JP7101932B2 - Euvリソグラフィー用ケイ素含有膜形成組成物、euvリソグラフィー用ケイ素含有膜及びパターン形成方法 - Google Patents
Euvリソグラフィー用ケイ素含有膜形成組成物、euvリソグラフィー用ケイ素含有膜及びパターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7101932B2 JP7101932B2 JP2018050581A JP2018050581A JP7101932B2 JP 7101932 B2 JP7101932 B2 JP 7101932B2 JP 2018050581 A JP2018050581 A JP 2018050581A JP 2018050581 A JP2018050581 A JP 2018050581A JP 7101932 B2 JP7101932 B2 JP 7101932B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- containing film
- film
- mass
- euv lithography
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
当該ケイ素含有膜形成用組成物は、ポリシロキサン(以下、「[A]ポリシロキサン」ともいう)と、オニウムカチオン(以下、「オニウムカチオン(X)」ともいう)及びスルホン酸アニオン(以下、「スルホン酸アニオン(Y)」ともいう)を有する化合物(以下、「[B]化合物」ともいう)と、溶媒(以下、「[C]溶媒」ともいう)とを含有し、上記スルホン酸アニオン(Y)を構成する原子の原子量の総和が240以上であり、上記スルホン酸アニオン(Y)がスルホネート基と、このスルホネート基に隣接する炭素原子を有し、この炭素原子にフッ素原子が結合していない。
[A]ポリシロキサンは、シロキサン結合を有するポリマーである。[A]ポリシロキサンは、例えば下記式(A)で表される構造単位(I)、下記式(B)で表される構造単位(II)等を有する。[A]ポリシロキサンは、本発明の効果を損なわない範囲において、構造単位(I)及び(II)以外のその他の構造単位を有していてもよい。以下、各構造単位について説明する。
構造単位(I)は、下記式(A)で表される構造単位である。当該ケイ素含有膜形成用組成物は、[A]ポリシロキサンが構造単位(I)を有することで、ケイ素含有膜の種々の特性を調整することができる。
構造単位(II)は、下記式(B)で表される構造単位である。当該ケイ素含有膜形成用組成物は、[A]ポリシロキサンが構造単位(II)を有することで、ケイ素含有膜の酸素系ガスによるエッチング耐性をより高めることができる。
その他の構造単位としては、例えばヘキサメトキシジシラン、ビス(トリメトキシシリル)メタン、ポリジメトキシメチルカルボシラン等の複数のケイ素原子を含むシランモノマーに由来する構造単位等が挙げられる。[A]ポリシロキサンがその他の構造単位を有する場合、その他の構造単位の含有割合の上限としては、[A]ポリシロキサンを構成する全構造単位に対して、10モル%が好ましく、5モル%がより好ましく、2モル%がさらに好ましく、1モル%が特に好ましい。
[B]化合物は、オニウムカチオン(X)及びスルホン酸アニオン(Y)を有する化合物である。[B]化合物は、放射線の照射及び/又は加熱により、オニウムカチオン(X)が分解してヒドロン(H+)が生じ、このヒドロンとスルホン酸アニオン(Y)とからスルホン酸を発生する。以下、スルホン酸アニオン(Y)及びオニウムカチオン(X)について説明する。
スルホン酸アニオン(Y)は、スルホネート基と、このスルホネート基に隣接する炭素原子を有し、この炭素原子にフッ素原子が結合していないアニオンである。スルホン酸アニオン(Y)は、1価であっても、2価以上すなわちスルホネート基を複数有するものであってもよいが、1価が好ましい。なお、スルホン酸アニオン(Y)が複数のスルホネート基を有する場合、いずれのスルホネート基についても、そのスルホネート基に隣接する炭素原子にはフッ素原子が結合していない。
オニウムカチオン(X)は、例えばS、I、O、N、P,Cl、Br、F、As、Se、Sn、Sb、Te、Bi等の原子が陽電荷を有するカチオンである。これらの中で、S、I及びNが好ましく、S及びIがより好ましい。オニウムカチオン(X)は、1価であっても、2価以上すなわち陽電荷を有する原子を複数含むものでもよいが、1価が好ましい。
[C]溶媒は、[A]ポリシロキサン、[B]化合物及び必要に応じて含有する任意成分を溶解又は分散することができれば特に限定されない。[C]溶媒としては、例えばアルコール系溶媒、ケトン系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、含窒素系溶媒、水等が挙げられる。[C]溶媒は、1種単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
当該ケイ素含有膜形成用組成物は、任意成分として、例えば酸発生剤、界面活性剤等を含有していてもよい。
酸発生剤は、紫外光の照射及び/又は加熱により酸を発生する化合物である。酸発生剤は、1種単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
当該ケイ素含有膜形成用組成物の調製方法は特に限定されず、例えば[A]ポリシロキサン、[B]化合物、[C]溶媒及び必要に応じて任意成分を所定の割合で混合し、好ましくは、得られた混合溶液を孔径0.2μmのフィルターでろ過することにより調製することができる。
