極パッドを選択するためのものである。
そして、上述のように構成されるＵＩ画像Ｕでは、針跡散布図画像Ｉ１、ウェハマップ画像Ｉ２、撮像画像Ｉ３及び文字情報表示領域ＩＲ４のそれぞれの表示内容は互いに連動している。具体的には、針跡散布図画像Ｉ１で特別表示する内容と、ウェハマップ画像Ｉ２が特別表示する内容と、撮像画像Ｉ３が表示する内容と、文字情報表示領域ＩＲ４に表示される内容とは互いに連動している。
例えば、針跡散布図画像Ｉ１に「●」で示された針跡の位置に対するユーザからの選択操作が、操作部９２を介して入力されると、画像生成部９３ａは以下の内容Ａ１～Ａ４を含むＵＩ画像Ｕを生成する。
（Ａ１）***作部分に対応する針跡すなわちユーザにより選択された針跡の位置を特別表示した針跡散布図画像Ｉ１
（Ａ２）針跡散布図画像Ｉ１に特別表示された針跡が形成された電極パッドを有する電子デバイス（に対応する部分）を特別表示したウェハマップ画像Ｉ２
（Ａ３）針跡散布図画像Ｉ１に特別表示された針跡が形成された電極パッドを示した撮像画像Ｉ３
（Ａ４）針跡散布図画像Ｉ１に特別表示された針跡に関する情報及び当該針跡が形成された電極パッドに関する情報を表示した文字情報表示領域ＩＲ４
また、例えば、ウェハマップ画像Ｉ２に四角で示された電子デバイスの表示部分に対するユーザからの選択操作が、操作部９２を介して入力されると、画像生成部９３ａは以下の内容Ｂ１～Ｂ４を含むＵＩ画像Ｕを生成する。
（Ｂ１）***作部分に対応する電子デバイスすなわちユーザにより選択された電子デバイス（に対応する部分）を特別表示したウェハマップ画像Ｉ２
（Ｂ２）ウェハマップ画像Ｉ２に特別表示された電子デバイスが有する、表示対象の電極パッドに形成された針跡の位置を特別表示した針跡散布図画像Ｉ１
（Ｂ３）ウェハマップ画像Ｉ２に特別表示された電子デバイスが有する、表示対象の電極パッドを示した撮像画像Ｉ３
（Ｂ４）ウェハマップ画像に特別表示された電子デバイスが有する、表示対象の電極パッドに関する情報及び当該電極パッドに形成された針跡の情報を表示した文字情報表示領域ＩＲ４
また、ＵＩ画像Ｕは、言い換えると、以下の内容Ｃ１～Ｃ４を含むものである。
（Ｃ１）ユーザにより選択された電子デバイスの表示対象の電極パッドを示す撮像画像Ｉ３
（Ｃ２）撮像画像Ｉ３に示された電極パッドに形成された針跡の位置を特別表示した針跡散布図画像Ｉ１
（Ｃ３）ユーザにより選択された電子デバイス（に対応する部分）を特別表示したウェハマップ画像Ｉ２
（Ｃ４）ユーザにより選択された電子デバイスが有する、表示対象の電極パッドに関する情報及び当該電極パッドに形成された針跡の情報を表示した文字情報表示領域ＩＲ４
続いて、画像生成部９３ａによる画像生成処理の一例について説明する。図１０は、画像生成部９３ａによる画像生成処理の一例を説明するためのフローチャートである。
検査装置２での検査結果の解析ためのアプリケーション（以下、「解析用アプリケーション」という。）が起動されると（ステップＳ１）、画像生成部９３ａは、解析条件ファイルを作成する（ステップＳ２）。解析条件ファイルには、例えば、解析装置３内において針跡検査結果情報が記憶されている場所の情報や、針跡状態判定結果と色との対応関係を示す情報等が記載されている。
針跡検査結果情報はウェハＷ毎に取得されるところ、画像生成部９３ａは、例えば、上記解析アプリケーションの起動時にユーザに選択されたウェハＷについての解析条件をロードし、すなわち、上記解析条件を不図示のメモリ上に展開する（ステップＳ３）。
そして、画像生成部９３ａは、例えば、上記ユーザに選択されたウェハＷについての針跡検査結果情報を読み込み、所定の情報を情報解析クラスに格納する（ステップＳ４）。
次に、画像生成部９３ａは、情報解析クラスに含まれる所定のメソッドを実行し、情報解析クラス内の所定の情報を、ＰＡＤＳデータクラスに格納する（ステップＳ５）。
続いて、ＰＡＤＳデータクラスに含まれる、表示条件に応じたメソッドが実行される。これにより、画像生成部９３ａは、ＰＡＤＳデータクラス内の表示条件に一致した情報を、ＵＩ画像Ｕを生成するための各コントロールデータクラスに格納する（ステップＳ６）。上記各コントロールデータクラスには、針跡散布図画像Ｉ１を描画するためのコントロールデータクラス、ウェハマップ画像Ｉ２を描画成像稿定結果画像針跡散布図画像に示されユーザ選択された前記針跡をするためのコントロールデータクラス、撮像画像Ｉ３を描画するためのコントロールデータクラス、文字情報表示領域ＩＲ４を描画するためのコントロールデータクラス等が含まれる。また、上述の表示条件とは、例えば、以下の（ｉ）～（ｉｖ）等を指定する条件である。
（ｉ）針跡散布図画像Ｉ１に対する操作等により選択される、針跡検査結果の表示対象の針跡
（ｉｉ）ウェハマップ画像Ｉ２に対する操作等により選択される、針跡検査結果の表示対象の電子デバイス
（ｉｉｉ）切替メニューＩＭ２に対する操作等により選択される、状態判定結果の種類（具体的には、幅方向の大きさに係る状態判定結果と長さ方向の大きさに係る状態判定結果のいずれにするか）
（ｉｖ）スクロールバーＢに対する操作等により選択される、針跡検査結果の表示対象の電極パッド
次いで、各コントロールデータクラスに含まれる所定のメソッドが実行されると共に、ＵＩ画像Ｕを描画するプログラム（描画オブジェクトとしての針跡散布図画像Ｉ１、ウェハマップ画像Ｉ２等を生成するプログラムを含む）が実行される。これにより、画像生成部９３ａは、各コントロールデータクラスに含まれる上記所定のメソッドの実行結果と各コントロールデータクラスに含まれる情報と解析条件ファイルに含まれる解析条件とに基づいてＵＩ画像Ｕを生成する（ステップＳ７）。生成されたＵＩ画像Ｕは、強調表示を行った針跡散布図画像Ｉ１及びウェハマップ画像Ｉ２と撮像画像Ｉ３と文字情報表示領域ＩＲ４とを含み、表示部９１に表示される。
このように各描画オブジェクト（コントロール）に対する専用のデータクラスを用いて画像生成を行うことにより、高速な画像表示を行うことができ、言い換えると、画像を高速に切り替えることができる。
なお、針跡散布図画像Ｉ１、ウェハマップ画像Ｉ２、切替メニューＩＭ２またはスクロールバーＢに対する操作等により、表示条件が変更されると（ステップＳ８、ＹＥＳ）、画像生成部９３ａにおける処理はステップＳ６に戻される。そして、画像生成部９３ａは、取得した変更後の表示条件の情報に基づいて、ＰＡＤＳデータクラス内の変更後の表示条件に一致した情報が各コントロールデータクラスに格納される。続いて、ステップＳ７の処理が行われることにより、変更後の表示条件に合致した、新たなＵＩ画像Ｕが生成される。
表示条件として、例えば、針跡散布図画像Ｉ１に対する操作により表示対象の針跡が変更されると、新たなＵＩ画像Ｕとして以下のａ１～ａ４が含まれるものが生成される。
（ａ１）変更後の針跡の位置を特別表示した針跡散布図画像Ｉ１
（ａ２）変更後の針跡を有する電子デバイスを特別表示したウェハマップ画像Ｉ２
（ａ３）変更後の針跡が形成された電極パッドを示した撮像画像Ｉ３
（ａ４）変更後の針跡に関する情報及び当該針跡が形成された電極パッドに関する情報を表示した文字情報表示領域ＩＲ４
また、表示条件として、例えば、ウェハマップ画像Ｉ２に対する操作により表示対象の電子デバイスが変更されると、新たなＵＩ画像Ｕとして以下のｂ１～ｂ４が含まれるものが生成される。
（ｂ１）変更後の電子デバイスを特別表示したウェハマップ画像Ｉ２
（ｂ２）変更後の電子デバイスが有する、表示対象の電極パッドに形成された針跡の位置を特別表示した針跡散布図画像Ｉ１
（ｂ３）変更後の電子デバイスが有する、表示対象の電極パッドを示した撮像画像Ｉ３
（ｂ４）変更後の電子デバイスが有する、表示対象の電極パッドに関する情報及び当該電極パッドに形成された針跡の情報を表示した文字情報表示領域ＩＲ４
また、不図示のウェハ選択ボタンの操作等により、表示対象すなわち解析対象のウェハＷが変更されると（ステップＳ９、ＹＥＳ）、画像生成部９３ａにおける処理はステップＳ３に戻され、変更後のウェハＷについての解析条件ファイルのロード後に、当該変更後のウェハＷについての針跡検査結果情報に含まれる所定の情報が、情報解析クラスに格納される。そして、ステップＳ５以降の処理が行われることにより、新たな針跡散布図画像Ｉ１等を含むＵＩ画像Ｕが生成される。
本実施形態では、画像生成部９３ａが、上述の針跡散布図画像Ｉ１、ウェハマップ画像Ｉ２及び電極パッドの撮像画像を有するＵＩ画像Ｕを生成する。ユーザは、針跡散布図画像Ｉ１から、電極パッドとプローブとの当接位置及びアライメントの正確性の、電子デバイス間での傾向を、容易に視認することができる。また、ユーザは、ウェハマップ画像Ｉ２から、針跡状態判定結果のウェハの面内での傾向や、ウェハＷのどの部分で針跡状態が良くないか等を、容易に視認することができる。
そして、ＵＩ画像Ｕでは、針跡散布図画像Ｉ１及びウェハマップ画像Ｉ２それぞれの表示内容が互いに連動している。したがって、ユーザは、針跡状態判定結果のウェハＷの面内での傾向と、当該ウェハにおける、電極パッドに対する針跡の位置の傾向との関連性を、容易に視認することができる。また、連動している針跡散布図画像Ｉ１及びウェハマップ画像Ｉ２の表示内容とプローブの形成方向の情報と合わせることによりプローブの進入方向を解析することができる。さらにまた、撮像画像Ｉ３も連動しているため、針跡に関するより詳細な解析を行うことができる。具体的には、例えば、撮像画像Ｉ３は各電極パッド上の針跡を示す生データでるため、生データを見つつ、針跡の重心位置等の加工データ（針跡散布図画像Ｉ１）、及びウェハ面内での対象電子デバイスの位置データ（ウェハマップ画像Ｉ２のデータ）等を見ることで、解析作業をよりスムーズに行うことができる。
また、本実施形態では、針跡散布図画像Ｉ１が特別表示する内容とウェハマップ画像Ｉ２が特別表示する内容と撮像画像Ｉ３の内容とが互いに連動しているため、針跡に関するさらに詳細な解析を行うことができる。
さらに、本実施形態では、針跡散布図画像Ｉ１、ウェハマップ画像Ｉ２、撮像画像Ｉ３及び文字情報表示領域ＩＲ４それぞれの表示内容が互いに連動している。したがって、針跡に関するさらに詳細な解析を容易に行うことができる。
さらにまた、本実施形態では、ウェハマップ画像Ｉ２が、針跡状態の判定結果を３段階以上で、本例では７段階で示している。そのため、ユーザは、ウェハマップ画像Ｉ２から、単に針跡の状態が良好か不良かだけではなく、不良に近い良好であるか等を認識することができる。したがって、ウェハマップ画像Ｉ２を有する解析用画像を時系列で順次表示すること等により、ユーザが針跡の状態の時間変化を認識し、その時間変化からプローブカード８０等の故障を予知することができる。
また、本実施形態では、ウェハマップ画像Ｉ２が、針跡状態の判定結果を色で示している。したがって、ユーザは、ウェハマップ画像Ｉ２から、各電子デバイスの針跡の状態及び針跡の状態のウェハＷ面内での傾向を短時間で視認することができる。
図１１は、ＵＩ画像Ｕの他の例を示す図である。
図１１の例のＵＩ画像Ｕは、針跡散布図画像Ｉ１、ウェハマップ画像Ｉ２、撮像画像Ｉ３及び文字情報表示領域ＩＲ４の他に、針跡の形状の情報を表示する針跡形状情報表示領域ＩＲ５を有する。本例では、針跡形状情報表示領域ＩＲ５は、針跡散布図画像Ｉ１の近傍、具体的には、針跡散布図画像Ｉ１とウェハマップ画像Ｉ２との間の位置に設けられている。
針跡形状情報表示領域ＩＲ５は、針跡の形状を画像で示す形状画像Ｉ５１と、針跡の形状に関する情報を文字情報で示す文字情報表示領域ＩＲ５１とを有する。文字情報表示領域ＩＲ５１には、針跡の幅や長さ、面積の情報等が文字情報で表示される。形状画像Ｉ５１は、当該形状画像Ｉ５１が示す針跡の状態の判定結果が不良の場合は、不良でない場合と異なる色で表示されるようにしてもよい。これにより針跡の検査結果をさらに短時間で容易に認識することができる。
なお、画像生成部９３ａは、図１１の例のＵＩ画像Ｕも、図７の例のものと同様に、検査装置２から取得される針跡検査結果情報に基づいて生成する。
また、図１１のＵＩ画像Ｕにおいて、針跡形状情報表示領域ＩＲ５の表示内容は、針跡散布図画像Ｉ１、ウェハマップ画像Ｉ２、撮像画像Ｉ３及び文字情報表示領域ＩＲ４それぞれの表示内容と連動している。
例えば、針跡散布図画像Ｉ１に「●」で示された針跡の位置に対するユーザからの選択操作が、操作部９２を介して入力されると、画像生成部９３ａは、前述の内容Ａ１～Ａ４の他に、以下の内容Ａ５を含むＵＩ画像Ｕを生成する。
（Ａ５）針跡散布図画像Ｉ１に特別表示された針跡の形状に関する情報を表示した針跡形状情報表示領域ＩＲ５
また、例えば、ウェハマップ画像Ｉ２に四角で示された電子デバイスの表示部分に対するユーザからの選択操作が、操作部９２を介して入力されると、画像生成部９３ａは、前述の内容Ｂ１～Ｂ４の他に、以下の内容Ｂ５を含むＵＩ画像Ｕを生成する。
（Ｂ５）ウェハマップ画像に特別表示された電子デバイスが有する、表示対象の電極パッドに形成された針跡の形状の情報を表示した針跡形状情報表示領域ＩＲ５
なお、以上の説明では、検査装置２と解析装置３とは別体であったが、上述の解析装置３の機能を検査装置２に設けるようにしてもよい。
また、以上の説明では、電子デバイスが有する電極は電極パッドであるとしたがバンプ電極であってもよい。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
（１）被検査体の検査の結果を解析するための解析装置であって、
前記被検査体は、電気的検査時にプローブが接触することにより針跡が形成される電極をそれぞれ有する被検査デバイスが複数形成され、
前記解析装置は、
画像を表示する表示部と、
前記表示部に表示する画像を生成する画像生成部と、を有し、
前記画像生成部は、前記針跡についての検査結果に関する情報に基づいて解析用画像を生成し、
前記解析用画像は、
前記被検査デバイスそれぞれの、前記電極に対する前記針跡の位置を、重ねて示す針跡散布図画像と、
前記被検査体の前記被検査デバイスの形成面を示した画像であって、前記被検査デバイスそれぞれと対応する位置に、当該被検査デバイスについての針跡検査結果が示された被検査体マップ画像と、
前記電極の撮像画像と、を有し、
前記針跡散布図画像、前記被検査体マップ画像及び前記撮像画像それぞれの表示内容は互いに連動している、解析装置。
前記（１）によれば、電極とプローブとの当接位置及びアライメントの正確性の、被検査デバイス間での傾向や、針跡状態判定結果の被検査体面内での傾向、針跡状態が良くない部分等を、容易に視認することができる。また、プローブの進入方向の解析等、針跡に関するより詳細な解析を行うことができる。
（２）前記針跡散布図画像は、当該針跡散布図画像に示された前記針跡の一部について特別表示し、
前記被検査体マップ画像は、当該被検査体マップ画像に示された前記被検査デバイスの一部について特別表示し、
前記針跡散布図画像が特別表示する内容と前記被検査体マップ画像が特別表示する内容と前記撮像画像の内容とは互いに連動している、前記（１）に記載の解析装置。
（３）前記針跡散布図画像は、当該針跡散布図画像に示されユーザにより選択された前記針跡について特別表示し、
前記被検査体マップ画像は、前記針跡散布図画像に特別表示された前記針跡が形成された前記電極を有する、前記被検査デバイスを特別表示し、
前記撮像画像は、前記針跡散布図画像に特別表示された前記針跡が形成された前記電極を示す、前記（２）に記載の解析装置。
（４）前記被検査体マップ画像は、当該被検査体マップ画像に示されユーザにより選択された前記被検査デバイスについて特別表示し、
前記針跡散布図画像は、前記被検査体マップ画像に特別表示された前記被検査デバイスが有する、前記電極に形成された前記針跡を特別表示し、
前記撮像画像は、前記被検査体マップ画像に特別表示された前記被検査デバイスが有する前記電極を示す、前記（２）に記載の解析装置。
（５）前記解析用画像はさらに、前記針跡の形状の情報を示す針跡形状情報表示領域を有し、
前記針跡形状情報表示領域の表示内容は、前記針跡散布図画像、前記被検査体マップ画像及び前記撮像画像それぞれの表示内容と連動している、前記（１）～（４）のいずれか１に記載の解析装置。
前記（５）によれば、針跡に関するさらに詳細な解析を容易に行うことができる。
（６）前記解析用画像はさらに、前記針跡に関する情報及び前記電極に関する情報の少なくともいずれか一方を文字情報で示す文字情報表示領域を有し、
前記文字情報表示領域の表示内容は、前記針跡散布図画像、前記被検査体マップ画像及び前記撮像画像それぞれの表示内容と連動している、前記（１）～（５）のいずれか１に記載の解析装置。
前記（６）によれば、針跡に関するさらに詳細な解析を容易に行うことができる。
（７）前記被検査体マップ画像は、前記針跡検査結果を３段階以上で示す、前記（１）～（６）のいずれか１に記載の解析装置。
（８）前記被検査体マップ画像は、前記針跡検査結果を色で示す、前記（１）～（７）のいずれか１に記載の解析装置。
（９）被検査体の検査の結果の解析に用いられる画像を生成する画像生成方法であって、
前記被検査体は、電気的検査時にプローブが接触することにより針跡が形成される電極をそれぞれ有する被検査デバイスが複数形成され、
前記画像生成方法は、
前記針跡についての検査結果に関する情報に基づいて解析用画像を生成する画像生成工程を有し、
前記解析用画像は、
前記被検査デバイスそれぞれの、前記電極に対する前記針跡の位置を、重ねて示す針跡散布図画像と、
前記被検査体の前記被検査デバイスの形成面を示した画像であって、前記被検査デバイスそれぞれと対応する位置に、当該被検査デバイスについての針跡検査結果が示された被検査体マップ画像と、
前記電極の撮像画像と、を有し、
前記針跡散布図画像、前記被検査体マップ画像及び前記撮像画像それぞれの表示内容は互いに連動している、画像生成方法。
３ 解析装置
９１ 表示部
９３ａ 画像生成部
Ｉ１ 針跡散布図画像
Ｉ２ ウェハマップ画像
Ｉ３ 撮像画像
ＩＮ３ 針跡
ＩＰ３ 電極パッド
Ｕ ユーザインタフェース画像
Ｗ ウェハ

Claims (9)

  1. 被検査体の検査の結果を解析するための解析装置であって、
    前記被検査体は、電気的検査時にプローブが接触することにより針跡が形成される電極をそれぞれ有する被検査デバイスが複数形成され、
    前記解析装置は、
    画像を表示する表示部と、
    前記表示部に表示する画像を生成する画像生成部と、を有し、
    前記画像生成部は、前記針跡についての検査結果に関する情報に基づいて解析用画像を生成し、
    前記解析用画像は、
    前記被検査デバイスそれぞれの、前記電極に対する前記針跡の位置を、重ねて示す針跡散布図画像と、
    前記被検査体の前記被検査デバイスの形成面を示した画像であって、前記被検査デバイスそれぞれと対応する位置に、当該被検査デバイスについての針跡検査結果が示された被検査体マップ画像と、
    前記電極の撮像画像と、を有し、
    前記針跡散布図画像、前記被検査体マップ画像及び前記撮像画像それぞれの表示内容は互いに連動している、解析装置。
  2. 前記針跡散布図画像は、当該針跡散布図画像に示された前記針跡の一部について特別表示し、
    前記被検査体マップ画像は、当該被検査体マップ画像に示された前記被検査デバイスの一部について特別表示し、
    前記針跡散布図画像が特別表示する内容と前記被検査体マップ画像が特別表示する内容と前記撮像画像の内容とは互いに連動している、請求項１に記載の解析装置。
  3. 前記針跡散布図画像は、当該針跡散布図画像に示されユーザにより選択された前記針跡について特別表示し、
    前記被検査体マップ画像は、前記針跡散布図画像に特別表示された前記針跡が形成された前記電極を有する、前記被検査デバイスを特別表示し、
    前記撮像画像は、前記針跡散布図画像に特別表示された前記針跡が形成された前記電極を示す、請求項２に記載の解析装置。
  4. 前記被検査体マップ画像は、当該被検査体マップ画像に示されユーザにより選択された前記被検査デバイスについて特別表示し、
    前記針跡散布図画像は、前記被検査体マップ画像に特別表示された前記被検査デバイスが有する、前記電極に形成された前記針跡を特別表示し、
    前記撮像画像は、前記被検査体マップ画像に特別表示された前記被検査デバイスが有する前記電極を示す、請求項２に記載の解析装置。
  5. 前記解析用画像はさらに、前記針跡の形状の情報を示す針跡形状情報表示領域を有し、
    前記針跡形状情報表示領域の表示内容は、前記針跡散布図画像、前記被検査体マップ画像及び前記撮像画像それぞれの表示内容と連動している、請求項１～４のいずれか１項に記載の解析装置。
  6. 前記解析用画像はさらに、前記針跡に関する情報及び前記電極に関する情報の少なくともいずれか一方を文字情報で示す文字情報表示領域を有し、
    前記文字情報表示領域の表示内容は、前記針跡散布図画像、前記被検査体マップ画像及び前記撮像画像それぞれの表示内容と連動している、請求項１～５のいずれか１項に記載の解析装置。
  7. 前記被検査体マップ画像は、前記針跡検査結果を３段階以上で示す、請求項１～６のいずれか１項に記載の解析装置。
  8. 前記被検査体マップ画像は、前記針跡検査結果を色で示す、請求項１～７のいずれか１項に記載の解析装置。
  9. 被検査体の検査の結果の解析に用いられる画像を生成する画像生成方法であって、
    前記被検査体は、電気的検査時にプローブが接触することにより針跡が形成される電極をそれぞれ有する被検査デバイスが複数形成され、
    前記画像生成方法は、
    前記針跡についての検査結果に関する情報に基づいて解析用画像を生成する画像生成工程を有し、
    前記解析用画像は、
    前記被検査デバイスそれぞれの、前記電極に対する前記針跡の位置を、重ねて示す針跡散布図画像と、
    前記被検査体の前記被検査デバイスの形成面を示した画像であって、前記被検査デバイスそれぞれと対応する位置に、当該被検査デバイスについての針跡検査結果が示された被検査体マップ画像と、
    前記電極の撮像画像と、を有し、
