JP7005237B2 - 電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、電子機器の回転操作部材に関する。

特に、ユーザーが回転操作を行う撮像装置に用いられる回転操作部材（回転リング、回転ダイヤル、等）の構成に関するものである。分野は、撮像装置に加えて、音響機器、自動車、航空機、医療機器、等の回転操作部材（回転リング、回転ダイヤル、等）に適用できる。

デジタルカメラ等の撮像装置では、ダイヤル等の回転操作部材を回転操作することで、撮影条件の設定や機能の選択を行う事が可能である。回転操作部材の回転を検知する方法として、磁気センサを用いるものが提案されている。

例えば、特許文献１では、回転操作部材と一体で回転し、円周方向にＳ極とＮ極が交互に着磁されたリング状の回転磁石とＧＭＲセンサで回転方向・回転量を検出する構成が開示されている。

特開２０１３－０７３７２６号公報

しかしながら、上述の特許文献に開示された従来技術では、向きの異なる水平磁場を回転動作の１クリック内で検知する必要がある。

そのため、クリックピッチに対して、回転磁石の磁極ピッチを半分にする必要がある。

つまり、回転磁石の磁極数を、回転操作部材を１回転させた場合の総クリック数の倍の数に設定する必要がある。

磁極数の増加は磁石の大型化につながるため、上述された従来技術では、回転操作部材の小型化が妨げられる恐れがある。

また、磁極１つあたりの大きさが小さいと、発生する磁束密度も低下するため、磁極数の多い構成では十分な磁束密度が得られずに、磁場検知の信頼性が低下する可能性がある。

そこで、本発明の目的は、小型化が可能でかつ検知信頼性に優れた回転操作部材を提供する事である。

上記目的を達成するために、本発明の電子機器は、回転軸に対して第１の方向及び前記第１の方向と反対の第２の方向の両方向に回転可能に保持された回転操作部材と、前記回転操作部材に対して、所定の回転角度毎にクリック感を発生させるクリック機構と、前記所定の回転角度の２倍の周期を持つ第１の信号および第２の信号を、前記所定の回転角度以下の所定のずれ量を持って発生させる信号発生手段と、前記第１の信号及び前記第２の信号を用いて、前記所定の回転角度と同等の周期で立上りエッジ及び立下りエッジを持つ前記回転操作部材の回転量を示すパルス信号と前記回転操作部材の回転方向を示す回転方向信号を生成する信号発生手段と、を有する電子機器であって、
前記回転方向信号の出力が前記第１の方向の場合、前記パルス信号の立上りエッジで回転検知を行い、前記回転方向信号の出力が前記第２の方向の場合、前記パルス信号の立下がりエッジで回転検知を行う回転検知制御手段を有し、
前記信号発生手段は、前記所定の回転角度と等しいピッチで磁極が変化する磁場生成部材と、前記磁場生成部材の着磁面に垂直な第１の方向の磁場と、前記磁場生成部材の着磁面及び前記第１の方向の磁場と直交する方向の第２の方向の磁場を検知可能な磁場検知部と、を有し、
前記磁場検知部は単一の電気素子であることを特徴とする。

本発明によれば、小型で組立時のバラつきや外力などによる影響を受けずに安定して回転検知を行う事が可能な回転操作部材を得ることが出来る。

本発明の実施形態に係る電子機器の外観図 本発明の実施形態に係る電子機器のシステムブロック図 図１の電子機器が備える回転操作部材の構成図 図１の電子機器が備える回転操作部材の断面図 本発明の実施形態に係る磁石、ホールＩＣの配置図 本発明の実施形態に係る磁場とホールＩＣの信号を示す図 本発明の実施形態に係る磁場とホールＩＣの信号を示す図 本発明の実施形態に係る磁場とホールＩＣの信号を示す図 本発明の実施形態に係る磁石とクリック部材の配置を示す図 本発明の第２の実施形態に係る回転操作部材の構成図 本発明の第２の実施形態に係る回転操作部材の断面図 本発明の第２の実施形態に係る磁石とホールＩＣの配置図 本発明の第３の実施形態に係る磁石とホールＩＣの配置図 本発明の第４の実施形態に係る電子機器の外観図

（第１の実施例）
以下、図１及び図２を参照して、本発明の第１の実施例による、電子機器について説明する。なお、電子機器の例として、撮像装置に適用した場合を説明する。

（撮像装置の外観図）
図１（ａ）、（ｂ）に本発明の回転操作部材を搭載した撮像装置の外観図を示す。

図１（ａ）は撮像装置１００の前面斜視図であり、図１（ｂ）は撮像装置１００の背面斜視図である。シャッターボタン６１は撮影指示を行うための操作部である。モード切り替えスイッチ６０は各種モードを切り替えるための操作部である。

ダイヤル７１は回転操作部材であり、このダイヤル７１を回すことで、シャッター速度や絞りなど各種設定値の変更等が行える。

電源スイッチ７２は撮像装置１００の電源のＯＮ及びＯＦＦを切り替える操作部材である。液晶画面４０はＴＦＴや有機ＥＬを用いた表示装置であり、撮像装置の各種設定画面や撮影画像の表示を行う。

回転操作部材２００は時計周り、反時計周り方向に突き当たることなく回転可能なダイヤル状の操作部材であり、撮影モード選択や測距点選択、画像再生選択、メニュー操作等の様々な操作に使用される。

選択枠の移動や画像送りなどを行える。押しボタン２７０は押圧して操作を行うボタンであり、主に選択項目の決定などに用いられる。

通信端子１０は撮像装置１００が不図示の撮影レンズ（着脱可能）と通信を行う為の通信端子である。

接眼ファインダー１６は不図示のフォーカシングスクリーンを観察することで、不図示のレンズユニットを通して得た被写体の光学像の焦点や構図の確認を行うための覗き込み型のファインダーである。

図２は撮像装置１００のシステムブロック図である。

不揮発性メモリ１０１は、後述するＣＰＵ１５０が動作を行う際のプログラムを格納する。本実施例では、Ｆｌａｓｈ－ＲＯＭとして説明を行うが、これは一例であり、不揮発性メモリであれば、他のメモリを適用することも可能である。

ＲＡＭ１０２は、撮像装置１００で撮影される画像バッファや画像処理された画像データを一時的に記憶するための記憶手段の機能と、後述するＣＰＵ１５０が動作を行う際のワークメモリとして使用するＲＡＭである。

本実施例では、これらの機能をＲＡＭで行うようにしているが、アクセス速度が十分に問題ないレベルのメモリであれば、他のメモリを適用することも可能である。

電源部１０５は、撮像装置１００の電源部である。電源部１０５は電池やＡＣアダプタ等で構成され、直接乃至は不図示のＤＣ－ＤＣコンバータ等を介して、撮像装置１００の各ブロックに電源を供給する。

電源スイッチ７２は、撮像装置１００の電源スイッチである。本実施例では、図１に示すように、メカ的にオン／オフの位置を持つ構造で説明する。

しかしながら、これに限定する必要はなく、プッシュスイッチ、電気的スイッチ等で構成されてもよい。

電源スイッチ７２がオフの状態では、撮像装置１００に電源部１０５が挿入されている状態でも撮像装置としては機能せず、消費電力の少ない状態を保持する。

電源スイッチ７２がオンの状態で、電源部１０５が挿入されると、撮像装置１００は撮像装置として機能する。

ＣＰＵ１５０は、撮像装置１００を統括的に制御するＣＰＵである。撮像装置としての基本機能である撮像機能を実現する。

また、後述するホールＩＣ検出方式の回転操作部材２００の検出結果に応じて、撮像装置１００のモード切り替えや液晶画面４０の表示更新等を行う。

（撮像装置のブロック図）
タイマ１５１は、任意の時間を測定可能なタイマ機能である。図２では、ＣＰＵ１５０に内蔵される構成で説明を行うが、外付けされる構成であっても構わない。

ＣＰＵ１５０の指示に応じて、時間測定を開始し、ＣＰＵ１５０の指示に応じて、時間測定を終了する機能を持つ。

また、タイマを絶えず動作させ、所定時間間隔で定期的にＣＰＵ１５０に割り込みを発生させる機能も併せ持つ。

カウンタ１５２は、後述する回転操作部材２００の操作回数をカウントするためのカウンタ機能である。

図２では、ＣＰＵ１５０に内蔵される構成で説明を行うが、外付けされる構成であっても構わない。

また、図２では、回転操作部材２００の操作回数をカウントする構成で説明を行うが、任意の操作部の操作回数をカウントすることが可能である。

ホールＩＣ２４１は、特定の方向の磁場を検出可能な横磁場検知部１２２と、それと垂直な方向の磁場を検出可能な縦磁場検知部１２１を備えた磁気センサＩＣである。

図２では、ＣＰＵ１５０に外付けされる構成で説明を行うが、ＣＰＵ１５０に内蔵される構成であっても構わない。

ホールＩＣ２４１の、横磁場検知部１２２と縦磁場検知部１２１は、任意の上側閾値と下側閾値を設定されており、検出される磁束密度が、上記閾値を超えた場合、または下回った場合に所定の信号を出力する。

また、ＣＰＵ１５０の指示に応じて、任意のタイミングで横磁場検知部１２２乃至縦磁場検知部１２１の検出磁束密度を読み出すことが可能である。

磁石２５１は、リング状の永久磁石であり、円周方向にＳ極とＮ極とが交互に一定のピッチで着磁されている。

詳細は図３以降で説明するが、磁石２５１は回転操作部材２００と一体となって回転し、ホールＩＣ２４１で磁束密度の変化を検知し、回転操作部材２００の回転方向と回転量を算出する。

（回転操作部材２００の説明）
以下、図３および図４を用いて、回転操作部材２００の構成について説明する。

図３は、回転操作部材２００の構造の一例を示した分解斜視図である。

図４は回転操作部材２００の断面図であり、図４（ａ）は、後述するボール部材２１１の中心を通る断面、図４（ｂ）はホールＩＣ２４１の中心を通る断面を表している。

回転操作部材２００をユーザーが時計回り方向、反時計回り方向の両方向に回転操作を行うための操作部材である。２１０はベース部材であり、回転操作部材２００を回動可能に保持している。

ベース部材２１０は撮像装置１００の背面カバー１１０（図３、図４では不図示）に３か所の固定部２１０ａ、ｂ、ｃで固定される。

２３０は磁石保持部材であり、回転操作部材２００の操作部の裏面にビス２３１によって固定される。

２５１は、磁石であり、Ｎ極とＳ極が交互に等ピッチに分極されている。

磁場生成部材としての磁石２５１は、Ｎ極とＳ極それぞれに着磁面２５１ａが設けられており、着磁面２５１ａに垂直方向に磁場が発生する。

磁石２５１は、所定のピッチで磁極が変化する磁場生成部材として機能する。

磁場生成部材は、回転操作部材２００の回転軸に垂直な平面内かつ磁場生成部材と回転軸の間に磁場を発生させる。

磁場生成部材としての磁石２５１は、回転操作部材２００に対して所定の角度となるように固定され、回転操作部材２００の回転動作と共に、磁石保持部材２３０および磁石２５１が一体的に回転する。

２１１はボール部材であり、回転操作部材２００の回転軸と直交する方向に、進退可能にベース部材２１０のボール保持部２１０ｄに保持されている。

２１２はばね部材であり、上記ボール部材２１１を磁石保持部材２３０の凹凸形状２３０ｆに当接する方向に付勢している。

凹凸形状２３０ｆは、凹部２３０ｇと凸部２３０ｈが交互に等ピッチに形成されている。

ユーザーが回転操作部材２００を回転させると、ボール部材２１１はボール保持部２１０ｄ内で凹凸形状２３０ｆに沿って進退し、クリック感が発生する。

ボール部材２１１、凹凸形状２３０ｆは、回転操作部材２００に対して、所定の回転角度毎にクリック感を発生させるクリック機構である。

２４１はホールＩＣであり、２方向の磁場（後述する縦磁場と横磁場）の強さを検知することが可能である。

２４０は基板であり、ホールＩＣ２４１が実装される。基板２４０には、基板位置決め穴２４０ａ、２４０ｂがあり、ホールＩＣ２４１が磁石２５１の着磁面２５１ａと対向する位置となるように、基板固定板２５０のボス２５０ｄ、２５０ｅと嵌合して位置決めされる。

このような構成によって、磁石２５１の着磁面２５１ａから発生した磁場を、ホールＩＣ２４１によって検知することが可能となる。この検知方法については後述する。

基板固定板２５０は３か所の取付部２５０ａ、ｂ、ｃが設けられており、ベース部材２１０の固定部２１０ａ、ｂ、ｃと共に、ビス２６０ａ、ｂ、ｃによって背面カバー１１０（図３、４では不図示）に締結され固定される。

回転操作部材２００が操作されると、磁石２５１が一体的に回転し、ホールＩＣ２４１部に生じる磁場が変化する。

この磁場変化をホールＩＣ２４１で検出することで、回転操作部材２００の回転動作を検知することが可能となる。

２７０は押しボタンである。回転操作部材２００の操作と合わせて使用され、回転操作部材２００で操作メニューの選択、押しボタン２７０で決定といった使い方をされる。

押しボタン２７０は、回転操作部材２００の回転軸方向に摺動可能に保持されている。

押しボタン２７０が押された際には、押しボタン２７０によってスイッチラバー２８０が付勢されて、スイッチラバー２８０の導電部２８１が基板内に設けられた電極パッドと接触することで押しボタンスイッチの検知が可能となる。

（ホールＩＣ２４１による磁場の検知の説明）
続いて図５を用いて、磁石２５１が発生させる磁場と、ホールＩＣ２４１による磁場の検知について説明する。

図５（ａ）は磁石２５１とホールＩＣ２４１をダイヤル回転軸方向から見た図であり、図５（ｂ）は磁石２５１とホールＩＣ２４１を回転軸に垂直な方向（図中矢印Ｃ方向）から見た図である。

磁石２５１は、Ｎ極１０極、Ｓ極１０極の計２０極に等ピッチに分極されている。

磁場生成部材としての磁石２５１は、円形状の磁石を等しいピッチで分極した構成である。

また、磁場生成部材としての磁石２５１は、複数の磁石を等しいピッチで円周上に配列させた構成であっても良い。

磁石２５１の着磁面２５１ａ側にはホールＩＣ２４１が配置され、磁石２５１の幅の中心とホールＩＣ２４１の検出部２４１ａが一致するようになっている。

ホールＩＣ２４１は磁石２５１の中心軸方向（ダイヤル回転軸方向（矢印Ａ方向））と、磁石２５１の円の接線方向（矢印Ｂ方向）の磁場の磁束密度を検出し、それぞれの磁場の状態を表す所定の信号を出力する。

ホールＩＣ２４１の出力信号の詳細については後述する。

図５（ｃ）、（ｄ）は磁石２５１をダイヤル回転軸に直交する方向（矢印Ｃ方向）から見て、ホールＩＣ２４１付近を拡大した図である。

図５（ｃ）はホールＩＣ２４１の検出部２４１ａとＳ極の中心が図面左右方向で一致している状態を表す。

図５（ｄ）は、図５（ｃ）の状態から磁石２５１がダイヤル回転軸を中心に回転し、ホールＩＣ２４１の検出部２４１ａとＳ極Ｎ極の境界が一致している状態を表す。

磁石２５１は極異方性の配向を持つように着磁されている。

すなわち、磁石２５１の内部における磁場は着磁面２５１ａに垂直な直線となるのではない。

磁石内磁場２５４で示すように着磁面２５１ａのＳ極から垂直に立上ったあと弧を描いてＮ極に向かい着磁面２５１ａのＮ極において再び垂直方向となる。

磁石２５１の外部においては、磁束２５３で示すように、Ｎ極から垂直に立上った磁束が弧を描いてＳ極に向かう。

同様に、図５（ｅ）はホールＩＣ２４１の検出部２４１ａとＮ極中心が図面左右方向で一致している状態、図５（ｆ）は、検出部２４１ａが図５（ｄ）から１磁極分回転し、Ｓ極、Ｎ極が入替った状態を示している。

ここで、図５（ａ）中の矢印Ａ方向の磁場を縦磁場２５３ａ、図５（ａ）中の矢印Ｂ方向の磁場を横磁場２５３ｂと定義する。

その場合、図５（ｃ）の状態ではホールＩＣ２４１の検出部２４１ａには縦磁場２５３ａが検出され、横磁場２５３ｂは検出されない。

反対に図５（ｄ）の状態では縦磁場２５３ａは検出されずに横磁場２５３ｂのみが検出されることとなる。

また、図５（ｃ）から図５（ｄ）に至る途中の状態では縦磁場２５３ａと横磁場２５３ｂが回転状態に応じた強さで検出されることとなる。

つまり、図５（ｃ）は縦磁場２５３ａが最大で縦磁場２５３ａがゼロの状態、図５（ｄ）は縦磁場２５３ａがゼロで縦磁場２５３ａが最大の状態を表す。

磁石２５１をダイヤル回転軸回りに回転させると、ホールＩＣ２４１の検出部２４１ａで検出される縦磁場２５３ａと横磁場２５３ｂはゼロから上記最大値の間で回転状態に応じた値をとる。

（ダイヤル回転時における磁場の変化とホールＩＣ２４１の出力信号の説明）
以下、図６を用いてダイヤル回転時における磁場の変化とホールＩＣ２４１の出力信号の詳細について説明する。

図６（ａ）は縦横磁場の強さとそれを検知したホールＩＣ２４１の出力の関係を表すグラフである。横軸は回転操作部材２００の回転角度を、縦軸は磁場強度や信号出力値を表す。

前述したように、本実施例の回転操作部材２００は凹凸形状２３０ｆとボール部材２１１およびにばね部材２１２よるクリック機構を有しており、回転操作部材２００の回転操作は１クリックを基本単位として行われることとなる。

横軸に示すＩからＩＶはクリック位置を表し、それぞれの間は１クリック分の角度である。また、ＩからＩＶで示されているクリック位置はボール部材２１１が凹部２３０ｇと接触している状態である。

まず、グラフ上部に示されているのが縦磁束密度３０１と横磁束密度３０２である。縦磁束密度３０１は、ホールＩＣ２４１で検知された磁場の縦磁場２５３ａ（図５（ｃ）参照）の磁束密度を表している。

また、横磁束密度３０２はホールＩＣ２４１で検知された磁場の横磁場２５３ｂの磁束密度を表している。

ここでは、回転操作部材２００を一定の速度で時計回り方向に回転させている場合を想定しており、図から明らかなように、それぞれの磁束密度はゼロを中心として最大値と最小値の間で周期的に変化する。

回転角度Ｉの状態で、３０１ａで示されている様に、縦磁束密度３０１は最大値をとる。また、同じ状態で３０２ａで示されているように横磁束密度３０２はゼロとなる。

これは図５（ｃ）に示すようにホールＩＣ２４１で検出される磁場が矢印Ａ方向成分のみで、矢印Ｂ方向成分は持っていない事を意味する。

この状態から回転操作部材２００が回転し、３０１ｂで示す状態になると縦磁束密度３０１はゼロになり、同じ状態で３０２ｂで示されているように横磁束密度３０２は最小値を取る。

これは図５（ｄ）に示すように、ホールＩＣ２４１で検出される磁場が矢印Ａ方向成分は持っておらず、矢印Ｂ方向成分のみ、かつ矢印Ｂとは反対向きである事を意味する。

さらに回転操作部材２００が回転し、３０１ｃ、３０２ｃで示す状態になると図５（ｅ）で示すように、ホールＩＣ２４１で検出される磁場は矢印Ａと反対向きの成分のみで、矢印Ｂ方向の成分が無い状態となる。

この状態まで来ると、回転角度Ｉから回転角度ＩＩまで１クリック分回転操作部材２００が回転した事となる。また３０１ｄ、３０２ｄで示される点まで進むと、図５（ｆ）の様に矢印Ａ方向の成分がなく、矢印Ｂ方向の成分のみホールＩＣ２４１で検知されている状態となる。

また、図５（ｃ）から（ｆ）の４つの状態の間では、縦磁束密度３０１と横磁束密度３０２は回転操作部材２００の回転角度に応じた値を取る。

上述したように、回転操作部材２００が１クリック分動くと、磁石２５１は１磁極分回転し、縦磁束密度３０１と横磁束密度３０２が１／２周期分変化する。

縦磁束密度３０１と横磁束密度３０２はそれぞれ１／２周期しか変化しないが、着磁ピッチ分ずれた周期的な信号となる。

ＣＰＵ１５０は、所定の回転角度の２倍の周期を持つ第１の信号および第２の信号を、所定の回転角度以下の所定のずれ量を持って発生させる信号発生手段として機能する。

この２つの信号の極大値の現れる順番や回数を検知することで、回転操作部材２００の回転量と回転方向を求める事が可能となる。

ＣＰＵ１５０は、第１の方向の磁場の変化量及び第２の方向の磁場の変化量に応じて、回転操作部材２００の回転量及び回転操作部材２００の回転方向を算出する算出手段として機能する。

次に、ホールＩＣ２４１が出力する信号について説明する。縦磁束密度３０１、横磁束密度３０２のグラフと重なる様に示されているのが、ホールＩＣ２４１の上側閾値３０７ａと下側閾値３０７ｂである。

ホールＩＣ２４１は検出部２４１ａを通過する磁束を定期的にサンプリングしている。

そして、検出された縦横の磁束密度が上側閾値３０７ａを上回った場合、または下側閾値３０７ｂを下回った場合に、ホールＩＣ２４１内部で縦磁場信号３０３と横磁場信号３０４を変化させる。

以下に詳細を説明する。縦磁場信号３０３と横磁場信号３０４は縦磁束密度３０１と横磁束密度３０２に対応した信号である。

それぞれの磁束密度が上側閾値３０７ａを上回った場合は信号がＨ（Ｈｉ）からＬ（Ｌｏ）に、下側閾値３０７ｂを下回った場合は信号がＬからＨに変化する。

上記いずれにも該当しない場合は、現在の値が保持される。

図６（ａ）の回転角度Ｉの状態では縦磁束密度３０１は上側閾値３０７ａを上回っている。

そのため、縦磁場信号３０３はＬとなっており、横磁束密度３０２は上側閾値３０７ａを上回った後、下側閾値３０７ｂを下回る状態まで進んでいない。

そのため、こちらもＬとなっている。

この状態から回転操作部材２００が回転し、ホールＩＣ２４１は定期的に磁束密度のサンプリングを行い、縦磁場信号３０３と横磁場信号３０４を更新し続ける。３０２ｅで示す点まで来る。

その場合、横磁束密度３０２が下側閾値３０７ｂを下回り、その直後の回転角度ＩａのサンプリングでホールＩＣ２４１が磁束密度を検知する。

そして、横磁束密度３０２が下側閾値３０７ｂを下回ったこと検知し、横磁場信号３０４をＬからＨに変化させる。

この時点では、縦磁束密度３０１は下側閾値３０７ｂを下回っていないので、縦磁場信号３０３はＬのままである。

さらに、回転操作部材２００が回転し３０１ｅで示す点を超えると縦磁束密度３０１が下側閾値３０７ｂを下回る。

この直後の回転角度Ｉｂの状態でホールＩＣ２４１が磁束密度を検知し、縦磁束密度３０１が下側閾値３０７ｂを下回ったこと検知し、縦磁場信号３０３をＬからＨに変化させる。

この時点では横磁束密度３０２は上側閾値３０７ａを上回っていないので、横磁場信号３０４はＨのままである。

回転操作部材２００が回転し３０２ｆで示す点まで来ると、横磁束密度３０２が上側閾値３０７ａを超える。

直後の回転角度ＩＩａのサンプリング時に横磁場信号３０４はＨからＬに変化し、縦磁場信号３０３はＨのままである。

更に進んで３０１ｆの点までくると縦磁束密度３０１が上側閾値３０７ａを超え、直後の回転角度ＩＩｂのサンプリング時に縦磁場信号３０３がＨからＬとなり、横磁場信号３０４は引き続きＬのままである。

この様に、回転操作部材２００と一体的に磁石２５１が等速回転する事により、ホールＩＣ２４１からは、縦磁場信号３０３と横磁場信号３０４という縦磁束密度３０１と横磁束密度３０２と同一周期の矩形信号が出力される。

このような構成とすることで、アナログ波形であった縦磁束密度３０１、横磁束密度３０２が矩形波となるため、ＣＰＵ１５０で容易に処理を行う事が可能となる。

ここで、縦磁場信号３０３と横磁場信号３０４の排他的論理和（ＸＯＲ）を取る事を考えると、パルス信号３０５で示すような信号となる。

図から明らかなようにパルス信号３０５は縦磁場信号３０３や横磁場信号３０４の半分の周期で変化する矩形波となり、その周期は回転操作部材２００の１クリック分に相当する。

つまり、パルス信号３０５をモニタリングすると回転操作部材２００の１クリック分の回転を検出する事が可能となる。

上述したように、本実施例の回転操作部材では、回転操作部材２００にクリック感を生じさせるための凹凸形状２３０ｆのピッチと、磁石２５１の磁極のピッチが一致している。

よって、回転操作部材２００が１クリック分回転した状態では、縦磁場信号３０３および横磁場信号３０４は半周期分しか変化せず、どちらか一方の信号だけでは１クリック分の回転を検出することはできない。

磁石２５１の磁極ピッチを凹凸形状２３０ｆのピッチの半分にすれば、１クリックで縦磁場信号３０３および横磁場信号３０４を１周期分変化させることが可能である。

しかしながら、着磁工程の制約から磁極の幅には下限値があり、磁極数の増加は磁石の大型化につながる恐れがある。

そこで、本実施例のように縦磁場信号３０３と横磁場信号３０４の排他的論理和を取る事で、１クリック分と同じ磁極ピッチでも１周期分の信号を発生させることが可能となり、磁石の大型化を防ぐ事が可能となる。

また、本実施例のホールＩＣ２４１は１つの素子で縦横磁場両方が検知可能なため、縦横磁場の信号のずれを抑える事が可能である。

詳細は、実施例３で説明するが、縦磁場検知用、横磁場検知用のホールＩＣを１個ずつ使って磁石２５１の磁場を検知する事も可能である。

但し、その場合はホールＩＣ同士の相互位置関係のずれが検知性能に影響を与えるため、２個のホールＩＣを精度良く配置する事が必要となってくる。

本実施例の構成では２方向の磁場を検知可能なホールＩＣを用いるため、磁石とホールＩＣの相対位置が変化しても検知性能に与える影響は少なくて済む。

このため、組立時のずれや外力、環境温度などによる構成部品の変位による影響を受けにくい回転操作部材を提供することが出来る。

（回転方向信号３０６の生成の説明）
図６（ａ）最下部の回転方向信号３０６は回転操作部材２００の回転方向を表す信号であり、Ｌは回転操作部材２００が時計回りに回転し、Ｈは反時計回りに回転している事を表す。

以下、回転方向信号３０６の生成の詳細を説明する。

縦磁場信号３０３と横磁場信号３０４の取り得る値を表にしたものが図６（ｂ）である。それぞれの信号（Ｈ，Ｌ）の組合せによって状態１から状態４の４通りが考えられる。

例えば、回転角度Ｉから回転角度Ｉａの間は状態１である。

回転角度ＩａからＩｂの間は横磁場信号３０４が変化するため状態２となる。

同様にＩｂからＩＩａの間は状態３、ＩＩａからＩＩｂの間は状態４となり、ＩＩｂからＩＩＩａの間で再び状態１に戻る。

つまり、回転操作部材２００を時計回りに回転させると、縦磁場信号３０３と横磁場信号３０４の組み合わせは状態１→状態２→状態３→状態４→状態１という順序で変化する事となる。

また、詳細は後述するが、回転操作部材２００を反時計回りに回転させた場合は状態１→状態４→状態３→状態２→状態１という順序で変化する。

よって、縦磁場信号３０３と横磁場信号３０４の変化をモニタリングすると、回転操作部材２００の回転方向を検知する事が可能である。

ホールＩＣ２４１はこの処理を内部的に行い、検知された回転方向をＨ（反時計回り）とＬ（時計回り）として出力する。

（回転操作部材２００を反時計回りに回転している場合の信号処理の説明）
次に、図７を用いて、回転操作部材２００を反時計回りに回転している場合の信号処理について説明する。

図６（ａ）と同一の信号は同じ符号で示し、以下図６（ａ）と異なる部分のみ説明する。

図７は回転操作部材２００が反時計回りに回転している状態で、ある任意のクリック位置ＩＶからＩまで回転した状態を表す。

縦磁束密度３０１と横磁束密度３０２から縦磁場信号３０３、横磁場信号３０４およびパルス信号３０５が生成される処理は時計回りの回転時と同等である。

次に図６（ｂ）と同様に縦磁場信号３０３と横磁場信号３０４の組合せ状態を考える。角度ＩＶからＩＶａの間は（縦磁場信号３０３、横磁場信号３０４）は（Ｌ，Ｈ）となるため状態２である。

ＩＶａからＩＶｂの間は（Ｌ，Ｌ）となるため状態１となる。

以下、ＩＶｂからＩＩＩａの間は状態４、ＩＩＩａからＩＩＩｂの間は状態３、ＩＩＩｂからＩＩａの間は状態２となる。つまり、回転操作部材２００の回転に従って状態２→状態１→状態４→状態３→状態２という順序で変化する。

これにより上述したように、回転操作部材２００が反時計周りに回転しているという事が分かるため、ホールＩＣ２４１は回転方向信号３０６としてＨ（反時計回り）を出力する。

（回転検知制御を行う信号処理方法の説明）
次に、図８（ａ）、（ｂ）を用いて、パルス信号３０５と回転方向信号３０６から回転操作部材２００の回転検知制御を行う信号処理方法について説明する。

図８（ａ）は回転操作部材２００を回転角度Ｉから時計回りに２クリック分回転角度ＩＩＩまで回転させた後に、反時計回りに２クリック分回転させ、角度Ｉに戻した時の縦横磁束密度および各種信号を表している。

図８（ｂ）はパルス信号３０５、回転方向信号３０６に応じて、ＣＰＵ１５０が行う回転検知処理を示すフローチャートである。

本実施例における信号処理では、回転方向信号３０６の出力に応じて、パルス信号３０５の立上り、立下りエッジのどちらを利用するかを切り換える。

具体的には、回転方向信号３０６がＬ（時計回り）の時は、図に示す立上りエッジ（３０５ａ１、３０５ａ２、３０５ａ３）のタイミングで回転操作部材２００の回転処理を行う。

そして、回転方向信号３０６がＨ（反時計回り）の時には、立下りエッジ（３０５ｂ１、３０５ｂ２、３０５ｂ３、３０５ｂ４）のタイミングで回転処理を行う。

以下、図８（ａ）の回転角度に沿って説明する。

回転角度Ｉから回転角度ＩＩに時計回りに１クリック動く場合、回転方向信号３０６は時計回りを表すＬとなっている。

このため、パルス信号３０５の立下りエッジ３０５ｂ１のタイミングでは何も起こらない。この状態から回転操作部材２００が回転すると回転角度Ｉｃにおいて、凹凸形状２３０ｆの凸部２３０ｈを超える。

引き続き回転操作部材２００が回転して、パルス信号３０５の立上りエッジ３０５ａ１がくると、ＣＰＵ１５０は回転操作部材２００が１クリック分回転したと判断して、撮像装置１００の設定変更などの所定の動作を行う。

そして、ボール部材２１１が再び凹部２３０ｇに接触する回転角度ＩＩの状態まで回転すると１クリック分の動作が終了となる。回転角度ＩＩから回転角度ＩＩＩまでの１クリック分の動作も同様の処理が行われる。

次に、回転角度ＩＩＩで回転操作部材２００を反時計回りに反転させた場合を説明する。前述した様に、ユーザーがダイヤル操作を行う際は１クリック毎の操作が基本となる。

そのため、回転角度ＩＩＩで示すようなクリック位置からの反転操作が多用されることが想定される。

このときの縦磁束密度３０１と横磁束密度３０２は回転角度ＩＩＩに対して対称的な波形となる。

回転角度ＩＩＩからＩＩに向かう１クリックの中で、凹凸形状２３０ｆの凸部２３０ｈを乗り越える回転角度ＩＩＩｃまでの間はパルス信号３０５には立上りエッジも立下りエッジも現れない。

これは横磁束密度３０２が下側閾値３０７ｂを下回らないため、横磁場信号３０４が変化しないためである。

回転角度ＩＩＩｃを超えた後は、縦磁束密度３０１が下側閾値３０７ｂを下回った後の回転角度ＩＩＩｂのサンプリング時に縦磁場信号３０３がＬからＨに変化し、パルス信号３０５に立下りエッジ３０５ｂ３が現れる。

同じタイミングで縦磁場信号３０３と横磁場信号３０４の組合せ状態が変化するため、回転方向信号３０６もＬからＨに変化する。

回転方向信号３０６がＨの場合はパルス信号３０５の立下りエッジで回転処理が行われるため、上述した立下りエッジ３０５ｂ３をＣＰＵ１５０が認識し、回転処理を行う。

その後、ボール部材２１１が凹部２３０ｇに当接する回転角度ＩＩに至って、反時計回りに反転した１クリック目が終了する。

回転角度ＩＩから回転角度Ｉまでの反時計回りの１クリックも同様の処理が行われる。

回転角度ＩＩＩからＩＩに至るプロセスで、時計回り時と同様にパルス信号３０５の立上りエッジのみを利用する制御を行った場合、回転角度ＩＩＩからＩＩの間には立上がりエッジが存在しない。

そのため、ＣＰＵ１５０は回転動作を認識する事ができない。つまり反転操作時の１クリック目の回転は検知されず、ユーザーの意図する回転動作が実行されない。

また、立上りエッジ３０５ａ３が示すように、半時計回り時の立上りエッジは回転角度ＩＩと回転角度ＩＩｃの間に現れる。

回転操作部材２００をユーザーが操作する場合を考える。

ばね部材２１２の付勢力に対抗して回転操作部材２００を回転させる状態（例：回転角度ＩＩからＩＩｃ）と、ボール部材２１１が凸部２３０ｈを乗り越えてバネの付勢力でダイヤルが回転方向に付勢される状態（例：回転角度ＩＩｃからＩＩＩ）が繰り返される。

このため、１クリック分の回転動作を発生させる信号のエッジは、ユーザーが意志を持って回転操作部材２００を回転させ、ボール部材２１１が凸部２３０ｈを乗り越えた後の状態、つまり、回転角度ＩＩｃからＩＩＩの間に出現する事が望ましい。

上記の様に回転角度ＩＩからＩＩｃの間で回転処理が行われると、回転操作部材２００のガタツキ等により、ユーザーが予期しないタイミングで回転動作が行われてしまう可能性があるからである。

常に立上り、立下りエッジのどちらか一方のみを検出する構成では、時計回り、反時計回のどちらかで、ボール部材２１１が凸部２３０ｈを乗り越える前にパルス信号３０５のエッジが出現してしまう。

よって、ボール部材２１１が凸部２３０ｈを乗り越えた後に回転検知を行う制御が実現できない。

このように、回転方向信号３０６の値に応じて、パルス信号３０５の利用するエッジを切り換える制御を行う事で、反転動作時の１クリック目の動作不良を防止することが出来る。

また、回転方向によらずにボール部材２１１が凸部２３０ｈを乗り越えた後に回転検知を行う事が可能となるので、誤作動が少なくユーザーの意志に忠実に反応する回転操作部材を提供する事が可能となる。

また、ボール部材２１１が凸部２３０ｈを乗り越えている途中に反転操作を行った場合でも、上記の制御を行う事で、動作不良を防止して、ユーザーの意志を反映した回転動作を行う事が可能である。

（ＣＰＵ１５０の回転動作の制御のフローチャートの説明）
図８（ｂ）は上述した制御をフローチャートで表したものである。以下フローチャートに沿ってＣＰＵ１５０の実際の動きを説明する。

パルス信号３０５の立上りエッジ、および立下りエッジが発生するとＣＰＵ１５０に割り込みが発生する。これがＳ１００である。

次にＳ１０１に進みパルス信号３０５がＨであるかどうか判定を行う。パルス信号３０５がＨである場合はＳ１０２に進み、回転方向信号３０６がＬであるか判定を行う。

回転方向信号３０６がＬである場合はＳ１０３に進み回転操作部材２００が時計回り方向に１クリック回転させた処理を行う。

そして、Ｓ１０４に進み割り込み処理が終了となる。Ｓ１０２において回転方向信号３０６がＬでなかった場合（回転方向信号３０６がＨの場合）は何も処理を行わずにＳ１０４に進む。

また、Ｓ１０１においてパルス信号３０５がＨでなかった場合（パルス信号３０５がＬ）はＳ１１１に進み、回転方向信号３０６がＨかどうか判定を行う。

回転方向信号３０６がＨの場合はＳ１１２に進み反時計回りに１クリック回転させた処理を行い、Ｓ１０４で割り込み処理を終了させる。

Ｓ１１１で回転方向信号３０６がＨでなかった場合（回転方向信号３０６がＬ）は何も処理を行わずにＳ１０４に進み割り込み処理を終了させる。

このフローチャートを図８（ａ）の信号波形に照らし合わせてみると以下の様になる。

立下りエッジ３０５ｂ１で発生した割り込みは、Ｓ１０１でＮＯ，Ｓ１１１もＮＯとなり、（４）のルートを通ることで何も処理は実行されない。

立上りエッジ３０５ａ１で発生した割り込みは、Ｓ１０１でＹＥＳ，Ｓ１０２もＹＥＳとなり、（１）のルートを通ることで時計回り方向に１クリック分の回転処理が実行される。

同様に、立下りエッジ３０５ｂ３の割り込みでは、Ｓ１０１でＮＯ、Ｓ１１１でＹＥＳとなり、（３）のルートを通る事で反時計回り方向に１クリック分の処理が実行される。

また、立上りエッジ３０５ａ３の割り込みでは、Ｓ１０１でＹＥＳ，Ｓ１０２でＮＯとなり、（２）のルートを通るため何も処理は行われない。

以上、説明したように、図８（ｂ）のフローチャートに沿った処理を行う事で、回転操作部材２００の回転方向によらずに、動作不良を発生させず、ユーザーの意志を反映した回転検知制御を行う事が可能となる。

（磁石２５１と磁石保持部材２３０の配置の関係）
以下、図９を用いて、磁石２５１と磁石保持部材２３０の配置の関係を説明する。

図９は、ホールＩＣ２４１と磁石２５１の配置を示す上面概略図である。

図９（ａ）は、ホールＩＣ２４１が磁石２５１のＳ極に対向し、ボール部材２１１が凹凸形状２３０ｆの凹部２３０ｇに落ち込んだ状態を示している。

図９（ｂ）は、ホールＩＣ２４１が磁石２５１のＮ極に対向し、ボール部材２１１が凹凸形状２３０ｆの凹部２３０ｇに落ち込んだ状態を示している。

図９（ｃ）は、ホールＩＣ２４１が磁石２５１のＳ極とＮ極の境目に対向し、ボール部材２１１が凸部２３０ｈの頂点に位置する状態を示している。

図９に示す角度Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶは、それぞれ図６から図８の回転角度に対応している。

回転操作部材２００を時計回りに１クリック分回転させると、図９（ａ）から図９（ｂ）の状態に変化する。

回転操作部材２００を反時計回りに１クリック分回転させると、図９（ｂ）から図９（ａ）へ状態が変化する。

なお、図９（ａ）の状態は図５（ｃ）で示した状態と対応しており、図９（ｂ）は図５（ｅ）の状態と対応している。

また、図９（ｃ）の状態は図５（ｄ）の状態に対応している。回転操作部材２００を操作していない時は、図９（ａ）、（ｂ）の状態であり、図９（ｃ）の状態は回転操作部材２００を回転させている途中の状態である。

このように、磁石２５１の分極数と回転操作部材２００のクリック数を等しくした場合でも、上述したような制御を行う事で、ダイヤルの回転方向と回転量を検知することが可能となる。

よって、磁極数の増加を抑えて磁石が小型化できることにより、回転操作部材全体の小型化が可能となる。

また、磁石の小型化が必要ではない場合でも、回転検知ピッチを細分化できるので、高精度な回転検知が可能となる。

また、本実施例では磁石２５１を等ピッチで２０分極された円環状の形状としたが、両端がＳ極、Ｎ極着磁された２極だけの磁石１０個を、円型かつ磁極が交互に入替るように配置しても同様の効果が得られる。

また、本実施例では磁石２５１と回転操作部材２００が一体的に回転する構成としたが、回転操作部材２００と磁石２５１の回転軸を別の場所に配置し、回転操作部材２００の回転と連動して磁石２５１が回転するような構成も可能である。

ここでは、撮像装置１００の背面カバー１１０に設けられた回転操作部材２００について説明を行ったが、本発明はこれに限定されるものではなく、図１に示したダイヤル７１のような回転操作部材にも適用可能である。

（第２の実施例）
以下、図１０および図１１を用いて、本実施例の第２の形態について説明する。

実施例１と同等の内容には同等の符号を振り詳細な説明は省略する。

本実施例では第１の実施形態に対して、磁石２５１とホールＩＣ２４１の配置のみが異なるため、その部分に特化して説明を行う。

図１０は、ホールＩＣ２４１を磁石２５１の内側に配置したときの、回転操作部材２００の構造の一例を示した分解斜視図である。図１１は回転操作部材２００の断面図であり、ホールＩＣ２４１の中心を通る断面を表している。

２４０ｃは基板立ち曲げ部であり、基板２４０の一部を折り曲げられる構成となっており、ホールＩＣ２４１は基板立ち曲げ部２４０ｃに実装される。

２９０は基板保持部材であり、スイッチラバー２８０および基板２４０を覆うようにして基板固定板２５０にビス２９１によって固定される。

基板保持部材２９０は基板保持部２９０ａが設けられており、基板立ち曲げ部２４０ｃが取り付けられる。

磁石２５１は、回転操作部材２００と磁石保持部材２３０とによって固定され、着磁面２５１ａは磁石２５１の内側面に設けられる。

ホールＩＣ２４１は磁石２５１の内側の着磁面２５１ａに対向する位置に配置される。

（ホールＩＣ２４１による磁場の検知の説明）
続いて、図１２を用いて、ホールＩＣ２４１を磁石２５１の内側に配置した場合の、磁石２５１が発生させる磁場と、ホールＩＣ２４１による磁場の検知について説明する。

実施例１と同等の内容には同等の符号を振り詳細な説明は省略する。

第１の磁場検知部及び第２の磁場検知部は、ホールＩＣ２４１としての単一の電気素子内に設けられている。

図１２（ａ）は、磁石２５１とホールＩＣ２４１をダイヤル回転軸方向から見た図である。磁石２５１の厚みの中心とホールＩＣ２４１の検出部２４１ａと、回転軸方向に一致した状態で配置される。

ホールＩＣ２４１は磁石２５１の回転軸垂直方向（ダイヤル回転軸に垂直な方向（矢印Ａ方向））と、磁石２５１の円の接線方向（矢印Ｂ方向）の磁場の磁束密度を検出し、それぞれの磁場の状態を表す所定の信号を出力する。

図１２（ｂ）は、磁石２５１とホールＩＣ２４１を回転軸に垂直な方向（図中矢印Ａと対向する向き）から見た図である。

磁石２５１は、内側面に着磁面２５１ａが設けられ、ホールＩＣ２４１は着磁面２５１ａに対向する位置に、磁石２５１の幅の中心とホールＩＣ２４１の検出部２４１ａが一致するように配置される。

図１２（ｃ）、（ｄ）は磁石２５１をダイヤル回転軸方向（矢印Ｄ方向）から見て、ＮＳＮの３極を拡大した図である。

図１２（ｃ）は、ホールＩＣ２４１の検出部２４１ａとＳ極の中心が、図の左右方向で一致した状態を表している。

また、図１２（ｄ）は、図１２（ｃ）の状態から磁石２５１がダイヤル回転軸を中心に回転し、ホールＩＣ２４１の検出部２４１ａとＳ極Ｎ極の境界が一致した状態を表す。

図１２（ｅ）、（ｆ）は磁石２５１をダイヤル回転軸方向（矢印Ｃ方向）から見て、ＳＮＳの３極を拡大した図である。

図１２（ｅ）はホールＩＣ２４１の検出部２４１ａとＳ極の中心が、一致した状態を表し、図１２（ｆ）は、図１２（ｅ）の状態から磁石２５１がダイヤル回転軸を中心に回転し、ホールＩＣ２４１の検出部２４１ａとＳ極Ｎ極の境界が一致した状態を表す。

図１２に示す各磁場は、図５に示した磁場と同様に、着磁面２５１ａのＮ極から垂直に立上ったあと弧を描いてＳ極に向かい着磁面２５１ａのＳ極において再び垂直方向となる。

図１２（ｅ）に示すように、磁石２５１の着磁面２５１ａから発生する磁場は、磁石２５１の内部空間のみに形成される。

前述したように、磁石２５１の磁場は矢印Ａ，Ｂで定義される平面と平行な方向がほとんどであり、矢印Ｃ方向の磁場はほとんど発生しない。

よって、磁石２５１の内側面にのみ着磁面２５１ａを設けることで、磁石２５１から外部に漏れる磁場を低減することが可能となる。

このような構成によって、撮像装置内の撮像センサや電気素子へ与える磁場の影響を低減でき、また、撮像装置と共に使用される外部機器へ与える磁場の影響を抑えることが出来る。

図１２（ｂ）に示す矢印Ｄ、Ｅ、Ｆは、回転操作部材２００の外部からホールＩＣ２４１の検出部２４１ａに向かう、外来磁場の方向を示している。

（ホールＩＣ２４１の検知性能に対する、外来磁場の影響の説明）
以下、ホールＩＣ２４１の検知性能に対する、外来磁場の影響を低減する構成について説明する。

図１（ｂ）に示すように、回転操作部材２００は撮像装置１００の背面カバー１１０上に配置されており、ホールＩＣ２４１は背面カバー１１０の近傍に配置される。

このため、ホールＩＣ２４１は外来磁場の影響を少なからず受けやすい構成であるといえる。本実施の第２の形態における背面カバー１１０は金属部材で構成された磁性体とする。

このとき、ホールＩＣ２４１の検知磁場に影響を与える外来磁場のうち、矢印ＤおよびＥ方向成分は、ホールＩＣ２４１が回転操作部材２００の内部に配置される。

よって、磁性体である背面カバー１１０によってある程度遮ることが出来ると考えられる。

本実施例の第２の形態では、ホールＩＣ２４１の磁場の検知軸方向は、回転軸垂直方向（矢印Ａ方向）および磁石２５１の円の接線方向（矢印Ｂ方向）であり、ダイヤルの回転軸方向（矢印Ｃ）には検知軸を持たない。

この構成によって、矢印Ｆ方向の外来磁場成分がホールＩＣ２４１の検知磁場に与える影響を無くす事ができ、外来磁場の影響を低減可能な構成である。

以上の本実施例の第２の形態では、円環状の磁石２５１の内側面に着磁面を設け、磁石２５１の内側にホールＩＣ２４１を配置する構成により、磁石２５１から外部に漏れる磁場を低減することが可能となる。

よって、撮像装置内外に与える磁場の影響を低減できる構成を説明した。

また、ホールＩＣ２４１を、検知軸が回転軸垂直方向（矢印Ａ方向）および磁石２５１の円の接線方向（矢印Ｂ方向）となるように配置する。

よって、外来磁場（矢印Ｅ方向）がホールＩＣ２４１の検知磁場に与える影響を無くすことが可能となった。この構成においても、図８（ｂ）の制御フローチャートに従うことで、実施例１と同様の効果が得られる。

（第３の実施例）
以下、図１３を用いて、本実施例の第３の形態について説明する。

実施例１と同等の内容には同等の符号を振り詳細な説明は省略する。

本実施例では第１の実施形態に対して、磁石２５１とホールＩＣ２４１の配置のみが異なるため、その部分に特化して説明を行う。

磁石２５１は本実施例では１２極に着磁されている。

図中、白抜き部がＮ極、網掛け部がＳ極である。２４１ｂ、２４１ｃはホールＩＣであり、それぞれ一方向の磁場を検出する事ができる。

２４１ｂは実施例１の縦磁場方向、２４１ｂは実施例１の横磁場方向の磁束密度を検知して、実施例１に示すような、縦磁場信号を２４１ｂが、横磁場信号を２４１ｃが出力する。

図に示すように、磁石２５１の着磁ピッチをＰと置くと、ホールＩＣ２４１ｂとホールＩＣ２４１ｃは２．５ピッチ離れて配置される。

このため、それぞれのホールＩＣで検知される磁束密度は図６（ａ）に縦磁束密度３０１、横磁束密度３０２で示すように磁極ピッチの半分だけずれた波形となる。

当然、これらの磁束密度から得られる縦横磁場信号も磁極ピッチの半分だけずれた状態となる。よって、ＣＰＵ１５０によって縦横磁場信号の排他的論理和を計算する事で、実施例１のパルス信号３０５と同等の信号を生成する事ができる。

また、縦横磁場信号の変化状態から回転方向信号３０６を生成する事も可能となり、図８（ｂ）に示したフローチャートと同等の処理を行う事で、回転操作部材２００の回転を適切に検知する事が可能となる。

なお、２つのホールＩＣの配置は２．５ピッチに限定されるものではなく、着磁ピッチの整数倍からずれた配置であれば同等の効果が得られる。

但し、ホールＩＣの相対的な位置が変化すると、縦磁場信号３０３と横磁場信号３０４のずれ量も変化するため、信号のずれが許容される範囲内でそれぞれのホールＩＣを配置する必要がある。

本実施例に示すように、２つの検知部を配置する事で、実施例１，２で説明したような１つで２方向の磁場を検知できるような素子を使わずに済む。

安価な１方向検知可能なホールＩＣを使用した場合でも回転操作部材２００の回転を検知する事が可能となるため、製造コストを低減させることが可能となる。

また、本発明は磁石２５１と２個のホールＩＣのみに限定されるものではなく、フォトリフレクタを使用しても良い。

例えば、図１３に示すホールＩＣ２４１ｂ、ホールＩＣ２４１ｃをフォトリフレクタとして、磁石２５１を高反射部と無反射部が組み合わされた反射板としても良い。

この場合、磁石２５１の白抜き部が高反射部、網掛け部が無反射部とすることで、２つのフォトリフレクタから図６（ａ）に示す縦磁場信号３０３と横磁場信号３０４と同等の信号（着磁ピッチの２倍の周期で変化する信号）が得られる。

つまり、信号発生手段は、所定の回転角度の２倍の周期で光線反射率が変化する反射板と、所定の回転角度の整数倍と異なるピッチで配置された複数の光電変換素子からなる。

よって、上述の処理を行うことで回転操作部材２００の回転を検知する事が可能である。

また、２４１ｂ、２４１ｃをブラシ接片として、２５１に着磁ピッチの２倍の周期で信号がＨからＬに変化する導通パターンを設けても同様の効果が得られる。

つまり、信号発生手段は、所定の回転角度の２倍の周期で抵抗値が変化する回路基板と、所定の回転角度の整数倍と異なるピッチで配置され、回路基板の抵抗値を検出する電気接片からなる。

また、本発明における回転操作部材２００は、例えば、図１４に示すカメラ４００の、レンズ鏡筒４０１の周囲に配置された回転リング４０２であってもよい。

カメラ４００の回転リング４０２は、ユーザーが任意に機能を割り当てることが出来、回転リング４０２の回転量および回転方向による各機能の操作が可能となる。ここでいう任意の機能とは、撮影を補助するための機能を示す。

上述の回転操作部材２００の構成と同様にして、回転リング４０２の内部には、不図示の磁石２５１が回転リング４０２側に保持されている。

また、回転リング４０２と磁石２５１は一体的または連動して回転する。また、回転リング４０２はクリック機構を有しており、回転リング４０２の回転操作は１クリックを基本単位として行われる。

さらに、不図示のホールＩＣ２４１は、磁石２５１に対向する位置となるようにカメラ４００側に固定される。

この場合においても、上述の回転操作部材２００の構成と同様にして、磁石２５１の分極数と回転リング４０２のクリック数を等しくして、上述した処理を行う事で、リング形状の回転リング４０２の回転を検知する事が可能となる。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

２００ 回転操作部材
２３０ｆ 凹凸形状
２４１ ホールＩＣ
２５１ 磁石
３０１ 縦磁束密度
３０２ 横磁束密度
３０３ 縦磁場信号
３０４ 横磁場信号
３０５ 回転信号
３０６ 回転方向信号

Claims (2)

1. 回転軸に対して第１の方向及び前記第１の方向と反対の第２の方向の両方向に回転可能に保持された回転操作部材と、前記回転操作部材に対して、所定の回転角度毎にクリック感を発生させるクリック機構と、前記所定の回転角度の２倍の周期を持つ第１の信号および第２の信号を、前記所定の回転角度以下の所定のずれ量を持って発生させる信号発生手段と、前記第１の信号及び前記第２の信号を用いて、前記所定の回転角度と同等の周期で立上りエッジ及び立下りエッジを持つ前記回転操作部材の回転量を示すパルス信号と前記回転操作部材の回転方向を示す回転方向信号を生成する信号発生手段と、を有する電子機器であって、
   前記回転方向信号の出力が前記第１の方向の場合、前記パルス信号の立上りエッジで回転検知を行い、前記回転方向信号の出力が前記第２の方向の場合、前記パルス信号の立下がりエッジで回転検知を行う回転検知制御手段を有し、
   前記信号発生手段は、前記所定の回転角度と等しいピッチで磁極が変化する磁場生成部材と、前記磁場生成部材の着磁面に垂直な第１の方向の磁場と、前記磁場生成部材の着磁面及び前記第１の方向の磁場と直交する方向の第２の方向の磁場を検知可能な磁場検知部と、を有し、
   前記磁場検知部は単一の電気素子であることを特徴とする電子機器。
2. 前記信号発生手段は、前記所定の回転角度と等しいピッチで磁極が変化する磁場生成部材と、特定の方向の磁場を検知可能で、前記所定の回転角度の整数倍と異なるピッチで配置された複数の磁場検知部からなり、前記複数の磁場検知部はそれぞれ異なる方向の磁場を検知する請求項１に記載の電子機器。

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