JP6981299B2 - 磁気センサ - Google Patents

Description

本発明は磁気センサに関し、特に、センサチップに磁束を集めるための磁性体ブロックを備えた磁気センサに関する。

磁気検出素子を用いた磁気センサは、電流計や磁気エンコーダなどに広く用いられている。特許文献１に記載されているように、磁気センサには、磁気検出素子に磁束を集めるための磁性体ブロックが設けられることがある。例えば、特許文献１の図１０に記載された磁気センサは、素子形成面に一対の磁気検出素子が形成されたセンサチップと、センサチップの左側面を覆う磁性体ブロック２２と、センサチップの右側面を覆う磁性体ブロック２３とを有し、これにより一対の磁気検出素子に対して互いに逆方向の磁界を印加する構造が記載されている。

特許第５５００７８５号公報

しかしながら、特許文献１に記載された磁気センサは、磁性体ブロック２２，２３が素子形成面とは異なる側面のみを覆っているため、磁気検出素子と磁性体ブロック２２，２３の距離が大きく、漏洩磁束が増大するという問題があった。漏洩磁束を低減するためには、素子形成面の一部が磁性体ブロック２２，２３で覆われるよう、磁性体ブロック２２，２３をＬ字型に変形させる方法が考えられるが、この場合には、磁性体ブロック２２，２３と磁気検出素子や端子電極の干渉が問題となる。

したがって、本発明の目的は、漏洩磁束を低減することによって検出感度を高めることができるとともに、磁性体ブロックと磁気検出素子及び端子電極の干渉が防止された磁気センサを提供することである。

本発明による磁気センサは、磁気検出素子及び端子電極が形成された素子形成面と、素子形成面と略直交し、互いに反対側に位置する第１及び第２の側面とを有するセンサチップと、第１及び第２の側面をそれぞれ覆う第１及び第２の磁性体ブロックと、を備え、第１の磁性体ブロックは、磁気検出素子及び端子電極を覆うことなく、素子形成面の一部を覆う第１のオーバーハング部分を有し、第２の磁性体ブロックは、磁気検出素子及び端子電極を覆うことなく、素子形成面の別の一部を覆う第２のオーバーハング部分を有することを特徴とする。

本発明によれば、センサチップの側面を覆う第１及び第２の磁性体ブロックが素子形成面の一部をさらに覆っていることから、磁気検出素子と第１及び第２の磁性体ブロックの距離が短縮される。これにより、漏洩磁束が低減されることから、検出感度を高めることが可能となる。しかも、第１及び第２の磁性体ブロックは、磁気検出素子及び端子電極を覆わない形状を有していることから、第１及び第２の磁性体ブロックが磁気検出素子や端子電極と干渉することもない。

本発明において、第１及び第２のオーバーハング部分は、端子電極の少なくとも一部を露出させる切り欠きを有するものであっても構わない。これによれば、第１及び第２の磁性体ブロックの体積を確保しつつ、端子電極との干渉を防止することができる。

本発明において、センサチップは、素子形成面と略直交し、且つ、第１及び第２の側面と略直交する実装面をさらに有し、端子電極は、実装面側の辺に沿って複数個配列されていても構わない。これによれば、センサチップを実装基板に寝かせて搭載することができることから、大型の磁性体ブロックを用いる場合であっても、実装基板に第１及び第２の磁性体ブロックを安定して保持することが可能となる。

本発明において、センサチップは、素子形成面の反対側に位置する裏面をさらに有し、第１及び第２の磁性体ブロックは、裏面をさらに覆うものであっても構わない。これによれば、素子形成面に対して垂直方向の磁束に対する選択性を高めることが可能となる。

本発明による磁気センサは、素子形成面のさらに別の一部を覆い、素子形成面と直交する所定方向に延在する第３の磁性体ブロックをさらに備えても構わない。これによれば、素子形成面に対して垂直方向の磁束に対する選択性が高められるとともに、第１及び第２の磁性体ブロックと第３の磁性体ブロックの間のエアギャップを短縮することが可能となる。

