JP7085328B2 - 配線回路基板、その製造方法および撮像装置 - Google Patents

Description

本発明は、配線回路基板、その製造方法および撮像装置、詳しくは、配線回路基板の製造方法、それにより得られる配線回路基板、および、それを備える撮像装置に関する。

半導体装置用基板の製造方法として、以下の方法が提案されている（特許文献１参照）。銅合金の表面に、まず、穴を有する絶縁層を形成し、次いで、Ａｕ層を穴内の銅合金の表面に形成し、続いて、ニッケル層を穴内においてＡｕ層上に形成し、その後、銅層を、穴内において、ニッケル層上に形成する。その後、銅合金をエッチングにより除去する。

特許文献１に記載の方法では、Ａｕ層がエッチングストッパ層となり、銅合金のみが除去される。そのため、銅層の損傷が防止されている。

特開平１０－１２５８１８号公報

しかるに、特許文献１に記載の方法では、ニッケル層が、エッチングストッパ層ではなく、そのため、Ａｕ層のみで、エッチング液の浸入を防止できない場合がある。

また、Ａｕ層の周端縁と、絶縁層において穴に臨む内側面との間からエッチングが浸入する場合がある。

これらの場合には、銅層がエッチング液によって損傷するという不具合がある。

本発明は、エッチングのときに、エッチング液が開口部内に浸入することを十分に抑制して、導体層の損傷を十分に抑制できる配線回路基板の製造方法、それにより得られる配線回路基板および撮像装置を提供する。

本発明（１）は、厚み方向を貫通する開口部を有する絶縁層を、金属板の厚み方向一方面に設ける第１工程と、第１バリア層を、前記開口部から露出する前記金属板の前記厚み方向一方面に、めっきにより設ける第２工程と、第２バリア層を、前記第１バリア層の前記厚み方向一方側、および、前記開口部に臨む前記絶縁層の内側面に連続状に設ける第３工程と、導体層を、前記第２バリア層に接触するように設ける第４工程と、前記金属板を、エッチングして除去する第５工程とを備える、配線回路基板の製造方法を含む。

この製造方法によれば、第２工程で、第１バリア層を設け、第３工程で、第２バリア層を設けるので、第５工程で、金属板をエッチングしても、２つのバリア層で、エッチング液が導体層に向かって浸入することを十分に抑制することができる。

また、この製造方法によれば、第３工程で、第２バリア層を、第１バリア層の厚み方向一方側、および、開口部に臨む絶縁層の内側面に連続状に設ける。そのため、第５工程において、たとえ、エッチング液が、第１バリア層の周端縁、および、絶縁層の内側面の間に浸入しても、第２バリア層が、エッチング液のそれ以上の浸入を確実に抑制することができる。

その結果、導体層の損傷を十分に抑制することができる。

本発明（２）は、前記第３工程では、前記第２バリア層を、前記第１バリア層の前記厚み方向一方面に設ける、（１）に記載の配線回路基板の製造方法を含む。

この製造方法によれば、第３工程では、第２バリア層を、第１バリア層の厚み方向一方面に設けるので、第２バリア層を第１バリア層とを開口部内において接触させることができる。そのため、互いに接触する２つのバリア層によるエッチング液の浸入の抑制効果を向上させることができる。

本発明（３）は、前記第３工程では、前記第２バリア層を、さらに、前記開口部の周囲における前記絶縁層の前記厚み方向一方面に設ける、（１）または（２）に記載の配線回路基板の製造方法を含む。

たとえ、エッチング液が絶縁層の内側面に沿って厚み方向一方側に浸入しようとしても、この製造方法によれば、開口部の周囲における絶縁層の厚み方向一方面に設けられる第２バリア層によって、エッチング液のそれ以上の厚み方向一方側への浸入を抑制することができる。

本発明（４）は、前記第１工程では、前記絶縁層の前記内側面が、前記厚み方向に対して傾斜するテーパ形状を有するように、前記開口部を設ける、（１）～（３）のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法を含む。

この製造方法によれば、第１工程では、絶縁層の内側面が、厚み方向に対して傾斜するテーパ形状を有するように、開口部を設けるので、絶縁層の内側面を、ストレート形状の内側面に比べて、長くすることができる。そのため、第３工程において設けられる第２バリア層と、絶縁層の内側面との接触面積を増大させて、かかる第２バリア層によって、第５工程におけるエッチング液の浸入抑制効果を向上させることができる。

