JP7053870B2 - 積層体の製造方法、光学部材の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、積層体の製造方法、および、光学部材の製造方法に関する。

コレステリック液晶相を固定してなる層（以後、「コレステリック液晶層」ともいう。）は、特定の波長域において右円偏光および左円偏光のいずれか一方を選択的に反射させる性質を有する層として知られており、種々の用途への展開がなされている。
例えば、特許文献１では、基板上に、重合性基を有する液晶化合物を重合させてコレステリック液晶層を得る態様が開示されている。

特開２０１３－２００５１５号公報

近年、コレステリック液晶層を用いた製品の薄膜化が用いられている。そのため、支持体上でコレステリック液晶層を形成した後に、基材上にコレステリック液晶層のみを転写できることが望ましい。
本発明者らは、特許文献１に開示されているコレステリック液晶層の転写性について検討したところ、他の基材との密着性が劣り、転写性が劣っていた。
なお、コレステリック液晶層以外にも、位相差を有する位相差層に関しても、同様の転写性の向上の要望があった。なお、位相差層とは、コレステリック液晶層以外の層であって、面内方向または厚み方向に位相差を有する層を意味する。

本発明は、上記実情に鑑みて、コレステリック液晶層および位相差層からなる群から選択される機能層を含む光学層の他の基材への転写性に優れる、積層体の製造方法を提供することを課題とする。
また、本発明は、光学部材の製造方法を提供することも課題とする。

本発明者らは、上記課題に対して鋭意検討を行ったところ、下記構成により、上記課題が解決できることを見出した。

（１） 仮支持体と、
仮支持体上に隣接して配置された、光学層と、を含み、
光学層は、コレステリック液晶層および位相差層からなる群から選択される機能層を含み、
光学層中において、機能層が仮支持体から最も離れた位置に配置される、積層体の製造方法であって、
仮支持体上に直接または他の層を介して、重合性基を有する液晶化合物を含む前駆体層を形成する工程と、
前駆体層中の液晶化合物を配向させた後、前駆体層に対して、前駆体層の仮支持体側とは反対側の表面から光を照射して硬化処理を実施し、機能層を得る工程を有し、
前駆体層が、後述する式（１）で表される部分構造を含み、
光照射の際の光が、波長２６５ｎｍの光を含み、
波長２６５ｎｍの光の照射量が、５ｍＪ／ｃｍ^２以上である、積層体の製造方法。
（２） 前駆体層が、さらに界面活性剤を含み、
液晶化合物および界面活性剤の少なくとも一方が、部分構造を有する、（１）に記載の積層体の製造方法。
（３） 機能層がコレステリック液晶層である、（１）または（２）に記載の積層体の製造方法。
（４） 前駆体層が、光照射により螺旋誘起力が変化するキラル剤を含み、
コレステリック液晶層が、厚さ方向で螺旋ピッチが変化している、ピッチグラジエント構造を有する、（３）に記載の積層体の製造方法。
（５） コレステリック液晶層の積分反射スペクトルの半値幅が８０ｎｍ以上である、（４）に記載の積層体の製造方法。
（６） コレステリック液晶層の走査型電子顕微鏡によって観察される断面において、コレステリック液晶相に由来する明部および暗部の少なくとも一部が波打ち構造を有する、（１）～（５）のいずれかに記載の積層体の製造方法。
（７） 前駆体層が、他の層を介して仮支持体上に配置されており、
他の層が、コレステリック液晶層である、（１）～（６）のいずれかに記載の積層体の製造方法。
（８） 機能層であるコレステリック液晶層の螺旋の捩れ方向と、他の層であるコレステリック液晶層の螺旋の捩れ方向とが逆方向である、（７）に記載の積層体の製造方法。
（９） 他の層であるコレステリック液晶層が、厚さ方向で螺旋ピッチが変化している、ピッチグラジエント構造を有する、（７）または（８）に記載の積層体の製造方法。
（１０） （１）～（９）のいずれかに記載の製造方法で得られた積層体中の光学層を直接または他の層を介して基材と接触させて、仮支持体を剥離して、基材と光学層とを含む光学部材を得る工程を有する、光学部材の製造方法。

本発明によれば、コレステリック液晶層および位相差層からなる群から選択される機能層を含む光学層の他の基材への転写性に優れる、積層体の製造方法を提供できる。
また、本発明によれば、光学部材の製造方法を提供できる。

工程１－１を説明するための概略図である。 工程２における光照射の方法を説明するための概略図である。 工程２によって得られる積層体を説明するための概略図である。 コレステリック液晶層の構造を説明するための概略図である。 工程１－２を説明するための概略図である。

以下、本発明について詳細に説明する。なお、本明細書において「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。

本発明において、可視光は、電磁波のうち、ヒトの目で見える波長の光であり、３８０～７８０ｎｍの波長領域の光である。紫外線は１０ｎｍ以上３８０ｎｍ未満の波長領域の光である。

本発明の製造方法の特徴点としては、後述する式（１）で表される部分構造を含む前駆体層の硬化処理の際に、波長２６５ｎｍの光を含む光を照射する点が挙げられる。波長２６５ｎｍの光を前駆体層に照射することにより、前駆体層の硬化と共に、光フリース転位が進行する。光フリース転位としては、以下のスキームで表される転位が挙げられる。

光フリース転位が生じることにより、フェノール性水酸基を有する部分構造が形成される。そのため、機能層の光照射面側の表面において、フェノール性水酸基を有する部分構造が多く生成され、結果として、他の基材との密着性が向上する。

以下に、本発明の製造方法を実施態様毎に説明する。
本発明の製造方法の第１実施態様は、仮支持体上に直接、前駆体層を形成する態様を表し、本発明の製造方法の第２実施態様は、仮支持体上に他の層を介して、前駆体層を形成する態様を表す。
以下では、まず、第１実施態様について詳述する。

＜＜第１実施態様＞＞
本発明の製造方法の第１実施態様は、後述する工程１－１～工程２を含む。
以下、各工程の手順について詳述する。

＜工程１－１＞
工程１－１は、仮支持体上に直接、重合性基を有する液晶化合物を含む前駆体層を形成する工程である。本工程を実施することにより、硬化処理が施される層である前駆体層が形成される。より具体的には、本工程を実施することにより、図１に示すように、仮支持体１０上に直接、前駆体層１２が形成される。
以下では、まず、本工程で用いられる部材・材料について詳述する。

（仮支持体）
仮支持体は、前駆体層を支持する基材であり、後述する光学層と剥離可能に密着する。言い換えれば、仮支持体は、剥離性の支持体である。後述するように、光学層が転写される際には、仮支持体と光学層とに分離される。

仮支持体を構成する材料は特に制限されず、例えば、ポリエステル系樹脂、セルロース系樹脂、（メタ）アクリル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、スチレン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、塩化ビニル系樹脂、および、アミド系樹脂が挙げられる。
なお、（メタ）アクリル系樹脂は、アクリル系樹脂およびメタクリル系樹脂の総称である。