本発明のケイ素含有膜は、当該ケイ素含有膜形成用組成物から形成される。当該ケイ素含有膜は、上述の当該ケイ素含有膜形成用組成物から形成されるので、アウトガス抑制性に優れ、倒壊抑制性及び形状が良好なレジストパターンを形成することができる。
当該パターン形成方法は、基板の一方の面側に当該ケイ素含有膜形成用組成物を塗工する工程(以下、「塗工工程」ともいう)と、上記塗工工程により形成されたケイ素含有膜をパターン化する工程(以下、「ケイ素含有膜パターン化工程」ともいう)とを備える。
上記現像工程により形成されたレジストパターンをマスクとして上記ケイ素含有膜をエッチングする工程(以下、「ケイ素含有膜エッチング工程」ともいう)とを備えていてもよい。このような工程をさらに備えることによって、アウトガス抑制性に優れるケイ素含有膜により、倒壊抑制性及び形状が良好なレジストパターンを形成することができ、その結果、より良好な形状の所望の基板パターンを形成することができる。
本工程では、基板の少なくとも一方の面側に有機下層膜を形成する。当該パターン形成方法では、必要に応じて、有機下層膜形成工程を行うことができる。
本工程では、基板の一方の面側に当該ケイ素含有膜形成用組成物を塗工する。本工程により、基板上に直接又は有機下層膜等の他の層を介してケイ素含有膜が形成される。
本工程では、上記塗工工程により形成されたケイ素含有膜をパターン化する。本工程により、上記塗工工程で形成されたケイ素含有膜がパターニングされる。ケイ素含有膜をパターン化する方法としては、例えば上記ケイ素含有膜の上記基板とは反対の面側にレジストパターンを形成する工程(以下、「レジストパターン形成工程」ともいう)及びケイ素含有膜エッチング工程を備える方法等が挙げられる。
本工程では、上記ケイ素含有膜の上記基板とは反対の面側にレジストパターンを形成する。レジストパターンを形成する方法としては、例えばレジスト組成物を用いる方法、ナノインプリントリソグラフィー法を用いる方法等の従来公知の方法などが挙げられる。このレジストパターンは、通常、有機材料から形成される。
本工程では、レジスト組成物により上記ケイ素含有膜の上記基板とは反対の面側にレジスト組成物を塗工する。
本工程では、上記レジスト膜を露光する。この露光は、例えばマスクにより選択的に放射線を照射して行う。
本工程では、上記露光されたレジスト膜を現像する。これにより、レジストパターンが形成される。
本工程では、上記レジストパターンをマスクとして、上記ケイ素含有膜をエッチングする。より具体的には、上記レジストパターン形成工程で形成されたレジストパターンをマスクとした1又は複数回のエッチングによって、パターンが形成されたケイ素含有膜を得る。
本工程では、上記パターン化されたケイ素含有膜をマスクとして、基板をエッチングする。より具体的には、上記ケイ素含有膜エッチング工程で得られたケイ素含有膜に形成されたパターンをマスクとした1又は複数回のエッチングを行って、パターニングされた基板を得る。
[A]ポリシロキサンの溶液0.5gを250℃で30分間焼成することで、この溶液0.5g中の固形分の質量を測定し、[A]ポリシロキサンの溶液の固形分濃度(質量%)を算出した。
GPCカラム(東ソー社の「G2000HXL」2本、「G3000HXL」1本、「G4000HXL」1本)を使用し、流量:1.0mL/分、溶出溶媒:テトラヒドロフラン、カラム温度:40℃の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィー(検出器:示差屈折計)により測定した。
[A]ポリシロキサンの合成に用いた単量体を以下に示す。
なお、以下の合成例においては特に断りのない限り、質量部は使用した単量体の合計質量を100質量部とした場合の値を意味する。
化合物(M-1)~(M-4):下記式(M-1)~(M-4)で表される化合物
反応容器において、上記式(M-1)で表される化合物及び上記式(M-2)で表される化合物をモル比率が90/10(モル%)となるようプロピレングリコールモノエチルエーテル62質量部に溶解し、単量体溶液を調製した。上記反応容器内を60℃とし、撹拌しながら、9.1質量%シュウ酸水溶液40質量部を20分間かけて滴下した。滴下開始を反応の開始時間とし、反応を4時間実施した。反応終了後、反応容器内を30℃以下に冷却した。冷却した反応溶液にプロピレングリコールモノエチルエーテルを52質量部加えた後、エバポレーターを用いて、水、反応により生成したアルコール類及び余剰のプロピレングリコールモノエチルエーテルを除去して、ポリシロキサン(A-1)のプロピレングリコールモノエチルエーテル溶液を得た。ポリシロキサン(A-1)のMwは1,950であった。このポリシロキサン(A-1)のプロピレングリコールモノエチルエーテル溶液の固形分濃度は、12.0質量%であった。
下記表1に示す種類及び使用量の各単量体を使用した以外は、合成例1と同様にして、ポリシロキサン(A-2)~(A-4)のプロピレングリコールモノエチルエーテル溶液を得た。得られた[A]ポリシロキサンの溶液における[A]ポリシロキサンのMw及び固形分濃度(質量%)を表1に合わせて示す。表1における「-」は、該当する単量体を使用しなかったことを示す。
ケイ素含有膜形成用組成物の調製に用いた[A]ポリシロキサン以外の成分を以下に示す。
実施例:B-1~B-8:下記式(B-1)~(B-8)で表される化合物
比較例:b-1~b-3:下記式(b-1)~(b-3)で表される化合物
C-1:酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル
C-2:プロピレングリコールモノエチルエーテル
C-3:水
[A]ポリシロキサン(固形分)としての(A-1)0.59質量部と、[B]化合物としての(B-1)0.10質量部、[C]溶媒としての(C-1)10質量部、(C-2)86質量部([A]ポリシロキサンの溶液に含まれる溶媒(C-2)も含む)及び(C-3)4質量部とを混合し、得られた溶液を孔径0.2μmのフィルターでろ過して、ケイ素含有膜形成用組成物(J-1)を調製した。
下記表2に示す種類及び配合量の各成分を用いた以外は、実施例1と同様にして、ケイ素含有膜形成用組成物(J-2)~(J-11)及び(j-1)~(j-3)を調製した。
上記調製した各ケイ素含有膜形成用組成物をシリコンウェハ(基板)上に、スピンコーター(東京エレクトロン社の「CLEAN TRACK ACT12」)を用い、回転塗工法により塗工した。得られた塗膜に対し、220℃のホットプレートで60秒間加熱した後、23℃で60秒間冷却することにより、表2の実施例1-1~1-11並びに比較例1-1~1-3に示す平均厚み13nmのケイ素含有膜が形成された基板を得た。
上記調製したケイ素含有膜形成用組成物及び上記形成したケイ素含有膜の下記項目について下記方法により評価した。評価結果を下記表2に合わせて示す。
上記調製した各ケイ素含有膜形成用組成物を8インチシリコンウェハ(基板)上に、スピンコーター(東京エレクトロン社の「CLEAN TRACK ACT8」)を用い、回転塗工法により塗工した。得られた塗膜に対し、220℃のホットプレートで60秒間加熱した後、23℃で60秒間冷却することにより、平均厚み13nmのケイ素含有膜が形成された基板を得た。その後、ホットプレートの天板に8インチシリコンウェハを設置したホットプレートを用いて、300℃で60秒間加熱した。上記工程を50回繰り返した後、ホットプレートの天板に設置した8インチシリコンウェハをシクロヘキサノンで洗浄することで、上記基板上に堆積した昇華物を回収した。アウトガス抑制性は、昇華物量が1.0mg以下の場合は「A」(良好)と、1.0mgを超え2.0mg以下の場合は「B」(やや良好)と、2.0mgを超える場合は「C」(不良)と評価した。
8インチシリコンウェハ上に、反射防止膜形成材料(JSR社の「HM8006」)を上記スピンコーターによる回転塗工法により塗工した後、250℃で60秒間加熱を行うことにより平均厚み100nmの反射防止膜を形成した。この反射防止膜上に、ケイ素含有膜形成用組成物を塗工し、220℃で60秒間加熱した後、23℃で30秒間冷却することにより平均厚み13nmのケイ素含有膜を形成した。
次いで、上記形成したケイ素含有膜上に、後述する感放射線性樹脂組成物を塗工し、130℃で60秒間加熱処理をした後、23℃で30秒間冷却することにより平均厚み50nmのレジスト膜を形成した。
上記レジストパターンの形状において、裾引きがない場合は「A」(良好)と、裾引きがある場合は「B」(不良)と評価した。
Claims (8)
- ポリシロキサンと、
オニウムカチオン及びスルホン酸アニオンを有する化合物と、
溶媒と
を含有し、
上記スルホン酸アニオンを構成する原子の原子量の総和が240以上であり、
上記スルホン酸アニオンがスルホネート基と、このスルホネート基に隣接する炭素原子とを有し、
この炭素原子にフッ素原子が結合しておらず、
上記スルホン酸アニオンが下記式(1)で表され、
上記ポリシロキサンが下記式(B)で表される構造単位を有し、
上記ポリシロキサンを構成する全構造単位に対する上記式(B)で表される構造単位の含有割合が10モル%以上であ るEUVリソグラフィー用ケイ素含有膜形成組成物。
- 上記オニウムカチオン及びスルホン酸アニオンを有する化合物の含有量が、上記ポリシロキサン100質量部に対して0.1質量部以上30質量部以下である請求項1に記載のEUVリソグラフィー用ケイ素含有膜形成組成物。
- 上記スルホン酸アニオンを構成する原子の原子量の総和が290以上である請求項1又は請求項2に記載のEUVリソグラフィー用ケイ素含有膜形成組成物。
- 上記オニウムカチオンが、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン又はこれらの組み合わせである請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のEUVリソグラフィー用ケイ素含有膜形成組成物。
- 請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のEUVリソグラフィー用ケイ素含有膜形成組成物から形成されるEUVリソグラフィー用ケイ素含有膜。
- 基板の一方の面側に請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のEUVリソグラフィー用ケイ素含有膜形成組成物を塗工する工程と、
上記塗工工程により形成されたケイ素含有膜をパターン化する工程と
を備えるパターン形成方法。 - 上記ケイ素含有膜パターン化工程が、
上記ケイ素含有膜の上記基板とは反対の面側にレジスト組成物を塗工する工程と、
上記レジスト組成物塗工工程により形成されたレジスト膜を極端紫外線で露光する工程と、
上記露光されたレジスト膜を現像する工程と、
上記現像工程により形成されたレジストパターンをマスクとして上記ケイ素含有膜をエッチングする工程と
を備える請求項6に記載のパターン形成方法。 - 上記塗工工程前に、
上記基板の少なくとも一方の面側に有機下層膜を形成する工程