本発明（５）は、前記第３工程では、前記第２バリア層を、スパッタリングにより形成する、（１）～（４）のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法を含む。

この製造方法によれば、第３工程をスパッタリングにより実施するので、第２バリア層を簡単に形成することができる。

とりわけ、絶縁層の内側面がテーパ形状を有する場合には、かかる内側面に対して、スパッタリングにより第２バリア層を確実に形成することができる。

本発明（６）は、前記第２バリア層の材料が、クロムである、（１）～（５）のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法を含む。

この製造方法によれば、第２バリア層の材料が、クロムであるので、第５工程におけるエッチング液の浸入を確実に抑制することができる。

本発明（７）は、前記導体層の厚みが、１２μｍ以下である、（１）～（５）のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法を含む。

導体層の厚みが１２μｍ以下であれば、第５工程において、エッチング液の浸食に起因する導体層の損傷が、接続信頼性に大きく影響を及ぼす。

しかし、本発明では、第３工程で第２バリア層を設けるので、第５工程で、金属板をエッチングしても、エッチング液が導体層に向かって浸入することを十分に抑制でき、そのため、上記した影響を排除することができる。

本発明（８）は、厚み方向を貫通する開口部を有する絶縁層と、前記開口部の厚み方向他端縁に位置し、前記絶縁層の前記厚み方向他方面と面一である第１バリア層と、前記第１バリア層の前記厚み方向一方側、前記開口部に臨む前記絶縁層の内側面、および、前記開口部の周囲における前記絶縁層の前記厚み方向一方面に連続して配置される第２バリア層と、前記第２バリア層の前記厚み方向一方面に配置される導体層とを備える、配線回路基板を含む。

この配線回路基板では、応力が厚み方向に交差する方向に導体層にかかっても、第２バリア層を介して、内側面から絶縁層に分散させることができる。そのため、導体層の強度を向上させることができる。

本発明（９）は、前記絶縁層の前記内側面が、前記厚み方向に対して傾斜するテーパ形状を有する、（８）に記載の配線回路基板を含む。

絶縁層の内側面が、厚み方向に対して傾斜するテーパ形状を有するので、上記した応力を上記した方向により一層効率的に分散させることができる。

本発明（１０）は、前記導体層の厚みが、１２μｍ以下である、（８）または（９）に記載の配線回路基板を含む。

この配線回路基板によれば、導体層の厚みが１２μｍ以下と薄いので、薄型化および低弾性化が図られる。

本発明（１１）は、（８）～（１０）に記載の配線回路基板と、前記配線回路基板に実装され、前記導体層と電気的に接続される撮像素子とを備える、撮像装置を含む。

この撮像装置は、上記の配線回路基板を備えるので、信頼性に優れる。

本発明の配線回路基板の製造方法によれば、導体層の損傷を十分に抑制することができる。

本発明の配線回路基板では、導体層の強度を向上させることができる。

本発明の撮像装置は、信頼性に優れる。

図１Ａ～図１Ｆは、本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態の製造工程図であり、図１Ａが、ベース絶縁層を金属板に設ける第１工程、図１Ｂが、第１バリア層を設ける第２工程、図１Ｃが、連続層を設ける第３工程、図１Ｄが、導体層を設ける第４工程、図１Ｅが、カバー絶縁層を設ける工程、図１Ｆが、金属板をエッチングして除去する第５工程を示す。 図２は、図１Ｆに示す配線回路基板を備える撮像装置の概略断面図を示す。 図３は、図１Ａ～図１Ｆに示す一実施形態の変形例であって、図１Ｃに対応し、第２バリア層を所定のパターンで予め形成する第３工程を示す。 図４Ａおよび図４Ｂは、図１Ａ～図１Ｆに示す一実施形態の変形例であって、図１Ｄ～図１Ｆに対応し、図４Ａが、第２バリア層を形成する第３工程、図４Ｂが、導体層を形成する第４工程、カバー絶縁層を形成する第６工程、および、金属板を除去する第５工程を示す。 図５Ａ～図５Ｃは、図１Ａ～図１Ｆに示す一実施形態の変形例であって、図１Ｂ～図１Ｆに対応し、図５Ａが、ストレート形状の開口部を有する絶縁層を形成する第１工程、第１バリア層を形成する第２工程、図５Ｂが、第２バリア層（連続層）を形成する第３工程、図５Ｃが、導体層を形成する第４工程、カバー絶縁層を形成する第６工程、金属板を除去する第５工程を示す。 図６Ａおよび図６Ｂは、図１Ａ～図１Ｆに示す一実施形態の変形例であって、図１Ｃ～図１Ｆに対応し、図６Ａが、介在層を形成する工程、および、第２バリア層（連続層）を形成する第３工程、図６Ｂが、導体層を形成する第４工程、カバー絶縁層を形成する第６工程、金属板を除去する第５工程を示す。 図７Ａおよび図７Ｂは、図１Ａ～図１Ｆに示す一実施形態の変形例であって、図７Ａが、シールド層を形成する工程、図７Ｂが、第２カバー絶縁層を形成する工程、および、金属板を除去する第５工程を示す。

