JP7076966B2 - 基板および半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
メンブレン膜63としての窒化シリコンが成膜されたウエハを用い、シリコン基板1のエッチングパターン及びダミーパターンに、レーザーにより先導孔を形成した。続いて、レーザー加工されたシリコン基板1をTMAH22重量部のエッチング液を用い、83℃でウェットエッチング処理することで、インク供給口68となる有効チップ開口3及びダミー開口2を形成した。このシリコン基板1におけるメンブレン不良率は0%であった。
実施例1と同様の方法を用い、ダミーパターン形状とエッチングパターン形状とを異ならせて、インク供給口68となる有効チップ開口3及びダミー開口2を形成した。このシリコン基板1におけるメンブレン不良率は0%であった。
実施例1と同様の方法を用い、ダミーパターンの長手方向とエッチングパターンの長手方向とを異ならせて、インク供給口68となる有効チップ開口3及びダミー開口2を形成した。このシリコン基板1におけるメンブレン不良率は0%であった。
実施例1と同様の方法を用い、矢印X方向における有効チップ開口3とダミー開口2とを合わせた開口率と、矢印Y方向における有効チップ開口3とダミー開口2とを合わせた開口率との比が、1となるように、有効チップ開口3とダミー開口2とを配置した。このシリコン基板1におけるメンブレン不良率は0%であった。
実施例1と同様の方法を用い、矢印X方向における有効チップ開口3とダミー開口2とを合わせた開口率と、矢印Y方向における有効チップ開口3とダミー開口2とを合わせた開口率との比が、0.8となるように、有効チップ開口3とダミー開口2とを配置した。このシリコン基板1におけるメンブレン不良率は0%であった。
実施例1と同様の方法を用い、ダミーパターンを配置しないでシリコン基板1のエッチングを行った。この場合、ウェットエッチングによるインク供給口形成時にメンブレン不良が発生し、その不良率は6%であった。
実施例1と同様の方法を用い、矢印X方向における有効チップ開口3とダミー開口2とを合わせた開口率と、矢印Y方向における有効チップ開口3とダミー開口2とを合わせた開口率との比が、0.75となるように、有効チップ開口3とダミー開口2とを配置した。この場合、ウェットエッチングによるインク供給口形成時にメンブレン不良が発生し、その不良率は3%であった。
2 ダミー開口
3 有効チップ開口
63 メンブレン膜
68 インク供給口
69 吐出口
Claims (11)
- シリコンウエハに膜を成膜する成膜工程と、
前記シリコンウエハの所定領域に、前記シリコンウエハを貫通する第1開口を形成する第1開口形成工程と、
前記シリコンウエハの前記所定領域と前記シリコンウエハの外周端との間の領域である所定外領域に、前記シリコンウエハを貫通する第2開口を形成する第2開口形成工程と、
前記シリコンウエハを、前記第1開口を備えた基板に切断する切断工程と、
を有し、
前記切断工程においては、前記シリコンウエハの表面から裏面に向かって切断することで該シリコンウエハから前記基板を分断し、
前記シリコンウエハが切断される前において、前記第2開口は、該シリコンウエハの前記表面から前記裏面まで形成されていることを特徴とする基板の製造方法。 - 前記第2開口形成工程は、前記所定外領域の面積に基づいた数量の、前記第2開口を形成する請求項1に記載の基板の製造方法。
- 前記第1開口形成工程と前記第2開口形成工程とは、エッチングによって開口を形成する工程である請求項1または請求項2に記載の基板の製造方法。
- 前記第1開口形成工程および前記第2開口形成工程では、前記シリコンウエハの中心に対して点対称に前記第1開口および前記第2開口を形成する請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の基板の製造方法。
- 前記第1開口形成工程では、前記第1開口の形状を長方形に形成する請求項1ないし請
求項4のいずれか1項に記載の基板の製造方法。 - 前記第1開口の長手方向における前記第1開口と前記第2開口とを合わせた開口率と、前記第1開口の短手方向における前記第1開口と前記第2開口とを合わせた開口率との比を、0.8以上1.0以下とする請求項5に記載の基板の製造方法。
- 前記第2開口形成工程では、前記第2開口の形状を長方形に形成する請求項5または請求項6に記載の基板の製造方法。
- 前記第1開口の長手方向と前記第2開口の長手方向とは、異なる方向である請求項7に記載の基板の製造方法。
- 前記第2開口形成工程では、前記第2開口を複数の異なる形状に形成する請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の基板の製造方法。
- 前記第2開口形成工程は、前記第2開口を多角形に形成する請求項9に記載の基板の製造方法。
- シリコンウエハに膜を成膜する成膜工程と、
前記シリコンウエハの所定領域に、前記シリコンウエハを貫通する第1開口を形成する第1開口形成工程と、
前記シリコンウエハの前記所定領域と前記シリコンウエハの外周端との間の領域である所定外領域に、前記シリコンウエハを貫通する第2開口を形成する第2開口形成工程と、
前記シリコンウエハを、前記第1開口を備えた基板に切断する切断工程と、
を有し、
前記切断工程においては、前記シリコンウエハの表面から裏面に向かって切断することで該シリコンウエハから前記基板を分断し、
前記シリコンウエハが切断される前において、前記第2開口は、該シリコンウエハの前記表面から前記裏面まで形成されていることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005271215A (ja) | 2004-03-22 | 2005-10-06 | Seiko Epson Corp | シリコンデバイスの製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法並びに液体噴射ヘッド |
JP2007245588A (ja) | 2006-03-16 | 2007-09-27 | Seiko Epson Corp | デバイス用基板の製造方法 |
JP2008246833A (ja) | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Seiko Epson Corp | シリコンデバイスの製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法 |
JP2010239130A (ja) | 2009-03-11 | 2010-10-21 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体基板、半導体基板の製造方法、電子デバイス、および電子デバイスの製造方法 |
JP2014213485A (ja) | 2013-04-23 | 2014-11-17 | キヤノン株式会社 | 基板の加工方法 |
JP2015152832A (ja) | 2014-02-17 | 2015-08-24 | 株式会社リコー | フォトマスク、フォトマスクの生産装置、フォトマスクの生産方法、フォトマスクの生産プログラム、ウエハ、液体吐出ヘッド及び画像形成装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5196378A (en) * | 1987-12-17 | 1993-03-23 | Texas Instruments Incorporated | Method of fabricating an integrated circuit having active regions near a die edge |
JP2007250761A (ja) | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Canon Inc | 半導体デバイスの製造方法 |
JP6719911B2 (ja) | 2016-01-19 | 2020-07-08 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッドの製造方法 |
-
2017
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-
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005271215A (ja) | 2004-03-22 | 2005-10-06 | Seiko Epson Corp | シリコンデバイスの製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法並びに液体噴射ヘッド |
JP2007245588A (ja) | 2006-03-16 | 2007-09-27 | Seiko Epson Corp | デバイス用基板の製造方法 |
JP2008246833A (ja) | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Seiko Epson Corp | シリコンデバイスの製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法 |
JP2010239130A (ja) | 2009-03-11 | 2010-10-21 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体基板、半導体基板の製造方法、電子デバイス、および電子デバイスの製造方法 |
JP2014213485A (ja) | 2013-04-23 | 2014-11-17 | キヤノン株式会社 | 基板の加工方法 |
JP2015152832A (ja) | 2014-02-17 | 2015-08-24 | 株式会社リコー | フォトマスク、フォトマスクの生産装置、フォトマスクの生産方法、フォトマスクの生産プログラム、ウエハ、液体吐出ヘッド及び画像形成装置 |
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