仮支持体は、単層構造であってもよく、複層構造であってもよい。
仮支持体が複層構造である場合、仮支持体は、基板と、基板上に配置された樹脂を含む下地層とを含んでいてもよい。下地層（特に、ラビング処理が施されていない下地層）を設けることにより、下地層の表面上に配置されるコレステリック液晶層において後述する波打ち構造が形成されやすくなる。
なお、上記では下地層が仮支持体を構成する層の一例として記載したが、後述するように、下地層を構成する成分によっては、下地層は光学層の一部であってもよい。

基板を構成する材料は特に制限されず、上述した支持体を構成する材料が挙げられる。
基板の厚さは、２０～１０００μｍが好ましく、４０～５００μｍがより好ましい。
下地層に含まれる樹脂の種類は特に制限されず、上述した仮支持体を構成する材料が挙げられる。なかでも、下地層に含まれる樹脂としては、（メタ）アクリル系樹脂が好ましい。
下地層の厚さは、０．０１～５．０μｍが好ましく、０．０５～３．０μｍがより好ましい。
なお、機能層が位相差層である場合、仮支持体として、表面にラビング処理が施された仮支持体を用いてもよい。または、下地層が配向層（例えば、ラビング処理が施された樹脂層）であってもよい。

（前駆体層）
前駆体層は、仮支持体上に直接配置される層である。なお、後述するように、第２実施態様においては、前駆体層は、仮支持体上に他の層を介して配置される。
前駆体層は、重合性基を有する液晶化合物（以下、「重合性液晶化合物」ともいう。）を含む。
重合性基の種類は特に制限されず、ラジカル重合性基およびカチオン重合性基が挙げられ、（メタ）アクリロイルオキシ基、ビニル基、マレイミド基、アセチル基、スチリル基、アリル基、エポキシ基、および、オキセタン基が挙げられる。
（メタ）アクリロイルオキシ基は、アクリロイルオキシ基およびメタクリロイルオキシ基の総称である。
重合性液晶化合物に含まれる重合性基の数は特に制限されず、１～６個が好ましく、１～３個がより好ましい。

重合性液晶化合物としては、棒状液晶化合物であっても、円盤状液晶化合物であってもよいが、棒状液晶化合物が好ましい。棒状液晶化合物としては、アゾメチン類、アゾキシ類、シアノビフェニル類、シアノフェニルエステル類、安息香酸エステル類、シクロヘキサンカルボン酸フェニルエステル類、シアノフェニルシクロヘキサン類、シアノ置換フェニルピリミジン類、アルコキシ置換フェニルピリミジン類、フェニルジオキサン類、トラン類、または、アルケニルシクロヘキシルベンゾニトリル類が好ましい。
液晶化合物は、低分子液晶化合物だけではなく、高分子液晶化合物も用いることができる。

前駆体層は、式（１）で表される部分構造（フェニルエステル構造）を含む。
式（１）で表される部分構造は上述した重合性液晶化合物に含まれていてもよいし、他の化合物に含まれていてもよい。他の化合物としては、後述する界面活性剤が挙げられる。

式（１）中、Ｒは、置換基を表す。置換基の種類は特に制限されず、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、および、ヨウ素原子等）、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アミノ基（アルキルアミノ基およびアニリノ基を含む）、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキルまたはアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルまたはアリールスルフィニル基、アルキルまたはアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリールまたはヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、および、シリル基が挙げられる。
ｎ１は０～４の整数を表し、ｎ２は０～４の整数を表す。
なかでも、ｎ１は、０～２が好ましく、０～１がより好ましい。ｎ２は、０～２が好ましく、１がより好ましい。
ｎ１＋ｎ２は、４以下を表す。つまり、ｎ１とｎ２との合計は、４以下である。なかでも、１～２が好ましく、１が好ましい。
＊は、結合位置を表す。

式（１）中、ｎ２はベンゼン環に連結する結合手の数を表す。例えば、式（１）で表される部分構造が２価の基である場合、ｎ２は１であり、式（２）で表される部分構造（式（２）で表される２価の基）として、化合物中に含まれていてもよい。

なお、上記式（１）で表される部分構造（または、式（２）で表される部分構造）が化合物に含まれる一例としては、例えば、以下の化合物においては、破線部分が上述した部分構造に該当する。

式（１）で表される部分構造を有する重合性液晶化合物としては、式（Ａ）で表される化合物が好ましい。
式（Ａ） Ｐ^１－Ｌ^１－Ｍ－Ｌ^２－Ｐ^２
式（Ａ）中、Ｐ^１およびＰ^２は、それぞれ独立に、水素原子または重合性基を表し、Ｐ^１およびＰ^２の少なくとも一方は重合性基を表す。重合性基の定義は、上述した通りである。

Ｌ^１およびＬ^２は、それぞれ独立に、単結合または２価の連結基を表す。２価の連結基としては特に制限されないが、例えば、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＮＲ^Ａ－、－Ｎ＝ＣＨ－、および、２価の炭化水素基からなる群より選ばれるいずれか１種または２種以上を組み合わせた基（例えば、－ＣＯ－Ｏ－、－Ｏ－２価の炭化水素基－、－Ｏ－２価の炭化水素基－Ｏ－、－（Ｏ－２価の炭化水素基）_ｎ３－（ｎ３は、２～１０の整数を表す。））が挙げられる。Ｒ^Ａは、水素原子またはアルキル基を表す。
上記２価の炭化水素基としては、例えば、アルキレン基、アルケニレン基（例：－ＣＨ＝ＣＨ－）、アルキニレン基（例：－Ｃ≡Ｃ－）、および、アリーレン基（例：フェニレン基）が挙げられる。上記アルキレン基としては、直鎖状、分岐鎖状、および、環状のいずれであってもよい。また、その炭素数は、１～１０が好ましく、１～６がより好ましく、１～４がさらに好ましい。

Ｍは、式（２）で表される部分構造を有する、２価のメソゲン基を表す。
メソゲン基とは、剛直かつ配向性を有する官能基である。メソゲン基としては、棒状のメソゲン基であっても、円盤状のメソゲン基であってもよい。なお、棒状のメソゲン基とは主骨格部が直線的である構造のメソゲン基を意図し、円盤状のメソゲン基とは主骨格部が放射状に広がった構造のメソゲン基を意図する。
メソゲン基の構造としては、より具体的には、芳香環基（芳香族炭化水素環基および芳香族複素環基）および脂環基からなる群から選択される基が、複数個、直接または２価の連結基（例えば、－ＣＯ－、－Ｏ－、－ＮＲ^Ａ－（Ｒ^Ａは、水素原子、または、アルキル基を表す）、または、これらを組み合わせた基（－ＣＯ－Ｏ－））を介して連なった構造が挙げられる。
より具体的には、メソゲン基としては、式（Ｂ）で表される基が挙げられる。
式（Ｂ） －（Ｌ^３－Ｌ^４）_ｍ－
Ｌ^３は、置換基を有していてもよい２価の芳香環基、または、置換基を有していてもよい２価の脂環基を表す。
Ｌ^４は、単結合、－ＣＯ－、－Ｏ－、－ＮＲ^Ａ－、または、これらを組み合わせた基（例えば、－ＣＯ－Ｏ－）を表す。Ｒ^Ａは、水素原子またはアルキル基を表す。ｍは、２以上の整数を表す。
ただし、ｍ個の（Ｌ^３－Ｌ^４）で表される単位の少なくとも１つは、式（２）で表される部分構造を表す。