図１Ａ～図１Ｆにおいて、紙面上下方向は、上下方向（厚み方向の一例）を示し、紙面上側が上側（厚み方向一方側の一例）、紙面下側が下側（厚み方向他方側の一例）を示す。紙面左右方向は、面方向（厚み方向に直交する方向の一例）を示す。

具体的には、方向は、各図の方向矢印に準拠する。

これらの方向の定義により、配線回路基板１および撮像装置２２（図２）（後述）の製造時および使用時の向きを限定する意図はない。

なお、以降の各図は、各部材の角度、寸法などが、本願発明を容易に理解するために誇張して描画されており、正確に表されていない場合を含む。

本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態は、図２に示すように、撮像素子２１と電気的に接続されて、撮像装置２２に備えられる（組み込まれる）ための配線回路基板１０（撮像装置用配線回路基板）の製造方法である。

図１Ａ～図１Ｅに示すように、配線回路基板１０の製造方法は、絶縁層の一例としてのベース絶縁層１を金属板２に設ける第１工程と、第１バリア層７を設ける第２工程と、第２バリア層８を設ける第３工程と、導体層９を設ける第４工程と、カバー絶縁層１４を設ける第６工程と、金属板２をエッチングして除去する第５工程とを備える。

図１Ａに示すように、第１工程では、厚み方向を貫通する開口部３を有するベース絶縁層１を、金属板２の上面に設ける。

ベース絶縁層１は、面方向に延びるシート形状を有する。また、ベース絶縁層１は、互いに平行する絶縁上面４および絶縁下面５を有する。絶縁上面４および絶縁下面５は、ともに、平坦面である。絶縁下面５は、金属板２の上面と接触している。また、ベース絶縁層１は、開口部３に臨む絶縁内側面６を有する。

開口部３は、面方向に互いに間隔を隔てて複数配置される。複数の開口部３のそれぞれは、平面視略円形状を有する。複数の開口部３のそれぞれは、その開口断面積（面方向に沿って切断したときの開口断面積）が下側に向かうに従って小さくなるテーパ形状を有する。そのため、絶縁内側面６は、断面視において（厚み方向に沿って切断したときに）、面方向において互いに対向するテーパ面（傾斜面）であって、下側に向かうに従ってそれらの対向距離が小さくなるように、形成されている。つまり、開口部３は、下方に向かって縮径する略円錐台形状を有する。開口部３の下端縁は、金属板２によって閉塞されている。

ベース絶縁層１の材料としては、例えば、絶縁材料が挙げられる。絶縁材料としては、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、アクリル、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂などが挙げられる。好ましくは、ポリイミドなどが挙げられる。

金属板２は、面方向に延び、平坦な上面を有するシート形状を有する。金属板２の材料としては、例えば、第５工程によるエッチング（図１Ｆ）（後述）によって除去される材料が挙げられ、また、第２工程（後述）におけるめっき（具体的には、電解めっき）における給電層となる導体が挙げられる。また、金属板２は、以降で説明する第１バリア層７、第２バリア層８、導体層９およびカバー絶縁層１４を支持する支持層となるので、金属板２の材料としては、剛性を有する材料が挙げられる。具体的には、金属板２の材料としては、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅合金などの金属が挙げられ、好ましくは、ステンレスが挙げられる。金属板２の厚みは、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下である。

