JP6996952B2 - Iii族窒化物単結晶積層体の製造方法及びiii族窒化物単結晶積層体 - Google Patents
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Description
1)前記第1の原料供給部を洗浄する水溶液が酸性もしくはアルカリ性であること。
2)前記第1の原料供給部を洗浄する水溶液が過酸化水素および硫酸を含有すること。
3)前記III族源ガスがIII族ハロゲン化物ガスであること。
第2の本発明は、III族金属を含む金属原料を収納するとともに該金属原料をハロゲン系ガスと接触させてIII族源ガスを生成し成長部に供給する第1の原料供給部と、窒素源ガスを成長部に供給する第2の原料供給部、及び、該原料供給部より供給されたIII族源ガスと窒素源ガスとを反応させてベース基板上にIII族窒化物単結晶層を成長させる成長部を有する結晶成長装置を用いて、ベース基板上にIII族窒化物単結晶層を成長させるIII族窒化物単結晶積層体の製造方法であって、ベース基板上にIII族窒化物単結晶層を成長させてIII族窒化物単結晶積層体を製造した後、該積層体を成長部より取り外し、次いで前記第1の原料供給部に付着したIII族金属成分を除去した後、新たなベース基板上にIII族窒化物単結晶を成長させ、前記第1の原料供給部に付着したIII族金属成分を除去する方法が、該原料供給部表面を研磨する方法であることを特徴とするIII族窒化物単結晶積層体の製造方法である。上記III族窒化物単結晶積層体の製造方法において、以下の態様が好適に採り得る。
I)前記III族源ガスがIII族ハロゲン化物ガスであること。
i)III族窒化物単結晶層に含まれるケイ素、酸素、及び炭素の合計不純物濃度が1×1018atom/cm3以下であること。
本発明の製造方法は、III族源ガスと窒素源ガスとを反応させてベース基板上にIII族窒化物単結晶層を製造するIII族窒化物単結晶積層体の製造を繰り返し行う際に、III族金属を含む金属原料を収納するとともに該金属原料をハロゲン系ガスと接触させてIII族源ガスを生成し成長部に供給する原料供給部に付着したIII族金属成分を除去した後、ベース基板上にIII族窒化物単結晶層を成長させ、前記第1の原料供給部に付着したIII族金属成分を除去する方法が、該原料供給部を水溶液で洗浄する方法であり、前記第1の原料供給部を洗浄する水溶液が酸化剤を含有することが特徴である。また、本発明の製造方法は、III族金属を含む金属原料を収納するとともに該金属原料をハロゲン系ガスと接触させてIII族源ガスを生成し成長部に供給する第1の原料供給部と、窒素源ガスを成長部に供給する第2の原料供給部、及び、該原料供給部より供給されたIII族源ガスと窒素源ガスとを反応させてベース基板上にIII族窒化物単結晶層を成長させる成長部を有する結晶成長装置を用いて、ベース基板上にIII族窒化物単結晶層を成長させるIII族窒化物単結晶積層体の製造方法であって、ベース基板上にIII族窒化物単結晶層を成長させてIII族窒化物単結晶積層体を製造した後、該積層体を成長部より取り外し、次いで前記第1の原料供給部に付着したIII族金属成分を除去した後、新たなベース基板上にIII族窒化物単結晶を成長させ、前記第1の原料供給部に付着したIII族金属成分を除去する方法が、該原料供給部表面を研磨する方法であることが特徴である。上述したとおり、単結晶層への異物の混入や単結晶層表面の凹部の発生の要因として塩化アルミニウムや塩化ガリウム等のIII族金属成分由来の異物が主成分であると推測される。気相成長装置内部壁面に付着した異物の脱離は窒化ガリウムといったアルミニウムを含まないIII族窒化物結晶の成長においても観られるが、特に窒化アルミニウム単結晶や窒化アルミニウムガリウム、等アルミニウムを含む窒化物単結晶等のアルミニウム系III族窒化物単結晶のような高温下で気相成長を行う場合に顕著に生じる傾向がある。また、III族窒化物単結晶積層体の製造を繰り返し行う際には、III族源ガスの原料となるIII族金属を原料部に都度投入することになるが、投入の際に原料部表面に傷が入ると、かかる箇所に上記異物が付着しやすい傾向にある。通常、同じ気相成長装置を用いて繰り返しIII族窒化物単結晶の成長を行う際には、結晶成長装置内の異物等を除去するため、キャリアガス、或いは、塩化水素ガスや塩素ガス等の酸性ガス等による加熱クリーニング処理を行った後に結晶成長を行うが、塩化アルミニウムや塩化ガリウム等のIII族金属成分由来の異物は、かかる加熱クリーニングによっても完全には除去できず、特にMOCVD法や、HVPE法において、原料となるIII族源ガスを製造する原料部に多く付着しているため、原料供給部に付着したIII族金属成分を除去した後に、基板上にIII族窒化物単結晶を成長させることで、結晶成長時における異物の混入を防止し、単結晶層への異物の混入や単結晶層表面の凹部の発生が抑制された高品質のIII族窒化物単結晶積層体を得ることができるものと推測される。
本発明の製造方法では、前記の通常の成長サイクルにおいて、III族窒化物単結晶を反応管30から取り出した後に第1の原料供給部である原料部反応管38を反応管から取り外し、原料部反応管の表面に付着したIII族金属成分を除去する工程を含む。
原料部反応管38の表面に付着したIII族金属成分を除去する手段として水溶液による洗浄を行う場合、純水で洗浄する際は、金属イオン不純物や総有機炭素量(Total Organic Carbon:TOC)が低減された超純水を使用することが好ましく、比抵抗が18MΩ・cm(25℃)以上を有し、かつ総有機炭素量が50ppb以下に管理された超純水を使用することが好ましい。洗浄の際には浸漬洗浄もしくは流水洗浄のどちらかもしくは両方を使用すれば良い。洗浄時間としては1分~300分の範囲から洗浄効果のある時間を適宜選択すれば良い。
また、III族金属成分を除去する観点では、原料部反応管38の外側表面および金属原料40が収納される内側表面を研磨により物理的に除去することも有効である。研磨はダイヤモンドやアルミナ、SiC等の公知の研磨剤を使用して厚さを管理しながら研磨する。ノギスの最小目盛りである0.05mm以上の厚さを研磨することが好ましい。研磨後は、研磨剤の残留を除去し、純水、より好ましくは超純水でリンスした後に原料部反応管を乾燥させる。
上記原料部反応管38の表面に付着したIII族金属成分を除去、乾燥後、原料部反応管38を反応管に再設置するとともに、原料部反応管38の内部に金属原料40を設置する。その後、ベース基板10を設置してIII族窒化物単結晶層の成長工程に移行する。III族窒化物単結晶の成長工程への移行前に空焼を行い、洗浄によって原料部反応管の表面に吸着した水分や、原料部反応管を取り出した際に反応管30内に混入した大気成分を除去することもできる。空焼工程を実施することにより、次のIII族窒化物単結晶の成長時に混入する酸素不純物量を低減することができる。
本発明の製造方法により得られたIII族窒化物単結晶積層体のIII族窒化物単結晶層の表面は、表面粗さ(Ra、算術平均粗さ)が0.5nm以下の表面を有する。これはIII族窒化物単結晶層の平坦面の任意の箇所を走査プローブ顕微鏡により□2μm2もしくは5μm2の範囲の視野で観察したときの表面粗さである。さらに、凹部とは、必ずしも真円形状ではないが、真円で近似した際に最大径となる部分を直径とすると、0.01mm以上2.0mm以下となり、深さがIII族窒化物単結晶層の膜厚の50%以上となるものを指すが、本発明ではこのような凹部を再現性良く無くすことが可能となる。
第1の原料供給部に付着したIII族金属成分の除去効果の確認は、第1の原料供給部に使用する原料部反応管38の材質と同様の試験小片を準備し、試験小片を第1の原料供給部、すなわち原料部反応管の内側に設置し、III族窒化物単結晶層を成長させた後の試験小片に付着しているIII族金属成分の量と、III族金属成分の除去工程を行った後の試験小片に付着しているIII族金属成分の量を比較することにより見積もった。本実施例では走査型電子顕微鏡(日立ハイテクノロジーズ製S-3400N)を用いて加速電圧を15kV、プローブ電流60μAとして、試験小片の分析箇所に電子線を照射し、積算時間30秒の条件にてエネルギー分散型元素スペクトル(EDS)を収集した。
III族窒化物単結晶積層体のIII族窒化物単結晶層の表面を走査プローブ顕微鏡により測定した。観察視野は□2μm2の範囲として観察したときの表面粗さRaを求めた。測定した際に表面に異物が確認された際には、WO2016/039116に記載の洗浄を行った後に観察した。
III族窒化物単結晶層の不純物濃度は二次イオン質量分析により分析した。分析装置としてCAMECA製IMS-7Fを使用し、1次イオン種としてCs+を使用し、1次加速電圧を15.0kVとして検出領域をφ30μmとした。質量分析のシグナルは、別途取得した検量線データを比較して不純物濃度を見積もった。
励起光源として波長193nmのアルゴンフッ素ガスのエキシマーレーザーを使用し、エキシマーレーザーの焦点をIII族窒化物単結晶積層体の表面にフォーカスするように表面に対して垂直に照射した。フォトルミネッセンス光を分光器(光路長640mm)、グレーディング(300本/mm)の条件にて波長200-700nmの範囲の情報を収集した。得られたフォトルミネッセンススペクトルのバンド端付近の発光強度(I0)と、バンド構造の中間の準位(ディープ発光)からの発光強度(ID)から、比(ID/I0)を計算した。本実施例では、III族窒化物単結晶積層体が窒化アルミニウムの場合には、室温において波長209nmにバンド端付近の発光が観られ、波長300~400nmの範囲に典型的な点欠陥の発光が観測される。それぞれの発光強度からバックグラウンドの強度を差し引いた後に強度比を計算した。
III族窒化物単結晶として窒化アルミニウムを成長した実施例であり、成長には図1に示すHVPE装置を使用した。本実施例の実施前の成長バッチにおいて、後述する本実施例と同様の成長条件で窒化アルミニウム単結晶の成長を予め行い、該窒化アルミニウム単結晶を成長したベース基板を取り出した。また、成長部側のサセプタ等の部材や反応管内壁への析出物を除去するクリーニングを実施した。
次いで、第1の原料供給部である原料部反応管を取り出した。原料部反応管の構造体自体は石英ガラスからなり原料金属を収納する部分は窒化ホウ素(熱分解窒化ホウ素)からなる管でできており、その窒化ホウ素製原料部反応管の内側には、III族源原料である高純度アルミニウム金属(直径4mm、長さ5mmのペレット状、純度99.9999%以上、残留重量300g)が収納されており、高純度アルミニウムを別途用意した石英ガラス製容器に一旦取り出してクリーンベンチ内に保管した。取り出した前記窒化ホウ素製原料部反応管を、比抵抗が18.2MΩ・cm、総有機炭素量(TOC)が5ppbの超純水流水中(2L/min)にて20分間流水洗浄し、第1の原料供給部である原料部反応管に付着したアルミニウム成分を除去した。洗浄後、クリーンベンチ内において窒化ホウ素製原料部反応管を60分間静置乾燥した。
前記原料部反応管が乾燥した後、該原料部反応管内から一旦取り出していた高純度アルミニウム金属を再び該原料部反応管に充填し、次いでHVPE装置に第1の原料供給部を再装着した。また、成長部側についても、成長部側に付着した基板周辺のサセプタ等の部材やIII族源ガス供給ノズル、窒素源ガス供給ノズルは、予め部材の洗浄処理を行って析出物を除去した部材に交換し、次の窒化アルミニウム単結晶の成長の準備を行った。その後、HVPE装置内部に侵入した大気成分を除去するために、真空引きとキャリアガスの充填を複数回繰り返して、HVPE装置内をパージした。
次に、第1の原料供給部やHVPE装置内部に吸着した水分を除去するために空焼を行った。空焼は、HVPE装置内の各ガス供給管からキャリアガスを供給しながら、第1の原料供給部の温度が400℃になるように原料部外部加熱手段である抵抗加熱電気炉に電力を印加し、一方、成長部側は高周波加熱コイルに電力を印加してサセプタを加熱して、窒化アルミニウム単結晶の成長温度である1500℃とし、反応管内壁を前記サセプタからの輻射熱で加熱した。最高温度に達した状態で30分間保持した後、室温まで冷却した。
冷却後、次の窒化アルミニウム単結晶層を成長するための新たなベース基板をサセプタ上に設置した。ベース基板には直径25.4mmで厚さ500μmの昇華法で製造したc面窒化アルミニウム単結晶を使用した。次いで、HVPE装置内の各ガス供給管からキャリアガスを流通した状態で、第1の原料部温度を400℃、サセプタおよび基板温度を1500℃に加熱した。到達後に、第1の原料供給部に原料発生用ハロゲン系ガス導入管を通して塩化水素ガスを供給し、さらに第1の原料供給部で生成した塩化アルミニウムガスに、追加ハロゲン系ガス導入管を通じて供給した塩化水素ガスを混合し、得られた塩化アルミニウムガスと塩化水素ガスの混合ガスをIII族源ガス供給ノズルを通じてベース基板上に供給した。さらに、窒素源ガス導入管を通してアンモニアガスおよび塩化水素ガスを供給して、ベース基板上に単結晶窒化アルミニウムの成長を開始した。ベース基板中心位置における成長速度は55μm/hであり、6時間成長することによって膜厚330μmの窒化アルミニウム単結晶層を成長した。所定時間を経過後、塩化アルミニウムガス、塩化水素ガス、アンモニアガスの供給を停止し、室温まで冷却した。
第1の原料供給部である原料部反応管と同じ材質からなる窒化ホウ素製の□10mm、厚さ1mmの試験小片を2枚準備した。本実施例の実施前の成長バッチにおいては、これらの試験小片を第1の原料供給部内に設置した状態でIII族窒化物単結晶の成長を実施した。前述の第1の原料供給部である原料部反応管を取り出した際に、試験小片2枚も取り出して、そのうち1枚を原料部反応管と同様の洗浄方法で流水洗浄し、クリーンベンチ内にて乾燥した。その後、実際に窒化アルミニウム単結晶を行う直前の状態を調べるため、水洗と乾燥を行った試験小片は、第1の原料供給部内部に戻して前記空焼工程と同様の雰囲気保持と加熱による処理を行った。空焼の後に試験小片を取り出すため、試験小片を得るための空焼工程は、窒化アルミニウム単結晶の繰り返し成長とは別バッチで行った。
表1に示す条件にて第1の原料供給部に使用した原料部反応管材質と、第1の原料供給部に付着するアルミニウム成分の除去方法を行った以外は、実施例1と同様にIII族窒化物単結晶の成長を行った。結果を表2に示す。
10 ベース基板
30 反応管
31 成長部反応域
32 サセプタ
33 押し出しキャリアガス導入部
34 排気部
35 原料部外部加熱手段
36 成長部外部加熱手段
37 高周波加熱コイル
38 原料部反応管(第一の原料供給部)
39 原料発生用ハロゲン系ガス導入管
40 アルミニウム原料
41 追加ハロゲン系ガス導入管
42 III族源ガス供給ノズル
43 窒素源ガス導入管
44 追加ハロゲン系ガス(窒素源ガス用)導入管
45 窒素源ガス供給ノズル(第二の原料供給部)
Claims (6)
- III族金属を含む金属原料を収納するとともに該金属原料をハロゲン系ガスと接触させてIII族源ガスを生成し成長部に供給する第1の原料供給部と、窒素源ガスを成長部に供給する第2の原料供給部、及び、該原料供給部より供給されたIII族源ガスと窒素源ガスとを反応させてベース基板上にIII族窒化物単結晶層を成長させる成長部を有する結晶成長装置を用いて、ベース基板上にIII族窒化物単結晶層を成長させるIII族窒化物単結晶積層体の製造方法であって、
ベース基板上にIII族窒化物単結晶層を成長させてIII族窒化物単結晶積層体を製造した後、該積層体を成長部より取り外し、
次いで前記第1の原料供給部に付着したIII族金属成分を除去した後、新たなベース基板上にIII族窒化物単結晶を成長させ、
前記第1の原料供給部に付着したIII族金属成分を除去する方法が、該原料供給部を水溶液で洗浄する方法であり、
前記第1の原料供給部を洗浄する水溶液が酸化剤を含有することを特徴とするIII族窒化物単結晶積層体の製造方法。 - 前記第1の原料供給部を洗浄する水溶液が酸性もしくはアルカリ性である請求項1記載のIII族窒化物単結晶積層体の製造方法。
- 前記第1の原料供給部を洗浄する水溶液が過酸化水素および硫酸を含有する請求項1又は2記載のIII族窒化物単結晶積層体の製造方法。
- III族金属を含む金属原料を収納するとともに該金属原料をハロゲン系ガスと接触させてIII族源ガスを生成し成長部に供給する第1の原料供給部と、窒素源ガスを成長部に供給する第2の原料供給部、及び、該原料供給部より供給されたIII族源ガスと窒素源ガスとを反応させてベース基板上にIII族窒化物単結晶層を成長させる成長部を有する結晶成長装置を用いて、ベース基板上にIII族窒化物単結晶層を成長させるIII族窒化物単結晶積層体の製造方法であって、
ベース基板上にIII族窒化物単結晶層を成長させてIII族窒化物単結晶積層体を製造した後、該積層体を成長部より取り外し、
次いで前記第1の原料供給部に付着したIII族金属成分を除去した後、新たなベース基板上にIII族窒化物単結晶を成長させ、
前記第1の原料供給部に付着したIII族金属成分を除去する方法が、該原料供給部表面を研磨する方法であることを特徴するIII族窒化物単結晶積層体の製造方法。 - 前記III族源ガスがIII族ハロゲン化物ガスである請求項1~4のいずれか1項に記載のIII族窒化物単結晶積層体の製造方法。
- ベース基板上にIII族窒化物単結晶層が積層されたIII族窒化物単結晶積層体であって、
該単結晶層の表面粗さRaが0.5nm以下であり、且つ
直径0.01mm以上2mm以下であり深さが膜厚の50%以上である凹部を有さない、
前記III族窒化物単結晶層に含まれるケイ素、酸素、及び炭素の合計不純物濃度が1×1018atom/cm3以下であるIII族窒化物単結晶積層体。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007197302A (ja) | 2005-12-28 | 2007-08-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物結晶の製造方法および製造装置 |
US20130344244A1 (en) | 2011-03-25 | 2013-12-26 | Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc.,Shanghai | Method for cleaning gas conveying device, and method and reaction device for film growth |
WO2015093406A1 (ja) | 2013-12-20 | 2015-06-25 | 日本碍子株式会社 | 窒化ガリウム層を含む基板およびその製造方法 |
JP2015221740A (ja) | 2014-05-23 | 2015-12-10 | 株式会社トクヤマ | 気相成長装置 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007197302A (ja) | 2005-12-28 | 2007-08-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物結晶の製造方法および製造装置 |
US20130344244A1 (en) | 2011-03-25 | 2013-12-26 | Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc.,Shanghai | Method for cleaning gas conveying device, and method and reaction device for film growth |
WO2015093406A1 (ja) | 2013-12-20 | 2015-06-25 | 日本碍子株式会社 | 窒化ガリウム層を含む基板およびその製造方法 |
JP2015221740A (ja) | 2014-05-23 | 2015-12-10 | 株式会社トクヤマ | 気相成長装置 |
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