なお、２価の芳香環基としては、２価の芳香族炭化水素環基（例えば、フェニレン基）、および、２価の芳香族複素環基が挙げられる。
２価の脂環基としては、シクロへキシレン基が挙げられる。
２価の芳香環基、または、２価の脂環基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の定義は、式（１）中のＲで表される置換基の定義と同じである。
ｍは、２～５の整数が好ましく、２～３の整数がより好ましい。

前駆体層は、重合性液晶化合物以外の他の化合物を含んでいてもよい。
重合性液晶化合物は、界面活性剤を含んでいてもよい。
界面活性剤としては、フッ素原子を含む界面活性剤（フッ素系界面活性剤）またはケイ素原子を含む界面活性剤（ケイ素系界面活性剤）が好ましく、フッ素原子を含む界面活性剤がより好ましい。
界面活性剤は、パーフルオロアルキル基を含む置換基を少なくとも２つ有する化合物が好ましい。
パーフルオロアルキル基を含む置換基としては、式（Ｃ）で表される基が好ましい。
式（Ｃ） Ｃ_ｐＦ_２ｐ＋１－Ｌ^５－＊
Ｌ^５は、２価の連結基を表す。２価の連結基の定義は、Ｌ^１およびＬ^２で表される２価の連結基の定義と同じである。Ｌ^５としては、－ＣＨ_２－、－Ｏ－、－ＣＯ－、および、それらの組み合わせ（例えば、－ＣＯ－Ｏ－、－Ｏ－２価の炭化水素基－、－Ｏ－２価の炭化水素基－Ｏ－、－（Ｏ－２価の炭化水素基）_ｎ３－（ｎ３は、２～１０の整数を表す。）、－（Ｏ－ＣＯ－２価の炭化水素基）_ｎ４－（ｎ４は、１～１０の整数を表す。））が好ましい。
ｐは、１以上の整数を表す。ｐは、１～２０の整数が好ましく、１～１０の整数がより好ましい。
界面活性剤は、ベンゼン環またはトリアジン環を含むことが好ましい。
界面活性剤の分子量は、３０００以下が好ましく、２０００以下がより好ましい。下限は特に制限されないが、３００以上が好ましい。

界面活性剤は、上述した式（１）で表される部分構造を有することが好ましい。
界面活性剤としては、式（Ｄ）で表される化合物が好ましい。
式（Ｄ） （Ｃ_ｐＦ_２ｐ＋１－Ｌ^５）_ｑ１－Ａｒ^１－（Ｌ^６－Ｌ^７）_ｒ－Ａｒ^２－（Ｌ^５－Ｃ_ｐＦ_２ｐ＋１）_ｑ２
式（Ｄ）中、ｐおよびＬ^５の定義は、上述した通りである。
Ａｒ^１は、ｑ１＋１価のベンゼン環を表す。上記ベンゼン環は、（Ｃ_ｐＦ_２ｐ＋１－Ｌ^５）で表される基以外の置換基を有していてもよい。
Ａｒ^２は、ｑ２＋１価のベンゼン環を表す。上記ベンゼン環は、（Ｃ_ｐＦ_２ｐ＋１－Ｌ^５）で表される基以外の置換基を有していてもよい。
Ｌ^６は、置換基を有していてもよい２価の芳香環基、または、置換基を有していてもよい２価の脂環基を表す。２価の芳香環基としては、２価の芳香族炭化水素環基（例えば、フェニレン基）、または、２価の芳香族複素環基が挙げられる。なお、２価の芳香環基、または、２価の脂環基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の定義は、式（１）中のＲで表される置換基の定義と同じである。
Ｌ^７は、単結合、－ＣＯ－、－Ｏ－、－ＮＲ^Ａ－、または、これらを組み合わせた基（例えば、－ＣＯ－Ｏ－）を表す。Ｒ^Ａは、水素原子またはアルキル基を表す。ｎは、２以上の整数を表す。
ただし、ｒ個の（Ｌ^６－Ｌ^７）で表される単位の少なくとも１つは、式（２）で表される部分構造を表す。
ｒは、１～３の整数を表す。なかでも、１または２が好ましい。
ｑ１およびｑ２は、それぞれ独立に、１～５の整数を表す。なかでも、１～３の整数が好ましい。

前駆体層が界面活性剤を含む場合、前駆体層中での界面活性剤の含有量は特に制限されないが、重合性液晶化合物全質量に対して、０．０１～５質量％が好ましく、０．１～３質量％がより好ましい。
界面活性剤は、１種単独で使用してもよく、２種以上使用してもよい。

前駆体層は、重合開始剤を含んでいてもよい。
重合開始剤としては、紫外線照射によって重合反応を開始可能な光重合開始剤が好ましい。光重合開始剤としては、例えば、α－カルボニル化合物、アシロインエーテル、α－炭化水素置換芳香族アシロイン化合物、多核キノン化合物、フェナジン化合物、オキサジアゾール化合物、および、オキシムエステル構造を有する化合物が挙げられる。
前駆体層が重合開始剤を含む場合、前駆体層中での重合開始剤の含有量は特に制限されないが、重合性液晶化合物全質量に対して、０．１～２０質量％が好ましく、１～８質量％がより好ましい。
重合開始剤は、１種単独で使用してもよく、２種以上使用してもよい。

前駆体層は、キラル剤を含んでいてもよい。前駆体層がキラル剤を含む場合、コレステリック相を形成できる。
キラル剤の種類は、特に制限されない。キラル剤は液晶性であっても、非液晶性であってもよい。キラル剤は、一般に不斉炭素原子を含む。ただし、不斉炭素原子を含まない軸性不斉化合物または面性不斉化合物を、キラル剤として用いることもできる。軸性不斉化合物または面性不斉化合物としては、例えば、ビナフチル、ヘリセン、パラシクロファン、および、これらの誘導体が挙げられる。キラル剤は、重合性基を有していてもよい。
キラル剤としては、光照射により螺旋誘起力が変化するキラル剤（以下、「感光性キラル剤」ともいう。）が好ましい。例えば、光照射により螺旋誘起力が低下するキラル剤、および、光照射により螺旋誘起力が増加するキラル剤が挙げられる。
キラル剤の螺旋誘起力（ＨＴＰ）は、下記式（Ｘ）で表される螺旋配向能力を示すファクターである。
式（Ｘ） ＨＴＰ＝１／（螺旋ピッチの長さ（単位：μｍ）×前駆体層中におけるキラル剤濃度（質量％））［μｍ^-1］
螺旋ピッチの長さとは、コレステリック液晶相の螺旋構造のピッチＰ（＝螺旋の周期）の長さをいい、液晶便覧（丸善株式会社出版）の１９６ページに記載の方法で測定できる。

感光性キラル剤としては、いわゆる光反応型キラル剤が挙げられる。光反応型キラル剤とは、キラル部位と光照射によって構造変化する光反応部位を有し、例えば、照射光量に応じて液晶化合物の捩れ力を大きく変化させる化合物である。
光照射によって構造変化する光反応部位の例としては、フォトクロミック化合物（内田欣吾、入江正浩、化学工業、ｖｏｌ．６４、６４０ｐ，１９９９、内田欣吾、入江正浩、ファインケミカル、ｖｏｌ．２８（９）、１５ｐ，１９９９）等が挙げられる。また、上記構造変化とは、光反応部位への光照射により生ずる、分解、付加反応、異性化、および２量化反応等を意味し、上記構造変化は不可逆的であってもよい。また、キラル部位としては、例えば、野平博之、化学総説、Ｎｏ．２２液晶の化学、７３ｐ：１９９４に記載の不斉炭素等が相当する。

感光性キラル剤としては、なかでも、光異性化部位を少なくとも一つ有する化合物が好ましい。上記光異性化部位としては、可視光の吸収が小さく、光異性化が起こりやすく、且つ、光照射前後の螺旋誘起力差が大きいという点で、シンナモイル部位、カルコン部位、アゾベンゼン部位、スチルベン部位、または、クマリン部位が好ましく、シンナモイル部位、または、カルコン部位がより好ましい。
なお、光異性化部位は、光照射によって構造変化する光反応部位に該当する。

前駆体層は、上述した成分以外に、酸化防止剤、紫外線吸収剤、増感剤、安定剤、可塑剤、連鎖移動剤、重合禁止剤、消泡剤、増粘剤、難燃剤、分散剤、ならびに、染料および顔料等の色材、等の他の添加剤を含んでいてもよい。

（工程１－１の手順）
前駆体層の形成方法は特に制限されないが、前駆体層の膜厚の制御が容易である点から、所定の成分を含む前駆体層形成用組成物を仮支持体上に塗布して、仮支持体上に前駆体層を形成する方法が好ましい。
前駆体層形成用組成物に含まれる成分としては、上述した前駆体層に含まれ得る成分が挙げられる。
なお、前駆体層形成用組成物は、溶媒を含んでいてもよい。溶媒としては、水および有機溶媒が挙げられる。有機溶媒としては、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド等のアミド類；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類；ピリジン等のヘテロ環化合物；ベンゼンおよびヘキサン等の炭化水素；クロロホルムおよびジクロロメタン等のアルキルハライド類；酢酸メチル、酢酸ブチルおよびプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のエステル類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンおよびシクロペンタノン等のケトン類；テトラヒドロフランおよび１，２－ジメトキシエタン等のエーテル類が挙げられる。

前駆体層形成用組成物を塗布する方法としては、例えば、ワイヤーバーコーティング法、押し出しコーティング法、ダイレクトグラビアコーティング法、リバースグラビアコーティング法、および、ダイコーティング法が挙げられる。

なお、必要に応じて、前駆体層形成用組成物の塗布後に、仮支持体上に形成された前駆体層を乾燥する処理を実施してもよい。乾燥処理を実施することにより、前駆体層から溶媒を除去できる。

前駆体層の膜厚は特に制限されないが、０．１～２０μｍが好ましく、０．２～１５μｍがより好ましい。

＜工程２＞
工程２は、前駆体層中の液晶化合物を配向させた後、前駆体層に対して、前駆体層の仮支持体側とは反対側の表面から光を照射して硬化処理を実施し、機能層を得る工程である。より具体的には、前駆体層中の液晶化合物を配向させた後、図２に示すように、前駆体層１２の仮支持体１０側とは反対側の表面１２ａから、白抜き矢印で示すように、光を照射して、前駆体層１２に対して硬化処理を施す。その結果、図３に示すように、仮支持体１０上に、機能層１４が形成され、積層体１８Ａが得られる。なお、上述したように、機能層１４の仮支持体１０側とは反対側の表面１４ａ付近においては、光フリース転位によりフェノール性水酸基が多く存在し、機能層１４の表面１４ａ側の他の基材に対する密着が向上している。
以下、本工程の手順について詳述する。

前駆体層中の液晶化合物を配向させる方法は特に制限されず、前駆体層に対して加熱処理を施す方法が挙げられる。加熱処理の条件は重合性液晶化合物の種類および使用される成分によって異なるが、加熱温度としては、１０～２５０℃が好ましく、５０～１５０℃がより好ましい。加熱時間としては、０．５～５分間が好ましく、０．５～２分間がより好ましい。
なお、液晶化合物の配向状態は使用される成分によって異なり、前駆体層がキラル剤を含む場合、液晶化合物はコレステリック配向する。また、仮支持体として配向層を含む仮支持体を用い、かつ、前駆体層にキラル剤が含まれない場合、液晶化合物はホモジニアス配向する。

次に、液晶化合物が配向している前駆体層に対して、前駆体層の仮支持体側とは反対側の表面から光を照射して、硬化処理を実施する。
前駆体層に照射される光は、波長２６５ｎｍの光を含む。波長２６５ｎｍの光を前駆体層に照射することにより、上述した光フリース転位が進行する。
波長２６５ｎｍの光の照射量は、５ｍＪ／ｃｍ^２以上であり、光フリース転位がより良好に進行し、光学層の転写性がより向上する点で、１０ｍＪ／ｃｍ^２以上が好ましく、２０ｍＪ／ｃｍ^２以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、生産性の点で、５００ｍＪ／ｃｍ^２以下が好ましく、１５０ｍＪ／ｃｍ^２以下がより好ましい。

前駆体層に照射される光は波長２６５ｎｍの光を含んでいればよいが、前駆体層の硬化がより良好に進行する点から、紫外線が好ましく、波長３６５ｎｍの光を含む光（紫外線）がより好ましい。
波長３６５ｎｍの光の照射量は、前駆体層の硬化がより良好に進行する点から、２０ｍＪ／ｃｍ^２以上が好ましく、５０ｍＪ／ｃｍ^２以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、生産性の点で、１５００ｍＪ／ｃｍ^２以下が好ましい。