第１工程では、ベース絶縁層１を、例えば、フォト加工により、金属板２の上面に設ける。具体的には、まず、感光成分および絶縁材料を含有する感光絶縁組成物を調製し、続いて、感光絶縁組成物を、金属板２の上面に塗布し、その後、必要により乾燥して、皮膜を形成する。次いで、開口部３に対応するパターンを有するフォトマスクを介して皮膜を露光し、現像して、その後、必要により、露光後加熱する。なお、テーパ形状を有する絶縁内側面６は、露光時の露光ギャップなどで光の平行度を調整することで形成する。

あるいは、開口部３を有するパターンに形成されたベース絶縁層１を、金属板２の上面に配置（載置）する。

これにより、開口部３を有するベース絶縁層１を金属板２の上面に形成する。

ベース絶縁層２の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、３０μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下である。

開口部３の上端縁の最大長さ（最大径）は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、２０００μｍ以下、好ましくは、１５００μｍ以下である。開口部３の下端縁の最大長さ（最大径）は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下である。絶縁内側面６と、開口部３から露出する金属板２の上面との成す角度αは、例えば、鈍角であり、具体的には、９０度超過、好ましくは、１２０度以上であり、また、例えば、１７０度以下、好ましくは、１６０度以下である。

図１Ｂに示すように、次いで、第２工程では、第１バリア層７を、開口部３から露出する金属板２の上面にめっきにより設ける。

第１バリア層７は、第５工程のエッチング液に対するバリア層であり、開口部３内の下端縁に位置しており、開口部３内において、面方向に延びる薄膜形状を有する。また、第１バリア層７の周端縁は、絶縁内側面６の下端縁に接触している。また、第１バリア層７は、互いに平行し、厚み方向に間隔を隔てて配置される第１上面１１および第２下面１２を有する。

第２下面１２は、金属板２の上面と接触しており、絶縁下面５と、面方向に面一である。つまり、第２下面１２は、絶縁下面５と面方向に連続する。

第１上面１１は、面方向に投影したときに、絶縁内側面６と重複しており、絶縁上面４の下側に間隔を隔てて位置する。

第１バリア層７の材料としては、第５工程によるエッチング（後述）によってエッチング液の浸入を抑制できるエッチングバリア性材料が挙げられ、具体的には、金、白金、パラジウム、クロム、それらの合金などが挙げられ、好ましくは、金が挙げられる。

第１バリア層７は、例えば、電解めっき、無電解めっきなどにより、設けられる。好ましくは、第１バリア層７は、金属板２から給電する電解めっきによって、開口部３から露出する金属板２の上面に、形成される。

第１バリア層７の厚みは、例えば、０．０５μｍ以上、好ましくは、０．２μｍ以上であり、また、例えば、２０μｍ以下、好ましくは、５μｍ以下である。

図１Ｃに示すように、次いで、第３工程では、第２バリア層８を、第１バリア層７の第１上面１１、絶縁内側面６、および、開口部３の周囲における絶縁層１の絶縁上面４に、連続状に設ける。

具体的には、まず、第２バリア層８を含む連続層１３を、第１バリア層７における第１上面１１の全面と、絶縁層１における絶縁内側面６および絶縁上面４の全面とに、連続状に設ける。

連続層１３は、上記した絶縁内側面６と、第１上面１１とに連続している。これにより、連続層１３は、第１上面１１の周端縁の外面（絶縁内側面６に対向する外側面）と、絶縁内側面６の下端縁との間を閉塞する。

さらに、連続層１３は、絶縁内側面６において、その下端縁以外の全面に配置されており、かかる全面を被覆（閉塞）している。

なお、連続層１３は、上記した各面に沿って連続して延びる薄膜形状を有し、上記した各面に追従しており、連続層１３が延びる方向と直交する方向において同一厚みを有する。

なお、連続層１３は、次に説明する第４工程（図１Ｄ参照）におけるパターニングにより、第２バリア層８となる（形成される）層であって、第２バリア層８と同一厚みを有し、同一材料からなる。

連続層１３の材料としては、第５工程によるエッチング（後述）によって、第１バリア層７を通過したエッチング液のさらなる浸入を抑制できるエッチングバリア性材料が挙げられ、また、導体層９の絶縁層１に対する密着性を向上させる密着性材料（つまり、導体層９の絶縁層１に対する密着力に比べて、連続層１３の絶縁層１に対する密着力、および、連続層１３の導体層９に対する密着力が大きくなる材料）が挙げられる。また、連続層１３の材料は、第２バリア層８が後述する第４工程におけるめっきの下地層（シード層、種膜）となることから、導体が挙げられる。

また、連続層１３の材料としては、第１バリア層７の材料と同一または相異なっていてもよい。なお、連続層１３の材料と第１バリア層７の材料とが相異なる場合には、それらの間には、境界が形成され、また、連続層１３の材料と第１バリア層７の材料とが同一である場合には、それらの間には、形成方法の相違に基づく境界が形成される。好ましくは、連続層１３の材料は、第１バリア層７の材料と相違しており、具体的には、クロムが挙げられる。連続層１３の材料がクロムであれば、第５工程によるエッチング（後述）において、第１バリア層７を通過したエッチング液のさらなる浸入をより一層抑制でき、また、導体層９の絶縁層１に対する密着性を十分に向上させることができる。

連続層１３を、例えば、スパッタリング、めっき（無電解めっきなど）などの薄膜形成方法により、形成する。好ましくは、スパッタリングにより形成する。スパッタリングであれば、均一な厚みの連続層１３を簡易に形成できる。

連続層１３の厚みは、例えば、５ｎｍ以上、好ましくは、１０ｎｍ以上、であり、また、例えば、５００ｎｍ以下、好ましくは、１００ｎｍ以下である。

その後、第４工程において、連続層１３は、パターニング（連続層１３における不要部分が除去）されて、第２バリア層８のみが残る（形成される）。

図１Ｄに示すように、次いで、第４工程では、導体層９を、連続層１３に接触するように設ける。

導体層９は、平面視において、後でパターニングされる第２バリア層８と重複する平面視パターンで、連続層１３の上面に形成される。

導体層９を、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などのパターン形成方法によって、形成する。

好ましくは、導体層９を、アディティブ法によって、連続層１３の上面に形成する。具体的には、まず、図示しないめっきレジストを、連続層１３の上面に、導体層９の逆パターンで配置し、続いて、金属板２から第１バリア層７を介して連続層１３に給電して、導体層９を電解めっきにより形成する。すなわち、連続層１３を種膜（シード層）として利用して、電解めっきする。

その後、めっきレジストを除去し、続いて、めっきレジストが被覆していた連続層１３（導体層９から露出する連続層１３、つまり、連続層１３における不要部分）を剥離などによって除去する。

これによって、導体層９が形成されるとともに、第２バリア層８が形成される。

第２バリア層８は、第１バリア層７の第１上面１１と、絶縁内側面６（下端縁）と、開口部３の周囲の絶縁上面４とに連続するパターンに形成される。

導体層９は、第２バリア層８の上面に接触しており、平面視において、第２バリア層８と同一パターンに形成されている。

導体層９の材料としては、例えば、銅、ニッケル、または合金などの導体などが挙げられ、好ましくは、銅が挙げられる。

導体層９の厚みは、例えば、０．５μｍ以上、好ましくは、２μｍ以上であり、また、例えば、２０μｍ以下、好ましくは、１２μｍ以下、より好ましくは、８μｍ以下、さらに好ましくは、５μｍ以下、とりわけ好ましくは、３μｍ以下である。

導体層９の厚みが上記した上限以下であれば、配線回路基板１０の薄型化を図ることができる。また、配線回路基板１０の弾性率が下がるため、撮像装置２２の低反り化が図られる。

図１Ｅに示すように、第６工程では、次いで、カバー絶縁層１４を、絶縁上面４に、導体層９を部分的に被覆するように、設ける。例えば、カバー絶縁層１４を、フォト加工などによって、ベース絶縁層１と同一の絶縁材料から形成する。カバー絶縁層１４の厚みは、特に限定されず、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、また、例えば、３０μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下である。

図１Ｆに示すように、その後、第５工程では、金属板２をエッチングして除去する。

具体的には、エッチングレジスト（図示せず）を、導体層９を被覆するように配置し、続いて、金属板２をエッチング液に暴露させる。

エッチング液の種類、エッチング条件などは、特に限定されず、例えば、金属板２を除去できるが、ベース絶縁層１および第１バリア層７を除去しないように、適宜設定される。

これにより、配線回路基板１０を製造する。配線回路基板１０は、ベース絶縁層１と、第１バリア層７と、第２バリア層８と、導体層９と、カバー絶縁層１４とを備える。好ましくは、配線回路基板１０は、ベース絶縁層１と、第１バリア層７と、第２バリア層８と、導体層９と、カバー絶縁層１４とのみからなる。

配線回路基板１０の厚みは、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、４０μｍ以下であり、また、例えば、１μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上である。

次に、図２に示すように、上記した配線回路基板１０を備える撮像装置２２を説明する。

配線回路基板１０の下側に、撮像素子２１を準備し、次いで、撮像素子２１の端子２３を第１バリア層７と接触させる。これにより、撮像素子２１の端子２３が、第１バリア層７および第２バリア層８を介して、導体層９と電気的に接続される。これにより、撮像素子２１が配線回路基板１０に実装される。

これにより、配線回路基板１０と、撮像素子２１とを備える撮像装置２２を得る。

そして、この製造方法によれば、図１Ｂに示す第２工程で、第１バリア層７を設け、図１Ｃに示す第３工程で、第２バリア層８となる連続層１３を設ける。そのため、図１Ｆに示す第５工程で、金属板２をエッチングしても、２つのバリア層（第１バリア層７および第２バリア層８）で、エッチング液が導体層９に向かって浸入することを十分に抑制することができる。

また、この製造方法によれば、図１Ｃに示すように、第３工程で、第２バリア層８となる連続層１３を、第１バリア層７の第１上面１１（第１バリア層７の上側）、および、絶縁層１の絶縁内側面６に連続状に設ける。そのため、第５工程において、たとえ、エッチング液が、第１バリア層７の周端縁、および、絶縁層１の絶縁内側面６の間に浸入しても、第２バリア層８が、エッチング液のそれ以上の浸入を確実に抑制することができる。

その結果、導体層９の損傷を十分に抑制することができる。

また、この製造方法によれば、図１Ｃに示すように、第３工程では、第２バリア層８となる連続層１３を、第１バリア層７の第１上面１１に設けるので、第２バリア層８を第１バリア層７とを直接接触させることができる。そのため、互いに接触する２つのバリア層による開口部３へのエッチング液の浸入の抑制効果を向上させることができる。

また、たとえ、エッチング液が絶縁層１の絶縁内側面６に沿って上に向かって浸入しようとしても、この製造方法によれば、開口部３の周囲における絶縁層１の絶縁上面４に設けられる第２バリア層８によって、エッチング液のそれ以上の上側への浸入を抑制することができる。

さらに、この製造方法によれば、図１Ａに示すように、第１工程では、絶縁層１の絶縁内側面６が、厚み方向に対して傾斜するテーパ形状を有するように、開口部３を設けている。そのため、ベース絶縁層１の絶縁内側面６を、ストレート形状の絶縁内側面６（図５Ａ参照）に比べて、長くすることができる。そのため、図１Ｃにおける第３工程において設けられる第２バリア層８となる連続層１３と、ベース絶縁層１の絶縁内側面６との接触面積を増大させて、連続層１３から形成される第２バリア層８によって、第５工程におけるエッチング液の浸入抑制効果を向上させることができる。

図１Ｃに示す第３工程において、第２バリア層８を、絶縁層１の絶縁内側面６に確実に設けることができる。

また、この製造方法によれば、図１Ｃに示すように、第３工程をスパッタリングにより実施すれば、第２バリア層８となる連続層１３を簡単に形成することができる。

とりわけ、ベース絶縁層１の絶縁内側面６がテーパ形状を有する場合には、かかる絶縁内側面６に対して、スパッタリングにより連続層１３を確実に形成することができる。

さらに、第２バリア層の材料が、クロムであれば、第５工程におけるエッチング液の浸入を確実に抑制することができる。

また、導体層９の厚みが１２μｍ以下と薄ければ、第５工程において、第１バリア層１および第２バリア層８がなければ、エッチング液の浸食に起因する導体層９の損傷が、接続信頼性の低下が顕在化する。具体的には、薄い導体層９が穿孔されるなどの損傷を生じる。

しかし、この製造方法によれば、第３工程で第２バリア層８を設けるので、第５工程で、金属板２をエッチングしても、エッチング液が導体層９に向かって浸入することを十分に抑制でき、そのため、上記した損傷を抑制することができる。