をさらに備える請求項6又は請求項7に記載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/928,806 US20180292753A1 (en) | 2017-03-23 | 2018-03-22 | Composition for forming silicon-containing film for euv lithography, silicon-containing film for euv lithography, and pattern-forming method |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017057890 | 2017-03-23 | ||
JP2017057890 | 2017-03-23 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018159921A JP2018159921A (ja) | 2018-10-11 |
JP7101932B2 true JP7101932B2 (ja) | 2022-07-19 |
Family
ID=63796642
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018050581A Active JP7101932B2 (ja) | 2017-03-23 | 2018-03-19 | Euvリソグラフィー用ケイ素含有膜形成組成物、euvリソグラフィー用ケイ素含有膜及びパターン形成方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7101932B2 (ja) |
KR (1) | KR102556781B1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021035108A1 (en) * | 2019-08-21 | 2021-02-25 | Brewer Science, Inc. | Underlayers for euv lithography |
WO2024063044A1 (ja) * | 2022-09-21 | 2024-03-28 | 日産化学株式会社 | シリコン含有レジスト下層膜形成用組成物 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004334107A (ja) | 2003-05-12 | 2004-11-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
JP2005031445A (ja) | 2003-07-04 | 2005-02-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | 多層レジストプロセス用中間層組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP2009053518A (ja) | 2007-08-28 | 2009-03-12 | Fujifilm Corp | 電子線、x線またはeuv用レジスト組成物及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法 |
WO2010071155A1 (ja) | 2008-12-19 | 2010-06-24 | 日産化学工業株式会社 | アニオン基を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6319580B2 (ja) | 2012-07-30 | 2018-05-09 | 日産化学工業株式会社 | スルホン酸オニウム塩を含有するケイ素含有euvレジスト下層膜形成組成物 |
-
2018
- 2018-03-19 JP JP2018050581A patent/JP7101932B2/ja active Active
- 2018-03-20 KR KR1020180031796A patent/KR102556781B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004334107A (ja) | 2003-05-12 | 2004-11-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
JP2005031445A (ja) | 2003-07-04 | 2005-02-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | 多層レジストプロセス用中間層組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP2009053518A (ja) | 2007-08-28 | 2009-03-12 | Fujifilm Corp | 電子線、x線またはeuv用レジスト組成物及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法 |
WO2010071155A1 (ja) | 2008-12-19 | 2010-06-24 | 日産化学工業株式会社 | アニオン基を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018159921A (ja) | 2018-10-11 |
KR102556781B1 (ko) | 2023-07-19 |