なお、光照射時における前駆体層の温度は特に制限されず、液晶化合物の配向状態が保たれる温度であることが好ましく、例えば、１０～２５０℃が好ましく、２０～１５０℃がより好ましい。

上述した工程１－１および工程２を経ることによって、仮支持体と、仮支持体上に隣接して配置された、コレステリック液晶層および位相差層からなる群から選択される機能層とを含む積層体が形成される。この態様においては、機能層自体が被転写物である光学層に該当する。つまり、機能層が仮支持体上から他の基材上に転写される。
後述するように、機能層の仮支持体側とは反対側の表面には光フリース転位に由来するフェノール性水酸基が多く存在する。よって、機能層の仮支持体側とは反対側の表面を基材と接触させた後、仮支持体を剥離することによって、機能層を基材上に転写できる。

前駆体層が感光性キラル剤を含む場合、上記工程を経ることによって形成されるコレステリック液晶層は、厚さ方向で螺旋ピッチが変化している、ピッチグラジエント構造（以下、「ＰＧ構造」ともいう。）を有することが好ましい。
例えば、感光性キラル剤として光照射より螺旋誘起力が低下するキラル剤を用いた場合、形成されるコレステリック液晶層においては仮支持体側から反対側に向かって、螺旋ピッチが、漸次、大きくなっている。すなわち、コレステリック液晶層においては、仮支持体側から反対側に向かって、選択反射波長（すなわち選択的に反射する光の波長帯域）が、漸次、長波長になる。
上記のような構造が得られる理由を以下に述べる。
通常、前駆体層に照射される光は、前駆体層の形成材料によって吸収される。従って、前駆体層に光を照射した場合には、光の照射量は、前駆体層側から仮支持体側に向かって、漸次、少なくなる。すなわち、キラル剤のＨＴＰの低下量は、前駆体層側から仮支持体側に向かって、漸次、小さくなる。そのため、ＨＴＰが大きく低下した仮支持体側とは反対側の領域では、螺旋の誘起が小さいので螺旋ピッチが長くなり、ＨＴＰの低下が小さい仮支持体側の領域では、キラル剤が、本来、有するＨＴＰで螺旋が誘起されるので、螺旋ピッチが短くなる。
すなわち、この場合には、コレステリック液晶層は、仮支持体側とは反対側では長波長の光を選択的に反射し、仮支持体側では、上方に比して短波長の光を選択的に反射する。従って、厚さ方向で螺旋ピッチが変化するＰＧ構造のコレステリック液晶層を用いることにより、広い波長帯域の光を選択的に反射できる。

また、前駆体層が感光性キラル剤を含む場合、上記工程を経ることによって形成されるコレステリック液晶層は、選択反射波長、および、選択的な反射波長帯域における半値幅が面内でパターニングされていてもよい。
例えば、感光性キラル剤として光照射より螺旋誘起力が低下するキラル剤を用いた場合、露光マスクなどを用い、感光性キラル剤の螺旋誘起力を低下させる波長の光照射量をパターニングすることで、面内に螺旋ピッチのパターニングを施すことができる。この場合、光照射量の多い場所では、長波長の光を選択的に反射し、光照射量の少ない場所では、短波長の光を選択的に反射する、コレステリック液晶層を形成できる。さらに、前駆体層を硬化する波長の光を照射することで、硬化処理を実施することが好ましい。

機能層として形成されるコレステリック液晶層の選択反射波長、および、選択的な反射波長帯域における半値幅は、以下の方法で求めればよい。
すなわち、後述する方法によって積分反射率を測定すると、波長を横軸にした山型（上に凸型）である積分反射率のスペクトル波形が得られる。このときの積分反射率の最大値と最小値の平均反射率（算術平均）を求め、波形と平均反射率との２交点の２つの波長のうち、短波側の波長の値をλα（ｎｍ）、長波側の波長の値をλβ（ｎｍ）とし、下記式により算出する。
選択反射波長＝（λα＋λβ）／２
半値幅＝（λβ－λα）
ここで、拡散反射性が低く、鏡面反射性（正反射性）の強い試料の場合は、積分反射率の積分反射スペクトルの波形が鋸歯状に乱れる場合がある。このような場合は、上述した鏡面反射率のスペクトル波形にて、鏡面反射率の最大値と最小値の平均反射率（算術平均）を求め、波形と平均反射率との２交点の２つの波長のうち、短波側の波長の値をλα（ｎｍ）、長波側の波長の値をλβ（ｎｍ）として、上述の式により選択反射波長を算出すればよい。
別の方法として、Ａｘｏｍｅｔｒｉｘ社のＡｘｏｓｃａｎ等で、試料の透過スペクトルを測定することで、選択反射波長および半値幅を測定する方法が例示される。透過スペクトルを測定すると、波長を横軸にした谷型（下に凸型）である透過スペクトル波形が得られる。このときの透過率の最大値と最小値の平均反射率（算術平均）を求め、波形と平均透過率の２交点の２つの波長のうち、短波側の波長の値をλα（ｎｍ）、長波側の波長の値をλβ（ｎｍ）とすることで、上述した式により、選択反射波長および半値幅を算出する。
なお、波長λにおける積分反射率は、コレステリック液晶層面に光が入射するように、分光光度計（日本分光社製、Ｖ－５５０）に大型積分球装置（日本分光社製、ＩＬＶ－４７１）を取り付けたものを用いて、光トラップによって測定すればよい。

コレステリック液晶層の積分反射スペクトルの半値幅は特に制限されないが、５０ｎｍ以上が好ましく、８０ｎｍ以上がより好ましく、１００ｎｍ以上がさらに好ましい。上限は特に制限されないが、５００ｎｍ以下の場合が多い。

また、機能層であるコレステリック液晶層は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した断面において、コレステリック液晶相に由来して、厚さ方向に、明部Ｂ（明線）および暗部Ｄ（暗線）を交互に積層した縞模様が観察される。
コレステリック液晶層は、ＳＥＭで観察した断面において、コレステリック液晶相に由来する明部および暗部の少なくとも一部が波打ち構造を有することが好ましい。
すなわち、コレステリック液晶層は、コレステリック液晶構造を有し、螺旋軸とコレステリック液晶層の表面とのなす角が周期的に変化する構造を有する層であることが好ましい。言い換えれば、コレステリック液晶層は、コレステリック液晶構造を有し、コレステリック液晶構造はＳＥＭにて観測されるコレステリック液晶層の断面図において、明部Ｂと暗部Ｄとの縞模様を与え、暗部がなす線の法線とコレステリック液晶層の表面となす角が周期的に変化する層であることが好ましい。
好ましくは、波打ち構造とは、縞模様を成す明部Ｂまたは暗部Ｄの連続線において、コレステリック液晶層の平面に対する傾斜角度の絶対値が５°以上である領域Ｍが少なくとも１つ存在し、かつ、領域Ｍを面方向に挟んで最も近い位置にある、傾斜角度が０°の山または谷が特定される構造である。
傾斜角度０°の山または谷とは、凸状、凹状を含むが、傾斜角度０°であれば、階段状および棚状の点も含む。波打ち構造は、縞模様の明部Ｂまたは暗部Ｄの連続線において、傾斜角度の絶対値が５°以上である領域Ｍと、それを挟む山または谷とが、複数、繰り返すのが好ましい。

図４に、波打ち構造を有し、かつ、ＰＧ構造を有するコレステリック液晶層の断面を概念的に示す。
先にも述べたが、図４に示すように、コレステリック液晶層１４Ａの断面をＳＥＭで観察すると、明部Ｂと暗部Ｄとの縞模様が観察される。すなわち、コレステリック液晶層１４Ａの断面では、厚さ方向に明部Ｂと暗部Ｄとを交互に積層した層状構造が観察される。
コレステリック液晶層１４Ａでは、明部Ｂと暗部Ｄの繰り返し２回分が、螺旋ピッチに相当する。このことから、コレステリック液晶層すなわち反射層の螺旋ピッチは、ＳＥＭ断面図から測定できる。明部Ｂと暗部Ｄの繰り返し２回分とは、すなわち、明部２つ分、および、暗部２つ分である。
コレステリック液晶層１４Ａにおいては、明部Ｂおよび暗部Ｄが波打ち構造（アンジュレーション構造）を有するため、コレステリック液晶層１４Ａの法線方向から光が入射されると、液晶化合物の螺旋軸が傾いている領域があるため、入射光の一部が斜め方向に反射される。
つまり、コレステリック液晶層１４Ａにおいて、明部Ｂと暗部Ｄとが波打ち構造を有することにより、拡散反射性の高い反射層が実現できる。

なお、波打ち構造を有するコレステリック液晶層は、ラビング等の配向処理を施さない形成面にコレステリック液晶層を形成することで、形成できる。例えば、ラビング処理が施されていない下地層を含む仮支持体を用いてコレステリック液晶層を形成することで、波打ち構造を有するコレステリック液晶層を形成できる。
配向処理を施さない下地層にコレステリック液晶層を形成すると、液晶化合物に対する配向規制力が全くないために、下地層の物性に応じて、下地層の表面において、液晶化合物の配向方向が様々な方向になる。このような状態でコレステリック液晶層を形成すると、コレステリック液晶相を構成する液晶化合物の螺旋軸が様々な方向を向き、その結果、明部Ｂと暗部Ｄの縞模様が、波打ち構造となる。

機能層が位相差層である場合、位相差層の面内レタデーションは特に制限されないが、位相差層がいわゆるλ／４板として機能する場合、波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションが１００～１６０ｎｍであることが好ましい。位相差層がいわゆるλ／２板として機能する場合、波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションが２００～３２０ｎｍであることが好ましい。

＜＜第２実施態様＞＞
本発明の製造方法の第２実施態様は、上述したように、仮支持体上に他の層を介して、前駆体層を形成する態様を表す。
本発明の製造方法の第２実施態様は、以下の工程１－２および工程２を含む。
工程１－２：仮支持体上に他の層を介して、重合性基を有する液晶化合物を含む前駆体層を形成する工程
工程２：前駆体層中の液晶化合物を配向させた後、前駆体層に対して、前駆体層の仮支持体側とは反対側の表面から光を照射して硬化処理を実施し、機能層を得る工程
第２実施態様は、他の層を介して前駆体層を形成している点以外は、第１実施態様と同じであるため、以下ではその説明を省略し、以下では主に両者の相違点について説明する。

第２実施態様の工程１－２においては、仮支持体上に他の層を介して、前駆体層を形成する。
他の層の種類は特に制限されず、例えば、コレステリック液晶層および位相差層が挙げられる。上記層以外にも、他の層としては、上述した下地層、接着剤層、および、粘着剤層が挙げられる。なお、後述するように、仮支持体上に配置される他の層は、光学層の一部として仮支持体上から剥離され、基材に転写される。
他の層がコレステリック液晶層である場合は、コレステリック液晶層は上述したＰＧ構造を有していてもよい。また、コレステリック液晶層の走査型電子顕微鏡によって観察される断面において、コレステリック液晶相に由来する明部および暗部の少なくとも一部が波打ち構造を有していてもよい。
また、他の層がコレステリック液晶層であり、かつ、機能層がコレステリック液晶層である場合、他の層であるコレステリック液晶層の螺旋の捩れ方向と、機能層であるコレステリック液晶層の螺旋の捩れ方向とは、逆方向であってもよいし、同じ方向であってもよいが、反射特性に優れる点で、逆方向が好ましい。
さらに、他の層がコレステリック液晶層であり、かつ、機能層がコレステリック液晶層である場合、他の層であるコレステリック液晶層の選択反射波長と、機能層であるコレステリック液晶層の選択反射波長との間の差は、４００ｎｍ以下であることが好ましい。

他の層は、単層であってもよいし、多層であってもよい。多層の場合、多層を構成する層は、同じ種類の層（例えば、コレステリック液晶層同士）であってもよいし、異なる種類の層（例えば、コレステリック液晶層と位相差層との組み合わせ）であってもよい。

他の層の形成方法は特に制限されず、公知の方法が採用される。

上記手順によって、図５に示すように、仮支持体１０と、仮支持体１０上に配置された、他の層１６および機能層１４とを有する積層体１８Ｂが得られる。積層体１８Ｂ中、他の層１４および機能層１６の２層が被転写物である光学層２０に該当する。つまり、光学層が仮支持体上から他の基材上に転写される。

上述した第１実施態様および第２実施態様の手順によって、仮支持体と、仮支持体上に隣接して配置された光学層とを有する積層体が得られる。
第１実施態様および第２実施態様のいずれにおいても、光学層中において、機能層が仮支持体から最も離れた位置に配置される。
また、上述したように、機能層の仮支持体側とは反対側の表面には光フリース転位に由来するフェノール性水酸基が多く存在する。
従って、光学層の表面（具体的には、機能層の仮支持体側とは反対側の表面）を直接または他の層を介して基材と接触させた後、仮支持体を剥離することによって、基材と光学層とを含む光学部材を得ることができる。より具体的には、図３に示す積層体１８Ａにおいては、光学層にも該当する機能層１４の表面１４ａを直接または他の層を介して基材と接触させた後、仮支持体１０を剥離することによって、基材と光学層とを含む光学部材を得ることができる。また、図５に示す積層体１８Ｂにおいては、機能層１４と他の層１６とからなる光学層２０の表面２０ａを直接または他の層を介して基材と接触させた後、光学層２０と仮支持体１０との間の界面において、仮支持体１０を剥離することによって、基材と光学層とを含む光学部材を得ることができる。なお、図５の形態では、光学層が２層である態様について述べたが、光学層は３層以上であってもよく、光学層は仮支持体上に隣接して配置される単層または複層の層に該当する。光学層を３層以上にする方法としては、仮支持体上に２層の他の層を介して前駆体層を形成する方法が挙げられる。
上記他の層としては、上述したように、コレステリック液晶層、位相差層、下地層、接着剤層、および、粘着剤層が挙げられる。なお、仮支持体上に他の層が配置される場合、他の層は光学層の一部として、基材上に転写される。

上記機能層は種々の用途に適用できる。例えば、機能層がコレステリック液晶層である場合は、加飾シート、光反射部材、光拡散板、ハーフミラー、透明スクリーン、撮像素子、センサー、光学デバイス、および、その他の光学素子等の各種の用途に利用可能である。例えば、本発明の製造方法で作製した積層体中の機能層を、機能層と、機能層を透過する光を利用する素子とを有する光学デバイスに利用できる。
機能層を透過する光を利用する素子は特に制限されず、撮像素子およびセンサー等、様々な素子が挙げられる。この際、例えば、本発明の製造方法で作製した積層体を、ＳＣフィルタ（富士フイルム社製）およびＩＲフィルタ（富士フイルム社製）等の光学フィルタに貼合して、仮支持体を剥離して、機能層を加飾シートとして利用してもよい。これにより、撮像素子およびセンサー等の素子の受光波長に合わせた加飾が可能となる。

また、本発明の製造方法で作製した積層体中の機能層と、画像表示素子とを用いて、画像表示装置としてもよい。
画像表示素子は、公知の画像表示素子が、各種、利用可能である。一例として、液晶表示素子および有機エレクトロルミネッセンス表示素子等が例示される。

また、本発明の製造方法で作製した積層体中の機能層は、光学素子用途としても利用可能である。例えば、一般的なハーフミラーとしての用途、および、特開２０１７－０９２０２１号公報の段落００１７に記載される用途にも使用できる。

以下に実施例に基づいて本発明をさらに詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、および、処理手順は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更できる。従って、本発明の範囲は以下に示す実施例により制限的に解釈されるべきものではない。

＜比較例１＞
（下地層１の作製）
厚さ５０μｍの基材として、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）（コスモシャインＡ４１００、東洋紡（株）製）を用意し、透明支持体１として使用した。なお、透明支持体１は、いわゆる仮支持体に該当する。
透明支持体１の易接着層のない面上に、下記の組成の下地層塗布液１を＃３．６のワイヤーバーコーターで塗布した。その後、下地層塗布液１が塗布された透明支持体１を４５℃で６０秒間乾燥し、２５℃にて紫外線照射装置を用いて、上記乾燥処理が施された透明支持体１に５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を照射して、下地層付き透明支持体１を作製した。

（下地層塗布液１）
ＫＡＹＡＲＡＤ ＰＥＴ３０（日本化薬（株）製） １００質量部
ＩＲＧＡＣＵＲＥ ９０７ （チバガイギー社製） ３．０質量部
カヤキュアーＤＥＴＸ（日本化薬（株）製） １．０質量部
下記構造の界面活性剤Ｆ１ ０．０１質量部
メチルイソブチルケトン ２４３質量部

界面活性剤Ｆ１（以下、構造式）

（コレステリック液晶層Ｃｈ１の作製）
２５℃に保温された容器中にて、下記に示す成分を攪拌して、コレステリック液晶層用塗布液Ｃｈ１を調製した。

（コレステリック液晶層用塗布液Ｃｈ１）
メチルエチルケトン １２５．０質量部
シクロヘキサノン １８．７質量部
下記の棒状液晶化合物の混合物 １００．０質量部
ＩＲＧＡＣＵＲＥ ９０７ （チバガイギー社製） ０．０３７５質量部
カヤキュアーＤＥＴＸ（日本化薬（株）製） ０．０１２５質量部
下記構造のカイラル剤Ｂ ６．０６質量部
上記構造の界面活性剤Ｆ１ ０．０２７質量部
下記構造の界面活性剤Ｆ２ ０．０６７質量部

棒状液晶化合物（以下、構造式）

数値は質量％である。また、Ｒは酸素原子で結合する基である。

カイラル剤Ｂ（以下、構造式）

カイラル剤Ｂは、右巻きの螺旋を形成するカイラル剤である。カイラル剤Ｂは、シンナメート基を有するカイラル剤である。

界面活性剤Ｆ２

下地層付き透明支持体１の下地層上表面に、上記で調製したコレステリック液晶層用塗布液Ｃｈ１を＃１２のワイヤーバーコーターで塗布した。その後、コレステリック液晶層用塗布液Ｃｈ１が塗布された下地層付き透明支持体１を１０５℃で６０秒間乾燥し、酸素濃度２００ｐｐｍ以下、８５℃にて、短波長カットフィルタ（ＴＥＭＰＡＸ、ショット社製）越しに、波長３６５ｎｍの照射量が４５９ｍＪ／ｃｍ^２、波長２６５ｎｍの照射量が２．４ｍＪ／ｃｍ^２である高圧水銀ランプの紫外線を照射することで、コレステリック液晶層Ｃｈ１を作製した。

（コレステリック液晶層Ｃｈ２の作製）
２５℃に保温された容器中にて、下記に示す成分を攪拌して、コレステリック液晶層用塗布液Ｃｈ２を調製した。

（コレステリック液晶層用塗布液Ｃｈ２）
メチルエチルケトン １３２．４質量部
シクロヘキサノン １９．８質量部
上記棒状液晶化合物の混合物 １００．０質量部
カヤキュアーＤＥＴＸ（日本化薬（株）製） ０．５質量部
以下構造のカイラル剤Ｃ １１．８７質量部
上記構造の界面活性剤Ｆ１ ０．０２７質量部
上記構造の界面活性剤Ｆ２ ０．０６７質量部

カイラル剤Ｃ（以下、構造式）

カイラル剤Ｃは、左巻きの螺旋を形成するカイラル剤である。また、カイラル剤Ｃは、シンナメート基を有するカイラル剤である。

上記コレステリック液晶層Ｃｈ１上に、上記で調製したコレステリック液晶層用塗布液Ｃｈ２を＃５のワイヤーバーコーターで塗布した。その後、コレステリック液晶層用塗布液Ｃｈ２が塗布された下地層付き透明支持体１を１０５℃で６０秒間乾燥し、酸素濃度２００ｐｐｍ以下、かつ、８５℃にて、短波長カットフィルタ（ＴＥＭＰＡＸ、ショット社製）越しに、波長３６５ｎｍの照射量が４５９ｍＪ／ｃｍ^２、波長２６５ｎｍの照射量が２．４ｍＪ／ｃｍ^２である高圧水銀ランプの紫外線を照射することで、コレステリック液晶層Ｃｈ２を作製し、比較例１の積層体を作製した。

