JP6416102B2 - 可変容量デバイスおよび通信装置 - Google Patents
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Description
インの配線層117とを介して、グランド用の端子124と接続されている。
を増加させることがないので、コストの上昇が抑制されている。
Claims (6)
- 直列に接続された複数の第1の可変容量素子を含む第1のシグナルラインと、直列に接続された複数の第2の可変容量素子を含む第2のシグナルラインと、前記複数の第1の可変容量素子及び前記複数の第2の可変容量素子の各々に第1の直流電圧を印加するための第1のバイアスラインと、前記複数の第1の可変容量素子及び前記複数の第2の可変容量素子の各々に第2の直流電圧を印加するための第2のバイアスラインと、を有し、前記第1のバイアスラインと前記第2のバイアスラインとのうち少なくともいずれかの一部分が、前記複数の第1の可変容量素子のうち隣接する2つの第1の可変容量素子の間を通過するように配置される可変容量デバイス。
- 前記第1のバイアスラインと前記第2のバイアスラインとのうち少なくともいずれかの一部分が、前記複数の第1の可変容量素子のうち隣接する2つの第1の可変容量素子の各々に含まれる2つの電極層のいずれか一方と同一層で形成される請求項1記載の可変容量デバイス。
- 前記第1の可変容量素子の数が4以上であり、前記第2の可変容量素子の数が4以上であり、前記第1のバイアスラインの一部分が、前記複数の第1の可変容量素子のうち隣接する2つの第1の可変容量素子の間を通過するように配置され、前記第2のバイアスラインの一部分が、前記複数の第2の可変容量素子のうち隣接する2つの第2の可変容量素子の間を通過するように配置され、入力側の端子または出力側の端子のいずれかを基準位置としたとき、前記第1のバイアスラインの一部分が通過する前記2つの第1の可変容量素子の間と前記基準位置との相対位置と、前記第2のバイアスラインの一部分が通過する前記2つの第2の可変容量素子の間と前記基準位置との相対位置と、が異なっている請求項1記載の可変容量デバイス。
- 前記第1のバイアスラインの一部分及び前記第2のバイアスラインの一部分が、前記複数の第1の可変容量素子のうち隣接する2つの第1の可変容量素子の各々に含まれる2つの電極層のいずれか一方と同一層で形成される請求項3記載の可変容量デバイス。
- 前記第1のバイアスラインの他の一部分が、前記2つの電極層の他方の層と同一層で形成される請求項4記載の可変容量デバイス。
- 共振アンテナを形成するインダクタと、前記インダクタと並列に接続される可変容量デバイスと、を有する通信装置であって、前記可変容量デバイスが、請求項1〜5に記載の可変容量デバイスである通信装置。
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