JP7028285B2 - 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 - Google Patents
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Description
前記第1の画像データが取得された前記基板の表面の周縁部における膜を前記基板の周に沿って環状に除去するために、当該膜の除去液を供給する膜除去モジュールと、
前記基板の表面の前記膜が除去された環状領域を撮像して第2の画像データを取得するための第2の撮像モジュールと、
前記第1の画像データに基づいて、前記環状領域の幅が制御されるように制御信号を出力し、且つ前記第2の画像データに基づいて前記基板が異常であるか正常であるかを判定する制御部と、
を備え、
前記制御部は前記第1の画像データより、前記膜において前記基板の周に沿って形成された***領域の幅を検出し、
前記膜除去モジュールは前記***領域の幅に応じて、当該***領域の幅よりも大きい幅を有する前記環状領域が形成されるように前記除去液を供給する。
続いて、膜除去モジュールにより、前記第1の画像データが取得された前記基板の表面の周縁部における膜を前記基板の周に沿って環状に除去するために、当該膜の除去液を供給する膜除去工程と、
前記第2の撮像モジュールにより、前記基板の表面の前記膜が除去される環状領域を撮像して第2の画像データを取得する工程と、
制御部により、前記第1の画像データに基づいて、前記環状領域の幅を制御する工程と、
前記第2の画像データに基づいて前記基板が異常であるか正常であるかを判定する工程と、
を備える。
本発明の実施の形態に係る基板処理装置1について、図1の平面図及び図2の縦断側面図を参照して説明する。この基板処理装置1は、角型の基板Mの表面に塗布膜としてレジスト膜を形成した後、基板Mの周縁部の不要なレジスト膜を当該基板Mの周に沿って除去する。そして、基板Mのうち検査対象として設定された基板Mについてはレジスト膜の形成後で不要なレジスト膜の除去前と、不要なレジスト膜の除去後とにおいて、その表面を撮像して画像データを取得し、当該画像データに基づいた検査を行う。基板Mは特に記載が無い限り、背景技術の項目で述べたフォトマスクを製造するためのマスク基板である。また、基板Mは一辺の長さが150mmである概ね正方形に構成されているが、角部については平面で見て円弧をなすように形成されている。
次に、塗布膜形成モジュールであるレジスト膜形成モジュール3の構成について図3の縦断側面図を参照しながら詳しく説明する。図中31は基板Mを載置するスピンチャックである。図中32は回転機構であり、後述の制御部7から出力される制御信号に基づいた回転数でスピンチャック31を回転させる。上記のスピンチャック31は、基板Mが水平に収納される角型の凹部33を備え、当該凹部33は搬送機構16の昇降によって基板Mを凹部33に受け渡すことができるように形成されている。スピンチャック31の回転により、凹部33に収納された基板Mは当該基板Mの中心軸回りに回転する。凹部33を構成する起立壁331は、当該凹部33内に収納された基板Mの側面に沿うと共に近接する。起立壁331の上端は外方に広がり、基板Mの中心部と周縁部との間で気流の状態が変化することを防ぐために、当該基板Mの表面と略同じ高さの平坦な表面をなす気流調整部材332を形成する。図中333は支持部であり、基板Mの裏面の端部を支持するように凹部33内に設けられる。なお、凹部33内には、基板Mの側面に当接してその位置を規制するアライメント部材も設けられているが、当該アライメント部材の図示は省略している。
続いてレジスト膜除去モジュール4について、図4の斜視図及び図5の平面図を参照しながら説明する。レジスト膜除去モジュール4は、支持板41と、4つの載置台43と、2つのノズル部5とから構成されている。支持板41は角型リング状に構成され、その表面には基板Mの裏面の端部を支持する支持ピン411が周方向に複数配列されている。支持板41は駆動機構42に接続され、当該駆動機構42により昇降自在及び鉛直軸周りに回転自在であり、上記の処理ブロックD2の搬送機構16と載置台43との間で基板Mを受け渡すこと及び載置台43に載置される基板Mの向きを変更することができる。
次に、上記のレジスト膜除去モジュール4におけるレジスト膜の除去処理について、基板Mの表面における上記のシンナー吐出口53の投影領域50の軌跡を示す図7~図9を参照しながら説明する。レジスト膜除去モジュール4では、基板Mの左右の中心に対して、各投影領域50が左右対称に位置するようにノズル部5が動作し、基板Mの左右の縁部が互いに同様に且つ並行して処理される。なお、これらの図7~図9及び後述の図10、図11ではレジスト膜Rにグレースケールを付して示し、レジスト膜Rが除去された領域が明確になるようにしている。
続いて、第1の撮像モジュールである前段撮像モジュール6について、図11の縦断側面図と、図12の横断平面図とを参照しながら説明する。この前段撮像モジュール6は、基板Mの異常を検出するために、上記のレジスト膜形成モジュール3でレジスト膜Rが形成され、レジスト膜除去モジュール4で処理する前の基板Mを撮像するモジュールである。
続いて、基板処理装置1に設けられる制御部7について図13を参照して説明する。制御部7は例えばコンピュータにより構成されており、図中71はバスである。バス71にはプログラム格納部72、画像データ記憶部73、表示部74、パラメータ記憶部75が接続されている。また、バス71には、前段撮像モジュール6のカメラ66、後段撮像モジュール60のカメラ66が接続されており、制御部7はこれらのカメラ66から送信される画像データを取得し、当該画像データを画像データ記憶部73に記憶することができる。表示部74は、作業員が必要に応じて画像データ記憶部73に記憶された画像データを表示させて閲覧するためのディスプレイである。
キャリア11に格納されて基板処理装置1に搬送される複数の基板Mのうちの一部が、検査対象の基板として設定される。この検査対象として設定された基板Mの搬送経路と処理手順について、図14を参照しながら説明する。なお、この説明では、後述するように搬送中に取得される各画像データによって行われる検査において、基板Mは正常な基板として判定されるものとする。先ず、キャリア11に格納された基板Mは、紫外線照射モジュール15に搬送されて紫外線の照射を受けた後、受け渡しモジュールTRS1に搬送される。然る後、基板Mは、洗浄モジュール17に搬送されて洗浄された後、加熱モジュール21に搬送されて加熱され、さらにその後、冷却モジュールCPLに搬送されて冷却されて、所定の温度になるように調整される。
レジスト膜除去前画像データを用いた検査の概要及び検査結果に基づく対応の概要を説明する。図15は、前段撮像モジュール6により取得されるレジスト膜除去前画像データの一例を示している。図中の点線の矢印の先には、画像から推定することができる基板Mの縦断面を示している。上記のようにレジスト膜形成モジュール3では遠心力により中心部に供給されたレジストを基板Mの周縁部へと展伸させてレジスト膜Rを形成するため、基板Mの表面の周端部には基板Mの周に沿った環状の***領域R1が形成される場合が有る。この***領域R1については例えば他の領域に比べて画像の輝度が低いので、後述の制御部7は当該***領域R1を識別可能であり、当該制御部7は***領域R1の幅L6を検出する。
続いて、図19のフローチャートを参照しながら後段撮像モジュール60から得られるレジスト膜除去後画像データに基づいた検査と、検査に基づいて行われる対処とを説明する。先ず、後段撮像モジュール60にて基板Mが撮像され、周端処理後画像データが取得される(ステップT1)。この画像データにおいて、図10で説明した角部カット幅L4及び主カット幅L5が検出される(ステップT2)。これらのカット幅L4、L5が、各々について設定される許容範囲に含まれるか否かが判定される(ステップT3)。
本発明に関連して行われた評価試験について説明する。上記のレジスト膜除去モジュール4を用いて、基板Mの一辺に沿って表面のレジスト膜Rを除去した。この一辺におけるレジスト膜Rの***領域R1の幅L6は、当該一辺に沿った各位置で異なっている。そして、シンナーを吐出するノズル本体部51は前後方向に移動中、左右方向にも若干移動するように処理を行った。つまり上記のカット幅設定値L3が、基板Mの一辺に沿った各位置で異なるように処理を行った。処理後に、処理を行った基板Mの辺の近くのレジスト膜Rの端部について、辺に沿った各位置の状態を観察した。カット幅設定値L3の設定を変えて2回処理を行い、各回の処理を評価試験1-1、1-2とする。評価試験1-1は、評価試験1-2よりも基板Mの一辺の各位置におけるカット幅設定値L3が大きく設定されている。
R レジスト膜
1 基板処理装置
3 レジスト膜形成モジュール
31 スピンチャック
4 レジスト膜除去モジュール
50 投影領域
53 シンナー吐出口
6 前段撮像モジュール
60 後段撮像モジュール
7 制御部
Claims (5)
- 膜が形成された基板の表面を撮像して第1の画像データを取得するための第1の撮像モジュールと、
前記第1の画像データが取得された前記基板の表面の周縁部における膜を前記基板の周に沿って環状に除去するために、当該膜の除去液を供給する膜除去モジュールと、
前記基板の表面の前記膜が除去された環状領域を撮像して第2の画像データを取得するための第2の撮像モジュールと、
前記第1の画像データに基づいて、前記環状領域の幅が制御されるように制御信号を出力し、且つ前記第2の画像データに基づいて前記基板が異常であるか正常であるかを判定する制御部と、
を備え、
前記制御部は前記第1の画像データより、前記膜において前記基板の周に沿って形成された***領域の幅を検出し、
前記膜除去モジュールは前記***領域の幅に応じて、当該***領域の幅よりも大きい幅を有する前記環状領域が形成されるように前記除去液を供給する基板処理装置。 - 前記制御部は前記第2の画像データに基づいて、異常であると判定された前記基板について、再度前記膜除去モジュールで処理する第1の対応を行うか、あるいは前記基板の表面全体から膜を除去する第2の対応を行うかを決定する請求項1記載の基板処理装置。
- 前記基板に前記膜を形成する膜形成モジュールが設けられ、
前記制御部は、前記第1の画像データに基づいて前記基板が異常であるか正常であるかを判定し、
前記基板が異常であると判定した場合には、前記膜形成モジュールの動作を制御するパラメータを変更する請求項1または2記載の基板処理装置。 - 前記膜形成モジュールは、前記基板に塗布液を供給するノズルと、前記塗布液が供給された前記基板を回転させる回転機構と、前記基板を囲むと共に内部が排気されるカップと、を備え、
前記パラメータは前記カップ内の排気量または前記基板の回転数である請求項3記載の基板処理装置。 - 第1の撮像モジュールにより、膜が形成された基板の表面を撮像して第1の画像データを取得する工程と、
続いて、膜除去モジュールにより、前記第1の画像データが取得された前記基板の表面の周縁部における膜を前記基板の周に沿って環状に除去するために、当該膜の除去液を供給する膜除去工程と、
第2の撮像モジュールにより、前記基板の表面の前記膜が除去された環状領域を撮像して第2の画像データを取得する工程と、
制御部により、前記第1の画像データに基づいて、前記環状領域の幅を制御する工程と、
前記第2の画像データに基づいて前記基板が異常であるか正常であるかを判定する工程と、
前記第1の画像データより、前記膜において前記基板の周に沿って形成された***領域の幅を検出する工程と、
前記膜除去工程は、前記膜除去モジュールにより前記***領域の幅に応じて、当該***領域の幅よりも大きい幅を有する前記環状領域が形成されるように前記除去液を供給する工程を含む。
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