本発明において、磁気検出素子は、第１及び第２の磁気検出素子を含み、第１の磁気検出素子は、所定方向から見て第１の磁性体ブロックと第３の磁性体ブロックの間に位置し、第２の磁気検出素子は、所定方向から見て第２の磁性体ブロックと第３の磁性体ブロックの間に位置するものであっても構わない。これによれば、第１の磁気検出素子と第２の磁気検出素子に対して互いに逆方向の磁界を与えることが可能となる。

本発明による磁気センサは、素子形成面に設けられ、それぞれ第１乃至第３の磁性体ブロックに覆われた第１乃至第３の磁性体層をさらに備え、第１の磁気検出素子は、第１の磁性体層と第３の磁性体層からなる第１のギャップによって形成される磁路上に配置され、第２の磁気検出素子は、第２の磁性体層と第３の磁性体層からなる第２のギャップによって形成される磁路上に配置されるものであっても構わない。これによれば、素子形成面上における磁気抵抗が大幅に低下することから、より高い検出感度を得ることが可能となる。

本発明において、第１の磁性体ブロックは、素子形成面と直交する軸を中心に第２の磁性体ブロックを１８０°回転させた場合に得られる形状を有していても構わない。これによれば、第１の磁性体ブロックと第２の磁性体ブロックを作り分ける必要がなくなることから、製造コストを低減することが可能となる。

このように、本発明によれば、漏洩磁束を低減することによって検出感度を高めることができるとともに、磁性体ブロックと磁気検出素子及び端子電極の干渉を防止することが可能となる。

図１は、本発明の第１の実施形態による磁気センサ１０Ａの外観を示す略斜視図である。 図２は、磁気センサ１０Ａの略上面図である。 図３は、図２に示すＡ−Ａ線に沿った略断面図である。 図４は、磁気センサ１０Ａを実装基板２に搭載した状態を説明するための模式的な斜視図である。 図５は、端子電極５１〜５６と磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４との接続関係を説明するための回路図である。 図６は、本発明の第２の実施形態による磁気センサ１０Ｂを実装基板２に搭載した状態を説明するための模式的な斜視図である。 図７は、本発明の第３の実施形態による磁気センサ１０Ｃを実装基板２に搭載した状態を説明するための模式的な斜視図である。 図８は、本発明の第４の実施形態による磁気センサ１０Ｄを実装基板２に搭載した状態を説明するための模式的な斜視図である。

以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。

＜第１の実施形態＞
図１は、本発明の第１の実施形態による磁気センサ１０Ａの外観を示す略斜視図である。また、図２は磁気センサ１０Ａの略上面図であり、図３は図２に示すＡ−Ａ線に沿った略断面図である。

図１〜図３に示すように、本実施形態による磁気センサ１０Ａは、センサチップ２０と、センサチップ２０に付加された３つの磁性体ブロック３０〜３２とを備えている。センサチップ２０の作製方法としては、集合基板に多数のセンサチップ２０を同時に形成し、これらを分離することによって多数個取りする方法が一般的であるが、本発明がこれに限定されるものではなく、個々のセンサチップ２０を別個に作製しても構わない。

センサチップ２０は略直方体形状を有し、ｘｙ平面を構成する素子形成面２０ａには４つの磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４が形成されている。磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４は、磁界の向き及び強度に応じて電気抵抗が変化する素子であれば特に限定されない。本実施形態においては、磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４の感度方向（固定磁化方向）は、図３の矢印Ｐが示す方向（ｘ方向におけるプラス側）に全て揃えられている。また、素子形成面２０ａ上には絶縁膜２４が形成されており、これによって磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４が保護されている。

センサチップ２０は、ｙｚ平面を構成する第１及び第２の側面２１，２２と、素子形成面２０ａの反対側に位置し、ｘｙ平面を構成する裏面２３をさらに有している。第１及び第２の側面２１，２２は、素子形成面２０ａと略直交する面であるが、完全に直交する必要はない。また、裏面２３は素子形成面２０ａと略平行な面であるが、完全に平行である必要はない。

磁性体ブロック３０〜３２は、フェライトなど透磁率の高い軟磁性材料からなる集磁体である。磁性体ブロック３０〜３２は、接着剤などを用いてセンサチップ２０に接着されていても構わないし、後述する他の実装基板にセンサチップ２０とともに搭載され、実装基板上でセンサチップ２０との相対的な位置関係が固定されているものであっても構わない。

磁性体ブロック３０は、平面視で、つまりｚ方向から見て、磁気検出素子Ｒ１，Ｒ３と磁気検出素子Ｒ２，Ｒ４との間に配置されており、ｚ方向を長手方向とする直方体形状を有している。磁性体ブロック３０はｚ方向の磁束φを集め、これを素子形成面２０ａ上でｘ方向における両側にスプリットさせる役割を果たす。磁性体ブロック３０のｚ方向における高さについては特に限定されないが、ｚ方向における高さをより高くすることによって、ｚ方向の磁束の選択性を高めることができる。本実施形態においては、磁性体ブロック３０のｙ方向における幅がセンサチップ２０のｙ方向における幅と略一致しているが、本発明がこれに限定されるものではない。

センサチップ２０の側面２１及び裏面２３の半分は、第１の磁性体ブロック３１によって覆われている。同様に、センサチップ２０の側面２２及び裏面２３の残り半分は、第２の磁性体ブロック３２によって覆われている。本実施形態においては、磁性体ブロック３１，３２のｙ方向における幅がセンサチップ２０のｙ方向における幅と略一致しているが、本発明がこれに限定されるものではない。また、磁性体ブロック３１，３２がセンサチップ２０の裏面２３を覆うことは必須でないが、センサチップ２０の裏面２３を覆うことにより、ｚ方向の磁束に対する選択性をより高めることが可能となる。

磁性体ブロック３１は、ｚ方向における位置が素子形成面２０ａを超えるようｚ方向に延長され、さらにこの延長された部分から素子形成面２０ａ側に折り曲げられた第１のオーバーハング部分ＯＨ１を有している。同様に、磁性体ブロック３２は、ｚ方向における位置が素子形成面２０ａを超えるようｚ方向に延長され、さらにこの延長された部分から素子形成面２０ａ側に折り曲げられた第２のオーバーハング部分ＯＨ２を有している。本実施形態においては、磁性体ブロック３１と磁性体ブロック３２が互いに同じ形状を有している。つまり、磁性体ブロック３１と磁性体ブロック３２は、ｚ軸を中心に互いに１８０°回転させたものに相当し、このため、両者を作り分ける必要はない。

かかる構成により、ｚ方向から見て、磁気検出素子Ｒ１，Ｒ３は磁性体ブロック３０と磁性体ブロック３１のオーバーハング部分ＯＨ１との間に位置し、磁気検出素子Ｒ２，Ｒ４は磁性体ブロック３０と磁性体ブロック３２のオーバーハング部分ＯＨ２との間に位置する。このため、磁性体ブロック３０によって集められた磁束φは、図３に示すように左右にほぼ均等に分配された後、オーバーハング部分ＯＨ１，ＯＨ２を介して磁性体ブロック３１，３２に吸い込まれる。この時、磁束φの一部が磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４を通過するため、磁気検出素子Ｒ１，Ｒ３と磁気検出素子Ｒ２，Ｒ４には、互いに逆方向の磁束が与えられることになる。上述の通り、磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４の磁化固定方向は、矢印Ｐが示すｘプラス方向に揃えられていることから、磁束のｘ方向における成分に対して感度を持つことになる。

本実施形態においては、オーバーハング部分ＯＨ１，ＯＨ２のｙ方向における幅Ｗ１が磁性体ブロック３１，３２のｙ方向における幅Ｗ２よりも狭く、これにより、素子形成面２０ａの角部近傍がオーバーハング部分ＯＨ１，ＯＨ２で覆われることなく露出している。具体的には、オーバーハング部分ＯＨ１のｙ方向における両側には切り欠き３１ａ，３１ｂが形成され、オーバーハング部分ＯＨ２のｙ方向における両側には切り欠き３２ａ，３２ｂが形成されており、切り欠き３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂが設けられた位置においては、素子形成面２０ａが露出している。本実施形態においては、切り欠き３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂのｙ方向における幅は全て同じである。

図１及び図２に示すように、素子形成面２０ａには複数の端子電極５１〜５６が設けられており、特に端部に位置する端子電極５１，５６は素子形成面２０ａの角部近傍に位置している。しかしながら、本実施形態においては、オーバーハング部分ＯＨ１，ＯＨ２に切り欠き３１ａ，３２ａが設けられており、これにより、素子形成面２０ａの角部近傍がオーバーハング部分ＯＨ１，ＯＨ２で覆われることなく露出していることから、端子電極５１〜５６がオーバーハング部分ＯＨ１，ＯＨ２で覆われることがない。

さらに、本実施形態による磁気センサ１０Ａにおいては、絶縁膜２４上に磁性体層４０〜４２が形成されている。磁性体層４０は、平面視で素子形成面２０ａ上の略中央に位置し、そのｘ方向における両側に磁性体層４１，４２が配置される。特に限定されるものではないが、磁性体層４０〜４２としては、樹脂材料に磁性フィラーが分散された複合磁性材料からなる膜であっても構わないし、ニッケル又はパーマロイなどの軟磁性材料からなる薄膜もしくは箔であっても構わないし、フェライトなどからなる薄膜又はバルクシートであっても構わない。

磁性体層４０は、中央に位置する主領域Ｍ０と、主領域Ｍ０からｘ方向に離れるに従ってｙ方向における幅が狭くなる収束領域Ｓ１〜Ｓ４を含む。主領域Ｍ０は、磁性体ブロック３０によって覆われる部分である。収束領域Ｓ１〜Ｓ４は、主領域Ｍ０からｘ方向に離れるに従ってｙ方向における幅が狭くなるテーパー形状部分であり、本実施形態では、収束領域Ｓ１，Ｓ３が主領域Ｍ０に対してｘ方向マイナス側（左側）に位置し、収束領域Ｓ２，Ｓ４が主領域Ｍ０に対してｘ方向プラス側（右側）に位置する。これにより、磁性体ブロック３０を介して取り込まれた磁束が主領域Ｍ０に入射されると、この磁束が収束領域Ｓ１〜Ｓ４に対してほぼ均等に分配される。そして、分配された磁束は、テーパー形状を有する収束領域Ｓ１〜Ｓ４を通過することにより、磁束密度が高められる。

一方、磁性体層４１は、主領域Ｍ１と、主領域Ｍ１からｘ方向（プラス側）に離れるに従ってｙ方向における幅が狭くなる収束領域Ｓ５，Ｓ７を含む。同様に、磁性体層４２は、主領域Ｍ２と、主領域Ｍ２からｘ方向（マイナス側）に離れるに従ってｙ方向における幅が狭くなる収束領域Ｓ６，Ｓ８を含む。主領域Ｍ１は、センサチップ２０のｘ方向マイナス側における端部近傍に位置し、オーバーハング部分ＯＨ１に覆われている。一方、主領域Ｍ２は、センサチップ２０のｘ方向プラス側における端部近傍に位置し、オーバーハング部分ＯＨ２に覆われている。

図２に示すように、収束領域Ｓ１〜Ｓ４の先端部は、それぞれギャップＧ１〜Ｇ４を介して収束領域Ｓ５〜Ｓ８の先端部と対向している。ギャップＧ１〜Ｇ４にはそれぞれｙ方向に延在する磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４が配置されている。ギャップＧ１〜Ｇ４の幅方向についてはｘ方向である必要はなく、ｚ方向であっても構わないし、ｘ方向成分及びｚ方向成分を有する斜め方向であっても構わない。さらに、磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４が厳密にギャップＧ１〜Ｇ４間に位置している必要はなく、ギャップの存在によって形成される磁路上に位置していれば足りる。

このように、本実施形態による磁気センサ１０Ａは、素子形成面２０ａに磁性体層４０〜４２が設けられていることから、素子形成面２０ａ上における磁気抵抗が低減され、磁束が効率よく磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４に印加される。このため、このような磁性体層４０〜４２を設けない場合と比べて、より高い磁気検出感度を得ることが可能となる。しかも、ギャップＧ１〜Ｇ４を構成する８つの収束領域Ｓ１〜Ｓ８は、いずれも対応する磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４に向かって幅が狭くなるテーパー形状を有していることから、磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４に与えられる磁束の密度が高められる。

図４は、本実施形態による磁気センサ１０Ａを実装基板２に搭載した状態を説明するための模式的な斜視図である。

図４に示すように、本実施形態による磁気センサ１０Ａは、ｘｚ平面を有する実装基板２に対して９０°寝かせた状態で搭載することができる。つまり、センサチップ２０のｘｚ面は図１に示す実装面２０ｂを構成しており、この実装面２０ｂが実装基板２と向かい合うように搭載される。このため、磁性体ブロック３０〜３２のｚ方向における長さが長い場合であっても、磁性体ブロック３０〜３２を実装基板２に安定して固定することが可能である。また、実装基板２には、ｘ方向に配列された端子電極６１〜６６が設けられており、実装基板２に磁気センサ１０Ａが搭載されると、磁気センサ１０Ａに設けられた端子電極５１〜５６と実装基板２に設けられた端子電極６１〜６６が図示しないハンダボールなどを介してそれぞれ接続される。

このように、本実施形態による磁気センサ１０Ａは、９０°寝かせた状態で実装基板２に搭載可能とするため、センサチップ２０に設けられた端子電極５１〜５６は、実装面２０ｂ側の辺に沿って配列される。本実施形態においては、端子電極５３と端子電極５４のｘ方向における間隔が拡大されており、この隙間を覆う位置に磁性体ブロック３０が配置される。また、ｘ方向における端部に位置する端子電極５１，５６は、ｙ方向から見ると磁性体ブロック３１，３２のオーバーハング部分ＯＨ１，ＯＨ２と重なっているが、端子電極５１，５６に対応する位置には切り欠き３１ａ，３２ａが設けられていることから、オーバーハング部分ＯＨ１，ＯＨ２で覆われることなく、端子電極５１，５６を露出させることができる。これにより、オーバーハング部分ＯＨ１，ＯＨ２と端子電極５１，５６が干渉することがなくため、端子電極５１，５６と端子電極６１，６６を容易に接続することが可能となる。

図５は、端子電極５１〜５６と磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４との接続関係を説明するための回路図である。

図５に示すように、磁気検出素子Ｒ１は端子電極５３，５６間に接続され、磁気検出素子Ｒ２は端子電極５４，５５間に接続され、磁気検出素子Ｒ３は端子電極５３，５４間に接続され、磁気検出素子Ｒ４は端子電極５５，５６間に接続されている。ここで、端子電極５６には電源電位Ｖｃｃが与えられ、端子電極５４には接地電位ＧＮＤが与えられる。そして、磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４は全て同一の磁化固定方向を有していることから、磁性体ブロック３０からみて一方側に位置する磁気検出素子Ｒ１，Ｒ３の抵抗変化量と、磁性体ブロック３０からみて他方側に位置する磁気検出素子Ｒ２，Ｒ４の抵抗変化量との間には差が生じる。これにより、磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４は差動ブリッジ回路を構成し、磁束密度に応じた磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４の電気抵抗の変化が端子電極５３，５５に現れることになる。

端子電極５３，５５から出力される差動信号は、実装基板２又はその外部に設けられた差動アンプ７１に入力される。差動アンプ７１の出力信号は、端子電極５２にフィードバックされる。図５に示すように、端子電極５１と端子電極５２との間には補償コイルＣが接続されており、これにより、補償コイルＣは差動アンプ７１の出力信号に応じた磁界を発生させる。かかる構成により、磁束密度に応じた磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４の電気抵抗の変化が端子電極５３，５５に現れると、磁束密度に応じた電流が補償コイルＣに流れ、逆方向の磁束を発生させる。これにより、外部磁束が打ち消される。そして、差動アンプ７１から出力される電流を検出回路７２によって電流電圧変換すれば、外部磁束の強さを検出することが可能となる。

このように、本実施形態による磁気センサ１０Ａは、磁性体ブロック３１，３２がそれぞれオーバーハング部分ＯＨ１，ＯＨ２を有していることから、磁性体ブロック３０と磁性体ブロック３１，３２との間の磁気抵抗が小さくなる。これにより、漏洩磁束が低減されることから、従来の磁気センサと比べて高い検出感度を得ることが可能となる。しかも、オーバーハング部分ＯＨ１，ＯＨ２にはそれぞれ切り欠き３１ａ，３２ａが設けられていることから、端子電極５１〜５６とオーバーハング部分ＯＨ１，ＯＨ２との干渉を防止することができる。さらに、本実施形態においては、磁性体ブロック３１と磁性体ブロック３２が互いに同じ形状を有していることから、両者を作り分ける必要がなく、同一形状の磁性体ブロックを作製すれば足りる。

＜第２の実施形態＞
図６は、本発明の第２の実施形態による磁気センサ１０Ｂを実装基板２に搭載した状態を説明するための模式的な斜視図である。

図６に示すように、本実施形態による磁気センサ１０Ｂは、オーバーハング部分ＯＨ１，ＯＨ２がｚ方向から見て凸型形状を有している点において、第１の実施形態による磁気センサ１０Ａと相違している。その他の構成は、第１の実施形態による磁気センサ１０Ａと同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

本実施形態においては、オーバーハング部分ＯＨ１，ＯＨ２の付け根のｙ方向における幅Ｗ３については、幅Ｗ２と同じであるが、切り欠き３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂが設けられているため、オーバーハング部分ＯＨ１，ＯＨ２の先端部のｙ方向における幅Ｗ１は、幅Ｗ２よりも狭くなっている。これにより、第１の実施形態による磁気センサ１０Ａと同様、端子電極５１〜５６とオーバーハング部分ＯＨ１，ＯＨ２との干渉を防止することができる。また、本実施形態においては、オーバーハング部分ＯＨ１，ＯＨ２のｙ方向における幅が付け根部分において拡大されていることから、第１の実施形態よりも磁性体ブロック３１，３２の体積が大きく、このため、磁性体ブロック３１，３２による集磁効果を高めることが可能となる。

＜第３の実施形態＞
図７は、本発明の第３の実施形態による磁気センサ１０Ｃを実装基板２に搭載した状態を説明するための模式的な斜視図である。

図７に示すように、本実施形態による磁気センサ１０Ｃは、オーバーハング部分ＯＨ１に設けられた切り欠き３１ｂと、オーバーハング部分ＯＨ２に設けられた切り欠き３２ｂが省略されている点において、第１の実施形態による磁気センサ１０Ａと相違している。その他の構成は、第１の実施形態による磁気センサ１０Ａと同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

本実施形態においては、オーバーハング部分ＯＨ１，ＯＨ２の形状がｙ方向に非対称であり、実装基板２から見て遠い側には切り欠き３１ｂ，３２ｂが設けられていないが、実装基板２に近い側には切り欠き３１ａ，３２ａが設けられているため、第１の実施形態による磁気センサ１０Ａと同様、端子電極５１〜５６とオーバーハング部分ＯＨ１，ＯＨ２との干渉を防止することができる。また、本実施形態においては、切り欠き３１ｂ，３２ｂが省略されていることから、第１の実施形態よりも磁性体ブロック３１，３２の体積が大きく、このため、磁性体ブロック３１，３２による集磁効果を高めることが可能となる。

＜第４の実施形態＞
図８は、本発明の第４の実施形態による磁気センサ１０Ｄを実装基板２に搭載した状態を説明するための模式的な斜視図である。

図８に示すように、本実施形態による磁気センサ１０Ｄは、オーバーハング部分ＯＨ１に設けられた切り欠き３１ｂと、オーバーハング部分ＯＨ２に設けられた切り欠き３２ｂが省略されている点において、第２の実施形態による磁気センサ１０Ｂと相違している。その他の構成は、第２の実施形態による磁気センサ１０Ｂと同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

本実施形態においても、オーバーハング部分ＯＨ１，ＯＨ２の形状がｙ方向に非対称であり、実装基板２から見て遠い側には切り欠き３１ｂ，３２ｂが設けられていないが、実装基板２に近い側には切り欠き３１ａ，３２ａが設けられているため、第２の実施形態による磁気センサ１０Ｂと同様、端子電極５１〜５６とオーバーハング部分ＯＨ１，ＯＨ２との干渉を防止することができる。また、本実施形態においては、切り欠き３１ｂ，３２ｂが省略されていることから、第２の実施形態よりも磁性体ブロック３１，３２の体積がさらに大きく、このため、磁性体ブロック３１，３２による集磁効果をいっそう高めることが可能となる。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。

２ 実装基板
１０Ａ〜１０Ｄ 磁気センサ
２０ センサチップ
２０ａ 素子形成面
２０ｂ 実装面
２１ 第１の側面
２２ 第２の側面
２３ 裏面
２４ 絶縁膜
３０ 第３の磁性体ブロック
３１ 第１の磁性体ブロック
３２ 第２の磁性体ブロック
３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂ 切り欠き
４０ 第３の磁性体層
４１ 第１の磁性体層
４２ 第２の磁性体層
５１〜５６ 端子電極
６１〜６６ 端子電極
７１ 差動アンプ
７２ 検出回路
Ｃ 補償コイル
Ｇ１〜Ｇ４ ギャップ
Ｍ０〜Ｍ２ 主領域
ＯＨ１ 第１のオーバーハング部分
ＯＨ２ 第２のオーバーハング部分
Ｒ１〜Ｒ４ 磁気検出素子
Ｓ１〜Ｓ８ 収束領域
φ 磁束

Claims (8)

1. 磁気検出素子及び端子電極が形成された素子形成面と、前記素子形成面と略直交し、互いに反対側に位置する第１及び第２の側面とを有するセンサチップと、
   前記第１及び第２の側面をそれぞれ覆う第１及び第２の磁性体ブロックと、を備え、
   前記第１の磁性体ブロックは、前記磁気検出素子及び前記端子電極を覆うことなく、前記素子形成面の一部を覆う第１のオーバーハング部分を有し、
   前記第２の磁性体ブロックは、前記磁気検出素子及び前記端子電極を覆うことなく、前記素子形成面の別の一部を覆う第２のオーバーハング部分を有することを特徴とする磁気センサ。
2. 前記第１及び第２のオーバーハング部分は、前記端子電極の少なくとも一部を露出させる切り欠きを有することを特徴とする請求項１に記載の磁気センサ。
3. 前記センサチップは、前記素子形成面と略直交し、且つ、前記第１及び第２の側面と略直交する実装面をさらに有し、
   前記端子電極は、前記実装面側の辺に沿って複数個配列されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気センサ。
4. 前記センサチップは、前記素子形成面の反対側に位置する裏面をさらに有し、
   前記第１及び第２の磁性体ブロックは、前記裏面をさらに覆うことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の磁気センサ。
5. 前記素子形成面のさらに別の一部を覆い、前記素子形成面と直交する所定方向に延在する第３の磁性体ブロックをさらに備えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の磁気センサ。
6. 前記磁気検出素子は、第１及び第２の磁気検出素子を含み、
   前記第１の磁気検出素子は、前記所定方向から見て前記第１の磁性体ブロックと前記第３の磁性体ブロックの間に位置し、
   前記第２の磁気検出素子は、前記所定方向から見て前記第２の磁性体ブロックと前記第３の磁性体ブロックの間に位置することを特徴とする請求項５に記載の磁気センサ。
7. 前記素子形成面に設けられ、それぞれ第１乃至第３の磁性体ブロックに覆われた第１乃至第３の磁性体層をさらに備え、
   前記第１の磁気検出素子は、前記第１の磁性体層と前記第３の磁性体層からなる第１のギャップによって形成される磁路上に配置され、
   前記第２の磁気検出素子は、前記第２の磁性体層と前記第３の磁性体層からなる第２のギャップによって形成される磁路上に配置されることを特徴とする請求項６に記載の磁気センサ。
8. 前記第１の磁性体ブロックは、前記素子形成面と直交する軸を中心に前記第２の磁性体ブロックを１８０°回転させた場合に得られる形状を有していることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の磁気センサ。

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