＜比較例２＞
コレステリック液晶層Ｃｈ２の紫外線照射を、フィルタを介さずに、波長３６５ｎｍの照射量が５０ｍＪ／ｃｍ^２、波長２６５ｎｍの照射量が３．８ｍＪ／ｃｍ^２である高圧水銀ランプの紫外線照射とする以外は比較例１と同様にして、コレステリック液晶層Ｃｈ２を作製し、比較例２の積層体を作製した。

＜実施例１＞
コレステリック液晶層Ｃｈ２の紫外線照射を、フィルタを介さずに、波長３６５ｎｍの照射量が１００ｍＪ／ｃｍ^２、波長２６５ｎｍの照射量が７．７ｍＪ／ｃｍ^２である高圧水銀ランプの紫外線照射とする以外は比較例１と同様にして、コレステリック液晶層Ｃｈ２を作製し、実施例１の積層体を作製した。

＜実施例２＞
コレステリック液晶層Ｃｈ２の紫外線照射を、フィルタを介さずに、波長３６５ｎｍの照射量が５００ｍＪ／ｃｍ^２、波長２６５ｎｍの照射量が３８．３ｍＪ／ｃｍ^２である高圧水銀ランプの紫外線照射とする以外は比較例１と同様にして、コレステリック液晶層Ｃｈ２を作製し、実施例２の積層体を作製した。

＜評価＞
実施例、比較例で作製した各積層体を用いて、評価を行った結果を下記表に示す。
なお、実施例１および２においては、転写されるべき光学層としては、下地層、コレステリック液晶層Ｃｈ１およびコレステリック液晶層Ｃｈ２を含む。

（剥離性）
転写用基材として、ＰＥＴ（コスモシャインＡ４１００、東洋紡（株）製）を用意し、粘着剤（ＳＫ－２０５７、綜研化学（株）製）を介して、積層体のコレステリック液晶層Ｃｈ２が粘着剤に接するように貼合し、毎分５ｍのスピードで１８０度の方向に透明支持体１を剥離したときの欠陥数を、下記観点で評価した。結果を表１に示す。
Ａ：剥離不良による欠陥が平米あたり０～１個。
Ｂ：剥離不良による欠陥が平米あたり２～５個。
Ｃ：剥離不良による欠陥が平米あたり６個以上。
ここで、透明支持体１と下地層との界面で剥がれ残りなく剥離するものを剥離不良による欠陥が平米あたり０個とする。剥離不良による欠陥とは、透明支持体１と下地層との界面ではなく、他の界面（例えば、粘着剤とコレステリック液晶層Ｃｈ２との界面）で剥離してしまい、転写されるべき光学層が透明支持体１側に残ってしまった部分のことを指す。

表１中、「照射量３６５ｎｍ（ｍＪ／ｃｍ^２)」欄は、波長３６５ｎｍの光の照射量を表す。
「照射量２６５ｎｍ（ｍＪ／ｃｍ^２)」欄は、波長２６５ｎｍの光の照射量を表す。
「ＰＧ構造」欄は、得られたコレステリック液晶層のＰＧ構造の有無を表し、コレステリック液晶層がＰＧ構造を有する場合を「Ａ」、有さない場合を「Ｂ」として表す。
「波打ち構造」欄は、得られたコレステリック液晶層の波打ち構造の有無を表し、コレステリック液晶層が波打ち構造を有する場合を「Ａ」、有さない場合を「Ｂ」として表す。

上記表に示すように、本発明の製造方法によれば、所望の効果を示す積層体が得られた。
なかでも、波長２６５ｎｍの光の照射量が１０ｍＪ／ｃｍ^２以上である場合、より効果が優れることが確認された。

１０ 仮支持体
１２ 前駆体層
１４ 機能層
１４Ａ コレステリック液晶層
１６ 他の層
１８Ａ，１８Ｂ 積層体
２０ 光学層

Claims (10)

1. 仮支持体と、
   前記仮支持体上に隣接して配置された、光学層と、を含み、
   前記光学層は、コレステリック液晶層および位相差層からなる群から選択される機能層を含み、
   前記光学層中において、前記機能層が前記仮支持体から最も離れた位置に配置される、積層体の製造方法であって、
   前記仮支持体上に直接または他の層を介して、重合性基を有する液晶化合物を含む前駆体層を形成する工程と、
   前記前駆体層中の前記液晶化合物を配向させた後、前記前駆体層に対して、前記前駆体層の仮支持体側とは反対側の表面から光を照射して硬化処理を実施し、前記機能層を得る工程を有し、
   前記前駆体層が、式（１）で表される部分構造を含み、
   前記光照射の際の光が、波長２６５ｎｍの光を含み、
   前記波長２６５ｎｍの光の照射量が、５ｍＪ／ｃｍ^２以上である、積層体の製造方法。
   

   

   式（１）中、Ｒは、置換基を表す。ｎ１は０～４の整数を表し、ｎ２は０～４の整数を表し、ｎ１＋ｎ２は４以下を表す。＊は、結合位置を表す。
2. 前記前駆体層が、さらに界面活性剤を含み、
   前記液晶化合物および前記界面活性剤の少なくとも一方が、前記部分構造を有する、請求項１に記載の積層体の製造方法。
3. 前記機能層がコレステリック液晶層である、請求項１または２に記載の積層体の製造方法。
4. 前記前駆体層が、前記光照射により螺旋誘起力が変化するキラル剤を含み、
   前記コレステリック液晶層が、厚さ方向で螺旋ピッチが変化している、ピッチグラジエント構造を有する、請求項３に記載の積層体の製造方法。
5. 前記コレステリック液晶層の積分反射スペクトルの半値幅が８０ｎｍ以上である、請求項４に記載の積層体の製造方法。
6. 前記コレステリック液晶層の走査型電子顕微鏡によって観察される断面において、コレステリック液晶相に由来する明部および暗部の少なくとも一部が波打ち構造を有する、請求項１～５のいずれか１項に記載の積層体の製造方法。
7. 前記前駆体層が、前記他の層を介して前記仮支持体上に配置されており、
   前記他の層が、コレステリック液晶層である、請求項１～６のいずれか１項に記載の積層体の製造方法。
8. 前記機能層である前記コレステリック液晶層の螺旋の捩れ方向と、前記他の層であるコレステリック液晶層の螺旋の捩れ方向とが逆方向である、請求項７に記載の積層体の製造方法。
9. 前記他の層であるコレステリック液晶層が、厚さ方向で螺旋ピッチが変化している、ピッチグラジエント構造を有する、請求項７または８に記載の積層体の製造方法。
10. 請求項１～９のいずれか１項に記載の製造方法で得られた積層体中の前記光学層を直接または他の層を介して基材と接触させて、仮支持体を剥離して、前記基材と前記光学層とを含む光学部材を得る工程を有する、光学部材の製造方法。

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