    前記針跡散布図画像、前記被検査体マップ画像及び前記撮像画像それぞれの表示内容は互いに連動している、画像生成方法。
JP2018230769A 2018-12-10 2018-12-10 解析装置及び画像生成方法 Active JP7108527B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018230769A JP7108527B2 (ja) 2018-12-10 2018-12-10 解析装置及び画像生成方法
US17/312,203 US11428712B2 (en) 2018-12-10 2019-11-28 Analysis device and image generation method
KR1020217020768A KR20210099089A (ko) 2018-12-10 2019-11-28 해석 장치 및 화상 생성 방법
PCT/JP2019/046565 WO2020121825A1 (ja) 2018-12-10 2019-11-28 解析装置及び画像生成方法
CN201980079096.6A CN113169087B (zh) 2018-12-10 2019-11-28 分析装置和图像生成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018230769A JP7108527B2 (ja) 2018-12-10 2018-12-10 解析装置及び画像生成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020096007A JP2020096007A (ja) 2020-06-18
JP7108527B2 true JP7108527B2 (ja) 2022-07-28

Family

ID=71075481

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018230769A Active JP7108527B2 (ja) 2018-12-10 2018-12-10 解析装置及び画像生成方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11428712B2 (ja)
JP (1) JP7108527B2 (ja)
KR (1) KR20210099089A (ja)
CN (1) CN113169087B (ja)
WO (1) WO2020121825A1 (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009239057A (ja) 2008-03-27 2009-10-15 Toray Eng Co Ltd 半導体ウェハの外観検査方法およびそれを備えた装置
JP2009283796A (ja) 2008-05-23 2009-12-03 Tokyo Electron Ltd 針跡検査装置、プローブ装置、及び針跡検査方法、並びに記憶媒体

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100587933C (zh) * 2002-10-28 2010-02-03 东京毅力科创株式会社 探针痕迹读取装置和探针痕迹读取方法
JP4628665B2 (ja) 2002-10-28 2011-02-09 大日本スクリーン製造株式会社 針痕読取装置および針痕読取方法
US7026832B2 (en) * 2002-10-28 2006-04-11 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Probe mark reading device and probe mark reading method
JP2007200934A (ja) * 2006-01-23 2007-08-09 Fujitsu Ltd プローブカードのプローブ針の針跡評価方法
JP5286938B2 (ja) * 2008-05-27 2013-09-11 東京エレクトロン株式会社 針跡検査装置、プローブ装置、及び針跡検査方法、並びに記憶媒体
JP5438572B2 (ja) * 2010-03-24 2014-03-12 ラピスセミコンダクタ株式会社 プローブカード検査装置、検査方法及び検査システム
JP6462296B2 (ja) * 2014-09-30 2019-01-30 東京エレクトロン株式会社 位置精度検査方法、位置精度検査装置及び位置検査ユニット
US9523735B2 (en) * 2014-10-08 2016-12-20 Eastman Kodak Company Electrical test system with vision-guided alignment

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009239057A (ja) 2008-03-27 2009-10-15 Toray Eng Co Ltd 半導体ウェハの外観検査方法およびそれを備えた装置
JP2009283796A (ja) 2008-05-23 2009-12-03 Tokyo Electron Ltd 針跡検査装置、プローブ装置、及び針跡検査方法、並びに記憶媒体

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210099089A (ko) 2021-08-11
US20220026465A1 (en) 2022-01-27
JP2020096007A (ja) 2020-06-18
US11428712B2 (en) 2022-08-30
WO2020121825A1 (ja) 2020-06-18
CN113169087B (zh) 2024-04-16
CN113169087A (zh) 2021-07-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102305872B1 (ko) 검사 시스템, 웨이퍼 맵 표시기, 웨이퍼 맵 표시 방법, 및 기록 매체에 저장된 컴퓨터 프로그램
US8947114B2 (en) Inspecting method and program for object to be inspected
JP7224048B2 (ja) 基板不良検査装置及び方法
CN107038697B (zh) 用于诊断半导体晶圆的方法和***
KR102579578B1 (ko) 반도체 적용을 위한 참조 이미지 생성
US8395401B2 (en) Method for setting contact parameter and recording medium having program for setting contact parameter recorded thereon
TWI725146B (zh) 基板檢查裝置
JP7108527B2 (ja) 解析装置及び画像生成方法
JP2006337242A (ja) 端子又はプローブピンの表示方法、プローブ装置、及びプローブカード検査装置
US20130283227A1 (en) Pattern review tool, recipe making tool, and method of making recipe
US20210372944A1 (en) Analysis apparatus and image creation method
JP2008261692A (ja) 基板検査システム及び基板検査方法
KR100286098B1 (ko) 리피트페일칩검출시스템및방법
KR20220109463A (ko) 통계 데이터 생성 방법, 절단 장치 및 시스템
JP6596341B2 (ja) 検査装置および検査方法
JP2014163710A (ja) 基板処理装置
CN109887852A (zh) 诊断半导体晶圆的方法
JP2022126085A (ja) 検査装置のセットアップ方法及び検査装置
JP2019203805A (ja) 電子部品搬送装置および電子部品検査装置
JPH09264935A (ja) 電子ビーム検査装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210811

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220621

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220715

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7108527

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150