JP7099341B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- 基板側から順に第1配線層、第2配線層、及び第3配線層を備えた半導体装置であって、
前記第1配線層は、第1電極部を有し、
前記第2配線層は、互いに電気的に独立した第2電極部及びランド部を有し、該第2電極部は、前記半導体装置の配線構造に連続しており、
前記第3配線層は、第3電極部及び該第3電極部に連続するパッド部を有し、
前記第2電極部及び前記第1電極部と、前記第2配線層及び前記第1配線層間に介在する第1層間膜とによって、第1MIMキャパシタが形成され、
前記第2電極部及び前記第3電極部と、前記第2配線層及び前記第3配線層間に介在する第2層間膜とによって、前記第1MIMキャパシタと重なる第2MIMキャパシタが形成され、
前記第1MIMキャパシタ及び前記第2MIMキャパシタは、平面視すると、前記パッド部側の辺を下底部、前記配線構造側の辺を上底部とする台形状に形成されており、
前記第3電極部は、前記下底部において前記第1電極部に接続される第1ビアを有する、半導体装置。 - 基板側から順に第1配線層、第2配線層、及び第3配線層を備えた半導体装置であって、
前記第1配線層は、第1電極部及び該第1電極部から独立し前記半導体装置の配線構造に連続する配線部を有し、
前記第2配線層は、互いに電気的に独立した第2電極部及びランド部を有し、
前記第3配線層は、第3電極部及び該第3電極部に連続するパッド部を有し、
前記第2電極部及び前記第1電極部と、前記第2配線層及び前記第1配線層間に介在する第1層間膜とによって、第1MIMキャパシタが形成され、
前記第2電極部及び前記第3電極部と、前記第2配線層及び前記第3配線層間に介在する第2層間膜とによって、前記第1MIMキャパシタと重なる第2MIMキャパシタが形成され、
前記第1MIMキャパシタ及び前記第2MIMキャパシタは、平面視すると、前記パッド部側の辺を下底部、前記配線構造側の辺を上底部とする台形状に形成されており、
前記第3電極部は、前記下底部において前記第1電極部に接続される第1ビアを有する、半導体装置。 - 前記第3電極部は、前記上底部において前記第1電極部に接続される第2ビアを有する、請求項1又は2記載の半導体装置。
- 前記第2配線層は、前記ランド部として、互いに電気的に独立した第1ランド部及び第2ランド部を有し、
前記第1ビアは前記第1ランド部を経由して前記第1電極部に接続され、前記第2ビアは前記第2ランド部を経由して前記第1電極部に接続される、請求項3記載の半導体装置。 - 前記パッド部は、半田ボールを有する、請求項1~4のいずれか一項記載の半導体装置。
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