KR20180108464A (ko) | 2018-10-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP3564751A1 (en) | Radiation-sensitive composition, pattern formation method, and metal-containing resin and method for manufacturing same | |
WO2018123537A1 (ja) | 感放射線性組成物、パターン形成方法及び金属酸化物 | |
TWI596159B (zh) | Reverse pattern forming method and polysiloxane resin composition | |
TW201833665A (zh) | 感放射線性組成物及圖案形成方法 | |
WO2017192345A1 (en) | Silsesquioxane resin and oxaamine composition | |
TWI811239B (zh) | 感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、抗蝕劑膜、圖案形成方法及電子元件的製造方法 | |
JP7101932B2 (ja) | Euvリソグラフィー用ケイ素含有膜形成組成物、euvリソグラフィー用ケイ素含有膜及びパターン形成方法 | |
US20180292753A1 (en) | Composition for forming silicon-containing film for euv lithography, silicon-containing film for euv lithography, and pattern-forming method | |
JP7048903B2 (ja) | パターン形成方法及びeuvリソグラフィー用ケイ素含有膜形成組成物 | |
JP6897071B2 (ja) | レジストプロセス用膜形成材料、パターン形成方法及び重合体 | |
JP6787206B2 (ja) | レジストプロセス用ケイ素含有膜形成組成物、ケイ素含有膜及びパターン形成方法 | |
WO2019093145A1 (ja) | レジスト膜形成用組成物及びレジストパターン形成方法 | |
WO2021193030A1 (ja) | 電子線又は極端紫外線リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物、電子線又は極端紫外線リソグラフィー用レジスト下層膜、及び半導体基板の製造方法 | |
WO2020170934A1 (ja) | 膜形成用組成物及び半導体基板の製造方法 | |
JP6741957B2 (ja) | レジストプロセス用膜形成材料及びパターン形成方法 | |
WO2019194018A1 (ja) | レジストパターン形成方法及び化学増幅型レジスト材料 | |
WO2018155377A1 (ja) | レジストプロセス用膜形成材料、パターン形成方法及びポリシロキサン | |
WO2018159356A1 (ja) | ケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜、パターン形成方法及びポリシロキサン | |
WO2019151153A1 (ja) | 半導体リソグラフィープロセス用膜形成組成物、ケイ素含有膜及びレジストパターン形成方法 | |
WO2020066669A1 (ja) | 半導体基板の処理方法 | |
WO2019111665A1 (ja) | レジストパターン形成方法及びレジスト膜形成用組成物 | |
JP2020067599A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
WO2021106537A1 (ja) | レジスト下層膜形成用組成物、パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法 | |
WO2022113781A1 (ja) | ケイ素含有組成物及び半導体基板の製造方法 | |
TW202349116A (zh) | 樹脂組成物、光阻膜、光阻圖案形成方法、電子器件之製造方法、電子器件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200722 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210428 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210518 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210714 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211221 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220126 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220531 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220613 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7101932 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |