JP7040870B2 - 基板処理装置、及び基板処理装置の部品検査方法 - Google Patents
基板処理装置、及び基板処理装置の部品検査方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7040870B2 JP7040870B2 JP2017146460A JP2017146460A JP7040870B2 JP 7040870 B2 JP7040870 B2 JP 7040870B2 JP 2017146460 A JP2017146460 A JP 2017146460A JP 2017146460 A JP2017146460 A JP 2017146460A JP 7040870 B2 JP7040870 B2 JP 7040870B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate processing
- processing apparatus
- liquid
- substrate
- component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 197
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 176
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 55
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 161
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 50
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 50
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 claims description 41
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 35
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 35
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 30
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 22
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 10
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 33
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 23
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 21
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 21
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 15
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 13
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 5
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 5
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229960002050 hydrofluoric acid Drugs 0.000 description 3
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 3
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 3
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001780 ECTFE Polymers 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000004397 blinking Effects 0.000 description 2
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N chlorotrifluoroethylene Chemical group FC(F)=C(F)Cl UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229920001038 ethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920011301 perfluoro alkoxyl alkane Polymers 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/041—Cleaning travelling work
- B08B3/042—Cleaning travelling work the loose articles or bulk material travelling gradually through a drum or other container, e.g. by helix or gravity
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/06—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a liquid
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/20—Metals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Food Science & Technology (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
ャックピン)によって処理対象基板を支持するため、該部品の樹脂コーティングに剥がれが生じていると、処理対象基板に直接的に悪影響が及ぶことになる。このため、定常的かつ即時的な検査が可能な本発明を適用することで、より顕著な効果を得ることができる。
図1は本実施例の基板処理装置100を示す概略断面図、図2は基板処理装置100の処理槽110の要部構成を示す概略正面図である。基板処理装置100は、処理液を処理槽110に貯留し、基板Wを保持するリフター130を用いて、基板を該処理槽110に浸漬して基板Wの洗浄処理等を行ういわゆるバッチ型の装置である。基板処理装置100には、搬送ロボット(図示しない)によって、複数の基板W(以下、ひとまとまりの複数の基板Wをロットともいう)が装置内外に搬入出される。なお、基板処理装置100は、
処理液毎に異なる処理槽を用いる多層式の装置であってもよいし、基板Wを処理槽内に保持したまま処理液を入れ換え可能な単層式の装置であってもよい。
Bは、昇降駆動源131によって鉛直方向に一体的に昇降可能となっている。これによって、リフター130は3つの基板保持部材によって所定間隔にて平行に配列して保持された複数の基板Wを、浸漬槽111に貯留された処理液に浸漬する位置と、処理槽110の上方であって搬送ロボットとの基板受け渡しを行う位置との間で昇降させることができる。なお、昇降駆動源131には、ボールネジ機構、ベルト機構、エアシリンダなどの公知の種々の機構を採用することができる。
)、ROM(Read only memory)、RAM(Random access memory)及び、大容量記憶装置などを備える構成となっている。制御装置160のCPUが所定の処理プログラムを実行することによって、基板処理装置100の搬送ロボット、処理液吐出ノズル120、リフター130などの各動作機構が制御され、基板処理装置100における処理が行われる。
は比抵抗計によって算出された比抵抗値に基づいて、基板処理装置100を構成する樹脂コーティング層を有する部品についての異常有無判定処理(即ち、部品の検査)を行う。
次に、上記判定部161による部品の劣化判定処理について説明する。上述したように、判定部161は、検査対象部品に異常(樹脂剥がれ)があるか否かについて、比抵抗計140によって取得される処理液の比抵抗値に基づいて検査を行う。即ち、処理液中に金属成分が溶出すると、処理液の金属イオン濃度が上昇し、これに応じて、処理液の比抵抗値が減少する。このような、金属イオン濃度と、比抵抗値との相関関係についての具体例を次に示す。
計140により浸漬槽111に貯留されている処理液の比抵抗値を計測する(ステップS101)。比抵抗計140から比抵抗値を取得した制御装置160は、検査基準記憶部163に、該比抵抗値のデータを初期比抵抗値として保存する(ステップS102)。
続けて、部品の異常判定(即ち検査)の実施のタイミングについて説明する。基板処理装置100における基板Wの通常の動作の概略は、搬送ロボットが外部から受け取った未処理の基板Wのロットをリフター130に載置し、これを処理液が貯留された浸漬槽111に所定時間浸漬した後に、搬送ロボットが受け取り、処理済みのロットを搬出して外部に戻すというものである。このため、以下で示すように、様々なタイミングで検査を実施する事ができる。
を行うことは困難であるからである。
なお、上記実施例1においては、比抵抗計140は、処理槽110の浸漬槽111に設置されていたが、これ以外の場所に比抵抗計140を設置することも可能である。例えば、処理槽110のオーバーフロー槽112の底部に設置するのであってもよいし、排液回収部150内に設置するのであってもよい。即ち、検査対象の部品に接触した液体中の比抵抗値を計測できるような構成となっていればよい。
次に、本発明の第2の実施例について説明する。図9は、本実施例に係る基板処理装置200の構成を示す概略断面図である。基板処理装置200は、半導体用途の基板Wを1枚ずつ処理する、いわゆる枚葉式のスプレー式洗浄装置である。円形のシリコン基板Wを高速回転させ、薬液及び純水の液滴を該基板Wにスプレー状に噴霧し、基板W上のパーティクルなどを除去する。
の際に、搬送ロボット(図示省略)とスピンチャック220との間で基板Wの受け渡しが行われる。なお、スプラッシュガード242によって受け止められるなどして、カップ底部に集積された処理液は、排液回収部245を介してカップ240から排出される。
次に、上記判定部261による部品の劣化判定処理について説明する。上述したように、判定部261は、検査対象部品に異常(樹脂剥がれ)があるか否かについて、比抵抗計250によって取得される処理液の比抵抗値に基づいて検査を行う。即ち、処理液中に金属成分が溶出すると、処理液の金属イオン濃度が上昇し、これに反比例して、処理液の比抵抗値が減少する。
続けて、部品の異常判定(即ち検査)の実施のタイミングについて説明する。図12は部品の異常判定処理を実施するタイミングの一例を示すフローチャートである。図12に示すように、まず基板処理装置200において基板処理を開始する前に、チャンバー洗浄レシピを実行し(ステップS211)、比抵抗計250によって該洗浄液の排液の比抵抗値を計測する(ステップS212)。そして判定部261が、計測された比抵抗値と、検査基準記憶部263に保存されている閾値とを比較し(ステップS213)、閾値を下回っていない場合には、基板処理を実施する(ステップS214)。そして、1枚の基板処理が終了すると、またステップS211に戻り、その処理を繰り返す(ステップS215)。一方、ステップS133において、計測された比抵抗値が閾値を下回っている場合には、出力部264から部品の劣化を報知する警告信号を発信する(ステップS216)。
なお、上記の各実施例は、本発明を例示的に説明するものに過ぎず、本発明は上記の具体的な態様には限定されない。本発明は、その技術的思想の範囲内で種々の変形が可能である。例えば、上記の実施例1と実施例2の技術はそれぞれ組み合わせたり、入れ換えたりして用いる事ができる。具体的には、上記の各実施例では、装置に配置される比抵抗計は一つであったが、複数比抵抗計を用いて、様々な箇所の比抵抗値を計測するようにしてもよい。このようにすることで、より精度が高い検査を実施することができる。
110・・・処理槽
120・・・処理液吐出ノズル
130・・・リフター
140、250・・・比抵抗計
150、245・・・排液回収部
160、260・・・制御装置
210・・・チャンバー
220・・・スピンチャック
230・・・処理液ノズル
240・・・カップ
W・・・基板
K・・・クシバ部
Claims (19)
- 処理液により基板処理を行う基板処理装置であって、
該基板処理装置を構成する樹脂コーティングされた金属性部品、の劣化を検査する検査手段を有しており、
前記検査手段は、検査対象の部品に接触した液体中の所定の金属濃度を計測する計測手段と、
該計測手段によって計測された金属濃度と所定の閾値との対比により、検査対象の部品の劣化の程度を判定する劣化判定手段と、を備えていること
を特徴とする基板処理装置。 - 前記計測手段は、前記液体の排液中の前記金属濃度を計測すること
を特徴とする、請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記液体には、前記基板処理装置内部を洗浄する装置洗浄液を含むこと
を特徴とする、請求項1又は2に記載の基板処理装置。 - 前記液体には、前記処理液を含むこと
を特徴とする、請求項1から3のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記基板処理装置は、前記処理液を貯留する処理液槽をさらに有しており、
前記計測手段は、該処理液槽内に設けられること
を特徴とする、請求項4に記載の基板処理装置。 - 前記基板処理装置はバッチ式の装置であって、前記検査対象の部品はリフターであること
を特徴とする、請求項1から5のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記基板処理装置は枚葉式の装置であって、前記検査対象の部品はスピンチャックであること
を特徴とする、請求項1から4のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記閾値は、前記基板処理装置の仕様、前記基板処理のプロセス、前記液体の供給条件、のうち少なくとも一つを含む計測条件の違いに応じて、設定されていること
を特徴とする、請求項1から7のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記計測手段は、比抵抗計であること
を特徴とする、請求項1から8のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記劣化判定手段により判定された劣化の程度を出力する出力手段をさらに有しており、
前記出力手段は、前記劣化判定手段により判定された劣化の程度が所定の基準を超えた場合には、警告信号を出力すること
を特徴とする、請求項1から9のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 処理液により基板処理を行う基板処理装置を構成する、樹脂コーティングされた金属性部品の劣化を検査する方法であって、
液体を装置中に供給し、該液体を検査対象の部品に接触させる、液体供給ステップと、
該検査対象の部品に接触させた液体中の所定の金属濃度を計測する、計測ステップと、
該計測された金属濃度に対する所定の閾値に基づいて、検査対象の部品の劣化の程度を判定する、劣化判定ステップと、を有していること
を特徴とする、基板処理装置の部品検査方法。 - 前記閾値は、前記基板処理装置の仕様、前記基板処理のプロセス、前記液体の供給条件、のうち少なくとも一つを含む計測条件の違いに応じて、設定されていること
を特徴とする、請求項11に記載の基板処理装置の部品検査方法。 - 前記劣化判定ステップにおいて判定された部品の劣化の程度を出力する、判定結果出力ステップをさらに有すること
を特徴とする、請求項11又は12に記載の基板処理装置の部品検査方法。 - 前記劣化判定ステップにおいて判定された劣化の程度が所定の基準を超えた場合には警告信号を出力する、警告ステップをさらに有すること
を特徴とする、請求項11から13のいずれか一項に記載の基板処理装置の部品検査方法。 - 前記計測ステップにおける前記所定の金属濃度の計測は、前記液体中の比抵抗を計測することにより行われること
を特徴とする、請求項11から14のいずれか一項に記載の基板処理装置の部品検査方法。 - 前記の各ステップが、ロット単位での基板処理の前及び/又は後に実施されること
を特徴とする、請求項11から15のいずれか一項に記載の基板処理装置の部品検査方法。 - 前記の各ステップが、一基板の処理を終える毎に実施されること
を特徴とする、請求項11から15のいずれか一項に記載の基板処理装置の部品検査方法。 - 前記の各ステップが、基板処理中に実施されること
を特徴とする、請求項11から15のいずれか一項に記載の基板処理装置の部品検査方
法。 - 前記液体は、前記基板処理に用いられる処理液、及び/又は、前記基板処理装置内部を洗浄する装置洗浄液、であること
を特徴とする、請求項11から18のいずれか一項に記載の基板処理装置の部品検査方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017146460A JP7040870B2 (ja) | 2017-07-28 | 2017-07-28 | 基板処理装置、及び基板処理装置の部品検査方法 |
KR1020197038602A KR102257429B1 (ko) | 2017-07-28 | 2018-05-15 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 부품 검사 방법 |
CN201880043588.5A CN110832619B (zh) | 2017-07-28 | 2018-05-15 | 基板处理装置及基板处理装置的部件检查方法 |
PCT/JP2018/018813 WO2019021585A1 (ja) | 2017-07-28 | 2018-05-15 | 基板処理装置、及び基板処理装置の部品検査方法 |
TW107120772A TWI693104B (zh) | 2017-07-28 | 2018-06-15 | 基板處理裝置及基板處理裝置之零件檢查方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017146460A JP7040870B2 (ja) | 2017-07-28 | 2017-07-28 | 基板処理装置、及び基板処理装置の部品検査方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019029471A JP2019029471A (ja) | 2019-02-21 |
JP7040870B2 true JP7040870B2 (ja) | 2022-03-23 |
Family
ID=65039574
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017146460A Active JP7040870B2 (ja) | 2017-07-28 | 2017-07-28 | 基板処理装置、及び基板処理装置の部品検査方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7040870B2 (ja) |
KR (1) | KR102257429B1 (ja) |
CN (1) | CN110832619B (ja) |
TW (1) | TWI693104B (ja) |
WO (1) | WO2019021585A1 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010074191A (ja) | 2004-09-28 | 2010-04-02 | Ebara Corp | 基板洗浄装置及び洗浄部材の交換時期判定方法 |
JP2010267181A (ja) | 2009-05-18 | 2010-11-25 | Sumitomo Chem Eng Kk | 薬剤の希釈装置 |
JP2010267856A (ja) | 2009-05-15 | 2010-11-25 | Panasonic Corp | 洗浄処理装置および洗浄処理方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6344158A (ja) * | 1986-08-12 | 1988-02-25 | Toyo Seikan Kaisha Ltd | 金属容器及びその構成部材の樹脂被覆部における金属露出測定法及び装置 |
JP2517385Y2 (ja) * | 1990-09-26 | 1996-11-20 | 鹿児島日本電気株式会社 | 半導体装置の樹脂欠け検査装置 |
JP3158840B2 (ja) * | 1994-01-31 | 2001-04-23 | 日本電気株式会社 | ウェット処理装置 |
JP3177729B2 (ja) * | 1995-05-12 | 2001-06-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
JP3254520B2 (ja) * | 1997-11-27 | 2002-02-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄処理方法及び洗浄処理システム |
JP3440329B2 (ja) * | 1999-08-05 | 2003-08-25 | 住友イートンノバ株式会社 | コーティング膜の検出方法及びこれを用いるイオン注入装置 |
KR100378093B1 (ko) * | 1999-09-07 | 2003-03-29 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 패키지용 회로기판 및 이를 이용한 불량 회로기판의 감지방법 |
JP4774166B2 (ja) | 2001-06-15 | 2011-09-14 | ダイセル化学工業株式会社 | 転写シート |
KR20030092343A (ko) | 2002-05-29 | 2003-12-06 | 엘지.필립스디스플레이(주) | 음극선관용 편향요크 |
JP5399191B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2014-01-29 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置、基板処理装置のための検査装置、ならびに検査用コンピュータプログラムおよびそれを記録した記録媒体 |
US9000783B2 (en) * | 2010-08-02 | 2015-04-07 | Wafertech, Llc | Solid state sensor for metal ion detection and trapping in solution |
JP5587724B2 (ja) * | 2010-10-01 | 2014-09-10 | 日本電信電話株式会社 | 被膜劣化評価方法 |
JP6268469B2 (ja) * | 2013-12-18 | 2018-01-31 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、基板処理装置の制御方法、および記録媒体 |
CN105278566A (zh) * | 2014-07-17 | 2016-01-27 | 株式会社平间理化研究所 | 蚀刻液管理装置、溶解金属浓度测定装置及测定方法 |
JP6553487B2 (ja) * | 2015-11-10 | 2019-07-31 | 株式会社Screenホールディングス | 吐出判定方法および吐出装置 |
-
2017
- 2017-07-28 JP JP2017146460A patent/JP7040870B2/ja active Active
-
2018
- 2018-05-15 KR KR1020197038602A patent/KR102257429B1/ko active IP Right Grant
- 2018-05-15 CN CN201880043588.5A patent/CN110832619B/zh active Active
- 2018-05-15 WO PCT/JP2018/018813 patent/WO2019021585A1/ja active Application Filing
- 2018-06-15 TW TW107120772A patent/TWI693104B/zh active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010074191A (ja) | 2004-09-28 | 2010-04-02 | Ebara Corp | 基板洗浄装置及び洗浄部材の交換時期判定方法 |
JP2010267856A (ja) | 2009-05-15 | 2010-11-25 | Panasonic Corp | 洗浄処理装置および洗浄処理方法 |
JP2010267181A (ja) | 2009-05-18 | 2010-11-25 | Sumitomo Chem Eng Kk | 薬剤の希釈装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201919774A (zh) | 2019-06-01 |
JP2019029471A (ja) | 2019-02-21 |
KR20200013716A (ko) | 2020-02-07 |
TWI693104B (zh) | 2020-05-11 |
CN110832619A (zh) | 2020-02-21 |
KR102257429B1 (ko) | 2021-05-27 |
CN110832619B (zh) | 2023-12-08 |
WO2019021585A1 (ja) | 2019-01-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4989370B2 (ja) | ノズルおよびそれを備える基板処理装置 | |
JP7040869B2 (ja) | 基板処理装置、及び基板処理装置の部品検査方法 | |
TWI671138B (zh) | 基板處理裝置及處理罩洗淨方法 | |
JP7040871B2 (ja) | 基板処理装置、及び基板処理装置の部品検査方法 | |
US20070076942A1 (en) | Semiconductor device manufacturing system | |
JP7145893B2 (ja) | ウエハ保持装置上におけるめっきの遠隔検知 | |
JP2018129432A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP7040870B2 (ja) | 基板処理装置、及び基板処理装置の部品検査方法 | |
JP5290837B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP2016207838A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
TWI809937B (zh) | 漏液判定方法及鍍覆裝置 | |
JP7471171B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR102612855B1 (ko) | 누설 판정 방법 및 도금 장치 | |
JP7351331B2 (ja) | シリコンウェーハの枚葉式スピン洗浄乾燥方法 | |
KR102617632B1 (ko) | 도금 장치 | |
JP2011155081A (ja) | 流量測定装置及び流量測定方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200622 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210907 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211108 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220208 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220308 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7040870 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |