JP7005493B2 - 固体撮像素子および固体撮像素子の動作方法、撮像装置、並びに電子機器 - Google Patents

固体撮像素子および固体撮像素子の動作方法、撮像装置、並びに電子機器 Download PDF

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Description

本開示は、固体撮像素子および固体撮像素子の動作方法、撮像装置、並びに電子機器に関し、特に、全画素での撮像特性を劣化させることなく、低解像度の画像を低消費電力で実現できるようにした固体撮像素子および固体撮像素子の動作方法、撮像装置、並びに電子機器に関する。
近年のモバイル機器やウェアラブルデバイスなどのアプリケーションの増大により、低電力化の要求が高まっている。これを受けてCIS(CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)Image Sensor)において消費電力の大きい撮像モード以外に簡易認識を常時起動に耐えうる低消費電力で実現するセンシングモード(低解像度撮像)を用いることで自律的に電力の最適化を行う(必要な時のみ電力を消費して撮像する)システムの開発が進められている。
そこで、解像度に合わせて読み出し回数を削減する技術が提案されている(特許文献1参照)。
特開2013-138327号公報
しかしながら、特許文献1の技術においては、解像度を下げるために、共有画素単位または、隣接する共有画素同士をアナログ加算する手法により電力を下げるしかなく、撮像時に要求される解像度とセンシング時に要求される解像度の開きが大きい場合には、必要以上の解像度を読み出してAD変換(Analog/Digital変換)した後にデジタル信号処理として解像度を下げる必要があるので、低消費電力化には限界があった。
本開示は、このような状況に鑑みてなされたものであり、特に、全画素での撮像特性を劣化させることなく、低解像度の画像を低消費電力で実現できるようにするものである。
本開示の一側面の固体撮像素子は、少なくとも以上の画素からなる共有画素の単位で設定されるFD(フローティングディフュージョン)と、前記共有画素単位で設定される、所定行数毎の前記FDを接続するフローティング配線と、前記フローティング配線と、各行の前記FDとの接続、または、非接続を切り替えるスイッチとを含み、前記スイッチは、前記フローティング配線に接続可能な、前記所定行数毎の前記FDに対応する複数のスイッチであり、前記複数のスイッチのうち、要求される解像度に応じて、加算対象となる前記共有画素の前記スイッチが、前記フローティング配線に異なるタイミングとなるようにずれて接続される固体撮像素子である。
前記スイッチは、前記フローティング配線に接続可能な、前記所定行数毎の前記FDに対応する複数のスイッチとすることができ、前記複数のスイッチのうち、要求される解像度に応じて、加算対象となる前記共有画素の前記スイッチが、前記フローティング配線に異なるタイミングとなるように行単位で所定の時間ずつずれて接続されるようにすることができる。
前記FDを介して前記共有画素の画素信号を、前記共有画素の列単位で転送する垂直信号線と、異なる前記垂直信号線に前記画素信号を転送する、複数の、異なる列の前記フローティング配線を接続する列跨ぎフローティング配線とを含ませるようにすることができる。
前記共有画素は、ベイヤ配列の画素配列を単位とした複数の画素から構成されるようにすることができる。
前記共有画素は、露光時間の異なる複数の画素から構成されるようにすることができる。
前記共有画素は、前記共有画素毎に、前記露光時間の異なる複数の画素を、それぞれについて同一画素数だけ含ませるようにすることができる。
前記共有画素は、前記共有画素毎に、前記露光時間の異なる複数の画素から構成されるようにすることができる。
本開示の一側面の固体撮像素子の動作方法は、少なくとも以上の画素からなる共有画素の単位で設定されるFD(フローティングディフュージョン)と、前記共有画素単位で設定される、所定行数毎の前記FDを接続するフローティング配線と、前記フローティング配線と、各行の前記FDとの接続、または、非接続を切り替えるスイッチとを含む固体撮像素子の動作方法であって、前記スイッチが、前記フローティング配線に接続可能な、前記所定行数毎の前記FDに対応する複数のスイッチであり、前記複数のスイッチのうち、要求される解像度に応じて、加算対象となる前記共有画素の前記スイッチが、前記フローティング配線に異なるタイミングとなるようにずれて接続される固体撮像素子の動作方法である。
本開示の一側面の撮像装置は、少なくとも以上の画素からなる共有画素の単位で設定されるFD(フローティングディフュージョン)と、前記共有画素単位で設定される、所定行数毎の前記FDを接続するフローティング配線と、前記フローティング配線と、各行の前記FDとの接続、または、非接続を切り替えるスイッチとを含み、
前記スイッチは、前記フローティング配線に接続可能な、前記所定行数毎の前記FDに対応する複数のスイッチであり、前記複数のスイッチのうち、要求される解像度に応じて、加算対象となる前記共有画素の前記スイッチが、前記フローティング配線に異なるタイミングとなるようにずれて接続される撮像装置である。
本開示の一側面の電子機器は、少なくとも以上の画素からなる共有画素の単位で設定されるFD(フローティングディフュージョン)と、前記共有画素単位で設定される、所定行数毎の前記FDを接続するフローティング配線と、前記フローティング配線と、各行の前記FDとの接続、または、非接続を切り替えるスイッチとを含み、
前記スイッチは、前記フローティング配線に接続可能な、前記所定行数毎の前記FDに対応する複数のスイッチであり、前記複数のスイッチのうち、要求される解像度に応じて、加算対象となる前記共有画素の前記スイッチが、前記フローティング配線に異なるタイミングとなるようにずれて接続される電子機器である。
本開示の一側面においては、FD(フローティングディフュージョン)が、少なくとも以上の画素からなる共有画素の単位で設定され、フローティング配線により、前記共有画素単位で設定される、所定行数毎の前記FDが接続され、スイッチにより、前記フローティング配線と、各行の前記FDとの接続、または、非接続が切り替えられ、前記スイッチは、前記フローティング配線に接続可能な、前記所定行数毎の前記FDに対応する複数のスイッチであり、前記複数のスイッチのうち、要求される解像度に応じて、加算対象となる前記共有画素の前記スイッチが、前記フローティング配線に異なるタイミングとなるようにずれて接続される
本開示の一側面によれば、全画素での撮像特性を劣化させることなく、低解像度の画像を低消費電力で実現することが可能となる。
本開示のイメージセンサの構成例を説明する図である。 イメージセンサの低電力化を説明する図である。 従来のイメージセンサにおける低電力化を実現する手法を説明する図である。 本開示のイメージセンサにおける低電力化を実現する手法を説明する図である。 図4のイメージセンサにおける低電力化を実現するときの動作方法を説明するタイミングチャートである。 第1の変形例における動作を説明するタイミングチャートである。 第2の変形例におけるイメージセンサの構成例を説明する図である。 第2の変形例におけるイメージセンサの構成例を説明する図である。 本開示のイメージセンサを適用した電子機器としての撮像装置の構成例を示すブロック図である。 本開示の技術を適用したイメージセンサの使用例を説明する図である。
以下に添付図面を参照しながら、本開示の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
<本開示のイメージセンサの画素構成例>
図1を参照して、本開示のイメージセンサの構成例について説明する。図1で示されるイメージセンサ1は、所定数の画素を単位とする構造をアレイ状に配置する構成とされている。この単位は1画素でもよいし、複数画素の共有構造であってもよい。以降においては、この単位を複数画素の共有画素であるものとして説明を進めるものとする。
図1のイメージセンサは、上チップ11、および下チップ12からなる積層型の構成であり、上チップ11には、画素アレイ21が構成され、下チップ12には、DAC(Digital Analog Converter)41、コンパレータ42-1乃至42-M、および垂直転送制御部43が設けられている。
画素アレイ21には、複数画素の共有構造である共有画素31を単位として、垂直方向にN行、および水平方向にM列に、共有画素31-1-1乃至31-M-Nが設けられている。
尚、共有画素31-1-1乃至31-M-N、垂直信号線32-1乃至32-M、およびコンパレータ42-1乃至42-Mのそれぞれについて、特に区別する必要がない場合、単に、共有画素31、垂直信号線32、およびコンパレータ42と称するものとし、その他の構成についても同様に称するものとする。
ここで、DAC41、およびコンパレータ42は、カラムAD回路を構成するものである。すなわち、コンパレータ42は、垂直信号線32を介して供給されてくるアナログ信号からなる画素信号を、DAC41より供給されてくるリファレンス信号と比較し、比較結果を出力する。コンパレータ42の後段には、リファレンス信号の出力電圧を変化させるクロックに同期してカウント値をカウントする図示せぬカウンタが設けられている。このカウンタは、コンパレータ42からの比較結果に応じて、カウント値をデジタル信号として出力する。
それぞれが複数の画素が共有された構造となっている共有画素31-1-1乃至31-M-Nは、垂直転送制御部43より行単位で供給される制御信号に基づいて、垂直信号線32-1乃至32-Mを介して画素信号を読み出す。そして、読み出されたアナログ信号の画素信号は、カラムAD(Analog/Digital変換回路)によって行単位でデジタルデータに変換される。
このため撮像面全面の信号を読みだすためには共有画素31の行×N回のAD変換を行う必要がある。
<読み出し回数と消費電力との関係>
次に、図2を参照して、読み出し回数と消費電力との関係について説明する。図2で示されるように、イメージセンサは1フレーム内に全てのデータを読み出す必要が有り、読み出し動作を行っている間は消費電力が増大し、読み出しが終わった後のブランク期間は電力消費を抑える制御を行うことが一般的である。
そのためフレームレートが一定の場合、読み出し回数を減らすことが消費電力低減に繋がる。従来のイメージセンサにおいて読み出し回数を減らすために画素信号を加算し、一括で読み出すことで読み出し回数を低減する。ここで、加算には共有画素31内でのFD(フローティングディシュージョン)加算、隣接VSL(垂直信号線)間での容量加算、およびソースフォロワ加算といったいくつかのバリエーションがある。
しかしながら、基本的には共有画素31内や隣接する共有画素31間での加算に限定される。このためイメージセンサ自体の画素数に対して大幅に解像度を下げた撮像を行う際には、これらの画素加算を用いたとしても読み出し回数を低減できる回数には限界があるので、低電力化に限界がある。
そこで、上述した特許文献1で示されるように、解像度に合わせて読み出し回数を削減可能な技術が提案されている。
尚、図2においては、全画素を読み出すために全行について読み出しを行うに当たって、1フレーム分の画素読み出しとして、時刻t11乃至t13の時間が必要であったが、これを画素加算により読み出し回数を減らして低解像度化することにより、時刻t11乃至t12の時間で済ますことが可能となり、省電力化できることが示されている。
<従来における低電力化技術>
従来においては、図3の点線の配線で示されるように、共有画素31のFD64間を連結するFD連結用配線71を設け、このFD連結用配線71を連結するためのスイッチ81-1乃至81-3を共有画素31の行間に配置し、必要な解像度に応じてスイッチ81のオンオフの組み合わせを変えて、読み出し回数を削減できる画素構造としている。
図3で示されるような構成により、スイッチ81のオンまたはオフを切り替えるようにすることで、必要な解像度に応じた範囲でFD64-1乃至64-3を連結させて、共有画素31-101乃至31-103を跨ぐ範囲でのFD加算を実現することが可能となる。
一方、イメージセンサの画素では光電変換により生じた電子を電圧に変換する際のゲイン(変換効率)を高めるためにFD容量を最小化することが好ましいが、図3の構成においては、仮に、スイッチ81がオフにされていたとしても、FD連結用配線71の配線の一部が接続された状態となることで、寄生容量が増加し、変換効率を低下させてしまうので、全画素動作時の画質を劣化させてしまう恐れがあった。
尚、図3においては、ベイヤ配列の2画素×2画素からなる構成が垂直方向に2組接続された合計8画素からなる共有画素31-101乃至31-103が同一の垂直信号線32に接続されており、それぞれに画素回路51-1乃至51-3が設けられている。画素回路51-1は、リセット(RST)トランジスタ61-1、増幅トランジスタ62-1、選択(SEL)トランジスタ63-1、およびFD64-1を備えている。
尚、図3においては、画素回路51-1においてのみ、リセット(RST)トランジスタ61-1、増幅トランジスタ62-1、選択(SEL)トランジスタ63-1、およびFD64-1の符号が付されているが、それ以外の画素回路51については、符号を省略しており、以降においても必要に応じて符号の表記を省略する。
RSTトランジスタ61は、各画素のフォトダイオードをリセットする際、または、FD64を、リセットする際に、開閉されるトランジスタである。増幅トランジスタ62は、ゲートにFD64が接続されており、FD64における基準電位、または、信号電位を増幅し、画素信号として選択(SEL)トランジスタ63に出力する。選択(SEL)トランジスタ63は、選択信号SELに基づいて開閉し、増幅トランジスタ62により増幅された画素信号を垂直信号線32に出力して転送する。
また、図示しないが、共有画素31における8画素のそれぞれにフォトダイオード、および転送(TRG)トランジスタが設けられている。転送(TRG)トランジスタの開閉は、リセット(RST)トランジスタとの開閉に応じて、フォトダイオードをリセットする、または、フォトダイオードに蓄積された電荷をFD64に転送する。ここで、図3の各画素回路51は、上述した4個のトランジスタから構成されるものであるが、それ以外の構成でもよく、例えば、転送(TRG)トランジスタを含まない、3個のトランジスタから構成されるものであってもよい。
また、画素回路51-2,51-3においても、同様の構成が設けられており、このうち、FD64-1乃至64-3については、FD連結用配線71には、共有画素31-101乃至31-103のFD64-1乃至64-3をそれぞれ連結するスイッチ81-1乃至81-3が設けられており、スイッチ81-1乃至81-3のオンまたはオフによりFD連結用配線71が連結される。
垂直転送制御部43は、転送(TRG)トランジスタ、リセット(RST)トランジスタ51、および選択トランジスタ53の開閉を制御する転送信号TRG、リセット信号RST、および選択信号SELといった制御信号を発生し、これらの制御信号に基づいて、行単位で、画素回路51の動作を制御する。
<本開示のイメージセンサの構成例>
次に、図4を参照して、本開示のイメージセンサ1の構成例について説明する。尚、図3の構成と同一の機能を備えた構成については、同一の名称、および同一の符号を付しており、その説明は適宜省略するものとする。ただし、図4においては、共有画素31は、共有画素31-121乃至31-126であり、画素回路51は、画素回路51-11乃至51-16である。また、画素回路51-11乃至51-16におけるFD64は、FD64-11乃至64-16である。すなわち、図4においては、図3における構成と同一の機能を備えた構成であっても「-」以下の符号が別途付されている。
図4の構成において、図3の構成と異なるのは、共通のFD連結用配線71と、その連結を切り替えるスイッチ81とに代えて、所定数の共有画素31単位で、FD64を共有化するフローティング配線101-1乃至101-3、およびスイッチ121-1乃至121-6が設けられている点である。
例えば、図4においては、フローティング配線101-2は、共有画素31-123乃至31-125の3個のFD64-13乃至64-15を、スイッチ121-3乃至121-5のオンまたはオフにより切り替えて連結させる。
尚、図4においては、共有化される(連結される)FD64が最大3個である場合のフローティング配線101の例が示されているが、それ以外の個数のFD64が最大個数として連結される構成としてもよい。その場合、連結されるFD64の最大個数に対応して、それぞれにスイッチ121が設けられる。
図4において、フローティング配線101は、FD64に直接接続されておらず、スイッチ121を介してFD64に接続されている。このため、必要な解像度に応じて、このスイッチ121のオン、またはオフにより、複数のFD64がフローティング配線101に接続されて、所定数の共有画素31の所定数のFD64によるFD加算が実現される。
また、通常、イメージセンサ1においてはリセット(RST)トランジスタ61のレイアウトの対称性を確保するためにダミーRSTトランジスタが設けられていることが一般的である。フローティング配線101にFD64に接続、または非接続を切り替えるスイッチ121は、このダミーRSTトランジスタを用いることで画素内に素子追加をすることなく、かつ、FD64に対して配線寄生容量を増加させることなく、FD64との連結の機能を実現することが可能となる。
すなわち、図4で示される本開示のイメージセンサ1においては、図3で示される従来のイメージセンサに対して、FD加算されるFD64を構成する部位が最小化される構成となる。また、図4のイメージセンサ1においては、FD加算用のフローティング配線101が追加されることにより、解像度を圧縮したい画素のFD64を加算用のフローティング配線101に接続させることで、解像度に応じたFD加算を実現させることが可能となる。さらに、圧縮後の画素の切れ目では加算用のフローティング配線101は断線されるようにすることができる。
<低解像度画像を撮像するときの動作>
次に、図5のタイミングチャートを参照して、図4で示される本開示のイメージセンサ1による低解像度画像を撮像するときの動作について説明する。
すなわち、FD加算を実現するために加算対象の画素のダミーRSTトランジスタからなるスイッチ121が常時オンとされる点を除けば、基本的な4個のトランジスタで構成される画素回路51における読み出し動作と同様である。
また、図5においては、最上段において、垂直転送制御部43より、ダミーRSTトランジスタ(DummyRST[1:n])で示されるスイッチ121に供給される開閉を制御する制御信号(スイッチ121の開閉を制御する信号)の波形が示されている。さらに、上から2段目においては、垂直転送制御部43より、選択トランジスタ53に供給される選択信号SEL[1:n]の波形が示されている。また、上から3段目においては、垂直転送制御部43より、リセット(RST)トランジスタ52に供給されるリセット信号RST[1:n]の波形が示されている。さらに、上から4段目においては、垂直転送制御部43より、共有画素31における画素の転送(TRG)トランジスタに供給される転送信号TRG[1:n]の波形が示されている。そして、最下段においては、AD変換されるタイミングを示す波形が示されている。また、ここで、[1:n]は、各行のそれぞれの波形を区別する識別子を示しており、ここでは第1行目乃至第n行目までの全行であることが表されている。
すなわち、時刻t0において、垂直転送制御部43からのスイッチ121の開閉を制御する制御信号に基づいて、解像度に応じた加算対象の画素のダミーRSTトランジスタからなるスイッチ121がオンにされて、共有画素31-123乃至31-125のFD64-13乃至64-15がフローティング配線101-2を介して接続され、同時に、選択トランジスタ53が全てオンにされる。尚、図5においては、全行のスイッチ121がオンにされる例が示されているが、解像度に応じて、オンにされるスイッチ121の個数や位置は変化する。
また、時刻t0乃至t1において、垂直転送制御部43からのリセット信号RSTに基づいて、リセット(RST)トランジスタ61がオンにされて、FD64がリセットされると、基準電位が読み出されて、時刻t2乃至t3のタイミングにおいて、この基準電位がAD変換される。
さらに、時刻t4乃至t5において、垂直転送制御部43からの転送(TRG)トランジスタの開閉を制御する転送信号TRGに基づいて、転送(TRG)トランジスタがオンにされて、信号電位がFD64に転送されると、時刻t6乃至t7のタイミングにおいて、この信号電位がAD変換される。
この結果、デジタル信号に変換された信号電位と基準電位との差分が、デジタル信号の画素信号として出力される。
以上の動作により、画素共有単位を跨いだ電荷加算を行う画素構成と、電力効率のよい読み出し回路とを用いることで、いわゆる全画素での撮像特性を劣化させることなく、全面平均または簡易認識機能と親和性の良い低解像度の画像を少ない電力消費で得ることが可能となる。
尚、本開示のイメージセンサ1は、画素アレイ21が設けられる上チップ11と、その他の構成が設けられる下チップ12とが積層された、いわゆる積層型である例について説明してきたが、その他の構成でもよく、例えば、同一チップに全てが配置されるような構成であってもよいし、2つのチップから構成されて、かつ、2つのチップが積層されていない構造であってもよい。
<第1の変形例>
以上においては、加算対象となる全画素(全行)について、同時にリセット(RST)トランジスタ61をオンにして、さらに、加算対象となる全画素について、同時に転送(TRG)トランジスタをオンにすることで、デジタル信号に変換された基準電位と信号電位とを読み出す例について説明してきた。
しかしながら、この場合、加算対象の画素に対して、全て同時に駆動されることになるが、多数の制御信号が同時にトグルすることによる特性懸念(駆動信号ドライバの電源ドロップによる転送特性の劣化など)があるため、これらの影響が顕著な場合、適切な画素信号が読み出せない恐れがある。
そこで、加算対象となる画素については、図6で示されるように、行単位でリセット(RST)トランジスタをオンにするタイミング、および、転送(TRG)トランジスタをオンにするタイミングを、僅かずつずらすようにして、電源ドロップによる転送特性の劣化などを低減させるようにしてもよい。
より詳細には、図6においては、1行目については、時刻t01乃至t11において、垂直転送制御部43が、リセット(RST)トランジスタ61をオンにする制御信号(パルス信号からなるリセット信号RST)を出力しているが、2行目については、時刻t01に対して僅かに遅れた時刻t02乃至t12において制御信号(パルス信号からなるリセット信号RST)を出力している。3行目以降についても同様に、僅かに遅れた時刻t03乃至t13・・・とされるように制御信号が出力されるように制御される。
これに伴って、図6においては、1行目については、時刻t41乃至t51において、垂直転送制御部43が、転送(TRG)トランジスタをオンにする制御信号(パルス信号からなる転送信号TRG)を出力しているが、2行目については、時刻t41に対して僅かに遅れた時刻t42乃至t52において制御信号(パルス信号からなる転送信号TRG)を出力している。3行目以降についても同様に、僅かに遅れた時刻t43乃至t53・・・とされるように制御信号が出力されるように制御される。
これにより、複数のリセット(RST)トランジスタ51が同時にオンにされないことで、換言すれば、パルス波形からなるリセット信号RSTが、同一のタイミングで立ち上がらないようにずらされるようにすることで、電源ドロップが生じるのを抑制することが可能となる。結果として、転送特性の劣化を抑制することが可能となる。
<第2の変形例>
以上においては、全画素の露光時間は一定である例について説明してきたが、HDR(High Dynamic Range)と呼ばれる、異なる露光時間の画素の組み合わせからなる共有画素31のFD64が、共通するフローティング配線101に接続される構成とするようにしてもよい。
例えば、図7の左部で示されるように、全ての共有画素31について、構成する8画素のうち、上段の2画素×2画素は、長時間露光(L)とし、下段の2画素×2は、短時間露光(S)とするようにしているような場合、図4におけるときと同様に、共有画素31-123乃至31-125のように3個ずつを同一のフローティング配線101-2でスイッチ121-3乃至121-5のそれぞれをオンまたはオフとすることで接続状態、または、非接続状態に切り替えられるようにしてもよい。
また、図7の右部で示されるように、共有画素31が、構成する8画素の全てが長時間露光(L)からなるものと、短時間露光(S)からなるものとで交互に配置されるような場合、共有画素31-122乃至31-125の4個ずつを同一のフローティング配線101-11でスイッチ121-2乃至121-5のそれぞれをオンまたはオフとすることで接続状態、または、非接続状態に切り替えられるようにしてもよい。
尚、図7の左部で示されるように、共有画素31単位で、長時間露光(L)の画素と、短時間露光(S)の画素とが同一画素数である場合については、フローティング配線101で共有されるFD64の個数が統一されるようにする限り、その共有される個数は任意に設定することができる。
一方、図7の右部で示されるように、共有画素31単位で、全てが長時間露光(L)の画素であるか、または、全てが短時間露光(S)の画素であるかのように、長時間露光(L)の画素数と、短時間露光(S)の画素数とが同一画素数ではない場合については、フローティング配線101で共有されるFD64の個数については、共有化する複数の共有画素31における長時間露光(L)の画素と、短時間露光(S)の画素とが同一画素数となるようなFD64の個数に設定することが望ましい。すなわち、低解像度にする際にも、長時間露光(L)の画素と、短時間露光(S)の画素とのバランスが整っている方が、アンバランスが生じた分の補正等に係る消費電力を低減させることが可能となる。
<第3の変形例>
以上においては、列ごとに独立してフローティング配線101が設けられる例について説明してきたが、列を跨いでフローティング配線を設定するようにしてもよい。
すなわち、図8においては、図4における垂直方向のフローティング配線101-1-1乃至101-3-1、並びに、101-1-2乃至101-3-2に加えて、隣接する列を接続するフローティング配線151(151-1乃至151-7)が設けられている。
このような構成により、垂直方向の行の圧縮に加えて、水平方向の列の圧縮を実現することが可能となり、実質的に垂直信号線で転送する信号を間引くことが可能となり、使用するカラムAD回路の個数を低減させることで、低解像度化した際の消費電力を低減させることが可能となる。
尚、図8におけるフローティング配線151についても、FD64との接続状態、または、非接続状態とを切り替えられるスイッチを設けるようにして、列方向でのフローティング配線121の接続状態、または、非接続状態を切替られるようにしてもよい。
<電子機器への適用例>
上述したイメージセンサ1は、例えば、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラなどの撮像装置、撮像機能を備えた携帯電話機、または、撮像機能を備えた他の機器といった各種の電子機器に適用することができる。
図9は、本技術を適用した電子機器としての撮像装置の構成例を示すブロック図である。
図9に示される撮像装置201は、光学系202、シャッタ装置203、固体撮像素子204、駆動回路205、信号処理回路206、モニタ207、およびメモリ208を備えて構成され、静止画像および動画像を撮像可能である。
光学系202は、1枚または複数枚のレンズを有して構成され、被写体からの光(入射光)を固体撮像素子204に導き、固体撮像素子204の受光面に結像させる。
シャッタ装置203は、光学系202および固体撮像素子204の間に配置され、駆動回路1005の制御に従って、固体撮像素子204への光照射期間および遮光期間を制御する。
固体撮像素子204は、上述した固体撮像素子を含むパッケージにより構成される。固体撮像素子204は、光学系202およびシャッタ装置203を介して受光面に結像される光に応じて、一定期間、信号電荷を蓄積する。固体撮像素子204に蓄積された信号電荷は、駆動回路205から供給される駆動信号(タイミング信号)に従って転送される。
駆動回路205は、固体撮像素子204の転送動作、および、シャッタ装置203のシャッタ動作を制御する駆動信号を出力して、固体撮像素子204およびシャッタ装置203を駆動する。
信号処理回路206は、固体撮像素子204から出力された信号電荷に対して各種の信号処理を施す。信号処理回路206が信号処理を施すことにより得られた画像(画像データ)は、モニタ207に供給されて表示されたり、メモリ208に供給されて記憶(記録)されたりする。
このように構成されている撮像装置201においても、上述した光学系202、シャッタ装置203、および固体撮像素子204に代えて、本開示の図1で示されるイメージセンサ1を適用することにより、全画素を用いた高解像度画像による撮像を劣化させることなく、低解像度撮像する際の消費電力を低減させることが可能となる。
<固体撮像素子の使用例>
図10は、上述の図1のイメージセンサ1を使用する使用例を示す図である。
上述したカメラモジュールは、例えば、以下のように、可視光や、赤外光、紫外光、X線等の光をセンシングする様々なケースに使用することができる。
・ディジタルカメラや、カメラ機能付きの携帯機器等の、鑑賞の用に供される画像を撮影する装置
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
尚、本開示は、以下のような構成も取ることができる。
<1> 少なくとも1以上の画素からなる共有画素の単位で設定されるFD(フローティングディフュージョン)と、
前記共有画素単位で設定される、所定行数毎の前記FDを接続するフローティング配線と、
前記フローティング配線と、各行の前記FDとの接続、または、非接続を切り替えるスイッチとを含む
固体撮像素子。
<2> 前記スイッチは、前記フローティング配線に接続可能な、前記所定行数毎の前記FDに対応する複数のスイッチであり、前記複数のスイッチのうち、要求される解像度に応じて、加算対象となる前記スイッチが、前記フローティング配線に接続される
<1>に記載の固体撮像素子。
<3> 前記スイッチは、前記フローティング配線に接続可能な、前記所定行数毎の前記FDに対応する複数のスイッチであり、前記複数のスイッチのうち、要求される解像度に応じて、前記共有画素のうちの加算対象となる前記スイッチが、前記フローティング配線に接続にされる
<2>に記載の固体撮像素子。
<4> 前記スイッチは、前記フローティング配線に接続可能な、前記所定行数毎の前記FDに対応する複数のスイッチであり、前記複数のスイッチのうち、要求される解像度に応じて、加算対象となる前記共有画素の前記スイッチが、前記フローティング配線に同一のタイミングで接続される
<3>に記載の固体撮像素子。
<5> 前記スイッチは、前記フローティング配線に接続可能な、前記所定行数毎の前記FDに対応する複数のスイッチであり、前記複数のスイッチのうち、要求される解像度に応じて、加算対象となる前記共有画素の前記スイッチが、前記フローティング配線に異なるタイミングとなるようにずれて接続される
<3>に記載の固体撮像素子。
<6> 前記FDを介して前記共有画素の画素信号を、前記共有画素の列単位で転送する垂直信号線と、
異なる前記垂直信号線に前記画素信号を転送する、複数の、異なる列の前記フローティング配線を接続する列跨ぎフローティング配線とをさらに含む
<1>乃至<5>のいずれかに記載の固体撮像素子。
<7> 前記共有画素は、ベイヤ配列の画素配列を単位とした複数の画素から構成される
<1>乃至<6>のいずれかに記載の固体撮像素子。
<8> 前記共有画素は、露光時間の異なる複数の画素から構成される
<1>乃至<7>のいずれかに記載の固体撮像素子。
<9> 前記共有画素は、前記共有画素毎に、前記露光時間の異なる複数の画素を、それぞれについて同一画素数だけ含む
<8>に記載の固体撮像素子。
<10> 前記共有画素は、前記共有画素毎に、前記露光時間の異なる複数の画素から構成される
<8>に記載の固体撮像素子。
<11> 少なくとも1以上の画素からなる共有画素の単位で設定されるFD(フローティングディフュージョン)と、
前記共有画素単位で設定される、所定行数毎の前記FDを接続するフローティング配線と、
前記フローティング配線と、各行の前記FDとの接続、または、非接続を切り替えるスイッチとを含む
固体撮像素子の動作方法であって、
前記スイッチが、前記フローティング配線と、各行の前記FDとの接続、または、非接続を切り替える
固体撮像素子の動作方法。
<12> 少なくとも1以上の画素からなる共有画素の単位で設定されるFD(フローティングディフュージョン)と、
前記共有画素単位で設定される、所定行数毎の前記FDを接続するフローティング配線と、
前記フローティング配線と、各行の前記FDとの接続、または、非接続を切り替えるスイッチとを含む
撮像装置。
<13> 少なくとも1以上の画素からなる共有画素の単位で設定されるFD(フローティングディフュージョン)と、
前記共有画素単位で設定される、所定行数毎の前記FDを接続するフローティング配線と、
前記フローティング配線と、各行の前記FDとの接続、または、非接続を切り替えるスイッチとを含む
電子機器。
1 イメージセンサ, 11 画素アレイ, 21 上チップ, 22 下チップ, 31,31-1-1乃至31-M-N 共有画素, 32,32-1乃至32-M 垂直信号線, 41 DAC, 42 コンパレータ, 43 垂直転送制御部, 51,51-1乃至51-3,51-11乃至51-16 画素回路, 61,61-1 リセット(RST)トランジスタ, 62,62-1 増幅トランジスタ, 63,63-1 選択(SEL)トランジスタ, 64,64-1 FD, 71 FD連結用配線, 81,81-1乃至81-3 スイッチ, 101,101-1乃至101-3 フローティング配線, 121,121-1乃至121-6,121-151乃至121-153,121-161乃至121-164 スイッチ, 151,151-1乃至151-7 フローティング配線

Claims (10)

  1. 少なくとも以上の画素からなる共有画素の単位で設定されるFD(フローティングディフュージョン)と、
    前記共有画素単位で設定される、所定行数毎の前記FDを接続するフローティング配線と、
    前記フローティング配線と、各行の前記FDとの接続、または、非接続を切り替えるスイッチとを含み、
    前記スイッチは、前記フローティング配線に接続可能な、前記所定行数毎の前記FDに対応する複数のスイッチであり、前記複数のスイッチのうち、要求される解像度に応じて、加算対象となる前記共有画素の前記スイッチが、前記フローティング配線に異なるタイミングとなるようにずれて接続される
    固体撮像素子。
  2. 前記スイッチは、前記フローティング配線に接続可能な、前記所定行数毎の前記FDに対応する複数のスイッチであり、前記複数のスイッチのうち、要求される解像度に応じて、加算対象となる前記共有画素の前記スイッチが、前記フローティング配線に異なるタイミングとなるように行単位で所定の時間ずつずれて接続される
    請求項に記載の固体撮像素子。
  3. 前記FDを介して前記共有画素の画素信号を、前記共有画素の列単位で転送する垂直信号線と、
    異なる前記垂直信号線に前記画素信号を転送する、複数の、異なる列の前記フローティング配線を接続する列跨ぎフローティング配線とをさらに含む
    請求項1または2に記載の固体撮像素子。
  4. 前記共有画素は、ベイヤ配列の画素配列を単位とした複数の画素から構成される
    請求項1乃至のいずれかに記載の固体撮像素子。
  5. 前記共有画素は、露光時間の異なる複数の画素から構成される
    請求項1乃至のいずれかに記載の固体撮像素子。
  6. 前記共有画素は、前記共有画素毎に、前記露光時間の異なる複数の画素を、それぞれについて同一画素数だけ含む
    請求項に記載の固体撮像素子。
  7. 前記共有画素は、前記共有画素毎に、前記露光時間の異なる複数の画素から構成される
    請求項に記載の固体撮像素子。
  8. 少なくとも以上の画素からなる共有画素の単位で設定されるFD(フローティングディフュージョン)と、
    前記共有画素単位で設定される、所定行数毎の前記FDを接続するフローティング配線と、
    前記フローティング配線と、各行の前記FDとの接続、または、非接続を切り替えるスイッチとを含む
    固体撮像素子の動作方法であって、
    前記スイッチは、前記フローティング配線に接続可能な、前記所定行数毎の前記FDに対応する複数のスイッチであり、前記複数のスイッチのうち、要求される解像度に応じて、加算対象となる前記共有画素の前記スイッチが、前記フローティング配線に異なるタイミングとなるようにずれて接続される
    固体撮像素子の動作方法。
  9. 少なくとも以上の画素からなる共有画素の単位で設定されるFD(フローティングディフュージョン)と、
    前記共有画素単位で設定される、所定行数毎の前記FDを接続するフローティング配線と、
    前記フローティング配線と、各行の前記FDとの接続、または、非接続を切り替えるスイッチとを含み、
    前記スイッチは、前記フローティング配線に接続可能な、前記所定行数毎の前記FDに対応する複数のスイッチであり、前記複数のスイッチのうち、要求される解像度に応じて、加算対象となる前記共有画素の前記スイッチが、前記フローティング配線に異なるタイミングとなるようにずれて接続される
    撮像装置。
  10. 少なくとも以上の画素からなる共有画素の単位で設定されるFD(フローティングディフュージョン)と、
    前記共有画素単位で設定される、所定行数毎の前記FDを接続するフローティング配線と、
    前記フローティング配線と、各行の前記FDとの接続、または、非接続を切り替えるスイッチとを含み、
    前記スイッチは、前記フローティング配線に接続可能な、前記所定行数毎の前記FDに対応する複数のスイッチであり、前記複数のスイッチのうち、要求される解像度に応じて、加算対象となる前記共有画素の前記スイッチが、前記フローティング配線に異なるタイミングとなるようにずれて接続される
    電子機器。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023502340A (ja) 2019-11-20 2023-01-24 ギガジョット テクノロジー,インコーポレイテッド スケーラブルなピクセルサイズの画像センサ
US11653122B2 (en) * 2020-03-13 2023-05-16 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state image capturing element with floating diffusion layers processing a signal undergoing pixel addition
US11683609B2 (en) 2021-07-22 2023-06-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Amplifier circuit for enabling power efficient and faster pixel settling in image sensors

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015039086A (ja) 2011-12-16 2015-02-26 パナソニック株式会社 固体撮像装置、撮像装置
WO2016013413A1 (ja) 2014-07-25 2016-01-28 ソニー株式会社 固体撮像素子、ad変換器、および電子機器
JP2016111425A (ja) 2014-12-03 2016-06-20 ルネサスエレクトロニクス株式会社 撮像装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7705900B2 (en) * 2005-06-01 2010-04-27 Eastman Kodak Company CMOS image sensor pixel with selectable binning and conversion gain
US8913166B2 (en) * 2009-01-21 2014-12-16 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state imaging apparatus
JP5267867B2 (ja) * 2009-03-06 2013-08-21 ルネサスエレクトロニクス株式会社 撮像装置
JP5627244B2 (ja) * 2010-02-08 2014-11-19 キヤノン株式会社 固体撮像素子及びその駆動方法及び撮像装置
JP5883857B2 (ja) * 2010-06-30 2016-03-15 ライフ テクノロジーズ コーポレーション 化学反応および化合物の検出および測定のためのトランジスタ回路
JP5885403B2 (ja) * 2011-06-08 2016-03-15 キヤノン株式会社 撮像装置
JP5686765B2 (ja) * 2011-07-21 2015-03-18 キヤノン株式会社 撮像装置およびその制御方法
JP5794686B2 (ja) * 2011-08-10 2015-10-14 キヤノン株式会社 撮像装置及びその駆動方法
JP5915031B2 (ja) * 2011-08-31 2016-05-11 ソニー株式会社 撮像装置および撮像方法、並びに電子機器
JP2013066140A (ja) * 2011-08-31 2013-04-11 Sony Corp 撮像装置、および信号処理方法、並びにプログラム
JP5895525B2 (ja) 2011-12-28 2016-03-30 株式会社ニコン 撮像素子
JP5958740B2 (ja) * 2012-03-06 2016-08-02 ソニー株式会社 固体撮像素子および駆動方法、並びに、電子機器
US9420208B2 (en) * 2012-07-13 2016-08-16 Canon Kabushiki Kaisha Driving method for image pickup apparatus and driving method for image pickup system
CN108600661B (zh) * 2013-06-11 2020-12-11 拉姆伯斯公司 集成电路图像传感器和在图像传感器内操作的方法
JP6239975B2 (ja) * 2013-12-27 2017-11-29 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びそれを用いた撮像システム
US9686485B2 (en) * 2014-05-30 2017-06-20 Apple Inc. Pixel binning in an image sensor
WO2016052219A1 (ja) * 2014-10-01 2016-04-07 ソニー株式会社 固体撮像装置、信号処理方法、及び、電子機器

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015039086A (ja) 2011-12-16 2015-02-26 パナソニック株式会社 固体撮像装置、撮像装置
WO2016013413A1 (ja) 2014-07-25 2016-01-28 ソニー株式会社 固体撮像素子、ad変換器、および電子機器
JP2016111425A (ja) 2014-12-03 2016-06-20 ルネサスエレクトロニクス株式会社 撮像装置

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