他方、導体層９の厚みが８μｍを超過すれば、上記した穿孔などの可能性が少ない。

この配線回路基板１では、応力が面方向に導体層９にかかっても、第２バリア層８を介して、絶縁内側面６から絶縁層１に分散させることができる。そのため、導体層９の強度を向上させることができる。

さらに、絶縁層１の絶縁内側面６が、テーパ形状を有するので、上記した応力を面方向により一層効率的に分散させることができる。

また、導体層９の厚みが１２μｍ以下と薄ければ、配線回路基板１の薄型化を図ることができる。また、配線回路基板１０の弾性率が下がるため、撮像装置２２の低反り化が図られる。

図２に示す撮像装置２２は、上記した配線回路基板１を備えるので、信頼性に優れる。
［変形例］
以下の変形例において、上記した一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、各変形例を適宜組み合わせることができる。さらに、各変形例は、特記する以外、一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。

一実施形態では、図１Ｃに示すように、連続層１３を絶縁層１の全面に形成し、続いて、図１Ｄに示すように、導体層９の形成と同時に、連続層１３から第２バリア層８をパターニングしている。しかし、例えば、図３に示すように、予め所定のパターンの第２バリア層８を、第１バリア層７の第１上面１１と、絶縁内側面６と、開口部３の周囲における絶縁層１の絶縁上面４とに連続状に形成することもできる。

その後、図１Ｄに示すように、導体層９を、第２バリア層８の上面に形成し、続いて、図１Ｅに示すように、カバー絶縁層１４を形成し、図１Ｆに示すように、金属板２を除去する。

一実施形態では、図１Ｄに示すように、第２バリア層８を、開口部３の周囲における絶縁層１の絶縁上面４に設けている。しかし、例えば、図４Ａに示すように、開口部３の周囲における絶縁層１の絶縁上面４を露出させ、第１バリア層７の第１上面１１、および、絶縁内側面６のみに設けることもできる。

その後、図４Ａの実線および図４Ｂに示すように、導体層９を形成し、続いて、カバー絶縁層１４を順に形成し、図４Ｂの仮想線で示す金属板２を除去する。

一実施形態では、図１Ａに示すように、絶縁内側面６が、テーパ形状を有するように、開口部３を絶縁層１に形成している。しかし、図５Ａに示すように、絶縁内側面６が、厚み方向に沿うストレート形状を有するように、開口部３を絶縁層１に形成することもできる。

その後、第１バリア層７を形成し、次いで、図５Ｂに示すように、第２バリア層８（となる連続層１３（仮想線））を形成し、次いで、図５Ｃに示すように、導体層９を形成し、次いで、カバー絶縁層１４（仮想線）を形成し、その後、金属板２を除去する。

図６Ａに示すように、介在層１５を、開口部３内において、第１バリア層７と、第２バリア層８との間に配置する（介在させる）こともできる。

介在層１５は、第１バリア層７の第１上面１１の全面に形成される。介在層１５は、面方向に延びる略円板形状を有する。介在層１５の材料としては、例えば、ニッケルなどの金属が挙げられる。介在層１５の厚みは、例えば、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．５μｍ以上であり、また、例えば、２５μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下である。

介在層１５は、第２工程および第３工程間に、形成される。介在層１５を、例えば、スパッタリング、めっき（電解めっきなど）などの薄膜形成方法により、形成する。好ましくは、めっきにより介在層１５を形成する。具体的には、第２工程の後に、めっきにより、介在層１５を、第１バリア層７の第１上面１１に形成する。

その後、第３工程において、第２バリア層８となる連続層１３を、介在層１５の上面と、絶縁内側面６と、開口部３の周囲における絶縁層１の絶縁上面４とに、連続状に形成する。

その後、図６Ｂに示すように、導体層９および第２バリア層８を形成し、次いで、カバー絶縁層１４を形成し、その後、仮想線で示す金属板２を除去する。

これにより、図６Ｂの実線で示すように、ベース絶縁層１と、第１バリア層７と、介在層１５と、第２バリア層８と、導体層９と、カバー絶縁層１４とを備える配線回路基板１０を得る。

図７Ａおよび図７Ｂに示すように、配線回路基板１０に、さらに、シールド層１６および第２カバー絶縁層１７を備えることもできる。

図７Ａに示すように、シールド層１６は、カバー絶縁層１４の上面、および、カバー絶縁層１４から露出する導体層９の上面に設けられる。シールド層１６のパターン、形成方法、厚みなどは、特に限定されない。なお、シールド層１６の材料は、導体層９の材料と同様である。

図７Ｂに示すように、第２カバー絶縁層１７は、シールド層１６を被覆するように、カバー絶縁層１４の上面に設けられる。第２カバー絶縁層１７のパターン、形成方法などは、特に限定されない。なお、第２カバー絶縁層１７の材料および厚みは、カバー絶縁層１４のそれらと同様である。

この方法では、図７Ａに示すように、第６工程（図１Ｅ参照）の後に、シールド層１６を形成し、続いて、図７Ｂに示すように、第２カバー絶縁層１７を形成し、その後、図７の仮想線で示す金属板２を除去する（第５工程）。

この配線回路基板１０は、ベース絶縁層１と、第１バリア層７と、第２バリア層８と、導体層９と、カバー絶縁層１４と、シールド層１６と、第２カバー絶縁層１７とを備える。

一実施形態では、配線回路基板１０は、撮像装置用配線回路基板として説明したが、その用途はこれに限定されず、例えば、検査用基板（異方導電性シート）、フレキシブル配線回路基板などに用いることができる。

１ 絶縁層
２ 金属板
３ 開口部
４ 絶縁上面
６ 絶縁内側面
７ 第１バリア層
８ 第２バリア層
９ 導体層
１０ 配線回路基板（撮像装置用配線回路基板）
１１ 第１上面
２２ 撮像装置
２３ 撮像素子

Claims (11)

1. 厚み方向を貫通する開口部を有する絶縁層を、金属板の厚み方向一方面に設ける第１工程と、
   第１バリア層を、前記開口部から露出する前記金属板の前記厚み方向一方面に、めっきにより設ける第２工程と、
   第２バリア層を、前記第１バリア層の前記厚み方向一方側、および、前記開口部に臨む前記絶縁層の内側面に連続状に設ける第３工程と、
   導体層を、前記第２バリア層に接触するように設ける第４工程と、
   前記金属板を、エッチングして除去する第５工程と
   を備え、
   前記第２工程では、前記第１バリア層の周端縁は、前記絶縁層において前記開口部に臨む絶縁内側面の厚み方向他端縁に接触することを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
2. 前記第３工程では、前記第２バリア層を、前記第１バリア層の前記厚み方向一方面に設けることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板の製造方法。
3. 前記第３工程では、前記第２バリア層を、さらに、前記開口部の周囲における前記絶縁層の前記厚み方向一方面に設けることを特徴とする、請求項１または２の配線回路基板の製造方法。
4. 前記第１工程では、前記絶縁層の前記内側面が、前記厚み方向に対して傾斜するテーパ形状を有するように、前記開口部を設けることを特徴とする、請求項１～３のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法。
5. 前記第３工程では、前記第２バリア層を、スパッタリングにより形成することを特徴とする、請求項１～４のいずれか一項に記載に記載の配線回路基板の製造方法。
6. 前記第２バリア層の材料が、クロムであることを特徴とする、請求項１～５のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法。
7. 前記導体層の厚みが、１２μｍ以下であることを特徴とする、請求項１～５のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法。
8. 厚み方向を貫通する開口部を有する絶縁層と、
   前記開口部の厚み方向他端縁に位置し、前記絶縁層の前記厚み方向他方面と面一である第１バリア層と、
   前記第１バリア層の前記厚み方向一方側、前記開口部に臨む前記絶縁層の内側面、および、前記開口部の周囲における前記絶縁層の前記厚み方向一方面に連続して配置される第２バリア層と、
   前記第２バリア層の前記厚み方向一方面に配置される導体層と
   を備え、
   前記第１バリア層の周端縁は、前記絶縁層において前記開口部に臨む絶縁内側面の厚み方向他端縁に接触することを特徴とする、配線回路基板。
9. 前記絶縁層の前記内側面が、前記厚み方向に対して傾斜するテーパ形状を有することを特徴とする、請求項８に記載の配線回路基板。
10. 前記導体層の厚みが、１２μｍ以下であることを特徴とする、請求項８または９に記載の配線回路基板。
11. 請求項８～１０のいずれか一項に記載の配線回路基板と、
    前記配線回路基板に実装され、前記導体層と電気的に接続される撮像素子と
    を備えることを特徴とする、撮像装置。

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